JPWO2003105226A1 - 半導体装置 - Google Patents

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    • H01L2224/48638—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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Abstract

半導体チップ（２２）内の回路部ごとにバスバー（２１ｄ）を分離して接続することにより、前記回路部ごとに電源を供給することができ、さらにインナリード（２１ｂ）のピッチに無関係にバスバー（２１ｄ）へ接続できる特徴を生かして、パッド（２２ａ）のピッチをインナリード（２１ｂ）のピッチより小さくしたり、パッド（２２ａ）を千鳥配置にするなどして、電源用のパッド（２２ａ）を増やしたり、従来電源用に使用していたリード（２１ａ）を信号用などに利用することができる。

Description

技術分野
本発明は、バスバーまたはリング状バスバーを利用した半導体装置に関し、特に、半導体チップのレイアウトとバスバーまたはリング状バスバーとの配置に関する。
背景技術
多層配線基板を使用したＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）型半導体装置については、例えば、特開２００２−１９０４８８号公報や特開２００２−２７０７２３号公報にその記載があり、従来１００ピン以上の多ピン半導体装置として採用されてきたが、微細加工を施した多層配線基板はコストが高く、トータルコストパフォーマンスが低かった。
また、単層の配線を有するテープ配線基板を使用したＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）型半導体装置については、例えば、特開平１１−５４６５８号公報にその記載があり、従来チップサイズとほぼ同等の小型の半導体装置として採用されてきたが、電源／ＧＮＤなどのための共通電極を形成することが困難な構成であるために、半導体チップの電極の数に応じて外部端子が多くなるという問題があった。したがって、チップ電極数の増加と、多ピン化に伴うパッケージ外形の大型化がトレードオフの関係にあり、チップ電極数に対する制約が大きく、トータルコストパフォーマンスが低かった。
これら従来のＢＧＡ／ＣＳＰと比較して、トータルコストパフォーマンスが優れた半導体装置の構造について発明者は検討した。
また、本出願人は、発明した結果に基づいて第１の観点「複数のリードの先端が繋がっている」、第２の観点「複数のリードとチップとの間に、電源またはＧＮＤに接続するバーを設ける」という観点で調査した。その結果、第１の観点では特開平９−２５２０７２号公報（第２０段落、図８、図９）、第２の観点では特開平１１−１６８１６９号公報（第６１段落、図３）があった。しかしながらこれらの文献では、現在ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）の高機能化に伴う外部端子の多ピン化にはＢＧＡ，ＣＳＰが適していると言われているが、それを低コスト高品質で多ピンに対応するという本願が課題としているところの検討がなされていない。また、内部電源電圧の引き回し配線の電源ドロップ問題とパッケージの組み合わせに関する検討もなされていない。
本発明の目的は、コストパフォーマンスを高くする半導体装置を提供することにある。
また、本発明のその他の目的は、小型化を図る半導体装置を提供することにある。
また、本発明のその他の目的は、製品出荷までにかかる時間（ＴＡＴ：Ｔｕｒｎ Ａｒｏｕｎｄ Ｔｉｍｅ）を短くする半導体装置を提供することにある。
また、本発明のその他の目的は、多ピン化を図る半導体装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
発明の開示
本発明は、主面、裏面と、前記主面上に形成された複数の電極を有する半導体チップと、前記半導体チップの周囲に配列された複数のインナリードと、前記複数のインナリードのそれぞれに一体に形成された複数のアウタリードと、前記複数の電極および複数のインナリードのそれぞれと接続する複数のボンディングワイヤと、前記半導体チップ、複数のインナリード、複数のボンディングワイヤを封止する樹脂封止体とを有するものであり、前記複数のインナリードと前記複数のボンディングワイヤが接続する部分は千鳥状に配置されており、前記複数のインナリードと前記複数のボンディングワイヤが接続する部分は、前記樹脂封止体の内部に封止された基板上に接着層を介して固定されている。
また、本発明は、第１電位と第２電位との間に電流経路を有するトランジスタを含んで構成される第１回路部と、第３電位と第４電位との間に電流経路を有するトランジスタを含んで構成される第２回路部と、前記第１回路部へ前記第１電位を供給する第１パッドと、前記第１回路部へ前記第２電位を供給する第２パッドと、前記第２回路部へ前記第３電位を供給する第３パッドと、前記第２回路部へ前記第４電位を供給する第４パッドと、前記第１及び第２回路部を含むチップと、複数のインナーリードとの間に配置され、前記第１回路部へ前記第１電位を供給する第１リードとを有するものである。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップなども含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合などを除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
同様に、以下の実施の形態において、構成要素などの形状、位置関係などに言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合などを除き、実質的にその形状などに近似または類似するものなどを含むものとする。このことは前記数値および範囲についても同様である。
また、実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
（実施の形態１）
本実施の形態１の半導体装置は、樹脂封止型で、かつリードフレーム１を用いて組み立てられたものであり、本実施の形態１ではこの半導体装置の一例として、比較的ピン数の多いＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）６を取り上げて説明する。
まず、図１に示すＱＦＰ６の構成について説明すると、半導体チップ２の周囲に延在する複数のインナリード１ｂと、半導体チップ２が搭載され、かつそれぞれのインナリード１ｂの先端部と接合されたテープ部材５と、半導体チップ２の主面２ｂに形成された表面電極であるパッド２ａとこれに対応するインナリード１ｂとを電気的に接続するボンディング用のワイヤ４と、半導体チップ２と複数のワイヤ４とテープ部材５とを樹脂封止して形成された封止部（樹脂封止体ともいう）３と、インナリード１ｂに連なり、かつ封止部３から４方向の外部に突出した外部端子である複数のアウタリード１ｃとからなり、このアウタリード１ｃが、ガルウィング状に曲げ加工されている。
さらに、ＱＦＰ６では、テープ部材５が各インナリード１ｂの主面であるワイヤ接続面１ｆに接合されており、インナリード１ｂの上側にテープ部材５が配置されている。このテープ部材５は、インナリード１ｂ列に対応した形状のものであり、したがって、ＱＦＰ６では、テープ部材５が四角形を成している。
また、テープ部材５は、絶縁性のものであり、このテープ部材５に形成された接着層５ａを介して各インナリード１ｂの先端部と接合している。接着層５ａは、例えば、アクリル系の接着剤などから形成されている。
また、テープ部材５は、チップ搭載機能を有しており、半導体チップ２は各インナリード１ｂの先端部によって囲まれた領域のチップ支持面５ｂに銀ペースト８を介して固定されている。
したがって、テープ部材５におけるインナリード１ｂとの接合面５ｃと反対側の面であるチップ支持面５ｂに銀ペースト８を介して半導体チップ２が搭載されている。
なお、複数のインナリード１ｂのうち、半導体チップ２の角部に対応した４つの角部それぞれには、図１４に示すようなテープ部材５の中央付近まで延在するコーナリード１ｇが設けられている。すなわち、半導体チップ２の角部に対応した箇所には、半導体チップ２の各辺ごとに対応して第１の連結部１ｄで連結された複数のインナリード１ｂ群に隣接してコーナリード１ｇが配置されている。
したがって、テープ部材５は、この４本のコーナリード１ｇによっても支持されており、４本のコーナリード１ｇ上にテープ部材５および銀ペースト８を介して半導体チップ２が搭載されている。
また、テープ部材５には、図１および図１４に示すように、第１貫通孔５ｅと第２貫通孔５ｆとが形成されている。第１貫通孔５ｅは、各インナリード１ｂの先端部に隣接してインナリード１ｂの列方向に沿って形成されている。したがって、四角形のテープ部材５の各辺に対応して４つの第１貫通孔５ｅが形成されている。
一方、第２貫通孔５ｆは、ＱＦＰ６のほぼ中央付近に形成され、図１に示すように半導体チップ２の裏面２ｃに配置される。
また、各インナリード１ｂのワイヤ接続面１ｆには、その内側の先端部から外側に向かった領域に、金線などのワイヤ４を接続するための銀めっき７が被覆されている。したがって、銀めっき７は、テープ部材５より外側の領域まで被覆されていなければならず、ワイヤボンディング可能な範囲まで被覆されている。
これにより、本実施の形態１のＱＦＰ６では、各インナリード１ｂのワイヤ接続面１ｆにおいて、テープ部材５の外側箇所の銀めっき７が被覆された領域にワイヤ４が接続されている。
なお、ＱＦＰ６では、テープ部材５上に種々の大きさの半導体チップ２を搭載することが可能であり、図１５に示すような範囲で様々の大きさの半導体チップ２を搭載することができる。
そこで、図１が搭載可能な最小のサイズの半導体チップ２を搭載した場合であり、また、図２が搭載可能な最大のサイズの半導体チップ２を搭載した場合である。
このように、本実施の形態１のＱＦＰ６では、様々のサイズの半導体チップ２を搭載することが可能であり、図１４に示すリードフレーム１の汎用性を高めている。
次に、図３〜図６は、本実施の形態１の変形例のＱＦＰ６の構造を示すものである。
図３および図４は、図１のテープ部材５に換えてヒートスプレッダ５ｄを設けた構造のＱＦＰ６を示すものであり、ヒートスプレッダ５ｄを設けたことにより、放熱性を高めるものである。
なお、図３に示すＱＦＰ６では、ヒートスプレッダ５ｄの表裏両面に接着層５ａを設けてこの接着層５ａを介してインナリード１ｂとヒートスプレッダ５ｄとが接着されており、また、半導体チップ２は、銀ペースト８を介して固定されている。
これに対して、図４に示すＱＦＰ６では、銀ペースト８などのダイボンディング材を使用せず、ヒートスプレッダ５ｄに設けられた接着層５ａを介して半導体チップ２を固定している。すなわち、ヒートスプレッダ５ｄの一方の面に設けられた接着層５ａを介してインナリード１ｂとヒートスプレッダ５ｄとが接着され、さらに、他方の面に設けられた接着層５ａを介して半導体チップ２が固定されている。
また、図５は、各インナリード１ｂや各アウタリード１ｃの切断面を除く表面にパラジウムめっき９が被覆されたＱＦＰ６である。
また、図６は、図２に示すＱＦＰ６において半導体チップ２がテープ部材５より迫り出して搭載されている構造を示すものである。すなわち、テープ部材５がインナリード１ｂの上側に配置されているため、テープ部材５のさらに上に搭載する半導体チップ２はテープ部材５より大きくても搭載可能となり、テープ部材５より主面２ｂの大きな半導体チップ２を搭載した構造を示すものである。
次に、本実施の形態１のＱＦＰ６の製造方法を、それに用いられるリードフレームの製造方法と合わせて説明する。
まず、図７に示すようなフレーム体１ａを準備する。
このフレーム体１ａは、薄板状の金属部材であり、搭載される半導体チップ２のパッド２ａ列に対応して配置された複数のインナリード１ｂと、これと一体に形成された複数のアウタリード１ｃと、複数のインナリード１ｂの先端部を相互に一体に連結する第１の連結部１ｄと、第１の連結部１ｄによって連結されたインナリード１ｂを除き、かつ少なくともＱＦＰ６の角部に配置されたインナリード１ｂ（コーナリード１ｇ）を含む他の複数のインナリード１ｂを相互に一体に連結するとともに第１の連結部１ｄより内側に配置された第２の連結部１ｅとを有している。
すなわち、複数のインナリード１ｂおよびアウタリード１ｃに加えて、半導体チップ２の１辺に対応した複数のインナリード１ｂの先端部を連結する第１の連結部１ｄと、第１の連結部１ｄより内側のパッケージのほぼ中央において、角部に配置された４本のインナリード１ｂであるコーナリード１ｇを連結する第２の連結部１ｅとを有している。
なお、フレーム体１ａは、例えば、銅などによって形成されており、各インナリード１ｂのワイヤ接続面１ｆにおいては、それぞれの先端部からワイヤ４との接続が行われる箇所までの領域に銀めっき７が被覆されている。その際、第１の連結部１ｄにも銀めっき７が被覆されている。
また、図８に示すように、フレーム体１ａのワイヤ接続面１ｆと反対側の面（この面を以降、裏面１ｋという）には、図７に示すような銀めっき７は被覆されていない。
その後、図９に示すように、複数のインナリード１ｂのワイヤ接続面１ｆに対して、複数のインナリード１ｂの先端部、さらに第１の連結部１ｄおよび第２の連結部１ｅと、テープ部材５とを貼り付ける。
すなわち、インナリード１ｂのワイヤ接続面１ｆの先端部、第１の連結部１ｄおよび第２の連結部１ｅにテープ部材５を貼り付ける。
その際、例えば、テープ部材５に予め設けられた接着層５ａを介してフレーム体１ａにテープ部材５を貼り付ける。なお、フレーム体１ａをその裏面１ｋ側から眺めた構造が図１０に示すものである。
その後、複数のインナリード１ｂの先端部に沿って第１の連結部１ｄを切断するとともに、第２の連結部１ｅを切断する。
このようにフレーム体１ａにテープ部材５を貼り付けた後に各インナリード１ｂの先端の切断を行うことにより、リードフレームの製造工程において、リード先端が曲がってリードピッチがずれてワイヤボンディングに悪影響を及ぼし、その結果、リードフレーム製造工程での歩留りが低下するという不具合の発生を防ぐことができる。
なお、第１の連結部１ｄに係わる切断と第２の連結部１ｅに係わる切断とを分けて行う。ここでは、図１１に示すように、まず、図１０に示す第１の連結部１ｄを切断し、この第１の連結部１ｄをフレーム体１ａから除去して４つの第１貫通孔５ｅを形成することによって、図１２に示すようにそれぞれのインナリード１ｂの先端部での独立化を図る。
続いて、図１３に示すように、図１２に示す第２の連結部１ｅを切断し、この第２の連結部１ｅをフレーム体１ａから除去して第２貫通孔５ｆを形成することによって、図１４に示すようにそれぞれのコーナリード１ｇの独立化を図る。
なお、第１の連結部１ｄと第２の連結部１ｅの切断については、第２の連結部１ｅを先に切断して除去し、その後、第１の連結部１ｄの切断を行ってもよく、あるいは第１の連結部１ｄと第２の連結部１ｅとの切断を同時に行ってもよい。同時に行うことにより、効率よく切断することができる。
本実施の形態１のリードフレーム１では、４つの角部に配置されたコーナリード１ｇがテープ部材５の中央近くまで延在しているため、テープ吊り部５ｇの強度を高めることができるとともに、テープ部材５全体の剛性を高めることができる。これにより、第２の連結部１ｅの切断時などにおけるテープ部材５のうねりの発生を防ぐことができ、リードフレーム１の製造における歩留り向上を図ることができる。
これにより、テープ部材５の素材が柔らかなものであっても歩留りを低下させることなくリードフレーム１の製造を行うことができる。
その後、テープ部材５のインナリード１ｂとの接合面５ｃと反対側の面に半導体チップ２を搭載するダイボンディングを行う。
その際、図１あるいは図２に示すように、例えば、テープ部材５上に銀ペースト８を塗布し、この銀ペースト８によって半導体チップ２を固定する。
その後、半導体チップ２のパッド２ａとこれに対応するインナリード１ｂとをワイヤ４によって接続するワイヤボンディングを行う。
ここでは、ワイヤ４とインナリード１ｂとのワイヤ接続すなわち２ｎｄボンディングにおいて、図１に示すようにインナリード１ｂのワイヤ接続面１ｆのテープ部材５の外側箇所の銀めっき７形成箇所とワイヤ４とを接続する。
その際、本実施の形態１の半導体装置の製造方法では、各インナリード１ｂのワイヤ接続面１ｆ側にテープ部材５が貼り付けられており、各インナリード１ｂの上側にテープ部材５が配置されているため、ワイヤボンディング時に各インナリード１ｂをボンディングステージ上に直接配置することができる。
これにより、ワイヤボンディングの際に超音波や熱を各インナリード１ｂに対して十分に付与することができる。
その結果、２ｎｄボンディングを確実に行うことができ、２ｎｄボンディングの不良の発生を低減できる。
これにより、ＱＦＰ６の製造における歩留りを向上できる。
なお、各インナリード１ｂをボンディングステージ上に直接配置して２ｎｄボンディングを確実に行うことができるため、テープ部材５に、比較的柔らかなアクリル系、ポリイミド系、エポキシ系、ゴム系等の接着材などの接着層５ａが形成されていてもよく、この場合であっても２ｎｄボンディングを確実に行うことができる。アクリル系接着材は、安価であるため、リードフレーム１のコストを低減できる。
ワイヤボンディング終了後、半導体チップ２および複数のワイヤ４を封止用樹脂を用いて樹脂封止して封止部３を形成する。
その後、複数のアウタリード１ｃそれぞれを切断してリードフレーム１から分離するとともに、アウタリード１ｃを曲げ成形してＱＦＰ６の組み立てを終了する。
なお、図１５は、図１３に示すリードフレーム１における最小チップ搭載エリア１７と最大チップ搭載エリア１８を示したものであり、さらに、図１６は最小の半導体チップ２を搭載してワイヤボンディングを行った構造を示しており、図１７は最大の半導体チップ２を搭載してワイヤボンディングを行った構造を示している。
このように本実施の形態１で用いられるリードフレーム１は、種々の大きさの半導体チップ２が搭載可能であり、リードフレーム１の汎用性を高めることが可能である。
また、インナリード１ｂの上側にテープ部材５が配置されるため、図６のＱＦＰ６に示すように、テープ部材５より迫り出させて、テープ部材５よりも大きな半導体チップ２を搭載することも可能となり、さらにリードフレーム１の汎用性を高めることができる。
次に、図１８〜図２５に示す本実施の形態１の変形例のリードフレームの製造方法について説明する。
図１８、図１９は変形例のフレーム体１ａを示すものであり、第２の連結部１ｅによって連結されるインナリード１ｂの数を８本に増やしたものである。角部に配置された４本のインナリード１ｂ（コーナリード１ｇ）に加えて、これらとそれぞれ４５°θ回転した位置の４本のインナリード１ｂを連結しているものであり、合計８本のインナリード１ｂが第２の連結部１ｅによって連結されている。
また、第１の連結部１ｄは、角部と角部の間の中央付近に配置されたインナリード１ｂによってその両側に分割された構造であり、合計８つの第１の連結部１ｄが形成されている。
なお、インナリード１ｂのワイヤ接続面１ｆ側には図７と同様に銀めっき７が被覆されている。
図２０、図２１は、テープ部材５を貼り付けた状態である。
さらに、図２２は第１の連結部１ｄを切断して８つの第１貫通孔５ｅを形成した状態であり、図２３はその裏面図である。
また、図２４は第２の連結部１ｅを切断して１つの第２貫通孔５ｆを形成してリードフレーム１を組み立てた状態であり、図２５はその裏面図である。
なお、図２４に示すリードフレーム１においても、図２１に示す第１の連結部１ｄと第２の連結部１ｅを同時に切断してもよいし、また、どちらか一方を先に切断し、その後他方を切断してもよい。
また、図２６〜図２８は、チップ搭載可能範囲とそのワイヤボンディング状態を示したものである。図２６は、図２４に示すリードフレーム１における最小チップ搭載エリア１７と最大チップ搭載エリア１８を示したものであり、さらに、図２７は最小の半導体チップ２を搭載してワイヤボンディングを行った構造を示しており、図２８は最大の半導体チップ２を搭載してワイヤボンディングを行った構造を示している。
このように図２４に示す変形例のリードフレーム１であっても、種々の大きさの半導体チップ２が搭載可能であり、リードフレーム１の汎用性を高めることが可能である。
さらに、４本のコーナリード１ｇを含む合計８本のインナリード１ｂが、テープ部材５の中央付近まで延在しているため、さらにテープ部材５の剛性を高めることができる。
次に、図２９〜図３１に示す変形例のリードフレーム１について説明する。
図２９は、図３１に示す変形例のリードフレーム１を形成するためのフレーム体１ａであり、複数のインナリード１ｂと、これに一体で形成された複数のアウタリード１ｃと、複数のインナリード１ｂの先端部を相互に一体に連結する第１の連結部１ｄと、第１の連結部１ｄで連結された複数のインナリード１ｂ群に隣接してパッケージ角部に配置されたインナリード１ｂ（コーナリード１ｇ）と第１の連結部１ｄを連結するとともに、第１の連結部１ｄより内側に配置された複数の第２の連結部１ｅとを有している。
すなわち、４つの角部に設けられたコーナリード１ｇが、コーナリード１ｇ同士は連結せずにそれぞれ隣接した第１の連結部１ｄと第２の連結部１ｅを介して連結しており、その際、第２の連結部１ｅが第１の連結部１ｄより内側中央寄りにコの字状に延在して配置されている。
図２９に示すフレーム体１ａを用いて、図３０に示すように、複数のインナリード１ｂのワイヤ接続面側の先端部、第１の連結部１ｄおよび第２の連結部１ｅと、テープ部材５との貼り付けを行う。
前記貼り付け後、複数のインナリード１ｂの先端部に沿って第１の連結部１ｄを切断してフレーム体１ａから第１の連結部１ｄを除去し、これによって、図３１に示す４つの第１貫通孔５ｅが形成されてリードフレーム１が製造される。
すなわち、図３０に示すフレーム体１ａにおいて４つの第１の連結部１ｄを切り落とすことによってコーナリード１ｇを含む複数のインナリード１ｂそれぞれがそれらの先端側において図３１に示すように分離されたことになる。
その後、図１３に示すリードフレーム１を用いた組み立てと同様に、図３１に示す変形例のリードフレーム１を用いてテープ部材５のチップ支持面側（各インナリード１ｂが配置された面と反対側）に半導体チップ２を搭載し、ワイヤボンディング、樹脂封止およびアウタリード１ｃの切断成形を行って本実施の形態１のＱＦＰ６（図１参照）と同様の半導体装置を組み立てる。
なお、図３１に示す変形例のリードフレーム１の製造では、第１の連結部１ｄの切断のみを行い、第２の連結部１ｅの切断は行わないため、連結部切断の工程を簡略化することができ、リードフレーム１の製造工程の簡略化を図ることができる。
また、図３１に示す変形例のリードフレーム１は、テープ吊り部５ｇの強度を高める事はできるが、第２の連結部１ｅの内側中央付近への延在量が比較的少ないため、ガラエポ系樹脂などからなる高強度のテープ部材５を使用する場合に有効である。
次に、図３２〜図３４に示す本実施の形態１のリードフレームの製造方法の変形例について説明する。
図３２は、リードフレーム１の製造で第１の連結部１ｄや第２の連結部１ｅを打ち抜く際に、その打ち抜き方向を示したものであり、複数のインナリード１ｂの先端部が第１の連結部１ｄによって相互に一体に形成されたフレーム体１ａを準備し、これにテープ部材５を貼り付けた後、ダイ１３上にフレーム体１ａを配置し、その後、打ち抜き用のパンチ１２を用いて複数のインナリード１ｂの先端部に沿って第１の連結部１ｄをチップ搭載側の面から打ち抜き、切断して、フレーム体１ａから第１の連結部１ｄを除去する。
これにより、図３３に示すように切断バリ１４をフレーム体１ａまたはテープ部材５のチップ搭載側の面と反対側の面に突出させることができ、ダイボンディング時にテープ部材５と半導体チップ２の間に切断バリ１４が入り込むなどの悪影響の発生を防ぐことができる。
さらに、打ち抜き後、図３３に示すようにブロック１５などを用いてインナリード１ｂとテープ部材５との接合部をコイニングすることが好ましく、これによって、切断によって形成された切断バリ１４を潰して切断箇所の平坦化を図ることができる。
また、図３４は、予め熱可塑性の接着層５ａが形成されたテープ部材５を用いて、このテープ部材５をフレーム体１ａに貼り付けるものであり、インナリード１ｂとテープ部材５の接合および半導体チップ２とテープ部材５の接合を熱可塑性の接着層５ａを介して行う。このようなリードフレーム１を用いて組み立てられたＱＦＰ６が図４の変形例に示すものである。
テープ部材５に予め熱可塑性の接着層５ａが形成されていることにより、ダイボンド材が不要になるため、コストの低減化とダイボンディング工程の簡略化を図ることができる。
なお、この場合のテープ部材５の基材は、例えば、耐熱性の高いポリイミド樹脂などからなる。
また、図３４に示すようなテープ部材５に予め熱可塑性の接着層５ａが形成されたリードフレーム１を用いてダイボンディングを行う際には、複数のインナリード１ｂの先端部を専用治具などによって固定してダイボンディングすることが好ましい。
これは、ダイボンディング時に、熱によって熱可塑性の接着材が柔らかくなって、各インナリード１ｂが動いてリード位置が変わるなどの不具合の発生を防ぐためである。
また、ダイボンディング時に、例えば、レーザなどを用いてテープ部材５におけるチップ搭載領域のみを局所的に加熱してダイボンディングすることが好ましい。
これによって、各インナリード１ｂの先端部付近は加熱せずに済むため、各インナリード１ｂが動いてリード位置が変わるなどの不具合の発生を防ぐことができる。
また、予め全面にパラジウムめっき９（図５参照）が被覆されたフレーム体１ａを用いてリードフレーム１を製造し、このリードフレーム１を用いてＱＦＰ６の組み立てを行ってもよい。
全面にパラジウムめっき９が被覆されたリードフレーム１を用いてＱＦＰ６を組み立てることにより、パラジウムは銅などに比較してインナリード固定用の接着材との接着力が高いため、図３２に示すパンチ１２による打ち抜きを行う際にも打ち抜き時のテープ部材５とインナリード１ｂの剥がれが発生しにくい。
さらに、全面にパラジウムめっき９が被覆されていることにより、銀めっき７や外装めっきが不要となり、また、銅などに比較してパラジウムは融点が高いため、耐熱性の向上を図ることができる。これにより、Ｐｂフリー化を図った実装を実現できる。
なお、予め全面にパラジウムめっき９が被覆されたリードフレーム１を用いて組み立てられたＱＦＰ６が、図５に示すものである。ただし、組み立て後のＱＦＰ６では、アウタリード１ｃやインナリード１ｂの切断面にはパラジウムめっき９が被覆されていないことは言うまでもない。
（実施の形態２）
図３５、図３６および図３７に示す本実施の形態２の半導体装置は、実施の形態１のＱＦＰ６と同様に、テープ部材５上に半導体チップ２が搭載される多ピンのＱＦＰ１６であるが、実施の形態１のＱＦＰ６と異なる点は、テープ部材５のインナリード１ｂとの接合面５ｃと同一の面に半導体チップ２が搭載されていることである。すなわち、テープ部材５はインナリード１ｂの下側に貼り付けられ、このテープ部材５の上に半導体チップ２が搭載されている。
さらに、電源やグラウンドの強化（安定化）を図るための共通リード（バスバーリード）であるバーリードを有していることである。
したがって、本実施の形態２のＱＦＰ１６は、多ピンで、かつ電源やグラウンドの強化を図る場合に有効な構造のものであるが、外部端子として封止部３から露出させる電源やグラウンドの端子数を増加させずに電源やグラウンドの強化（安定化）を図るものである。
まず、図３５に示すＱＦＰ１６は、図３８に示すように、インナリード１ｂ群の内側に配置されたリング状の共通リードである第１バーリード１ｈと、この第１バーリード１ｈに連結され、かつ４つの角部に配置されたコーナリード１ｇと、第１バーリード１ｈと各インナリード１ｂの先端との間に形成された第１貫通孔５ｅとを有しており、テープ部材５の上に最小の搭載可能サイズに対応した最小の大きさの半導体チップ２を搭載した構造のものである。
そこで、図３５に示すＱＦＰ１６では、ワイヤ４による接続は、半導体チップ２の各パッド２ａとこれに対応するそれぞれのインナリード１ｂとの間で行われ、さらに半導体チップ２のグラウンド／電源のパッド２ａと第１バーリード１ｈとの間でも行われている。
また、図３６は図３５に示すＱＦＰ１６において、最大の搭載可能サイズに対応した最大の大きさの半導体チップ２を搭載した構造のものである。
さらに、図３７に示すＱＦＰ１６では、ワイヤ４による接続は、半導体チップ２の各パッド２ａとこれに対応するそれぞれのインナリード１ｂとの間で行われ、かつ半導体チップ２のグラウンドまたは電源のパッド２ａと第１バーリード１ｈとの間でも行われ、さらに第１バーリード１ｈとインナリード１ｂとの間でも行われている。
したがって、半導体チップ２のグラウンドまたは電源のパッド２ａが共通リードである第１バーリード１ｈを介して共通のグラウンドまたは電源端子と接続され、さらに第１バーリード１ｈが４本のコーナリード１ｇを介して外部の実装基板などと接続される。
次に、本実施の形態２のＱＦＰ１６の製造方法とそれに用いられるリードフレーム１の製造方法について説明する。
まず、図３８に示すようなフレーム体１ａを準備する。
このフレーム体１ａは、搭載される半導体チップ２のパッド２ａ列にほぼ対応して配置された複数のインナリード１ｂと、これと一体に形成された複数のアウタリード１ｃと、複数のインナリード１ｂの先端部を相互に一体に連結する連結部１ｊと、連結部１ｊで連結された複数のインナリード群に隣接して角部に配置された他の４本のコーナリード１ｇを相互に一体に連結するとともに、連結部１ｊより内側に配置されたリング状の第１バーリード１ｈとを有している。
すなわち、複数のインナリード１ｂおよびアウタリード１ｃに加えて、半導体チップ２の１辺に対応した複数のインナリード１ｂの先端部を連結する連結部１ｊと、連結部１ｊより内側に配置され、かつ角部に配置された４本のインナリード１ｂであるコーナリード１ｇを連結するリング状の第１バーリード１ｈとを有している。
なお、フレーム体１ａには、４本のコーナリード１ｇを含む各インナリード１ｂのワイヤ接続面１ｆにおいて、それぞれの先端部からワイヤ接続が行われる箇所までの領域に銀めっき７が被覆されている。その際、連結部１ｊと第１バーリード１ｈにも銀めっき７が被覆されている。
また、図３９に示すように、フレーム体１ａの裏面１ｋには、図３８に示すような銀めっき７は被覆されていない。
その後、図４０に示すように、複数のインナリード１ｂの先端部、連結部１ｊおよび第１バーリード１ｈのそれぞれの裏面１ｋと、テープ部材５とを貼り付ける。なお、テープ部材貼り付け後、フレーム体１ａをその裏面１ｋ側から眺めた構造が図４１に示すものである。
その後、複数のインナリード１ｂの先端部に沿って連結部１ｊを切断してフレーム体１ａから連結部１ｊを除去し、図４２に示すような４つの第１貫通孔５ｅを形成する。
これによって、図４２および図４３に示すようなリードフレーム１の製造となる。
本実施の形態２のリードフレーム１では、４つの第１貫通孔５ｅのそれぞれ内側に共通リードである第１バーリード１ｈが配置されるため、テープ部材５のチップ搭載領域の剛性を高めることができるとともに、４つの角部に配置されたコーナリード１ｇがリング状の第１バーリード１ｈによって一体に連結されるため、共通リードであるバーリードの強度を向上できる。
これによって、テープ部材５のうねりの発生を防ぐことができ、リードフレーム１の製造における歩留り向上を図ることができる。
その後、テープ部材５のインナリード１ｂとの接合面５ｃと同一の面に半導体チップ２を搭載するダイボンディングを行う。
その際、図３５に示すように、例えば、銀ペースト８によって半導体チップ２を固定する。
その後、半導体チップ２のパッド２ａとこれに対応するインナリード１ｂとをワイヤ４によって接続するワイヤボンディングを行う。
ここでは、ワイヤ４とインナリード１ｂとのワイヤ接続すなわち２ｎｄボンディングにおいて、図３８に示すようにインナリード１ｂのワイヤ接続面１ｆの銀めっき７形成箇所とワイヤ４とを接続する。
ワイヤボンディング終了後、半導体チップ２および複数のワイヤ４を封止用樹脂を用いて樹脂封止して封止部３を形成する。
その後、複数のアウタリード１ｃそれぞれを切断してリードフレーム１から分離するとともに、アウタリード１ｃを曲げ成形してＱＦＰ１６の組み立てを終了する。
なお、図４４は、図４２に示すリードフレーム１における最小チップ搭載エリア１７と最大チップ搭載エリア１８を示したものであり、さらに、図４５は最小の半導体チップ２を搭載してワイヤボンディングを行った構造を示しており、図４６は最大の半導体チップ２を搭載してワイヤボンディングを行った構造を示している。
このように本実施の形態２で用いられるリードフレーム１においても、種々の大きさの半導体チップ２が搭載可能であり、リードフレーム１の汎用性を高めることが可能である。
なお、図４２に示すリードフレーム１では、４つのコーナリード１ｇがリング状の第１バーリード１ｈと一体に連結しているため、この第１バーリード１ｈを１つの共通電源または１つの共通グラウンドとして使用することになる。
本実施の形態２のＱＦＰ１６によれば、外部端子として封止部３から露出させる電源やグラウンドの端子数を差程増加させることなく電源やグラウンドの強化を図ることができる。
例えば、公知例の特開平９−２５２０７２号公報に記載された図８に示す例の場合、電源やグラウンドのバスライン５０である共通リードを、四角形の半導体チップの各辺に対応して設けた場合に、前記共通リードと連結して外部に露出するリードを設けるために、インナリード８本分のスペースが必要になり、インナリード先端幅を細くした事による多ピン化、もしくはワイヤ長さの短縮の目的に対して阻害要因となってしまう。
本実施の形態２の図４２に示すリードフレーム１を用いて組み立てられたＱＦＰ１６の場合、電源やグラウンドの共通リードとして外部に露出する外部端子を４本設けることになり、電源やグラウンドの共通リードとしての外部端子を４本少なくすることができるとともに、インナリード１ｂの先端を配置する領域がより多く確保できるために、インナリード先端を半導体チップ２のより近くに配置する事が可能となる。
また、第１バーリード１ｈが枠状に形成されているために、テープ部材５全体の剛性を高めることができる。
また、外部に露出する外部端子の全体の数を同数とすると、本実施の形態２のＱＦＰ１６の場合、公知例と比較して４本多く信号用の端子として使用することができ、したがって、本実施の形態２のＱＦＰ１６は、多ピンのパッケージに非常に有効である。
次に、本実施の形態２の変形例のリードフレーム１について説明する。
図４７に示す変形例のリードフレーム１は、図４２に示すリードフレーム１のピン数を減らしたものであり、その他の構造は図４２と同様である。
また、図４８に示す変形例のリードフレーム１は、第１バーリード１ｈの外側に共通リードとなる第２バーリード１ｉが設けられている場合である。すなわち、図３８に示す連結部１ｊと第１バーリード１ｈとの間に両端がインナリード１ｂと連結された第２バーリード１ｉを有するフレーム体１ａを用いて半導体装置の製造を行うものであり、テープ部材５を貼り付けた後、連結部１ｊを切断して除去する際に、１列に並んだ複数のインナリード１ｂのうち第２バーリード１ｉの両端と連結したインナリード１ｂの第２バーリード１ｉとの連結が残り、かつその内側に配置された複数のインナリード１ｂと連結部１ｊの連結が無くなるように連結部１ｊを切断し、フレーム体１ａから連結部１ｊを除去して４つの第１貫通孔５ｅを形成してリードフレーム１を製造するものである。
図４８に示す変形例のリードフレーム１では、２種類の共通リードが設けられているため、２つの共通電源または２つの共通グラウンド、あるいは１つずつ両者の組み合わせとして共通リードを使用することができる。したがって、多ピンの半導体装置に有効である。
図４９に示す変形例のリードフレーム１は、テープ部材５上に連結部１ｊを残すものであり、テープ部材５とフレーム体１ａとを貼り付けた後、連結部１ｊを切断するのではなく、連結部１ｊと連結された複数のインナリード１ｂの先端部を連結部１ｊに沿ってこの連結部１ｊがテープ部材５上に残留するように切断する。
これによって、図５０に示すように、半導体チップ２のパッド２ａ（図３５参照）と連結部１ｊとのワイヤ接続、および連結部１ｊとインナリード１ｂとのワイヤ接続をいずれの位置に対しても行うことが可能になるため、ワイヤ４の配置やパッド２ａの配置の自由度が増えるとともに、多ピンの半導体装置において有効活用ができる。
次に、図５１と図５２は、本実施の形態２の他の変形例のリードフレーム１を用いた際のチップ上のパッド２ａとインナリード１ｂの結線の対応関係と、共通リード使用状況の一例を示したものであり、図５１と図５２においてパッド番号（１次側）が（１）・・であり、リード番号（２次側）が１・・・１００である。さらに、図５２に示す２次側のリード番号において、網がけ番号のリードが電源もしくはグラウンドとして使用されているものである。
図５２に示すように２次側を共通リードとして多数設けることが可能なため、多ピン化に有効である。
次に、図５４に示す構造は、本実施の形態２の図３５における、インナリード１ｂ上におけるワイヤ４の接続位置、および半導体チップ２上におけるパッド２ａの配置を千鳥状にした場合の変形例に関する図であり、また、図５５に示す構造は、図５４に示す前記変形例における一部を拡大した平面図である。
近年、インナリード上および半導体チップ上のワイヤ４をボンディングする位置を千鳥状に配置し、かつ内側のワイヤ４のループ高さよりも、外側のワイヤ４のループ高さを高くすることによって、ワイヤ同士の間隔、およびワイヤ４をボンディングする位置同士の間隔を確保することで、ワイヤ同士の接触もしくはワイヤ４とワイヤボンディング用治具との接触による不良を防止する技術について、本発明者が検討を行っている。
このようにワイヤ４をボンディングする位置を千鳥状に配置する場合においては、ワイヤ４をボンディングする位置を直線状に並べる場合に比較して、外側のループを形成するワイヤ４の長さが長くなってしまうという現象が生じる。
長いループ形状を持つワイヤ４はトランスファーモールディング法における樹脂封止工程時に、ワイヤ４の変形を生じやすく、ワイヤ同士の接触による不良を防ぐのが難しくなる。
そこで、ワイヤボンディング位置を千鳥状に配置する場合には、テープ部材５上に接着層５ａを介してインナリード１ｂの先端を固定する本変形例に記載の構成を採用する事が有効である。つまり、本変形例においては、インナリード１ｂの先端がテープ部材５上に固定されているために、より微細なピッチでインナリード１ｂの先端を配置する事が可能となり、あらかじめ決められた本数のインナリード１ｂの先端を、小さな半導体チップ２の外周のより近くに配置する事が可能となり、インナリード１ｂの先端を遠くに配置した場合に比較して、ワイヤ４の長さを短く抑える事ができる。そしてこの事によって、内側と外側のワイヤループを有する半導体装置においても、トランスファーモールディング法を採用した樹脂封止工程時におけるワイヤ４の変形を有効に防止する事ができる。
本変形例においては、インナリード１ｂ上のワイヤ４をボンディングする部分および半導体チップ２上におけるパッド２ａの何れもが千鳥状に配置された場合について記載したが、前記の発明はこのような場合に限られる事無く、インナリード１ｂ上のワイヤ４をボンディングする部分もしくは半導体チップ２上におけるワイヤ４をボンディングする部分の何れか一方のみが千鳥状に配置された場合においても、インナリード１ｂの先端をテープ基板５上に固定し、インナリード１ｂ先端ピッチの微細化を進める事で、ワイヤループ長さを小さくする効果を得る場合にも適用する事ができるものである。
なお、前記実施の形態１，２では、半導体装置としてＱＦＰ６，１６を取り上げて説明したが、前記半導体装置としては、リードフレームを用いて組み立てられるものであれば、図５３の変形例に示すようなＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）１０などであってもよい。
ＱＦＮ１０は、小型の半導体パッケージであり、封止部３に埋め込まれたインナリード１ｂの一部が被接続部１ｍとして封止部３の裏面３ａに露出しており、この被接続部１ｍを半田１１と接続する構造のものである。
このような小型のＱＦＮ１０に対しても前記実施の形態１，２の半導体装置の製造方法を適用することができる。
次に、実施の形態３〜８について説明する。なお、実施の形態３〜８においても、パッケージの４方向の側面からガルウィング形状のリードが出ているＱｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ（ＱＦＰ）に適用した例を中心に説明する。ＱＦＰは、パッケージ形状を一定とし、リードピッチの縮小化により多ピン化を図ることができる。また本発明は、樹脂封止されたパケージ内の構造はＱＦＰとほぼ同様であるが、リードがパッケージの側面から出ていないＱｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−Ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ（ＱＦＮ）にも適用可能である。ＱＦＰと同様のため実施の形態では説明を省略するが、本発明は、ＱＦＰにヒートシンクが付いたタイプのＱｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ ｗｉｔｈ Ｈｅａｔｓｉｎｋ（ＨＱＦＰ）にも適用可能である。
（実施の形態３）
図５６〜図５８に示す本実施の形態３の半導体装置は、基材２５（主に絶縁性のテープ部材又はヒートスプレッダ基材を用いる）の上面に半導体チップ２２、リード２１ａ（インナリード２１ｂ、アウタリード２１ｃ）、バスバー２１ｄ（バーリード、又は単にリードと呼んでも良い）が載ったタイプのＱＦＰ２６である。ここでバスバー２１ｄには、デジタル電源ＶｄｄＤ１、ＶｄｄＤ２、ＶｓｓＤ、およびアナログ電源ＶｄｄＡ１、ＶｄｄＡ２、ＶｓｓＡ用のものがある。このタイプは、半導体チップ２２とリード２１ａとの段差が小さい分パッド２２ａとリード２１ａとを接続しているワイヤ２４（通常金線を用いる）が短くて済み、ボンディング時の接触不良や、樹脂封止の際のワイヤ２４の流れが起き難い。
基材２５は、その上面に形成された接着層２５ａを介して半導体チップ２２、リード２１ａ、バスバー２１ｄと接合している。接着層２５ａは、例えば、アクリル系の接着剤などからできている。複数のリード２１ａとバスバー２１ｄは、もともとリードフレームとして一体化された状態で基材２５に接着された後、カット部２１ｆが連結されていた部分を基材２５と共に打ち抜くことにより切断される。
図５６でカット部２１ｆと一体化したバスバーカット部２１ｇは、デジタル回路部２２ｃとアナログ回路部２２ｅの境界付近でバスバー２１ｄを切断して電気的に絶縁状態にしている。カット部２１ｆとバスバーカット部２１ｇは一体化しているので、一度に同時に打ち抜くことができる。バスバーカット部２１ｈは、外側のバスバー２１ｄ（ＶｓｓＤ）と一体化されていた内側のバスバー２１ｄ（ＶｄｄＤ１、ＶｄｄＤ２）を切断するため、連結されていた部分を基材２５と共に打ち抜いている。外側と内側のバスバー２１ｄの連結部がバスバーカット部２１ｇで打ち抜かれる部分にある場合は、バスバーカット部２１ｈはなくても良い。
複数のリード２１ａは、アナログ回路入力２ｋ、アナログ回路出力２ｌ、デジタル回路入力２ｉ、デジタル回路出力２ｊを含む。電源（ＶｄｄＤ１、ＶｄｄＤ２、ＶｓｓＤ、ＶｄｄＡ１、ＶｄｄＡ２、ＶｓｓＡ）に接続されるリード２１ａもある。
半導体チップ２２は、デジタル電源（ＶｄｄＤ１、ＶｓｓＤ）で動作するデジタル入出力回路部２２ｂと、デジタル電源（ＶｄｄＤ２、ＶｓｓＤ）で動作するデジタル回路部２２ｃおよびメモリ２２ｈ（典型的にはＳＲＡＭ：Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、不揮発性のＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）等と、アナログ電源（ＶｄｄＡ１、ＶｓｓＡ）で動作するアナログ入出力回路部２２ｄと、アナログ電源（ＶｄｄＡ２，ＶｓｓＡ）で動作するアナログ回路部２２ｅと、パッド２２ａとを含む。これらの回路は、特に制限されないが、典型的にはシリコンチップ上に集積回路技術を利用して作成されたＮ型ＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃ）トランジスタや、Ｐ型ＭＯＳトランジスタにより構成される。但し、それに限定されることなく、バイポーラトランジスタプロセスやＢｉ−ＣＭＯＳプロセスで作成したものであっても良い。
デジタル入出力回路部２２ｂは、図示しない配線によりＶｄｄＤ１およびＶｓｓＤを供給するパッド２２ａに接続されている。同様に、デジタル回路部２２ｃはＶｄｄＤ２およびＶｓｓＤを供給するパッド２２ａに、アナログ入出力回路部２２ｄはＶｄｄＡ１およびＶｓｓＡに、アナログ回路部２２ｅはＶｄｄＡ２およびＶｓｓＡを供給するパッド２２ａにそれぞれ接続されている。
最も外側に位置するバスバー２１ｄ（ＶｓｓＤ、ＶｓｓＡ）は、リード２１ａと類似の形をしたリード部２１ｅ（図５６中の四隅）を有し、このリード部２１ｅを通して電源が供給される。内側のバスバー２１ｄ（ＶｄｄＤ１、ＶｄｄＤ２、ＶｄｄＡ１、ＶｄｄＡ２）は、ワイヤボンディングにより電源供給用のリード２１ａに接続される。図５６中の四隅付近のワイヤ２４が示すように、ここではインピーダンスを下げるために１本のリード２１ａとバスバー２１ｄを２本のワイヤ２４で接続している。
このように、電源供給用のリード２１ａとバスバー２１ｄの接続位置を９０度もしくは１８０度の回転対象にしておくと、パッケージを実装する際に回転して実装してしまった場合でも、電源とＧＮＤを逆にかけてしまう危険が無いため、デバイス破壊を防ぐことができる。なお、図５６では、電源供給用のリード２１ａとバスバー２１ｄの接続位置を各辺の端に配置したが、端に限定されることはない。
図５７に示されるように、上面に銀メッキ２７の施されたリード２１ａ、バスバー２１ｄ、半導体チップ２２が、基材２５の上面に接着層２５ａにより接着される。ただし、半導体チップ２２の下面には銀ペースト２８が塗布されている。各バスバー２１ｄとインナリード２１ｂは分離して配置され、絶縁されている。インナリード２１ｂと基材２５が接着された後、カット部２１ｆによりインナリード２１ｂと基材２５が一緒に打ち抜かれる。パッド２２ａとインナリード２１ｂおよびバスバー２１ｄは、ワイヤボンディングにより金線などのワイヤ２４で接続される。さらに、アウタリード２１ｃを除いた全ての部分が樹脂２３により封止される。
図５８に示されるように、バスバーカット部２１ｇにより、アナログ用電源とデジタル用電源は分離絶縁されている。
図５９は、図５６のデジタル・アナログ混在回路の回路図である。デジタル回路を２電源、アナログ回路を２電源に分離している。デジタル第１回路部ＤＣ１とデジタル第２回路部ＤＣ２は、図５６のデジタル回路部２２ｃ内の回路部である。
デジタル入出力回路部２２ｂであるＩＯＤＣは、外部からのデジタル信号ＩｎＤを受けてレベル変換し、内部回路ＤＣ２へ送る。ＩＯＤＣの信号振幅は、典型的にはＶｓｓＤとＶｄｄＤ１との間にあり、ＤＣ２の信号振幅はそれよりも小さくＶｓｓＤとＶｄｄＤ２の間にある。内部回路ＤＣ２からの信号は、ＩＯＤＣでレベル変換して外部へ出力する。ＤＣ１は、アナログ回路部２２ｅであるＡＣおよびＤＣ２とデジタル信号のやり取りをする。ＤＣ２は、ＤＣ１およびＩＯＤＣ（デジタル入出力回路部２２ｂ）とデジタル信号のやり取りをする。ＤＣ１とＤＣ２は、図５６のデジタル回路部２２ｃ内の回路部である。
アナログ回路部２２ｅは、典型的には外部からのアナログ信号ＩｎＡをデジタル信号へ変換してＤＣ１へ送るＡ／Ｄコンバータと、ＤＣ１からのデジタル信号をアナログ信号へ変換して外部へ出力するＤ／Ａコンバータを含む。Ａ／Ｄコンバータは、外部からのアナログ信号ＩｎＡが入力されるＡ／Ｄコンバータアナログ部ＡＤＡと、ＡＤＡからの信号を受けてＤＣ１へ信号を出力するＡ／Ｄコンバータデジタル部ＡＤＤを含む。Ｄ／Ａコンバータは、ＤＣ１からの信号が入力されるＤ／Ａコンバータデジタル部ＤＡＤと、ＤＡＤからの信号を受けて外部へアナログ信号ＯｕｔＡを出力するＤ／Ａコンバータアナログ部ＤＡＡを含む。
デジタル回路部２２ｃの内部電源ＶｄｄＤ２とアナログ回路部２２ｅの内部電源ＶｄｄＡ２は、分離されているが、通常は同じ電位が供給される。デジタル回路部２２ｃの外部電源ＶｄｄＤ１およびアナログ回路部２２ｅの外部電源ＶｄｄＡ１は、ＶｄｄＤ１＞ＶｄｄＤ２、ＶｄｄＡ１＞ＶｄｄＡ２を満たしていればよく、例えばＶｄｄＤ１＝ＶｄｄＡ１＝３．３Ｖ、ＶｄｄＤ２＝ＶｄｄＡ２＝１．５Ｖが供給される。
デジタル回路部２２ｃのＧＮＤ側電源ＶｓｓＤとアナログ回路部２２ｅのＧＮＤ側電源ＶｓｓＡも、分離されているが同じ電位が供給される。ここではＧＮＤ側をデジタル用ＶｓｓＤとアナログ用ＶｓｓＡに分離した例を示したが、共通にする場合もある。
ここで、ＶｄｄＡ１とＶｄｄＤ１、ＶｓｓＡとＶｓｓＤは樹脂２３で封止されたパッケージ内で分離されている例を示した。これらは通常、ＶｄｄＡ１とＶｄｄＤ１は外部電源Ｖ１（高電位側）に、ＶｓｓＡとＶｓｓＤは電源Ｖ２（低電位側）に接続される。
図６０は、アウタリード２１ｃがチップ側面に出ないタイプであるＱＦＮ３０に本発明を適用した場合のレイアウト図である。図６１は、図６０のＡ−Ａ断面図である。ＱＦＰ２６の場合とほぼ同様の構造であるが、リード２１ａがパッケージの側面から出ていない点が異なる。リード２１ａの先端はパッケージの裏面（図６０の平面図の裏面）に出て、半田２９が付着されている。
図５５〜図６１に例示した構成により、以下のような効果を得ることができる。
第１に、インナリード２１ｂと半導体チップ２２との間に電源供給用のバスバー２１ｄを設けたことにより、パッド２２ａの数を大幅に増やすことができる。これは、バスバー２１ｄへのワイヤボンディングはインナリード２１ｂのピッチに無関係に接続できるため、パッド２２ａのピッチをインナリード２１ｂのピッチより小さくし、インナリード２１ｂの本数以上にパッド２２ａの数を増やすことができるためである。電源用のパッド２２ａをバスバー２１ｄへ接続することにより、電源供給用のリード２１ａが大幅に削減する。これにより、信号用に用いることができるリード２１ａが増え、信号用のパッド２２ａも増やすことができる。
第２に、半導体チップ２２内の回路部配置に応じてバスバー２１ｄを分離することにより、回路部ごとに分離した電源を供給することができる。近年、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）の微細化により回路配置がより接近しているため、ノイズ対策が重要な課題となっている。特に、デジタル回路部２２ｃで発生するノイズとアナログ回路部２２ｅで発生するノイズが相互に影響を及ぼさないように、デジタル回路部２２ｃとアナログ回路部２２ｅで電源を分離することは重要である。
第３に、回路部へ電源を供給する電源配線（例えば、ＤＣおよびメモリ２２ｈへＶｄｄＤ２を供給する電源配線２２ｇであるＶＬ）は、半導体チップ２２上で回路部の外周に沿って周回させなくても、インピーダンスの低いバスバー２１ｄへ接続することで十分な電流供給能力を得ることができる。従来は、回路部の外周に沿って電源配線ＶＬを周回させることによってインピーダンスを下げていた。
図５６に示したように、これまでの信号用の配線は、リング上になった電源配線層の下層もしくは上層を電源配線層とは別層でクロスして配線していたが、電源配線ＶＬを周回させずに分離して配置することにより、同一配線層に複数種の配線を分離して配置させることが可能となり、配線層の層数を減らすことができる。電源配線ＶＬと信号配線２２ｆであるＳＬとを同じ配線層にレイアウトすることも可能である。
なお従来同様に電源配線を周回させ電源層を別層とすることが信号配線２２ｆの自由度を高くできることは言うまでもない。
また、インピーダンスを下げるには太い配線が必要であるが、配線の面積が増大してしまうという問題がある。本発明を用いれば幅広いバスバー２１ｄが周回配線の変わりとなることから、半導体チップ２２上での電源配線面積を減少することができる。半導体チップ２２が微細化されて０．１μｍプロセス以下になると相対的に配線も細くなるため、本発明は特に有効となる。
図５６で示したようなリード２１ａの四隅付近がバスバー２１ｄと一体化されたタイプ（パッケージとして四隅に電源ピンが配置されるタイプ）は、もともと半導体チップ２２のパッド配列で電源用のパッド２２ａが四隅に配置されているチップに適用した場合、半導体チップ２２の設計変更が少なく好都合である。例えば、パッド２２ａの配置は電源パッドＶｓｓ、Ｖｄｄ１（ＶｄｄＤ１、ＶｄｄＡ１）、Ｖｄｄ２（ＶｄｄＤ２、ＶｄｄＡ２）と信号パッドＩＯを、１つの角からＶｓｓ、ＩＯ、ＩＯ、ＩＯ、Ｖｄｄ１、ＩＯ、ＩＯ、ＩＯ、Ｖｄｄ２、ＩＯ、ＩＯ、ＩＯ、Ｖｓｓ・・・と、電源ピンを数本置き（本実施の形態３は３つ置き）に配列させることで極力ＩＯで消費する電流を補うと共に電源ドロップを防ぐことが多いが、この場合にバスバー２１ｄがあると前記各電源パッドへの接続給電が容易となり好都合である。
従来、多数ピン（例えば、２０８ピン）タイプのパッケージでは電源ドロップを配慮することから、四隅にも電源ピンが配置され、上記のように数本置きに電源ピンが配置されることが多いので、本発明は適用容易である。
図６２は、図５６のデジタル回路部２２ｃとアナログ回路部２２ｅとでバスバー２１ｄを分離したレイアウト図の変形例である。図５６と異なる回路配置の半導体チップ２２に本発明を適用しても、カット部２１ｆでバスバー２１ｄを分離する位置を変えるだけで適した配置にすることができる。
また、図５６ではＶｄｄＤ１およびＶｄｄＡ１電源用と、ＶｄｄＤ２およびＶｄｄＡ２電源用の二重のワイヤ２４を隣接して配置したが、ここでは互いに離れた位置に配置している。このようにそれぞれ離れた位置でワイヤボンディングし、離れた位置から電源供給することで、各回路での消費電流を分散させ、より一層低抵抗化が図れる。ここで、ワイヤ２４は二重の場合を示したが、それ以上でも良い。
図６３は、図６２の変形例である。アナログ回路を１電源系（ＶｄｄＡ、ＶｓｓＡ）、デジタル回路を２電源系（ＶｄｄＤ１、ＶｓｓＤ１系とＶｄｄＤ２、ＶｓｓＤ２系）に分離したレイアウト図である。図５６、図６２と同様にバスバー２１ｄが３重となったタイプを用いているが、必ずしも回路部の境界付近でバスバー２１ｄを分離していない点が異なる。
ここでは、デジタル回路部２２ｃが４本のバスバー２１ｄを要するため、最外部のバスバー２１ｄをＶｓｓＤ１とＶｓｓＤ２に分離してデジタル用に用いている。カット部２１ｆと一体化したバスバーカット部２１ｇは、最外部のバスバー２１ｄの角部を基材２５と共に打ち抜くことで、バスバー２１ｄを電気的に分離している。図６３におけるバスバーカット部２１ｈは、外側のバスバー２１ｄと一体化されていた内側のバスバー２１ｄを切断する（ＶｄｄＤ１とＶｄｄＤ２、ＶｄｄＡ１とＶｄｄＡ２を分離する）角部のものと、デジタル回路部２２ｃとアナログ回路部２２ｅの境界付近でバスバー２１ｄを切断する（ＶｄｄＤ１とＶｄｄＡ１、ＶｄｄＤ２とＶｄｄＡ２を分離する）ものがある。
図６３では、最外部のバスバー２１ｄをカット部２１ｆと一体化したバスバーカット部２１ｇにより分離した例を示したが、デジタル入出力回路部（ＩＯＤＣ）２２ｂとデジタル回路部（ＤＣ）２２ｃでＧＮＤ側を共通とする場合は分離しなくても良い。この場合、最外部のバスバー２１ｄはリング状のまま用いる。
図６４は、図５６のリング状のバスバー２１ｄを、切り込みを入れずにデジタル用として利用したレイアウト図である。デジタル入出力回路部（ＩＯＤＣ）２２ｂおよびデジタル回路部（ＤＣ）２２ｃの電源はバスバー２１ｄへ、アナログ入出力回路部（ＩＯＡＣ）２２ｄおよびアナログ回路部（ＡＣ）２２ｅの電源は従来通りインナリード２１ｂへ直接接続されている。この場合、アナログ回路部２２ｅは従来の回路配置のまま用いることができる。
なお、本発明を適用する場合、基本的には従来の回路構成、チップ内配置は変更することなく、電源パッドのみバスバー２１ｄに接続すれば良い。また、回路配置構成に応じたバスバー２１ｄの配置を適宜選択することで対応できることは言うまでもない。
（実施の形態４）
図６５は、デジタル回路を二つの電源回路部に分離してレイアウトした図、図６６は図６５のデジタル回路の回路図である。
本実施の形態４のような電源分離は、例えば、ＤＣ１とＤＣ２が異なる内部電圧（Ｄ１の内部電圧＜Ｄ２の内部電圧）で動作している場合、ＤＣ１をノイズから守るために有効である。例えば、ＶｄｄＤ１＝ＩｎＤ１＝ＯｕｔＤ１＝３．３Ｖ、ＶｄｄＤ２＝ＩｎＤ２＝ＯｕｔＤ２＝３．３Ｖ、Ｄ１の内部電圧＝１．５Ｖ、Ｄ２の内部電圧＝３．３Ｖの場合などがこれにあたる。また、デジタル入出力回路部（ＩＯ２）２２ｂの入出力信号（ＩｎＤ２、ＯｕｔＤ２）がＩＯ１の入出力信号（ＩｎＤ１、ＯｕｔＤ１）に比べ非常に大きい電圧（ＶｄｄＤ１≪ＶｄｄＤ２）の場合も、ＤＣ１をノイズから守るために有効である。例えば、ＶｄｄＤ１＝ＩｎＤ１＝ＯｕｔＤ１＝３．３Ｖ（または５Ｖ）、ＶｄｄＤ２＝ＩｎＤ２＝ＯｕｔＤ２＝７Ｖ（または１０Ｖ）の場合などがこれにあたる。
図６５、図６６の場合、図５６、図６２および図６３に比べ、電源数が少なく４本で足りるため、バスバー２１ｄが二重のタイプを用いている。ＤＣ１やＤＣ２の内部電圧を外部から供給する場合など、電源の数が増加する場合は、バスバー２１ｄの本数を増やしたり、バスバー２１ｄが三重のタイプを用いたりしても良い。
なおＤＣ１とＤＣ２で使われるクロック周波数が異なる場合なども干渉ノイズ対策の観点から電源分離は有効である。
図５６から図６６まで様々なバスバー２１ｄの形態と配置方法を示してきたが、図面に示された形態・方法に限られることなく、回路のレイアウト方法により種々の変形が考えられる。
例えば、リング状のバスバー２１ｄは、必ずしもチップ半導体チップ２２の辺に沿って四角形に配置する必要も無く、半導体チップ２２を囲む八角形に配置しても良い。この場合、チップ角部でワイヤ２４が込み入りにくくなるため、半導体チップ２２の角部までパッド２２ａを配置することができる。
外側のバスバー２１ｄと内側のバスバー２１ｄの接続部およびそれを分離するバスバーカット部２１ｇまたはバスバーカット部２１ｈも、バスバー２１ｄの角部に限られることなくいずれの場所でも良い。さらに、バスバー２１ｄの本数も、電源の数によって増減しても良い。実施の形態ではバスバー２１ｄが二重または三重（３本〜６本）の例を示したが、これに限られることはない。バスバー２１ｄは少なくとも１本あれば効果があるため、例えば１本でも良い。
また、図に示した複数のリード２１ａの本数や形も、これに限られることなく様々なタイプが考えられる。さらに、半導体チップ２２の形態・サイズも、本実施の形態に示した例に限られることなく、様々なチップを用いて実現可能である。
（実施の形態５）
図６７は、図５６の半導体装置のパッド２２ａを千鳥状に配置し、インナリード２１ｂおよびバスバー２１ｄへ千鳥状にワイヤボンディングした図である。なお、ワイヤボンディングした一部分を拡大図により示す。
ここでは、ワイヤ２４によりバスバー２１ｄと接続された電源用のパッド２２ａは第１列Ｌ１上に配置され、インナリード２１ｂと接続された信号用のパッド２２ａは第２列Ｌ２上に配置されている。拡大図が示すように、第２列Ｌ２上の第３パッド２２ｎは、第１列Ｌ１上の電源用のパッド２２ａである第１パッド２２１と第２パッド２２ｍの中間に位置する（Ｘ＝Ｘ）。このような方法で、第１列Ｌ１上に第１パッド２２ｌおよび第２パッド２２ｍ、第２列Ｌ２上に第３パッド２２ｎを繰り返し配置すると、図６７に示すような千鳥状のパッド配置となる。パッド２２ａを２列に配置して数を増やしても、電源用のパッド２２ａはバスバー２１ｄへ接続されるため、インナリード２１ｂは信号用として使うことができる。
図６８は図６７の変形例であり、図６９は図１３のＡ−Ａ断面図である。ここでは、四辺で分離された、二重のタイプのバスバー２１ｄを用いた。図６７と異なり、ワイヤ２４によりインナリード２１ｂと接続された信号用のパッド２２ａがチップ端側の第１列上Ｌ１に配置され、一方バスバー２１ｄと接続された電源用のパッド２２ａがチップ内側の第２列上Ｌ２に配置されている。この場合、信号用のパッド２２ａ、電源用のパッド２２ａともに、ワイヤボンディングの距離が長くなることを防止できる。
図６７〜図６９にパッド千鳥配置の例を示したが、バスバー２１ｄの本数は電源の数によって増減しても良く、またバスバー２１ｄは全ての辺に置かなくても良い。形状も図示したものに限らず様々な変形が考えられる。チップ全体のパッド２２ａが千鳥状に配置される必要もなく、一部分であっても良い。図６７では信号用のパッド２２ａを内側としたが、チップ端側でもよく、また図６８では信号用のパッド２２ａをチップ端側としたが、内側であっても良い。
（実施の形態６）
図７０は、信号用のパッド２２ａ（ＩＯ）と電源用のパッド２２ａ（Ｖｄｄ、Ｖｓｓ）を交互に配置した図である。
インナリード２１ｂと半導体チップ２２との間に電源供給用のバスバー２１ｄを設けたことにより、電源用のパッド２２ａの数を大幅に増やすことができる。これにより、従来パッド数個置きに配置していた電源用のパッド２２ａを、一つ置きに配置することが可能となり、電源を強化することができる。さらに信号間のクロストークノイズを除去できる。
また、電源のバスバー化で余ったＮＣ（ノンコネクト）ピンはリード側で適当な電源に固定するだけでも良く、これにより信号間の距離が取られ、干渉ノイズ低減、もしくは入出力バッファ動作時の電源ノイズ低減に効果あることは言うまでもない。
図６７〜図６９では、パッド２２ａが千鳥配置、バスバー２１ｄとインナリード２１ｂのワイヤボンディングの位置も千鳥状の場合を示したが、図７０に示すようにバスバー２１ｄおよびインナリード２１ｂ側のみ千鳥状にワイヤボンディングしても良い。
（実施の形態７）
図７１および図７２は、ワイヤボンディングにより内部降圧回路を選択もしくは非選択可能とした回路のレイアウト図である。図７１に示す内部降圧回路２２ｉを使用する場合と、図７２に示す内部降圧回路２２ｉを使用しない場合とで、ワイヤボンディングの方法が異なる。回路部Ａに接続する内部電源配線２２ｋ（Ｖｄｄ２ＡＬ）と、回路部Ｂに接続する内部電源配線２２ｊ（Ｖｄｄ２ＢＬ）は分離されている。
図７１では、内部降圧回路２２ｉを使用して外部電源Ｖｄｄ１をＶｄｄ２Ａに降圧し、回路部Ａへ供給する。ワイヤ２４により、外部電源Ｖｄｄ１が供給されるリード２１ａとＶｄｄ１供給用のバスバー２１ｄが接続され、Ｖｄｄ１供給用のバスバー２１ｄと内部降圧回路２２ｉに接続したパッドＡ２２ｐが接続される。内部電源配線２２ｋ（Ｖｄｄ２ＡＬ）を介して内部降圧回路２２ｉに接続したパッドＢ２２ｑは、回路部Ａへ内部電源Ｖｄｄ２Ａを供給するためのＶｄｄ２Ａ供給用のバスバー２１ｄにボンディングされている。
図７２では、内部降圧回路２２ｉを使用せずに、Ｖｄｄ２Ａ供給用のバスバー２１ｄから回路部Ａへ内部電源を供給する。Ｖｄｄ２Ａ供給用のバスバー２１ｄとパッドＢ２２ｑは、図７１と同様に接続されている。図７１と異なり、内部電源Ｖｄｄ２Ａが供給されるリード２１ａとＶｄｄ２Ａ供給用のバスバー２１ｄが接続されている。ここで、パッドＡ２２ｐはワイヤボンディングされていないが、Ｖｄｄ２Ａ電源供給用のバスバー２１ｄなどに接続しても良い。
図７３は、図７１および図７２の選択可能な内部降圧回路２２ｉの回路図である。図７１および図７２における内部降圧回路２２ｉは略図で示したが、ここでは具体的な一例を示す。Ｐ１，Ｐ２はＰ型ＭＯＳトランジスタ、Ｎ１はＮ型ＭＯＳトランジスタを表す。
内部降圧回路２２ｉを使用する場合（図７１の場合）、パッドＡ２２ｐは高電位側Ｈ（Ｖｄｄ１）にボンディングされる。これにより、Ｐ１がオフ、Ｎ１がオンとなり、Ｖｄｄ１とＶｓｓとの間で比較回路２２ｒが動作する。比較回路２２ｒがＰ２のゲートを制御することにより、Ｐ２はＶｄｄ１をＶｄｄＤ２に降圧して、内部回路であるデジタル回路部２２ｃ（図５６参照）へ供給する。
一方、内部降圧回路２２ｉを使用しない場合（図７２の場合）、パッドＡ２２ｐはワイヤボンディングされないか、または低電位側Ｌ（Ｖｓｓ）にワイヤボンディングされる。これにより、Ｎ１がオフとなり、比較回路２２ｒは動作しなくなる。このとき、回路Ａに対してはＶｄｄ２が供給されるバスバー２１ｄにボンディングされたパッドＢ２２ｑより、Ｖｄｄ２が内部回路へ供給される。
図７１〜図７３では、回路Ａに接続した内部降圧回路２２ｉを例に述べたが、他の内部回路にも同様な方法で適用することができる。
（実施の形態８）
図７４は、引き出し配線によりチップ周辺のパッド２２ａと内部回路を接続した場合、半導体チップ２２の中央付近にパッド２２ａを設けた場合、およびチップ中央付近のパッド２２ａ、チップ端部のパッド２２ａ、バスバー２１ｄを二段階でワイヤボンディングした場合のレイアウト図である。ここでは、メモリ（ＭＥ）２２からの引き出し配線を、ＶｄｄＤ２供給用のバスバー２１ｄへ接続している。
アナログ回路部（ＡＣ）２２ｅ内に設けたパッド２２ａは、ＶｄｄＡ２供給用のバスバー２１ｄへ直接ワイヤボンディングされる。
デジタル回路部（ＤＣ）２２ｃ内に設けたパッド２２ａは、ＶｄｄＤ２供給用のパッド２２ａを介してＶｄｄＤ２供給用のバスバー２１ｄへワイヤボンディングされる。前記のような接続方法はワイヤ２４の直径およびバスバー２１ｄがチップ内配線幅より面積的に大きいことからインピーダンスを低くすることができ、内部回路の電源ドロップを軽減する効果がある。通常回路部を周回している電源リングに加え、特に内部回路で電源ドロップの問題が生じる場合などに有効である。
なお、以上のようにバスバー２１ｄが電源供給用として効用が大きいことを述べたが、半導体チップ２２のパッド２２ａは製造側でこのパッド２２ａを所定レベル値に固定したい場合も考えられるので、本バスバー２１ｄをレベル固定用端子として使用できることは言うまでもない。
（実施の形態９）
実施の形態９〜２０の半導体装置（ＱＦＰ）におけるそれぞれのリードパターンを説明する平面図は、半導体チップ２２の一部のパッド２２ａのみのワイヤ２４の接続状態を示しており、説明上、他のパッド２２ａのワイヤ２４の接続状態は省略しているが、実際には、他のパッド２２ａに対してもワイヤ２４が接続されている（ただし、全パッド２２ａにワイヤ２４が接続されていなくてもよく、ノンコンタクトのパッド２２ａが存在する場合もある）。
図７５に示す半導体装置のリードパターンは、半導体チップ２２の周囲に三重に配置されたリング状のバスバー２１ｄのうち、最も外側のバスバー２１ｄのみを１つのアウタリード２１ｃに連結し、このアウタリード２１ｃを半導体装置の角部に配置したものである。
すなわち、電源用のパッド２２ａが比較的角部に集まって配置された半導体チップ２２を搭載している場合であり、この場合、角部の電源用のパッド２２ａをバスバー２１ｄとワイヤ２４で接続し、さらに、ワイヤ２４と角部付近に配置されたインナリード２１ｂとを接続する。
これにより、ワイヤ２４の半導体チップ２２のパッド２２ａへの進入角度を緩和することができ、チップ角部近傍のパッド間隔を詰めることができる。その結果、配置可能なパッド数を増やすことができる。
また、電源用のパッド２２ａを共通リードであるバスバー２１ｄに接続することにより、電源用のパッド２２ａの数を減らすことができる。これにより、アウタリード２１ｃの空きピンが発生するため、このピンを電源用に固定して信号用ピンの両側に配置することにより、ＬＣ成分によるクロストークノイズを低減、またＩＯバッファが動作する事による電源ノイズを低減することができる。
また、電源用のパッド２２ａでは、パッド２２ａとインナリード２１ｂとをワイヤ２４で直接接続するのではなく、バスバー２１ｄを介して接続することにより、ワイヤ２４を短くすることができ、樹脂封止時のワイヤ流れを低減することができる。
また、図７６は、図７５に示す半導体装置に用いられるリードフレーム１の構造を示すものであるが、テープ部材５のチップ搭載領域すなわち最も内側のリング状のバスバー２１ｄの内側領域に、チップ搭載部であるタブ２１ｉが貼り付けられている。タブ２１ｉは、４本の吊りリード２１ｊに連結されているが、吊りリード２１ｊと最も内側のリング状のバスバー２１ｄとは、吊りリードカット部２１ｋによって分離されて絶縁されている。
このようにテープ部材５のチップ搭載領域に銅などの金属板からなるタブ２１ｉや吊りリード２１ｊが貼り付けられていることにより、テープ部材５のチップ搭載領域の強度を高めることができ、テープ部材５の平坦性を向上してダイボンディング性を向上させることができる。
なお、図７６に示すフレーム構造は、タブ２１ｉの大きさが半導体チップ２２の主面より小さな小タブ構造のものであり、小タブ構造を採用することにより、樹脂モールディング時の樹脂２３（図５６参照）がチップ裏面に周り込むため、樹脂２３とチップ裏面との密着度を向上させることができ、半導体装置（ＱＦＰ）のリフロークラック耐性の向上を図ることができる。
（実施の形態１０）
図７７に示す半導体装置のリードパターンは、半導体チップ２２の周囲に四重にバスバー２１ｄが配置されたものであり、図５６に示す樹脂封止体である樹脂２３の４辺それぞれにおけるリード配列方向のほぼ中央から５本のバスバー２１ｄが引き出され、それぞれアウタリード２１ｃに連結されているとともに、さらに、４つの角部においてそれぞれ１本のバスバー２１ｄが引き出されてそれぞれがアウタリード２１ｃに連結されている。すなわち、電源ピンを半導体装置の樹脂２３の各辺において主に中央付近に集めて配置させた構造である。
したがって、電源用のパッド２２ａがパッド列において中央付近に集中している半導体チップ２２を搭載する場合に好適である。
このような構造によれば、バスバー２１ｄの群（５本分）としての幅を大きくすることができるため、リード抵抗の低減化やＬ成分の低減化を図って電気的特性を向上させることができる。
なお、アウタリード２１ｃの本数が半導体チップ２２のパッド数より多い場合には、低抵抗化のため、電源用のアウタリード２１ｃと複数のワイヤ２４を介して複数のバスバー２１ｄとを接続し、各バスバー２１ｄからさらにワイヤ２４を介して電源用のパッド２２ａと接続することにより、電源用のパッド２２ａへのワイヤ接続は自由な位置で接続することができる。
その結果、電源用のパッド２２ａの位置を好適な位置に配置して最寄りの位置で電源用のパッド２２ａとバスバー２１ｄとを接続することができるため、配線抵抗値の低減化を図ることができる。
なお、図７８に示すフレーム構造も、テープ部材５のチップ搭載領域に金属板からなるタブ２１ｉや吊りリード２１ｊが貼り付けられた構造であり、これにより、テープ部材５のチップ搭載領域の強度を高めてその平坦性やダイボンディング性を向上させることができる。
さらに、図７８に示す構造では、タブ２１ｉを支持する４本の吊りリード２１ｊが、最も内側のバスバー２１ｄと連結されており、したがって、テープ部材５の強度をさらに高めることができる。なお、タブ２１ｉが吊りリード２１ｊを介して最も内側のバスバー２１ｄと連結しているため、チップ裏面とタブ２１ｉとを絶縁する場合には絶縁性のダイボンド材を使用し、チップ裏面とタブ２１ｉとを電気的に接続する場合には導電性のダイボンド材を使用する。
また、図７８に示すフレーム構造も小タブ構造のものであるため、樹脂２３とチップ裏面との密着度を向上させることができ、半導体装置（ＱＦＰ）のリフロークラック耐性の向上を図ることができる。
（実施の形態１１）
図７９に示す半導体装置のリードパターンは、図７７に示すリードパターンにおいて４本の電源ピン（Ｖｄｄ、Ｖｓｓ、Ｖｄｄｑ、Ｖｓｓｑ）を半導体装置の４角に配置する場合である。
この場合、実施の形態９と同様に、ワイヤ２４の半導体チップ２２のパッド２２ａへの進入角度を緩和することができ、チップ角部近傍のパッド間隔を詰めることができる。その結果、配置可能なパッド数を増やすことができる。
さらに、電源用のパッド２２ａを共通リードであるバスバー２１ｄに接続することにより、電源用のパッド２２ａの数を減らすことができる。
また、電源ピンが４角に配置されているため、４角からの給電が可能になり、電位ドロップ量のバランス化によって回路の電源動作マージンを確保することができる。
（実施の形態１２）
図８０に示す半導体装置のリードパターンは、半導体装置の１つの角部から給電を行う場合である。
すなわち、同じ側に配置された２本以上のアウタリード２１ｃ、例えば、リード列の角部に配置された隣接する２本以上のアウタリード２１ｃからバスバー２１ｄを介して電源（Ｖｄｄ、Ｖｓｓ）を供給する構造である。
この構造では、図８２に示すように電源供給側の近くに配置されたＡ回路（図８０のＡ点）と、供給側から遠い反対側に配置されたＢ回路（図８０のＢ点）とで、図８０の電源降下図に示すようにＶｄｄとＶｓｓの電源電位の変化を比較すると、Ａ点からＢ点に向かって供給側から遠ざかるとＶｄｄは下降し、Ｖｓｓは上昇して両者の幅が狭くなるが、レファレンスレベル（Ｖｒｅｆ．）は、中央に一定に保持でき、またＶｒｅｆ．が外から入力された場合に、レファレンスの観点では電源の対称性を向上できる。
したがって、Ａ回路やＢ回路が、レファレンスレベルを外部から入力して使用する回路、例えば、アナログ回路や差動アンプ回路（図７３に示す比較回路２２ｒ）の場合に好適である。
なお、電源を供給するアウタリード２１ｃの位置については、半導体装置のリード列の１つの角部に限定されるものではなく、２つの角部や４つの角部において２本以上の隣接するアウタリード２１ｃからバスバー２１ｄを介して電源を供給するものであってもよい。
また、アナログ部電源をデジタル系回路と別にする必要がある場合には、直接インナリード２１ｂにワイヤ２４を接続してもよい。
また、図８１は、図８０に示す半導体装置に用いられるリードフレーム１の構造を示すものであるが、テープ部材５のチップ搭載領域すなわち内側のリング状のバスバー２１ｄの内側領域に、チップ搭載部であるタブ２１ｉが貼り付けられている。タブ２１ｉは半導体チップ２２とほぼ同等の大きさかもしくはそれよりも大きい大タブ構造のものであり、内側のリング状のバスバー２１ｄとは、吊りリードカット部２１ｋによって分離されて絶縁されている。
このようにテープ部材５のチップ搭載領域に銅などの金属板からなるタブ２１ｉが貼り付けられていることにより、テープ部材５のチップ搭載領域の強度を高めることができるとともに、図７６の小タブ構造の場合に比較しても大タブの方が面積が遥かに大きいため、テープ部材５の強度をさらに向上させることができ、その平坦性やダイボンディング性もさらに向上できる。
また、大タブの場合、図８１に示すようにその面積が大きいため、半導体チップ２２から発せられる熱を十分に拡散することができ、半導体装置の放熱性を向上させることができる。
ロジック回路の中でもＣＰＵなど、特に消費電力が大きく、チップからの発熱量が大きくなる回路を有するチップを搭載する場合には、半導体チップ２２からタブ２１ｉへの熱抵抗を低減するために、半導体チップ２２をタブ２１ｉに接着する際に、Ａｇペーストなど導電性の接着材、若しくは導電性粒子を含有する接着剤を使用するのが好ましい。また、このように半導体チップ２２をタブ２１ｉの上に接着する接着剤として、導電性の接着材、もしくは導電性粒子を含有する接着剤を用いた場合でも、図８１に示すように、タブ２１ｉとバスバー２１ｄが吊りリードカット部２１ｋによって電気的に分離されていることによって、半導体チップ２２裏面に露出する活性層の電位（基板電位）をバスバー２１ｄから分離することができ、半導体チップ２２の設計における自由度を向上することができる。
（実施の形態１３）
図８３に示す半導体装置のリードパターンは、半導体装置の対向する２つの角部から給電を行う場合である。
すなわち、対向する２つの角部それぞれにおいて複数の隣接するアウタリード２１ｃからバスバー２１ｄを介して電源を供給する構造のものである。
この構造では、電源降下図に示すように中間位置のＣ点の電位はＶｄｄが下降し、Ｖｓｓが上昇するため、図８０に示す１つの角部から電源を供給する構造に比較して電源ドロップ量を減少させることができる。
すなわち、給電箇所を多く設ける方が、電源ドロップ量を減少させることができ、好ましい。
また、図８４は、図８３に示す半導体装置に用いられるリードフレーム１の構造を示すものであるが、銅などの金属板からなるタブ２１ｉは、半導体チップ２２とほぼ同等の大きさかもしくはそれよりも大きい大タブ構造のものである。なお、タブ２１ｉは、内側のリング状のバスバー２１ｄと４本の吊りリード２１ｊによって連結している。
このように内側のリング状のバスバー２１ｄと４本の吊りリード２１ｊによって連結した大タブであるため、テープ部材５の強度をさらに高めることができ、その平坦性やダイボンディング性をさらに向上できる。
また、大タブであるため、半導体チップ２２から発せられる熱を十分に拡散することができ、半導体装置の放熱性を向上させることができる。
ロジック回路の中でもＣＰＵなど、特に消費電力が大きく、チップからの発熱量が大きくなる回路を有するチップを搭載する場合には、半導体チップ２２からタブ２１ｉへの熱抵抗を低減するために、半導体チップ２２をタブ２１ｉに接着する際に、Ａｇペーストなど導電性の接着材、若しくは導電性粒子を含有する接着剤を使用するのが好ましい。
また、本実施の形態１３の構造においては、内周のバスバー２１ｄとタブ２１ｉに共通の電源電位または接地電位が供給されることとなるため、Ａｇペーストなどの導電性の接着材を介して半導体チップ２２をタブ２１ｉの上に搭載することにより、半導体チップ２２の基板電位を内周のバスバー２１ｄの電位と共通にすることができる。
また、本実施の形態１３の構造において、絶縁性の接着剤を介して半導体チップ２２をタブ２１ｉの上に搭載した場合には、接着剤を絶縁膜として、半導体チップ２２の基板電位とタブ２１ｉとの間に容量を形成することができるため、半導体チップ２２の基板電位をより安定させることができ、かつ半導体チップ２２の基板電位とタブ２１ｉの電位は分離されるため、半導体チップ２２の設計における自由度を向上することができる。
（実施の形態１４）
図８５に示す半導体装置のリードパターンは、Ｖｓｓ電源を共通としてバスバー２１ｄから４つの角部に取り出してそれぞれアウタリード２１ｃに連結するとともに、Ｖｄｄ電源はそれぞれ独立したバスバー２１ｄから各角部に取り出してアウタリード２１ｃに連結した構造のものである。
この場合、Ｖｄｄ電源用のパッド２２ａの数を少なくすることができる。
また、電源降下図に示すようにＡ点からＢ点に向かってＶｄｄは上昇し、一方中間のＣ点の電位ではＶｓｓが上昇してさらにＢ点に向かって再び下降する。
（実施の形態１５）
図８６に示す半導体装置のリードパターンは、半導体装置の一辺の中央からのみ電源（Ｖｄｄ、Ｖｓｓ）を供給する場合であり、電源降下図に示すように給電側から遠くなるほどＶｓｓの電位が上昇し、Ｖｄｄは下降する。
この場合、実施の形態１２と同様に、レファレンスレベル（Ｖｒｅｆ．）は、中央に一定に保持でき、電源の対称性を向上できる。したがって、レファレンスレベルを外部から入力して使用する回路、例えば、アナログ回路や差動アンプ回路（図７３に示す比較回路２２ｒ）の場合に好適である。
なお、電源の供給側は、１箇所に限定されるものではなく、２箇所や４箇所から給電してもよく、供給箇所を増やして低抵抗化を図ることができる。
（実施の形態１６）
図８７に示す半導体装置のリードパターンは、アナログ回路用のバスバー２１ｄとデジタル回路用のバスバー２１ｄとをバスバーカット部２１ｇによって分離したものである。
すなわち、アナログ回路用のバスバー２１ｄを、デジタル回路用のバスバー２１ｄから切り分けた構造であり、これによって、デジタル信号から発生するノイズをアナログ信号で拾わないようにすることができ、電源のクロストークを低減することができる。
（実施の形態１７）
図８８に示す半導体装置のリードパターンは、アナログ回路用のバスバー２１ｄとデジタル回路用のバスバー２１ｄとをバスバーカット部２１ｇによって分離したものであるとともに、半導体装置のリード配列としても３辺にデジタル回路用のバスバー２１ｄと連結したアウタリード２１ｃをそのリード列の中央に配置し、一方、前記３辺以外の１辺にアナログ回路用のバスバー２１ｄと連結したアウタリード２１ｃをそのリード列の中央に配置している。
これにより、電源のクロストークをさらに低減することができる。
（実施の形態１８）
図８９に示す半導体装置のリードパターンは、一対の電源（Ｖｄｄ、Ｖｓｓ）のバスバー２１ｄにそれぞれ連結されたアウタリード２１ｃが、信号用のアウタリード２１ｃを挟んで相反する側に配置されており、相反する両側から電源を供給するものである。
すなわち、図９０に示すように、ＶｄｄとＶｓｓとからなる一対の電源において、一方の角部にそれぞれの電源のバスバー２１ｄから引き出した電源用のアウタリード２１ｃのいずれか一方を配置し、前記角部と対角線上で対向する反対側の角部に電源のバスバー２１ｄから引き出した他方の電源用のアウタリード２１ｃを配置しており、複数の信号用のアウタリード２１ｃを挟んで両側にそれぞれ離れて配置された一対のアウタリード２１ｃからＡ回路およびＢ回路に対して電源を供給する構造となっている。その際、例えば、Ａ回路はＡ点の近傍のチップ内に配置された回路であり、Ｂ回路はＢ点の近傍のチップ内に配置された回路である。
この場合、図８９の電源降下図に示すようにＶｄｄとＶｓｓの両者とも、Ａ点からＢ点に亘って電源電位が下降するため、両電源のドロップ量を同レベル化すなわちＶｄｄとＶｓｓ間の振幅がほぼ一定化することができ、また、デジタル回路での信号の振幅低下による速度等のばらつきを低減することができる。
したがって、電源の駆動力を大きく取ることができ、例えば、ロジック回路などに好適である。
なお、４つの角部から電源を供給してもよく、その際の一対の電源をアナログ回路用として用いてもよく、ロジック回路からの影響を避けることができる。
（実施の形態１９）
図９１に示す半導体装置のリードパターンは、一対の電源（Ｖｄｄ、Ｖｓｓ）を両者とも４つの角部から供給する構造のものである。
すなわち、一対の電源（Ｖｄｄ、Ｖｓｓ）のバスバー２１ｄに連結する２つのアウタリード２１ｃが、４つの角部それぞれにおいて隣接して配置されているものであり、４つの角部それぞれから一対の電源（Ｖｄｄ、Ｖｓｓ）を供給する構造となっている。
図９１の電源降下図に示すように１箇所から給電するとＶｓｓが上昇し、Ｖｄｄが下降して電位の幅が狭くなるが、図９１に示すリードパターンのように４箇所から給電することにより、電源のドロップ量を小さくすることができる。
この場合、差動アンプ回路（図７３に示す比較回路２２ｒ）などのレファレンスレベルを外部から入力することにより、入力０／１判定レベルが受ける側で中央にセンスレベルがあるため、Ｖｓｓ／Ｖｄｄに対してバランスが取れ、回路マージンを確保することができる。
（実施の形態２０）
図９２に示す半導体装置のリードパターンは、一対の電源（Ｖｄｄ、Ｖｓｓ）を供給するバスバー２１ｄをデジタル系とアナログ系とにバスバーカット部２１ｇによって分離して分けたものであり、さらに、４つの角部それぞれにこれらのバスバー２１ｄと連結する複数のアウタリード２１ｃを配置したものである。
図９２では、４つの角部のうち、３つの角部にデジタル系の一対のバスバー２１ｄと連結するアウタリード２１ｃを配置し、残りの１つの角部にアナログ系の一対のバスバー２１ｄと連結するアウタリード２１ｃを配置している。
この構造により、デジタル信号から発生するノイズをアナログ信号で拾わないようにすることができ、電源のクロストークを低減することができる。
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
前記実施の形態９〜２０では、半導体チップ２２を取り囲むバスバー２１ｄが二重、三重および四重の場合を例に取り上げて説明したが、バスバー２１ｄの重複数は、少なくとも一対のバスバー２１ｄを含んでいれば、何重であってもよい。
産業上の利用可能性
以上のように、本発明の半導体装置は、バスバーに連結したアウタリードを有する半導体パッケージに好適であり、特に、アウタリードが４方向に延在する半導体パッケージに好適である。
【図面の簡単な説明】
図１は本発明の実施の形態１の半導体装置（ＱＦＰ）において最小サイズのチップ搭載構造の一例を示す断面図、図２はＱＦＰにおける最大サイズのチップ搭載構造の一例を示す断面図、図３〜図６はそれぞれ本発明の実施の形態１の変形例のＱＦＰの構造を示す断面図、図７は図１に示すＱＦＰの組み立てに用いられるリードフレームのフレーム体の構造の一例を示す部分平面図、図８は図７に示すフレーム体の裏面図、図９は図７に示すフレーム体にテープ部材を貼り付けて製造されたリードフレームの構造を示す部分平面図、図１０は図９に示すリードフレームの裏面図、図１１は図９に示すリードフレームの第１の連結部切断後の構造を示す部分平面図、図１２は図１１に示すリードフレームの裏面図、図１３は図９に示すリードフレームの第２の連結部切断後の構造を示す部分平面図、図１４は図１３に示すリードフレームの裏面図、図１５は図１３に示すリードフレームの搭載可能最小チップサイズと最大チップサイズを示す部分平面図、図１６は図１３に示すリードフレームに最小サイズの半導体チップを搭載した際のワイヤボンディング後の構造の一例を示す部分平面図、図１７は図１３に示すリードフレームに最大サイズの半導体チップを搭載した際のワイヤボンディング後の構造の一例を示す部分平面図、図１８は本発明の実施の形態１の変形例のリードフレームのフレーム体の構造を示す部分平面図、図１９は図１８に示すフレーム体の裏面図、図２０は図１８に示すフレーム体にテープ部材を貼り付けて製造されたリードフレームの構造を示す部分平面図、図２１は図２０に示すリードフレームの裏面図、図２２は図２０に示すリードフレームの第１の連結部切断後の構造を示す部分平面図、図２３は図２２に示すリードフレームの裏面図、図２４は図２０に示すリードフレームの第２の連結部切断後の構造を示す部分平面図、図２５は図２４に示すリードフレームの裏面図、図２６は図２４に示すリードフレームの搭載可能最小チップサイズと最大チップサイズを示す部分平面図、図２７は図２４に示すリードフレームに最小サイズの半導体チップを搭載した際のワイヤボンディング後の構造の一例を示す部分平面図、図２８は図２４に示すリードフレームに最大サイズの半導体チップを搭載した際のワイヤボンディング後の構造の一例を示す部分平面図、図２９は本発明の実施の形態１の変形例のリードフレームのフレーム体の構造を示す部分平面図、図３０は図２９に示すフレーム体にテープ部材を貼り付けて製造されたリードフレームの構造を示す部分裏面図、図３１は図３０に示すリードフレームの第１の連結部切断後の構造を示す部分裏面図、図３２は図１３に示すリードフレームを製造する際のパンチを用いた打ち抜き方法の一例を示す部分側面図、図３３は図３２に示す打ち抜き後のコイニング方法の一例を示す部分側面図、図３４は本発明の実施の形態１の変形例のリードフレームの構造を示す部分断面図、図３５は本発明の実施の形態２の半導体装置（ＱＦＰ）において最小サイズのチップ搭載構造の一例を示す断面図、図３６は本発明の実施の形態２の半導体装置（ＱＦＰ）において最大サイズのチップ搭載構造の一例を示す断面図、図３７は本発明の実施の形態２の変形例のＱＦＰの構造を示す断面図、図３８は図３５に示すＱＦＰの組み立てに用いられるリードフレームのフレーム体の構造の一例を示す部分平面図、図３９は図３８に示すフレーム体の裏面図、図４０は図３８に示すフレーム体にテープ部材を貼り付けて製造されたリードフレームの構造を示す部分平面図、図４１は図４０に示すリードフレームの裏面図、図４２は図４０に示すリードフレームにおける連結部切断後の構造を示す部分平面図、図４３は図４２に示すリードフレームの裏面図、図４４は図４２に示すリードフレームの搭載可能最小チップサイズと最大チップサイズを示す部分平面図、図４５は図４２に示すリードフレームに最小サイズの半導体チップを搭載した際のワイヤボンディング後の構造の一例を示す部分平面図、図４６は図４２に示すリードフレームに最大サイズの半導体チップを搭載した際のワイヤボンディング後の構造の一例を示す部分平面図、図４７、図４８および図４９はそれぞれ本発明の実施の形態２における変形例のリードフレームの構造を示す部分平面図、図５０は図４９に示すリードフレームのワイヤボンディング状態の一例を示す部分平面図、図５１は本発明の実施の形態２における変形例のリードフレームの構造を示す部分平面図、図５２は図５１に示すリードフレームを用いた際の結線状態の一例を示す結線対応図、図５３は本発明の他の実施の形態の半導体装置（ＱＦＮ）の構造の一例を示す断面図、図５４は本発明の実施の形態２の変形例のＱＦＰの構造を示す断面図、図５５は図５４に示すＱＦＰのワイヤリング状態の一例を示す拡大部分平面図、図５６はデジタル回路部とアナログ回路部とでバスバーを分離したレイアウト図、図５７は図５６の半導体装置のＡ−Ａ断面図、図５８は図５６の半導体装置のＢ−Ｂ断面図、図５９は図５６のデジタル・アナログ混在回路の回路図、図６０は本発明をＱＦＮに適用した場合のレイアウト図、図６１は本発明をＱＦＮに適用した場合の図５６のＡ−Ａ断面図、図６２はデジタル回路とアナログ回路とでバスバーを分離した別のレイアウト図、図６３はアナログ回路を１電源系、デジタル回路を２電源系に分離したレイアウト図、図６４はデジタル回路の電源はバスバーへ、アナログ回路はインナーリードへ接続したレイアウト図、図６５はデジタル回路を二つの電源回路部に分離してレイアウトした図、図６６は図６５の回路図、図６７は図５６のパッドを千鳥状に配置し、インナーリード及びバスバーへ千鳥状にワイヤボンディングした図、図６８は図６７の変形例、図６９は図６８のＡ−Ａ断面図、図７０はＩＯパッドと電源パッドを交互に配置した平面図、図７１はワイヤボンディングにより内部降圧回路を選択可能とした回路において、内部降圧回路を使用する場合のワイヤボンディングを示した部分平面図、図７２はワイヤボンディングにより内部降圧回路を選択可能とした回路において、内部降圧回路を使用しない場合のワイヤボンディングを示した部分平面図、図７３は内部降圧回路を選択可能とした回路図、図７４は引き出し配線によりチップ周辺のパッドと内部回路を接続した場合、チップの中央付近にパッドを設けた場合、及びチップ中央付近のパッド、チップ端部のパッド、バスバーを二段階でワイヤボンディングした場合のレイアウト図、図７５は本発明の実施の形態９の半導体装置におけるリードパターンと一部のワイヤリング状態を示す平面図、図７６は図７５に示す半導体装置に用いられるリードフレームの構造の一例を示す平面図、図７７は本発明の実施の形態１０の半導体装置におけるリードパターンと一部のワイヤリング状態を示す平面図、図７８は図７７に示す半導体装置に用いられるリードフレームの構造の一例を示す平面図、図７９は本発明の実施の形態１１の半導体装置におけるリードパターンと一部のワイヤリング状態を示す平面図、図８０は本発明の実施の形態１２の半導体装置におけるリードパターンと一部のワイヤリング状態を示す平面図および電源降下図、図８１は図８０に示す半導体装置に用いられるリードフレームの構造の一例を示す平面図、図８２は図８０に示す半導体装置におけるチップ内回路とバスバーの結線状態の一例を示す拡大部分平面図、図８３は本発明の実施の形態１３の半導体装置におけるリードパターンと一部のワイヤリング状態を示す平面図および電源降下図、図８４は図８３に示す半導体装置に用いられるリードフレームの構造の一例を示す平面図、図８５は本発明の実施の形態１４の半導体装置におけるリードパターンと一部のワイヤリング状態を示す平面図および電源降下図、図８６は本発明の実施の形態１５の半導体装置におけるリードパターンと一部のワイヤリング状態を示す平面図および電源降下図、図８７は本発明の実施の形態１６の半導体装置におけるリードパターンと一部のワイヤリング状態を示す平面図、図８８は本発明の実施の形態１７の半導体装置におけるリードパターンと一部のワイヤリング状態を示す平面図、図８９は本発明の実施の形態１８の半導体装置におけるリードパターンと一部のワイヤリング状態を示す平面図および電源降下図、図９０は図８９に示す半導体装置におけるチップ内回路とバスバーの結線状態の一例を示す拡大部分平面図、図９１は本発明の実施の形態１９の半導体装置におけるリードパターンと一部のワイヤリング状態を示す平面図および電源降下図、図９２は本発明の実施の形態２０の半導体装置におけるリードパターンと一部のワイヤリング状態を示す平面図である。

Claims (51)

  1. 主面、裏面と、前記主面上に形成された複数の電極を有する半導体チップと、
    前記半導体チップの周囲に配列された複数のインナリードと、
    前記複数のインナリードのそれぞれに一体に形成された複数のアウタリードと、
    前記複数の電極および複数のインナリードのそれぞれと接続する複数のボンディングワイヤと、
    前記半導体チップ、複数のインナリード、複数のボンディングワイヤを封止する樹脂封止体とを有する半導体装置であって、
    前記複数のインナリードと前記複数のボンディングワイヤが接続する部分は千鳥状に配置されており、
    前記複数のインナリードと前記複数のボンディングワイヤが接続する部分は、前記樹脂封止体の内部に封止された基板上に接着層を介して固定されていることを特徴とする半導体装置。
  2. 主面、裏面と、前記主面上に形成された複数の電極を有する半導体チップと、
    前記半導体チップの周囲に配列された複数のインナリードと、
    前記複数のインナリードのそれぞれに一体に形成された複数のアウタリードと、
    前記複数の電極および複数のインナリードのそれぞれと接続する複数のボンディングワイヤと、
    前記半導体チップ、複数のインナリード、複数のボンディングワイヤを封止する樹脂封止体とを有する半導体装置であって、
    前記複数のインナリードと前記複数の電極が接続する部分は千鳥状に配置されており、
    前記複数のインナリードと前記複数のボンディングワイヤが接続する部分は、前記樹脂封止体の内部に封止された基板上に接着層を介して固定されていることを特徴とする半導体装置。
  3. 第１電位と第２電位との間に電流経路を有するトランジスタを含んで構成される第１回路部と、
    第３電位と第４電位との間に電流経路を有するトランジスタを含んで構成される第２回路部と、
    前記第１回路部へ前記第１電位を供給する第１パッドと、
    前記第１回路部へ前記第２電位を供給する第２パッドと、
    前記第２回路部へ前記第３電位を供給する第３パッドと、
    前記第２回路部へ前記第４電位を供給する第４パッドと、
    前記第１及び第２回路部を含むチップと、複数のインナーリードとの間に配置され、前記第１回路部へ前記第１電位を供給する第１リードとを有することを特徴とする半導体装置。
  4. 請求の範囲第３項記載の半導体装置であって、前記第１リードと前記第１パッドは、ワイヤにより接続されていることを特徴とする半導体装置。
  5. 請求の範囲第４項記載の半導体装置であって、前記第１および第２回路部を含むチップと、複数のインナーリードとの間に配置され、前記第２回路部へ前記第３電位を供給する第２リードをさらに有することを特徴とする半導体装置。
  6. 請求の範囲第３項記載の半導体装置であって、前記第１および第２パッドを複数有することを特徴とする半導体装置。
  7. 請求の範囲第３項記載の半導体装置であって、前記第１リードは、前記第１電位が供給されるインナーリードとワイヤにより接続されていることを特徴とする半導体装置。
  8. 請求の範囲第３項記載の半導体装置であって、前記第１リードは、前記第１電位が供給される第１インナーリード部を有することを特徴とする半導体装置。
  9. 請求の範囲第３項記載の半導体装置であって、前記第１回路部はデジタル回路、前記第２回路部はアナログ回路であることを特徴とする半導体装置。
  10. 請求の範囲第３項記載の半導体装置であって、前記第１および第２回路部と前記第１から第４パッドとを含む半導体チップと、前記複数のインナーリードと、前記第１リードとは、樹脂により封止されていることを特徴とする半導体装置。
  11. 第１電位と第２電位との間に電流経路を有するトランジスタを含んで構成される第１回路部と、
    第３電位と第４電位との間に電流経路を有するトランジスタを含んで構成される第２回路部と、
    前記第１回路部へ前記第１電位を供給する第１パッドと、
    前記第１回路部へ前記第２電位を供給する第２パッドと、
    前記第２回路部へ前記第３電位を供給する第３パッドと、
    前記第２回路部へ前記第４電位を供給する第４パッドと、
    前記第１パッドおよび第２パッドが配列される方向に沿って配置され、複数のインナーリードと前記第１パッド及び第２パッドとの間に配置され、ワイヤにより前記第１パッドと接続され、前記第１電位が供給される第１バスバーと、
    前記第１パッドおよび第２パッドが配列される方向に沿って配置され、複数のインナーリードと前記第１パッドおよび第２パッドとの間に配置され、ワイヤにより前記第２パッドと接続され、前記第２電位が供給される第２バスバーと、
    前記第３パッド及び第４パッドが配列される方向に沿って配置され、複数のインナーリードと前記第３パッドおよび第４パッドとの間に配置され、ワイヤにより前記第３パッドと接続され、前記第３電位が供給される第３バスバーと、
    前記第３パッドおよび第４パッドが配列される方向に沿って配置され、複数のインナーリードと前記第３パッドおよび第４パッドとの間に配置され、ワイヤにより前記第４パッドと接続され、前記第４電位が供給される第４バスバーとを有することを特徴とする半導体装置。
  12. 請求の範囲第１１項記載の半導体装置であって、前記第１バスバーは、前記第１電位が供給される第１インナーリード部を有し、前記第３バスバーは、前記第３電位が供給される第３インナーリード部を有することを特徴とする半導体装置。
  13. 請求の範囲第１２項記載の半導体装置であって、前記第２バスバーは、前記第２電位が供給される第２インナーリード部を有し、前記第４バスバーは、前記第４電位が供給される第４インナーリード部を有することを特徴とする半導体装置。
  14. 請求の範囲第１２項記載の半導体装置であって、前記第２バスバーは、ワイヤにより前記第２電位が供給されるインナーリードと接続され、前記第４バスバーは、ワイヤにより前記第４電位が供給されるインナーリードと接続されていることを特徴とする半導体装置。
  15. 請求の範囲第１１項記載の半導体装置であって、
    前記第１回路部へ第５電位を供給する第５パッドと、
    前記第１パッド、第２パッドおよび前記第５パッドが配列される方向に沿って配置され、複数のインナーリードと前記第５パッドとの間に配置され、ワイヤにより前記第５パッドと接続され、前記第５電位が供給される第５バスバーとをさらに有することを特徴とする半導体装置。
  16. 請求の範囲第１５項記載の半導体装置であって、
    前記第２回路部へ第６電位を供給する第６パッドと、
    前記第３パッド、第４パッドおよび前記第６パッドが配列される方向に配置され、複数のインナーリードと前記第６パッドとの間に配置され、ワイヤにより前記第６パッドと接続され、前記第６電位が供給される第６バスバーとをさらに有することを特徴とする半導体装置。
  17. 請求の範囲第１６項記載の半導体装置であって、前記第５バスバーは、ワイヤにより前記第５電位が供給されるインナーリードと接続され、前記第６バスバーは、ワイヤにより前記第６電位が供給されるインナーリードと接続されていることを特徴とする半導体装置。
  18. 請求の範囲第１１項記載の半導体装置であって、前記第１回路部はデジタル回路、前記第２回路部はアナログ回路であることを特徴とする半導体装置。
  19. 請求の範囲第１１項記載の半導体装置であって、前記第１および第４パッドを複数有することを特徴とする半導体装置。
  20. 請求の範囲第１１項記載の半導体装置であって、前記第１および第２回路部と前記第１から第４パッドとを含む半導体チップと、前記複数のインナーリードと、前記第１から第４バスバーと、前記ワイヤとは、樹脂により封止されていることを特徴とする半導体装置。
  21. 請求の範囲第１１項記載の半導体装置であって、前記第２回路部は、前記第１回路部よりも前記第１および第２バスバーから遠くに配置され、前記第３パッドは前記第２回路部に含まれていることを特徴とする半導体装置。
  22. 請求の範囲第１１項記載の半導体装置であって、前記第２回路部は、ワイヤにより前記第３パッドと接続し、前記第２回路部へ前記第３電位を供給する第５パッドを含み、前期第１回路部よりも前記第１および第２バスバーから遠くに配置されていることを特徴とする半導体装置。
  23. 第１電位と第２電位との間に電流経路を有するトランジスタを含んで構成される第１回路部と、
    第３電位と第４電位との間に電流経路を有するトランジスタを含んで構成される第２回路部と、
    複数のインナーリードと、
    前記第１回路部へ前記第１電位を供給する第１パッドと、
    前記第１回路部へ前記第２電位を供給する第２パッドと、
    ワイヤにより前記複数のインナーリードのうち第３電位が供給されるインナーリードと接続され、前記第２回路部へ前記第３電位を供給する第３パッドと、
    ワイヤにより前記複数のインナーリードのうち第４電位が供給されるインナーリードと接続され、前記第２回路部へ前記第４電位を供給する第４パッドと、
    前記第１および第２回路部、前記第１および第４パッドを含むチップの外側を周回し、ワイヤにより前記第１パッドと前記複数のインナーリードのうち前記第１電位が供給されるインナーリードに接続される第１リング状バスバーと、
    前記第１リング状バスバーの外側を周回し、ワイヤにより前記第２パッドに接続され、前記第２電位が供給されるインナーリード部を有する第２リング状バスバーとを有することを特徴とする半導体装置。
  24. 請求の範囲第２３項記載の半導体装置であって、
    前記第１回路部へ第５電位を供給する第５パッドと、
    前記第１および第２回路部、前記第１および第４パッドを含むチップの外側を周回し、ワイヤにより前記第５パッドと前記複数のインナーリードのうち前記第５電位が供給されるインナーリードに接続される第３リング状バスバーとをさらに有することを特徴とする半導体装置。
  25. 請求の範囲第２３項記載の半導体装置であって、前記第１回路部はデジタル回路、前記第２回路部はアナログ回路であることを特徴とする半導体装置。
  26. 請求の範囲第２３項記載の半導体装置であって、前記第１および第４パッドを複数有することを特徴とする半導体装置。
  27. 半導体チップの辺に沿った第１列上に配列する第１および第２パッドと、
    前記半導体チップを囲んで配置する複数のインナーリードのうち、第１ワイヤにより前記第１パッドと接続する第１インナーリードと、
    前記複数のインナーリードのうち、前記第１インナーリードと隣り合うインナーリードであって、第２ワイヤにより前記第２パッドと接続する第２インナーリードと、
    前記半導体チップの辺に沿った第２列上であって、前記第１パッドと第２パッドとの間に位置する第３パッドと、
    前記半導体チップと前記第１インナーリードおよび第２インナーリードとの間に前記半導体チップの辺に沿って配置される第１バスバーとを有し、
    前記第３パッドは、前記第１ワイヤと第２ワイヤの間を通過する第３ワイヤにより第１バスバーと接続されていることを特徴とする半導体装置。
  28. 請求の範囲第２７項記載の半導体装置であって、前記第１および第２パッドは主に信号用のパッドであり、前記第３パッドは主に電源電位を供給するパッドであり、前記第１列は、前記第２列よりも前記半導体チップの端側に配置されていることを特徴とする半導体装置。
  29. 請求の範囲第２７項記載の半導体装置であって、前記第１および第２パッドは主に信号用のパッドであり、前記第３パッドは主に電源電位を供給するパッドであり、前記第１列は、前記第２列よりも前記半導体チップの内側に配置されていることを特徴とする半導体装置。
  30. 請求の範囲第２７項記載の半導体装置であって、前記第１および第２パッドが前記第１列上に繰り返して配置され、前記第３パッドが前記第２列上に繰り返して配置されることにより、千鳥状のパッド配置となることを特徴とする半導体装置。
  31. 半導体チップを囲んで配置する複数のインナーリードと、
    前記半導体チップの第１列上に配列し、ワイヤにより前記複数のインナーリードに接続する複数の入出力パッドと、
    前記半導体チップと前記複数のインナーリードとの間に、前記第１列の方向に沿って配置し、第１電位が供給される第１バスバーと、
    前記半導体チップと前記複数のインナーリードとの間に、前記第１列の方向に沿って配置し、第２電位が供給される第２バスバーと、
    前記複数の入出力パッドの各々の間に配置され、ワイヤにより前記第１および第２バスバーと接続する複数の第１および第２電源パッドとを有し、
    前記入出力パッド、前記第１電源パッド、前記入出力パッド、前記第２電源パッドの順に配列されることを特徴とする半導体装置。
  32. 第１電位と第２電位との間に電流経路を有するトランジスタを含む第１回路部と、
    第３電位と第４電位との間に電流経路を有するトランジスタと、降圧回路を含む第２回路部と、
    前記第１回路部へ前記第１電位を供給する第１パッドと、
    前記第１回路部へ前記第２電位を供給する第２パッドと、
    前記降圧回路に配線により接続する第１選択パッドと、
    前記降圧回路に配線により接続する第２選択パッドと、
    前記第１および第２回路を含む半導体チップを囲むように配置される複数のインナーリードと、
    前記半導体チップと前記複数のインナーリードとの間に配置され、ワイヤにより前記第１パッドと接続され、前記第１電位が供給される第１バスバーと、
    前記半導体チップと前記複数のインナーリードとの間に配置され、ワイヤにより前記第２パッドと接続され、前記第２電位が供給される第２バスバーと、
    前記半導体チップと前記複数のインナーリードとの間に配置され、ワイヤにより前記第３パッドと接続され、前記第３電位が供給される第３バスバーとを有し、
    ワイヤボンディングにより前記第１選択パッドが前記第１バスバーと接続された場合は、前記降圧回路が前記第１電位を降圧して前記第３電位を前記第２回路部へ供給し、
    ワイヤボンディングにより前記第２選択パッドが前記第３バスバーと接続したされた場合は、前記降圧回路を通さずに前記第３電位が前記第３バスバーから前記第２回路部へ供給されることを特徴とする半導体装置。
  33. 第１電位と第２電位との間に電流経路を有するトランジスタを含んで構成される第１回路部と、
    第３電位と第４電位との間に電流経路を有するトランジスタを含んで構成される第２回路部と、
    複数のインナーリードと、
    前記第１回路部へ前記第１電位を供給する第１パッドと、
    前記第１回路部へ前記第２電位を供給する第２パッドと、
    前記第２回路部へ前記第３電位を供給する第３パッドと、
    前記第２回路部へ前記第４電位を供給する第４パッドと、
    前記第１および第２回路部、前記第１および第４パッドを含むチップの外周を囲むように配置され、ワイヤにより前記第１および第３パッドが接続される第１リング状バスバーと、
    前記第１および第２回路部、前記第１および第４パッドを含むチップの外周を囲むように配置され、ワイヤにより前記第２および第４パッドが接続される第２リング状バスバーとを有し、
    前記第１リング状バスバーは、前記第１パッドが接続する部分と前記第３パッドが接続する部分との間に切り込みが入ることにより電気的に絶縁され、
    前記第２リング状バスバーは、前記第２パッドが接続する部分と前記第４パッドが接続する部分との間に切り込みが入ることにより電気的に絶縁されることを特徴とする半導体装置。
  34. 請求の範囲第３３項記載の半導体装置であって、
    前記第１リング状バスバーの前記第１パッドが接続する部分は、前記第１電位が供給されるインナーリード部を有し、
    前記第１リング状バスバーの前記第３パッドが接続する部分は、前記第３電位が供給されるインナーリード部を有し、
    前記第１リング状バスバーの前記第２パッドが接続する部分は、前記第２電位が供給されるインナーリードとワイヤにより接続され、
    前記第２リング状バスバーの前記第４パッドが接続する部分は、前記第４電位が供給されるインナーリードとワイヤにより接続されていることを特徴とする半導体装置。
  35. 請求の範囲第３４項記載の半導体装置であって、
    前記第１回路部へ第５電位を供給する第５パッドと、
    前記第２回路部へ第６電位を供給する第６パッドと、
    前記第１および第２回路部、前記第１および第４パッドを含むチップの外周を囲むように配置され、ワイヤにより前記第５および第６パッドが接続される第３リング状バスバーとをさらに有し、
    前記第３リング状バスバーは、前記第５パッドが接続する部分と前記第６パッドが接続する部分との間に切り込みが入ることにより電気的に絶縁されることを特徴とする半導体装置。
  36. 請求の範囲第３５項記載の半導体装置であって、前記第３リング状バスバーの前記第５パッドが接続する部分は、前記第５電位が供給されるインナーリードとワイヤにより接続され、前記第３リング状バスバーの前記第６パッドが接続する部分は、前記第６電位が供給されるインナーリードとワイヤにより接続されることを特徴とする半導体装置。
  37. 請求の範囲第３３項記載の半導体装置であって、前記第１回路部はデジタル回路、前記第２回路部はアナログ回路であることを特徴とする半導体装置。
  38. 請求の範囲第３３項記載の半導体装置であって、前記第１および第４パッドを複数有することを特徴とする半導体装置。
  39. 請求の範囲第３３項記載の半導体装置であって、前記第１および第２回路部と前記第１から第４パッドとを含む半導体チップと、前記複数のインナーリードと、前記第１および第２リング状バスバーと、前記ワイヤとは、樹脂により封止されていることを特徴とする半導体装置。
  40. 主面および裏面を有する半導体チップと、
    複数のインナリードおよびアウタリードと、
    前記半導体チップに沿って配置された一対のバスバーとを有する半導体装置であって、
    前記半導体チップは、前記主面上に形成された第１および第２の電源電位用の電極と、
    前記第１の電源電位用の電極を介して一方のバスバーと電気的に接続され、さらに前記第２の電源電位用の電極を介して他方のバスバーと電気的に接続された回路とを有しており、
    前記一対のバスバーそれぞれに前記アウタリードが連結され、前記一対のバスバーそれぞれに連結された前記アウタリードが隣接して配置されていることを特徴とする半導体装置。
  41. 請求の範囲第４０項記載の半導体装置であって、前記回路は、アナログ回路もしくは差動アンプ回路であることを特徴とする半導体装置。
  42. 請求の範囲第４１項記載の半導体装置であって、前記アナログ回路は、外部からレファレンスレベルの電位の供給を受けることを特徴とする半導体装置。
  43. 主面および裏面を有する半導体チップと、
    複数のインナリードおよびアウタリードと、
    前記半導体チップに沿って配置された一対のバスバーとを有する半導体装置であって、
    前記半導体チップは、前記主面上に形成された第１および第２の電源電位用の電極、および信号用の電極と、
    前記第１の電源電位用の電極を介して一方のバスバーと電気的に接続され、さらに前記第２の電源電位用の電極を介して他方のバスバーと電気的に接続された回路とを有しており、
    前記一対のバスバーそれぞれに前記アウタリードが連結され、前記一対のバスバーそれぞれに連結された前記アウタリードが、前記信号用の電極と電気的に接続されるアウタリードを挟んで相反する側に配置されていることを特徴とする半導体装置。
  44. 主面、裏面と、前記主面上に形成された複数の電極を有する半導体チップと、
    前記半導体チップの周囲に配列された複数のインナリードと、
    前記複数のインナリードのそれぞれに一体に形成された複数のアウタリードと、
    前記複数の電極および複数のインナリードのそれぞれと接続する複数のボンディングワイヤと、
    前記半導体チップと接続する板状のチップ搭載部と、
    前記複数のインナリードそれぞれの先端および前記チップ搭載部と接続するテープ部材とを有する半導体装置であって、
    前記チップ搭載部は、前記半導体チップの主面より小さいことを特徴とする半導体装置。
  45. 主面、裏面と、前記主面上に形成された複数の電極を有する半導体チップと、
    前記半導体チップの周囲に配列された複数のインナリードと、
    前記複数のインナリードのそれぞれに一体に形成された複数のアウタリードと、
    前記複数の電極および複数のインナリードのそれぞれと接続する複数のボンディングワイヤと、
    前記半導体チップと接続する板状のチップ搭載部と、
    前記複数のインナリードそれぞれの先端および前記チップ搭載部と接続するテープ部材とを有する半導体装置であって、
    前記チップ搭載部は、前記半導体チップの主面より大きいことを特徴とする半導体装置。
  46. 主面および裏面を有する半導体チップと、
    複数のインナリードおよびアウタリードと、
    前記半導体チップに沿って配置された一対のバスバーと、
    前記半導体チップおよび前記複数のインナリードを封止する樹脂封止体とを有する半導体装置であって、
    前記一対のバスバーそれぞれに前記アウタリードが連結されていることを特徴とする半導体装置。
  47. 請求の範囲第４６項記載の半導体装置であって、前記一対のバスバーそれぞれに連結された前記アウタリードは、隣接して配置されていることを特徴とする半導体装置。
  48. 請求の範囲第４６項記載の半導体装置であって、前記一対のバスバーそれぞれに連結された前記アウタリードは、前記樹脂封止体の角部に配置されていることを特徴とする半導体装置。
  49. 請求の範囲第４６項記載の半導体装置であって、前記一対のバスバーそれぞれに連結された前記アウタリードは、前記樹脂封止体の側面のリード配列方向の中央に配置されていることを特徴とする半導体装置。
  50. 請求の範囲第４６項記載の半導体装置であって、前記一対のバスバーそれぞれに連結された前記アウタリードは、前記樹脂封止体の４つの角部に配置されていることを特徴とする半導体装置。
  51. 請求の範囲第４６項記載の半導体装置であって、前記一対のバスバーそれぞれに連結された前記アウタリードは、前記樹脂封止体の側面の複数箇所から突出していることを特徴とする半導体装置。
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Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7863737B2 (en) * 2006-04-01 2011-01-04 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with wire bond pattern
TWI301316B (en) * 2006-07-05 2008-09-21 Chipmos Technologies Inc Chip package and manufacturing method threrof
TWI302373B (en) * 2006-07-18 2008-10-21 Chipmos Technologies Shanghai Ltd Chip package structure
CN101170104B (zh) * 2006-10-25 2010-05-12 南茂科技股份有限公司 导线架中具有多段式汇流条的堆叠式芯片封装结构
CN101170103B (zh) * 2006-10-25 2010-05-12 南茂科技股份有限公司 导线架中具有汇流架的堆叠式芯片封装结构
JP4353257B2 (ja) * 2007-02-20 2009-10-28 セイコーエプソン株式会社 集積回路装置及び電子機器
US20080217759A1 (en) * 2007-03-06 2008-09-11 Taiwan Solutions Systems Corp. Chip package substrate and structure thereof
JP2008294278A (ja) * 2007-05-25 2008-12-04 Fujitsu Microelectronics Ltd 半導体装置、リードフレーム、及び半導体装置の実装構造
US8283757B2 (en) * 2007-07-18 2012-10-09 Mediatek Inc. Quad flat package with exposed common electrode bars
US7847376B2 (en) * 2007-07-19 2010-12-07 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP5155644B2 (ja) * 2007-07-19 2013-03-06 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP5126231B2 (ja) * 2007-08-10 2013-01-23 富士通セミコンダクター株式会社 半導体素子の選別取得方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2009099709A (ja) * 2007-10-16 2009-05-07 Nec Electronics Corp 半導体装置
JP5130566B2 (ja) * 2008-07-01 2013-01-30 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP5107839B2 (ja) * 2008-09-10 2012-12-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US8383962B2 (en) * 2009-04-08 2013-02-26 Marvell World Trade Ltd. Exposed die pad package with power ring
JP2010258366A (ja) * 2009-04-28 2010-11-11 Renesas Electronics Corp 半導体装置
US8786063B2 (en) * 2009-05-15 2014-07-22 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with leads and transposer and method of manufacture thereof
US8553420B2 (en) 2010-10-19 2013-10-08 Tessera, Inc. Enhanced stacked microelectronic assemblies with central contacts and improved thermal characteristics
JP2012109411A (ja) * 2010-11-17 2012-06-07 Canon Inc 半導体装置及び半導体装置を搭載したプリント基板
US8633576B2 (en) 2011-04-21 2014-01-21 Tessera, Inc. Stacked chip-on-board module with edge connector
US8304881B1 (en) 2011-04-21 2012-11-06 Tessera, Inc. Flip-chip, face-up and face-down wirebond combination package
US8928153B2 (en) 2011-04-21 2015-01-06 Tessera, Inc. Flip-chip, face-up and face-down centerbond memory wirebond assemblies
US9013033B2 (en) 2011-04-21 2015-04-21 Tessera, Inc. Multiple die face-down stacking for two or more die
US8952516B2 (en) 2011-04-21 2015-02-10 Tessera, Inc. Multiple die stacking for two or more die
US8970028B2 (en) 2011-12-29 2015-03-03 Invensas Corporation Embedded heat spreader for package with multiple microelectronic elements and face-down connection
JP2013149779A (ja) * 2012-01-19 2013-08-01 Semiconductor Components Industries Llc 半導体装置
US9666730B2 (en) * 2014-08-18 2017-05-30 Optiz, Inc. Wire bond sensor package
US9754861B2 (en) * 2014-10-10 2017-09-05 Stmicroelectronics Pte Ltd Patterned lead frame
JP6507779B2 (ja) * 2015-03-26 2019-05-08 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器
US10109563B2 (en) 2017-01-05 2018-10-23 Stmicroelectronics, Inc. Modified leadframe design with adhesive overflow recesses
JP6768569B2 (ja) * 2017-03-21 2020-10-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
US11996299B2 (en) * 2018-10-23 2024-05-28 Mitsubishi Electric Corporation Methods for manufacturing a semiconductor device
TWI819960B (zh) * 2023-02-03 2023-10-21 瑞昱半導體股份有限公司 能夠增加干擾源之間的隔離度的積體電路封裝結構

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05243472A (ja) * 1992-02-27 1993-09-21 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体集積回路
JPH0637131A (ja) * 1992-07-15 1994-02-10 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JP3154579B2 (ja) * 1993-02-23 2001-04-09 三菱電機株式会社 半導体素子搭載用のリードフレーム
JPH09252072A (ja) 1996-03-15 1997-09-22 Shinko Electric Ind Co Ltd 多層リードフレームおよびその製造方法
JPH1154658A (ja) 1997-07-30 1999-02-26 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法並びにフレーム構造体
JPH11168169A (ja) 1997-12-04 1999-06-22 Hitachi Ltd リードフレームおよびそれを用いた半導体装置ならびにその製造方法
JP3077668B2 (ja) * 1998-05-01 2000-08-14 日本電気株式会社 半導体装置、半導体装置用リードフレームおよびその製造方法
JP2000058735A (ja) * 1998-08-07 2000-02-25 Hitachi Ltd リードフレーム、半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4319339B2 (ja) 2000-08-30 2009-08-26 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP3619773B2 (ja) 2000-12-20 2005-02-16 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
JP2002270723A (ja) 2001-03-12 2002-09-20 Hitachi Ltd 半導体装置、半導体チップおよび実装基板
US6476506B1 (en) * 2001-09-28 2002-11-05 Motorola, Inc. Packaged semiconductor with multiple rows of bond pads and method therefor

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