JPH09252072A - 多層リードフレームおよびその製造方法 - Google Patents
多層リードフレームおよびその製造方法Info
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- JPH09252072A JPH09252072A JP8058685A JP5868596A JPH09252072A JP H09252072 A JPH09252072 A JP H09252072A JP 8058685 A JP8058685 A JP 8058685A JP 5868596 A JP5868596 A JP 5868596A JP H09252072 A JPH09252072 A JP H09252072A
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 テープを用いることなく、インナーリードを
ヒートスプレッダーに位置精度よく好適に接着すること
ができ、製造コストを低減できること。 【解決手段】 複数のインナーリード２０ａの先端部が
連結部によって相互に一体に形成され、複数のインナー
リード２０ａの先端部と連結部とが接着剤層を介してヒ
ートスプレッダー１２に接着された状態で、連結部およ
び／またはインナーリード２０ａの先端部の一部と、連
結部および／またはインナーリード２０ａの先端部の一
部に対応する接着剤層とヒートスプレッダー１２とが同
時に抜き落とされることで形成され、隣合う前記インナ
ーリード２０ａの先端部同士を分離させる抜き孔２４を
備える。
ヒートスプレッダーに位置精度よく好適に接着すること
ができ、製造コストを低減できること。 【解決手段】 複数のインナーリード２０ａの先端部が
連結部によって相互に一体に形成され、複数のインナー
リード２０ａの先端部と連結部とが接着剤層を介してヒ
ートスプレッダー１２に接着された状態で、連結部およ
び／またはインナーリード２０ａの先端部の一部と、連
結部および／またはインナーリード２０ａの先端部の一
部に対応する接着剤層とヒートスプレッダー１２とが同
時に抜き落とされることで形成され、隣合う前記インナ
ーリード２０ａの先端部同士を分離させる抜き孔２４を
備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は多層リードフレーム
およびその製造方法に関する。近年、半導体素子の高集
積化と共にリードフレームの高密度化が進み、極めて多
ピンのリードフレームが用いられている。また、樹脂封
止型半導体装置は、半導体素子のパワーの増大に伴い、
高い放熱性が求められるようになっており、半導体素子
を搭載するヒートスプレッダーに接着剤を介して信号層
が積層されてなる多層リードフレームが製造されてい
る。
およびその製造方法に関する。近年、半導体素子の高集
積化と共にリードフレームの高密度化が進み、極めて多
ピンのリードフレームが用いられている。また、樹脂封
止型半導体装置は、半導体素子のパワーの増大に伴い、
高い放熱性が求められるようになっており、半導体素子
を搭載するヒートスプレッダーに接着剤を介して信号層
が積層されてなる多層リードフレームが製造されてい
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の多層リードフレームは、ヒートス
プレッダー１に信号層（リード）のインナーリード２が
熱硬化性の接着剤３によって接着されて形成されてい
る。隣合うインナーリード２同士が既に切り離されて所
定の形態に形成された信号層が、ヒートスプレッダー１
に接着されている。熱硬化性の接着剤の貼り付け温度は
１５０°Ｃ前後であり、高温にならないためインナーリ
ード先端が変形して位置ずれ（シフト）するような問題
は発生しにくい。しかし、一般的には信頼性を考慮して
インナーリードの先端の変形を未然に防止するよう、図
９に示すようにインナーリード２にテープ４を貼って固
定してから、上記の接着がなされている。
プレッダー１に信号層（リード）のインナーリード２が
熱硬化性の接着剤３によって接着されて形成されてい
る。隣合うインナーリード２同士が既に切り離されて所
定の形態に形成された信号層が、ヒートスプレッダー１
に接着されている。熱硬化性の接着剤の貼り付け温度は
１５０°Ｃ前後であり、高温にならないためインナーリ
ード先端が変形して位置ずれ（シフト）するような問題
は発生しにくい。しかし、一般的には信頼性を考慮して
インナーリードの先端の変形を未然に防止するよう、図
９に示すようにインナーリード２にテープ４を貼って固
定してから、上記の接着がなされている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ヒートスプ
レッダーとインナーリードを接着するために熱硬化性の
接着剤を使用する場合、硬化する際に化学反応がおきる
ため、フェノール成分等を含むガスが発生する。そのガ
ス成分がリードの銀めっき表面（インナーリードの表面
を含む）に被着してしまう。すなわち、ガスの発生（ア
ウトガス）によって、インナーリードの先端であるボン
ディングエリアが汚れてしまう。半導体素子とインナー
リードとはワイヤで結線されるが、銀めっき表面を汚染
したガス成分によって、ワイヤがインナーリードに確実
に溶着できなくなるという問題がある。
レッダーとインナーリードを接着するために熱硬化性の
接着剤を使用する場合、硬化する際に化学反応がおきる
ため、フェノール成分等を含むガスが発生する。そのガ
ス成分がリードの銀めっき表面（インナーリードの表面
を含む）に被着してしまう。すなわち、ガスの発生（ア
ウトガス）によって、インナーリードの先端であるボン
ディングエリアが汚れてしまう。半導体素子とインナー
リードとはワイヤで結線されるが、銀めっき表面を汚染
したガス成分によって、ワイヤがインナーリードに確実
に溶着できなくなるという問題がある。
【０００４】このガス発生の問題に対しては、化学反応
が完了していてガスが発生しない熱可塑性の接着剤を採
用することで解消することができる。しかしながら、熱
可塑性の接着剤を採用する際には、後工程である樹脂封
止工程でゆるむことのない貼り付け温度（耐熱温度）が
要求される。樹脂封止の際の封止温度は一般的に１８０
°Ｃであり、安全率を考慮すると前記熱可塑性の接着剤
の貼り付け温度は一般的に３００°Ｃ前後となる。この
ように貼り付け温度が高温になると、熱硬化性の接着剤
（貼り付け温度は１５０°Ｃ前後）による貼り付けでは
問題にならなかった熱によるインナーリード先端のシフ
トの問題が発生する。インナーリードの先端の残留応力
は完全に取り除かれているとは限らない。特に最近のイ
ンナーリードの微細化、高密度化によって微細なシフト
も問題になってしまう。
が完了していてガスが発生しない熱可塑性の接着剤を採
用することで解消することができる。しかしながら、熱
可塑性の接着剤を採用する際には、後工程である樹脂封
止工程でゆるむことのない貼り付け温度（耐熱温度）が
要求される。樹脂封止の際の封止温度は一般的に１８０
°Ｃであり、安全率を考慮すると前記熱可塑性の接着剤
の貼り付け温度は一般的に３００°Ｃ前後となる。この
ように貼り付け温度が高温になると、熱硬化性の接着剤
（貼り付け温度は１５０°Ｃ前後）による貼り付けでは
問題にならなかった熱によるインナーリード先端のシフ
トの問題が発生する。インナーリードの先端の残留応力
は完全に取り除かれているとは限らない。特に最近のイ
ンナーリードの微細化、高密度化によって微細なシフト
も問題になってしまう。
【０００５】これに対しては、テープを貼ってインナー
リードを固定しておくことで対応できるが、それでは従
来と同様にテープという部品が必要となり、テープを接
着する工程が必要になる等、製品コストを低減できない
という課題がある。また、テープを接着する接着剤とし
ては一般的に熱硬化性の接着剤が採用されており、前述
したようなアウトガスの問題も残る。
リードを固定しておくことで対応できるが、それでは従
来と同様にテープという部品が必要となり、テープを接
着する工程が必要になる等、製品コストを低減できない
という課題がある。また、テープを接着する接着剤とし
ては一般的に熱硬化性の接着剤が採用されており、前述
したようなアウトガスの問題も残る。
【０００６】そこで、本発明は上記問題点を解決すべく
なされたものであり、その目的とするところは、テープ
を用いることなく、インナーリードをヒートスプレッダ
ーに位置精度よく好適に接着することができ、製造コス
トを低減できる多層リードフレームおよびその製造方法
を提供することにある。
なされたものであり、その目的とするところは、テープ
を用いることなく、インナーリードをヒートスプレッダ
ーに位置精度よく好適に接着することができ、製造コス
トを低減できる多層リードフレームおよびその製造方法
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、本発明は、半導
体素子を搭載するヒートスプレッダーに接着剤層を介し
てリードフレームの複数のインナーリードの先端部が積
層されてなる多層リードフレームにおいて、前記複数の
インナーリードの先端部が連結部によって相互に一体に
形成され、該複数のインナーリードの先端部と連結部と
が前記接着剤層を介してヒートスプレッダーに接着され
た状態で、前記連結部および／またはインナーリードの
先端部の一部と、該連結部および／またはインナーリー
ドの先端部の一部に対応する前記接着剤層と前記ヒート
スプレッダーとが同時に抜き落とされることで形成さ
れ、隣合う前記インナーリードの先端部同士を分離させ
る抜き孔を備える。
するため次の構成を備える。すなわち、本発明は、半導
体素子を搭載するヒートスプレッダーに接着剤層を介し
てリードフレームの複数のインナーリードの先端部が積
層されてなる多層リードフレームにおいて、前記複数の
インナーリードの先端部が連結部によって相互に一体に
形成され、該複数のインナーリードの先端部と連結部と
が前記接着剤層を介してヒートスプレッダーに接着され
た状態で、前記連結部および／またはインナーリードの
先端部の一部と、該連結部および／またはインナーリー
ドの先端部の一部に対応する前記接着剤層と前記ヒート
スプレッダーとが同時に抜き落とされることで形成さ
れ、隣合う前記インナーリードの先端部同士を分離させ
る抜き孔を備える。
【０００８】また、前記接着剤層が熱可塑性の接着剤に
よって形成されていることで、アウトガスの問題を解消
できる。また、前記接着剤がポリイミドを主成分とする
ことで、好適な耐熱性を得ることができる。また、前記
接着剤層と前記ヒートスプレッダーとの間に、絶縁層が
設けられたことで、絶縁性を確実に確保することができ
る。また、前記絶縁層が金属層付樹脂フィルムの樹脂フ
ィルムであり、前記ヒートスプレッダーが該金属層付樹
脂フィルムの金属層であることで、従来からあるＴＡＢ
テープの利点を適用した好適な多層リードフレームを得
ることができる。
よって形成されていることで、アウトガスの問題を解消
できる。また、前記接着剤がポリイミドを主成分とする
ことで、好適な耐熱性を得ることができる。また、前記
接着剤層と前記ヒートスプレッダーとの間に、絶縁層が
設けられたことで、絶縁性を確実に確保することができ
る。また、前記絶縁層が金属層付樹脂フィルムの樹脂フ
ィルムであり、前記ヒートスプレッダーが該金属層付樹
脂フィルムの金属層であることで、従来からあるＴＡＢ
テープの利点を適用した好適な多層リードフレームを得
ることができる。
【０００９】また、半導体素子を搭載するヒートスプレ
ッダーに接着剤層を介してリードフレームの複数のイン
ナーリードの先端部が積層されてなる多層リードフレー
ムの製造方法において、前記複数のインナーリードの先
端部が連結部によって相互に一体に形成され、該複数の
インナーリードの先端部と連結部とが前記接着剤層を介
してヒートスプレッダーに接着させた後、前記連結部お
よび／またはインナーリードの先端部の一部と、該連結
部および／またはインナーリードの先端部の一部に対応
する前記接着剤層と前記ヒートスプレッダーとを同時に
抜き落し、隣合う前記インナーリードの先端部同士を分
離させる抜き孔を形成することを特徴とする多層リード
フレームの製造方法にもある。
ッダーに接着剤層を介してリードフレームの複数のイン
ナーリードの先端部が積層されてなる多層リードフレー
ムの製造方法において、前記複数のインナーリードの先
端部が連結部によって相互に一体に形成され、該複数の
インナーリードの先端部と連結部とが前記接着剤層を介
してヒートスプレッダーに接着させた後、前記連結部お
よび／またはインナーリードの先端部の一部と、該連結
部および／またはインナーリードの先端部の一部に対応
する前記接着剤層と前記ヒートスプレッダーとを同時に
抜き落し、隣合う前記インナーリードの先端部同士を分
離させる抜き孔を形成することを特徴とする多層リード
フレームの製造方法にもある。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施例を添
付図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明にかか
る多層リードフレーム１０の実施例の正面図であり、図
２は図１のＡ−Ａ断面図である。１２はヒートスプレッ
ダーであり、このヒートスプレッダー１２の表面に接着
剤１４を介してリードフレームのリード２０が積層され
て多層リードフレーム１０が形成される。ヒートスプレ
ッダー１２の表面中央部は半導体素子が搭載される部位
である。ヒートスプレッダー１２は、銅材等の熱伝導性
に優れる金属からなる。その形態は板状でもよいし、箔
状でもよい。リード２０は通常のリードフレーム形状に
形成されており、２０ａはそのインナーリード、２０ｂ
はアウターリードである。インナーリード２０ａの下面
側に接着剤１４によってヒートスプレッダー１２が貼着
されている。
付図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明にかか
る多層リードフレーム１０の実施例の正面図であり、図
２は図１のＡ−Ａ断面図である。１２はヒートスプレッ
ダーであり、このヒートスプレッダー１２の表面に接着
剤１４を介してリードフレームのリード２０が積層され
て多層リードフレーム１０が形成される。ヒートスプレ
ッダー１２の表面中央部は半導体素子が搭載される部位
である。ヒートスプレッダー１２は、銅材等の熱伝導性
に優れる金属からなる。その形態は板状でもよいし、箔
状でもよい。リード２０は通常のリードフレーム形状に
形成されており、２０ａはそのインナーリード、２０ｂ
はアウターリードである。インナーリード２０ａの下面
側に接着剤１４によってヒートスプレッダー１２が貼着
されている。
【００１１】２４は抜き孔であり、隣合うインナーリー
ド２０ａの先端部同士を分離させるよう、インナーリー
ド２０ａの先端部同士を連結する連結部および／または
インナーリード２０ａの先端部の一部と、該連結部およ
び／またはインナーリード２０ａの先端部の一部に対応
する接着剤層１４とヒートスプレッダー１２とが同時に
抜き落とされることで形成されている。
ド２０ａの先端部同士を分離させるよう、インナーリー
ド２０ａの先端部同士を連結する連結部および／または
インナーリード２０ａの先端部の一部と、該連結部およ
び／またはインナーリード２０ａの先端部の一部に対応
する接着剤層１４とヒートスプレッダー１２とが同時に
抜き落とされることで形成されている。
【００１２】図３および図４には抜き孔２４が形成され
る前段階が示されており、図１および図２に示された多
層リードフレーム１０が形成される製造方法は以下のよ
うになる。すなわち、先ず、図３および図４に示すよう
に、複数のインナーリード２０ａの先端部が連結部２０
ｃによって相互に一体に連結された状態に形成され、そ
の複数のインナーリード２０ａの先端部と連結部２０ｃ
とを含むリード２０の先端側が接着剤層１４を介してヒ
ートスプレッダー１２に接着される。
る前段階が示されており、図１および図２に示された多
層リードフレーム１０が形成される製造方法は以下のよ
うになる。すなわち、先ず、図３および図４に示すよう
に、複数のインナーリード２０ａの先端部が連結部２０
ｃによって相互に一体に連結された状態に形成され、そ
の複数のインナーリード２０ａの先端部と連結部２０ｃ
とを含むリード２０の先端側が接着剤層１４を介してヒ
ートスプレッダー１２に接着される。
【００１３】接着剤層１４は、熱可塑性の接着剤からな
っており、絶縁層として作用する。具体的には熱可塑性
のポリイミド（融点を３００°Ｃに設定）を利用するこ
とができる。接着方法は、接着剤層１４上に複数のイン
ナーリード２０ａが当接・押圧させる。加熱することに
よって接着剤層１４をゆるませる。接着剤層１４がゆる
んだところで、押圧されたインナーリード２０ａが、接
着剤層１４に埋め込まれた状態となる。そして、接着剤
層１４が冷却されると、インナーリード２０ａがヒート
スプレッダー１２上に固定される。このとき、複数のイ
ンナーリード２０ａの先端が連結部２０ｃによって相互
に一体に連結された状態にあるため、インナーリード２
０ａはシフトすることなく、所定の位置に確実に接着さ
れる。また、この熱可塑性の接着剤層１４は化学的反応
が完了しており、アウトガスがなく、ボンディングエリ
アが汚染されることがない。
っており、絶縁層として作用する。具体的には熱可塑性
のポリイミド（融点を３００°Ｃに設定）を利用するこ
とができる。接着方法は、接着剤層１４上に複数のイン
ナーリード２０ａが当接・押圧させる。加熱することに
よって接着剤層１４をゆるませる。接着剤層１４がゆる
んだところで、押圧されたインナーリード２０ａが、接
着剤層１４に埋め込まれた状態となる。そして、接着剤
層１４が冷却されると、インナーリード２０ａがヒート
スプレッダー１２上に固定される。このとき、複数のイ
ンナーリード２０ａの先端が連結部２０ｃによって相互
に一体に連結された状態にあるため、インナーリード２
０ａはシフトすることなく、所定の位置に確実に接着さ
れる。また、この熱可塑性の接着剤層１４は化学的反応
が完了しており、アウトガスがなく、ボンディングエリ
アが汚染されることがない。
【００１４】次に、隣合うインナーリード２０の先端部
同士を分離されるように、インナーリード２０ａの先端
部の一部と連結部２０ｃとを、それに対応する接着剤層
１４およびヒートスプレッダー１２と共に同時に抜き落
として抜き孔２４を形成する。これにより、各インナー
リード２０ａの先端部同士が分離され、所定位置に確実
に接着・固定された多層リードフレーム１０を得ること
ができる。この方法によれば、インナーリード２０ａの
先端部を最終的に成形する工程を、抜き孔２４を形成す
る工程と同時に行うことになり、製造工程が複雑になる
ことはない。なお、できるだけ放熱性に影響がないよう
に、抜き孔２４は小さく形成すればよい。
同士を分離されるように、インナーリード２０ａの先端
部の一部と連結部２０ｃとを、それに対応する接着剤層
１４およびヒートスプレッダー１２と共に同時に抜き落
として抜き孔２４を形成する。これにより、各インナー
リード２０ａの先端部同士が分離され、所定位置に確実
に接着・固定された多層リードフレーム１０を得ること
ができる。この方法によれば、インナーリード２０ａの
先端部を最終的に成形する工程を、抜き孔２４を形成す
る工程と同時に行うことになり、製造工程が複雑になる
ことはない。なお、できるだけ放熱性に影響がないよう
に、抜き孔２４は小さく形成すればよい。
【００１５】また、抜き孔２４が形成されるので封止樹
脂（モールド）の食いつきがよく、半導体装置の信頼性
を向上できる。図５は上記多層リードフレーム１０に半
導体素子３０を搭載し、ワイヤボンディングして後封止
樹脂３２にて樹脂封止した半導体装置３４を示す。
脂（モールド）の食いつきがよく、半導体装置の信頼性
を向上できる。図５は上記多層リードフレーム１０に半
導体素子３０を搭載し、ワイヤボンディングして後封止
樹脂３２にて樹脂封止した半導体装置３４を示す。
【００１６】ところで、接着剤層１４を形成する接着剤
としては、上記のポリイミドを主成分にするものに限ら
ず、耐熱性のあるもの、特に樹脂封止のモールドの際の
温度（一般的に１８０°Ｃ程度）よりも高温に耐え得る
ものであればよい。なお、前記接着剤がポリイミドを主
成分とすることで、好適な耐熱性等の良好な特性を得る
ことができる。また、アウトガスの問題が重大でない場
合は、熱硬化性の接着剤を用いることも可能である。
としては、上記のポリイミドを主成分にするものに限ら
ず、耐熱性のあるもの、特に樹脂封止のモールドの際の
温度（一般的に１８０°Ｃ程度）よりも高温に耐え得る
ものであればよい。なお、前記接着剤がポリイミドを主
成分とすることで、好適な耐熱性等の良好な特性を得る
ことができる。また、アウトガスの問題が重大でない場
合は、熱硬化性の接着剤を用いることも可能である。
【００１７】すなわち、本願発明によれば、接着剤の種
類に関係なく、複数のインナーリード２０ａの先端部が
連結部２０ｃによって相互に一体に繋がった状態にある
ものを、ヒートスプレッダー１２に完全に接着・固定し
た後、連結部２０ｃおよび／またはインナーリード２０
ａの先端部の一部と、その直下の接着剤層１４およびヒ
ートスプレッダー１２を打ち抜き、各リード２０の先端
部（各インナーリード２０ａ）毎に分離するので、イン
ナーリード２０ａはシフトすることなく、所定の位置に
確実に固定できる。従って、インナーリード２０ａを位
置決めするためのテープが不要となる。テープを省くこ
とで、部品点数の削減のみならず、製造工程の簡略化が
可能となり、製造コストを著しく低減することができ
る。
類に関係なく、複数のインナーリード２０ａの先端部が
連結部２０ｃによって相互に一体に繋がった状態にある
ものを、ヒートスプレッダー１２に完全に接着・固定し
た後、連結部２０ｃおよび／またはインナーリード２０
ａの先端部の一部と、その直下の接着剤層１４およびヒ
ートスプレッダー１２を打ち抜き、各リード２０の先端
部（各インナーリード２０ａ）毎に分離するので、イン
ナーリード２０ａはシフトすることなく、所定の位置に
確実に固定できる。従って、インナーリード２０ａを位
置決めするためのテープが不要となる。テープを省くこ
とで、部品点数の削減のみならず、製造工程の簡略化が
可能となり、製造コストを著しく低減することができ
る。
【００１８】なお、テープの接着工程を要すると、以下
のような問題があった。テープをインナーリード２０ａ
に接着する接着剤は、従来、接着する際の温度が高いと
インナーリード２０ａがシフトする問題があるため、接
着温度が低く樹脂封止工程の加熱温度に耐え得るように
耐熱温度の高い熱硬化性の接着剤が使用されている。熱
硬化性の接着剤は前述したようにアウトガスの問題があ
る。さらに、熱硬化性の接着剤はキュア工程を要し、工
程を複雑化させる。また、テープが接着されているイン
ナーリード２０ａを押圧してヒートスプレッダー１２に
接着する場合、テープの厚さ分だけ段差があるため、接
着むらを生じるという問題がある。これは、テープに対
応するところのみを高い圧で押圧し、他の部分は好適に
押圧することができないためであり、結果的にインナー
リード２０ａをヒートスプレッダー１２に均一に接着で
きないのである。また、テープは封止樹脂とのなじみが
悪いため、気泡のようなものが発生し易い。従って、半
導体装置の信頼性が低下するという問題もあった。この
点、本発明によれば、テープを省くことができるので、
上記のような問題を解消できる。
のような問題があった。テープをインナーリード２０ａ
に接着する接着剤は、従来、接着する際の温度が高いと
インナーリード２０ａがシフトする問題があるため、接
着温度が低く樹脂封止工程の加熱温度に耐え得るように
耐熱温度の高い熱硬化性の接着剤が使用されている。熱
硬化性の接着剤は前述したようにアウトガスの問題があ
る。さらに、熱硬化性の接着剤はキュア工程を要し、工
程を複雑化させる。また、テープが接着されているイン
ナーリード２０ａを押圧してヒートスプレッダー１２に
接着する場合、テープの厚さ分だけ段差があるため、接
着むらを生じるという問題がある。これは、テープに対
応するところのみを高い圧で押圧し、他の部分は好適に
押圧することができないためであり、結果的にインナー
リード２０ａをヒートスプレッダー１２に均一に接着で
きないのである。また、テープは封止樹脂とのなじみが
悪いため、気泡のようなものが発生し易い。従って、半
導体装置の信頼性が低下するという問題もあった。この
点、本発明によれば、テープを省くことができるので、
上記のような問題を解消できる。
【００１９】次に他の実施例について説明する。図６に
示すように、接着剤層１４の層とヒートスプレッダー１
２との間に、他の絶縁層４０を設けてもよい。これによ
り、絶縁性を確実に確保・向上することができる。絶縁
層４０は、例えばポリイミドのような樹脂フィルム層で
あればよく、熱硬化性の接着剤層でもよい。熱硬化性の
接着剤の場合、その硬化の際にガスが発生するが、ヒー
トスプレッダー１２上に絶縁層４０を形成する工程はリ
ード２０とは関係なく行えるので、前記のアウトガスは
問題にならない。また、ヒートスプレッダーをＴＡＢテ
ープのような金属層付樹脂フィルムとすると、前記絶縁
層４０が樹脂フィルムであり、前記ヒートスプレッダー
１２が金属層（銅箔）であることで、従来からある金属
層付樹脂フィルムの利点を適用して多層リードフレーム
を好適に形成することもできる。なお、絶縁層は、イン
ナーリードと接着剤層との間に設けることもできる。
示すように、接着剤層１４の層とヒートスプレッダー１
２との間に、他の絶縁層４０を設けてもよい。これによ
り、絶縁性を確実に確保・向上することができる。絶縁
層４０は、例えばポリイミドのような樹脂フィルム層で
あればよく、熱硬化性の接着剤層でもよい。熱硬化性の
接着剤の場合、その硬化の際にガスが発生するが、ヒー
トスプレッダー１２上に絶縁層４０を形成する工程はリ
ード２０とは関係なく行えるので、前記のアウトガスは
問題にならない。また、ヒートスプレッダーをＴＡＢテ
ープのような金属層付樹脂フィルムとすると、前記絶縁
層４０が樹脂フィルムであり、前記ヒートスプレッダー
１２が金属層（銅箔）であることで、従来からある金属
層付樹脂フィルムの利点を適用して多層リードフレーム
を好適に形成することもできる。なお、絶縁層は、イン
ナーリードと接着剤層との間に設けることもできる。
【００２０】また、連結部およびインナーリードの先端
の一部を選択的に部分的に打ち抜いてもよい。例えば、
図７のように連結部の幅の一部とインナーリードの先端
部の一部を打ち抜けば、Ｌ字状の電源やグランド等のバ
スライン５０を形成できる。同様に共用リードを形成す
ることもできる。
の一部を選択的に部分的に打ち抜いてもよい。例えば、
図７のように連結部の幅の一部とインナーリードの先端
部の一部を打ち抜けば、Ｌ字状の電源やグランド等のバ
スライン５０を形成できる。同様に共用リードを形成す
ることもできる。
【００２１】さらに、図８に示すように、連結部を打ち
抜かず、インナーリードの先端部の一部のみと、そのイ
ンナーリードの先端部の一部に対応する接着剤層とヒー
トスプレッダーとを同時に抜き落とし、隣合うインナー
リードの先端部同士を分離させてもよい。これによって
も、インナーリードはシフトすることなく、所定の位置
に確実に固定できる。
抜かず、インナーリードの先端部の一部のみと、そのイ
ンナーリードの先端部の一部に対応する接着剤層とヒー
トスプレッダーとを同時に抜き落とし、隣合うインナー
リードの先端部同士を分離させてもよい。これによって
も、インナーリードはシフトすることなく、所定の位置
に確実に固定できる。
【００２２】また、上記実施例では接着剤層１４がヒー
トスプレッダー１２上の全面に形成した場合を説明した
が、本発明はこれに限らず、接着剤層１４は複数のイン
ナーリード２０ａを接着する範囲に対応させてリング状
等に形成してもよい。以上本発明につき好適な実施例を
挙げて種々説明したが、本発明はこの実施例に限定され
るものではなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多く
の改変を施し得るのはもちろんである。
トスプレッダー１２上の全面に形成した場合を説明した
が、本発明はこれに限らず、接着剤層１４は複数のイン
ナーリード２０ａを接着する範囲に対応させてリング状
等に形成してもよい。以上本発明につき好適な実施例を
挙げて種々説明したが、本発明はこの実施例に限定され
るものではなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多く
の改変を施し得るのはもちろんである。
【００２３】
【発明の効果】本願発明によれば、複数のインナーリー
ドの先端部が連結部によって相互に一体に繋がった状態
にあるものを、ヒートスプレッダーに完全に接着・固定
した後、連結部および／またはインナーリードの先端部
の一部と、該連結部および／またはインナーリードの先
端部の一部に対応する接着剤層とヒートスプレッダーと
を同時に抜き落とし、隣合うインナーリードの先端部同
士を分離させるので、インナーリードはシフトすること
なく、所定の位置に確実に固定できる。すなわち、本発
明によれば、インナーリードをヒートスプレッダーに位
置決め精度よく好適に接着することができると共に、イ
ンナーリード固定のためのテープを省けるので製造コス
トを低減できるという著効を奏する。
ドの先端部が連結部によって相互に一体に繋がった状態
にあるものを、ヒートスプレッダーに完全に接着・固定
した後、連結部および／またはインナーリードの先端部
の一部と、該連結部および／またはインナーリードの先
端部の一部に対応する接着剤層とヒートスプレッダーと
を同時に抜き落とし、隣合うインナーリードの先端部同
士を分離させるので、インナーリードはシフトすること
なく、所定の位置に確実に固定できる。すなわち、本発
明によれば、インナーリードをヒートスプレッダーに位
置決め精度よく好適に接着することができると共に、イ
ンナーリード固定のためのテープを省けるので製造コス
トを低減できるという著効を奏する。
【図１】本発明にかかる多層リードフレームの一実施例
を示した平面図である。
を示した平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】本発明にかかる多層リードフレームの製造工程
を説明する平面図である。
を説明する平面図である。
【図４】図２のＢ−Ｂ断面図である。
【図５】図１の多層リードフレームを用いて形成した半
導体装置の断面図である。
導体装置の断面図である。
【図６】本発明にかかる多層リードフレームの他の実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図７】本発明にかかる多層リードフレームの他の実施
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図８】本発明にかかる多層リードフレームの他の実施
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図９】従来の多層リードフレームの一例を示す断面図
である。
である。
１０ 多層リードフレーム １２ ヒートスプレッダー １４ 接着剤層 ２０ リード ２０ａ インナーリード ２０ｂ アウターリード ２０ｃ 連結部 ２４ 抜き孔 ３０ 半導体素子 ３２ 封止樹脂 ３４ 半導体装置 ４０ 絶縁層
【手続補正書】
【提出日】平成８年６月１４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】接着剤層１４は、熱可塑性の接着剤からな
っており、絶縁層として作用する。具体的には熱可塑性
のポリイミドを利用することができる。接着方法は、接
着剤層１４上に複数のインナーリード２０ａが当接・押
圧させる。加熱することによって接着剤層１４をゆるま
せる。接着剤層１４がゆるんだところで、押圧されたイ
ンナーリード２０ａが、接着剤層１４に埋め込まれた状
態となる。そして、接着剤層１４が冷却されると、イン
ナーリード２０ａがヒートスプレッダー１２上に固定さ
れる。このとき、複数のインナーリード２０ａの先端が
連結部２０ｃによって相互に一体に連結された状態にあ
るため、インナーリード２０ａはシフトすることなく、
所定の位置に確実に接着される。また、この熱可塑性の
接着剤層１４は化学的反応が完了しており、アウトガス
がなく、ボンディングエリアが汚染されることがない。
っており、絶縁層として作用する。具体的には熱可塑性
のポリイミドを利用することができる。接着方法は、接
着剤層１４上に複数のインナーリード２０ａが当接・押
圧させる。加熱することによって接着剤層１４をゆるま
せる。接着剤層１４がゆるんだところで、押圧されたイ
ンナーリード２０ａが、接着剤層１４に埋め込まれた状
態となる。そして、接着剤層１４が冷却されると、イン
ナーリード２０ａがヒートスプレッダー１２上に固定さ
れる。このとき、複数のインナーリード２０ａの先端が
連結部２０ｃによって相互に一体に連結された状態にあ
るため、インナーリード２０ａはシフトすることなく、
所定の位置に確実に接着される。また、この熱可塑性の
接着剤層１４は化学的反応が完了しており、アウトガス
がなく、ボンディングエリアが汚染されることがない。
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体素子を搭載するヒートスプレッダ
ーに接着剤層を介してリードフレームの複数のインナー
リードの先端部が積層されてなる多層リードフレームに
おいて、 前記複数のインナーリードの先端部が連結部によって相
互に一体に形成され、該複数のインナーリードの先端部
と連結部とが前記接着剤層を介してヒートスプレッダー
に接着された状態で、前記連結部および／またはインナ
ーリードの先端部の一部と、該連結部および／またはイ
ンナーリードの先端部の一部に対応する前記接着剤層と
前記ヒートスプレッダーとが同時に抜き落とされること
で形成され、隣合う前記インナーリードの先端部同士を
分離させる抜き孔を備えることを特徴とする多層リード
フレーム。 - 【請求項２】 前記接着剤層が熱可塑性の接着剤によっ
て形成されていることを特徴とする請求項１記載の多層
リードフレーム。 - 【請求項３】 前記接着剤がポリイミドを主成分とする
ことを特徴とする請求項２記載の多層リードフレーム。 - 【請求項４】 前記接着剤層と前記ヒートスプレッダー
との間に、絶縁層が設けられたことを特徴する請求項１
または２記載の多層リードフレーム。 - 【請求項５】 前記絶縁層が金属層付樹脂フィルムの樹
脂フィルムであり、前記ヒートスプレッダーが該金属層
付樹脂フィルムの金属層であることを特徴とする請求項
４記載の多層リードフレーム。 - 【請求項６】 半導体素子を搭載するヒートスプレッダ
ーに接着剤層を介してリードフレームの複数のインナー
リードの先端部が積層されてなる多層リードフレームの
製造方法において、 前記複数のインナーリードの先端部を連結部によって相
互に一体に形成し、該複数のインナーリードの先端部と
連結部とを前記接着剤層を介してヒートスプレッダーに
接着させた後、 前記連結部および／またはインナーリードの先端部の一
部と、該連結部および／またはインナーリードの先端部
の一部に対応する前記接着剤層と前記ヒートスプレッダ
ーとを同時に抜き落し、隣合う前記インナーリードの先
端部同士を分離させる抜き孔を形成することを特徴とす
る多層リードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8058685A JPH09252072A (ja) | 1996-03-15 | 1996-03-15 | 多層リードフレームおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8058685A JPH09252072A (ja) | 1996-03-15 | 1996-03-15 | 多層リードフレームおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09252072A true JPH09252072A (ja) | 1997-09-22 |
Family
ID=13091417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8058685A Pending JPH09252072A (ja) | 1996-03-15 | 1996-03-15 | 多層リードフレームおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09252072A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6265760B1 (en) | 1998-05-01 | 2001-07-24 | Nec Corporation | Semiconductor device, and semiconductor device with die pad and protruding chip lead frame and method of manufacturing the same |
| WO2005024933A1 (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-17 | Renesas Technology Corp. | 半導体装置の製造方法 |
| US7482699B2 (en) | 2002-06-05 | 2009-01-27 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device |
| JP2011106841A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-02 | Dainippon Printing Co Ltd | センサーユニットおよびその製造方法 |
-
1996
- 1996-03-15 JP JP8058685A patent/JPH09252072A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6265760B1 (en) | 1998-05-01 | 2001-07-24 | Nec Corporation | Semiconductor device, and semiconductor device with die pad and protruding chip lead frame and method of manufacturing the same |
| US7482699B2 (en) | 2002-06-05 | 2009-01-27 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device |
| WO2005024933A1 (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-17 | Renesas Technology Corp. | 半導体装置の製造方法 |
| KR101036987B1 (ko) * | 2003-08-29 | 2011-05-25 | 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP2011106841A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-02 | Dainippon Printing Co Ltd | センサーユニットおよびその製造方法 |
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