JPS6230709B2 - - Google Patents
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- JPS6230709B2 JPS6230709B2 JP16052080A JP16052080A JPS6230709B2 JP S6230709 B2 JPS6230709 B2 JP S6230709B2 JP 16052080 A JP16052080 A JP 16052080A JP 16052080 A JP16052080 A JP 16052080A JP S6230709 B2 JPS6230709 B2 JP S6230709B2
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- Expired
Links
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- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 17
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 10
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/452—Ohmic electrodes on AIII-BV compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
１ 本発明は、−族化合物半導体を用いた半
導体装置の電極に関するものである。
導体装置の電極に関するものである。
−族化合物半導体を用いた半導体装置、例
えばGaP発光素子を製作する上においては、その
結晶自身、特性の優れたものでなければならない
のはもちろんであるが、そこに用いられる電極材
料の接触抵抗の良否も重要である。すなわち電極
の接触抵抗のバラつきは駆動電圧のばらつきとな
る。又この接触抵抗は、電極形成後の環境によつ
て変化する様なものであつてはならない。
えばGaP発光素子を製作する上においては、その
結晶自身、特性の優れたものでなければならない
のはもちろんであるが、そこに用いられる電極材
料の接触抵抗の良否も重要である。すなわち電極
の接触抵抗のバラつきは駆動電圧のばらつきとな
る。又この接触抵抗は、電極形成後の環境によつ
て変化する様なものであつてはならない。
ところでGaPのＰ型結晶に対してこれら条件を
ほぼ満足する電極材料として、従来からAuとBe
の合金或はAuとZnの合金が用いられている。し
かしながらこれらは電極形成時の合金化熱処理
（以降アロイと記す）の温度は一定の許容範囲が
あり、この範囲を越えると安定した接触抵抗を持
つ電極が得られない。又許容範囲の温度によるア
ロイによつて満足する接触抵抗を得た電極でも、
この許容範囲又はこれ以上の温度での熱工程を通
過する事によつて接触抵抗が増大したりオーミツ
ク接触でなくなることがある。
ほぼ満足する電極材料として、従来からAuとBe
の合金或はAuとZnの合金が用いられている。し
かしながらこれらは電極形成時の合金化熱処理
（以降アロイと記す）の温度は一定の許容範囲が
あり、この範囲を越えると安定した接触抵抗を持
つ電極が得られない。又許容範囲の温度によるア
ロイによつて満足する接触抵抗を得た電極でも、
この許容範囲又はこれ以上の温度での熱工程を通
過する事によつて接触抵抗が増大したりオーミツ
ク接触でなくなることがある。
そこで本発明は電極のアロイ温度の許容範囲を
より高温側に広げると共により高温での熱工程に
おいても接触抵抗の変化のない電極材料を提供す
るものである。本発明では上記の目的を達成する
ためAuとBeの合金又はAuとZnの合金にAgを10
〜95重量％を加えた電極材料を使用する。
より高温側に広げると共により高温での熱工程に
おいても接触抵抗の変化のない電極材料を提供す
るものである。本発明では上記の目的を達成する
ためAuとBeの合金又はAuとZnの合金にAgを10
〜95重量％を加えた電極材料を使用する。
このAu、Be、Agの合金（以降Au−Be−Agと
記す）又はAu、Zn、Agの合金（以降Au−Zn−
Ag）からなる電極を形成する際にはAuとBeの合
金又はAuとZnの合金を真空蒸着法でＰ型結晶基
板上に形成した後、Agをさらに真空蒸着しても
良いし又、この順序が逆であつてもさしつかえな
い。又さらにAu−Be−Ag又はAu−Zn−Ag合金
を一度に真空蒸着してもよい。
記す）又はAu、Zn、Agの合金（以降Au−Zn−
Ag）からなる電極を形成する際にはAuとBeの合
金又はAuとZnの合金を真空蒸着法でＰ型結晶基
板上に形成した後、Agをさらに真空蒸着しても
良いし又、この順序が逆であつてもさしつかえな
い。又さらにAu−Be−Ag又はAu−Zn−Ag合金
を一度に真空蒸着してもよい。
このAu−Be−Ag又はAu−Zn−Ag電極を用い
ることによつて、アロイ温度を650℃まで高温側
に広げると共に、安定した接触抵抗をもつ電極に
650℃の熱処理をおこなつても接触抵抗の変化し
ない状態にすることが可能となつた。
ることによつて、アロイ温度を650℃まで高温側
に広げると共に、安定した接触抵抗をもつ電極に
650℃の熱処理をおこなつても接触抵抗の変化し
ない状態にすることが可能となつた。
以下具体的な実施例を挙げて説明する。
真空蒸着器のベルジヤー内に２本の蒸着用フイ
ラメントを用意し第１のフイラメントに１重量％
のBeを含むAuとBeの合金をチヤージし第２のフ
イラメントにAgを所定の量チヤージする。その
第１フイラメント、第２フイラメントの順に電流
を流し、蒸着を行ない、GaP基板上に膜厚5000Å
程度のAuBe、Agの合金膜を形成する。その後こ
の基板をN2gas雰囲気中で620℃10分の熱処理を
行なうことによりオーミツク接触を得る。
ラメントを用意し第１のフイラメントに１重量％
のBeを含むAuとBeの合金をチヤージし第２のフ
イラメントにAgを所定の量チヤージする。その
第１フイラメント、第２フイラメントの順に電流
を流し、蒸着を行ない、GaP基板上に膜厚5000Å
程度のAuBe、Agの合金膜を形成する。その後こ
の基板をN2gas雰囲気中で620℃10分の熱処理を
行なうことによりオーミツク接触を得る。
第１図はこの様にして得られたAu−Be−Ag電
極のＰ型GaP基板との接触抵抗（縦軸）のAg濃
度（横軸）に対する変化を実線により示してあ
る。なおここで言う接触抵抗とは直径100μｍの
円形の電極を中心間で150μｍの距離をおいて設
けた場合の電極間の抵抗値のことである。なおこ
こで用いたＰ型GaP基板のキヤリー濃度は2.4×
1017cm-3である。又、540℃10分の熱処理をおこ
なつた場合の結果を第１図に破線により示す。
極のＰ型GaP基板との接触抵抗（縦軸）のAg濃
度（横軸）に対する変化を実線により示してあ
る。なおここで言う接触抵抗とは直径100μｍの
円形の電極を中心間で150μｍの距離をおいて設
けた場合の電極間の抵抗値のことである。なおこ
こで用いたＰ型GaP基板のキヤリー濃度は2.4×
1017cm-3である。又、540℃10分の熱処理をおこ
なつた場合の結果を第１図に破線により示す。
図より明らかな様に620℃10分の熱処理におい
てAgを10〜95重量％含んだものは低く安定した
接触抵抗を示すことがわかる。
てAgを10〜95重量％含んだものは低く安定した
接触抵抗を示すことがわかる。
第２図は540℃10分熱処理を行なつてオーミツ
ク接触を得た電極をさらにN2gas雰囲気中で440
〜700℃の範囲内で10分熱処理した場合の熱処理
温度（横軸）に対する接触抵抗（縦軸）の変化を
実線により示す。この場合のAgの含有量は22重
量％のものを用いた。又、Au−Be合金のみによ
り以下同一の処理により得られた電極についての
結果も破線にて第２図中に示す。
ク接触を得た電極をさらにN2gas雰囲気中で440
〜700℃の範囲内で10分熱処理した場合の熱処理
温度（横軸）に対する接触抵抗（縦軸）の変化を
実線により示す。この場合のAgの含有量は22重
量％のものを用いた。又、Au−Be合金のみによ
り以下同一の処理により得られた電極についての
結果も破線にて第２図中に示す。
図から明らかな様にAuBe−Ag電極は、Au−
Be電極に比べより高い温度の熱処理が加わつて
も接触抵抗の変化はなく安定していることがわか
る。なお同様の結果はAu−Zn−Ag電極において
も得られている。
Be電極に比べより高い温度の熱処理が加わつて
も接触抵抗の変化はなく安定していることがわか
る。なお同様の結果はAu−Zn−Ag電極において
も得られている。
以上本発明によれば、Ｐ型GaPの電型形成にお
いて、アロイ温度を高温度に広げても接触抵抗の
変化はなく、安定していて高信頼性のものが提供
できる。
いて、アロイ温度を高温度に広げても接触抵抗の
変化はなく、安定していて高信頼性のものが提供
できる。
第１図はＰ型GaP結晶基板上に形成したAuBe
−Ag電極のAg含有量に対する接触抵抗の変化を
示す。図中実線は、アロイ温度620℃のものであ
り破線はアロイ温度540℃の場合のものである。
第２図はアロイ温度540℃で形成したAu−Be−
Ag電極とAu−Be電極の熱処理温度に対する接触
抵抗の変化を示したものである。なお実線はAu
−Be−Ag電極、破線はAuBe電極を示す。
−Ag電極のAg含有量に対する接触抵抗の変化を
示す。図中実線は、アロイ温度620℃のものであ
り破線はアロイ温度540℃の場合のものである。
第２図はアロイ温度540℃で形成したAu−Be−
Ag電極とAu−Be電極の熱処理温度に対する接触
抵抗の変化を示したものである。なお実線はAu
−Be−Ag電極、破線はAuBe電極を示す。
Claims (1)
- １ −族化合物からなる半導体装置におい
て、Ｐ型GaPに形成する電極を、Au、Be又は
Au、Znを含みかつAgの含有量が10〜95重量％の
範囲にある合金で形成したことを特徴とする−
族化合物半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16052080A JPS5784166A (en) | 1980-11-13 | 1980-11-13 | 3-5 group compound semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16052080A JPS5784166A (en) | 1980-11-13 | 1980-11-13 | 3-5 group compound semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5784166A JPS5784166A (en) | 1982-05-26 |
| JPS6230709B2 true JPS6230709B2 (ja) | 1987-07-03 |
Family
ID=15716727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16052080A Granted JPS5784166A (en) | 1980-11-13 | 1980-11-13 | 3-5 group compound semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5784166A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6254610U (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-04 | ||
| JPS6336413U (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-09 | ||
| JPH0355377Y2 (ja) * | 1986-08-22 | 1991-12-10 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4816881A (en) * | 1985-06-27 | 1989-03-28 | United State Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | A TiW diffusion barrier for AuZn ohmic contacts to p-type InP |
-
1980
- 1980-11-13 JP JP16052080A patent/JPS5784166A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6254610U (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-04 | ||
| JPS6336413U (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-09 | ||
| JPH0355377Y2 (ja) * | 1986-08-22 | 1991-12-10 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5784166A (en) | 1982-05-26 |
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