JP2013222714A

JP2013222714A - 半導体装置の製造方法

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Publication number: JP2013222714A
Application number: JP2012091208A
Authority: JP
Inventors: Yoshiaki Nakagami; 義昭中神
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2012-04-12
Filing date: 2012-04-12
Publication date: 2013-10-28

Abstract

【課題】部品点数を減らすことができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】コレクタ側リード部１と、エミッタ側リード部７と、コレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７とを連結している連結部１２とを有するリードフレーム２０を準備し、コレクタ側リード部１のコレクタ側放熱部２に半導体素子３０のコレクタ電極３１を対向させて搭載する。次に、連結部１２を変形させることで、半導体素子３０のエミッタ電極３２にエミッタ側リード部７のエミッタ側放熱部８を対向させ、コレクタ側放熱部２とエミッタ側放熱部８とで半導体素子３０を挟み込む。次に、コレクタ電極３１とコレクタ側放熱部２、ターミナル４０を介してエミッタ電極３２とエミッタ側放熱部８とを電気的に接続し、その後、連結部１２を切断して、コレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７とを分離する。
【選択図】図３

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関するものである。

従来、特許文献１に開示されているように、半導体チップ（半導体素子）が下側のヒートシンクとなる第一金属体（第一リード部）と、上側の放熱部となる第二金属体（第二リード部）とで挟まれた半導体装置がある。この半導体装置は、半導体素子の表面に形成されたエミッタ領域に電気的に接続されるエミッタ電極と、半導体素子の裏面に形成されたコレクタ領域に電気的に接続されるコレクタ電極とを備えている。そして、半導体装置は、エミッタ電極が第二リード部を介して外部と電気的に接続され、コレクタ電極が第一リード部を介して外部と電気的に接続される。

特開２００５−１５８８７１号公報

上述のように、半導体装置は、半導体素子の両面の電極に対して、別々に第一リード部と第二リード部とが接続されたものである。このような半導体装置を製造する場合、第一リード部を含む第一リードフレームと、第一リードフレームとは別体であり、第二リード部を含む第二リードフレームとを用いることが考えられる。この場合、半導体装置を製造するために、第一リードフレームと第二リードフレームの二つのリードフレーム（部品）が必要になるという問題があった。

本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、部品点数を減らすことができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために請求項１に記載の半導体装置の製造方法は、
第一主面電極（３１）と、第一主面電極の反対面に第二主面電極（３２）とを有する半導体素子（３０）と、第一主面電極に接続され半導体素子から発せられた熱を放熱する第一放熱部（２、２ａ〜２ｇ）を有する第一リード部（１、１ａ〜１ｇ）と、第二主面電極に接続され半導体素子から発せられた熱を放熱する第二放熱部（８、８ａ〜８ｇ）を有する第二リード部（７、７ａ〜７ｇ）とを備え、半導体素子の第一主面電極と第二主面電極に対して、別々に第一リード部と第二リード部とが接続された半導体装置の製造方法であって、
第一リード部と、第二リード部と、第一リード部と第二リード部とを連結している連結部（１２、１２ｂ）と、を有する金属からなるリードフレーム（２０、２０ａ〜２０ｇ）を準備する準備工程と、
準備工程後に、第一放熱部に第一主面電極を対向させて、リードフレームに半導体素子を搭載する搭載工程と、
搭載工程後に、連結部を変形させることで、第二主面電極に第二放熱部を対向させて配置し、第一放熱部と第二放熱部とで半導体素子を挟み込む配置工程と、
配置工程後に、第一主面電極と第一放熱部、第二主面電極と第二放熱部とを電気的に接続する接続工程と、
接続工程後に、連結部を切断して、第一リード部と第二リード部とを分離する切断工程と、を特徴とするものである。

このように、リードフレームの第一放熱部に半導体素子が搭載された状態で、連結部を変形させることで、第一放熱部と第二放熱部とで半導体素子を挟み込む。次に、第一主面電極と第一放熱部、第二主面電極と第二放熱部とを電気的に接続した後に、第一リード部と第二リード部とを連結している連結部を切断して、第一リード部と第二リード部とを電気的に分離する。これによって、半導体素子の第一主面電極と第二主面電極に対して、別々に第一リード部と第二リード部とが接続された半導体装置を製造することができる。

また、第一リード部と第二リード部とは、切断工程を行う前まで、連結部で連結された一つのリードフレームである。よって、両面に電極を有する半導体素子と、各電極に対して別々に接続される第一リード部と第二リード部と、を有し、半導体素子が第一リード部と第二リード部とで挟み込まれた半導体装置を、一つのリードフレームで製造することができる。つまり、このような半導体装置を二つのリードフレームを用いて製造する場合よりも、部品点数を減らすことができる。

また、請求項２に示すように、準備工程では、リードフレーム（２０、２０ａ、２０ｃ〜２０ｇ）として、配置工程後における第一リード部（１、１ａ、１ｃ〜１ｇ）と第二リード部（７、７ａ、７ｃ〜７ｇ）との間隔を規定する連結部（１２）が設けられたものを準備するようにしてもよい。

このようにすることによって、配置工程後における第一リード部と第二リード部との間隔が規定されるので、第一主面電極と第一放熱部、第二主面電極と第二放熱部とを電気的に接続しやすくすることができる。

また、請求項２を引用する請求項３に示すように、
準備工程では、リードフレームとして、連結部にＶ字形状の溝である折り代（１７）が二つ設けられ、折り代である溝のなす角度の合計が１８０度であるものを準備し、
配置工程では、折り代を起点として、折り代であるＶ字形状の溝が閉じるように連結部を折り曲げ変形させるようにしてもよい。

このようにすることによって、連結部を折り曲げて変形させた際に、連結部が曲がる角度を規定することができる。つまり、連結部を折り曲げて変形させた際に第一リード部と第二リード部とを平行にすることができる。言い換えると、配置工程後における第一リード部と第二リード部との間隔を規定することができる。

また、請求項４に示すように、
準備工程では、リードフレーム（２０、２０ａ、２０ｂ、２０ｄ〜２０ｇ）として、
第一放熱部（２、２ａ、２ｂ、２ｄ〜２ｇ）から突出して設けられた第一端子部（３、３ａ、３ｂ、３ｄ〜３ｇ）を含む第一リード部（１、１ａ、１ｂ、１ｄ〜１ｇ）と、
第二放熱部（８、８ａ、８ｂ、８ｄ〜８ｇ）から突出して設けられた第二端子部（９、９ａ、９ｂ、９ｄ〜９ｇ）を含む第二リード部（７、７ａ、７ｂ、７ｄ〜７ｇ）と、を有し、
第一端子部（３、３ａ、３ｂ、３ｄ〜３ｇ）と第二端子部（９、９ａ、９ｂ、９ｄ〜９ｇ）とが、夫々の長手方向が並列に配置されており、
連結部（１２、１２ｂ）が、第一端子部（３、３ａ、３ｂ、３ｄ〜３ｇ）と第二端子部（９、９ａ、９ｂ、９ｄ〜９ｇ）との間に配置されたものを準備するようにしてもよい。

このようにすることによって、第一端子部と第二端子部との間のスペースを有効活用することができる。

また、請求項４を引用する請求項５に示すように、準備工程では、第一リード部が、第二リード部における第二端子部の突出方向に配置され、第二リード部が、第一リード部における第一端子部の突出方向に配置されたものを準備するようにしてもよい。

このようにしても、第一端子部と第二端子部との間のスペースを有効活用することができる。

また、請求項６に示すように、
準備工程では、リードフレームとして、第一リード部又は第二リード部に、配置工程後における第一リード部と第二リード部との間隔を規定する凸部（１１、１１ｄ）が設けられたものを準備し、
配置工程では、凸部（１１、１１ｄ）を相手側リード部に当接させるようにしてもよい。

このようにすることによっても、配置工程後における第一リード部と第二リード部との間隔が規定されるので、第一主面電極と第一放熱部、第二主面電極と第二放熱部とを電気的に接続しやすくすることができる。

また、請求項７に示すように、準備工程では、リードフレームとして、凸部が少なくとも連結部から最も離れた位置に設けられたものを準備するようにしてもよい。

このようにすることによって、配置工程後における第一リード部と第二リード部との間隔を規定しやすくすることができる。

また、請求項８に示すように、準備工程では、リードフレームとして、連結部から最も離れた位置を含む少なくとも三箇所に凸部が設けられたものを準備するようにしてもよい。

このようにすることによって、配置工程後における第一リード部と第二リード部との間隔をより一層規定しやすくすることができる。

また、請求項９に示すように、
準備工程では、リードフレーム（２０、２０ａ〜２０ｄ）として、
切断工程にて切り離される第一吊り部（４、４ａ〜４ｄ）を含む第一リード部（１、１ａ〜１ｄ）と、
配置工程後に第一リード部（１、１ａ〜１ｄ）と対向配置されるものであり切断工程にて切り離される第二吊り部（１０、１０ａ〜１０ｄ）を含む第二リード部（７、７ａ〜７ｄ）とを有し、
第一吊り部又は第二吊り部に凸部（１１、１１ｄ）が設けられたものを準備し、
切断工程では、第一吊り部を第一放熱部（２、２ａ〜２ｄ）から切り離すとともに、第二吊り部を第二放熱部（８、８ａ〜８ｄ）から切り離すようにしてもよい。

このように、第一放熱部から切り離される第一吊り部、又は第二放熱部から切り離される第二吊り部に凸部が設けられたリードフレームを用いることによって、凸部を介して第一リード部と第二リード部とが電気的に接続されることを防止することができる。

また、請求項１０に示すように、
準備工程では、リードフレーム（２０ｅ〜１００ｇ）として、第一放熱部（２ｅ〜２ｇ）又は第二放熱部（８ｅ〜８ｇ）に凸部（１１）が設けられ、相手側リード部における放熱部は凸部が当接される位置に絶縁部材（１６）が設けられたものを準備し、
配置工程では、凸部（１１）を絶縁部材（１６）に当接させるようにしてもよい。

このように、凸部を絶縁部材に当接させることによって、凸部を介して第一リード部と第二リード部とが電気的に接続されることを防止することができる。また、このようにすることによって、第一吊り部や第二吊り部が設けられたリードフレームを用いる必要がない。よって、第一吊り部や第二吊り部が設けられたリードフレームよりも体格を小さくすることができる。

また、請求項１１に示すように、
準備工程では、リードフレームとして、相手側リード部は凸部（１１、１１ｄ）が当接される位置が周辺よりも窪んだ凹部（６）であるものを準備し、
配置工程では、凸部を凹部に挿入するようにしてもよい。

このように、凸部を凹部に挿入することによって、配置工程後における第一リード部と第二リード部との間隔に加えて、配置工程後における第一リード部と第二リード部の横方向（配置工程後の第一リード部や第二リード部に対して平行な方向）の位置も規定することができる。言い換えると、配置工程後における第一リード部と第二リード部との横方向へのズレを抑制することができる。

実施形態におけるリードフレーム２０の概略構成を示す平面図である。搭載工程後におけるリードフレーム２０の概略構成を示す平面図である。配置工程におけるリードフレーム２０の概略構成を示す平面図である。配置工程後におけるリードフレーム２０の概略構成を示す平面図である。図１のＶ−Ｖ断面図であり、（ａ）は準備工程時の断面図であり、（ｂ）は配置工程後の断面図であり、（ｃ）は変形例における配置工程後の断面図である。接続工程後（モールド工程後）におけるリードフレーム２０の概略構成を示す平面図である。第一切断工程後におけるリードフレーム２０の概略構成を示す平面図である。半導体装置の概略構成を示す図面であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は側面図である。変形例１におけるリードフレーム２０ａの概略構成を示す図面であり、（ａ）は、配置工程後のリードフレーム２０ａを示す平面図であり、（ｂ）はリードフレーム２０ａの一部を金型内に配置した場合の平面図である。変形例２におけるリードフレーム２０ｂの概略構成を示す平面図である。変形例３におけるリードフレーム２０ｃの概略構成を示す平面図である。変形例４におけるリードフレーム２０ｄの概略構成を示す平面図である。（ａ）はリードフレーム２０ｄの一点鎖線XIIIで囲まれた部分の拡大図であり、（ｂ）は図１３（ａ）のXIII−ｂ方向から見た側面図である。変形例５におけるリードフレーム２０ｅの概略構成を示す平面図である。変形例６におけるリードフレーム２０ｆの概略構成を示す平面図である。変形例７におけるリードフレーム２０ｇの概略構成を示す平面図である。

以下、本発明の実施形態を図に基づいて説明する。

本実施形態の製造方法は、図８（ａ），図８（ｂ）に示すような半導体装置の製造方法に関するものである。

まず、本実施形態の製造方法によって製造される半導体装置に関して説明する。図８（ａ），図８（ｂ）に示すように、半導体装置は、主に、半導体素子３０と、コレクタ側リード部１と、エミッタ側リード部７とを備えて構成されている。なお、本実施形態では、これらの他にも、信号用端子５、ターミナル４０、ボンディングワイヤ５０、モールド樹脂６０などを備えた半導体装置を一例として採用している。

なお、図８（ａ），図８（ｂ）では、構成をわかりやすくするために、部分的に透視図として図示している。つまり、点線で図示している箇所は、モールド樹脂６０内に配置されている。また、図８（ｂ）では、モールド樹脂６０内に配置された半導体素子３０として、ＩＧＢＴを図示している。

半導体素子３０は、ＩＧＢＴ、ＲＣ−ＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴ、ダイオードなどを採用することができる。本実施形態では、半導体素子３０の一例として、ＩＧＢＴ（紙面上左側）とダイオード（紙面上右側）を採用している。このＩＧＢＴである半導体素子３０は、図８（ｂ）に示すように、特許請求の範囲における第一主面電極に相当するコレクタ電極３１と、コレクタ電極３１の反対面に、特許請求の範囲における第二主面電極に相当するエミッタ電極３２とを有する。また、ダイオードである半導体素子３０は、特許請求の範囲における第一主面電極に相当する第一電極（図示省略）と、第一電極の反対面に、特許請求の範囲における第二主面電極に相当する第二電極（図示省略）とを有する。

なお、このように、本実施形態では、一例として、二つの半導体素子３０を有する半導体装置を採用している。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。少なくとも一つの半導体素子を有するものであれば、目的は達成できる。

また、以下の説明においては、特に断りがない場合、半導体素子３０はＩＧＢＴを示すものとする。しかしながら、上述のように、本実施形態では、半導体素子３０の一例として、ＩＧＢＴとダイオードを採用している。従って、以下の説明においては、半導体素子３０をダイオードと置き換えることができる。よって、半導体素子３０をダイオードと置き換えた場合は、コレクタ電極３１を第一電極、エミッタ電極３２を第二電極に置き換えることができる。

コレクタ側リード部１は、特許請求の範囲における第一リード部に相当するものである。コレクタ側リード部１は、半導体素子３０のコレクタ電極３１に導電性接続部材（図示省略）を介して接続され、半導体素子３０から発せられた熱を放熱するコレクタ側放熱部２を有する。このコレクタ側放熱部２は、特許請求の範囲における第一放熱部に相当するものである。

さらに、コレクタ側リード部１は、コレクタ側放熱部２から突出して設けられたコレクタ側端子部３を有する。このコレクタ側端子部３は、特許請求の範囲における第一端子部に相当するものである。なお、コレクタ側放熱部２とコレクタ側端子部３とは、一体物として構成されている。

また、エミッタ側リード部７は、特許請求の範囲における第二リード部に相当するものである。エミッタ側リード部７は、半導体素子３０のエミッタ電極３２に接続され、半導体素子３０から発せられた熱を放熱するエミッタ側放熱部８を有する。より詳細には、エミッタ側放熱部８は、金属からなるブロック状の部材であるターミナル４０を介して、半導体素子３０のエミッタ電極３２に接続されている。なお、エミッタ側放熱部８とターミナル４０とは、導電性接続部材（図示省略）を介して接続されている。同様に、ターミナル４０とエミッタ電極３２とは、導電性接続部材（図示省略）を介して接続されている。このエミッタ側放熱部８は、特許請求の範囲における第二放熱部に相当するものである。

さらに、エミッタ側リード部７は、エミッタ側放熱部８から突出して設けられたエミッタ側端子部９を有する。このエミッタ側端子部９は、特許請求の範囲における第二端子部に相当するものである。なお、エミッタ側放熱部８とエミッタ側端子部９とは、一体物として構成されている。

このように半導体素子３０と、コレクタ側リード部１と、エミッタ側リード部７とを備えた半導体装置では、半導体素子３０のコレクタ電極３１とエミッタ電極３２に対して、別々にコレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７とが接続されている。そして、半導体素子３０は、コレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７とで挟み込まれている。つまり、コレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７とは、直接接続されないようになっている。

また、ＩＧＢＴである半導体素子３０は、ボンディングワイヤ５０を介して信号用端子５と電気的に接続されている。より詳細には、ＩＧＢＴである半導体素子３０におけるゲート電極などの信号用パッド（図示省略）と、信号用端子５とは、ボンディングワイヤ５０を介して電気的に接続されている。信号用端子５に流れる電流は、上述のコレクタ側端子部３やエミッタ側端子部９に流れる電流よりも小さい。よって、信号用端子５は小電流端子、コレクタ側端子部３やエミッタ側端子部９は大電流用端子とも言い換えることができる。

そして、半導体素子３０、ターミナル４０、ボンディングワイヤ５０、コレクタ側リード部１の一部、エミッタ側リード部７の一部、信号用端子５の一部は、モールド樹脂６０にて封止されている。信号用端子５は、ボンディングワイヤ５０が接続される部位を含む半導体素子３０側の一部がモールド樹脂６０に封止されており、それ以外の部位がモールド樹脂６０から露出している。これによって、信号用端子５と外部機器との電気的な接続を可能とするとともに、信号用端子５とボンディングワイヤ５０との接続部位を保護することができる。

また、コレクタ側リード部１は、コレクタ側放熱部２における半導体素子３０との対向面の裏面（反対面）と、コレクタ側端子部３の先端の一部（コレクタ側放熱部２との接続部の反対側の一部）がモールド樹脂６０から露出しており、それ以外はモールド樹脂６０に封止されている。同様に、エミッタ側リード部７は、エミッタ側放熱部８における半導体素子３０との対向面の裏面（反対面）と、エミッタ側端子部９の先端の一部（エミッタ側放熱部８との接続部の反対側の一部）がモールド樹脂６０から露出しており、それ以外はモールド樹脂６０に封止されている。

このように、コレクタ側端子部３の先端の一部、及びエミッタ側端子部９の先端の一部がモールド樹脂６０から露出しているため、コレクタ側端子部３と外部機器、及びエミッタ側端子部９と外部機器との電気的な接続が可能である。

また、上述のように、半導体装置は、コレクタ側放熱部２の反対面と、エミッタ側放熱部８の反対面とをモールド樹脂６０から露出していることによって、半導体素子３０から発せられた熱を自身（半導体装置）の外部に効率よく放熱させることができる。よって、半導体装置は、両面放熱構造を有すると言い換えることができる。さらに、コレクタ側放熱部２の反対面、及びエミッタ側放熱部８の反対面は、ともに放熱面と言い換えることができる。

ここで、この半導体装置の製造方法に関して説明する。本願発明は、主に、準備工程、搭載工程、配置工程、接続工程、切断工程を備えるものである。この各工程を順番に説明する。

まず、準備工程を行う。この準備工程では、図１に示すように、コレクタ側リード部１と、エミッタ側リード部７と、コレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７とを連結している連結部１２とを有する、金属からなるリードフレーム２０を準備する。このリードフレーム２０は、例えば、所定の厚みを有する一枚の金属板をプレス加工することによって製造されるものである。よって、コレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７と連結部１２とは一体物である。つまり、コレクタ側リード部１は、リードフレーム２０におけるコレクタ側リード領域と言い換えることができる。同様に、エミッタ側リード部７は、リードフレーム２０におけるエミッタ側リード領域と言い換えることができる。さらに、連結部１２は、リードフレーム２０におけるコレクタ側リード領域とエミッタ側リード領域とを連結している連結領域と言い換えることができる。なお、図１などのリードフレーム２０上に図示している破線は、後ほど説明する切断工程にて切断する、リードフレーム２０における切断位置を示すものである。

コレクタ側リード部１は、主に、コレクタ側放熱部２を備えている。つまり、準備工程では、リードフレーム２０として、コレクタ側放熱部２を含むものを準備する。コレクタ側放熱部２は、例えば矩形形状を成すものである。また、コレクタ側放熱部２は、一つの面（図１に示されている面）が半導体素子３０と対向する対向面であり、その反対面が上述の放熱面である。なお、この対向面は、半導体素子３０が実装される面であるため、実装面と言い換えることもできる。

また、本実施形態で示すように、準備工程では、コレクタ側端子部３を含むリードフレーム２０を準備してもよい。しかしながら、リードフレームがコレクタ側端子部３を有していなくても、本願発明の目的は達成できる。コレクタ側端子部３は、コレクタ側放熱部２から突出して設けられている。本実施形態におけるコレクタ側端子部３は、コレクタ側放熱部２における一つの側面に対する鉛直方向に突出して設けられている。また、このコレクタ側端子部３に関しても、例えば矩形形状を成すものである。

また、コレクタ側リード部１は、本実施形態で採用するように、上述のコレクタ側放熱部２、コレクタ側端子部３に加えて、吊りリード部４、信号用端子５、位置決め凹部６を有するものであってもよい。つまり、準備工程では、吊りリード部４、信号用端子５、位置決め凹部６を含むリードフレーム２０を準備するようにしてもよい。しかしながら、リードフレーム２０が吊りリード部４や信号用端子５や位置決め凹部６を有していなくても、本願発明の目的は達成できる。つまり、準備工程は、コレクタ側リード部１と、エミッタ側リード部７と、連結部１２とを有する、金属からなるリードフレーム２０を準備するものであればよい。

吊りリード部４は、特許請求の範囲における第一吊り部に相当するものであり、後ほど説明する切断工程にて、コレクタ側放熱部２から切り離される（切断される、分割される）部位である。この吊りリード部４は、コレクタ側放熱部２の一部を囲うように設けられている。例えば、吊りリード部４は、コレクタ側放熱部２におけるコレクタ側端子部３が設けられていない三つの側面を囲うように設けられている。

また、信号用端子５は、この吊りリード部４を介してコレクタ側放熱部２と連結されている。後ほど説明する切断工程では、信号用端子５は、吊りリード部４から切り離される。なお、吊りリード部４の一部に信号用端子５が設けられていると言い換えることもできる。よって、後ほど説明する切断工程では、吊りリード部４は、信号用端子５とその他の部位とに切り離されると言い換えることができる。

位置決め凹部６は、後ほど説明する配置工程において、後ほど説明するエミッタ側リード部７に設けられた位置決め凸部１１が当接される（挿入される）部位であり、自身（位置決め凹部６）の周辺よりも窪んだ部位である。このように、位置決め凹部６は、位置決め凸部１１が当接される部位であるため、実装面と同一方向の面における、配置工程後に位置決め凸部１１と対向する位置に設けられている。なお、この位置決め凹部６は、切削加工などによって形成することができる。

本実施形態においては、位置決め凹部６は、吊りリード部４に設けられている例を採用している。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、位置決め凹部６は吊りリード部４以外に設けられていてもよい。なお、位置決め凹部６が吊りリード部４以外に設けられる構成に関しては、後ほど変形例で説明する。

この位置決め凹部６は、配置工程後におけるコレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７の横方向（配置工程後のコレクタ側リード部１やエミッタ側リード部７に対して平行な方向）の位置を主に規定するためのものである。言い換えると、コレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７の対向方向に垂直な方向の位置を規定するためのものである。

よって、位置決め凹部６は、位置決め凸部１１が挿入方向に移動できなくなるまで挿入された状態で、コレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７とが横方向に相対的にズレない構成であれば採用することができる。例えば、位置決め凹部６は、位置決め凸部１１における位置決め凹部６に挿入される部位（挿入部位）の形状に対応した形状の窪みであるものを採用することができる。つまり、位置決め凹部６は、位置決め凸部１１の断面積（位置決め凸部１１の鉛直方向（突出方向）に垂直な断面の面積）と略同じ開口面積であるものを採用することができる。なお、位置決め凸部１１が挿入方向に移動できなくなるまで挿入された状態とは、例えば、位置決め凸部１１の先端が位置決め凹部６の底面に当接された状態などである。

また、位置決め凹部６は、位置決め凸部１１が挿入方向に移動できなくなるまで挿入された状態で、位置決め凹部６から露出している位置決め凸部１１の長さが、コレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７との間に挟まれる部材（被内蔵部材）の厚み程度になるように設けられていると好ましい。なお、本実施形態における被内蔵部材は、主に半導体素子３０とターミナル４０である。より詳細には、被内蔵部材は、半導体素子３０とターミナル４０に加えて、コレクタ側放熱部２とコレクタ電極３１とを接続している導電性接続部材、エミッタ側放熱部８とターミナル４０とを接続している導電性接続部材、ターミナル４０とエミッタ電極３２とを接続している導電性接続部材も含まれる。

エミッタ側リード部７は、主に、エミッタ側放熱部８を備えている。つまり、準備工程では、リードフレーム２０として、エミッタ側放熱部８を含むものを準備する。エミッタ側放熱部８は、例えば矩形形状（コレクタ側放熱部２と同様の形状、体格）を成すものである。また、エミッタ側放熱部８は、一つの面（図１に示されている面）が半導体素子３０と対向する対向面であり、その反対面が上述の放熱面である。なお、この対向面は、半導体素子３０と接続される面（本実施形態ではターミナル４０を介して間接的に接続される面）であるため、接続面と言い換えることもできる。

本実施形態で示すように、準備工程では、エミッタ側端子部９を含むリードフレーム２０を準備してもよい。しかしながら、リードフレームがエミッタ側端子部９を有していなくても、本願発明の目的は達成できる。エミッタ側端子部９は、エミッタ側放熱部８から突出して設けられている。本実施形態におけるエミッタ側端子部９は、エミッタ側放熱部８における一つの側面に対する鉛直方向に突出して設けられている。また、このエミッタ側端子部９に関しても、例えば矩形形状（コレクタ側端子部３と同様の形状、体格）を成すものである。なお、コレクタ側端子部３とエミッタ側端子部９とは、配置工程後において、互いが垂直方向（配置工程後のコレクタ側放熱部２とエミッタ側放熱部８との対向方向）において重ならないような位置に設けられていると好ましい。

また、エミッタ側リード部７は、本実施形態で採用するように、上述のエミッタ側放熱部８、エミッタ側端子部９に加えて、吊りリード部１０、位置決め凸部１１を有するものであってもよい。つまり、準備工程では、吊りリード部１０、位置決め凸部１１を有するリードフレーム２０を準備するようにしてもよい。しかしながら、リードフレーム２０が吊りリード部１０や位置決め凸部１１を有していなくても、本願発明の目的は達成できる。

吊りリード部１０は、特許請求の範囲における第二吊り部に相当するものであり、後ほど説明する切断工程にて、エミッタ側放熱部８から切り離される部位である。この吊りリード部１０は、エミッタ側放熱部８の一部を囲うように設けられている。例えば、吊りリード部１０は、エミッタ側放熱部８におけるエミッタ側端子部９が設けられていない三つの側面を囲うように設けられている。

位置決め凸部１１は、後ほど説明する配置工程において、コレクタ側リード部１（ここでは位置決め凹部６）に当接する部位であり、自身（位置決め凸部１１）の周辺よりも突出した部位である。この位置決め凸部１１は、例えば、円柱形状などを有するものを採用することができる。このように、位置決め凸部１１は、位置決め凹部６に当接する部位であるため、接続面と同一方向の面に設けられている。

また、位置決め凸部１１は、少なくとも連結部１２から最も離れた位置に設けられていると好ましい。つまり、準備工程では、リードフレーム２０として、位置決め凸部１１が少なくとも連結部１２から最も離れた位置に設けられたものを準備すると好ましい。さらに、位置決め凸部１１は、連結部１２から最も離れた位置を含む少なくとも三箇所に設けられていてもよい。つまり、準備工程では、リードフレーム２０として、連結部１２から最も離れた位置を含む少なくとも三箇所に位置決め凸部１１が設けられたものを準備するようにしてもよい。また、吊りリード部４の位置決め凹部４が設けられた部位と、吊りリード部１０の位置決め凸部１１が設けられた部位とは、配置工程後に対向配置されるように設けられている。なお、この位置決め凸部１１は、例えば、押し出し加工などによって形成することができる。

本実施形態においては、位置決め凸部１１は、吊りリード部１０に設けられている例を採用している。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、位置決め凸部１１は吊りリード部１０以外に設けられていてもよい。なお、位置決め凸部１１が吊りリード部１０以外に設けられる構成に関しては、後ほど変形例で説明する。

位置決め凸部１１は、配置工程後におけるコレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７との間隔（以下、リード間隔とも称する）を規定するためのものである。つまり、位置決め凸部１１は、配置工程後における実装面と接続面との間隔を規定するためのものである。また、位置決め凸部１１は、リード間隔が、被内蔵部材の厚み程度になるようにするためのものであると言い換えることもできる。

従って、位置決め凸部１１は、挿入方向に移動できなくなるまで位置決め凹部６に挿入された状態で、被内蔵部材の厚み程度の部位（長さ）が位置決め凹部６から露出するように設けられている。また、位置決め凹部６が設けられていない場合、位置決め凸部１１の長さは、被内蔵部材の厚み程度である。

また、図１に示すように、準備工程では、リードフレーム２０として、コレクタ側端子部３とエミッタ側端子部９とが、夫々の長手方向が並列に配置され、連結部１２が、コレクタ側端子部３とエミッタ側端子部９との間に配置されたものを準備する。このようにすることによって、コレクタ側端子部３とエミッタ側端子部９との間の領域（スペース）を有効活用することができる。つまり、コレクタ側端子部３とエミッタ側端子部９との間のデッドスペースを有効活用することができる。ただし、本願発明は、これに限定されるものではない。

さらに、好ましくは、図１に示すように、準備工程では、コレクタ側リード部１が、エミッタ側リード部７におけるエミッタ側端子部９の突出方向に配置され、エミッタ側リード部７が、コレクタ側リード部１におけるコレクタ側端子部３の突出方向に配置されたリードフレーム２０を準備する。このように、コレクタ側放熱部２とエミッタ側放熱部８との間に、コレクタ側端子部３、エミッタ側端子部９、連結部１２が設けられたリードフレーム２０を準備することによって、コレクタ側放熱部２とエミッタ側放熱部８との間の領域（スペース）を有効活用することができる。ただし、本願発明は、これに限定されるものではない。

より具体的には、リードフレーム２０は、実装面と接続面とが同一平面上に形成されている。また、コレクタ側放熱部２とエミッタ側放熱部８とが並列に配置されている。そして、コレクタ側放熱部２とエミッタ側放熱部８との間に、コレクタ側端子部３とエミッタ側端子部９とが配置されている。つまり、コレクタ側放熱部２におけるエミッタ側放熱部８との対向側面に沿った仮想平面と、エミッタ側放熱部８におけるコレクタ側放熱部２との対向側面に沿った仮想平面とで挟まれた領域に、コレクタ側端子部３とエミッタ側端子部９とが配置されている。

また、本実施形態においては、実装面と、コレクタ側端子部３における実装面と同じ側の面（図１で表示されている面）とは、同一平面上に形成されている。同様に、接続面と、エミッタ側端子部９における接続面と同じ側の面（図１で表示されている面）とは、同一平面上に形成されている。さらに、実装面及び接続面と、連結部１２における実装面及び接続面と同じ側の面（図１で表示されている面）とは、同一平面上に形成されている。

ただし、本願発明は、これに限定されるものではない。例えば、実装面と、コレクタ側端子部３における実装面と同じ側の面との間に段差が設けられたもの（つまり同一平面上にないもの）であっても採用することができる。同様に、接続面と、エミッタ側端子部９における接続面と同じ側の面との間に段差が設けられたもの（つまり同一平面上にないもの）であっても採用することができる。このようにすることで、半導体装置（配置工程後）におけるコレクタ側端子部３とエミッタ側端子部９とを同一平面上にすることができる。

本実施形態における連結部１２は、配置工程後におけるリード間隔を規定するためのものである。つまり、本実施形態の準備工程では、リードフレーム２０として、配置工程後におけるリード間隔を規定する連結部１２が設けられたものを準備する。なお、言い換えると、連結部１２は、配置工程後のコレクタ側放熱部２とエミッタ側放熱部８とが平行で、且つ、コレクタ側放熱部２とエミッタ側放熱部８との対向間隔が被内蔵部材の厚み程度になるようにするためのものである。

図１に示すように、連結部１２は、コレクタ側端子部３からエミッタ側端子部９の方向に突出して設けられた第２突出部１５と、エミッタ側端子部９からコレクタ側端子部３の方向に突出して設けられた第１突出部１３と、第２突出部１５と第１突出部１３とを連結している中間部１４とを含むものである。より詳細には、第２突出部１５は、エミッタ側端子部９に接することなく、コレクタ側端子部３から突出して設けられている。同様に、第１突出部１３は、コレクタ側端子部３に接することなく、エミッタ側端子部９から突出して設けられている。そして、第２突出部１５と中間部１４との境目、及び第１突出部１３と中間部１４との境目には、折り代１７が設けられている。

この連結部１２は、配置工程で変形された後のコレクタ側放熱部２とエミッタ側放熱部８とが平行で、且つ、コレクタ側放熱部２とエミッタ側放熱部８との対向間隔が被内蔵部材の厚み程度になるように設けられている。例えば、図５（ａ）に示すように、連結部１２にＶ字形状の溝である折り代１７が二つ設けられ、折り代１７であるＶ溝のなす角度ｘ，ｙの合計が１８０°（度）でリードフレーム２０を準備する。図５（ａ）の例では、ｘ＝９０°（度）、ｙ＝９０°（度）である。

このように、本実施形態では、連結部１２として、配置工程後におけるリード間隔を規定するものを採用した。しかしながら、本願発明はこれに限定されるものではない。連結部１２は、コレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７とを連結しており、配置工程で説明するように変形可能なものであれば採用することができる。後ほど、連結部１２の変形例に関して説明する。

なお、本実施形態における準備工程で準備するリードフレーム２０は、コレクタ側放熱部２の厚みとエミッタ側放熱部８の厚みが同程度である。また、コレクタ側端子部３の厚みは、エミッタ側端子部９の厚みと同程度であり、且つ、コレクタ側放熱部２やエミッタ側放熱部８の厚みよりは薄い。さらに、連結部１２の厚みは、コレクタ側端子部３やエミッタ側端子部９の厚みと同程度である。ただし、この各部の厚みは、一例であり、本願発明はこれに限定されるものではない。

また、本実施形態における準備工程では、連結部１２に位置決め凸部１１と位置決め凹部６とが設けられたリードフレーム２０を準備する例を採用している。しかしながら、連結部１２に位置決め凸部１１と位置決め凹部６が設けられていなくもよい。

また、本実施形態における準備工程では、コレクタ側リード部１に位置決め凹部６が設けられ、エミッタ側リード部７に位置決め凸部１１が設けられたリードフレーム２０を準備する例を採用した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。コレクタ側リード部１に位置決め凸部１１が設けられ、エミッタ側リード部７に位置決め凹部６が設けられたリードフレーム２０を準備するようにしてもよい。

この準備工程後に、搭載工程を行う。この搭載工程では、図２に示すように、コレクタ側放熱部２の搭載面に半導体素子３０を搭載する。このとき、導電性接続部材を介して、半導体素子３０をコレクタ側放熱部２の搭載面に搭載する。また、コレクタ側放熱部２の搭載面に、半導体素子３０のコレクタ電極３１を対向させて搭載する。

なお、本実施形態においては、次工程である配置工程を行う前に、コレクタ側放熱部２に半導体素子３０を搭載した後に、半導体素子３０のエミッタ電極３２上に、導電性接続部材を介してターミナル４０を搭載する。また、ターミナル４０とエミッタ側放熱部８とを接続するために、ターミナル４０上に導電性接続部材を載置しておく。さらに、本実施形態においては、次工程である配置工程を行う前に、半導体素子３０と信号用端子５とをボンディングワイヤ５０で接続しておく。

この搭載工程後に、配置工程を行う。この配置工程では、図３，図４に示すように、連結部１２を変形させることで、半導体素子３０のエミッタ電極３２にエミッタ側放熱部８を対向させて配置し、コレクタ側放熱部２とエミッタ側放熱部８とで半導体素子３０を挟み込む。言い換えると、連結部１２を変形させることで、搭載面と接続面とを向き合わせる（対向させる）。このとき、コレクタ側放熱部２とエミッタ側放熱部８とは、平行に配置される。つまり、配置工程を行うことによって、リードフレーム２０の側面図は、略コ字形状をなすことになる。なお、本実施形態においては、ターミナル４０を介してエミッタ電極３２にエミッタ側放熱部８を対向させる。

なお、図４では、構成をわかりやすくするために、部分的に透視図として図示している。つまり、点線で図示している箇所は、モールド樹脂６０内やコレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７との間に配置されている。

本実施形態の配置工程では、位置決め凸部１１を相手側リード部（ここではコレクタ側リード部１）に当接させる。また、上述のように、本実施形態のコレクタ側リード部１には、位置決め凹部６が設けられている。よって、本実施形態の配置工程では、位置決め凸部１１を位置決め凹部６に挿入する。

なお、位置決め凸部１１と位置決め凹部６とは、位置決め凸部１１が挿入方向に移動できなくなるまで位置決め凹部６に挿入された状態で、位置決め凹部６から露出している位置決め凸部１１の長さが、被内蔵部材の厚み程度になるように設けられている。よって、配置工程後におけるコレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７との間隔（言い換えると、コレクタ側放熱部２とエミッタ側放熱部８との間隔）を、被内蔵部材の厚み程度に規定することができる。このように、コレクタ側放熱部２とエミッタ側放熱部８との間隔を、被内蔵部材の厚み程度に規定できると、コレクタ電極３１とコレクタ側放熱部２、エミッタ電極３２（ターミナル４０）とエミッタ側放熱部８とを電気的に接続しやすくすることができる。さらに、配置工程において、コレクタ側放熱部２とエミッタ側放熱部８とから半導体素子３０に応力がかかることを抑制することができる。

また、本実施形態の配置工程では、連結部１２の折り代１７を起点として、折り代１７であるＶ字形状の溝が閉じるように連結部１２を折り曲げ変形させる。つまり、Ｖ字形状の溝の斜面同士が接触するように、連結部１２を折り曲げ変形させる。この配置工程では、折り代１７でのみ連結部１２を変形させるものである。なお、連結部１２には、二つの折り代１７が設けられている。よって、連結部１２を二回曲げることになる。

上述のように、折り代１７であるＶ溝のなす角度ｘ，ｙの合計は１８０°でる。よって、連結部１２を折り曲げて変形させた際に、連結部１２が曲がる角度を規定することができる。従って、図５（ｂ）に示すように、第２突出部１５と第１突出部１３とを平行にすることができる。つまり、コレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７（言い換えるとコレクタ側放熱部２とエミッタ側放熱部８）とを平行にすることができる。

言い換えると、配置工程後におけるコレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７との間隔（言い換えると、コレクタ側放熱部２とエミッタ側放熱部８との間隔）を、被内蔵部材の厚み程度に規定することができる。このように、コレクタ側放熱部２とエミッタ側放熱部８との間隔を、被内蔵部材の厚み程度に規定できると、コレクタ電極３１とコレクタ側放熱部２、エミッタ電極３２（ターミナル４０）とエミッタ側放熱部８とを電気的に接続しやすくすることができる。

なお、Ｖ溝のなす角度ｘ，ｙの夫々が９０°でない場合であっても、Ｖ溝のなす角度ｘ，ｙの合計が１８０°であれば、図５（ｃ）に示すように、第２突出部１５と第１突出部１３とを平行にすることができる。よって、コレクタ側放熱部２とエミッタ側放熱部８とを平行にすることができる。

また、二つの折り代１７間の間隔を被内蔵部材の厚み程度とし、折り代１７でのみ連結部１２を変形させ、且つ、第１突出部１３と中間部１４とのなす角、及び第２突出部１５と中間部１４とのなす角がともに９０°となるように連結部１２を変形させるようにしてもよい。このようにすることによって、配置工程後におけるコレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７との間隔（言い換えると、コレクタ側放熱部２とエミッタ側放熱部８との間隔）を、被内蔵部材の厚み程度に規定することができる。

本実施形態では、折り代１７を起点として、折り代１７であるＶ字形状の溝が閉じるように連結部１２を折り曲げ変形させる例を採用している。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。これ以外の変形に関しては、後ほど変形例で説明する。

この配置工程後に、接続工程を行う。この接続工程では、コレクタ電極３１とコレクタ側放熱部２とを電気的及び機械的に接続するとともに、エミッタ電極３２とエミッタ側放熱部８とをターミナル４０を介して電気的及び機械的に接続する。より詳細には、コレクタ電極３１とコレクタ側放熱部２とを導電性接続部材によって接続する。また、エミッタ電極３２とターミナル４０とを導電性接続部材によって接続するとともに、ターミナル４０とエミッタ側放熱部８とを導電性接続部材によって接続する。接続工程では、例えば、導電性接続部材のリフローによって接続する。

さらに、接続工程後に、モールド工程を行うことによって、図６に示すように、モールド樹脂６０で封止する。つまり、接続工程後の構造体に対して、モールド工程を施す。なお、この時点では、まだコレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７とは、連結部１２を介して連結されている。

その後、切断工程を行う。この切断工程では、図７に示すように、連結部１２を切断して、コレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７とを分離する。言い換えると、コレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７とから、連結部１２を切り離す。

さらに、切断工程では、吊りリード部４をコレクタ側放熱部２から切り離すとともに、吊りリード部１０をエミッタ側放熱部８から切り離す。言い換えると、吊りリード部４をコレクタ側リード部１から切り離すとともに、吊りリード部１０をエミッタ側リード部７から切り離す。このようにすることによって、図８に示す半導体装置を製造することができる。なお、図７においては、連結部１２と吊りリード部１０のみが切り離された状態を図示している。

ここまで説明したように、リードフレーム２０のコレクタ側放熱部２に半導体素子３０が搭載された状態で、連結部１２を変形させることで、コレクタ側放熱部２とエミッタ側放熱部８とで半導体素子３０を挟み込む。次に、コレクタ電極３１とコレクタ側放熱部２、エミッタ電極３２とエミッタ側放熱部８とを電気的に接続した後に、コレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７とを連結している連結部１２を切断して、コレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７とを電気的に分離する。これによって、半導体素子３０のコレクタ電極３１とエミッタ電極３２に対して、別々にコレクタ側リード部１（コレクタ側放熱部２とコレクタ側端子部３）とエミッタ側リード部７（エミッタ側放熱部８とエミッタ側端子部９）とが接続された半導体装置を製造することができる。

また、コレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７とは、切断工程を行う前まで、連結部１２で連結された一つのリードフレーム２０である。よって、両面に電極を有する半導体素子３０と、コレクタ電極３１及ぶエミッタ電極３２に対して別々に接続されるコレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７と、を有し、半導体素子３０がコレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７とで挟み込まれた半導体装置を、一つのリードフレーム２０で製造することができる。つまり、このような半導体装置を二つのリードフレームを用いて製造する場合よりも、部品点数を減らすことができる。さらに、部品点数を減らすことができると、部品の管理が容易になる。

また、本実施形態のように、リードフレーム２０として、位置決め凸部１１が少なくとも連結部１２から最も離れた位置に設けられたものを準備することによって、配置工程後におけるコレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７との間隔を規定しやすくすることができる。さらに、リードフレーム２０として、連結部１２から最も離れた位置を含む少なくとも三箇所に位置決め凸部１１が設けられたものを準備することによって、配置工程後におけるコレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７との間隔をより一層規定しやすくすることができる。

また、本実施形態のように、コレクタ側放熱部２から切り離される吊りリード部４、又はエミッタ側放熱部８から切り離される吊りリード部１０に位置決め凸部１１が設けられたリードフレーム２０を用いることによって、位置決め凸部１１を介してコレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７とが電気的に直接接続されることを防止することができる。

また、本実施形態のように、リードフレーム２０に位置決め凸部１１と位置決め凹部６とが設けられているため、特別な治具を用いることなく、コレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７とを位置決めすることができる。つまり、二つのリードフレームを用いる場合よりも、治具を減らすことができる。

このように、治具を減らすことができるので、治具代が不要となるだけではなく、ラインの短縮化にもつながる。言い換えると、治具をセットする機械（機構、機能）が不要になる。

また、本願発明は、コレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７と連結部１２とを含むリードフレーム２０を用いている。つまり、コレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７とを連結した形状にした為、今まで無駄にしていた部分を必要部分として使用できる。よって、材料歩留まりを高く（取れ数を増加）することができる。

また、同じ基材（リードフレーム２０のもとになる金属部材）における比較的近い箇所を、コレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７とに使うことができる。よって、コレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７の厚さバラつきを抑制することができる。例えば、コレクタ側端子部３とエミッタ側端子部９の厚みを同等にすることができる。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に何ら制限されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能である。

（変形例１）
上述の実施形態においては、リードフレーム２０として、図４に示すように、配置工程後において吊りリード部４と吊りリード部１０とが重なるものを採用したが、本発明はこれに限定されるものではない。図９（ａ）に示す変形例１のリードフレーム２０ａように、配置工程後に吊りリード部４ａと吊りリード部１０ａとが重ならないようにずらしたものを採用すると好ましい。なお、変形例１と上述の実施形態とは、準備工程以外は同様である。

リードフレーム２０ａは、コレクタ側リード部１ａ、エミッタ側リード部７ａ、連結部１２を含むものである。上述の実施形態と同様に、リードフレーム２０ａは、コレクタ側リード部１ａ、エミッタ側リード部７ａ、連結部１２が一体物として構成されたものである。

なお、変形例１のリードフレーム２０ａでは、上述の実施形態のリードフレーム２０と同じ構成要素には同じ符号を付与しているものもある。例えば、連結部１２（第１突出部１３、中間部１４、第２突出部１５）、位置決め凹部６、位置決め凸部１１などである。

また、エミッタ側リード部７ａは、上述の実施形態のエミッタ側リード部７と同様であるが、便宜上異なる符合を付与している箇所もある。具体的には、エミッタ側リード部７ａの各部位には、エミッタ側リード部７における対応する箇所の符号の後に「ａ」を付与している。よって、例えば、エミッタ側端子部９ａとエミッタ側端子部９は同様のものである。

また、コレクタ側リード部１ａは、上述の実施形態のコレクタ側リード部１と吊りリード部４ａの形状が異なるが、吊りリード部４ａ以外は同様である。しかしながら、コレクタ側リード部１ａでは、吊りリード部４ａ以外に関しても、便宜上コレクタ側リード部１と異なる符号を付与している。よって、例えば、コレクタ側端子部３ａとコレクタ側端子部３は同様のものである。

ところで、上述のモールド工程は、周知技術の金型７０を用いて行う。金型７０は、周知技術であるため詳しい説明は省略するが、例えば、箱状の上型と箱状の下型とを有する。そして、上型の縁部と下型の縁部とを対向させつつ、上型と下型とを組み合わせることによって上型と下型との間にキャビティが形成されるものである。このキャビティ内に、リードフレーム２０ａ、半導体素子３０などにおけるモールドする部位を配置した状態で、キャビティ内にモールド樹脂を流しこむ。これによって、モールドすることができる。

このようにモールドする際、リードフレーム２０ａの吊りリード部４ａ、吊りリード部１０ａの一部などは、上型の縁部と下型の縁部とに挟み込まれる。そこで、準備工程では、金型７０の上型の縁部と下型の縁部とで挟み込まれる部位（上型の縁部と下型の縁部との対向領域）において、吊りリード部４ａと吊りリード部１０ａとが重ならないように設けられたリードフレーム２０ａを準備する。これによって、図９（ｂ）に示すように、特別な金型を用いることなく、モールド工程を行うことができる。

なお、変形例１においては、位置決め凹部６ａを含むリードフレーム２０ａを採用しているが、本願発明はこれに限定されるものではない。位置決め凹部６ａを含まないリードフレーム２０ａを採用してもよい。同様に、変形例１においては、位置決め凸部１１ａを含むリードフレーム２０ａを採用しているが、本願発明はこれに限定されるものではない。位置決め凸部１１ａを含まないリードフレーム２０ａを採用してもよい。また、位置決め凸部１１ａを含むリードフレーム２０ａを採用する場合は上述の実施形態と同様に、連結部１２から最も離れた位置、又は、最も離れた位置を含む三箇所に位置決め凸部１１ａを設けると好ましい。

なお、変形例１における技術内容は、他の変形例に適宜組み合わせて実施することも可能である。

（変形例２）
上述の実施形態においては、リードフレーム２０として、図１に示すような連結部１２を含むものを採用したが、本発明はこれに限定されるものではない。図１０に示す変形例２のリードフレーム２０ｂのように、連結部１２ｂを含むものであってもよい。つまり、上述の実施形態においては、配置工程として、連結部１２を折り曲げて変形させる例を採用したが、本発明はこれに限定されるものではない。変形例２で示すように、配置工程では、連結部１２ｂを捻じって変形させるようにしてもよい。なお、変形例２と上述の実施形態とは、準備工程と配置工程以外は同様である。

リードフレーム２０ｂは、コレクタ側リード部１ｂ、エミッタ側リード部７ｂ、連結部１２ｂを含むものである。上述の実施形態と同様に、リードフレーム２０ｂは、コレクタ側リード部１ｂ、エミッタ側リード部７ｂ、連結部１２ｂが一体物として構成されたものである。リードフレーム２０ｂは、連結部１２ｂの構成がリードフレーム２０と異なる。連結部１２ｂは、単にコレクタ側リード部１ｂとエミッタ側リード部７ｂとを連結している直線形状の部位（細線）である。よって、連結部１２ｂには、位置決め凹部６や位置決め凸部１１は設けられていない。

つまり、準備工程では、コレクタ側リード部１ｂ、エミッタ側リード部７ｂ、及び直線状の連結部１２ｂを含むリードフレーム２０ｂを準備する。そして、配置工程では、連結部１２ｂを捻じって変形させる。このようにしても、半導体素子３０のエミッタ電極３２にエミッタ側放熱部８を対向させて配置し、コレクタ側放熱部２とエミッタ側放熱部８とで半導体素子３０を挟み込むことができる。

なお、変形例２のリードフレーム２０ｂでは、上述の実施形態のリードフレーム２０と同じ構成要素には同じ符号を付与しているものもある。例えば、位置決め凹部６、位置決め凸部１１などである。

また、エミッタ側リード部７ｂは、上述の実施形態のエミッタ側リード部７と同様であるが、便宜上異なる符合を付与している箇所もある。具体的には、エミッタ側リード部７ｂの各部位には、エミッタ側リード部７における対応する箇所の符号の後に「ｂ」を付与している。よって、例えば、エミッタ側端子部９ｂとエミッタ側端子部９は同様のものである。

同様に、コレクタ側リード部１ｂは、上述の実施形態のコレクタ側リード部１と同様であるが、便宜上異なる符合を付与している箇所もある。具体的には、コレクタ側リード部１ｂの各部位には、コレクタ側リード部１における対応する箇所の符号の後に「ｂ」を付与している。よって、例えば、コレクタ側端子部３ｂとコレクタ側端子部３は同様のものである。

なお、変形例２においては、位置決め凹部６ｂを含むリードフレーム２０ｂを採用しているが、本願発明はこれに限定されるものではない。位置決め凹部６ｂを含まないリードフレーム２０ｂを採用してもよい。同様に、変形例２においては、位置決め凸部１１ｂを含むリードフレーム２０ｂを採用しているが、本願発明はこれに限定されるものではない。位置決め凸部１１ｂを含まないリードフレーム２０ｂを採用してもよい。また、位置決め凸部１１ｂを含むリードフレーム２０ｂを採用する場合は上述の実施形態と同様に、連結部１２ｂから最も離れた位置、又は、最も離れた位置を含む三箇所に位置決め凸部１１ｂを設けると好ましい。さらに、変形例２においては、吊りリード４ｂ、吊りリード部１０ｂを含むリードフレーム２０ｂを採用しているが、本願発明はこれに限定されるものではない。吊りリード４ｂ、吊りリード部１０ｂを含まないリードフレーム２０ｂを採用してもよい。

また、変形例２における技術内容は、他の変形例に適宜組み合わせて実施することも可能である。

（変形例３）
上述の実施形態においては、リードフレーム２０として、図１に示すように、コレクタ側放熱部２とエミッタ側放熱部８との間に、コレクタ側端子部３、エミッタ側端子部９、連結部１２が設けられたものを採用したが、本発明はこれに限定されるものではない。図１１に示す変形例３のリードフレーム２０ｃのように、連結部１２はコレクタ側放熱部２ｃとエミッタ側放熱部８ｃとの間に設けられ、コレクタ側端子部３とエミッタ側端子部９は、コレクタ側放熱部２ｃとエミッタ側放熱部８ｃとの間以外に設けられるものであってもよい。なお、変形例３と上述の実施形態とは、準備工程以外は同様である。

リードフレーム２０ｃは、コレクタ側リード部１ｃ、エミッタ側リード部７ｃ、連結部１２を含むものである。上述の実施形態と同様に、リードフレーム２０ｃは、コレクタ側リード部１ｃ、エミッタ側リード部７ｃ、連結部１２が一体物として構成されたものである。リードフレーム２０ｃは、主に、連結部１２の位置がリードフレーム２０と異なる。リードフレーム２０ｃにおける連結部１２は、コレクタ側放熱部２ｃとエミッタ側放熱部８ｃを直接連結している。つまり、準備工程では、コレクタ側リード部１ｃ、エミッタ側リード部７ｃ、及びコレクタ側放熱部２ｃとエミッタ側放熱部８ｃを直接連結している連結部１２を含むリードフレーム２０ｃを準備する。

なお、リードフレーム２０ｃは、連結部１２の位置がリードフレーム２０と異なるため、コレクタ側端子部３ｃの位置、エミッタ側端子部９ｃの位置、吊りリード４ｃの形状及び位置、吊りリード部１０ｃの形状及び位置に関しても、リードフレーム２０と異なっている。具体的には、コレクタ側端子部３ｃやエミッタ側端子部９ｃは、コレクタ側放熱部２ｃとエミッタ側放熱部８ｃとの間以外に設けられている。また、吊りリード４ｃは、コレクタ側放熱部２ｃの二辺を囲うように設けられている。同様に、吊りリード部１０ｃは、エミッタ側放熱部８ｃの二辺を囲うように設けられている。準備工程において、このようなリードフレーム２０ｃを準備したとしても、上述の実施形態と同様の効果を奏することができる。

なお、変形例３における連結部１２は、上述の実施形態で説明した連結部１２や変形例２で説明した連結部１２ｂを採用することができる。たただし、図１１においては、連結部１２を単純化して図示している。

また、この変形例において、コレクタ側端子部３ｃとエミッタ側端子９ｃとの間に連結部１２を設けてもよい。このようにすることによっても、コレクタ側端子部３ｃとエミッタ側端子部９ｃとの間のスペースを有効活用することができる。

また、変形例３においては、位置決め凹部６ｃを含むリードフレーム２０ｃを採用しているが、本願発明はこれに限定されるものではない。位置決め凹部６ｃを含まないリードフレーム２０ｃを採用してもよい。同様に、変形例３においては、位置決め凸部１１ｃを含むリードフレーム２０ｃを採用しているが、本願発明はこれに限定されるものではない。位置決め凸部１１ｃを含まないリードフレーム２０ｃを採用してもよい。また、位置決め凸部１１ｃを含むリードフレーム２０ｂを採用する場合は上述の実施形態と同様に、連結部１２から最も離れた位置、又は、最も離れた位置を含む三箇所に位置決め凸部１１ｂを設けると好ましい。さらに、変形例３においては、吊りリード４ｃ、吊りリード部１０ｃを含むリードフレーム２０ｃ採用しているが、本願発明はこれに限定されるものではない。吊りリード４ｃ、吊りリード部１０ｃを含まないリードフレーム２０ｃを採用してもよい。

また、変形例３における技術内容は、他の変形例に適宜組み合わせて実施することも可能である。

（変形例４）
上述の実施形態においては、リードフレーム２０として、図１に示すように、押し出し加工によって形成された位置決め凸部１１を含むものを採用したが、本発明はこれに限定されるものではない。図１２に示す変形例４のリードフレーム２０ｄのように、折り曲げ加工によって形成される位置決め凸部１１ｄを含むものであってもよい。なお、変形例４と上述の実施形態とは、準備工程以外は同様である。

リードフレーム２０ｄは、コレクタ側リード部１ｄ、エミッタ側リード部７ｄ、連結部１２ｄを含むものである。上述の実施形態と同様に、リードフレーム２０ｄは、コレクタ側リード部１ｄ、エミッタ側リード部７ｄ、連結部１２ｄが一体物として構成されたものである。リードフレーム２０ｄは、主に、位置決め凸部１１ｄの構成がリードフレーム２０と異なる。つまり、準備工程では、コレクタ側リード部１ｄ、位置決め凸部１１ｄを含むエミッタ側リード部７ｄ、及び連結部１２ｄを含むリードフレーム２０ｄを準備する。

位置決め凸部１１ｄは、吊りリード部１０ｄにプレス加工及び折り曲げ加工などを施すことによって形成される。具体的には、図１３（ａ）に示すように、吊りリード部１０ｄは、位置決め凸部１１ｄとなる部位の周辺をきりとられている。なお、吊りリード部１０ｄは、位置決め凸部１１ｄとなる部位とその他の部位との境界に折り代１１ｄ１が設けられていると好ましい。なお、位置決め凸部１１ｄとなる部位の周辺を切り取った段階（図１２の状態）では、位置決め凸部１１ｄで位置決めを行うことができない。従って、図１３（ｂ）に示すように、折り代１１ｄ１を起点として、吊りリード部１０ｄを変形させる。言い換えると、位置決め凸部１１ｄを起立させる。位置決め凸部１１ｄは、このようにして形成されている。

この位置決め凸部１１ｄは、このようにして形成されるため、上述の実施形態で説明した押し出し加工によって形成される場合よりも、長さを調整しやすい。言い換えると、位置決め凸部１１ｄは、上述の実施形態における位置決め凸部１１よりも、高精度に規定の長さとなっている。従って、配置工程後におけるコレクタ側リード部１とエミッタ側リード部７との間隔を高精度に規定することができる。

さらに、この位置決め凸部１１ｄと、吊りリード部１０ｄにおけるその他の部位とのなす角度が９０°になるように折り曲げると好ましい。また、この位置決め凸部１１ｄは、上述の実施形態と同様に、連結部１２ｂから最も離れた位置、又は、最も離れた位置を含む三箇所に設けると好ましい。

なお、変形例４のリードフレーム２０ｄでは、上述の実施形態のリードフレーム２０と同じ構成要素には同じ符号を付与しているものもある。例えば、連結部１２（第１突出部１３、中間部１４、第２突出部１５）などである。

また、コレクタ側リード部１ｄは、上述の実施形態のコレクタ側リード部１と同様であるが、便宜上異なる符合を付与している箇所もある。具体的には、コレクタ側リード部１ｄの各部位には、コレクタ側リード部１における対応する箇所の符号の後に「ｄ」を付与している。よって、例えば、コレクタ側端子部３ｄとコレクタ側端子部３は同様のものである。

また、エミッタ側リード部７ｄは、位置決め凸部１１ｄ以外、上述の実施形態のエミッタ側リード部７と同様であるが、便宜上異なる符合を付与している箇所もある。具体的には、エミッタ側リード部７ｄの各部位には、エミッタ側リード部７における対応する箇所の符号の後に「ｄ」を付与している。よって、例えば、エミッタ側端子部９ｄとエミッタ側端子部９は同様のものである。

なお、変形例４においては、位置決め凹部６を含まないリードフレーム２０ｄを採用しているが、本願発明はこれに限定されるものではない。位置決め凹部を含むリードフレーム２０ｄであっても採用することができる。また、変形例４における技術内容は、他の変形例に適宜組み合わせて実施することも可能である。

（変形例５）
上述の実施形態においては、リードフレーム２０として、図１に示すように、吊りリード部４、吊りリード部１０を含むものを採用したが、本発明はこれに限定されるものではない。図１４に示す変形例５のリードフレーム２０ｅのように、吊りリード部１０を含まないものであってもよい。なお、変形例５と上述の実施形態とは、準備工程以外は同様である。

リードフレーム２０ｅは、コレクタ側リード部１ｅ、エミッタ側リード部７ｅ、連結部１２を含むものである。上述の実施形態と同様に、リードフレーム２０ｅは、コレクタ側リード部１ｅ、エミッタ側リード部７ｅ、連結部１２が一体物として構成されたものである。つまり、準備工程では、コレクタ側リード部１ｅ、エミッタ側リード部７ｅ、及び連結部１２を含むリードフレーム２０ｅを準備する。

このエミッタ側リード部７ｅは、吊りリードが設けられていない。また、コレクタ側リード部１ｅは、コレクタ側放熱部２ｅと信号用端子５とを連結するための吊りリード４ｅが設けられている。つまり、コレクタ側リード部１ｅは、位置決め凹部が設けられる吊りリード４ｅが設けられていない。従って、リードフレーム２０ｅは、上述のリードフレーム２０よりも体格を小さくすることができる。

また、エミッタ側リード部７ｅは、吊りリード部が設けられていない。よって、位置決め凸部１１は、エミッタ側放熱部８ｅに設けられている。ところが、上述のように、コレクタ側リード部１ｅとエミッタ側リード部７ｅとは、直接接続されないようにする必要がある。そこで、コレクタ側放熱部２ｅは、配置工程において位置決め凸部１１が当接される位置に絶縁部材１６が設けられている。つまり、準備工程では、リードフレーム２０ｅとして、コレクタ側放熱部２ｅ又はエミッタ側放熱部８ｅに位置決め凸部１１が設けられ、相手側リード部における放熱部は位置決め凸部１１が当接される位置に絶縁部材１６が設けられたものを準備する。そして、配置工程では、位置決め凸部１１を絶縁部材１６に当接させる。このように、位置決め凸部１１を絶縁部材１６に当接させることによって、位置決め凸部１１を介してコレクタ側リード部１ｅとエミッタ側リード部７ｅとが電気的に接続されることを防止することができる。言い換えると、このようにすることによって、吊りリード部４や吊りリード部１０が設けられたリードフレーム２０を用いる必要がない。従って、上述のように、リードフレーム２０ｅの体格を、上述のリードフレーム２０の体格よりも小さくすることができる。

なお、変形例５のリードフレーム２０ｅでは、上述の実施形態のリードフレーム２０と同じ構成要素には同じ符号を付与しているものもある。例えば、連結部１２（第１突出部１３、中間部１４、第２突出部１５）、位置決め凹部６、位置決め凸部１１などである。また、コレクタ側端子部３ｅは、コレクタ側端子部３と同様のものである。エミッタ側端子部９ｅは、エミッタ側端子部９と同様のものである。

（変形例６）
上述の実施形態においては、ＩＧＢＴとダイオードを含む半導体装置（１ｉｎ１構造の半導体装置）の製造方法に関して説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明は、例えば、二つのＲＣ−ＩＧＢＴや、二つのＭＯＳＦＥＴを含む半導体装置であっても製造することができる。変形例６では、Ｕ字２ｉｎ１構造の半導体装置の製造方法に関して説明する。

図１５に示すように、準備工程では、第一リード部１ｆと、第二リード部７ｆと、二つの連結部１２を含むリードフレーム２０ｆを準備する。

第一リード部１ｆは、主に、第一放熱部２ｆと第一端子部３ｆとを含む。そして、第一放熱部２ｆは、上アームコレクタ側放熱部２ｆ１、下アームエミッタ側放熱部２ｆ２を含む。第一端子部３ｆは、上アームコレクタ側端子部３ｆ１、下アームエミッタ側端子部３ｆ２を含む。言い換えると、第一放熱部２ｆは、二つの放熱部を含むものである。また、第一端子部３ｆは、二つの端子部を含むものである。

また、上アームコレクタ側放熱部２ｆ１と上アームコレクタ側端子部３ｆ１とは、一方の半導体素子３０（図面左側、上アーム側半導体素子）のコレクタ電極に対応する部位である。上アームコレクタ側放熱部２ｆ１は、例えば矩形形状を成すものである。そして、上アームコレクタ側端子部３ｆ１は、例えば、上アームコレクタ側放熱部２ｆ１における一つの側面に対する鉛直方向に突出して設けられている。

一方、下アームエミッタ側放熱部２ｆ２と下アームエミッタ側端子部３ｆ２とは、他方の半導体素子３０（図面右側、下アーム側半導体素子）のエミッタ電極に対応する部位である。下アームエミッタ側放熱部２ｆ２は、例えば矩形形状を成すものである。そして、下アームエミッタ側端子部３ｆ２は、例えば、下アームエミッタ側放熱部２ｆ２における一つの側面に対する鉛直方向に突出して設けられている。

第二リード部７ｆは、主に、共通放熱部８ｆと共通端子部９ｆとを含む。この共通放熱部８ｆは、上アーム側半導体素子３０のエミッタ電極、下アーム側半導体素子３０のコレクタ電極に接続されるものである。例えば、上述の実施形態と同様に、共通放熱部８ｆは、上アーム側半導体素子３０のエミッタ電極とターミナルを介して接続されるとともに、下アーム側半導体素子３０のコレクタ電極にターミナルを介して接続される。この共通放熱部８ｆと、共通放熱部８ｆから突出して設けられる共通端子部９ｆとは、上アーム側半導体素子３０と下アーム側半導体素子３０とに共通に用いられる部位である。言い換えると、上アーム側半導体素子３０と下アーム側半導体素子３０とは、共通放熱部８ｆと共通端子部９ｆとを共有する。

この第一リード部１ｆと第二リード部７ｆとは、上述の実施形態と同様に、各端子部（３ｆ１、３ｆ２、９ｆ）が、夫々の長手方向が並列に配置されている。そして、連結部１２は、上アームコレクタ側端子部３ｆ１と共通端子部９ｆとの間、及び下アームエミッタ側端子部３ｆ２と共通端子部９ｆとの間に配置されている。また、第一リード部１ｆが、第二リード部７ｆにおける共通端子部９ｆの突出方向に配置され、第二リード部７ｆが、第一リード部１ｆにおける上アームコレクタ側端子部３ｆ１及び下アームエミッタ側端子部３ｆ２の突出方向に配置されている。

また、上アームコレクタ側放熱部２ｆ１と下アームエミッタ側放熱部２ｆ２の夫々には、絶縁部材１６が設けられている。また、共通放熱部８ｆには、位置決め凸部１１が設けられている。ただし、絶縁部材１６及び位置決め凸部１１は、設けられていなくてもよい。

このようなリードフレーム２０ｆを準備する準備工程後には、二つの連結部１２の夫々を上述の配置工程時と同様に変形させる配置工程を行う。なお、その他の工程に関しては、上述の実施形態と同様である。このようにすることによっても、上述の実施形態と同様の効果を奏することができる。

なお、本変形例においても、上述の実施形態と同様に、吊りリード部が設けられたリードフレームを準備してもよい。そして、この吊りリード部に位置決め凸部、及び位置決め凸部と位置決め凹部が設けられたリードフレームを準備してもよい。

（変形例７）
上述の実施形態においては、ＩＧＢＴとダイオードを含む半導体装置（１ｉｎ１構造の半導体装置）の製造方法に関して説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明は、例えば、二つのＲＣ−ＩＧＢＴや、二つのＭＯＳＦＥＴを含む半導体装置であっても製造することができる。変形例７では、Ｎ字２ｉｎ１構造の半導体装置の製造方法に関して説明する。

図１６に示すように、準備工程では、第一リード部１ｇと、第二リード部７ｇと、連結部１２を含むリードフレーム２０ｇを準備する。

第一リード部１ｇは、主に、第一放熱部２ｇと上アームコレクタ側端子部３ｇとを含む。そして、第一放熱部２ｇは、上アームコレクタ側放熱部２ｇ１、下アームコレクタ側放熱部２ｇ２を含む。言い換えると、第一放熱部２ｇは、二つの放熱部を含むものである。

また、上アームコレクタ側放熱部２ｇ１と上アームコレクタ側端子部３ｇとは、一方の半導体素子３０（図面左側、上アーム側半導体素子３０）のコレクタ電極に対応する部位である。上アームコレクタ側放熱部２ｇ１は、例えば矩形形状を成すものである。そして、上アームコレクタ側端子部３ｇは、例えば、上アームコレクタ側放熱部２ｇ１における一つの側面に対する鉛直方向に突出して設けられている。

一方、下アームコレクタ側放熱部２ｇ２は、他方の半導体素子３０（図面右側、下アーム側半導体素子３０）のコレクタ電極に対応する部位である。下アームコレクタ側放熱部２ｇ２は、例えば矩形形状を成すものである。

第二リード部７ｇは、主に、第二放熱部８ｇと第二端子部９ｇとを含む。そして、第二放熱部８ｇは、上アームエミッタ側放熱部８ｇ１、下アームエミッタ側放熱部８ｇ２を含む。また、第二端子部９ｇは、上アームエミッタ側端子部９ｇ１、下アームエミッタ側端子部９ｇ２を含む。言い換えると、第二放熱部８ｇは、二つの放熱部を含むものである。また、第二端子部９ｇは、二つの端子部を含むものである。

上アームエミッタ側放熱部８ｇ１と上アームエミッタ側端子部９ｇ１とは、上アーム側半導体素子３０のエミッタ電極に対応する部位である。上アームエミッタ側放熱部８ｇ１は、例えば矩形形状を成すものである。そして、上アームエミッタ側端子部９ｇ１は、例えば、上アームエミッタ側放熱部８ｇ１における一つの側面に対する鉛直方向に突出して設けられている。さらに、上アームエミッタ側放熱部８ｇ１には、自身と下アームコレクタ側放熱部２ｇ２とを電気的に接続するための電極接続部８１ｇが設けられている。電極接続部８１ｇは、接続工程時に、下アームコレクタ側放熱部２ｇ２（例えば、下アームコレクタ側放熱部２ｇ２の点線で囲われた領域）に電気的及び機械的に接続される。なお、この電極接続部８１ｇは、下アームコレクタ側放熱部２ｇ２に設けられていてもよい。

一方、下アームエミッタ側放熱部８ｇ２と下アームエミッタ側端子部９ｇ２とは、下アーム側半導体素子３０のエミッタ電極に対応する部位である。下アームエミッタ側放熱部８ｇ２は、例えば矩形形状を成すものである。そして、下アームエミッタ側端子部９ｇ２は、例えば、下アームエミッタ側放熱部８ｇ２における一つの側面に対する鉛直方向に突出して設けられている。

この第一リード部１ｇと第二リード部７ｇとは、上述の実施形態と同様に、各端子部（３ｇ、９ｇ１、９ｇ２）が、夫々の長手方向が並列に配置されている。そして、連結部１２は、上アームコレクタ側端子部３ｇと上アームエミッタ側端子部９ｇ１との間に配置されている。なお、上アームエミッタ側端子部９ｇ１と下アームエミッタ側端子部９ｇ２との間には、切断工程にて切り離される吊りリード部１０ｇが設けられている。

また、第一リード部１ｇが、第二リード部７ｇにおける上アームエミッタ側端子部９ｇ１及び下アームエミッタ側端子部９ｇ２の突出方向に配置され、第二リード部７ｇが、第一リード部１ｇにおける上アームコレクタ側端子部３ｇの突出方向に配置されている。

なお、上アームコレクタ側放熱部２ｇ１と下アームコレクタ側放熱部２ｇ２の夫々には、絶縁部材１６が設けられている。また、上アームエミッタ側放熱部８ｇ１と下アームエミッタ側放熱部８ｇ２の夫々には、位置決め凸部１１が設けられている。ただし、絶縁部材１６及び位置決め凸部１１は、設けられていなくてもよい。

このようなリードフレーム２０ｇを準備する準備工程以外の工程に関しては、上述の実施形態と同様である。このようにすることによっても、上述の実施形態と同様の効果を奏することができる。

１コレクタ側リード部、２コレクタ側放熱部、３コレクタ側端子部、４吊りリード部、５信号用端子、６位置決め凹部、７エミッタ側リード部、８エミッタ側放熱部、９エミッタ側端子部、１０吊りリード部、１１位置決め凸部、１２連結部、１３第１突出部、１４中間部、１５第２突出部、１６絶縁部材、１７折り代、２０リードフレーム、３０半導体素子、３１コレクタ電極、３２エミッタ電極、４０ターミナル、５０ボンディングワイヤ、６０モールド樹脂

Claims

第一主面電極（３１）と、第一主面電極の反対面に第二主面電極（３２）とを有する半導体素子（３０）と、前記第一主面電極に接続され前記半導体素子から発せられた熱を放熱する第一放熱部（２、２ａ〜２ｇ）を有する第一リード部（１、１ａ〜１ｇ）と、前記第二主面電極に接続され前記半導体素子から発せられた熱を放熱する第二放熱部（８、８ａ〜８ｇ）を有する第二リード部（７、７ａ〜７ｇ）とを備え、前記半導体素子の前記第一主面電極と前記第二主面電極に対して、別々に前記第一リード部と前記第二リード部とが接続された半導体装置の製造方法であって、
前記第一リード部と、前記第二リード部と、前記第一リード部と前記第二リード部とを連結している連結部（１２、１２ｂ）と、を有する金属からなるリードフレーム（２０、２０ａ〜２０ｇ）を準備する準備工程と、
前記準備工程後に、前記第一放熱部に前記第一主面電極を対向させて、前記リードフレームに前記半導体素子を搭載する搭載工程と、
前記搭載工程後に、前記連結部を変形させることで、前記第二主面電極に前記第二放熱部を対向させて配置し、前記第一放熱部と前記第二放熱部とで前記半導体素子を挟み込む配置工程と、
前記配置工程後に、前記第一主面電極と前記第一放熱部、前記第二主面電極と前記第二放熱部とを電気的に接続する接続工程と、
前記接続工程後に、前記連結部を切断して、前記第一リード部と前記第二リード部とを分離する切断工程と、
を特徴とする半導体装置の製造方法。
前記準備工程では、前記リードフレーム（２０、２０ａ、２０ｃ〜２０ｇ）として、前記配置工程後における前記第一リード部（１、１ａ、１ｃ〜１ｇ）と前記第二リード部（７、７ａ、７ｃ〜７ｇ）との間隔を規定する前記連結部（１２）が設けられたものを準備することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
前記準備工程では、前記リードフレームとして、前記連結部にＶ字形状の溝である折り代（１７）が二つ設けられ、該折り代である溝のなす角度の合計が１８０度であるものを準備し、
前記配置工程では、前記折り代を起点として、当該折り代であるＶ字形状の溝が閉じるように前記連結部を折り曲げ変形させることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
前記準備工程では、前記リードフレーム（２０、２０ａ、２０ｂ、２０ｄ〜２０ｇ）として、
前記第一放熱部（２、２ａ、２ｂ、２ｄ〜２ｇ）から突出して設けられた第一端子部（３、３ａ、３ｂ、３ｄ〜３ｇ）を含む前記第一リード部（１、１ａ、１ｂ、１ｄ〜１ｇ）と、
前記第二放熱部（８、８ａ、８ｂ、８ｄ〜８ｇ）から突出して設けられた第二端子部（９、９ａ、９ｂ、９ｄ〜９ｇ）を含む前記第二リード部（７、７ａ、７ｂ、７ｄ〜７ｇ）と、を有し、
前記第一端子部（３、３ａ、３ｂ、３ｄ〜３ｇ）と前記第二端子部（９、９ａ、９ｂ、９ｄ〜９ｇ）とが、夫々の長手方向が並列に配置されており、
前記連結部（１２、１２ｂ）が、前記第一端子部（３、３ａ、３ｂ、３ｄ〜３ｇ）と前記第二端子部（９、９ａ、９ｂ、９ｄ〜９ｇ）との間に配置されたものを準備することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
前記準備工程では、前記リードフレームとして、
前記第一リード部が、前記第二リード部における前記第二端子部の突出方向に配置され、
前記第二リード部が、前記第一リード部における前記第一端子部の突出方向に配置されたものを準備することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
前記準備工程では、前記リードフレームとして、前記第一リード部又は前記第二リード部に、配置工程後における前記第一リード部と前記第二リード部との間隔を規定する凸部（１１、１１ｄ）が設けられたものを準備し、
前記配置工程では、前記凸部（１１、１１ｄ）を相手側リード部に当接させることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
前記準備工程では、前記リードフレームとして、前記凸部が少なくとも前記連結部から最も離れた位置に設けられたものを準備することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
前記準備工程では、前記リードフレームとして、前記連結部から最も離れた位置を含む少なくとも三箇所に前記凸部が設けられたものを準備することを特徴とする請求項６又は７に記載の半導体装置の製造方法。
前記準備工程では、前記リードフレーム（２０、２０ａ〜２０ｄ）として、
前記切断工程にて切り離される第一吊り部（４、４ａ〜４ｄ）を含む第一リード部（１、１ａ〜１ｄ）と、
前記配置工程後に前記第一リード部（１、１ａ〜１ｄ）と対向配置されるものであり切断工程にて切り離される第二吊り部（１０、１０ａ〜１０ｄ）を含む第二リード部（７、７ａ〜７ｄ）とを有し、
前記第一吊り部又は前記第二吊り部に前記凸部（１１、１１ｄ）が設けられたものを準備し、
前記切断工程では、前記第一吊り部を前記第一放熱部（２、２ａ〜２ｄ）から切り離すとともに、前記第二吊り部を前記第二放熱部（８、８ａ〜８ｄ）から切り離すことを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
前記準備工程では、前記リードフレーム（２０ｅ〜１００ｇ）として、前記第一放熱部（２ｅ〜２ｇ）又は前記第二放熱部（８ｅ〜８ｇ）に前記凸部（１１）が設けられ、相手側リード部における放熱部は前記凸部が当接される位置に絶縁部材（１６）が設けられたものを準備し、
前記配置工程では、前記凸部（１１）を前記絶縁部材（１６）に当接させることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
前記準備工程では、前記リードフレームとして、相手側リード部は前記凸部（１１、１１ｄ）が当接される位置が周辺よりも窪んだ凹部（６）であるものを準備し、
前記配置工程では、前記凸部を前記凹部に挿入することを特徴とする請求項６乃至１０のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。