JPS59169166A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS59169166A
JPS59169166A JP4218683A JP4218683A JPS59169166A JP S59169166 A JPS59169166 A JP S59169166A JP 4218683 A JP4218683 A JP 4218683A JP 4218683 A JP4218683 A JP 4218683A JP S59169166 A JPS59169166 A JP S59169166A
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JP
Japan
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circuit
input
internal
circuits
semiconductor device
Prior art date
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Pending
Application number
JP4218683A
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English (en)
Inventor
Kanji Yo
陽 完治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS59169166A publication Critical patent/JPS59169166A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/118Masterslice integrated circuits

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  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はゲートアレイ等の半導体装置に関し、特に電線
ラインに改良を施した半導体装置に関するものである。
〔背景技術〕
CMOSゲートアンイに関し本発明者はこれまでに種々
の構成のものを開発しているが、第1図に示すゲートア
レイもその中の一つである。すなわち、このゲートアレ
イ1はチップ2の中央部分に多数の基本セルからなる内
部回路3を設ける一方、その周囲には入力回路4と出力
回路5を夫々設けた複数個のI10バッファ6を設け、
更にその外側に電極パッド7を配列したものであり、チ
ップ2表面に形成したアルミ配線に所望の回路を構成し
ている。
ところで、このゲートアレイ1では、これまでGNDバ
ッド8に接続した電源ライン9を1本だけ設け、この電
源ライン9に前記内部回路3や■10バッファ60入力
回路4.出力回路5を一体的に接続した構成にしている
。このため、出力回路5が複数個同時にON作動したと
きに生じるノイズが前記電源ライン9にのってそのまま
入力回路4や内部回路3に伝えられ、これがGNDレベ
ルを押し上げて入力回路のレベル不良を生じる等。
入力特性更には内部特性に悪影響を与えることがある。
したがって、この種の基本的に非同期であるゲートアレ
イでは同時にON作動し得る出力回路数に制限を設けね
ばならず1回路設計の自由度が低下されると共に機能低
下を余儀なくされるという問題点が生ずるということが
本発明者によってあきらかとされた。
〔発明の目的〕
本発明の目的は出力回路の複数個同時ON作動によって
も入力回路のレベル不良を生じることはなく、入力特性
や内部特性を良好に維持することができる半導体装置を
提供することにある。  −また本発明の目的は出力回
路の複数個同時ON作動を可能にすることによって設計
の自由度及び機能の向上を図ることができる半導体装置
を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
〔発明の概要〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれは、下記のとおりである。
すなわち、電源ラインを出方回路用と、入力。
内部回路用に2本設け、両回路の間に緩和回路を介装す
ることにより、出方回路が複数個同時ON作動したとき
のノイズを緩和回路で緩和して入力。
内部回路におけるレベルの増大を防止し、これにより入
力、内部特性の向上や半導体装置の設計自由度の向上を
達成するものである。
〔実施例〕
第2図は本発明の一実施例のゲートアレイ1゜を示し、
略正方形のチップ11の中央部には極めて多数個の基本
セルを有する内部回路12を構成し℃いる。この内部回
路12の周囲には複数個のI10バッファ13を配列し
、かつ■10バッファ13の外周には複数個の電極パッ
ド14を配列している。また、前記I10バッファ13
は第3図に概略図を示すように、夫々入力回路15と出
力回路16を内蔵している。そして、前記内部回路12
はもとよりこのI10バッファ13の上層に適宜の配線
を施すことにより所望の回路を構成でき、特にI10バ
ッファ13はこれを入力あるいは出力の任意に構成でき
る。
前記配線の中、とりわげ電源ライン17は、第2図に示
すようにI10バッファ13上に延在されるようにチッ
プ110周辺部に施され、選択された電極バンド、例え
ばGNDパッド18に接続されるが5本例では前記電源
ラインを夫々独立した(絶縁された)2本の電源ライン
19.20で構成し、これらをチップ11の周辺部に互
に平行に配列すると共妊、中1本の電源ライン19を前
記GNDバッド18に接続し℃いる。そして、この電源
ライン19には各I10バッファ13の出力回路16の
みを接続し、入力回路15と内部回路12は他の電源ラ
イン20に接続している。その上で、前記各電源ライン
19.20は抵抗21を介して相互に接続している。こ
の抵抗21はMOSで構成してもよく、また拡散抵抗や
ウェル抵抗で構成してもよいが、この抵抗21によって
生ずる電圧降下が所定の規格に対して十分lJ・さくな
るようにその値を設定する。一方、前記他方の電源ライ
ン20とテップ基板との間には浮遊容量によるキャパシ
タ22が構成され、このキャパシタ22と前記抵抗21
とで積分回路が形成される。
そして、この積分回路は緩和回路23として前記電源ラ
イン19.20間に介装される。前記キャパシタ22は
常法によりキャパシタを形成し又もよいが、前述の浮遊
容量でも100〜500PFありこれでも充分である。
なお、前記抵抗21やキャパシタ22はチップ11の隅
の余白部に設ければよい。
以上の構成によれば、I10バッファ13の各出力回路
16を複数個同時にON作動させたときに生じるノイズ
がGNDバッド18、即ち一方ノ電源ライン19に生じ
てそのレベルがピーク的に上昇しても、他方の電源ライ
ン20には緩和回路23における積分作用若しくは抵抗
21による電圧降下作用が働き、一方の電源ライン19
の上昇レベルがそのまま伝達されることはない。したが
って、電源ライン20にはノイズに併な5ピーク的な電
圧上昇は全く生ぜず、このライン20に接続された入力
回路15や内部回路12に悪影響を与えることはない。
これにより、出力回路16が複数個同時にON作動して
もチップの機能が低下されることはなく、その信頼性も
失われない。また。
緩和回路23における緩和作用が有効な範囲で同時にO
N作動し得る出力回路数を増加することができるので5
回路設計の自由度を向上しかつチップの全体機能を向上
させることもできる。
〔効果〕
(11電源ラインを2本独立して設け、1本を出力回路
用に、他1本を入力、内部回路用にした上で両者を緩和
回路にて接続しているので、出力回路が複数個同時にO
N作動してピーク的な電圧上昇が生じても、この電圧上
昇を緩和回路が緩和して入力、内部回路への伝達を防止
するので、入力。
内部回路におけるレベルの増大を防止してこれらへの悪
影響を防止することができる。
(2)出力回路が複数個同時にON作動しても入力。
内部回路に悪影響をおよぼすことがないので、出力回路
の同時ON作動数に制限を設ける必要はなく、回路設計
の自由度を高めることができる。
(3)入力、内部回路におけるレベルの増大を防止して
これらへの悪影響を防止できるので、入力特性や内部特
性を良好に維持でき、ゲートアレイ全体機能の向上を達
成する。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、抵抗の配設
位置等は適宜に設計できる。
〔利用分野〕
以上や説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるゲートアレイに適用
した場合について説明したが、それに限定されるもので
はなく入力、出力等の回路を複数個備える半導体装置一
般に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は先に実施しているゲートアレイの模式第2図は
本発明のゲートアレイの平面図。 第3図は一部の拡大図である。 10・・・ゲートアレイ、11・・・チップ、12 内
部回路、13・・・工10バッファ、14・・・電極バ
ンド、15・・・入力回路、16・・・出力回路、17
−・・電源ライン、18・・・GNDパッド、19・・
・出力回路用電源ライン、20・・・入力回路用電源ラ
イン、21・・・抵抗、22・・キャパシタ、23・・
・緩和回路。 第  1  図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、複数個の出力回路と、入力回路、内部回路とを1チ
    ツプ上に形成してなるゲートアレイ等の半導体装置にお
    いて、電源ラインに前記出力回路用のものと、前記入力
    、内部回路用のものとを夫々独立して設け、かつこれら
    の各電源ラインを緩和回路にて接続したことを特徴とす
    る半導体装置。 2、緩和回路は両電源ライン間に接続した抵抗を備えて
    なる特許請求の範囲第1項記載の半導体装置。 3、緩和回路は両電源ライン間に接続した抵抗と。 一方の電源ラインと半導体基板との間に構成されたキャ
    パシタとで積分回路を構成してなる特許請求の範囲第1
    項又は第2項記載の半導体装置。 4、出力回路用の電源ラインを外部接続用のバンドに接
    続し℃なる特許請求の範囲第1項ないし第3項のいずれ
    かに記載の半導体装置。
JP4218683A 1983-03-16 1983-03-16 半導体装置 Pending JPS59169166A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4914503A (en) * 1986-08-12 1990-04-03 Fujitsu Limited Semiconductor device
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