FR2546334A1 - Contact allie pour materiau semi-conducteur a l'arseniure de gallium-aluminium a conduction du type n - Google Patents
Contact allie pour materiau semi-conducteur a l'arseniure de gallium-aluminium a conduction du type n Download PDFInfo
- Publication number
- FR2546334A1 FR2546334A1 FR8407878A FR8407878A FR2546334A1 FR 2546334 A1 FR2546334 A1 FR 2546334A1 FR 8407878 A FR8407878 A FR 8407878A FR 8407878 A FR8407878 A FR 8407878A FR 2546334 A1 FR2546334 A1 FR 2546334A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor material
- metallic layer
- contact
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28575—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds
Abstract
L'INVENTION CONCERNE UN CONTACT ALLIE POUR MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR AU GAALAS A CONDUCTION N ET A FORTE TENEUR EN ALUMINIUM. SELON L'INVENTION, ON DEPOSE D'ABORD, SUR LE MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR (COUCHE EPITAXIALE 4) UNE PREMIERE COUCHE 5 D'UN METAL DES GROUPES ANNEXES IVB, VB ET VIB DE LA CLASSIFICATION PERIODIQUE. SUR CETTE COUCHE, ON DEPOSE ENSUITE UNE SECONDE COUCHE METALLIQUE 6 CONSTITUEE D'UN ALLIAGE OR-GERMANIUM, PUIS ON PRODUIT L'ALLIAGE DES DEUX COUCHES ENSEMBLE.
Description
Pour la formation de contacts sur du Ga Al As mono-
cristallin, on emploie jusqu'à présent, pour l'essentiel, les
matériaux de contact pour l'arseniure de gallium à conduction n.
Il s'agit d'alliages d'or-germanium ou d'or-étain Il s'est tou-
tefois avéré qu'à mesure que la teneur en aluminium croit, il devient de plus en plus difficile de réaliser des contacts de faible valeur ohmique sur le matériau semi-conducteur monocristallin
mentionné ci-dessus C'est ainsi qu'il a été constaté en particu-
lier qu'avec une teneur en aluminium de 45 à 55 % du Ga Al As, des contacts d'or-germanium n'ont plus un comportement ohmique, ce qui
se traduit par des résistances de contact trop élevées.
Le but de l'invention est d'indiquer un contact allié pour matériau semiconducteur au Ga Al As à conduction du
type N et à forte teneur en aluminium, qui possède un bon compor-
tement ohmique, donc une faible résistance de contact et adhère
en même temps très bien au matériau semi-conducteur monocristallin.
A cet effet, selon l'invention, le matériau semi-conducteur est revêtu d'une première couche de métal des groupes annexes I Vb, Vb et V Ib de la classification périodique et cette couche métallique est recouverte d'une seconde couche métallique d'un alliage d'or
et de germanium.
La première couche métallique est de préférence beaucoup plus mince que la seconde couche métallique et est constituée de chrome ou de titane selon des modes de réalisation préférés Il s'est révélé qu'un contact ainsi réalisé possède d'excellentes propriétés ohmiques lorsque la teneur en aluminium du matériau semi-conducteur estdeplus de 30 % en poids, propriétés qui sont conservées également lorsque la teneur en aluminium
atteint 45 à 55 %.
D'autres caractéristiques et avantages de
l'invention ressortiront plus clairement de la description qui
va suivre de la figure unique du dessin annexé, qui est une vue
en perspective d'une diode au Ga Al As.
Le corps 1 du dispositif à semi-conducteur est constitué, par exemple, d'un substrat 2 d'arseniure de gallium à conduction p, sur lequel est déposée une première couche épitaxiale 3 de Ga AL As à conduction p Cette couche à conduction du type p est ensuite recouverte d'une seconde couche épitaxiale 4
de Ga Al As à conduction n.
A côté du dispositif à semi-conducteur est repré-
sentée, par une courbe 8, la teneur en aluminium des différentes couches du composant à semi-conducteur Comme le montre cette courbe 8, la teneur en aluminium à la surface de la couche 4 de
Ga Al As à conduction N est de 40 %X ou plus.
La connexion électrique du substrat d'arseniure de gallium à conduction p est réalisée au moyen d'un contact 7, qui est de préférence en un alliage d'or et de zinc La couche 4 de Ga Al As à conduction N est pourvue d'un contact qui est constitué des couches 5 et 6 On dépose d'abord sur la surface du matériau semi-conducteur une couche 5 qui est de préférence en titane ou en chrome Cette couche de titane ou de chrome possède une épaisseur de 3-40 nm, tandis que la couche métallique 6 formée sur la couche de titane ou de chrome et faite d'un alliage d'or et de germanium
possède une épaisseur de couche comprise entre 100 et 1 000 nm.
A côté du titane ou du chrome comme matériau pour la première couche métallique, on peut utiliser aussi les métaux vanadium, zirconium, niobium, molybdène, hafnium, tantale ou tungstène. Pour la fabrication du dispositif à semi-conducteur représenté, après formation des couches épitaxiales 3 et 4, la surface du matériau semi-conducteur a été nettoyée dans un solvant adéquat Ensuite, le dispositif à semi-conducteur a été placé dans
une installation de métallisation pour le dépot d'un masque métal-
lique ayant la structure de contact prévue sur la surface à revêtir.
La surface de la couche épitaxiale 4 a été préparée dans un pro-
cessus à effluves dans l'argon à quelques 10-4 mbar et pendant une durée de 5 min pour le dépôt par métallisation de titane Le titane a ensuite été déposé sous une épaisseur de couche d'environ
nm L'alliage or-germanium a été déposé dans une deuxième opé-
ration de métallisation sous une épaisseur de couche d'environ
150 nm, la proportion de germanium de l'alliage étant de 2 à 13 %.
Enfin, le dispositif à semi-conducteur pourvu du contact formé par métallisation a été soumis à un processus de recuit à environ 4500 G et pendant 10 min environ, au cours duquel la couche déposée par métallisation s'allie avec le corps semi-conducteur Le contact ainsi réalisé est parfaitement ohmique
et l'accrochage du contact au matériau semi-conducteur mono-
cristallin s'est révélé excellent Avec une concentration d'électrons de l'ordre de N q Y 1018 cm 3 et une teneur en Al d'environ 40 %
-4 2
on peut obtenir des résistances de contact de 2 à 4 10 A> cm
Claims (5)
1 Contact allié pour matériau semi-conducteur au Ga Al As à conduction du type N et à forte teneur en AI, caractérisé en ce que le matériau semiconducteur ( 4) est revêtu d'une première couche ( 5) d'un métal des groupes annexes I Vb, Vb et V Ib de la classification périodique et que cette couche métallique est recouverte d'une seconde couche métallique ( 6) d'un alliage d'or
et de germanium.
2 Contact selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première couche métallique ( 5) est beaucoup plus
mince que la seconde couche métallique ( 6).
3 Contact selon la revendication 1 ou 2, caracté-
risé en ce que la première couche métallique ( 5) est en chrome
ou en titane.
4 Contact selon l'une quelconque des revendications
précédentes, caractérisé en ce que la première couche métallique ( 5) possède une épaisseur d'environ 3 à 40 nm et la seconde couche
métallique ( 6) possède une épaisseur d'environ 100 à 1 000 nm.
Contact selon la revendication 1, caractérisé en ce que la fraction de germanium de l'alliage or-germanium de
la seconde couche métallique ( 6) est d'environ 2 à 13 % en poids.
6 Contact selon l'une quelconque des revendications
précédentes, caractérisé en ce que la teneur en aluminium du
matériau semi-conducteur au Ga AL As est supérieure à 30 % en poids.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3318683A DE3318683C1 (de) | 1983-05-21 | 1983-05-21 | Legierter Kontakt für n-leitendes GaAlAs-Halbleitermaterial |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2546334A1 true FR2546334A1 (fr) | 1984-11-23 |
FR2546334B1 FR2546334B1 (fr) | 1986-12-26 |
Family
ID=6199662
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR8407878A Expired FR2546334B1 (fr) | 1983-05-21 | 1984-05-21 | Contact allie pour materiau semi-conducteur a l'arseniure de gallium-aluminium a conduction du type n |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4613890A (fr) |
JP (1) | JPS59220967A (fr) |
DE (1) | DE3318683C1 (fr) |
FR (1) | FR2546334B1 (fr) |
IT (1) | IT1176068B (fr) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0180009A2 (fr) * | 1984-10-30 | 1986-05-07 | International Business Machines Corporation | Procédé pour la fabrication d'un contact sur un corps semi-conducteur composé |
JPS61131480A (ja) * | 1984-11-29 | 1986-06-19 | Sanyo Electric Co Ltd | n型GaAs及びn型GaA▲l▼As用オーミック電極の製造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0722141B2 (ja) * | 1984-03-07 | 1995-03-08 | 住友電気工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
US5045408A (en) * | 1986-09-19 | 1991-09-03 | University Of California | Thermodynamically stabilized conductor/compound semiconductor interfaces |
DE3908083A1 (de) * | 1989-03-13 | 1990-09-20 | Telefunken Electronic Gmbh | Silizium-halbleiterbauelement |
US6262440B1 (en) * | 1998-06-29 | 2001-07-17 | Philips Electronics North America Corp. | Metal electrical contact for high current density applications in LED and laser devices |
US20150181650A1 (en) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | Research & Business Foundation Sungkyunkwan University | Graphene microheater and method of manufacturing the same |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56116619A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electrode formation to gallium aluminum arsenic crystal |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3574680A (en) * | 1968-05-07 | 1971-04-13 | Ibm | High-low ohmic contact deposition method |
HU163255B (fr) * | 1971-09-17 | 1973-07-28 | ||
GB1558764A (en) * | 1976-11-15 | 1980-01-09 | Ferranti Ltd | Formation of contacts for semiconductor devices |
GB1574525A (en) * | 1977-04-13 | 1980-09-10 | Philips Electronic Associated | Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices manufactured by the method |
FR2402944A1 (fr) * | 1977-09-12 | 1979-04-06 | Thomson Csf | Procede de realisation d'un compose superficiel entre un substrat et une espece reactive |
FR2413780A1 (fr) * | 1977-12-29 | 1979-07-27 | Thomson Csf | Procede de realisation d'un contact " metal-semi-conducteur " a barriere de potentiel de hauteur predeterminee, et composant semi-conducteur comportant au moins un contact obtenu par ce procede |
US4179534A (en) * | 1978-05-24 | 1979-12-18 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Gold-tin-gold ohmic contact to N-type group III-V semiconductors |
JPS5516429A (en) * | 1978-07-21 | 1980-02-05 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Electrode for ga1-x a xas |
JPS5830170A (ja) * | 1981-08-15 | 1983-02-22 | Stanley Electric Co Ltd | 化合物半導体素子およびその電極形成法 |
-
1983
- 1983-05-21 DE DE3318683A patent/DE3318683C1/de not_active Expired
-
1984
- 1984-04-17 IT IT20572/84A patent/IT1176068B/it active
- 1984-05-10 US US06/608,725 patent/US4613890A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-05-18 JP JP59098924A patent/JPS59220967A/ja active Pending
- 1984-05-21 FR FR8407878A patent/FR2546334B1/fr not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56116619A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electrode formation to gallium aluminum arsenic crystal |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN, vol. 16, no. 7, 7 décembre 1973, pages 2079-2080, New York, US; H.J. HOVEL et al.: "Solar cell structures" * |
IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN, vol. 21, no. 4, septembre 1978, page 1752, New York, US; P.S. HO et al.: "Stable junctions between GaAs semiconductors and metal cntacts using a mettallic compound as a diffusion barrier" * |
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, vol. 5, no. 197 (E-86)[869], 15 décembre 1981; & JP - A - 56 116 619 (MATSUSHITA) 12-09-1981 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0180009A2 (fr) * | 1984-10-30 | 1986-05-07 | International Business Machines Corporation | Procédé pour la fabrication d'un contact sur un corps semi-conducteur composé |
EP0180009A3 (fr) * | 1984-10-30 | 1988-01-13 | International Business Machines Corporation | Procédé pour la fabrication d'un contact sur un corps semi-conducteur composé |
JPS61131480A (ja) * | 1984-11-29 | 1986-06-19 | Sanyo Electric Co Ltd | n型GaAs及びn型GaA▲l▼As用オーミック電極の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IT1176068B (it) | 1987-08-12 |
IT8420572A1 (it) | 1985-10-17 |
JPS59220967A (ja) | 1984-12-12 |
US4613890A (en) | 1986-09-23 |
IT8420572A0 (it) | 1984-04-17 |
FR2546334B1 (fr) | 1986-12-26 |
DE3318683C1 (de) | 1984-12-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FR2657801A1 (fr) | Article composite du type comportant un revetement metallique souple brase sur un substrat metallique et procede de realisation d'un tel article composite. | |
FR2794897A1 (fr) | Plaquette a semi-conducteur et dispositif a semi-conducteur fabrique a partir d'une telle plaquette | |
FR2546334A1 (fr) | Contact allie pour materiau semi-conducteur a l'arseniure de gallium-aluminium a conduction du type n | |
EP0738787B1 (fr) | Procédé de fabrication d'une pièce métallique recouverte de diamant | |
EP0455832A1 (fr) | Electrode ohmique a base de nitrure de bore cubique de type n et procede de production d'une telle electrode | |
FR2488045A1 (fr) | Procede pour l'obtention d'inclusions electriquement conductrices dans des films minces | |
US5057454A (en) | Process for producing ohmic electrode for p-type cubic system boron nitride | |
EP1788110B1 (fr) | Revêtement à base d'argent résistant à la sulfuration, procédé de dépôt et utilisation. | |
FR2531106A1 (fr) | Procede de metallisation de la face arriere d'une plaquette de silicium | |
KR100525494B1 (ko) | P형 ⅲ족 질화물 반도체층 상의 전극 구조 및 그의 제조방법 | |
JP2522892B2 (ja) | ZnSe層上にオ―ム接点を設ける方法 | |
FR2884969A1 (fr) | Integration d'elements capacitifs sous forme de ceramique perovskite | |
FR2849267A1 (fr) | Fabrication d'un condensateur a capacite elevee | |
EP0625801B1 (fr) | Méthode de fabrication d'une électrode ohmique | |
US3932880A (en) | Semiconductor device with Schottky barrier | |
FR2814855A1 (fr) | Jonction schottky a barriere stable sur carbure de silicium | |
US6114256A (en) | Stable metallization for diamond and other materials | |
US4081824A (en) | Ohmic contact to aluminum-containing compound semiconductors | |
FR2814856A1 (fr) | Procede de realisation d'un contact sur un varbure de silicium | |
EP0838830A1 (fr) | Relais de déclenchement électromagnétique à revetement de carbone amorphe, et son procédé de fabrication | |
FR2664096A1 (fr) | Procede de metallisation pour dispositif a semi-conducteur utilisant du nitrure de titane amorphe. | |
Katz et al. | Metallization systems for bonding of InP laser diodes to CVD-diamond submounts | |
FR2643775A1 (fr) | Procede de realisation de lignes electriquement conductrices sur substrat isolant et circuit hyperfrequence en comportant application | |
JP2783203B2 (ja) | ショットキ電極及びその形成方法 | |
FR2487577A1 (fr) | Procede de montage d'un composant semiconducteur de puissance |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
ST | Notification of lapse |