JPS59119776A - 発光半導体装置 - Google Patents
発光半導体装置Info
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- JPS59119776A JPS59119776A JP57226622A JP22662282A JPS59119776A JP S59119776 A JPS59119776 A JP S59119776A JP 57226622 A JP57226622 A JP 57226622A JP 22662282 A JP22662282 A JP 22662282A JP S59119776 A JPS59119776 A JP S59119776A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（υ発明の技術分野
本発明は発光半導体装置に関するものであシ、特に改良
された発光ダイオードに関するものである。
された発光ダイオードに関するものである。
（２）従来技術と問題点
発光ダイオードは例えばｎｆｌｌｌ電極、ｐ側電極、該
２つの電極に挾まれるように配置されたｎ型窓層、ｐ型
活性層、ｐ型ブロック層及びｐ電極を横方向に囲む絶縁
層から主に構成されている。該ｎ型窓層、ｐ型活性層及
びｐ型プロ、り層はｍ−ｖ族化合物半導体の単結晶、特
にＧａＡｓ 、 ＧａＰ及びＧａＡｓの一部を他の元素
で置換したＧａＡｓ１ ｚＰｘ・Ｇａ１−エＡｔｘＡｓ
等の三元結晶が主に用いられている。
２つの電極に挾まれるように配置されたｎ型窓層、ｐ型
活性層、ｐ型ブロック層及びｐ電極を横方向に囲む絶縁
層から主に構成されている。該ｎ型窓層、ｐ型活性層及
びｐ型プロ、り層はｍ−ｖ族化合物半導体の単結晶、特
にＧａＡｓ 、 ＧａＰ及びＧａＡｓの一部を他の元素
で置換したＧａＡｓ１ ｚＰｘ・Ｇａ１−エＡｔｘＡｓ
等の三元結晶が主に用いられている。
ｐ側電極としてはチタン−白金−金（Ｔｌ−Ｐｔ−Ａｕ
）の他に低Ｖ、特性を与えるため金−亜鉛（Ａｕ−Ｚｎ
）、又は金−ゲルマニウム（Ａｕ−Ｇｅ ）等ｐ型不純
物Ｚｎ。
）の他に低Ｖ、特性を与えるため金−亜鉛（Ａｕ−Ｚｎ
）、又は金−ゲルマニウム（Ａｕ−Ｇｅ ）等ｐ型不純
物Ｚｎ。
Ｇｅを含む合金が用いられようとしている。該ｐ側電極
はｐ型ブロック層上の絶縁層のほぼ中央部をドツト状に
エツチングし上記ＡｕＺ’ｎ 、ＡｕＧｅ等をｐ型ブロ
ック層にアロイ化することによって形成される。該Ａｕ
Ｚｎ 、 ＡｕＧｅ等はＧ ａ １−ｚ ＡＩＸ Ａ
ｓ等の単結晶からなるｐ型ブロック層とはアロイ化の際
局所的な反応が起る為ぬれ性が悪く玉状又は島状に形成
される。従って、形成されたｐ電極金属表面は凹凸状と
なシそのため光の反射率にむらが発生し均一な輝度分布
を持つ光ダイオードを得ることが困難であった。
はｐ型ブロック層上の絶縁層のほぼ中央部をドツト状に
エツチングし上記ＡｕＺ’ｎ 、ＡｕＧｅ等をｐ型ブロ
ック層にアロイ化することによって形成される。該Ａｕ
Ｚｎ 、 ＡｕＧｅ等はＧ ａ １−ｚ ＡＩＸ Ａ
ｓ等の単結晶からなるｐ型ブロック層とはアロイ化の際
局所的な反応が起る為ぬれ性が悪く玉状又は島状に形成
される。従って、形成されたｐ電極金属表面は凹凸状と
なシそのため光の反射率にむらが発生し均一な輝度分布
を持つ光ダイオードを得ることが困難であった。
（３）発明の目的
上記欠点を鑑み本発明の目的は１つの導電型の電極の表
面を改良せしめた発光ダイオードを提供することである
。
面を改良せしめた発光ダイオードを提供することである
。
本発明の他の目的は発光輝度分布が均一な低ｖＦ特性を
有する発光ダイオードを提供することである０ （４）発明の構成 本発明の目的はｐ型の化合物半導体領域に接して設けた
ｐ型不純物を含む金合金層、その上に順次形成したチタ
ン層と白金層とを熱処理しオーミックコンタクトとした
ことを特命とする発光半導体装置によって達成される。
有する発光ダイオードを提供することである０ （４）発明の構成 本発明の目的はｐ型の化合物半導体領域に接して設けた
ｐ型不純物を含む金合金層、その上に順次形成したチタ
ン層と白金層とを熱処理しオーミックコンタクトとした
ことを特命とする発光半導体装置によって達成される。
（５）発明の実施例
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
図は本発明に係る一つの実施例を示す概略断面図である
。
。
図において１は金−亜鉛（Ａｕ−Ｚｎ）金属層、２はチ
タン（Ｔｉ）層、３は白金（Ｐｔ）層、４は二酸化シリ
コン等の絶縁層、５はｐ型Ｇａ１−Ｘ凋−Ａｓの１ノロ
ツク層、６はｐ型又はｎ型Ｇ ａ １−ｘＡＺｘＡ ｓ
の活性層、７はｎ型Ｇ ａ １−ＸＡＺＸＡ ’の窓層
、８は金ダルマニウムー金（ＡｕＧｅ−Ａｕ）のｎ側電
極、９は金メッキされた放熱板１である。
タン（Ｔｉ）層、３は白金（Ｐｔ）層、４は二酸化シリ
コン等の絶縁層、５はｐ型Ｇａ１−Ｘ凋−Ａｓの１ノロ
ツク層、６はｐ型又はｎ型Ｇ ａ １−ｘＡＺｘＡ ｓ
の活性層、７はｎ型Ｇ ａ １−ＸＡＺＸＡ ’の窓層
、８は金ダルマニウムー金（ＡｕＧｅ−Ａｕ）のｎ側電
極、９は金メッキされた放熱板１である。
従来、ｐ側電極は例えばＡｕＺｎの金属層のみによって
構成されていた。これはＴｉ−Ｐｔ−Ａｕでは可視用と
Ｌ７てＧ ａＡｔＡ ａのＡｔ濃度が高くなってくると
Ｔｉでは所望の低いＶ、特性が得られにくいためである
。
構成されていた。これはＴｉ−Ｐｔ−Ａｕでは可視用と
Ｌ７てＧ ａＡｔＡ ａのＡｔ濃度が高くなってくると
Ｔｉでは所望の低いＶ、特性が得られにくいためである
。
従って、低ＶＰ−特性には好ましいＡｕ−Ｚｎ系を用い
る必要があシ、図に示すようにＡｕＺｎの金属層ｌ上に
チタン層２半してチタン層２上に白金層３が形成されて
おシこの３層が１つの導電型側に配置された電極、本実
施例の場合ｐ側電極を構成している。
る必要があシ、図に示すようにＡｕＺｎの金属層ｌ上に
チタン層２半してチタン層２上に白金層３が形成されて
おシこの３層が１つの導電型側に配置された電極、本実
施例の場合ｐ側電極を構成している。
ＡｕＺｎすなわち亜鉛を含む金属は亜鉛がｐ型導電型を
示す不純物として作用するために用いられる。
示す不純物として作用するために用いられる。
上記３層はそれぞれ真空蒸着法又はスパッタリング法に
よって形成された後に４６０℃の温度で熱処理（アロイ
化）することによって各層間のオーミックコンタクトを
得たものである。
よって形成された後に４６０℃の温度で熱処理（アロイ
化）することによって各層間のオーミックコンタクトを
得たものである。
チタンは金属に対してぬれ性がよいためアロイ化の際Ａ
ｕ −Ｚｎの金属層ｌに対して均一に密着性よく被着す
る。従ってＡｕＺｎの金属層ｌは使用結晶材料すなわち
ｐ型Ｇ ａ ｚＡＬｌ−ｚＡ ａのブロック層５に対し
てもほぼ平坦に均一に接することになる（１＆）。この
結果ｐ側電極を均一なアロイ面で形成することが可能と
なシ反射率が均一となシ従って均一な輝度分布を得るこ
とが出来、平坦な発光パターンの特性を示す低Ｖ、特性
が得られる。
ｕ −Ｚｎの金属層ｌに対して均一に密着性よく被着す
る。従ってＡｕＺｎの金属層ｌは使用結晶材料すなわち
ｐ型Ｇ ａ ｚＡＬｌ−ｚＡ ａのブロック層５に対し
てもほぼ平坦に均一に接することになる（１＆）。この
結果ｐ側電極を均一なアロイ面で形成することが可能と
なシ反射率が均一となシ従って均一な輝度分布を得るこ
とが出来、平坦な発光パターンの特性を示す低Ｖ、特性
が得られる。
本発明において１つの導電型を示す金属を含む合金とし
ては例えはｐ型を示すゲルマニウムを含む金−ゲルマニ
ウム（Ａｕ−Ｇの合金でもよい。
ては例えはｐ型を示すゲルマニウムを含む金−ゲルマニ
ウム（Ａｕ−Ｇの合金でもよい。
図示した本発明の実施例の製造方法を以下概略的に説明
する。
する。
約５０［、ａｍ〕の厚さを有するｎ型Ｇａ １−２ＡＩ
ＸＡ ｓの窓層７上に約２〔μｍ〕の厚さにそれぞれｐ
ｍＧａＩ ＸＡｔＸＡＪの活性層６及びｐ型ＧａＩ Ｘ
ＡｌＸＡ３のプロ、り層５を形成し次に該ブロック層５
上に約ａ ｏ ｏ ｏ ＥＸ）の二酸化シリコン（ＳＩ
Ｏ２）等の絶縁層４をＣＶＤ法（化学的気相成長法）に
よって形成し、次に所望の電極パターンを井＋、トリソ
グラフィ技術によって形成する。この後電極部を窓開け
し、次に全露出表面にＡｕＺｎ合金を蒸着し絶縁層窓開
は箇所よシ大きく残すパターンによってエツチングしＡ
ｕＺｎ合金層１を形成する。続いてＴｌ。
ＸＡ ｓの窓層７上に約２〔μｍ〕の厚さにそれぞれｐ
ｍＧａＩ ＸＡｔＸＡＪの活性層６及びｐ型ＧａＩ Ｘ
ＡｌＸＡ３のプロ、り層５を形成し次に該ブロック層５
上に約ａ ｏ ｏ ｏ ＥＸ）の二酸化シリコン（ＳＩ
Ｏ２）等の絶縁層４をＣＶＤ法（化学的気相成長法）に
よって形成し、次に所望の電極パターンを井＋、トリソ
グラフィ技術によって形成する。この後電極部を窓開け
し、次に全露出表面にＡｕＺｎ合金を蒸着し絶縁層窓開
は箇所よシ大きく残すパターンによってエツチングしＡ
ｕＺｎ合金層１を形成する。続いてＴｌ。
ｐｔの順に連続的に蒸着し約１０００Ｘの厚さをそれぞ
れ有するＴｉ層２、ｐｔ層３を形成する。その後動４６
０°の温度で熱処理（アロイ化）を施しプＯｙり層４、
ＡｕＺｎ合金層１、Ｔｉ層２、及びｐｔ層３のオーミツ
名コンタクトを得る。このようにしてＡｕＺｎ合金層１
、Ｔｔ層２、Ｐｌを層の３層によってｐ側電極を得る。
れ有するＴｉ層２、ｐｔ層３を形成する。その後動４６
０°の温度で熱処理（アロイ化）を施しプＯｙり層４、
ＡｕＺｎ合金層１、Ｔｉ層２、及びｐｔ層３のオーミツ
名コンタクトを得る。このようにしてＡｕＺｎ合金層１
、Ｔｔ層２、Ｐｌを層の３層によってｐ側電極を得る。
その後該ｐｔ層３上に約２０〜２５〔μｍ〕の厚さに金
メッキを施し金メツキ放熱板の窓層７上にｐ側電極と反
対側にドーナツ状に形成し発光ダイオードを完成する。
メッキを施し金メツキ放熱板の窓層７上にｐ側電極と反
対側にドーナツ状に形成し発光ダイオードを完成する。
（６）発明の詳細
な説明したように本発明によれはチタン層及び白金層を
設けることによって、１つの導電型を示す金属を含む合
金層のアロイ化が平坦性よく均一に行なわれるので発光
輝度分布の均一な低■Ｆ特性を得ることが出来る。
設けることによって、１つの導電型を示す金属を含む合
金層のアロイ化が平坦性よく均一に行なわれるので発光
輝度分布の均一な低■Ｆ特性を得ることが出来る。
図は本発明に係る一つの実施例を示す概略断面図である
。 １・・・ＡｕＺｎ合金層、２・・・Ｔｉ層、３・・・ｐ
ｔ層、４・・・絶縁層（ＳＩＯ２）、５−ｐ型Ｇ ａ
１−ｚＡＬｚＡ ｓのブｏツク層、６ ・ｐ型Ｇａ１−
ＸＡ４Ａｓの活性層、７ ・−ｎ型Ｇａ１ ｘＡＺｚＡ
ｓの窓層、８・・・ｎ側電極、９・・・金メツキ放熱板
。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士内田幸男 弁理士 山 口 昭 之
。 １・・・ＡｕＺｎ合金層、２・・・Ｔｉ層、３・・・ｐ
ｔ層、４・・・絶縁層（ＳＩＯ２）、５−ｐ型Ｇ ａ
１−ｚＡＬｚＡ ｓのブｏツク層、６ ・ｐ型Ｇａ１−
ＸＡ４Ａｓの活性層、７ ・−ｎ型Ｇａ１ ｘＡＺｚＡ
ｓの窓層、８・・・ｎ側電極、９・・・金メツキ放熱板
。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士内田幸男 弁理士 山 口 昭 之
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ｐ型の化合物半導体領域に接して設けたｐ型不純物
を含む金合金層、その上に順次形成したチタン層と白金
層とを熱処理しオーミックコンタクトとしたことを特徴
とする発光半導体装置。 ２、前記１つの導電型を示す金属が亜鉛又はゲルマニウ
ムであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
発光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57226622A JPS59119776A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 発光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57226622A JPS59119776A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 発光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59119776A true JPS59119776A (ja) | 1984-07-11 |
Family
ID=16848082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57226622A Pending JPS59119776A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 発光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59119776A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57115864A (en) * | 1981-01-12 | 1982-07-19 | Toshiba Corp | Compound semiconductor device |
| JPS57164593A (en) * | 1981-04-03 | 1982-10-09 | Nec Corp | Electrode for semiconductor light emitting device |
-
1982
- 1982-12-27 JP JP57226622A patent/JPS59119776A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57115864A (en) * | 1981-01-12 | 1982-07-19 | Toshiba Corp | Compound semiconductor device |
| JPS57164593A (en) * | 1981-04-03 | 1982-10-09 | Nec Corp | Electrode for semiconductor light emitting device |
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