JPH0637131A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体集積回路装置において、ワイヤボンデ
ィングの安定性を向上させ、ワイヤ接続の信頼性を向上
させ、インナーリードの本数を増大させる。 【構成】 半導体集積回路装置において、インナーリー
ド3の先端と半導体チップ1とを接着により固定する絶
縁フィルム4を用いたパッケージを備えた構造とした。
ィングの安定性を向上させ、ワイヤ接続の信頼性を向上
させ、インナーリードの本数を増大させる。 【構成】 半導体集積回路装置において、インナーリー
ド3の先端と半導体チップ1とを接着により固定する絶
縁フィルム4を用いたパッケージを備えた構造とした。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路装置に関
し、特に、たとえばQFP(Quad Flat Package) などの
パッケージを備えた半導体集積回路装置に適用して有効
な技術に関する。
し、特に、たとえばQFP(Quad Flat Package) などの
パッケージを備えた半導体集積回路装置に適用して有効
な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】この種の半導体集積回路装置としては、
たとえば図5に示すようなものが考えられる。
たとえば図5に示すようなものが考えられる。
【0003】すなわち、この半導体集積回路装置は、Q
FPで封止されるリードフレーム10のダイパッド9に
半導体チップ1を搭載し、その千鳥状のボンディングパ
ッド2に対応させてインナーリード3aの先端を千鳥状
に配置し、外側のボンディングパッド2に接続されるワ
イヤ5と、内側のボンディングパッド2に接続されるワ
イヤ5との間で、ボンディングパッド2の直上のワイヤ
高さ、あるいはループ形状を変えた構造となっている。
FPで封止されるリードフレーム10のダイパッド9に
半導体チップ1を搭載し、その千鳥状のボンディングパ
ッド2に対応させてインナーリード3aの先端を千鳥状
に配置し、外側のボンディングパッド2に接続されるワ
イヤ5と、内側のボンディングパッド2に接続されるワ
イヤ5との間で、ボンディングパッド2の直上のワイヤ
高さ、あるいはループ形状を変えた構造となっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記した従来
の半導体集積回路装置では、インナーリードの先端が細
く、かつ千鳥状に配置されているので、隣接するインナ
ーリードの長さが交互に異なり、長リードの押さえが不
充分となる。このため、ワイヤボンディングが不安定と
なり、ワイヤ接続の信頼性が低下するという問題があっ
た。
の半導体集積回路装置では、インナーリードの先端が細
く、かつ千鳥状に配置されているので、隣接するインナ
ーリードの長さが交互に異なり、長リードの押さえが不
充分となる。このため、ワイヤボンディングが不安定と
なり、ワイヤ接続の信頼性が低下するという問題があっ
た。
【0005】また、現在、使用されているリードフレー
ム材では、プレスあるいはエッチングの加工寸法に限界
があり、インナーリードの本数を増大させることが困難
であるという問題があった。
ム材では、プレスあるいはエッチングの加工寸法に限界
があり、インナーリードの本数を増大させることが困難
であるという問題があった。
【0006】本発明の目的は、ワイヤボンディングの安
定性を向上させ、ワイヤ接続の信頼性を向上させること
のできる半導体集積回路装置を提供することにある。
定性を向上させ、ワイヤ接続の信頼性を向上させること
のできる半導体集積回路装置を提供することにある。
【0007】本発明の他の目的は、インナーリードの本
数を増大させることのできる半導体集積回路装置を提供
することにある。
数を増大させることのできる半導体集積回路装置を提供
することにある。
【0008】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0009】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なもの概要を簡単に説明すれば、以
下の通りである。
発明のうち、代表的なもの概要を簡単に説明すれば、以
下の通りである。
【0010】本発明の半導体集積回路装置は、インナー
リードの先端と半導体チップとを接着により固定する絶
縁フィルムまたは絶縁基板を用いたパッケージを備えた
構造としたものである。
リードの先端と半導体チップとを接着により固定する絶
縁フィルムまたは絶縁基板を用いたパッケージを備えた
構造としたものである。
【0011】この場合、前記絶縁フィルム上または絶縁
基板上にエッチング加工または印刷により形成されるリ
ード配線パターンを設けた構造とすることができる。
基板上にエッチング加工または印刷により形成されるリ
ード配線パターンを設けた構造とすることができる。
【0012】また、この場合、前記リード配線パターン
の内端と半導体チップのボンディングパッドおよびリー
ド配線パターンの外端とインナーリードの先端をそれぞ
れワイヤでボンディングした構造とすることができる。
の内端と半導体チップのボンディングパッドおよびリー
ド配線パターンの外端とインナーリードの先端をそれぞ
れワイヤでボンディングした構造とすることができる。
【0013】
【作用】本発明の半導体集積回路装置によれば、インナ
ーリードの先端と半導体チップとを接着により固定する
絶縁フィルムまたは絶縁基板を用いたパッケージを備え
た構造としたので、インナーリードの先端が千鳥状に配
置され、リード長さが交互に異なり、かつリード先端が
細くても、インナーリードを安定に押さえることができ
る。
ーリードの先端と半導体チップとを接着により固定する
絶縁フィルムまたは絶縁基板を用いたパッケージを備え
た構造としたので、インナーリードの先端が千鳥状に配
置され、リード長さが交互に異なり、かつリード先端が
細くても、インナーリードを安定に押さえることができ
る。
【0014】したがって、ワイヤボンディングの安定性
を向上させ、ワイヤ接続の信頼性を向上させることがで
きる。
を向上させ、ワイヤ接続の信頼性を向上させることがで
きる。
【0015】この場合、前記絶縁フィルムまたは絶縁基
板上にエッチング加工または印刷により形成されるリー
ド配線パターンを設けた構造としたので、ワイヤの長さ
を短くし、コストの低廉化を図ることができる。
板上にエッチング加工または印刷により形成されるリー
ド配線パターンを設けた構造としたので、ワイヤの長さ
を短くし、コストの低廉化を図ることができる。
【0016】また、エッチング加工によりリード配線パ
ターンを微細ピッチに形成できるので、インナーリード
の本数を増大させることができる。
ターンを微細ピッチに形成できるので、インナーリード
の本数を増大させることができる。
【0017】また、この場合、前記リード配線パターン
の内端と半導体チップのボンディングパッドおよびリー
ド配線パターンの外端とインナーリードの先端とをそれ
ぞれワイヤでボンディングした構造としたので、インナ
ーリードのピッチに規制されず、標準化させることがで
きる。
の内端と半導体チップのボンディングパッドおよびリー
ド配線パターンの外端とインナーリードの先端とをそれ
ぞれワイヤでボンディングした構造としたので、インナ
ーリードのピッチに規制されず、標準化させることがで
きる。
【0018】
【実施例1】図1は本発明の実施例1である半導体集積
回路装置を示す平面図である。
回路装置を示す平面図である。
【0019】本実施例1における半導体集積回路装置は
QFPを備え、このQFPの製造に絶縁フィルム4を用
い、この絶縁フィルム4上には、千鳥状に配置されたイ
ンナーリード3の先端と半導体チップ1とを接着剤を介
して固定したものである。
QFPを備え、このQFPの製造に絶縁フィルム4を用
い、この絶縁フィルム4上には、千鳥状に配置されたイ
ンナーリード3の先端と半導体チップ1とを接着剤を介
して固定したものである。
【0020】前記インナーリード3はプレスあるいはエ
ッチングにより形成されるもので、インナーリード3の
先端はリード長さを交互に変えて千鳥形状となってい
る。
ッチングにより形成されるもので、インナーリード3の
先端はリード長さを交互に変えて千鳥形状となってい
る。
【0021】前記半導体チップ1はゲートアレイなどの
論理LSIを形成したシリコン単結晶からなり、この半
導体チップ1の主面には、周辺に沿ってボンディングパ
ッド2が千鳥状に配置されている。
論理LSIを形成したシリコン単結晶からなり、この半
導体チップ1の主面には、周辺に沿ってボンディングパ
ッド2が千鳥状に配置されている。
【0022】絶縁フィルム4上に接着により固定した千
鳥状のインナーリード3の先端と半導体チップ1の千鳥
状のボンディングパッド2とはAuなどのワイヤ5でボ
ンディングされている。
鳥状のインナーリード3の先端と半導体チップ1の千鳥
状のボンディングパッド2とはAuなどのワイヤ5でボ
ンディングされている。
【0023】次に、本実施例1の作用について説明す
る。
る。
【0024】QFPを備えた半導体集積回路装置を製造
する場合、まず、絶縁フィルム4を用い、この絶縁フィ
ルム4上に半導体チップ1と千鳥状のインナーリード3
の先端とを接着剤を介して固定する。
する場合、まず、絶縁フィルム4を用い、この絶縁フィ
ルム4上に半導体チップ1と千鳥状のインナーリード3
の先端とを接着剤を介して固定する。
【0025】次いで、絶縁フィルム4の上に固定した千
鳥状のインナーリード3の先端と、半導体チップ1の千
鳥状のボンディングパッド2とをワイヤ5でボンディン
グする。
鳥状のインナーリード3の先端と、半導体チップ1の千
鳥状のボンディングパッド2とをワイヤ5でボンディン
グする。
【0026】最後に、エポキシ系樹脂製のQFPで封止
する。
する。
【0027】このように、QFPの製造に絶縁フィルム
4を用い、この絶縁フィルム4にインナーリード3の先
端と半導体チップ1とを接着により固定した構造とした
ので、インナーリード3の先端が千鳥状に配置され、イ
ンナーリード3の長さが交互に異なり、かつリード先端
が細くても、インナーリード3を安定に押さえることが
できる。
4を用い、この絶縁フィルム4にインナーリード3の先
端と半導体チップ1とを接着により固定した構造とした
ので、インナーリード3の先端が千鳥状に配置され、イ
ンナーリード3の長さが交互に異なり、かつリード先端
が細くても、インナーリード3を安定に押さえることが
できる。
【0028】したがって、ワイヤボンディングの安定性
を向上させ、ワイヤ接続の信頼性を向上させることがで
きる。
を向上させ、ワイヤ接続の信頼性を向上させることがで
きる。
【0029】
【実施例2】図2は本発明の実施例2である半導体集積
回路装置を示す平面図である。
回路装置を示す平面図である。
【0030】本実施例2における半導体集積回路装置
は、前記実施例1とほぼ同様の構成を有するが、メタル
付きポリミイドテープ6を用い、そのメタルをエッチン
グ加工することによりリード配線パターン7を形成し、
このリード配線パターン7の内端と半導体チップ1のボ
ンディングパッド2とをワイヤ5でボンディングし、リ
ード配線パターン7の外端とインナーリード3の先端を
直接電気的に接続した構造としたものである。
は、前記実施例1とほぼ同様の構成を有するが、メタル
付きポリミイドテープ6を用い、そのメタルをエッチン
グ加工することによりリード配線パターン7を形成し、
このリード配線パターン7の内端と半導体チップ1のボ
ンディングパッド2とをワイヤ5でボンディングし、リ
ード配線パターン7の外端とインナーリード3の先端を
直接電気的に接続した構造としたものである。
【0031】本実施例2の作用効果については、前記実
施例1の作用効果に加えて、ワイヤ5の長さを短くし、
コストの低廉化を図ることができる。
施例1の作用効果に加えて、ワイヤ5の長さを短くし、
コストの低廉化を図ることができる。
【0032】また、エッチング加工によりリード配線パ
ターン7を微細ピッチに形成できるので、インナーリー
ド3の本数を加工寸法の限界まで増大させることができ
る。
ターン7を微細ピッチに形成できるので、インナーリー
ド3の本数を加工寸法の限界まで増大させることができ
る。
【0033】
【実施例3】図3は本発明の実施例3である半導体集積
回路装置を示す平面図である。
回路装置を示す平面図である。
【0034】本実施例3における半導体集積回路装置
は、前記実施例2とほぼ同様の構成を有するが、リード
配線パターン7の先端8を平行に整列させ、このリード
配線パターン7の先端8と半導体チップ1のボンディン
グパッド2とをボンディングするワイヤ5を平行に整列
させた構造としたものである。
は、前記実施例2とほぼ同様の構成を有するが、リード
配線パターン7の先端8を平行に整列させ、このリード
配線パターン7の先端8と半導体チップ1のボンディン
グパッド2とをボンディングするワイヤ5を平行に整列
させた構造としたものである。
【0035】本実施例3の作用効果については、前記実
施例2の作用効果に加えて、ワイヤ5のクロスをなく
し、認識カメラによる検査判別を容易に行うことができ
る。
施例2の作用効果に加えて、ワイヤ5のクロスをなく
し、認識カメラによる検査判別を容易に行うことができ
る。
【0036】
【実施例4】図4は本発明の実施例4である半導体集積
回路装置を示す平面図である。
回路装置を示す平面図である。
【0037】本実施例4における半導体集積回路装置
は、前記実施例3とほぼ同様の構成を有するが、リード
配線パターン7の内端と半導体チップ1のボンディング
パッド2およびリード配線パターン7の外端とインナー
リード3の先端をそれぞれワイヤ5でボンディングした
構造としたものである。
は、前記実施例3とほぼ同様の構成を有するが、リード
配線パターン7の内端と半導体チップ1のボンディング
パッド2およびリード配線パターン7の外端とインナー
リード3の先端をそれぞれワイヤ5でボンディングした
構造としたものである。
【0038】本実施例4の作用効果については、前記実
施例3の作用効果に加えて、リード配線パターン7の外
端とインナーリード3の先端とをワイヤ5でボンディン
グした構造としたので、インナーリード3のピッチに規
制されず、標準化させることができる。
施例3の作用効果に加えて、リード配線パターン7の外
端とインナーリード3の先端とをワイヤ5でボンディン
グした構造としたので、インナーリード3のピッチに規
制されず、標準化させることができる。
【0039】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0040】たとえば、前記実施例では、絶縁フィルム
に半導体チップとインナーリードとを接着により固定し
た場合について説明したが、これに限らず、セラミック
などの絶縁基板に半導体チップとインナーリードとを接
着により固定することもできる。
に半導体チップとインナーリードとを接着により固定し
た場合について説明したが、これに限らず、セラミック
などの絶縁基板に半導体チップとインナーリードとを接
着により固定することもできる。
【0041】以上の説明では、主として本発明者によっ
てなされた発明をその背景となった利用分野であるQF
Pを備えた半導体集積回路装置で説明したが、DIP(D
ualInline Package) あるいはPLCC(Plastic Leaded
Chip Carrier) を備えた半導体集積回路装置にも適用
できる。
てなされた発明をその背景となった利用分野であるQF
Pを備えた半導体集積回路装置で説明したが、DIP(D
ualInline Package) あるいはPLCC(Plastic Leaded
Chip Carrier) を備えた半導体集積回路装置にも適用
できる。
【0042】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【0043】(1).インナーリードの先端と半導体チップ
とを接着により固定する絶縁フィルムまたは絶縁基板を
用いたパッケージを備えた構造としたので、インナーリ
ードの先端が千鳥状に配置され、リード長さが交互に異
なり、かつリード先端が細くても、インナーリードを安
定に押さえることができる。
とを接着により固定する絶縁フィルムまたは絶縁基板を
用いたパッケージを備えた構造としたので、インナーリ
ードの先端が千鳥状に配置され、リード長さが交互に異
なり、かつリード先端が細くても、インナーリードを安
定に押さえることができる。
【0044】(2).前記(1) の効果により、ワイヤボンデ
ィングの安定性を向上させ、ワイヤ接続の信頼性を向上
させることができる。
ィングの安定性を向上させ、ワイヤ接続の信頼性を向上
させることができる。
【0045】(3).前記(1) の場合、絶縁フィルムまたは
絶縁基板上にエッチング加工または印刷により形成され
るリード配線パターンを設けた構造としたので、ワイヤ
の長さを短くし、コストの低廉化を図ることができる。
絶縁基板上にエッチング加工または印刷により形成され
るリード配線パターンを設けた構造としたので、ワイヤ
の長さを短くし、コストの低廉化を図ることができる。
【0046】(4).エッチング加工によりリード配線パタ
ーンを微細ピッチに形成できるので、インナーリードの
本数を加工寸法の限界まで増大させることができる。
ーンを微細ピッチに形成できるので、インナーリードの
本数を加工寸法の限界まで増大させることができる。
【0047】(5).前記(3) の場合、リード配線パターン
の内端と半導体チップのボンディングパッドおよびリー
ド配線パターンの外端とインナーリードの先端をそれぞ
れワイヤでボンディングした構造としたので、インナー
リードのピッチに規制されず、標準化させることができ
る。
の内端と半導体チップのボンディングパッドおよびリー
ド配線パターンの外端とインナーリードの先端をそれぞ
れワイヤでボンディングした構造としたので、インナー
リードのピッチに規制されず、標準化させることができ
る。
【図1】本発明の実施例1である半導体集積回路装置を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図2】本発明の実施例2である半導体集積回路装置を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図3】本発明の実施例3である半導体集積回路装置を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図4】本発明の実施例4である半導体集積回路装置を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図5】従来例である半導体集積回路装置を示す平面図
である。
である。
1 半導体チップ 2 ボンディングパッド 3 インナーリード 3a インナーリード 4 絶縁フィルム 5 ワイヤ 6 ポリミイドテープ 7 リード配線パターン 8 先端 9 ダイパッド 10 リードフレーム
フロントページの続き (72)発明者 一谷 昌弘 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 株 式会社日立製作所武蔵工場内 (72)発明者 鈴木 博通 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 株 式会社日立製作所武蔵工場内
Claims (3)
- 【請求項1】 インナーリードの先端と半導体チップと
を接着により固定する絶縁フィルムまたは絶縁基板を用
いたパッケージを備えたことを特徴とする半導体集積回
路装置。 - 【請求項2】 前記絶縁フィルム上または絶縁基板上に
エッチング加工または印刷により形成されるリード配線
パターンを設けたことを特徴とする請求項1記載の半導
体集積回路装置。 - 【請求項3】 前記リード配線パターンの内端と半導体
チップのボンディングパッドおよびリード配線パターン
の外端とインナーリードの先端をそれぞれワイヤでボン
ディングしたことを特徴とする請求項2記載の半導体集
積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4187854A JPH0637131A (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4187854A JPH0637131A (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0637131A true JPH0637131A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16213381
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4187854A Pending JPH0637131A (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0637131A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003105226A1 (ja) * | 2002-06-05 | 2003-12-18 | 株式会社 ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
US6949837B2 (en) * | 2002-06-26 | 2005-09-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Bonding pad arrangement method for semiconductor devices |
-
1992
- 1992-07-15 JP JP4187854A patent/JPH0637131A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003105226A1 (ja) * | 2002-06-05 | 2003-12-18 | 株式会社 ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
CN100377347C (zh) * | 2002-06-05 | 2008-03-26 | 株式会社瑞萨科技 | 半导体器件 |
US7482699B2 (en) | 2002-06-05 | 2009-01-27 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device |
KR100958400B1 (ko) * | 2002-06-05 | 2010-05-18 | 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지 | 반도체장치 |
US6949837B2 (en) * | 2002-06-26 | 2005-09-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Bonding pad arrangement method for semiconductor devices |
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