JPH0518251B2 - - Google Patents
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- JPH0518251B2 JPH0518251B2 JP8948383A JP8948383A JPH0518251B2 JP H0518251 B2 JPH0518251 B2 JP H0518251B2 JP 8948383 A JP8948383 A JP 8948383A JP 8948383 A JP8948383 A JP 8948383A JP H0518251 B2 JPH0518251 B2 JP H0518251B2
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 22
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 16
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明はSiC（シリコンカーバイド）の電極形
成方法に関する。
成方法に関する。
(ロ) 従来技術
従来Ｐ型SiCの電極としてはアルミニウム：シ
リコン＝89：11（原子パーセント）のアルミニウ
ム−シリコン共晶を用いることが知られている。
リコン＝89：11（原子パーセント）のアルミニウ
ム−シリコン共晶を用いることが知られている。
然るに従来は単にアルミニウム−シリコン共晶
という材料のみが知られているだけであり、その
形成方法については全く考慮検討されていなかつ
た。
という材料のみが知られているだけであり、その
形成方法については全く考慮検討されていなかつ
た。
(ハ) 発明の目的
本発明は斯る点に鑑みてなされたもので、アル
ミニウム−シリコン共晶を材料とするＰ型SiCの
電極形成に最適な方法を提供せんとするものであ
る。
ミニウム−シリコン共晶を材料とするＰ型SiCの
電極形成に最適な方法を提供せんとするものであ
る。
(ニ) 発明の構成
Ｐ型SiC上へのアルミニウム−シリコン共晶か
らなる電極の形成方法として考えられるのは以下
の３方法が挙げられる。
らなる電極の形成方法として考えられるのは以下
の３方法が挙げられる。
(i) Ｐ型SiC上にアルミニウム−シリコン共晶合
金を蒸着し、熱処理する方法。
金を蒸着し、熱処理する方法。
(ii) Ｐ型SiC上にシリコンを蒸着してシリコン層
を形成すると共に該シリコン層上にアルミニウ
ムを蒸着してアルミニウム層を形成後、熱処理
する方法。
を形成すると共に該シリコン層上にアルミニウ
ムを蒸着してアルミニウム層を形成後、熱処理
する方法。
(iii) Ｐ型SiC上にアルミニウムを蒸着してアルミ
ニウム層を形成すると共に該アルミニウム層上
にシリコンを蒸着してシリコン層を形成後、熱
処理する方法。
ニウム層を形成すると共に該アルミニウム層上
にシリコンを蒸着してシリコン層を形成後、熱
処理する方法。
尚、上記各熱処理とは真空度10-6Torr以下で
行なうものであり、また本明細書中では熱処理と
は斯る条件下で全て行われるものとする。
行なうものであり、また本明細書中では熱処理と
は斯る条件下で全て行われるものとする。
本発明者は上記３方法について夫々実験を行な
つた。具体的にはアルミニウムとシリコンとの比
率を89：11とし、熱処理の温度及び時間を種々変
化させて行なつた。
つた。具体的にはアルミニウムとシリコンとの比
率を89：11とし、熱処理の温度及び時間を種々変
化させて行なつた。
第１図は上記実験結果を示す電流−電圧特性図
であり、図中曲線は(i)の方法により得られた電
極のうち最も電流−電圧特性が優れたものを示
す。尚斯る電極製造における熱処理は1000℃で５
分間行なつた。
であり、図中曲線は(i)の方法により得られた電
極のうち最も電流−電圧特性が優れたものを示
す。尚斯る電極製造における熱処理は1000℃で５
分間行なつた。
また図中曲線は(ii)の方法により得られた電極
のうち最も電流−電圧特性の優れたものを示し、
斯る電極の熱処理条件は900℃で５分間である。
のうち最も電流−電圧特性の優れたものを示し、
斯る電極の熱処理条件は900℃で５分間である。
更に図中直線は(iii)の方法により得られた電極
のうち最も電流−電圧特性の優れたものを示し、
斯る電極の熱処理条件は950℃で５分間であつた。
のうち最も電流−電圧特性の優れたものを示し、
斯る電極の熱処理条件は950℃で５分間であつた。
第１図から明らかな如く、上記(iii)の方法により
得られた電極の電流−電圧特性が最も優れてい
る。
得られた電極の電流−電圧特性が最も優れてい
る。
本願は斯る知見に基づいてなされたものであ
り、その特徴はＰ型SiC上にアルミニウムとシリ
コンとの構成原子比が93：７〜30：70の範囲にな
るように、アルミニウム層とシリコン層を順次形
成する工程、上記アルミニウム層及びシリコン層
の形成後950℃以上で熱処理を行う工程からなる
ことにある。
り、その特徴はＰ型SiC上にアルミニウムとシリ
コンとの構成原子比が93：７〜30：70の範囲にな
るように、アルミニウム層とシリコン層を順次形
成する工程、上記アルミニウム層及びシリコン層
の形成後950℃以上で熱処理を行う工程からなる
ことにある。
(ホ) 実施例
実施例としては第１図中直線で示される電極
の製造方法、つまりＰ型SiC上にアルミニウムと
シリコンとの構成原子比が89：11となるように、
アルミニウム層とシリコン層とを順次積層し、そ
の後950℃で５分間熱処理を行なう方法がある。
の製造方法、つまりＰ型SiC上にアルミニウムと
シリコンとの構成原子比が89：11となるように、
アルミニウム層とシリコン層とを順次積層し、そ
の後950℃で５分間熱処理を行なう方法がある。
また第２の実施例としてはアルミニウムとシリ
コンとの構成原子比を93：７となるようにアルミ
ニウム層とシリコン層とを順次Ｐ型SiC上に積層
し、その後1000℃で10分間熱処理を施す。
コンとの構成原子比を93：７となるようにアルミ
ニウム層とシリコン層とを順次Ｐ型SiC上に積層
し、その後1000℃で10分間熱処理を施す。
更に第３の実施例としてはアルミニウムとシリ
コンとの構成比を85：15となるようにアルミニウ
ム層とシリコン層とを順次Ｐ型SiC上に積層し、
その後1000℃で10分間熱処理を施す。
コンとの構成比を85：15となるようにアルミニウ
ム層とシリコン層とを順次Ｐ型SiC上に積層し、
その後1000℃で10分間熱処理を施す。
第２図は、上記第２、第３の実施例方法により
得られた電極の電流−電圧特性であり、図中直線
が第２の実施例の電極の特性を、直線が第３
の実施例の電極の特性を夫々示す。
得られた電極の電流−電圧特性であり、図中直線
が第２の実施例の電極の特性を、直線が第３
の実施例の電極の特性を夫々示す。
このように本実施例ではオーミツク特性の良好
な電極が得られている。
な電極が得られている。
尚、本発明者らの他の実験によれば、Ｐ型SiC
上にアルミニウム層とシリコン層とを順次積層し
た後熱処理を行なうに際して、Ｐ型SiCと電極材
料との合金度及び接触抵抗の観点から上記シリコ
ンの構成原子比は７〜70％の範囲にあることが好
ましく、また熱処理の各条件は真空度が、
10-6Torr以下、処理温度が約950℃以上、処理時
間が約５分以上が好ましい。
上にアルミニウム層とシリコン層とを順次積層し
た後熱処理を行なうに際して、Ｐ型SiCと電極材
料との合金度及び接触抵抗の観点から上記シリコ
ンの構成原子比は７〜70％の範囲にあることが好
ましく、また熱処理の各条件は真空度が、
10-6Torr以下、処理温度が約950℃以上、処理時
間が約５分以上が好ましい。
更にまた上記シリコン層上に第２のアルミニウ
ム層を積層してもよく、このような場合でも良好
なオーミツク特性が得られることが確認されてい
る。
ム層を積層してもよく、このような場合でも良好
なオーミツク特性が得られることが確認されてい
る。
(ヘ) 発明の効果
本発明のSiCの電極形成方法によれば、Ｐ型
SiC上にアルミニウムとシリコンとの構成原子比
が93：７〜30：70の範囲になるように、アルミニ
ウム層とシリコン層を順次形成する工程、上記ア
ルミニウム層及びシリコン層の形成後950℃以上
で熱処理を行う工程からなるので、Ｐ型SiCとオ
ーミツク特性が良好な電極を得ることができる。
SiC上にアルミニウムとシリコンとの構成原子比
が93：７〜30：70の範囲になるように、アルミニ
ウム層とシリコン層を順次形成する工程、上記ア
ルミニウム層及びシリコン層の形成後950℃以上
で熱処理を行う工程からなるので、Ｐ型SiCとオ
ーミツク特性が良好な電極を得ることができる。
第１図は本発明者の行なつた実験結果を示す特
性図、第２図は本発明により得られた電極の電流
−電圧特性を示す特性図である。
性図、第２図は本発明により得られた電極の電流
−電圧特性を示す特性図である。
Claims (1)
- １ Ｐ型SiC上にアルミニウムとシリコンとの構
成原子比が93：７〜30：70の範囲になるように、
アルミニウム層とシリコン層を順次形成する工
程、上記アルミニウム層及びシリコン層の形成後
950℃以上で熱処理を行う工程からなることを特
徴とするSiCの電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58089483A JPS59214224A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | ＳｉＣの電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58089483A JPS59214224A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | ＳｉＣの電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59214224A JPS59214224A (ja) | 1984-12-04 |
| JPH0518251B2 true JPH0518251B2 (ja) | 1993-03-11 |
Family
ID=13971981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58089483A Granted JPS59214224A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | ＳｉＣの電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59214224A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0728024B2 (ja) * | 1986-03-10 | 1995-03-29 | 工業技術院長 | 炭化けい素を用いた半導体素子 |
| US5429985A (en) * | 1994-01-18 | 1995-07-04 | Midwest Research Institute | Fabrication of optically reflecting ohmic contacts for semiconductor devices |
| US5442200A (en) * | 1994-06-03 | 1995-08-15 | Advanced Technology Materials, Inc. | Low resistance, stable ohmic contacts to silcon carbide, and method of making the same |
| US5897331A (en) * | 1996-11-08 | 1999-04-27 | Midwest Research Institute | High efficiency low cost thin film silicon solar cell design and method for making |
| US6955978B1 (en) * | 2001-12-20 | 2005-10-18 | Fairchild Semiconductor Corporation | Uniform contact |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5111564A (en) * | 1974-07-19 | 1976-01-29 | Hitachi Ltd | Handotaisochino denkyokuhaisensokeiseihoho |
| JPS51107781A (en) * | 1975-03-19 | 1976-09-24 | Hitachi Ltd | Handotaisochino seizohoho |
| JPS5380814A (en) * | 1976-12-25 | 1978-07-17 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | Preventing device against overflowing of stored liquid in liquefied naturalgas tank |
-
1983
- 1983-05-20 JP JP58089483A patent/JPS59214224A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5111564A (en) * | 1974-07-19 | 1976-01-29 | Hitachi Ltd | Handotaisochino denkyokuhaisensokeiseihoho |
| JPS51107781A (en) * | 1975-03-19 | 1976-09-24 | Hitachi Ltd | Handotaisochino seizohoho |
| JPS5380814A (en) * | 1976-12-25 | 1978-07-17 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | Preventing device against overflowing of stored liquid in liquefied naturalgas tank |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59214224A (ja) | 1984-12-04 |
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