JPH0575101A - シヨツトキ障壁を有する半導体装置 - Google Patents
シヨツトキ障壁を有する半導体装置Info
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- JPH0575101A JPH0575101A JP26364491A JP26364491A JPH0575101A JP H0575101 A JPH0575101 A JP H0575101A JP 26364491 A JP26364491 A JP 26364491A JP 26364491 A JP26364491 A JP 26364491A JP H0575101 A JPH0575101 A JP H0575101A
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- barrier
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Abstract
(57)【要約】
【目的】バリアハイトΦBの高さを広範囲に且つ安定に
制御でき所望の高さのバリアハイトΦBを備えたショッ
トキ障壁を有する半導体装置を提供する。 【構成】 Ｔi薄層（4）とＡl層（5）との間に酸素分子
等を含有する吸着層を介在させ、ｎ形領域（3）、Ｔi薄
層（4）及びＡl層（5）の組み合わせにより生成される
ショットキ障壁のバリアハイトΦBの熱処理による変動
を抑制する。
制御でき所望の高さのバリアハイトΦBを備えたショッ
トキ障壁を有する半導体装置を提供する。 【構成】 Ｔi薄層（4）とＡl層（5）との間に酸素分子
等を含有する吸着層を介在させ、ｎ形領域（3）、Ｔi薄
層（4）及びＡl層（5）の組み合わせにより生成される
ショットキ障壁のバリアハイトΦBの熱処理による変動
を抑制する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はショットキ障壁を有する
半導体装置に関する。
半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体領域とバリア電極との組み合わせ
により生成されるショットキ障壁（ショットキバリア）
の特性は、主としてその障壁の高さ（バリアハイト）Φ
Bによって決定される。即ち、一般にバリアハイトΦBを
高くすると逆方向漏れ電流は小さくなるが順方向電圧降
下は大きくなる特性を示す。反対にバリアハイトΦBを
低くすると順方向電圧降下は小さくなるが、逆方向漏れ
電流は大きくなる特性を示す。したがって要求される電
気的特性に応じてバリアハイトΦBの高さを選択できる
ことが理想的である。
により生成されるショットキ障壁（ショットキバリア）
の特性は、主としてその障壁の高さ（バリアハイト）Φ
Bによって決定される。即ち、一般にバリアハイトΦBを
高くすると逆方向漏れ電流は小さくなるが順方向電圧降
下は大きくなる特性を示す。反対にバリアハイトΦBを
低くすると順方向電圧降下は小さくなるが、逆方向漏れ
電流は大きくなる特性を示す。したがって要求される電
気的特性に応じてバリアハイトΦBの高さを選択できる
ことが理想的である。
【０００３】
【発明の解決すべき課題】ところが、ショットキ障壁の
バリアハイトΦBは、使用するバリア金属の種類によっ
て支配的に決定されてしまう。また、バリアハイトのΦ
Bの大きさが熱処理によって変動し易いこともバリアハ
イトΦBを広範囲に且つ安定に制御することを困難にし
ている。
バリアハイトΦBは、使用するバリア金属の種類によっ
て支配的に決定されてしまう。また、バリアハイトのΦ
Bの大きさが熱処理によって変動し易いこともバリアハ
イトΦBを広範囲に且つ安定に制御することを困難にし
ている。
【０００４】そこで、本発明は、バリアハイトΦBの高
さを広範囲に且つ安定に制御でき所望の高さのバリアハ
イトΦBを備えたショットキ障壁を有する半導体装置を
提供することを目的とする。
さを広範囲に且つ安定に制御でき所望の高さのバリアハ
イトΦBを備えたショットキ障壁を有する半導体装置を
提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によるショットキ
障壁を有する半導体装置は、半導体領域の主面に形成さ
れた第１の電極層と、第１の電極層の上に形成された第
２の電極層と、第１の電極層と第２の電極層との間に形
成されかつ量子力学的なトンネル効果を生ずることので
きる厚さを有する薄膜とを備えている。半導体領域、第
１の電極層及び第２の電極層との組み合わせによりショ
ットキ障壁が生成される。ショットキ障壁のバリアハイ
トの高さは、薄膜に含有される酸素分子の含有量又は第
１の電極層の厚みによって決定される。
障壁を有する半導体装置は、半導体領域の主面に形成さ
れた第１の電極層と、第１の電極層の上に形成された第
２の電極層と、第１の電極層と第２の電極層との間に形
成されかつ量子力学的なトンネル効果を生ずることので
きる厚さを有する薄膜とを備えている。半導体領域、第
１の電極層及び第２の電極層との組み合わせによりショ
ットキ障壁が生成される。ショットキ障壁のバリアハイ
トの高さは、薄膜に含有される酸素分子の含有量又は第
１の電極層の厚みによって決定される。
【０００６】
【作用】第１の電極層と第２の電極層との間に形成され
かつ量子力学的なトンネル効果を生ずることのできる厚
さを有する薄膜によりバリアハイトが所望の高さに安定
して設定される。例えば、第１の電極層と第２の電極層
をそれぞれＴi（チタン）とＡl（アルミニウム）で形成
した場合、薄膜に含有される酸化物の含有量が少ないか
又は第１の電極層の厚みが厚いと、ショットキ障壁のバ
リアハイトを相対的に低いレベルに安定化できる。ま
た、逆に薄膜に含有される酸化物の含有量が多いか又は
第１の電極層の厚みが薄いと、ショットキ障壁のバリア
ハイトを相対的に高いレベルに安定化できる。
かつ量子力学的なトンネル効果を生ずることのできる厚
さを有する薄膜によりバリアハイトが所望の高さに安定
して設定される。例えば、第１の電極層と第２の電極層
をそれぞれＴi（チタン）とＡl（アルミニウム）で形成
した場合、薄膜に含有される酸化物の含有量が少ないか
又は第１の電極層の厚みが厚いと、ショットキ障壁のバ
リアハイトを相対的に低いレベルに安定化できる。ま
た、逆に薄膜に含有される酸化物の含有量が多いか又は
第１の電極層の厚みが薄いと、ショットキ障壁のバリア
ハイトを相対的に高いレベルに安定化できる。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の一実施例に係るショットキバ
リアダイオードを図１〜図６について説明する。
リアダイオードを図１〜図６について説明する。
【０００８】図１に示すように、本発明によるショット
キバリアダイオードはｎ+形領域（2）とその上面にエピ
タシャル成長で形成したｎ形領域（3）とを含むＧaＡs
（砒化ガリウム）から成る半導体基体（1）と、ｎ形領
域（3）の上面のほぼ中央に形成された第１の電極層と
してのＴi（チタン）薄層（4a）と、ｎ形領域（3）の上
面で且つＴi薄層（4a）の周囲に形成されたチタンの酸
化物の薄層（Ｔi酸化物薄層）（7）と、Ｔi薄層（4a）
の上面に形成された第２の電極層としてのＡl（アルミ
ニウム）層（5a）と、Ａl層（5a）及びＴi酸化物薄層
（7）の上面並びにＴi酸化物薄層（7）の周囲のｎ形領
域（3）の上面に形成された絶縁膜（9）と、Ａl層（5
a）及び絶縁膜（9）の上に形成された接続用電極（10）
とを備えている。詳細には図示しないが、Ｔi薄層（4
a）の上面に酸素分子等が吸着されることにより、Ｔi薄
層（4a）とＡl層（5a）との間に量子力学的なトンネル
効果を生ずることのできる厚さを有する極薄の吸着層が
薄膜として形成されている。ＡlとＴiはいずれもｎ形Ｇ
aＡs半導体に対してショットキ障壁を生成可能な金属で
あるから、Ｔi薄層（4a）及びＡl層（5a）の両層を組合
わせてバリア電極（8）と称する。
キバリアダイオードはｎ+形領域（2）とその上面にエピ
タシャル成長で形成したｎ形領域（3）とを含むＧaＡs
（砒化ガリウム）から成る半導体基体（1）と、ｎ形領
域（3）の上面のほぼ中央に形成された第１の電極層と
してのＴi（チタン）薄層（4a）と、ｎ形領域（3）の上
面で且つＴi薄層（4a）の周囲に形成されたチタンの酸
化物の薄層（Ｔi酸化物薄層）（7）と、Ｔi薄層（4a）
の上面に形成された第２の電極層としてのＡl（アルミ
ニウム）層（5a）と、Ａl層（5a）及びＴi酸化物薄層
（7）の上面並びにＴi酸化物薄層（7）の周囲のｎ形領
域（3）の上面に形成された絶縁膜（9）と、Ａl層（5
a）及び絶縁膜（9）の上に形成された接続用電極（10）
とを備えている。詳細には図示しないが、Ｔi薄層（4
a）の上面に酸素分子等が吸着されることにより、Ｔi薄
層（4a）とＡl層（5a）との間に量子力学的なトンネル
効果を生ずることのできる厚さを有する極薄の吸着層が
薄膜として形成されている。ＡlとＴiはいずれもｎ形Ｇ
aＡs半導体に対してショットキ障壁を生成可能な金属で
あるから、Ｔi薄層（4a）及びＡl層（5a）の両層を組合
わせてバリア電極（8）と称する。
【０００９】上記のショットキバリアダイオードチップ
によれば、バリア電極（8）とｎ形領域（3）との組み合
わせにより第１のショットキ障壁が生成され、Ｔi酸化
物薄層（7）とｎ形領域（3）との組み合わせにより第２
のショットキ障壁が生成される。平面的に見て、第２の
ショットキ障壁は第１のショットキ障壁を隣接して包囲
するよう環状に形成されている。Ｔi酸化物薄層（7）は
抵抗性ショットキバリアフィールドプレートとして機能
し、第１のショットキ障壁の周辺耐圧を向上するように
作用する。この抵抗性ショットキバリアフィールドプレ
ートについては、本願出願人によって特願昭６３−２８
５０４９号（特開平１−２５１６５６号公報）他によっ
て特許出願されている。
によれば、バリア電極（8）とｎ形領域（3）との組み合
わせにより第１のショットキ障壁が生成され、Ｔi酸化
物薄層（7）とｎ形領域（3）との組み合わせにより第２
のショットキ障壁が生成される。平面的に見て、第２の
ショットキ障壁は第１のショットキ障壁を隣接して包囲
するよう環状に形成されている。Ｔi酸化物薄層（7）は
抵抗性ショットキバリアフィールドプレートとして機能
し、第１のショットキ障壁の周辺耐圧を向上するように
作用する。この抵抗性ショットキバリアフィールドプレ
ートについては、本願出願人によって特願昭６３−２８
５０４９号（特開平１−２５１６５６号公報）他によっ
て特許出願されている。
【００１０】図２は、本実施例のショットキバリアダイ
オードチップに熱処理を施したときの熱処理時間に対す
る第１のショットキ障壁のバリアハイトΦBの変化を概
念的に示す。このショットキ障壁は第１の電極層及び第
２の電極層よりなる複合電極に基づいて生成されるショ
ットキ障壁である。図示の実線Ａ、Ｂ、Ｃは、後述する
本実施例のショットキバリアダイオードチップを製造す
る工程において、真空蒸着によってＴi薄層（4）を形成
した後の蒸着槽内の圧力、即ちＴi薄層（4）を暴露する
雰囲気の真空度をそれぞれ１×１０-6torr、１×１０-5
torr、１×１０-4torrに設定し、上記極薄の吸着層の酸
素分子などの含有量を順次増加した場合のそれぞれの熱
処理時間に対するバリアハイトΦBの変化を示す。
オードチップに熱処理を施したときの熱処理時間に対す
る第１のショットキ障壁のバリアハイトΦBの変化を概
念的に示す。このショットキ障壁は第１の電極層及び第
２の電極層よりなる複合電極に基づいて生成されるショ
ットキ障壁である。図示の実線Ａ、Ｂ、Ｃは、後述する
本実施例のショットキバリアダイオードチップを製造す
る工程において、真空蒸着によってＴi薄層（4）を形成
した後の蒸着槽内の圧力、即ちＴi薄層（4）を暴露する
雰囲気の真空度をそれぞれ１×１０-6torr、１×１０-5
torr、１×１０-4torrに設定し、上記極薄の吸着層の酸
素分子などの含有量を順次増加した場合のそれぞれの熱
処理時間に対するバリアハイトΦBの変化を示す。
【００１１】図２は、Ｔi薄層（4）に含有させる酸素分
子等の含有量を増加することによってショットキ障壁の
バリアハイトを高いレベルに安定化できること、逆にＴ
i薄層（4）に含有させる酸素分子等の含有量を減少する
ことによって前記ショットキ障壁のバリアハイトを低い
レベルに安定化できることを示している。なお、第１の
ショッキバリアのバリアハイトΦBの初期値（熱処理を
施す前のバリアハイトの高さ）は、Ａl層（5）をｎ形領
域（3）に直接に隣接させた場合に生成されるショット
キ障壁のバリアハイトの初期値にほぼ近似する。本実施
例によって製作される各種バリアハイトΦBをもつショ
ットキバリアダイオードの理想係数であるｎ値は全て
１.０１〜１.０５の範囲にあり、特性上、何ら問題がな
く優れたダイオードであることが確認されている。
子等の含有量を増加することによってショットキ障壁の
バリアハイトを高いレベルに安定化できること、逆にＴ
i薄層（4）に含有させる酸素分子等の含有量を減少する
ことによって前記ショットキ障壁のバリアハイトを低い
レベルに安定化できることを示している。なお、第１の
ショッキバリアのバリアハイトΦBの初期値（熱処理を
施す前のバリアハイトの高さ）は、Ａl層（5）をｎ形領
域（3）に直接に隣接させた場合に生成されるショット
キ障壁のバリアハイトの初期値にほぼ近似する。本実施
例によって製作される各種バリアハイトΦBをもつショ
ットキバリアダイオードの理想係数であるｎ値は全て
１.０１〜１.０５の範囲にあり、特性上、何ら問題がな
く優れたダイオードであることが確認されている。
【００１２】また、上記極薄の吸着層中の酸素分子等の
含有量を同じとした場合でも、Ｔi薄層（4a）の厚みが
厚いと、ショットキ障壁のバリアハイトを相対的に低い
レベルに安定化でき、Ｔi薄層（4a）の厚みが薄いと、
ショットキ障壁のバリアハイトを相対的に高いレベルに
安定化できる。このように、本実施例のショットキバリ
アダイオードによれば、同一金属系のショットキバリア
ダイオードのバリアハイトの大きさを広範囲に且つ安定
に制御することができる。
含有量を同じとした場合でも、Ｔi薄層（4a）の厚みが
厚いと、ショットキ障壁のバリアハイトを相対的に低い
レベルに安定化でき、Ｔi薄層（4a）の厚みが薄いと、
ショットキ障壁のバリアハイトを相対的に高いレベルに
安定化できる。このように、本実施例のショットキバリ
アダイオードによれば、同一金属系のショットキバリア
ダイオードのバリアハイトの大きさを広範囲に且つ安定
に制御することができる。
【００１３】本実施例において、第１のショットキ障壁
のバリアハイトを広範囲に且つ安定に制御できる理由は
上記の吸着層がその後の熱処理時におけるＡl層（5）と
Ｔi薄層（4a）とｎ形領域（3）との間の反応を抑制する
ためと考えられる。吸着層内の酸素分子等の含有量が多
いと反応抑制効果が強化されてバリアハイトを相対的に
高いレベルに安定化できる。
のバリアハイトを広範囲に且つ安定に制御できる理由は
上記の吸着層がその後の熱処理時におけるＡl層（5）と
Ｔi薄層（4a）とｎ形領域（3）との間の反応を抑制する
ためと考えられる。吸着層内の酸素分子等の含有量が多
いと反応抑制効果が強化されてバリアハイトを相対的に
高いレベルに安定化できる。
【００１４】また、Ｔi薄層（4a）の厚みが増大する
と、Ｔi薄層（4a）によるショットキ障壁の形成が支配
的となるため、バリア電極をＴiのみで形成した場合に
形成されるショットキ障壁のバリアハイトに近づく。
と、Ｔi薄層（4a）によるショットキ障壁の形成が支配
的となるため、バリア電極をＴiのみで形成した場合に
形成されるショットキ障壁のバリアハイトに近づく。
【００１５】以下、本実施例によるショットキバリアダ
イオードの製造方法について具体的に説明する。
イオードの製造方法について具体的に説明する。
【００１６】まず、図３に示すように、ｎ+形領域（2）
とその上面にエピタシャル成長で形成したｎ形領域
（3）とを含むＧaＡs（砒化ガリウム）から成る半導体
基体（1）を準備する。
とその上面にエピタシャル成長で形成したｎ形領域
（3）とを含むＧaＡs（砒化ガリウム）から成る半導体
基体（1）を準備する。
【００１７】次に、図４に示すようにｎ形領域（3）と
の組み合わせによりショットキ障壁を生成できる金属で
あるＴi薄層（第１の電極層）（4）を形成する。Ｔi薄
層（4）は、半導体基体（1）を配置した蒸着槽（チャン
バ）内を１×１０-6torr以下の真空度に保持し、蒸着物
としてＴiを半導体基体（1）の主面全体に約５０オング
ストロームの厚さで真空蒸着することによって形成す
る。Ｔi薄層（4）の形成を終えた後、半導体基体（1）
を配置した蒸着槽内の真空度を一度１×１０-6torr〜１
×１０torrに低下して、真空度の低い雰囲気にＴi薄層
（4）を一定時間暴露する。これにより蒸着層内に含ま
れる酸素又はその他の分子がＴi薄層（4）に吸着するこ
とにより、極薄の吸着層がＴi薄層（4）の表面に形成さ
れる。続いて、この吸着層を介してＴi薄層（4）の全面
上にＡlを真空蒸着して厚さ約２マイクロメータのＡl層
（第２の電極層）（5）を形成する。Ａlを真空蒸着する
ときは、半導体基体（1）を配置した蒸着槽内を再び１
×１０-6torr以下の真空度に保持する。また、ｎ+形領
域（2）の下面にはＡu（金）−Ｇe（ゲルマニウム）の
合金等から成るオーミック接触の電極（6）を真空蒸着
によって形成する。
の組み合わせによりショットキ障壁を生成できる金属で
あるＴi薄層（第１の電極層）（4）を形成する。Ｔi薄
層（4）は、半導体基体（1）を配置した蒸着槽（チャン
バ）内を１×１０-6torr以下の真空度に保持し、蒸着物
としてＴiを半導体基体（1）の主面全体に約５０オング
ストロームの厚さで真空蒸着することによって形成す
る。Ｔi薄層（4）の形成を終えた後、半導体基体（1）
を配置した蒸着槽内の真空度を一度１×１０-6torr〜１
×１０torrに低下して、真空度の低い雰囲気にＴi薄層
（4）を一定時間暴露する。これにより蒸着層内に含ま
れる酸素又はその他の分子がＴi薄層（4）に吸着するこ
とにより、極薄の吸着層がＴi薄層（4）の表面に形成さ
れる。続いて、この吸着層を介してＴi薄層（4）の全面
上にＡlを真空蒸着して厚さ約２マイクロメータのＡl層
（第２の電極層）（5）を形成する。Ａlを真空蒸着する
ときは、半導体基体（1）を配置した蒸着槽内を再び１
×１０-6torr以下の真空度に保持する。また、ｎ+形領
域（2）の下面にはＡu（金）−Ｇe（ゲルマニウム）の
合金等から成るオーミック接触の電極（6）を真空蒸着
によって形成する。
【００１８】次に、図５に示すように、フォトエッチン
グによりＡl層（5）の素子周辺側をエッチング除去し、
Ａl層（5a）を残存させる。Ａl層（5a）は順方向電流の
主通路となり且つショットキ障壁を形成すべき領域に対
応している。更にフォトエッチングにより素子周辺領域
からＴi層（4）を除去し、Ａl層（5a）の下部にあるＴi
薄層（4a）とこれを隣接して包囲するＴi薄層（4b）を
残存させる。
グによりＡl層（5）の素子周辺側をエッチング除去し、
Ａl層（5a）を残存させる。Ａl層（5a）は順方向電流の
主通路となり且つショットキ障壁を形成すべき領域に対
応している。更にフォトエッチングにより素子周辺領域
からＴi層（4）を除去し、Ａl層（5a）の下部にあるＴi
薄層（4a）とこれを隣接して包囲するＴi薄層（4b）を
残存させる。
【００１９】次に、空気中で３８０℃、５〜３０分間程
度の熱酸化処理を施す。これにより、図４に示すよう
に、Ａl層（5a）で被覆されていないＴi薄層（4b）は酸
化されてチタンの酸化物の薄層（Ｔi酸化物薄層）（7）
となるが、Ａl層（5a）の下部のＴi薄層（4a）はＡl層
（5a）にマスクされているので酸化されない。
度の熱酸化処理を施す。これにより、図４に示すよう
に、Ａl層（5a）で被覆されていないＴi薄層（4b）は酸
化されてチタンの酸化物の薄層（Ｔi酸化物薄層）（7）
となるが、Ａl層（5a）の下部のＴi薄層（4a）はＡl層
（5a）にマスクされているので酸化されない。
【００２０】次に、図１に示すように、プラズマＣＶＤ
法によって形成したシリコン酸化膜からなる絶縁膜
（9）でＴi酸化物薄層（7）の上面を被覆する。更に、
Ａl層（5a）と絶縁膜（9）の上面にＡlから成る接続用
電極（10）を形成する。以上により電力用ショットキバ
リアダイオードチップが完成する。
法によって形成したシリコン酸化膜からなる絶縁膜
（9）でＴi酸化物薄層（7）の上面を被覆する。更に、
Ａl層（5a）と絶縁膜（9）の上面にＡlから成る接続用
電極（10）を形成する。以上により電力用ショットキバ
リアダイオードチップが完成する。
【００２１】本発明のショットキ障壁を有する半導体装
置を製作するには、バリアハイトΦBの高さを良好に制
御できる点において本実施例のように行うのが望まし
い。しかしながら、例えば、第１の電極層を形成した後
に第１の電極層を瞬間的に大気雰囲気中に暴露したり、
第１の電極層を形成する工程の後期に蒸着槽内の真空度
を落とすか、蒸着速度を小さくする工程を設けて薄層を
形成することにより本発明を実施することができる。
置を製作するには、バリアハイトΦBの高さを良好に制
御できる点において本実施例のように行うのが望まし
い。しかしながら、例えば、第１の電極層を形成した後
に第１の電極層を瞬間的に大気雰囲気中に暴露したり、
第１の電極層を形成する工程の後期に蒸着槽内の真空度
を落とすか、蒸着速度を小さくする工程を設けて薄層を
形成することにより本発明を実施することができる。
【００２２】本発明の実施態様は前記実施例に限定され
ず、変更が可能である。
ず、変更が可能である。
【００２３】（1） ＧaＡsの代わりにＩnＰ（燐化イン
ジウム）等のIII−Ｖ族化合物やシリコンを使用するシ
ョットキバリア半導体装置にも適用できる。
ジウム）等のIII−Ｖ族化合物やシリコンを使用するシ
ョットキバリア半導体装置にも適用できる。
【００２４】（2） 第１の電極層の厚みは、本発明の
効果が十分に得られるように１０オングストローム〜１
００オングストローム、望ましくは２０オングストロー
ム〜８０オングストロームの範囲に設定するのが良い。
効果が十分に得られるように１０オングストローム〜１
００オングストローム、望ましくは２０オングストロー
ム〜８０オングストロームの範囲に設定するのが良い。
【００２５】（3） 第１の電極層を真空蒸着するとき
の蒸着槽内の真空度は第１の電極槽が良好に形成される
ように１×１０-4torrより高めて行うのがよい。
の蒸着槽内の真空度は第１の電極槽が良好に形成される
ように１×１０-4torrより高めて行うのがよい。
【００２６】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、所望の
高さに安定化されたショットキ障壁のバリアハイトを備
えたショットキ障壁半導体装置を得ることができる。
高さに安定化されたショットキ障壁のバリアハイトを備
えたショットキ障壁半導体装置を得ることができる。
【図１】本発明の実施例を示すショットキバリアダイオ
ードの断面図
ードの断面図
【図２】本発明の実施例を示すショットキバリアダイオ
ードの熱処理時間に対するバリアハイトの変化を示すグ
ラフ
ードの熱処理時間に対するバリアハイトの変化を示すグ
ラフ
【図３】本発明の実施例を示すショットキバリアダイオ
ードに使用する半導体基体の断面図
ードに使用する半導体基体の断面図
【図４】図３の半導体基体にＴi薄層とＡl層とを形成し
た状態を示す断面図
た状態を示す断面図
【図５】図４のＴi薄層とＡl層の素子周辺側をエッチン
グ除去した状態を示す断面図
グ除去した状態を示す断面図
【図６】図５のＴi薄層を酸化した状態を示す断面図
（3）．．ｎ形領域、（4）．．Ｔi薄層（第１の電極
層）、（5）．．Ａl層（第２の電極層）、
層）、（5）．．Ａl層（第２の電極層）、
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体領域の主面に形成された第１の電
極層と、該第１の電極層の上に形成された第２の電極層
と、前記第１の電極層と前記第２の電極層との間に形成
されかつ量子力学的なトンネル効果を生ずることのでき
る厚さを有する薄膜とを備え、 前記半導体領域、前記第１の電極層及び前記第２の電極
層との組み合わせによりショットキ障壁が生成されるこ
とを特徴とするショットキ障壁を有する半導体装置。 - 【請求項２】 前記薄膜に含有される酸素分子の含有量
によって前記ショットキ障壁のバリアハイトの高さが決
定される「請求項１」に記載のショットキ障壁を有する
半導体装置。 - 【請求項３】 前記第１の電極層の厚みによって前記シ
ョットキ障壁のバリアハイトの高さが決定される「請求
項１」に記載のショットキ障壁を有する半導体装置。
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|---|---|---|---|
| JP26364491A JP3068119B2 (ja) | 1991-09-10 | 1991-10-11 | ショットキ障壁を有する半導体装置 |
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|---|---|---|---|
| JP23018691A JP3029064B2 (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | ショットキ障壁を有する半導体装置の製造方法 |
| JP26364491A JP3068119B2 (ja) | 1991-09-10 | 1991-10-11 | ショットキ障壁を有する半導体装置 |
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| JP23018691A Division JP3029064B2 (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | ショットキ障壁を有する半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0575101A true JPH0575101A (ja) | 1993-03-26 |
| JP3068119B2 JP3068119B2 (ja) | 2000-07-24 |
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ID=26529198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26364491A Expired - Fee Related JP3068119B2 (ja) | 1991-09-10 | 1991-10-11 | ショットキ障壁を有する半導体装置 |
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| JP (1) | JP3068119B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009016875A (ja) * | 2001-07-23 | 2009-01-22 | Cree Inc | 低順電圧で低逆電流の動作特性を有する窒化ガリウムベースのダイオード |
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| US8507924B2 (en) | 2004-07-02 | 2013-08-13 | Cree, Inc. | Light emitting diode with high aspect ratio submicron roughness for light extraction and methods of forming |
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-
1991
- 1991-10-11 JP JP26364491A patent/JP3068119B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009016875A (ja) * | 2001-07-23 | 2009-01-22 | Cree Inc | 低順電圧で低逆電流の動作特性を有する窒化ガリウムベースのダイオード |
| US8507924B2 (en) | 2004-07-02 | 2013-08-13 | Cree, Inc. | Light emitting diode with high aspect ratio submicron roughness for light extraction and methods of forming |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3068119B2 (ja) | 2000-07-24 |
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