JPH0224030B2 - - Google Patents
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- JPH0224030B2 JPH0224030B2 JP203881A JP203881A JPH0224030B2 JP H0224030 B2 JPH0224030 B2 JP H0224030B2 JP 203881 A JP203881 A JP 203881A JP 203881 A JP203881 A JP 203881A JP H0224030 B2 JPH0224030 B2 JP H0224030B2
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- Japan
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- metal layer
- layer
- compound semiconductor
- semiconductor device
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/452—Ohmic electrodes on AIII-BV compounds
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、化合物半導体に適した構造を有する
化合物半導体装置に関する。
化合物半導体装置に関する。
GaAs、GaP、InP等の−族半導体を代表
とする化合物半導体を用いた各種電子部品は、そ
の物理的諸特性からSi、Geを代表とする族半
導体には見られない特殊な性質をもち、近年にな
つて、光電子部品や高速度電子部品等の分野にお
いて飛躍的に需要が伸びてきている。
とする化合物半導体を用いた各種電子部品は、そ
の物理的諸特性からSi、Geを代表とする族半
導体には見られない特殊な性質をもち、近年にな
つて、光電子部品や高速度電子部品等の分野にお
いて飛躍的に需要が伸びてきている。
しかし、化合物半導体は族半導体に比べて特
殊な性質があるため、同一のプロセスを行う事が
できない場合がある。
殊な性質があるため、同一のプロセスを行う事が
できない場合がある。
例えば、−族のGaAs、InP等の場合、水
素中において600℃〜700℃の温度に上昇すると
AsやＰが放出して半導体ウエハーに欠陥が生じ
る事が一般に知られている。このように、GaAs
やInPの場合AsやＰが飛び出しやすく、電極形成
の際にAu合金を用いてシンターを行うと400℃〜
500℃の温度で基板との深いアロイ層を形成して
しまい、半導体素子の寿命や特性に悪影響を及ぼ
してしまうことがある。
素中において600℃〜700℃の温度に上昇すると
AsやＰが放出して半導体ウエハーに欠陥が生じ
る事が一般に知られている。このように、GaAs
やInPの場合AsやＰが飛び出しやすく、電極形成
の際にAu合金を用いてシンターを行うと400℃〜
500℃の温度で基板との深いアロイ層を形成して
しまい、半導体素子の寿命や特性に悪影響を及ぼ
してしまうことがある。
また、オーミツク性の電極金属として用いられ
るAu／ZnやAu／Geのような金属はSiO2やAl2O3
のような酸化膜との密着性があまり良くならない
ため、熱処理を行う際に酸化膜上のAu／Zn、
Au／Geがはがれやすくなつてしまう。
るAu／ZnやAu／Geのような金属はSiO2やAl2O3
のような酸化膜との密着性があまり良くならない
ため、熱処理を行う際に酸化膜上のAu／Zn、
Au／Geがはがれやすくなつてしまう。
このような半導体装置では、酸化膜に設けられ
た電流注入窓の部にのみAu／Zn、Au／Ge等の
金属を用い、他の酸化膜の部分には別の金属を介
して用いる方法が使われている。
た電流注入窓の部にのみAu／Zn、Au／Ge等の
金属を用い、他の酸化膜の部分には別の金属を介
して用いる方法が使われている。
本発明は、このような化合物半導体特有の性質
と電極金属の性質を考慮して、それを解決する装
置の一つを提案するものである。
と電極金属の性質を考慮して、それを解決する装
置の一つを提案するものである。
前記の２つの問題に共通する事は熱による歪の
発生である。前者の場合、AsやＰが熱によつて
放出し、電極金属との境界に歪を与えるため、電
極金属が半導体基板中に拡散を起こし、深いアロ
イ層を形成してしまう。また、後者の場合、電極
金属と、酸化膜がそれぞれの熱膨脹係数の違いか
ら歪を起こし、膜のやわらかい電極金属が歪にた
えられなくなり密着度を低下させてしまう。
発生である。前者の場合、AsやＰが熱によつて
放出し、電極金属との境界に歪を与えるため、電
極金属が半導体基板中に拡散を起こし、深いアロ
イ層を形成してしまう。また、後者の場合、電極
金属と、酸化膜がそれぞれの熱膨脹係数の違いか
ら歪を起こし、膜のやわらかい電極金属が歪にた
えられなくなり密着度を低下させてしまう。
本発明装置は、この歪を抑えるため電極金属の
上に硬く電気伝導性を有する金属層を設けたもの
で、熱処理を行つても前記の歪を極力少くするこ
とができる。
上に硬く電気伝導性を有する金属層を設けたもの
で、熱処理を行つても前記の歪を極力少くするこ
とができる。
図面には本発明装置の一例が示してある。この
図は、InP／InGaAsP系によるLEDの例であり、
１のInP基板上に２，３，４，５のそれぞれの層
を結晶成長させ、６のSiO2膜を、スパツター蒸
着とホトリゾグラフによつて形成し、Au／Zn
７、Cr８、Au９を蒸着したのち１０のAu／Ge
を蒸着して作成したものである。
図は、InP／InGaAsP系によるLEDの例であり、
１のInP基板上に２，３，４，５のそれぞれの層
を結晶成長させ、６のSiO2膜を、スパツター蒸
着とホトリゾグラフによつて形成し、Au／Zn
７、Cr８、Au９を蒸着したのち１０のAu／Ge
を蒸着して作成したものである。
我々の実験結果によると、SiO2膜を500Å、
Au／Znを500Å、Crを1000Å、Auを2000Åとし
た場合、420℃のシンターで５の層へのアロイ進
行はほとんどなく、十分なオーミツクコンタクト
がとれた。また、マウント時における電極のはが
れはほとんどなかつた。
Au／Znを500Å、Crを1000Å、Auを2000Åとし
た場合、420℃のシンターで５の層へのアロイ進
行はほとんどなく、十分なオーミツクコンタクト
がとれた。また、マウント時における電極のはが
れはほとんどなかつた。
これは、熱による歪が十分に抑られていること
を示している。
を示している。
ここで、用いた電極金属がAu／Znであるの
は、結晶成長に用いたInP基板がＮ形であるた
め、４，５の層がＰ形となつている事による。ま
た、Crを用いて実験を行つているが、Crの代り
にTi又はPtを用いても同様な結果が得られるも
のである。基板としてＰ形InPを用いた場合は、
７のAu／Znと１０のAu／Geを逆に用いれば良
い。
は、結晶成長に用いたInP基板がＮ形であるた
め、４，５の層がＰ形となつている事による。ま
た、Crを用いて実験を行つているが、Crの代り
にTi又はPtを用いても同様な結果が得られるも
のである。基板としてＰ形InPを用いた場合は、
７のAu／Znと１０のAu／Geを逆に用いれば良
い。
以上、説明したように本発明は絶縁酸化膜を用
いた化合物半導体に適した電極構造をしており、
実用的に有効なものであり、また、電極金属の蒸
着を一度に行う事ができるのでプロセスの簡略
化、歩留りの向上に役立つものである。本発明
は、光半導体装置の他各種化合物半導体装置への
応用が考えられる。
いた化合物半導体に適した電極構造をしており、
実用的に有効なものであり、また、電極金属の蒸
着を一度に行う事ができるのでプロセスの簡略
化、歩留りの向上に役立つものである。本発明
は、光半導体装置の他各種化合物半導体装置への
応用が考えられる。
図面は、InP／InGaAsP系による本発明装置の
LEDである。 １：InP基板（Ｎ）、２：InPバツフアー層
（Ｎ）、３：InGaAsP活性層（Ｎ又はＰ）、４：
InPクラツド層（Ｐ）、５：InGaAsPオーミツク
コンタクト層（Ｐ）、６：SiO2絶縁酸化膜、７：
Au／Zn、８：Cr、９：Au、１０：Au／Ge。
LEDである。 １：InP基板（Ｎ）、２：InPバツフアー層
（Ｎ）、３：InGaAsP活性層（Ｎ又はＰ）、４：
InPクラツド層（Ｐ）、５：InGaAsPオーミツク
コンタクト層（Ｐ）、６：SiO2絶縁酸化膜、７：
Au／Zn、８：Cr、９：Au、１０：Au／Ge。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ InP層の少なくとも一部に絶縁膜が形成さ
れ、前記InP層の少なくとも一部及び前記絶縁膜
の少なくとも一部の上に前記InP層へ電流を注入
する電極が形成されており、前記電極は前記InP
層とオーミツク性を有する第１の金属層と、この
第１の金属層上に形成されたCr、Ti、Ptのうち
の少なくとも一種からなる第２の金属層と、この
第２の金属層上に形成されたAu、Ag、Alのうち
の一種からなる第３の金属層からなることを特徴
とする化合物半導体装置。 ２ 前記第１の金属層は、前記InP層がＰ型の場
合Au／Znからなり、前記InP層がＮ型の場合
Au／Geからなることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の化合物半導体装置。 ３ InP層の少なくとも一部に絶縁膜が形成され
た前記InP層の少なくとも一部及び前記絶縁膜の
少なくとも一部の上に、前記InP層とオーミツク
性を有する第１の金属層、Cr、Ti、Ptのうちの
少なくとも一種からなる第２の金属層、Au、
Ag、Alのうちの一種からなる第３の金属層を順
次形成した後、熱処理を行うことを特徴とする化
合物半導体装置の製造方法。 ４ 前記第１の金属層は、前記InP層がＰ型の場
合Au／Znからなり、前記InP層がＮ型の場合
Au／Geからなることを特徴とする特許請求の範
囲第３項記載の化合物半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP203881A JPS57115864A (en) | 1981-01-12 | 1981-01-12 | Compound semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP203881A JPS57115864A (en) | 1981-01-12 | 1981-01-12 | Compound semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57115864A JPS57115864A (en) | 1982-07-19 |
| JPH0224030B2 true JPH0224030B2 (ja) | 1990-05-28 |
Family
ID=11518147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP203881A Granted JPS57115864A (en) | 1981-01-12 | 1981-01-12 | Compound semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57115864A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5941867A (ja) * | 1982-03-31 | 1984-03-08 | Anritsu Corp | 貫通穴を有するセラミックス部品の製造方法 |
| JPS59119776A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-11 | Fujitsu Ltd | 発光半導体装置 |
| JPS59220966A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-12 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP2593717Y2 (ja) * | 1990-02-13 | 1999-04-12 | 富士通テン株式会社 | 車載用テレビディスプレイの設置構造 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5030775B2 (ja) * | 1972-05-25 | 1975-10-03 | ||
| JPS5950106B2 (ja) * | 1976-10-15 | 1984-12-06 | 株式会社東芝 | 半導体素子の電極構造 |
-
1981
- 1981-01-12 JP JP203881A patent/JPS57115864A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57115864A (en) | 1982-07-19 |
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