JPS59220967A - Ａｌ含量の高いｎ形導電性ＧａＡｌＡｓ半導体材料のための合金電極 - Google Patents

Ａｌ含量の高いｎ形導電性ＧａＡｌＡｓ半導体材料のための合金電極

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JPS59220967A
JPS59220967A JP59098924A JP9892484A JPS59220967A JP S59220967 A JPS59220967 A JP S59220967A JP 59098924 A JP59098924 A JP 59098924A JP 9892484 A JP9892484 A JP 9892484A JP S59220967 A JPS59220967 A JP S59220967A
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JP
Japan
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semiconductor material
metal layer
layer
aluminum content
electrode
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JP59098924A
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English (en)
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ヴエルナ−・シヤイラ−
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Telefunken Electronic GmbH
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Telefunken Electronic GmbH
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28575—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 従来の技術： 単結晶Ｇ　ａ　Ａ　Ｉ　Ａｓの電極のため現在まで主と
してｎ形導電性ガリウムーヒ素用の電極材料が使用さ扛
た。こ′ｔ′Ｌは金−ゲルマニウムまたは金−スズ合金
である。しかし単結晶半尋体拐料のアルミニウム含量上
昇とともに低いオーム接触ヲつくるのが次第に困難にな
ることが明らかになった。とくにアルミニウム３昂が４
５〜５５％の場合、金−ゲルマニウム電極はもにやオー
ム挙動を示さず、きわめて高い接触抵抗が生ずることが
確認さｎた。
発明のｌ］的および構成： 本発明の目的は接触抵抗の低い良好なオーム挙動を示し
、同時に単結晶半導体材料に良好に付着する、アルミニ
ウム含量の高いｎ形導電性ＧａＡｌＡｓ半尋体拐料のた
めの合金電極を得ることである。この目的に本発明によ
り半導体材料に周期表ＩＶＢ、ＶＢおよびＶＩＢ族の金
属からなる第１層を配置し、この金属層を金−ゲルマニ
ウム合金からなる第２金属層で蔽うことによって解決さ
ｎる。
第１金属層はとくに第２金属層より著しく薄く、有利な
実施例ではクロムまたにチタンからなる。この電極は半
導体材料のアルミニウム含量が３０重量％より高い場＠
きわめて良好なオーム性を示し、この性質にアルミニウ
ム含量が４５〜５５％に達する場合も維持さ扛る。
実施例： 次に本発明を実施例によシ説明する。
半導体本体１はたとえばｐ形導電性ＧａＡｌＡｓからな
る第１エピタキシアル層３を設置したｐ形導電性ガリウ
ムーヒ素基板２からなる。ｐ形導電層３は次にｎ形導電
性ＧａＡｌＡｓの第２エピタキシアル層ヰで蔽わする。
半導体装置の横には曲線８によって半導体構成素子の種
々の層のアルミニウム含量が示さｎる。曲線８が示すよ
うにｎ形導電性ＧａＡｌＡｓ層４の表面のアルミニウム
含量ｆｆ４０％以」二である。
ｐ形導電性ガリウムーヒ素基板２ばとくに金−亜鉛台金
からなる電極７で導電性に接続さする。ｎ形導電性Ｇａ
ＡｌＡｓ層４は層５および６からなる電極を備える。半
導体表面にまずとくにチタンまたはクロムからなる層５
が設置さｎる。チタンまたはクロム層に３〜４０　ｎｍ
　　の厚さを有し、チタンまたはクロム層の上に配置し
た金−ゲルマニウム合金からなる金属ＪｆｆｌＵ１００
〜１０００　ｎｍ　　の層厚を有する。
第１金属層の材料としてチタンまたはクロムのほかに金
属バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、モ１へブデン、
ハフニウム、タンタルまたはタングステンも使用さｎる
。
図示の半導体装置を製造するためエピタキシアル層３お
よび牛を設置した後、半導体表面を適当な溶剤で洗浄す
る。次に半導体装置を蒸着装置へ装入し、その際蒸着す
る表面へ所定の電極・ξターンを有する金属マスクを設
置する。数ｍｂａｒ　Ｘ　Ｉ　Ｑ　　のアルゴン中で５
分間グロー法によりエピタキシアル層４の表面をチタン
Ｍ着のため前処理する。次に層厚約１５ｎｍ　のチタン
層を蒸着する。第２蒸着工程で層厚約１５０ｎｍ　　の
金−ゲルマニウム合金を蒸着し、そのゲルマニウム分ｔ
ｒＪ、２〜１３％である。
最後に蒸着電極を備えた半導体装置を牛５０℃で１０分
間熱処理し、その際蒸着した金属層は半導体本体と合金
する。このように製造した電極は完全にオーム性であり
、単結晶半導体材料に対する電極の付着はきわめて良好
なことが明らかになった。ｎ〜１０　　ｃｍ　　の範囲
の電子濃度および約４０％のアルミニウム含量で２〜牛
・１０　Ωｄの範囲の接触抵抗が達成さｎる
【図面の簡単な説明】
図面ｆｌ　ＧａＡｌＡｓダイオードの斜視図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ■、半導体材料（４）ＪＪＣ周期表ＦＩＶＥ、ＶＢまた
    はＶＩＢ族の金属からなる第１層（５）が配置さｎ、こ
    の金属層が金−ゲルマニウム合金からなる第２金属層〔
    ６〕で蔽ゎ扛ていることを特徴とするＡｌ＠量の高いｎ
    形導電性ＧａＡ］４ｓ半導体材料のだめの合金電極。 ２　第１金属層（５〕が第２金属層（６〕より著しく薄
    い特許請求の範囲第１項記載の電極３、第１金属層がク
    ロムまたはチタンからなる特Ｊ′「請求の範囲第１項ま
    たに第２項記載の電極。 ４、第１金属層〔５〕の厚はか３〜４０　ｎｍ　、第２
    金属Ｊクク（６〕の厚さが１００〜１１０００ｎである
    特許請求の範囲第１項から第３項１でのいずｎか１項に
    記載の電極。 ５、第２金属層〔６〕の金−ダルマ員つム合金のゲルマ
    ニウム分が２〜１３重量％である特許請求の範囲第１項
    記載の電極。 ５、　　ＧａＡｌＡｓ半導体材料のＡ１含量が３０重量
    ％より高い特許請求の範囲第１項から第５項までのいす
    扛か１項に記載の電極。
JP59098924A 1983-05-21 1984-05-18 Ａｌ含量の高いｎ形導電性ＧａＡｌＡｓ半導体材料のための合金電極 Pending JPS59220967A (ja)

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IT (1) IT1176068B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61107726A (ja) * 1984-10-30 1986-05-26 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション 化合物半導体への接点の製造方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0722141B2 (ja) * 1984-03-07 1995-03-08 住友電気工業株式会社 半導体素子の製造方法
JPH0658897B2 (ja) 1984-11-29 1994-08-03 三洋電機株式会社 ｎ型ＧａＡｓ及びｎ型ＧａＡ▲ｌ▼Ａｓ用オーミック電極の製造方法
US5045408A (en) * 1986-09-19 1991-09-03 University Of California Thermodynamically stabilized conductor/compound semiconductor interfaces
DE3908083A1 (de) * 1989-03-13 1990-09-20 Telefunken Electronic Gmbh Silizium-halbleiterbauelement
US6262440B1 (en) * 1998-06-29 2001-07-17 Philips Electronics North America Corp. Metal electrical contact for high current density applications in LED and laser devices
US20150181650A1 (en) * 2013-12-20 2015-06-25 Research & Business Foundation Sungkyunkwan University Graphene microheater and method of manufacturing the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5830170A (ja) * 1981-08-15 1983-02-22 Stanley Electric Co Ltd 化合物半導体素子およびその電極形成法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3574680A (en) * 1968-05-07 1971-04-13 Ibm High-low ohmic contact deposition method
HU163255B (ja) * 1971-09-17 1973-07-28
GB1558764A (en) * 1976-11-15 1980-01-09 Ferranti Ltd Formation of contacts for semiconductor devices
GB1574525A (en) * 1977-04-13 1980-09-10 Philips Electronic Associated Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices manufactured by the method
FR2402944A1 (fr) * 1977-09-12 1979-04-06 Thomson Csf Procede de realisation d'un compose superficiel entre un substrat et une espece reactive
FR2413780A1 (fr) * 1977-12-29 1979-07-27 Thomson Csf Procede de realisation d'un contact " metal-semi-conducteur " a barriere de potentiel de hauteur predeterminee, et composant semi-conducteur comportant au moins un contact obtenu par ce procede
US4179534A (en) * 1978-05-24 1979-12-18 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Gold-tin-gold ohmic contact to N-type group III-V semiconductors
JPS5516429A (en) * 1978-07-21 1980-02-05 Seiko Instr & Electronics Ltd Electrode for ga1-x a xas
JPS56116619A (en) * 1980-02-20 1981-09-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electrode formation to gallium aluminum arsenic crystal

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5830170A (ja) * 1981-08-15 1983-02-22 Stanley Electric Co Ltd 化合物半導体素子およびその電極形成法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61107726A (ja) * 1984-10-30 1986-05-26 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション 化合物半導体への接点の製造方法

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US4613890A (en) 1986-09-23
IT8420572A0 (it) 1984-04-17
IT8420572A1 (it) 1985-10-17
DE3318683C1 (de) 1984-12-13
IT1176068B (it) 1987-08-12

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