JPS60101958A - ダイオ−ド装置の製造方法 - Google Patents
ダイオ−ド装置の製造方法Info
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- JPS60101958A JPS60101958A JP21037283A JP21037283A JPS60101958A JP S60101958 A JPS60101958 A JP S60101958A JP 21037283 A JP21037283 A JP 21037283A JP 21037283 A JP21037283 A JP 21037283A JP S60101958 A JPS60101958 A JP S60101958A
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- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はダイオード装置の製造方法に関する。
ダイオード装置にたとえばダイオードブリッジ回路装置
を製作する場合、ダイオードチップ（以下単にチップと
呼ぶ。）の被数を、−リードの表に面に接着し、更に各
チップの表面に別のリードを接着する構成が考えられて
いる。これＫよればチップは立体的に配置されるように
なり、小型化が可能となる利点がイＩＪられる。
を製作する場合、ダイオードチップ（以下単にチップと
呼ぶ。）の被数を、−リードの表に面に接着し、更に各
チップの表面に別のリードを接着する構成が考えられて
いる。これＫよればチップは立体的に配置されるように
なり、小型化が可能となる利点がイＩＪられる。
しかしこのような構成によると、リードも互いに向かい
合うように重なり合うことが必要であるため、これをリ
ードフレームを用いて構成することは不可能である。す
なわちリードフレームは金属板を打抜いて形成されるも
のであるから、互いに重がり合うリードを備えるフレー
ムを形成することはできない。重力り合うリードを形成
しようとするためには、リードフレームとに別個のリー
ドを用厄し、これをＬ字型に屈曲し、その＝端をリード
フレーム内の、平面内で互いに向かい合うリードのうち
の一方にハンダ等で固定して立体的に延長させるように
し、その他端を、前記リードのうちの他方に向かい合わ
せるようにすればよい。
合うように重なり合うことが必要であるため、これをリ
ードフレームを用いて構成することは不可能である。す
なわちリードフレームは金属板を打抜いて形成されるも
のであるから、互いに重がり合うリードを備えるフレー
ムを形成することはできない。重力り合うリードを形成
しようとするためには、リードフレームとに別個のリー
ドを用厄し、これをＬ字型に屈曲し、その＝端をリード
フレーム内の、平面内で互いに向かい合うリードのうち
の一方にハンダ等で固定して立体的に延長させるように
し、その他端を、前記リードのうちの他方に向かい合わ
せるようにすればよい。
しかしこれではリードフレーム以外に他のリードを用意
する必要があり、のみならずこれをハンダ等で固定しな
ければならないため、製作が４永めて面倒となる。
する必要があり、のみならずこれをハンダ等で固定しな
ければならないため、製作が４永めて面倒となる。
この発明はリードフレームのみを用い、しかもハンダ等
による固定によるリードの延長をも必要とせずにチップ
の立体的な装着を可能にすることを目的とする。
による固定によるリードの延長をも必要とせずにチップ
の立体的な装着を可能にすることを目的とする。
この発明の実施例を図によって説明する。図示する実施
例はダイオードブリッジ回路を２９作する方法を示す。
例はダイオードブリッジ回路を２９作する方法を示す。
すなわち第１図のようにチップＤ１〜Ｄ４を用意し、チ
ップＤ１のカソードとチップＤ２のアノードとの接続箇
所及びチップＤ６０カソードとチップＤ４のアノードと
の接続筒Ｉヅ「とを交流入力端子ＡＩ 、 Ａ２とし、
又チップ１）１．Ｄ５の両アノードの接続箇所と、チッ
プＤ２．Ｄ４のカソードの接続箇所とを直流出力端子Ｂ
１，１３２とし、又流入力端子Ａ１．Ａ２間に交流電源
を接続−すれば、ｉ！〕流出力出力端子Ｂ１２間に直流
電圧が出力される。
ップＤ１のカソードとチップＤ２のアノードとの接続箇
所及びチップＤ６０カソードとチップＤ４のアノードと
の接続筒Ｉヅ「とを交流入力端子ＡＩ 、 Ａ２とし、
又チップ１）１．Ｄ５の両アノードの接続箇所と、チッ
プＤ２．Ｄ４のカソードの接続箇所とを直流出力端子Ｂ
１，１３２とし、又流入力端子Ａ１．Ａ２間に交流電源
を接続−すれば、ｉ！〕流出力出力端子Ｂ１２間に直流
電圧が出力される。
このようなダイオードブリッジはすでによく知られてい
る。
る。
第２図はこの発明によって製作された構成を示し、これ
は第６図乃至第５〕図から理解されるように横方向に広
がる平たＸ１部１Ａを治するリード１と、互いに平行し
、リード１とは反対側に引出されているリード２．３と
、平たＡ、部１Ａと互いに向かい自う平たＡ５部４Ｂを
有し、又リード１と平行するようにのびるリード４とに
よってリード構造が構成される。そしてリード２，６の
表面２Ａ、５Ａと同裏面２Ｂ、 ６ＢとにチップＤ１〜
Ｄ４が接着（たとえばグイボンディング）されている。
は第６図乃至第５〕図から理解されるように横方向に広
がる平たＸ１部１Ａを治するリード１と、互いに平行し
、リード１とは反対側に引出されているリード２．３と
、平たＡ、部１Ａと互いに向かい自う平たＡ５部４Ｂを
有し、又リード１と平行するようにのびるリード４とに
よってリード構造が構成される。そしてリード２，６の
表面２Ａ、５Ａと同裏面２Ｂ、 ６ＢとにチップＤ１〜
Ｄ４が接着（たとえばグイボンディング）されている。
これを史に詳細に説１明すると、第１図に示す回路との
関連において、リード２０表面２ＡにはチップＤ１を、
そのＰ型領域（カソード側）が表面２Ａに接続されるよ
うに接着し、裏面２ＢにはチップＤ２を、そのＮ型領域
（アノード側）が裏面２Ｂに接続されるように接着する
。又リード３の裏面５ＡにはチップＤ３を、そのＰ型領
域が表面３Ａに接続されるように接着し、裏面３Ｂには
チ′ツブＤ４を、そのＮ型領域が裏面６Ｂに接続される
ように接着する。そしてリード１の平たん部１Ａにリー
ド２，６の裏面２Ｂ、 ３Ｂが向かい合うように重ねて
、チップｎ２．ｎ４の各Ｐ型領域が平たん部１Ａ に接
続されるように、ノ・ンダ等で溶着する。又リード２，
３の表面２Ａ、 ３Ａに向かい合うようにリード４の平
たん部４Ａに正ね、チップＤ１．１）６の各Ｎ型領域が
接続されるようにノ・ンダ等で溶着する。そのあとエポ
キシ等の樹脂で封止してノ２ツケージ５とする。
関連において、リード２０表面２ＡにはチップＤ１を、
そのＰ型領域（カソード側）が表面２Ａに接続されるよ
うに接着し、裏面２ＢにはチップＤ２を、そのＮ型領域
（アノード側）が裏面２Ｂに接続されるように接着する
。又リード３の裏面５ＡにはチップＤ３を、そのＰ型領
域が表面３Ａに接続されるように接着し、裏面３Ｂには
チ′ツブＤ４を、そのＮ型領域が裏面６Ｂに接続される
ように接着する。そしてリード１の平たん部１Ａにリー
ド２，６の裏面２Ｂ、 ３Ｂが向かい合うように重ねて
、チップｎ２．ｎ４の各Ｐ型領域が平たん部１Ａ に接
続されるように、ノ・ンダ等で溶着する。又リード２，
３の表面２Ａ、 ３Ａに向かい合うようにリード４の平
たん部４Ａに正ね、チップＤ１．１）６の各Ｎ型領域が
接続されるようにノ・ンダ等で溶着する。そのあとエポ
キシ等の樹脂で封止してノ２ツケージ５とする。
このように構成した場合、リード２，６は交流入力端子
Ａｆ、 Ａ２に、又リード４を直流出力端子Ｂ１に、リ
ード１を直流出力端子Ｂ２として使用すれば、第１図に
示すような回路として使用できる。
Ａｆ、 Ａ２に、又リード４を直流出力端子Ｂ１に、リ
ード１を直流出力端子Ｂ２として使用すれば、第１図に
示すような回路として使用できる。
なおこの発明では前記した各チップの設＆関係のみを要
旨とするものではなく、他のダイオードの接続回路、た
とえばダイオードアレーにも適用できることは言うまで
もない。又チップとしてツェナダイオード、ダイアック
等のチップの使用゛蓮可能である。
旨とするものではなく、他のダイオードの接続回路、た
とえばダイオードアレーにも適用できることは言うまで
もない。又チップとしてツェナダイオード、ダイアック
等のチップの使用゛蓮可能である。
ところで上記した構成のダイオード回路ではリードが互
いに重なり合うようにしているので、一般のリードフレ
ームからではその製作が不可能である。このことは冒頭
にのべたとおりである。次に第６図以降の各図を用いて
この発明の製作方法を説明する。図において、１１は主
となるリードフレームで、平行するフレーム部１２．１
３及び両フレーム１２．１３間にまたがるフレーム部１
４ とにより構成される。そしてフレーム部１２ Ｋ連
続してリード１及び平たん部１Ａが設けである一方のフ
レーム部１５の側縁にこれと平行してフレーム部１５が
複数の細幅の連結部１６を介して連結されている。この
連結部１６はフレーム部１５を１リードフレーム１１
に対して重ねるように折りたたみ自在とするためである
。このフレーム部１５に連続してリード２，６が設けで
ある。他方のフレーム部１２の側縁に平行してフレーム
部１７が複数の細幅連結部１８を介して連結されている
。この連結部１８はフレーム部１７をリードフレーム１
１に対して折りたたみ自在とするためである。このフレ
ーム部１７に！Ｊ−ド４及び平たん部４Ａが設けである
。
いに重なり合うようにしているので、一般のリードフレ
ームからではその製作が不可能である。このことは冒頭
にのべたとおりである。次に第６図以降の各図を用いて
この発明の製作方法を説明する。図において、１１は主
となるリードフレームで、平行するフレーム部１２．１
３及び両フレーム１２．１３間にまたがるフレーム部１
４ とにより構成される。そしてフレーム部１２ Ｋ連
続してリード１及び平たん部１Ａが設けである一方のフ
レーム部１５の側縁にこれと平行してフレーム部１５が
複数の細幅の連結部１６を介して連結されている。この
連結部１６はフレーム部１５を１リードフレーム１１
に対して重ねるように折りたたみ自在とするためである
。このフレーム部１５に連続してリード２，６が設けで
ある。他方のフレーム部１２の側縁に平行してフレーム
部１７が複数の細幅連結部１８を介して連結されている
。この連結部１８はフレーム部１７をリードフレーム１
１に対して折りたたみ自在とするためである。このフレ
ーム部１７に！Ｊ−ド４及び平たん部４Ａが設けである
。
第６図に示すように各フレーム部を展開させた状態で、
才ずリード２．３の表外面にチップＩ）１〜Ｄ４を抜角
するなどして搭載させる。次に連結部１６よりフレーム
部１５を折りたたんで、これをフレーム部１３０表面に
重ね合わゼる。（第７図参照。）この４ハりたたみによ
ってリード２．６上のチップｍ７．１）４１−１リード
１の平たん都１Ａ に１１１なり合う。更に今度は連結
部１８よりフレーム部１７を折りたたＡ、で、これをフ
レーム部１２０表面に表向に１１なり合う。そしてリー
ド１．４はイ面からみて互いに■なり合うことなく、平
行に１ｒぶようになる。
才ずリード２．３の表外面にチップＩ）１〜Ｄ４を抜角
するなどして搭載させる。次に連結部１６よりフレーム
部１５を折りたたんで、これをフレーム部１３０表面に
重ね合わゼる。（第７図参照。）この４ハりたたみによ
ってリード２．６上のチップｍ７．１）４１−１リード
１の平たん都１Ａ に１１１なり合う。更に今度は連結
部１８よりフレーム部１７を折りたたＡ、で、これをフ
レーム部１２０表面に表向に１１なり合う。そしてリー
ド１．４はイ面からみて互いに■なり合うことなく、平
行に１ｒぶようになる。
この状態の下でコンベア炉のなかに辿し、各チップとリ
ード１．４とをハンダ等により溶着して一体化する。そ
してそのあとリードとチップとを囲むようにエボギシ樹
脂で封止してパッケージ５とする。ついで各フレーム部
及びタイバ一部を切落す。Ｊソ、上によって装置が完成
する。
ード１．４とをハンダ等により溶着して一体化する。そ
してそのあとリードとチップとを囲むようにエボギシ樹
脂で封止してパッケージ５とする。ついで各フレーム部
及びタイバ一部を切落す。Ｊソ、上によって装置が完成
する。
以上詳述したようにこの発明によれば、リート１フレー
ムを用いてダイオード回路を製作するにあたり、リード
を互いにチップをはさＡで重ね合わせるように構成する
ことができるようになり、しかもそのためにリードのハ
ンダ付は等によるリードの延長は全く不用であり、した
がってとの種装置を小型化に、かつ安価に製作できると
いった〃ノ果を奏する。
ムを用いてダイオード回路を製作するにあたり、リード
を互いにチップをはさＡで重ね合わせるように構成する
ことができるようになり、しかもそのためにリードのハ
ンダ付は等によるリードの延長は全く不用であり、した
がってとの種装置を小型化に、かつ安価に製作できると
いった〃ノ果を奏する。
第１図はダイオードブリッジ回路の回路図、袴−２図は
この発明の実施例により製作されたダイオード回路装置
の断面融、第６図Ｆｉ要部の拡大斜視図、第４図は同分
解斜視図、第５図は一洲（の央部側からみだ斜視図、第
６図乃至第８図は製作過イ゛、１を説明するための平面
図である。 Ｄ１〜Ｉ）４０１．、、ダイオードチップ、１〜４、−
、、、リード、１１ 、、、、、リードフレーム、１２
．１３．、、、、フレーム部、１５．１７．。０３．フ
レーム部第６図 ＩＩ
この発明の実施例により製作されたダイオード回路装置
の断面融、第６図Ｆｉ要部の拡大斜視図、第４図は同分
解斜視図、第５図は一洲（の央部側からみだ斜視図、第
６図乃至第８図は製作過イ゛、１を説明するための平面
図である。 Ｄ１〜Ｉ）４０１．、、ダイオードチップ、１〜４、−
、、、リード、１１ 、、、、、リードフレーム、１２
．１３．、、、、フレーム部、１５．１７．。０３．フ
レーム部第６図 ＩＩ
Claims (1)
- 第１のリードを鳴するリードフレームの一方の側縁に、
第１のフレーム部を前記リードフレームに対して折りた
たみ目在に設け、かつ前記第１のフレーム部に第２のリ
ードを具備せしめ、又前記リードフレームの他方の１１
１１縁に％第２のフレーム部を前記リードフレームに対
して折シたたみ自在に設け、かつ前記第２のフレーム部
に第６のリードを具備せしめ、前記第２のリードの茨兵
面にダイオードチップを搭載し、最初に前記第１のフレ
ーム部を折りたたんで前記第２のリードの一方の角１に
搭載されているダイオードチップを前記第１のリードに
接触させ、ついで前記第２のフレーム部を折りたたＸ、
で、前記第３のリードを、ル１記ｎ−２のリードの他方
の面に搭載されているダイオードチップに接触させ、前
記第２．第３のリードと各チップとを接着してなるダイ
、オード装置の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21037283A JPS60101958A (ja) | 1983-11-08 | 1983-11-08 | ダイオ−ド装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21037283A JPS60101958A (ja) | 1983-11-08 | 1983-11-08 | ダイオ−ド装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60101958A true JPS60101958A (ja) | 1985-06-06 |
Family
ID=16588257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21037283A Pending JPS60101958A (ja) | 1983-11-08 | 1983-11-08 | ダイオ−ド装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60101958A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60183449U (ja) * | 1984-05-15 | 1985-12-05 | 新電元工業株式会社 | ブリツジ型半導体装置 |
| US5218231A (en) * | 1989-08-30 | 1993-06-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mold-type semiconductor device |
| EP0688053A1 (de) * | 1994-06-17 | 1995-12-20 | ABB Management AG | Niederinduktives Leistungshalbleitermodul |
| WO2001031704A1 (fr) * | 1999-10-28 | 2001-05-03 | Rohm Co., Ltd. | Dispositif a semi-conducteurs |
| WO2004053988A1 (de) * | 2002-12-12 | 2004-06-24 | Robert Bosch Gmbh | Einphasiges stromrichtermodul |
| KR100449241B1 (ko) * | 2001-09-20 | 2004-09-18 | (주)코브 테크놀로지 | 브리지 다이오드 및 그 제조 방법 |
| JP2010212736A (ja) * | 1999-10-28 | 2010-09-24 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2013222714A (ja) * | 2012-04-12 | 2013-10-28 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5295973A (en) * | 1976-02-09 | 1977-08-12 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor unit with heat sink |
| JPS5339067A (en) * | 1976-09-22 | 1978-04-10 | Hitachi Ltd | Production of semiconductor device |
| JPS5486273A (en) * | 1977-12-21 | 1979-07-09 | Hitachi Ltd | Stem and its manufacture |
-
1983
- 1983-11-08 JP JP21037283A patent/JPS60101958A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5295973A (en) * | 1976-02-09 | 1977-08-12 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor unit with heat sink |
| JPS5339067A (en) * | 1976-09-22 | 1978-04-10 | Hitachi Ltd | Production of semiconductor device |
| JPS5486273A (en) * | 1977-12-21 | 1979-07-09 | Hitachi Ltd | Stem and its manufacture |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60183449U (ja) * | 1984-05-15 | 1985-12-05 | 新電元工業株式会社 | ブリツジ型半導体装置 |
| US5218231A (en) * | 1989-08-30 | 1993-06-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mold-type semiconductor device |
| EP0688053A1 (de) * | 1994-06-17 | 1995-12-20 | ABB Management AG | Niederinduktives Leistungshalbleitermodul |
| WO2001031704A1 (fr) * | 1999-10-28 | 2001-05-03 | Rohm Co., Ltd. | Dispositif a semi-conducteurs |
| JP2001196518A (ja) * | 1999-10-28 | 2001-07-19 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| US6650004B1 (en) | 1999-10-28 | 2003-11-18 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2010212736A (ja) * | 1999-10-28 | 2010-09-24 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| JP4651153B2 (ja) * | 1999-10-28 | 2011-03-16 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| KR100449241B1 (ko) * | 2001-09-20 | 2004-09-18 | (주)코브 테크놀로지 | 브리지 다이오드 및 그 제조 방법 |
| WO2004053988A1 (de) * | 2002-12-12 | 2004-06-24 | Robert Bosch Gmbh | Einphasiges stromrichtermodul |
| AU2003246534B2 (en) * | 2002-12-12 | 2009-12-17 | Robert Bosch Gmbh | Single-phase power converter module |
| JP2013222714A (ja) * | 2012-04-12 | 2013-10-28 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
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