JPS59220967A - Al含量の高いn形導電性GaAlAs半導体材料のための合金電極 - Google Patents

Al含量の高いn形導電性GaAlAs半導体材料のための合金電極

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JPS59220967A
JPS59220967A JP59098924A JP9892484A JPS59220967A JP S59220967 A JPS59220967 A JP S59220967A JP 59098924 A JP59098924 A JP 59098924A JP 9892484 A JP9892484 A JP 9892484A JP S59220967 A JPS59220967 A JP S59220967A
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JP
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semiconductor material
metal layer
layer
aluminum content
electrode
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JP59098924A
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English (en)
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ヴエルナ−・シヤイラ−
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Telefunken Electronic GmbH
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Telefunken Electronic GmbH
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28575Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 従来の技術: 単結晶G a A I Asの電極のため現在まで主と
してn形導電性ガリウムーヒ素用の電極材料が使用さ扛
た。こ′t′Lは金−ゲルマニウムまたは金−スズ合金
である。しかし単結晶半尋体拐料のアルミニウム含量上
昇とともに低いオーム接触ヲつくるのが次第に困難にな
ることが明らかになった。とくにアルミニウム3昂が4
5〜55%の場合、金−ゲルマニウム電極はもにやオー
ム挙動を示さず、きわめて高い接触抵抗が生ずることが
確認さnた。
発明のl]的および構成: 本発明の目的は接触抵抗の低い良好なオーム挙動を示し
、同時に単結晶半導体材料に良好に付着する、アルミニ
ウム含量の高いn形導電性GaAlAs半尋体拐料のた
めの合金電極を得ることである。この目的に本発明によ
り半導体材料に周期表IVB、VBおよびVIB族の金
属からなる第1層を配置し、この金属層を金−ゲルマニ
ウム合金からなる第2金属層で蔽うことによって解決さ
nる。
第1金属層はとくに第2金属層より著しく薄く、有利な
実施例ではクロムまたにチタンからなる。この電極は半
導体材料のアルミニウム含量が30重量%より高い場@
きわめて良好なオーム性を示し、この性質にアルミニウ
ム含量が45〜55%に達する場合も維持さ扛る。
実施例: 次に本発明を実施例によシ説明する。
半導体本体1はたとえばp形導電性GaAlAsからな
る第1エピタキシアル層3を設置したp形導電性ガリウ
ムーヒ素基板2からなる。p形導電層3は次にn形導電
性GaAlAsの第2エピタキシアル層ヰで蔽わする。
半導体装置の横には曲線8によって半導体構成素子の種
々の層のアルミニウム含量が示さnる。曲線8が示すよ
うにn形導電性GaAlAs層4の表面のアルミニウム
含量ff40%以」二である。
p形導電性ガリウムーヒ素基板2ばとくに金−亜鉛台金
からなる電極7で導電性に接続さする。n形導電性Ga
AlAs層4は層5および6からなる電極を備える。半
導体表面にまずとくにチタンまたはクロムからなる層5
が設置さnる。チタンまたはクロム層に3〜40 nm
  の厚さを有し、チタンまたはクロム層の上に配置し
た金−ゲルマニウム合金からなる金属JfflU100
〜1000 nm  の層厚を有する。
第1金属層の材料としてチタンまたはクロムのほかに金
属バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、モ1へブデン、
ハフニウム、タンタルまたはタングステンも使用さnる
図示の半導体装置を製造するためエピタキシアル層3お
よび牛を設置した後、半導体表面を適当な溶剤で洗浄す
る。次に半導体装置を蒸着装置へ装入し、その際蒸着す
る表面へ所定の電極・ξターンを有する金属マスクを設
置する。数mbar X I Q  のアルゴン中で5
分間グロー法によりエピタキシアル層4の表面をチタン
M着のため前処理する。次に層厚約15nm のチタン
層を蒸着する。第2蒸着工程で層厚約150nm  の
金−ゲルマニウム合金を蒸着し、そのゲルマニウム分t
rJ、2〜13%である。
最後に蒸着電極を備えた半導体装置を牛50℃で10分
間熱処理し、その際蒸着した金属層は半導体本体と合金
する。このように製造した電極は完全にオーム性であり
、単結晶半導体材料に対する電極の付着はきわめて良好
なことが明らかになった。n〜10  cm  の範囲
の電子濃度および約40%のアルミニウム含量で2〜牛
・10 Ωdの範囲の接触抵抗が達成さnる
【図面の簡単な説明】
図面fl GaAlAsダイオードの斜視図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ■、半導体材料(4)JJC周期表FIVE、VBまた
    はVIB族の金属からなる第1層(5)が配置さn、こ
    の金属層が金−ゲルマニウム合金からなる第2金属層〔
    6〕で蔽ゎ扛ていることを特徴とするAl@量の高いn
    形導電性GaA]4s半導体材料のだめの合金電極。 2 第1金属層(5〕が第2金属層(6〕より著しく薄
    い特許請求の範囲第1項記載の電極3、第1金属層がク
    ロムまたはチタンからなる特J′「請求の範囲第1項ま
    たに第2項記載の電極。 4、第1金属層〔5〕の厚はか3〜40 nm 、第2
    金属Jクク(6〕の厚さが100〜11000nである
    特許請求の範囲第1項から第3項1でのいずnか1項に
    記載の電極。 5、第2金属層〔6〕の金−ダルマ員つム合金のゲルマ
    ニウム分が2〜13重量%である特許請求の範囲第1項
    記載の電極。 5、  GaAlAs半導体材料のA1含量が30重量
    %より高い特許請求の範囲第1項から第5項までのいす
    扛か1項に記載の電極。
JP59098924A 1983-05-21 1984-05-18 Al含量の高いn形導電性GaAlAs半導体材料のための合金電極 Pending JPS59220967A (ja)

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DE33186839 1983-05-21
DE3318683A DE3318683C1 (de) 1983-05-21 1983-05-21 Legierter Kontakt für n-leitendes GaAlAs-Halbleitermaterial

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JP59098924A Pending JPS59220967A (ja) 1983-05-21 1984-05-18 Al含量の高いn形導電性GaAlAs半導体材料のための合金電極

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FR (1) FR2546334B1 (ja)
IT (1) IT1176068B (ja)

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FR2546334B1 (fr) 1986-12-26
US4613890A (en) 1986-09-23
IT8420572A0 (it) 1984-04-17
IT8420572A1 (it) 1985-10-17
DE3318683C1 (de) 1984-12-13
IT1176068B (it) 1987-08-12

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