JPS6016463A - オ−ム性電極 - Google Patents
オ−ム性電極Info
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- JPS6016463A JPS6016463A JP12347383A JP12347383A JPS6016463A JP S6016463 A JPS6016463 A JP S6016463A JP 12347383 A JP12347383 A JP 12347383A JP 12347383 A JP12347383 A JP 12347383A JP S6016463 A JPS6016463 A JP S6016463A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えばGaAs FET % GaAs I
Cなどの砒化ガリウム(GaAs ) を表面に有す
る半導体素子のオーム性電極に関するものである。
Cなどの砒化ガリウム(GaAs ) を表面に有す
る半導体素子のオーム性電極に関するものである。
従来におけるこの棚オーム性電極は第1図に示すような
構成であった。すなわち、第1図はn型砒化ガリウム(
n −GaAs )へのオーム性電極の断面図であり、
(1)は半絶縁性GaAs 基板、(2)Cよn型砒化
ガリウム(n−GaAs ) からなる動作層である。
構成であった。すなわち、第1図はn型砒化ガリウム(
n −GaAs )へのオーム性電極の断面図であり、
(1)は半絶縁性GaAs 基板、(2)Cよn型砒化
ガリウム(n−GaAs ) からなる動作層である。
従来、nW砒化ガリウム(n −GaAs )へのオー
ム性電極は、例えば金−ゲルマニウム(Au −Ge
)系等のオーム性電極形成用材料からなるオーム性7a
極形成層(3)を真空蒸着等の方法によりn型砒化ガリ
ウム(n −GaAs ) (2)の表面上に被着させ
た後、ボンディングを容易にするため、オーム性電極形
感層(3)上にさらに、例えば金(Au ) 等からな
る配線金属層(4)を連続的に被着し、然る後をこ熱処
理を行なうことによりn型砒化ガリウム(n −GaA
s )(2)と該オーム性電極形成Q(3)とが合金化
されて、オーム性電極が得られていtこ。
ム性電極は、例えば金−ゲルマニウム(Au −Ge
)系等のオーム性電極形成用材料からなるオーム性7a
極形成層(3)を真空蒸着等の方法によりn型砒化ガリ
ウム(n −GaAs ) (2)の表面上に被着させ
た後、ボンディングを容易にするため、オーム性電極形
感層(3)上にさらに、例えば金(Au ) 等からな
る配線金属層(4)を連続的に被着し、然る後をこ熱処
理を行なうことによりn型砒化ガリウム(n −GaA
s )(2)と該オーム性電極形成Q(3)とが合金化
されて、オーム性電極が得られていtこ。
しかしながら、この種従来のオーム性電極暑こおいては
オーム性電極を形成する為の熱処理やボンディングの為
の加熱の除に、例えば金(Au ) 等のボンディング
用配線金属層(4)と、例え11金−ゲルマニウム(A
u Ge )系のオーム性電極形成層(3)とが相互に
拡散して、第2図に示すような合金n(5)が形成され
る結果、オーム性電極中の組成、例えば、金−ゲルマニ
ウム(Au −Ge )系オーム性電極の場合、金(A
u) とゲルマニウム(Ge) の組成が変化して、オ
ーム性電極の特性悪化、ひいては素子の電気特性の悪化
を引き起こす原因となる等耐熱性の点で問題があった。
オーム性電極を形成する為の熱処理やボンディングの為
の加熱の除に、例えば金(Au ) 等のボンディング
用配線金属層(4)と、例え11金−ゲルマニウム(A
u Ge )系のオーム性電極形成層(3)とが相互に
拡散して、第2図に示すような合金n(5)が形成され
る結果、オーム性電極中の組成、例えば、金−ゲルマニ
ウム(Au −Ge )系オーム性電極の場合、金(A
u) とゲルマニウム(Ge) の組成が変化して、オ
ーム性電極の特性悪化、ひいては素子の電気特性の悪化
を引き起こす原因となる等耐熱性の点で問題があった。
本発明は、かかる問題点を解消するためになさレタもの
で、オーム性電極形成層とボンディング用配線金属層と
の間に例えばモリブデン(Mo )等の高融点金属膜を
形成することにより、電気特性が安定で、かつ耐熱性に
優れた新規なオーム性電極を提供するものである。
で、オーム性電極形成層とボンディング用配線金属層と
の間に例えばモリブデン(Mo )等の高融点金属膜を
形成することにより、電気特性が安定で、かつ耐熱性に
優れた新規なオーム性電極を提供するものである。
以下、本発明の一実施例を第8図に従って説明する。す
なわち、第8図において、(1)は半絶縁性GaAs
基板、(2)はn型砒化ガリウム(n −GaAs )
からなる動作層でこのn型砒化ガリウム(n −GaA
s )(2)の表面上に例えば金−ゲルマニウム(Au
−Ge )系のオーム性電極形成層(3)を真空蒸着
等により被着させた後、例えばモリブデン(Mo) 等
の高融点金属膜(6)を連続的に形成し、さらにその上
を例えば金(Au ) 等のボンディング用配線金属層
(4)で連続的に被覆した後、熱処理を行なってオーム
性電極を形成する。本実施例によれば、従来性じていた
オーム性電極を形成する為の熱処理、ボンディングの為
の加熱、その他昇温を必要とする製造工程条件下でも、
オーム性疏極形成、1Δ(3)とボンディング用配線金
属層(4)との間に例えばモリブデン(Mo ) 等の
高融点金Jti B’A (6)を介することにより、
オーム性電極形成Ji! (3)とボンディング用配線
金;馬層(4)との相互拡散が高1ね点金、属股(6)
によって防止され、オーム性1ζ極形成AJ (3)の
組成を保持することができる結果、オーム性電極の熱四
安冗性の向上を図ることができる。
なわち、第8図において、(1)は半絶縁性GaAs
基板、(2)はn型砒化ガリウム(n −GaAs )
からなる動作層でこのn型砒化ガリウム(n −GaA
s )(2)の表面上に例えば金−ゲルマニウム(Au
−Ge )系のオーム性電極形成層(3)を真空蒸着
等により被着させた後、例えばモリブデン(Mo) 等
の高融点金属膜(6)を連続的に形成し、さらにその上
を例えば金(Au ) 等のボンディング用配線金属層
(4)で連続的に被覆した後、熱処理を行なってオーム
性電極を形成する。本実施例によれば、従来性じていた
オーム性電極を形成する為の熱処理、ボンディングの為
の加熱、その他昇温を必要とする製造工程条件下でも、
オーム性疏極形成、1Δ(3)とボンディング用配線金
属層(4)との間に例えばモリブデン(Mo ) 等の
高融点金Jti B’A (6)を介することにより、
オーム性電極形成Ji! (3)とボンディング用配線
金;馬層(4)との相互拡散が高1ね点金、属股(6)
によって防止され、オーム性1ζ極形成AJ (3)の
組成を保持することができる結果、オーム性電極の熱四
安冗性の向上を図ることができる。
なお、高融点金IM 股は、モリブデン(MO)に限ら
ず、タングステン(5)、タンタル(Ta)等m々考え
られる。
ず、タングステン(5)、タンタル(Ta)等m々考え
られる。
以上のように、本発明によれば、オーム性電極形成層と
ボンディング用配線金属層との間に高融点金属膜をはさ
むという極めて簡単な手段により1、t−ム性fi4極
の耐熱性が向上し、ひいては素子の電気特性が安定して
良好になる等、信頼性の向上をも図ることができる。
ボンディング用配線金属層との間に高融点金属膜をはさ
むという極めて簡単な手段により1、t−ム性fi4極
の耐熱性が向上し、ひいては素子の電気特性が安定して
良好になる等、信頼性の向上をも図ることができる。
節1図は従来のオーム性′岨極の断面図、第2図は従来
におけるオーム性電極に熱処理を施した後の断面図、第
3図は本発明の一実施例を示すオーム性電極の断面図で
ある。 図中、(1)は半絶縁性GaAs 基板、(2)はn型
砒化ガリウム(n −GaAs )からなる動作層、(
3)はオーム性電極形成層、(4)はボンディング用配
線金属層、(5)はオーム性電極形成層とボンディング
用配線層との合金層、(6)は高融点金属膜である。 なお、図中同一符号は圓−又は相当部分を示す。 出願人 工業技術院長 川 1)裕 部第1図 第2図 第3図
におけるオーム性電極に熱処理を施した後の断面図、第
3図は本発明の一実施例を示すオーム性電極の断面図で
ある。 図中、(1)は半絶縁性GaAs 基板、(2)はn型
砒化ガリウム(n −GaAs )からなる動作層、(
3)はオーム性電極形成層、(4)はボンディング用配
線金属層、(5)はオーム性電極形成層とボンディング
用配線層との合金層、(6)は高融点金属膜である。 なお、図中同一符号は圓−又は相当部分を示す。 出願人 工業技術院長 川 1)裕 部第1図 第2図 第3図
Claims (2)
- (1)砒化ガリウム結晶上に直接被着されるオーム性電
極形成層と、このオーム性電極形成層上に形成されるボ
ンディング用配線金属層と、上記オーム性電極形成層と
上記配線金属層との間に形成された高融点金属膜を備え
たことを特徴とするオーム性電極。 - (2)上記高融点金属膜は、モリブデン、タングステン
、タンタルのうちのいずれかであることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載のオーム性電極。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12347383A JPS6016463A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | オ−ム性電極 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12347383A JPS6016463A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | オ−ム性電極 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6016463A true JPS6016463A (ja) | 1985-01-28 |
Family
ID=14861492
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12347383A Pending JPS6016463A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | オ−ム性電極 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6016463A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63204620A (ja) * | 1987-02-11 | 1988-08-24 | バウマー エレクトリク アクチエンゲゼルシャフト | ハイブリッド厚膜回路におけるボンデイングワイヤとコンタクト領域との間の接続形成方法 |
EP0460531A1 (de) * | 1990-06-07 | 1991-12-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Kontaktmetallisierung auf Halbleitermaterial |
JPH10341039A (ja) * | 1997-04-10 | 1998-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2007048878A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5352362A (en) * | 1976-10-25 | 1978-05-12 | Toshiba Corp | Compound semiconductor device |
-
1983
- 1983-07-08 JP JP12347383A patent/JPS6016463A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5352362A (en) * | 1976-10-25 | 1978-05-12 | Toshiba Corp | Compound semiconductor device |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63204620A (ja) * | 1987-02-11 | 1988-08-24 | バウマー エレクトリク アクチエンゲゼルシャフト | ハイブリッド厚膜回路におけるボンデイングワイヤとコンタクト領域との間の接続形成方法 |
EP0460531A1 (de) * | 1990-06-07 | 1991-12-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Kontaktmetallisierung auf Halbleitermaterial |
JPH10341039A (ja) * | 1997-04-10 | 1998-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2007048878A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
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