JP2012109411A - 半導体装置及び半導体装置を搭載したプリント基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置は、外部と信号をやり取りする入出力回路と、演算処理を行う内部回路Eとを備え、本体が矩形形状を有する半導体チップ7と、半導体チップの各辺にそれぞれ設けられた複数の接続端子と、複数の接続端子のうち、1つの辺の一端からN番目(Nは、1<=N<=4の自然数)の接続端子に接続される内部回路用の電源ラインと、複数の接続端子のうち、1つの辺の一端からN+M番目(Mは、1<=M<=4の自然数)の接続端子に接続される内部回路用のグランドラインとを備える。
【選択図】図5
Description
前記複数の接続端子のうち、1つの辺の一端からN番目(Nは、1<=N<=4の自然数)の接続端子に接続される内部回路用の電源ラインと、前記複数の接続端子のうち、前記1つの辺の一端からN+M番目(Mは、1<=M<=4の自然数)の接続端子に接続される内部回路用のグランドラインとを備えることを特徴とする。
本実施形態における半導体装置は、例えば、数万ゲート〜数十万ゲートの集積回路を内蔵したASIC等である。まず、図1を参照して、半導体装置のリードフレームについての簡単な説明と、リードフレーム部における高周波カップリングについて説明する。説明の便宜上、半導体装置としてピン数の比較的少ない64ピンのQFP(Quad Flat Package)の例が示されている。ここで、QFPとは、本体が矩形形状を有し、矩形本体の各辺(4辺)から4方向に複数の接続端子が延びる半導体チップを有する半導体パッケージである。この半導体装置の各辺には16ピンずつのリード端子が備えられている。
次に、図4を参照して、半導体装置のリードフレーム部で生じる高周波のカップリングについて説明する。図4は、図2で説明した半導体装置と、半導体装置のアウターリード(外部リード端子)と接続されるプリント基板上の電気回路やコネクタ等とを簡易的に示したものである。説明の便宜上、半導体装置に接続されるいくつかの電気回路のみを簡易的に示し、その他の回路については省略している。
以下では、本発明における第1の実施形態について説明する。本実施形態では、半導体集積回路を構成する回路を、外部から信号を受け取る入力バッファ回路や外部へ信号を送り出す出力バッファ回路からなる入出力回路と、演算処理を行う内部回路とに分けて表記する。本実施形態に係る半導体装置は、内部回路用の電源ラインを少なくとも1本以上備え、内部回路に接続される全ての電源ラインが1つの辺の一端から1番目に、グランドラインが1つの辺の一端から2番目の接続端子に接続されている。(つまり、請求項2に記載されるN=M=1の場合について説明する。)
<半導体装置の構成>
以下では、図5を参照して、本実施形態に係る半導体装置の構成例について説明する。図5は、半導体装置と、半導体装置の外部リード端子が配線接続されるプリント基板上の電気回路とコネクタ等とを簡易的に示したものである。説明の便宜上、半導体装置に接続されるいくつかの電気回路のみを簡易的に示し、その他の回路については省略している。
以下では、図6及び図7を参照して、ノイズ伝播経路の中から主だった3つの経路における内部回路の動作クロックノイズのノイズ対策について説明する。図6は半導体チップ内の電源・グランドラインである第1の経路を示し、図7は、半導体装置が実装されたプリント基板の電源・グランドラインである第2の経路を示す。
第1の経路を図6の600を用いて説明する。600は、内部回路の動作クロックノイズの伝播が抑制されていない半導体チップ内の主要な電源・グランドラインを示す。600において、VDD91は内部回路Eに電力を分配する電源ラインである。VSS91は内部回路Eに電力を分配するグランドラインである。VDD91及びVSS91はそれぞれ4箇所から内部回路Eに電力を供給している。VDD92は回路ブロックSに電力を分配する回路ブロックS用(入出力回路用)の電源ラインである。VSS92は回路ブロックS用(入出力回路用)のグランドラインである。VDD92及びVSS92は回路ブロックS内において環状に設けられる。
次に、図7の700を参照して、第2の経路において内部回路の動作クロックノイズの伝播が抑制されていないプリント基板41の電源・グランドラインについて説明する。700において、42はASICであり、43はICであり、44はDC電源入力コネクタである。45は3.3V電源パターンであり、46はグランドパターンである。47はジャンパー線である。ASIC42において、pVDD11は内部回路E用の電源端子であり、pVSS11は内部回路E用のグランド端子であり、psVDD1は回路ブロックS用の電源端子であり、psVSS1は回路ブロックS用のグランド端子である。
この時、高周波ノイズが流れる経路のインダクタンスを小さくできるためにノイズ電流による電圧振幅が小さくなる効果もある。このように、パスコンC11〜C14によって、プリント基板51の電源・グランドラインに伝播する高周波ノイズは低減される。
次に、半導体装置のリードフレーム間における第3の経路について説明する。リードフレーム間の容量性カップリング及び相互インダクタンス干渉によって高周波ノイズはリードフレーム間を伝播して外部入出力端子に伝わる。これにより、内部回路の動作クロックノイズがプリント基板・ケーブル・筐体に伝播する。以下では、図5に示す4組の内部回路E用の電源端子・グランド端子の中からpVDD12・pVSS12を例に挙げて説明する。
次に、本実施形態における回路ブロックSに電源を供給する電源端子・グランド端子のピンアサインについて説明する。回路ブロックSには6組の電源端子・グランド端子が接続されている。具体的には、図5に示す外部リード端子ps7・ps8・ps21・ps22・ps31・ps32・ps41・ps42・ps43・ps44・ps53・ps54が回路ブロックS用の電源端子・グランド端子である。
次に、図5で説明した第3の経路のノイズ伝播抑制部によるノイズ抑制効果について、ノイズ測定データを用いて補足説明する。なお、ノイズ測定は図5で説明したASICではなく、以下で説明するASIC150について行ったものである。図8を参照して、ASIC150について説明する。ASIC150は、図5で説明した第3の経路のリードフレームを介したノイズ伝播を抑制するピン配置801と、従来のようにリードフレームを介してノイズ伝播するピン配置802との両方を有したASICである。ASIC150の構成を説明した後、各外部リード端子のノイズ測定結果を用いてノイズ抑制効果を具体的に示す。
以下では、図13を参照して、第2の実施形態について説明する。本実施形態に係る半導体装置は、内部回路E用の電源端子を少なくとも1本以上備え、内部回路に接続される全ての電源端子がQFPタイプの半導体パッケージの辺の一端から2番目以上4番目以下(Nが2以上4以下)にアサインされる。また、本実施形態では、Mが2以上4以下の場合も想定している。本実施形態はQFPタイプの半導体パッケージのコーナーに半導体装置の内部回路E用の電源端子をピンアサインできないような場合に有効に適用される。図13は、半導体装置と、半導体装置の外部リード端子が配線接続されるプリント基板上の電気回路とコネクタ等とを簡易的に示したものである。説明の便宜上、半導体装置に接続されるいくつかの電気回路のみを簡易的に示し、その他の回路については省略している。半導体装置の中央に半導体チップ7が配置されている。
Claims (10)
- 半導体装置であって、
外部と信号をやり取りする入出力回路と、演算処理を行う内部回路とを備え、矩形形状を有する半導体チップと、
前記半導体チップの各辺にそれぞれ設けられた複数の接続端子と、
前記複数の接続端子のうち、1つの辺の一端からN番目(Nは、1<=N<=4の自然数)の接続端子に接続される内部回路用の電源ラインと、
前記複数の接続端子のうち、前記1つの辺の一端からN+M番目(Mは、1<=M<=4の自然数)の接続端子に接続される内部回路用のグランドラインと
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記Nが1であり、かつ、前記Mが1であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記Nが2以上4以下である場合に、前記1つの辺の一端から1番目の接続端子から、前記1つの辺の一端からN−1番目までの接続端子は、
何も接続されない端子か、
470Ω以上の入力インピーダンスとなる回路もしくは素子が接続される端子か、又は、
100kHz以下の周波数の信号が出力される端子である
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記Mが2以上4以下である場合に、前記1つの辺の一端からN+1番目の接続端子から、前記1つの辺の一端からN+M−1番目までの接続端子は、
何も接続されない端子か、
470Ω以上の入力インピーダンスとなる回路もしくは素子が接続される端子か、又は、
100kHz以下の周波数の信号が出力される端子である
ことを特徴とする請求項1又は3に記載の半導体装置。 - 前記半導体チップにおける1つの辺と隣接する他の辺との間の各コーナーから接続され、該半導体チップを支持する複数の吊りリードをさらに備え、
前記吊りリードと隣接する接続端子に接続された2つのリードとの間隔は、同一の辺で互いに隣接する2つの接続端子に接続される2つのリードの間隔よりも長いことを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の半導体装置。 - 前記内部回路用の電源ライン及び前記内部回路用のグランドラインは、少なくとも2つ以上の辺にそれぞれ1つずつ設けられることを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の半導体装置。
- 前記内部回路用の電源ラインと独立して設けられる、入出力回路用の電源ラインと
前記内部回路用のグランドラインと独立して設けられる、入出力回路用のグランドラインと
をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載の半導体装置。 - 請求項7項に記載の半導体装置と、
内部回路用の電源ライン及び入出力回路用の電源ラインに接続される電源パターンと、
内部回路用のグランドライン及び入出力回路用のグランドラインに接続されるグランドパターンと
を備えることを特徴とするプリント基板。 - 前記プリント基板上において、前記内部回路用の電源ラインと前記内部回路用のグランドラインとの間と、前記入出力回路用の電源ラインと前記入出力回路用のグランドラインとの間と、に設けられ、高周波ノイズを抑制するための第1ノイズ抑制素子と、
前記プリント基板上において、前記内部回路用の電源ラインと、前記内部回路用のグランドラインとに設けられ、前記第1ノイズ抑制素子によって抑制できないノイズを抑制する第2ノイズ抑制素子と
をさらに備えることを特徴とする請求項8に記載のプリント基板。 - 前記第1ノイズ抑制素子は、バイパスコンデンサであり、
前記第2ノイズ抑制素子は、ビーズ、又は抵抗であることを特徴とする請求項9に記載のプリント基板。
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