JPH0519808B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0519808B2 JPH0519808B2 JP58108583A JP10858383A JPH0519808B2 JP H0519808 B2 JPH0519808 B2 JP H0519808B2 JP 58108583 A JP58108583 A JP 58108583A JP 10858383 A JP10858383 A JP 10858383A JP H0519808 B2 JPH0519808 B2 JP H0519808B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- alloy layer
- electrode
- temperature
- type sic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 23
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910021364 Al-Si alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910003925 SiC 1 Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明はＰ型SiCの電極形成方法に関する。
(ロ) 従来技術
Ｐ型SiCの電極形成方法としては、第１図に示
す如くＰ型SiC１上にAl（アルミニウム）とSi（シ
リコン）との組成比が約89：11となる合金層２を
形成し、その後、900℃〜1000℃の高温真空中で
５〜10分間熱処理を施して形成する方法が既に提
案されている。
す如くＰ型SiC１上にAl（アルミニウム）とSi（シ
リコン）との組成比が約89：11となる合金層２を
形成し、その後、900℃〜1000℃の高温真空中で
５〜10分間熱処理を施して形成する方法が既に提
案されている。
然る斯る方法により得られた電極の電流電圧特
性は第２図に示す如く良好なものとなるが、その
形状は第３図に示す如く変形してしまう。これは
上記組成比のAl−Si合金層２の共融温度が577℃
と上記熱処理温度に比して小さいため、上記熱処
理時に上記合金層２が溶融し、これに伴なつて
Alが蒸発してしまうためである。
性は第２図に示す如く良好なものとなるが、その
形状は第３図に示す如く変形してしまう。これは
上記組成比のAl−Si合金層２の共融温度が577℃
と上記熱処理温度に比して小さいため、上記熱処
理時に上記合金層２が溶融し、これに伴なつて
Alが蒸発してしまうためである。
(ハ) 発明の目的
本発明は斯る点に鑑みてなされたもので、オー
ミツク特性が良好でかつ熱処理時に形状が変形し
ないようなＰ型SiCの電極の形成方法を提供せん
とするものである。
ミツク特性が良好でかつ熱処理時に形状が変形し
ないようなＰ型SiCの電極の形成方法を提供せん
とするものである。
(ニ) 発明の構成
本発明のＰ型SiCの電極形成方法は、Ｐ型SiC
上にAl構成比が65％以下であるAl−Si合金層を
形成した後、熱処理を施して電極を形成するに際
して、前記熱処理温度が前記合金層の共融温度よ
り低く、且つ900℃以上であることを特徴とする。
上にAl構成比が65％以下であるAl−Si合金層を
形成した後、熱処理を施して電極を形成するに際
して、前記熱処理温度が前記合金層の共融温度よ
り低く、且つ900℃以上であることを特徴とする。
(ホ) 実施例
本発明の一実施例としては第１図に示した合金
層２をAlとSiの構成比（重量比）が65：35にし
たようなものがある。尚、欺る合金層２の共融温
度は900℃である。
層２をAlとSiの構成比（重量比）が65：35にし
たようなものがある。尚、欺る合金層２の共融温
度は900℃である。
第４図は本実施例構成において、その熱処理を
変化させた際の夫々の電流電圧特性を示す。具体
的には同図中（）は上記処理を１×10-6Torr
以下の真空中で850℃、10分間行なつたものの結
果を示し、（）は１×10-6Torr以下の真空中で
900℃、10分間行なつたものの結果を示す。
変化させた際の夫々の電流電圧特性を示す。具体
的には同図中（）は上記処理を１×10-6Torr
以下の真空中で850℃、10分間行なつたものの結
果を示し、（）は１×10-6Torr以下の真空中で
900℃、10分間行なつたものの結果を示す。
欺る結果より明らかな如く、上記（）の熱処
理条件で形成された電極の方がオーミツク特性が
良好となつている。欺るオーミツク特性は熱処理
時の温度と時間との積で与えられるものであり、
欺る積の値が大である程オーミツク特性が良好と
なることが確認されている。従つて上記（）の
条件においても熱処理時間を長くすることにより
オーミツク特性は改善され、上記（）の条件に
おいても熱処理時間を長くすることにより一層オ
ーミツク特性が良好となる。
理条件で形成された電極の方がオーミツク特性が
良好となつている。欺るオーミツク特性は熱処理
時の温度と時間との積で与えられるものであり、
欺る積の値が大である程オーミツク特性が良好と
なることが確認されている。従つて上記（）の
条件においても熱処理時間を長くすることにより
オーミツク特性は改善され、上記（）の条件に
おいても熱処理時間を長くすることにより一層オ
ーミツク特性が良好となる。
また、上記（）（）の条件で熱処理された
電極の形状は熱処理前と変わらなかつた。これは
上記熱処理温度が合金層２の共融温度に比して低
く、従来技術の項で既述したような現象が生じな
いためである。
電極の形状は熱処理前と変わらなかつた。これは
上記熱処理温度が合金層２の共融温度に比して低
く、従来技術の項で既述したような現象が生じな
いためである。
本発明の第２の実施例としては第１図に示した
合金層２をAlとSiとの構成比が45：55となるよ
うに構成し、１×10-6Torr以下の真空中で1000
℃、10分間熱処理する。
合金層２をAlとSiとの構成比が45：55となるよ
うに構成し、１×10-6Torr以下の真空中で1000
℃、10分間熱処理する。
第５図は欺る処理により得られた電極の電流−
電圧特性を示し、これにより欺る電極のオーミツ
ク特性が非常に優れていることがわかる。またこ
のとき斯る電極の形状は熱処理前と熱処理後とで
変化しなかつた。これは上記合金層２の共融温度
が約1130℃であるためである。
電圧特性を示し、これにより欺る電極のオーミツ
ク特性が非常に優れていることがわかる。またこ
のとき斯る電極の形状は熱処理前と熱処理後とで
変化しなかつた。これは上記合金層２の共融温度
が約1130℃であるためである。
このように本実施例により得られた電極はオー
ミツク特性が良好であり、かつその形状は加熱時
に変形することはない。
ミツク特性が良好であり、かつその形状は加熱時
に変形することはない。
尚、既述した如く、オーミツク特性の良否は熱
処理温度と処理時間により決定されるものであ
り、また熱処理温度は合金層２の共融温度により
限定されるものであり、更に半導体製造プロセス
において欺る電極形成における熱処理時間は実用
的には長くとも10分程度が好ましい。従つて欺る
点を総合すると、上記合金層２中のAlの構成比
は65％以下が好ましく、斯る条件では熱処理条件
が900℃以上、10分間以下で良好なオーミツク特
性を有し、かつ形崩れのない電極が形成できる。
処理温度と処理時間により決定されるものであ
り、また熱処理温度は合金層２の共融温度により
限定されるものであり、更に半導体製造プロセス
において欺る電極形成における熱処理時間は実用
的には長くとも10分程度が好ましい。従つて欺る
点を総合すると、上記合金層２中のAlの構成比
は65％以下が好ましく、斯る条件では熱処理条件
が900℃以上、10分間以下で良好なオーミツク特
性を有し、かつ形崩れのない電極が形成できる。
またAl−Si合金層のAl構成比が65％以下と少
なくなると合金層上へのワイヤボンデイングが困
難になるため、上記組成を有した合金層を電極と
して用いる際には斯る合金層上にAlもしくはAl
−AU（金）合金層を積層することが好ましい。
なくなると合金層上へのワイヤボンデイングが困
難になるため、上記組成を有した合金層を電極と
して用いる際には斯る合金層上にAlもしくはAl
−AU（金）合金層を積層することが好ましい。
(ヘ) 発明の効果
本発明によれば、Al構成比が65％以下である
Al−Si合金層を形成した後の熱処理温度が該合
金層の共融温度より低く、且つ900℃以上である
ので、オーミツク特性が良好で且つ熱処理時に変
形しないＰ型SiC電極を得ることができる。
Al−Si合金層を形成した後の熱処理温度が該合
金層の共融温度より低く、且つ900℃以上である
ので、オーミツク特性が良好で且つ熱処理時に変
形しないＰ型SiC電極を得ることができる。
第１図はＰ型SiC用の電極を説明するための断
面図、第２図、第４図、第５図は電流−電圧時性
を示す特性図、第３図は従来例を示す断面図であ
る。 １……Ｐ型SiC、２……Al−Si合金層。
面図、第２図、第４図、第５図は電流−電圧時性
を示す特性図、第３図は従来例を示す断面図であ
る。 １……Ｐ型SiC、２……Al−Si合金層。
Claims (1)
- １ Ｐ型SiC上にAl構成比が65％以下であるAl−
Si合金層を形成した後、熱処理を施して電極を形
成するに際して、前記熱処理温度が前記合金層の
共融温度より低く、且つ900℃以上であることを
特徴とするＰ型SiCの電極形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10858383A JPS60736A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | Ｐ型ＳｉＣの電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10858383A JPS60736A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | Ｐ型ＳｉＣの電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60736A JPS60736A (ja) | 1985-01-05 |
| JPH0519808B2 true JPH0519808B2 (ja) | 1993-03-17 |
Family
ID=14488484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10858383A Granted JPS60736A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | Ｐ型ＳｉＣの電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60736A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62192525U (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-07 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4841070A (ja) * | 1971-09-27 | 1973-06-16 |
-
1983
- 1983-06-16 JP JP10858383A patent/JPS60736A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4841070A (ja) * | 1971-09-27 | 1973-06-16 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60736A (ja) | 1985-01-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3323956A (en) | Method of manufacturing semiconductor devices | |
| JPS6271271A (ja) | 炭化珪素半導体の電極構造 | |
| JPH0519808B2 (ja) | ||
| JPH0518251B2 (ja) | ||
| US5057454A (en) | Process for producing ohmic electrode for p-type cubic system boron nitride | |
| JP2708798B2 (ja) | 炭化ケイ素の電極形成方法 | |
| JPS61256766A (ja) | 化合物半導体用電極 | |
| JPS6016463A (ja) | オ−ム性電極 | |
| US4077045A (en) | Metallization system for semiconductive devices, devices utilizing such metallization system and method for making devices and metallization system | |
| JPS60117771A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0587144B2 (ja) | ||
| JPS5950213B2 (ja) | Ｎ形砒化ガリウムのオ−ム性電極およびその形成方法 | |
| JPS59202666A (ja) | アルミニウム合金配線 | |
| JPS6010674A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS6230709B2 (ja) | ||
| JP2967221B2 (ja) | 正特性サーミスタ素子 | |
| JPH0528765Y2 (ja) | ||
| JPH0670981B2 (ja) | 電極形成方法 | |
| JPS6126745A (ja) | ボンデイングワイヤ | |
| JPH0648880Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5838942B2 (ja) | シヨツトキシヨウヘキガタハンドウタイソウチ オヨビ ソノセイゾウホウ | |
| JP2002519867A (ja) | 発光ダイオード及びレーザ装置での高電流密度印加用の金属電気接点 | |
| JP2575163B2 (ja) | 半導体素子のボンディング用被覆線 | |
| JPS60136270A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0773118B2 (ja) | 電子部品とその製造法 |