JPS59220967A - Al含量の高いn形導電性GaAlAs半導体材料のための合金電極 - Google Patents
Al含量の高いn形導電性GaAlAs半導体材料のための合金電極Info
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28575—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
従来の技術:
単結晶G a A I Asの電極のため現在まで主と
してn形導電性ガリウムーヒ素用の電極材料が使用さ扛
た。こ′t′Lは金−ゲルマニウムまたは金−スズ合金
である。しかし単結晶半尋体拐料のアルミニウム含量上
昇とともに低いオーム接触ヲつくるのが次第に困難にな
ることが明らかになった。とくにアルミニウム3昂が4
5〜55%の場合、金−ゲルマニウム電極はもにやオー
ム挙動を示さず、きわめて高い接触抵抗が生ずることが
確認さnた。
してn形導電性ガリウムーヒ素用の電極材料が使用さ扛
た。こ′t′Lは金−ゲルマニウムまたは金−スズ合金
である。しかし単結晶半尋体拐料のアルミニウム含量上
昇とともに低いオーム接触ヲつくるのが次第に困難にな
ることが明らかになった。とくにアルミニウム3昂が4
5〜55%の場合、金−ゲルマニウム電極はもにやオー
ム挙動を示さず、きわめて高い接触抵抗が生ずることが
確認さnた。
発明のl]的および構成:
本発明の目的は接触抵抗の低い良好なオーム挙動を示し
、同時に単結晶半導体材料に良好に付着する、アルミニ
ウム含量の高いn形導電性GaAlAs半尋体拐料のた
めの合金電極を得ることである。この目的に本発明によ
り半導体材料に周期表IVB、VBおよびVIB族の金
属からなる第1層を配置し、この金属層を金−ゲルマニ
ウム合金からなる第2金属層で蔽うことによって解決さ
nる。
、同時に単結晶半導体材料に良好に付着する、アルミニ
ウム含量の高いn形導電性GaAlAs半尋体拐料のた
めの合金電極を得ることである。この目的に本発明によ
り半導体材料に周期表IVB、VBおよびVIB族の金
属からなる第1層を配置し、この金属層を金−ゲルマニ
ウム合金からなる第2金属層で蔽うことによって解決さ
nる。
第1金属層はとくに第2金属層より著しく薄く、有利な
実施例ではクロムまたにチタンからなる。この電極は半
導体材料のアルミニウム含量が30重量%より高い場@
きわめて良好なオーム性を示し、この性質にアルミニウ
ム含量が45〜55%に達する場合も維持さ扛る。
実施例ではクロムまたにチタンからなる。この電極は半
導体材料のアルミニウム含量が30重量%より高い場@
きわめて良好なオーム性を示し、この性質にアルミニウ
ム含量が45〜55%に達する場合も維持さ扛る。
実施例:
次に本発明を実施例によシ説明する。
半導体本体1はたとえばp形導電性GaAlAsからな
る第1エピタキシアル層3を設置したp形導電性ガリウ
ムーヒ素基板2からなる。p形導電層3は次にn形導電
性GaAlAsの第2エピタキシアル層ヰで蔽わする。
る第1エピタキシアル層3を設置したp形導電性ガリウ
ムーヒ素基板2からなる。p形導電層3は次にn形導電
性GaAlAsの第2エピタキシアル層ヰで蔽わする。
半導体装置の横には曲線8によって半導体構成素子の種
々の層のアルミニウム含量が示さnる。曲線8が示すよ
うにn形導電性GaAlAs層4の表面のアルミニウム
含量ff40%以」二である。
々の層のアルミニウム含量が示さnる。曲線8が示すよ
うにn形導電性GaAlAs層4の表面のアルミニウム
含量ff40%以」二である。
p形導電性ガリウムーヒ素基板2ばとくに金−亜鉛台金
からなる電極7で導電性に接続さする。n形導電性Ga
AlAs層4は層5および6からなる電極を備える。半
導体表面にまずとくにチタンまたはクロムからなる層5
が設置さnる。チタンまたはクロム層に3〜40 nm
の厚さを有し、チタンまたはクロム層の上に配置し
た金−ゲルマニウム合金からなる金属JfflU100
〜1000 nm の層厚を有する。
からなる電極7で導電性に接続さする。n形導電性Ga
AlAs層4は層5および6からなる電極を備える。半
導体表面にまずとくにチタンまたはクロムからなる層5
が設置さnる。チタンまたはクロム層に3〜40 nm
の厚さを有し、チタンまたはクロム層の上に配置し
た金−ゲルマニウム合金からなる金属JfflU100
〜1000 nm の層厚を有する。
第1金属層の材料としてチタンまたはクロムのほかに金
属バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、モ1へブデン、
ハフニウム、タンタルまたはタングステンも使用さnる
。
属バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、モ1へブデン、
ハフニウム、タンタルまたはタングステンも使用さnる
。
図示の半導体装置を製造するためエピタキシアル層3お
よび牛を設置した後、半導体表面を適当な溶剤で洗浄す
る。次に半導体装置を蒸着装置へ装入し、その際蒸着す
る表面へ所定の電極・ξターンを有する金属マスクを設
置する。数mbar X I Q のアルゴン中で5
分間グロー法によりエピタキシアル層4の表面をチタン
M着のため前処理する。次に層厚約15nm のチタン
層を蒸着する。第2蒸着工程で層厚約150nm の
金−ゲルマニウム合金を蒸着し、そのゲルマニウム分t
rJ、2〜13%である。
よび牛を設置した後、半導体表面を適当な溶剤で洗浄す
る。次に半導体装置を蒸着装置へ装入し、その際蒸着す
る表面へ所定の電極・ξターンを有する金属マスクを設
置する。数mbar X I Q のアルゴン中で5
分間グロー法によりエピタキシアル層4の表面をチタン
M着のため前処理する。次に層厚約15nm のチタン
層を蒸着する。第2蒸着工程で層厚約150nm の
金−ゲルマニウム合金を蒸着し、そのゲルマニウム分t
rJ、2〜13%である。
最後に蒸着電極を備えた半導体装置を牛50℃で10分
間熱処理し、その際蒸着した金属層は半導体本体と合金
する。このように製造した電極は完全にオーム性であり
、単結晶半導体材料に対する電極の付着はきわめて良好
なことが明らかになった。n〜10 cm の範囲
の電子濃度および約40%のアルミニウム含量で2〜牛
・10 Ωdの範囲の接触抵抗が達成さnる
間熱処理し、その際蒸着した金属層は半導体本体と合金
する。このように製造した電極は完全にオーム性であり
、単結晶半導体材料に対する電極の付着はきわめて良好
なことが明らかになった。n〜10 cm の範囲
の電子濃度および約40%のアルミニウム含量で2〜牛
・10 Ωdの範囲の接触抵抗が達成さnる
図面fl GaAlAsダイオードの斜視図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、半導体材料(4)JJC周期表FIVE、VBまた
はVIB族の金属からなる第1層(5)が配置さn、こ
の金属層が金−ゲルマニウム合金からなる第2金属層〔
6〕で蔽ゎ扛ていることを特徴とするAl@量の高いn
形導電性GaA]4s半導体材料のだめの合金電極。 2 第1金属層(5〕が第2金属層(6〕より著しく薄
い特許請求の範囲第1項記載の電極3、第1金属層がク
ロムまたはチタンからなる特J′「請求の範囲第1項ま
たに第2項記載の電極。 4、第1金属層〔5〕の厚はか3〜40 nm 、第2
金属Jクク(6〕の厚さが100〜11000nである
特許請求の範囲第1項から第3項1でのいずnか1項に
記載の電極。 5、第2金属層〔6〕の金−ダルマ員つム合金のゲルマ
ニウム分が2〜13重量%である特許請求の範囲第1項
記載の電極。 5、 GaAlAs半導体材料のA1含量が30重量
%より高い特許請求の範囲第1項から第5項までのいす
扛か1項に記載の電極。
Applications Claiming Priority (2)
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DE33186839 | 1983-05-21 | ||
DE3318683A DE3318683C1 (de) | 1983-05-21 | 1983-05-21 | Legierter Kontakt für n-leitendes GaAlAs-Halbleitermaterial |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59220967A true JPS59220967A (ja) | 1984-12-12 |
Family
ID=6199662
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP59098924A Pending JPS59220967A (ja) | 1983-05-21 | 1984-05-18 | Al含量の高いn形導電性GaAlAs半導体材料のための合金電極 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4613890A (ja) |
JP (1) | JPS59220967A (ja) |
DE (1) | DE3318683C1 (ja) |
FR (1) | FR2546334B1 (ja) |
IT (1) | IT1176068B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61107726A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-26 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 化合物半導体への接点の製造方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0722141B2 (ja) * | 1984-03-07 | 1995-03-08 | 住友電気工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
JPH0658897B2 (ja) | 1984-11-29 | 1994-08-03 | 三洋電機株式会社 | n型GaAs及びn型GaA▲l▼As用オーミック電極の製造方法 |
US5045408A (en) * | 1986-09-19 | 1991-09-03 | University Of California | Thermodynamically stabilized conductor/compound semiconductor interfaces |
DE3908083A1 (de) * | 1989-03-13 | 1990-09-20 | Telefunken Electronic Gmbh | Silizium-halbleiterbauelement |
US6262440B1 (en) * | 1998-06-29 | 2001-07-17 | Philips Electronics North America Corp. | Metal electrical contact for high current density applications in LED and laser devices |
US20150181650A1 (en) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | Research & Business Foundation Sungkyunkwan University | Graphene microheater and method of manufacturing the same |
Citations (1)
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HU163255B (ja) * | 1971-09-17 | 1973-07-28 | ||
GB1558764A (en) * | 1976-11-15 | 1980-01-09 | Ferranti Ltd | Formation of contacts for semiconductor devices |
GB1574525A (en) * | 1977-04-13 | 1980-09-10 | Philips Electronic Associated | Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices manufactured by the method |
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FR2413780A1 (fr) * | 1977-12-29 | 1979-07-27 | Thomson Csf | Procede de realisation d'un contact " metal-semi-conducteur " a barriere de potentiel de hauteur predeterminee, et composant semi-conducteur comportant au moins un contact obtenu par ce procede |
US4179534A (en) * | 1978-05-24 | 1979-12-18 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Gold-tin-gold ohmic contact to N-type group III-V semiconductors |
JPS5516429A (en) * | 1978-07-21 | 1980-02-05 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Electrode for ga1-x a xas |
JPS56116619A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electrode formation to gallium aluminum arsenic crystal |
-
1983
- 1983-05-21 DE DE3318683A patent/DE3318683C1/de not_active Expired
-
1984
- 1984-04-17 IT IT20572/84A patent/IT1176068B/it active
- 1984-05-10 US US06/608,725 patent/US4613890A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-05-18 JP JP59098924A patent/JPS59220967A/ja active Pending
- 1984-05-21 FR FR8407878A patent/FR2546334B1/fr not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5830170A (ja) * | 1981-08-15 | 1983-02-22 | Stanley Electric Co Ltd | 化合物半導体素子およびその電極形成法 |
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JPS61107726A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-26 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 化合物半導体への接点の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2546334A1 (fr) | 1984-11-23 |
FR2546334B1 (fr) | 1986-12-26 |
US4613890A (en) | 1986-09-23 |
IT8420572A0 (it) | 1984-04-17 |
IT8420572A1 (it) | 1985-10-17 |
DE3318683C1 (de) | 1984-12-13 |
IT1176068B (it) | 1987-08-12 |
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