JPH0728024B2 - 炭化けい素を用いた半導体素子 - Google Patents
炭化けい素を用いた半導体素子Info
- Publication number
- JPH0728024B2 JPH0728024B2 JP61052320A JP5232086A JPH0728024B2 JP H0728024 B2 JPH0728024 B2 JP H0728024B2 JP 61052320 A JP61052320 A JP 61052320A JP 5232086 A JP5232086 A JP 5232086A JP H0728024 B2 JPH0728024 B2 JP H0728024B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- film
- aluminum
- silicon carbide
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 20
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 18
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N triethylaluminium Chemical compound CC[Al](CC)CC VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1608—Silicon carbide
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、炭化けい素を用いた耐熱性に優れた半導体
素子に関するものである。
素子に関するものである。
近年、シリコン基板上に化学気相成長法により良質の3C
形炭化けい素単結晶膜が得られるようになった。炭化け
い素を用いてダイオードやトランジスタを作製する場
合、良質のpn接合の作製が重要である。3C形炭化けい素
の場合、何もドープしないでキャリア濃度1016cm-3台の
ｎ形結晶が得られる。ｐ型結晶は成長中にアルミニウム
やボロンを導入して得られる。
形炭化けい素単結晶膜が得られるようになった。炭化け
い素を用いてダイオードやトランジスタを作製する場
合、良質のpn接合の作製が重要である。3C形炭化けい素
の場合、何もドープしないでキャリア濃度1016cm-3台の
ｎ形結晶が得られる。ｐ型結晶は成長中にアルミニウム
やボロンを導入して得られる。
しかし、これらの不純物のアクセプタ準位が深いことと
ｎ型を補償することから高濃度のドーピング必要である
ことおよび成長温度が高いことから、急峻なpn接合を作
ることが困難である。またショットキー電極をゲート電
極とするトランジスタ（MESFET）の場合、ショットキー
電極として金が優れているが、高温加熱に弱いという問
題点がある。
ｎ型を補償することから高濃度のドーピング必要である
ことおよび成長温度が高いことから、急峻なpn接合を作
ることが困難である。またショットキー電極をゲート電
極とするトランジスタ（MESFET）の場合、ショットキー
電極として金が優れているが、高温加熱に弱いという問
題点がある。
この発明は、上記の問題点を解決するためになされたも
ので、耐熱性に優れたpn接合電極を有する炭化けい素を
用いた半導体素子を提供することを目的とする。
ので、耐熱性に優れたpn接合電極を有する炭化けい素を
用いた半導体素子を提供することを目的とする。
この発明にかかる炭化けい素を用いた半導体素子は、ダ
イオードのｐ型電極あるいは電界効果トランジスタのゲ
ート電極を、アルミニウム電極あるいはアルミニウムと
シリコンの合金電極としたものである。
イオードのｐ型電極あるいは電界効果トランジスタのゲ
ート電極を、アルミニウム電極あるいはアルミニウムと
シリコンの合金電極としたものである。
この発明は、アルミニウム電極あるいはアルミニウムと
シリコンの合金電極が耐熱性に優れたpn接合の電極とし
て作用する。
シリコンの合金電極が耐熱性に優れたpn接合の電極とし
て作用する。
はじめにこの発明の原理について説明する。
アルミニウムは炭化けい素のｐ型不純物として、またア
ルミニウム−シリコン合金はｐ型炭化けい素オーミック
電極用金属として知られているが、何もドープしないで
成長させた（ノンドープ）ｎ型炭化けい素にアルミニウ
ム電極あるいはアルミニウム−シリコン合金電極を形成
したところ、良好なpn接合が得られることを見出した。
ルミニウム−シリコン合金はｐ型炭化けい素オーミック
電極用金属として知られているが、何もドープしないで
成長させた（ノンドープ）ｎ型炭化けい素にアルミニウ
ム電極あるいはアルミニウム−シリコン合金電極を形成
したところ、良好なpn接合が得られることを見出した。
第４図の破線は化学気相成長法でトリエチルアルミニウ
ム（TEA）を導入しながら成長させたアルミニウムをド
ープしたｐ型炭化けい素の上に何もドープしないでｎ型
層をひきつづいて成長させて得られたpn接合の電流−電
圧特性である。逆バイアス5Vで５μＡ程度のリーク電流
がある。また順バイアスでのｎ値は3.7程度である。
ム（TEA）を導入しながら成長させたアルミニウムをド
ープしたｐ型炭化けい素の上に何もドープしないでｎ型
層をひきつづいて成長させて得られたpn接合の電流−電
圧特性である。逆バイアス5Vで５μＡ程度のリーク電流
がある。また順バイアスでのｎ値は3.7程度である。
第５図はこのpn接合の容量Ｃ−電圧Ｖ特性から求めたC
-2とＶの関係を示したものである。この図からわかるよ
うに両者の関係は直線となっておらず、接合がステップ
的になっていないことを示している。
-2とＶの関係を示したものである。この図からわかるよ
うに両者の関係は直線となっておらず、接合がステップ
的になっていないことを示している。
これに対し、第４図の実線はノンドープｎ型炭化けい素
上に真空蒸着によりアルミニウム膜，シリコン膜を原子
比で89:11になるような膜厚で積層し、真空中930℃,3分
間焼鈍したものの電流−電圧特性である。逆バイアス5V
でリーク電流は0.1μＡ以下ときわめて小さい。
上に真空蒸着によりアルミニウム膜，シリコン膜を原子
比で89:11になるような膜厚で積層し、真空中930℃,3分
間焼鈍したものの電流−電圧特性である。逆バイアス5V
でリーク電流は0.1μＡ以下ときわめて小さい。
第６図はこのpn接合のC-2とＶの関係を示したものであ
る。この場合には直線的であり、接合がステップ的にな
っていることがわかる。
る。この場合には直線的であり、接合がステップ的にな
っていることがわかる。
また第７図，第８図はそれぞれアルミニウム膜およびア
ルミニウム膜，シリコン膜を原子比で50:50になるよう
な膜厚で積層し、アルゴンガス中900℃,3分間加熱焼鈍
したものの電流−電圧特性である。いずれも良好なpn接
合が形成されていることがわかる。
ルミニウム膜，シリコン膜を原子比で50:50になるよう
な膜厚で積層し、アルゴンガス中900℃,3分間加熱焼鈍
したものの電流−電圧特性である。いずれも良好なpn接
合が形成されていることがわかる。
この発明は以上の知見に基づいてなされたものである。
以下シリコン基板上に化学気相成長法によりエピタキシ
ャル成長させた3C形炭化けい素を用いたダイオードおよ
び電界効果トランジスタの場合について述べる。
以下シリコン基板上に化学気相成長法によりエピタキシ
ャル成長させた3C形炭化けい素を用いたダイオードおよ
び電界効果トランジスタの場合について述べる。
第１図（ａ）〜（ｄ）はこの発明の一実施例を示す半導
体素子の製造方法の工程を示す図である。
体素子の製造方法の工程を示す図である。
まず、第１図（ａ）のようにｐ型シリコン基板１の上に
シランとプロパン反応ガスを用いる化学気相成長法によ
りノンドープのｎ型3C−炭化けい素単結晶膜２をエピタ
キシャル成長させる。次に、第１図（ｂ）に示すように
アルミニウム膜3Aおよびシリコン膜3Bを真空蒸着により
積層する。各膜厚はアルミニウムとシリコンの原子比が
89:11となるように選ぶ。次に、第１図（ｃ）のように
両膜3A,3Bの両側にニッケル膜電極４′,5′を真空蒸着
する。これを真空中930℃３分間加熱焼鈍して、第１図
（ｄ）のようにそれぞれｐ型電極3,n型オーミック電極
4,5を得る。電極3-4あるいは3-5の組み合わせで、ダイ
オードが、また電極3Aをゲート電極、電極４をソース電
極、電極５をドレイン電極としての組み合わせで、接合
型電界効果型トランジスタとして作動する。
シランとプロパン反応ガスを用いる化学気相成長法によ
りノンドープのｎ型3C−炭化けい素単結晶膜２をエピタ
キシャル成長させる。次に、第１図（ｂ）に示すように
アルミニウム膜3Aおよびシリコン膜3Bを真空蒸着により
積層する。各膜厚はアルミニウムとシリコンの原子比が
89:11となるように選ぶ。次に、第１図（ｃ）のように
両膜3A,3Bの両側にニッケル膜電極４′,5′を真空蒸着
する。これを真空中930℃３分間加熱焼鈍して、第１図
（ｄ）のようにそれぞれｐ型電極3,n型オーミック電極
4,5を得る。電極3-4あるいは3-5の組み合わせで、ダイ
オードが、また電極3Aをゲート電極、電極４をソース電
極、電極５をドレイン電極としての組み合わせで、接合
型電界効果型トランジスタとして作動する。
なお、ｎ型オーミック電極4,5はCr膜,Au-Ta合金膜，タ
ングステン膜，焼鈍しないAl膜等でもよく、Ni膜に限定
するものではない。
ングステン膜，焼鈍しないAl膜等でもよく、Ni膜に限定
するものではない。
第２図はこの発明の他の実施例を示すもので、メサ型構
造のダイオードである。これらの図で、１〜３は第１図
と同じものであり、ｎ型3C−炭化けい素単結晶膜２がメ
サ型に形成されている。
造のダイオードである。これらの図で、１〜３は第１図
と同じものであり、ｎ型3C−炭化けい素単結晶膜２がメ
サ型に形成されている。
第３図はこの発明のさらに他の実施例を示すメサ型構造
のダイオードで、この場合はｎ型シリコン基板10を用
い、ｎ型オーミック電極４をｎ型シリコン基板10の裏面
にとっている。第１図，第２図のようなメサ型構造の場
合、表面リーク電流をさらに小さくすることができる。
のダイオードで、この場合はｎ型シリコン基板10を用
い、ｎ型オーミック電極４をｎ型シリコン基板10の裏面
にとっている。第１図，第２図のようなメサ型構造の場
合、表面リーク電流をさらに小さくすることができる。
なお、以上の実施例において、電界効果トランジスタの
ゲート電極およびダイオードのｐ型電極はアルミニウム
とシリコンの原子比が89:11の合金膜に限定するもので
はなく、アルミニウム単体膜、あるいはシリコン組成０
〜50％範囲のアルミニウムとシリコン合金膜であっても
よい。また加熱焼鈍は真空中930℃に限定されるもので
はなく、温度域800〜1000℃，不活性ガス中であっても
よい。
ゲート電極およびダイオードのｐ型電極はアルミニウム
とシリコンの原子比が89:11の合金膜に限定するもので
はなく、アルミニウム単体膜、あるいはシリコン組成０
〜50％範囲のアルミニウムとシリコン合金膜であっても
よい。また加熱焼鈍は真空中930℃に限定されるもので
はなく、温度域800〜1000℃，不活性ガス中であっても
よい。
この発明は以上説明したように、ｎ型3C炭化けい素を用
いたダイオードあるいは電界効果トランジスタのｐ型電
極あるいはゲート電極をアルミニウムとシリコンの合金
電極としたので、耐熱性の高い半導体素子が得られ、高
温等の悪影響下で動作させる電子素子，光電素子に好適
のものであり、今後の広い利用が期待されるものであ
る。
いたダイオードあるいは電界効果トランジスタのｐ型電
極あるいはゲート電極をアルミニウムとシリコンの合金
電極としたので、耐熱性の高い半導体素子が得られ、高
温等の悪影響下で動作させる電子素子，光電素子に好適
のものであり、今後の広い利用が期待されるものであ
る。
第１図（ａ）〜（ｄ）はこの発明の半導体素子の製造方
法の工程を示す断面略図、第２図，第３図はこの発明の
他の実施例をそれぞれ示す断面略図、第４図はこの発明
によるダイオードと従来のダイオードとの特性を示す
図、第５図，第６図はこの発明のダイオードと従来のダ
イオードのpn接合におけるC-2のバイアス電圧の依存性
をそれぞれ示す図、第７図，第８図はアルミニウム単体
膜およびシリコン組成50％のアルミニウム−シリコン合
金膜を電極とした場合のダイオードの特性を示す図であ
る。 図中、１はｐ型シリコン基板、２はｎ型3C−炭化けい素
単結晶膜、３はｐ型電極、3Aはアルミニウム膜、3Bはシ
リコン膜、4,5はｎ型オーミック電極である。
法の工程を示す断面略図、第２図，第３図はこの発明の
他の実施例をそれぞれ示す断面略図、第４図はこの発明
によるダイオードと従来のダイオードとの特性を示す
図、第５図，第６図はこの発明のダイオードと従来のダ
イオードのpn接合におけるC-2のバイアス電圧の依存性
をそれぞれ示す図、第７図，第８図はアルミニウム単体
膜およびシリコン組成50％のアルミニウム−シリコン合
金膜を電極とした場合のダイオードの特性を示す図であ
る。 図中、１はｐ型シリコン基板、２はｎ型3C−炭化けい素
単結晶膜、３はｐ型電極、3Aはアルミニウム膜、3Bはシ
リコン膜、4,5はｎ型オーミック電極である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/808 29/872 7376−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 29/80 Ｃ (72)発明者 三沢 俊司 茨城県新治郡桜村梅園１丁目１番４号 電 子技術総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭60−66866（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−214224（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】ｎ型3C炭化けい素の面上に推積したアルミ
ニウム膜、またはアルミニウムとシリコンの積層膜ある
いは合金膜を800℃以上で加熱焼鈍して、前記ｎ型3C炭
化けい素中にpn接合層を形成することにより、前記アル
ミニウム膜、またはアルミニウムとシリコンの積層膜あ
るいは合金膜を、ダイオードのｐ型電極、もしくは接合
型電界効果トランジスタのゲート電極としたことを特徴
とする炭化けい素を用いた半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61052320A JPH0728024B2 (ja) | 1986-03-10 | 1986-03-10 | 炭化けい素を用いた半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61052320A JPH0728024B2 (ja) | 1986-03-10 | 1986-03-10 | 炭化けい素を用いた半導体素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62209855A JPS62209855A (ja) | 1987-09-16 |
| JPH0728024B2 true JPH0728024B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=12911498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61052320A Expired - Lifetime JPH0728024B2 (ja) | 1986-03-10 | 1986-03-10 | 炭化けい素を用いた半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0728024B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2707576B2 (ja) * | 1988-03-09 | 1998-01-28 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| US5216264A (en) * | 1989-06-07 | 1993-06-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Silicon carbide MOS type field-effect transistor with at least one of the source and drain regions is formed by the use of a schottky contact |
| JP5433214B2 (ja) * | 2007-12-07 | 2014-03-05 | パナソニック株式会社 | モータ駆動回路 |
| JP2010157547A (ja) | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Showa Denko Kk | 炭化珪素半導体素子の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59214224A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-04 | Sanyo Electric Co Ltd | ＳｉＣの電極形成方法 |
| JPS6066866A (ja) * | 1983-09-24 | 1985-04-17 | Sharp Corp | 炭化珪素ｍｏｓ構造の製造方法 |
-
1986
- 1986-03-10 JP JP61052320A patent/JPH0728024B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62209855A (ja) | 1987-09-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2542448B2 (ja) | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
| JP2775903B2 (ja) | ダイヤモンド半導体素子 | |
| US3202887A (en) | Mesa-transistor with impurity concentration in the base decreasing toward collector junction | |
| US4966860A (en) | Process for producing a SiC semiconductor device | |
| US5124779A (en) | Silicon carbide semiconductor device with ohmic electrode consisting of alloy | |
| US5229625A (en) | Schottky barrier gate type field effect transistor | |
| JPH02264475A (ja) | 炭化珪素ショットキーダイオード及びその製造方法 | |
| EP0642170B1 (en) | Lateral bipolar transistor | |
| JPH04127480A (ja) | 高耐圧低抵抗半導体装置及びその製造方法 | |
| US5612547A (en) | Silicon carbide static induction transistor | |
| US5210431A (en) | Ohmic connection electrodes for p-type semiconductor diamonds | |
| JPH0982663A (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
| US5075757A (en) | Ohmic contact electrodes for semiconductor diamonds | |
| JP2001085705A (ja) | ショットキーバリアダイオードの製造方法 | |
| JPH0728024B2 (ja) | 炭化けい素を用いた半導体素子 | |
| US3614560A (en) | Improved surface barrier transistor | |
| JPH0770695B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
| JP2765067B2 (ja) | Ｐ型半導体ダイヤモンドのオーミツク接続電極 | |
| JPS63138779A (ja) | 半導体素子 | |
| CA1200621A (en) | Field effect transistor for integrated circuits | |
| JP2869653B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US20240234515A9 (en) | Silicon carbide wafer and silicon carbide semiconductor device including the same | |
| JP3620344B2 (ja) | ショットキバリアダイオード及びその製造方法 | |
| JPH0414258A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60140756A (ja) | 炭化珪素バイポ−ラトランジスタの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |