JPH098233A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH098233A
JPH098233A JP7155824A JP15582495A JPH098233A JP H098233 A JPH098233 A JP H098233A JP 7155824 A JP7155824 A JP 7155824A JP 15582495 A JP15582495 A JP 15582495A JP H098233 A JPH098233 A JP H098233A
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初日出 五十嵐
茂 ▲高▼山
Shigeru Takayama
Yoshihiro Matsuura
佳弘 松浦
Hatsuhiro Nagaishi
初弘 永石
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    • H01L27/118Masterslice integrated circuits

Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体装置から電磁放射される周期スペクトル
高調波を低減する。 【構成】チップ内の電源および接地配線を次の2組に分
けて構成されている。一方は、内部回路用の電源端子1
とその配線5,内部回路用の接地端子2とその配線6か
ら構成され、もう一方は、入力端子をプルアップまたは
プルダウンする負荷手段と出力端子を駆動する駆動手段
とを含む出力回路用の電源端子3とその配線7,出力回
路用の接地端子4とその配線8から構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
周期パルス信号を用いたデジタル回路を内蔵する半導体
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の半導体装置は、現在、様
々な製品の制御用途のために広く用いられている。たと
えば、図7は特開昭61−264747号公報に示され
ている半導体装置における電源および接地配線の配置図
である。
【0003】図7を参照すると、この従来の半導体装置
は、チップ内の電源および接地配線を次の2組に分けて
構成されている。一方は、入力回路および内部回路用電
源端子11とその配線15,入力回路および内部回路用
接地端子12とその配線16から構成され、もう一方
は、出力回路用電源端子13とその配線17,出力回路
用接地端子14とその配線18から構成されている。
【0004】端子19は、出力回路用電源および接地配
線17および18に接続された出力回路の出力端子であ
り、端子20は、入力回路および内部回路用電源および
接地配線15および16に接続された入力回路の入力端
子である。
【0005】次に、この構成における作用を簡単に説明
する。
【0006】出力端子19の出力信号が変化すると大電
流が流れ、チップ内の電源および接地配線の電位を大き
く揺する。しかし、入力回路および内部回路は、端子か
ら別の配線で電源の供給を受けているので、出力信号の
変化による電源変動を受けないで済む。これにより、入
力回路の電源が変動することにより生じる入力レベル変
動や内部回路の誤動作を防ぐことができる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】一般に、デジタル回路
がオン/オフすると、それに応じた電源電流が流れる。
たとえば、図8は、周期パルス信号により動作するCM
OSデジタル回路の電源電流の波形を示す波形図であ
る。
【0008】このような周期的な電源電流変化の信号
は、多くの高調波成分を含み電磁放射し、その信号強度
も強い。たとえば、チューナに混入した場合、オートチ
ューニングシステムのデッドロックを引き起こすなど、
機器の誤動作の原因になっている。
【0009】これら高調波の発生源となっているのが、
チップ内部の回路である。特に、マイコンの場合、クロ
ック同期で動作しているため、ノイズレベルも大きい。
【0010】一方、出力回路がオン/オフすることによ
るノイズは小さくはないが、周期波の出す振幅の大きい
線スペクトルに対し、振幅の小さい連続スペクトルとな
り、高調波ノイズの電磁放射という面からの影響は少な
い。
【0011】このことから、内部回路と出力回路の電源
および接地の配線および端子を分けることは重要であ
る。特に、出力回路はハイ/ロウレベルを出力する場
合、電源および接地レベルをそのまま出力する。電源お
よび接地の配線および端子にスペクトルノイズが重畳さ
れると、マイコンの数多い端子から電磁放射することに
なる。
【0012】ところで、入力回路のプルアップ/プルダ
ウンも同じ原因になる。特に、今までは、スペクトルノ
イズを発生する内部回路の電源および接地配線に入力回
路を接続していたため、このプルアップ/プルダウン回
路を経由して外部へ漏れ出すという問題点があった。
【0013】従って、本発明の目的は、半導体装置から
電磁放射される周期スペクトル高調波を低減することに
ある。
【0014】
【課題を解決するための手段】そのため、本発明による
半導体装置は、周期パルス信号を発生または出力する回
路と前記周期パルス信号により動作する回路とを内部回
路に有する半導体装置において、入力端子をプルアップ
またはプルダウンする負荷手段と出力端子を駆動する駆
動手段とを含む出力回路および前記内部回路が、別々の
電源および接地配線ならびに電源および接地端子をそれ
ぞれ持っている。
【0015】また、互いに異なる電源および接地配線を
もつ前記内部回路と前記出力回路との間の信号配線手段
が、同一の電源または接地配線を対極とするPN接合を
もつ拡散層またはトランジスタのゲート電極に接続され
ている。
【0016】さらには、前記入力および出力端子と前記
出力回路の電源および接地配線との間に静電破壊保護素
子を接続すると共に、前記内部回路に接続された電源お
よび接地端子と前記出力回路の電源および接地配線との
間にも静電破壊保護素子を接続している。
【0017】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
【0018】図1は、本発明の半導体装置の第1の実施
例を示す配置図である。
【0019】図1を参照すると、本実施例の半導体装置
は、チップ内の電源および接地配線を次の2組に分けて
構成されている。
【0020】一方は、内部回路用の電源端子1とその配
線5,内部回路用の接地端子2とその配線6から構成さ
れ、もう一方は、入力端子をプルアップまたはプルダウ
ンする負荷手段と出力端子を駆動する駆動手段とを含む
出力回路用の電源端子3とその配線7,出力回路用の接
地端子4とその配線8から構成されている。
【0021】端子9は、出力回路用の電源および接地配
線7および8に接続された出力回路の出力端子である。
【0022】端子10は、内部回路用の電源および接地
配線5および6に接続された入力回路の入力端子であ
り、本実施例では、プルアップ付きの入力回路を示し
た。出力回路用の電源および接地配線7および8に接続
された負荷手段により、入力端子10がプルアップされ
ている。
【0023】ここで、内部回路とは、少なくとも、クロ
ック信号を発生する回路,クロック信号ドライバ,クロ
ック信号により動作する回路を含み、出力端子を駆動す
るトランジスタ,入力端子をプルアップ/プルダウンす
るトランジスタなど、端子のDCレベルをIC側から供
給する手段を含まない範囲の回路を言う。また、出力回
路とは、逆に、出力端子を駆動するトランジスタ,入力
端子をプルアップ/プルダウンするトランジスタなど、
端子のDCレベルをIC側から供給する手段を含み、ク
ロック信号を発生する回路,クロック信号ドライバ,ク
ロック信号により動作する回路を含まない範囲の回路を
言う。
【0024】次に、これら構成における作用について簡
単に説明する。
【0025】デジタル回路からは、前述したように、ク
ロック信号に代表される周期波とデータや各種リクエス
ト信号のような周波数の一定しない孤立波形に近いパル
スとが混在している。この中で、前者の周期波は強い高
調波を放射する。したがって、この周期波の信号を扱う
割合が大きい回路を内部回路として1まとめにし、入力
端子をプルアップまたはプルダウンする負荷手段と出力
端子を駆動する駆動手段とを含む出力回路の電源系と別
にすることにより、内部回路で発生した高調波ノイズ
は、出力端子だけでなくプルアップまたはプルダウンさ
れた入力端子からもIC外部へ放射されることなく、内
部回路の電源系からのみの放射に制限できる。
【0026】図2は、本実施例の半導体装置における2
種類の電源系間の信号授受の1例を示す回路図である。
【0027】図2を参照すると、内部回路の電源系VD
D1およびGND1と出力回路の電源系VDD2および
GND2との間の信号配線手段は、同一の電源または接
地配線を対極とするPN接合をもつ拡散層またはトラン
ジスタのゲート電極に接続されている。したがって、こ
れら2種類の電源系間の信号授受はゲート電極への入力
のみを介して行われる。これは、たとえば、トランスフ
ァゲートを用いた場合、2つの電源系間に電位差が発生
したとき、トランスファゲートのソース,ドレインとウ
ェルとのPN接合を順方向バイアスすることになり、結
果として、ラッチアップに至る可能性があるためであ
る。
【0028】図3は、本実施例の半導体装置における静
電破壊保護対策の1例を示す回路図である。
【0029】図3を参照すると、出力回路の電源端子3
または接地端子4に1端を共通に接続する静電破壊保護
素子P1〜P8からなり、静電破壊保護素子P5〜P6
の他端は入力端子10に接続され、静電破壊保護素子P
7〜P8の他端は出力端子9に接続されている。同時
に、静電破壊保護素子P1〜P2およびP3〜P4の他
端は、内部回路の電源端子1および接地端子2に接続さ
れ、電源系を分けたことによる静電破壊耐圧およびラッ
チアップ耐量の低下を防止している。これら静電破壊保
護素子P1〜P8として、一般に、PおよびNチャネル
トランジスタが用いられている。
【0030】図4は、本実施例の半導体装置のボード実
装例を示すブロック図である。
【0031】図4を参照すると、内部回路に接続された
電源端子1および接地端子2と外部電源VDDおよび外
部接地GNDとの間にローパスフィルタ素子Z1および
Z2を挿入し、出力回路に接続された電源端子3および
接地端子4と外部電源VDDおよび外部接地GNDとの
間を直結して用いられている。
【0032】出力回路に接続された電源端子3および接
地端子4は、出力数およびドライブ電流の増減が激しい
ため、外部電源との間にローパスフィルタ素子を挿入で
きない。しかし、内部回路に接続された電源端子1およ
び接地端子2は、大きく変化しない。唯一変化するの
は、HALTまたはスタンバイ状態であるが、これは動
作停止中であり実用上の問題は生じない。このとき、ボ
ードの電源VDDと接地GNDとの間にバイパスコンデ
ンサがあると一層効果がある。
【0033】図5は、本発明の半導体装置の第2の実施
例を示す配置図である。
【0034】図5を参照すると、本実施例の半導体装置
は、図1のチップ内の電源および接地配線に、アナログ
回路の電源および接地配線を加え、次の2組に分けて構
成されている。
【0035】一方は、内部回路用の電源端子21とその
配線25,内部回路用の接地端子22とその配線26か
ら構成され、もう一方は、入力端子をプルアップまたは
プルダウンする負荷手段と出力端子を駆動する駆動手段
とを含む出力回路用の電源端子23とその配線27およ
びアナログ回路用の電源配線33,出力回路用の接地端
子24とその配線28およびアナログ回路用の接地配線
34から構成されている。また、アナログ回路用の電源
配線33および接地配線34は、出力回路用の電源端子
23および接地端子24にそれぞれ接続されている。
【0036】端子29は、出力回路用の電源および接地
配線27および28に接続された出力回路の出力端子で
ある。
【0037】端子30は、内部回路用の電源および接地
配線25および26に接続された入力回路の入力端子で
あり、本実施例では、プルアップ付きの入力回路を示し
た。出力回路用の電源および接地配線27および28に
接続された負荷手段により、入力端子30がプルアップ
されている。
【0038】アナログ回路は、出力回路がスイッチング
するとき発生するノイズはおろか、内部回路の動作にも
影響を受け易い。通常は、それ自体独立した別電源系を
採用している。ところが、本実施例のように、電源系が
既に複数存在する場合、さらに別に必要となるとICの
端子数をそれだけ制限し、ICの実使用範囲まで制限し
かねない状況となる。このため、たとえば、特開平1−
177630号公報(図示せず)に示されているよう
に、アナログ動作中のI/O機能を停止する使い方によ
り、アナログ回路は内部回路の動作にも影響を受けず、
新たな電源系の端子も増えない。
【0039】図6は、本発明の半導体装置の第3の実施
例を示す配置図である。
【0040】図6を参照すると、本実施例の半導体装置
は、図1の内部回路から入力端子の信号を入力する入力
回路を分離し、入力回路の電源および接地配線を内部回
路および出力回路の電源および接地配線から分離し、チ
ップ内の電源および接地配線を次の2組に分けて構成し
ている。
【0041】一方は、内部回路用の電源端子41とその
配線45,内部回路用の接地端子42とその配線46か
ら構成され、もう一方は、入力端子をプルアップまたは
プルダウンする負荷手段と出力端子を駆動する駆動手段
とを含む出力回路用の電源端子43とその配線47およ
び入力回路用電源配線37,出力回路用の接地端子44
とその配線48および入力回路用接地配線38から構成
されている。また、入力回路用電源配線37および接地
配線38は、出力回路用の電源端子43および接地端子
44にそれぞれ接続されている。
【0042】端子49は、出力回路用の電源および接地
配線47および48に接続された出力回路の出力端子で
ある。
【0043】端子50は、内部回路用の電源および接地
配線45および46に接続された入力回路の入力端子で
あり、本実施例では、プルアップ付きの入力回路を示し
た。出力回路用の電源および接地配線47および48に
接続された負荷手段により、入力端子50がプルアップ
されている。
【0044】前述したように、周期スペクトルを発生す
るのは、クロック系を含む内部回路であり、その発生原
因は電源電流の変化にある。使用上の問題が無い限り、
IC内のゲート回路の負荷は変わらないため、電源電圧
を下げると電源電流の変化は緩やかな方向になり、スペ
クトルノイズが減る結果になる。このとき、IC全体の
電源電圧を下げるとIC外部とのインタフェースの問題
が生じる。
【0045】たとえば、内部回路用の電源電圧のみを下
げると、とりあえず致命的なインタフェースの問題は生
じない。しかし、このとき、入力回路が内部回路の電源
に接続されていると、入力レベルが変化するためインタ
フェース規格を変更する必要がある。また、入力回路が
出力回路の電源に接続されていると、特開昭61−26
4747号公報で示されているように、出力トランジス
タのスイッチングノイズにより入力レベル変動が生じ
る。
【0046】したがって、入力回路の電源配線を出力回
路の電源配線と分け、電源端子のみを共有することによ
り出力回路の電源配線の配線抵抗分の影響から逃れら
れ、さらに、端子を入力回路用と出力回路用とに分けケ
ース側でまとめることにより、ボンディングワイヤのイ
ンピーダンスによる影響も減じることができる。
【0047】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による半導
体装置は、周期パルス信号を扱う割合が大きい回路を内
部回路として1まとめにし、入力端子をプルアップまた
はプルダウンする負荷手段と出力端子を駆動する駆動手
段とを含む出力回路の電源系と別にすることにより、内
部回路で発生した高調波ノイズは、出力端子だけでなく
プルアップまたはプルダウンされた入力端子からもIC
外部へ放射されなくなるため、内部回路の電源系からの
みの放射に制限でき、半導体装置から電磁放射される周
期スペクトル高調波を低減できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体装置の第1の実施例を示す配置
図である。
【図2】図1の半導体装置における2種類の電源系間の
信号授受の1例を示す回路図である。
【図3】図1の半導体装置における静電破壊保護対策の
1例を示す回路図である。
【図4】図1の半導体装置のボード実装例を示すブロッ
ク図である。
【図5】本発明の半導体装置の第2の実施例を示す配置
図である。
【図6】本発明の半導体装置の第3の実施例を示す配置
図である。
【図7】従来の半導体装置の1例を示す配置図である。
【図8】周期パルス信号により動作するCMOSデジタ
ル回路の電源電流の波形を示す波形図である。
【符号の説明】
1,11,21,41 内部回路用の電源端子 2,12,22,42 内部回路用の接地端子 3,13,23,33 出力回路用の電源端子 4,14,24,44 出力回路用の接地端子 5,15,25,45 内部回路用の電源配線 6,16,26,46 内部回路用の接地配線 7,17,27,47 出力回路用の電源配線 8,18,28,48 出力回路用の接地配線 9,19,29,49 出力端子 10,20,30,50 入力端子 33 アナログ回路電源配線 34 アナログ回路接地配線 37 入力回路電源配線 38 入力回路接地配線 P1〜P8 静電破壊保護素子 I 入力回路 O 出力回路 Z1〜Z2 ローパスフィルタ素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ▲高▼山 茂 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 松浦 佳弘 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 永石 初弘 神奈川県川崎市中原区小杉町一丁目403番 53 日本電気アイシーマイコンシステム株 式会社内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 周期パルス信号を発生または出力する回
    路と前記周期パルス信号により動作する回路とを内部回
    路に有する半導体装置において、 入力端子をプルアップまたはプルダウンする負荷手段と
    出力端子を駆動する駆動手段とを含む出力回路および前
    記内部回路が、別々の電源および接地配線ならびに電源
    および接地端子をそれぞれ持つことを特徴とする半導体
    装置。
  2. 【請求項2】 互いに異なる電源および接地配線をもつ
    前記内部回路と前記出力回路との間の信号配線手段が、
    同一の電源または接地配線を対極とするPN接合をもつ
    拡散層またはトランジスタのゲート電極に接続される請
    求項1記載の半導体装置。
  3. 【請求項3】 前記入力および出力端子と前記出力回路
    の電源および接地配線との間に静電破壊保護素子を接続
    すると共に、前記内部回路に接続された電源および接地
    端子と前記出力回路の電源および接地配線との間にも静
    電破壊保護素子を接続する請求項1または2記載の半導
    体装置。
  4. 【請求項4】 前記内部回路に接続された電源および接
    地端子と外部電源および外部接地との間にローパスフィ
    ルタ素子を挿入し、前記出力回路に接続された電源およ
    び接地端子と外部電源および外部接地との間を直結して
    用いられる請求項1記載の半導体装置。
  5. 【請求項5】 内蔵アナログ回路に接続された電源およ
    び接地配線を前記出力回路の電源および接地端子に接続
    する請求項1記載の半導体装置。
  6. 【請求項6】 前記入力端子の信号を入力する入力回路
    の電源および接地配線を前記内部回路および前記出力回
    路の電源および接地配線から分離し、前記出力回路の電
    源および接地端子に接続する請求項1記載の半導体装
    置。
JP7155824A 1995-06-22 1995-06-22 半導体装置 Expired - Lifetime JP2834034B2 (ja)

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JP7155824A JP2834034B2 (ja) 1995-06-22 1995-06-22 半導体装置
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US08/658,411 US5708372A (en) 1995-06-22 1996-06-05 Semiconductor device with electromagnetic radiation reduced
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