JPH11508924A - 半導体ウェーハ処理接着剤およびテープ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 不変支持体と、この不変支持体に載置する熱可塑性エラストマーブロック共重合体を含んで成る非感圧接着剤層とを含んで成る半導体ウェーハ処理テープ。接着剤は、粘着付与樹脂、液状ゴム、または光架橋剤などの接着力改質剤を含んでもよい。このテープは、ウェーハ研削およびウェーハダイシング用途の両方に有用である。また、半導体ウェーハの処理方法も開示する。

Description

【発明の詳細な説明】 半導体ウェーハ処理接着剤およびテープ 発明の背景 発明の分野 本発明は、主に、半導体ウェーハ処理に有用な接着剤成分および接着テープに 関し、特に、熱可塑性エラストマーブロック共重合体を含んでおり、半導体ウェ ーハの研削およびダイシングの際有用である接着剤成分および接着テープに関す る。関連技術の説明 半導体集積回路(ＩＣ)チップは、高度産業機械用、自動車用、または日常の家 庭用機器用を問わず、電子部品に汎用される。半導体ＩＣチップの生産は、数多 くの半導体素子を含有する半導体ウェーハを製造することから始まる。最終的に は、ウェーハをのこ引きまたはダイシングして個々の半導体素子（ダイと称する ）にして、各素子が半導体ＩＣチップとなる。 通常半導体ウェーハは、一塊の高純度シリコンインゴットをスライスまたはの こ引きして厚さ約５００〜１０００μｍの薄円形ウェーハにすることで製作する 。また、ウェーハに不純物を添加して電気的性質を変えてもよい。電子回路は通 常、ホトリソグラフィによって、ウェーハ前面に付けられる。分離線は、ホトリ ソグラフィでウェーハ上に食刻されるものであり、後でウェーハをダイシングし て個々の半導体ＩＣチップにする際のソーマークを提供する。 従来、ウェーハ直径は約３〜４インチであったが、個々のＩＣチップが大きく なるにつれて、一枚のウェーハから更に数多くのダイを形成できるように典型的 ウェーハ直径は約５〜８インチに拡大した。ウェーハ直径は、最終的には約１２ 〜１６インチに、おそらくはこれよりも更に大きな寸法にまで拡大するものと期 待される。 精密な電子回路をダスト、湿気、空中浮遊腐食性酸等による大気汚染から保護 するため、ウェーハの前面にはパッシベーション層が設けてあり、このパッシベ ーション層は、シリコンオキシナイトライド等の無機材料またはポリイミド等の 有機材料であってもよい。 電子部品の製造を容易にするため、ウェーハの厚さ（従って、ウェーハから形 成される半導体ＩＣチップの厚さ）を減少させることが所望される。通常の工程 では、研削破片を除去する散水を行いながらウェーハ背面を厚さ約２００〜５０ ０μｍに研削する間、真空テーブルに対してウェーハ前面を保持しなければなら ない。しかし、ウェーハは本質的に脆弱であり、研削工程中に破損し易いという 事実、つまりウェーハの直径が大きくなるに従って増大してくる問題に影響され 易い。これに加えて、ウェーハ研削工程は電子回路を汚染する恐れのあるダスト を発生する。更に、ウェーハ前面は、パッシベーション層およびその下の回路を 摩損する恐れのある真空テーブルに対して保持される。従って、ウェーハ（特に その前面）は、破壊、汚染、および摩損から保護しなければならない。 この問題に対する初期の対処法では、パラフィンワックス層を用いてウェーハ 前面を被覆しており、このワックスは最後に溶剤洗浄によって除去するものであ る。この対処法の欠点については、米国特許第４，８５３，２８６号（ナリマツ 等）で説明されている。その他の対処法では、ホトレジスト塗膜をウェーハ前面 にスピンコートするが、この方法がウェーハの破損を無くすために必ずしも役に 立つとは限らない。 更に最近では、感圧接着剤（ＰＳＡ）テープが、ウェーハ前面を保護するため に使用されている。ＰＳＡテープは、単独で使用する場合もあれば、ＰＳＡテー プ粘着可能面を提供するホトレジスト塗膜と共に使用する場合もある。しかし、 当該技術文献によれば、接着テープは、防水問題に対する完璧な解決策を提供し ていない。前述した米国特許第４，８５３，２８６号では、ウェーハの破損が依 然として生じる事実、および接着面にウェーハを汚染するダストが堆積する事実 が明らかにされている。欧州特許第０５３０７２９号公報では、ＰＳＡテープが ウェーハに対して高い初期接着力を有する場合、或はＰＳＡテープをウェーハに 貼着した時点からこれを除去するまで粘着力が増大する場合、後工程でＰＳＡテ ープを除去することが困難になる事実について検討している。 半導体ウェーハ背面の研削作業（以後「ウェーハ研削」と称する場合もある） に有用であると報告されている種々の接着テープを説明してきた。例えば、前述 の米国特許第４，８５３，２８６号では、ウェーハ研削の際使用して破損を防止 するウェーハ処理フィルムを開示している。このフィルムは、ベースフィルムと 、市販の普通の接着剤（アクリル、エステル、ウレタン、または合成ゴム接着剤 ）の層と、ベースフィルム非接着面に適宜積層されるサポートフィルムと、を含 むものである。また、米国特許第５，１２６，１７８号（タケムラ等）では、（ 除去可能なリリースフィルムによって保護する）片面に載置する感圧接着剤を有 するベースフィルムと、背面に載置するリン酸系界面活性剤と、を含むウェーハ 処理フィルムを開示している。感圧接着剤には水性エマルジョン感圧接着剤が好 適であるが、アクリル系、ビニル系、ゴム系のものでもよい。米国特許第５，１ ８３，６９９号（タケムラ等）では、ウェーハを研削する時破損防止のために使 用するウェーハ処理フィルムを開示している。このウェーハ処理フィルムは、ベ ースフィルムと、ベースフィルムに載置する接着剤（例えば、従来のアクリル系 またはゴム系接着剤）層と、を含む。合成樹脂フィルムは、２μｍ以下の表面粗 さを有しており、接着剤層上に配置される。 欧州特許第０２５２７３９号公報では、半導体ウェーハ裏面研削中にウェーハ 表面に貼着する粘着シートを開示している。粘着シートは、ベースシートと、基 本的に不飽和カルボン酸含有単量体とアクリル酸エステル単量体との共重合体よ りなることが好ましい水膨潤可能水溶性接着剤層と、を含む。欧州特許第０５３ ０７２９号公報では、半導体ウェーハ背面研削中に使用する感圧接着テープを開 示している。感圧接着剤は、初期接着力が小さく、時間が経過しても粘着力の強 さが増大することはないとされており、水性アクリル樹脂エマルジョン接着剤と 、非イオン表面活性剤と、エポキシ系および／またはアジリジン系架橋剤と、水 溶性有機化合物と、を含む。 特開昭６２−５８６３８号公報では、半導体ウェーハ背面を研磨する時、ウェ ーハのパターニング面を保護する部材を開示している。この保護部材は、高い弾 性率と寸法安定性を有する耐湿性シートを含むものである。なお、感圧接着剤（ 例 えば、アクリル、ゴム、ポリビニルエーテル、またはウレタン系接着剤）が、こ の耐湿性シート上に堆積される。 しかし、半導体ウェーハ研削工程にはなおいっそう役に立つ接着テープへの要 望が依然としてある。そのようなテープは、幾つかの所望の性質を有することが 望ましい。例えば、テープは、半導体ウェーハが後処理工程に容易に耐えられる ように、シリコン、ポリイミド、シリコンオキシナイトライド、およびホトレジ スト塗膜等の面に対して十分な初期接着力を迅速に提供しなければならず、その 上必要な時には簡単に除去できるものでなければならない。これらの表面それぞ れに対して、表面が異なる毎に別々のテープを用意しなくても済むように、単一 のテープで、許容できる初期接着力を提供できることが好ましい。しかし、最終 接着力が、テープの除去によって従来の工業規格に基づいて許容される枚数（典 型的には１０００当たり１枚以下）を上廻る数のウェーハを破損または毀損する ほど大きくはないということは、すなわち、その後のウェーハ処理に支障をもた らす接着剤残留物を残留させるということである。 また、テープの初期および最終接着性が、数日間、好適には数週間の保管期間 にわたって維持されることが所望される。すなわち、工程または材料で制限され る接触時間にわたる接着力の増大(接着力ビルド(adhesion build)と称される場 合あり)、つまりある種のＰＳＡに関わる欠点があってはならない。同様に、表 面活性剤および接着剤中のその他の可動成分が合着境界線に移動して脆弱な境界 層を形成する場合に起こるような、接着剤における他の顕著な経時変化もあって はならない。保管中、初期および最終接着性を維持する接着剤は、貯蔵寿命が長 いテープを提供するばかりでなく、半導体ウェーハをテープで貼った後短時間で 研削工程を実施しなければならない必要性も無くすことになる。 別の所望の属性は、汚損せずに接着テープの除去ができるようになることであ るが、この汚損は、半導体ウェーハを顕微鏡で観察する時検出される半導体ウェ ーハの光学濃度の変化に係わるものであって、パッシベーション層上に微視的量 の接着剤残留物が残留するか、またはパッシベーション層を不完全に除去した結 果生ずるものである。また、研削中使用される散水によって弛緩しないように、 接着剤が水に反応しないものであっても役に立つだろう。 通常、ウェーハ研削に続いて中間の製造工程を数工程経てから、半導体ウェー ハをのこ引きまたはダイシングして個々の半導体ＩＣチップにする。ウェーハダ イシングは、従来、ウェーハの接地背面をＰＳＡテープ（ダイシングテープとよ く称される）の接着面に付着する工程と、テープを貼ったウェーハを真空テーブ ルに固着してそれが動かないように拘束する工程と、散水式ロータリーダイアモ ンドソーを使用して予めフォトリソグラフィで半導体ウェーハ上に食刻したソー マークに沿って切断する工程と、によって実施される。次に、個々の半導体ウェ ーハＩＣチップをダイシングテープから除去する。この作業は通常、ニードルま たはプローブによって容易にされており、ニードルまたはプローブがＩＣチップ 領域内でダイシングテープの支持体を押し上げると共に、同時に真空ピックアッ プがＩＣチップを把持してこれをダイシングテープから除去する。除去されたＩ Ｃチップは、直ちに処理されることもあるし、あるいは後で完成品に組立てるた めに保管される。 先行技術を取り上げた出版物では、接着ダイシングテープを使用する場合に遭 遇する種々の困難について解説している。例えば、欧州特許第０５２０５１５号 公報および第０１５７５０８号公報では、半導体ウェーハをテープに粘着するの に十分だが、ダイシングで得たＩＣチップの除去の妨げになるほどの大きさでは ない接着レベルの必要性を検討している。 ウェーハダイシング作業で使用する接着テープについては既に説明してある。 例えば、前述の欧州特許第０５２０５１５号公報では、個々のパターンに切断さ れて別々の半導体チップを形成する半導体ウェーハの固着用に使用するテープを 開示している。このテープは、三層積層形サポートフィルムの片面に載置する放 射線硬化感圧接着剤を含む。好適には、感圧接着剤は、アクリル接着剤と、シア ヌール酸エステルまたはイソシアヌール酸エステル化合物と、ポリエステルまた はポリオルウレタンアクリル酸エステルと、を含有する。欧州特許第０５８８１ ８０号公報では、放射線透過フィルムと、共重合した放射線開始剤を含有する放 射線架橋感圧接着剤と、を含むダイシングテープを開示している。感圧接着剤は 、 （メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸エステル、酢酸ビニル、または種々の ビニルアルキルエーテル単量体から合成してもよい。 特開昭６２−１２１７８１号公報では、半導体ウェーハダイシングフィルムを 開示しており、ここでは、従来の感圧接着剤をブテン系重合体フィルムに塗着し ている。特開平５−２３０４２６号公報では、ゴム状弾性材製ベースフィルムに 載置する接着剤（特に、アクリル系接着剤）層を含むウェーハダイシング用接着 テープを開示している。 前に参照した、欧州特許第０１５７５０８号公報では、研磨工程中半導体ウェ ーハを保護するために使用するか、または半導体ウェーハを切断してＩＣ素子チ ツプに分離する時ウェーハを固定するするために使用する、薄い粘着シートを開 示している。粘着シートは、光透過性支持体と、光照射により硬化する感圧接着 剤と、を含んでおり、三次元網状構造体を形成している。この接着剤は、ゴム系 またはアクリル系感圧接着剤と、光重合可能化合物と、および光重合開始剤の混 合物と、を含んで成るものである。 しかし、半導体ウェーハダイシング工程には、なおいっそう役に立つ接着テー プへの要望が依然として存在している。好適には、そのようなテープは、数種類 の好適な性質を有するものである。例えば、テープを貼った半導体ＩＣチップが 、ウェーハダイシング中弛緩しないように、（金めっきまたはステンレススチー ル製機械部品等を接着しなければならない他の表面は勿論のこと）シリコンウェ ーハに対して、テープは十分な初期接着力を与えなければならない。しかし、最 終接着力は、テープから除去する際、従来の工業規格に基づいて許容される数を 上廻る数の半導体ＩＣチップを毀損または破損する程高いものであってはならな い。また、半導体ウェーハをダイシングテープに付着した時点からダイシング後 に半導体ＩＣチップをテープから除去する時点まで、数日または数週間が経過す るため、数日、より好適には数週間にわたる保管中、初期および最終接着力を維 持することも所望される。接着力がその後の接触時間にわたって増大する場合、 ダイシング直後に使用しなければ、ダイシングした半導体ＩＣチップをテープか ら除去して保管しなければならない。 また、はんだ付けおよびＩＣチップのパッケージングなどの後工程の支障とな る接着剤残留物を残留しないように、半導体ＩＣチップを接着テープから綺麗に 除去しなければならない。更に、半導体ＩＣチップを汚染しないように、定期的 にウェーハダイシング作業を中断して堆積した接着剤残留物をブレードから清掃 除去しなければならないため、接着剤がテープからソーブレードに粘着しないの であれば好都合である。また、接着剤がソーブレードに粘着しなければ、更に厚 い接着剤層の使用が可能となり、このことは、ソーブレードが不注意にもテープ 支持体に切り込むことを防げるという点で好都合である。ウェーハダイシング中 、テープ支持体に部分的にせよ切り込みが入ると、テープが脆弱になり、後の工 程中に早期破損が起こる。 なお、ダイシング工程で用いる散水によって多数のウェーハが弛緩されないよ うに、接着剤は水分に対して反応しないものでなければならない。 結局、異なるウェーハ毎に別々のテープを用意する必要がなくなるように、ウ ェーハ研削およびウェーハダイシング作業の両方で使用できる単一の接着テープ が得られれば好都合である。発明の概要 本発明は、主に、半導体ウェーハの研削およびダイシングの両工程を含む半導 体ウェーハ処理工程に有用な接着剤成分および接着テープに関する。本発明の好 適な接着剤成分およびウェーハ処理テープは、ホトレジスト層、ポリイミドパッ シベーション層、シリコンオキシナイトライドパッシベーション層、およびシリ コン等の大切な基材に対して低い初期接着力を与える。好適な実施態様では、接 触時間にわたる接着力ビルドが最小を示しており、そのため半導体ウェーハおよ び／または半導体ＩＣチップをウェーハ処理テープから容易に除去することがで き、見える程の量の接着剤残留物を残留させることがない。 一実施態様において、本発明は、不変支持体と、不変支持体に載置する非感圧 製接着剤層とを含んで成る。なお、接着剤は、熱可塑性エラストマーブロック共 重合体を含んで成る。好適には、接着剤は、室温で１×１０⁶パスカルを上廻る 貯蔵弾性率を有する。熱可塑性エラストマーブロック共重合体は、熱可塑性物質 （好 適には約５〜３０％のスチレンであり、更に好適には約３〜２５％、最も好適に は１５〜２５％のスチレン）のセグメントと、ゴム状エラストマーのセグメント と、を含んで成る。特に好適な熱可塑性エラストマーブロック共重合体の例には 、スチレンブロックと、スチレン−エチレン／プロピレン−スチレンブロック共 重合体およびスチレン−エチレン／プロピレン−スチレン−エチレン／プロピレ ンブロック共重合体などのエチレン／プロピレンブロックと、を有するものがあ る。 本発明による好適な半導体ウェーハ処理テープは、以下の基材、すなわちシリ コン、ポリイミド、シリコンオキシナイトライド、およびホトレジスト塗膜のう ちの何れか一つに対して、約２０〜５００（より好適には、約２０〜２００）グ ラム／インチ幅の剥離接着強さを発現し、周囲の環境下で７日間基材と接触した まま置かれた後でも、このレベルの接着力を維持する。 対象となる基材に対して必要な接着力を提供するため、好適には、粘着付与樹 脂(典型的には、熱可塑性エラストマーブロック共重合体および粘着付与樹脂の 総合重量を基準にして１０重量％未満、より好適には３〜８重量％)、液状ゴム( 典型的には、熱可塑性エラストマーブロック共重合体および液状ゴムの総合重量 を基準にして２０重量％未満、より好適には、約５重量％以上２０重量％未満) 、または光架橋剤などの接着力改質剤を、接着剤中に含ませることが望ましいか もしれない。粘着付与樹脂および液状ゴム接着力改質剤は、熱可塑性エラストマ ーブロック共重合体を水素化する場合特に有用である。光架橋剤は、熱可塑性エ ラストマーブロック共重合体を水素化しない場合特に有用である。 本発明のもう一つの実施態様では、不変支持体と、この不変支持体に載置する 非感圧接着剤層と、を含んで成る半導体ウェーハ処理テープを提供しており、こ の実施態様において、接着剤は、２０°Ｃで２．７×１０⁶〜４．０×１０⁶パス カルの貯蔵弾性率を示す水素化熱可塑性エラストマーブロック共重合体を含んで 成るものである。スチレン−エチレン／プロピレン−スチレンおよびスチレン− エチレン／プロピレン−スチレン−エチレン／プロピレンブロック共重合体は、 この実施態様において特に好適である。 本発明の特に好適な側面では、前述の構造を有するウェーハダイシングテープ を提供する。そのようなテープは、都合の良いことに、約１２〜５０μｍ（より 好適には約１２〜２５μｍ、最も好適には約１２〜１５μｍ）の比較的薄い支持 体を有しており、この支持体は、縦方向に、約１００〜２００％（より好適には 、約１２０〜１６５％）の破断点伸びを有する。都合の良いことにこれらのウェ ーハダイシングテープは、半導体ウェーハにテープを貼着する時でも、周囲条件 の下に１５日間ウェーハと接触したまま放置した後でも、共に約２０〜２００グ ラム／インチ幅の剥離接着強さを提供できる。 本発明はまた、半導体ウェーハの処理方法にも関する。この方法は、（ａ）半 導体ウェーハを提供する工程と、（ｂ）不変支持体と、この不変支持体に載置す る非感圧接着剤層と、を含んで成る半導体ウェーハ処理テープの接着面に、半導 体ウェーハを接着剤で合着する工程と、（ｃ）ウェーハ背面を研削、またはウェ ーハをダイシングして集積回路半導体チップにすることによって、半導体ウェー ハを処理する工程を含んで成る。 なお、接着剤は、前記で説明したような熱可塑性エラストマーブロック共重合 体を含んで成るものである。 実施例好適な実施態様の詳細な説明 本発明は概して、ウェーハ研削およびウェーハダイシングの両工程を含むウェ ーハ処理用途に有用である接着剤成分および接着テープに関する。ここで用いら れる「ウェーハ研削」とは、半導体ウェーハの厚さを減少させるようにその背面 を研削する工程、すなわち半導体ウェーハ製造において公知である手段を指す。 ここで用いられる「ウェーハダイシング」とは、半導体ウェーハをのこ引きまた はダイシングして個々のダイまたは半導体ＩＣチップにすることを指しており、 これもまた、半導体ウェーハをＩＣチップに加工する際の公知の工程である。 本発明の好適な接着剤成分およびウェーハ処理テープは、ホトレジスト層、有 機パッシベーション層(例えばポリイミド)、無機パッシベーション層(例えばシ リコンオキシナイトライド)、またはシリコンなどの半導体産業における重要な 基材に対して低い最終接着力を提供するものである。好適な実施態様では、接触 時 間にわたる接着力ビルドが最小を示しており、そのため、工業規格によって許容 される枚数を超えて破損または毀損することなく、半導体ウェーハおよび／また は半導体ＩＣチップを本発明のウェーハ処理テープから容易に除去することがで き、且つ（肉眼で）見える程度の量の接着剤残留物を残留させることがない。本 発明のかなり好適な実施態様では、上記に挙げた基材の一部、最も好適にはそれ らの基材全ての表面に対して、これらの特性を発現する。また本発明のかなり好 適な実施態様では、半導体ウェーハおよび／または半導体ＩＣチップを汚損せず に除去することも可能である。 一つの側面において、本発明のウェーハ処理テープは、不変支持体と、この不 変支持体に載置する非感圧接着剤（非ＰＳＡ：ｎｏｎ−ＰＳＡ）と、を含んで成 り、この非ＰＳＡは、熱可塑性エラストマーブロック共重合体を含んで成る。 なお、「不変支持体」は、暫定保護剥離ライナーのような除去可能または剥離可 能な要素であるというよりはむしろ、ウェーハ処理テープの一体化部分を形成し ようとする基材または支持体層を表すものである。本発明のウェーハ処理テープ をますます広範に役立つようにするため、不変支持体は所望の通り数種類の特性 を有することになる。例えば、不変支持体は、十分な可撓性を有するものであり 、取り扱い、保管、および輸送を容易にするため巻芯の周りに巻いてロール形状 にできる。また、不変支持体はナイフで切断できるため、後で細長く切断したり 或は更に使用し易くなる幅狭のものに切断したりできる幅広のウェブを製造する ことができ、勿論不変支持体を切断しなければならない半導体ＩＣチップ製造工 程に適合させることもできる。好適には、不変支持体の含有する水抽出可能化合 物またはイオン成分は、従来のウェーハ処理の工業規格に基づいて許容される量 以下であって、より好適には、この不変支持体は、不変支持体の水反応性を低減 し、且つこれらの物質によって半導体ウェーハが汚染される可能性を減少させる ため、そのような物質から隔絶される。 本発明のウェーハ処理テープにおいて有用である不変支持体は、単一層フィル ムまたは多層フィルムとして提供できる。支持体の厚さは、得られたテープがウ ェーハ研削およびウェーハダイシング装置で容易に取り扱える限りにおいて広範 に変えてもよい。これらの指針の範囲内で、不変支持体の厚さは通常約５〜５０ ０μｍであるが、ウェーハダイシングテープ用には、不変支持体が約１２〜５０ μｍ、より好適には約１２〜２５μｍ、最も好適には約１２〜１５μｍの厚さを 有するものであることが更に所望される。また、特にダイシング用途で用いよう とするウェーハ処理テープは、十分に伸縮可能なものであって、半導体ダイの除 去を容易にするために使用するプッシュアップニードルまたはプローブの使用に 適合できるものであることが所望される。従って、ウェーハダイシングテープで の使用を所望される不変支持体は、縦方向に約７０〜２４０キロパスカル(ｋＰ ａ)、横方向に約１００〜３００ｋＰａの破断点引張強さを示すものとなる。同 様に、ウェーハダイシング用途での使用を所望される不変支持体の破断点伸びは 、縦方向に約１００〜２００％（より好適には約１２０〜１６５％）であり、横 方向に約３０〜９０％である。この範囲を下廻る引張強さと、この範囲を上廻る 伸びと、を有する不変支持体は、半導体ＩＣチップ除去用プローブを接触させて いる時、ウェーハダイシング工程での使用を所望される本発明の不変支持体より もさらに伸縮する。その結果、好適な範囲内にないそのような支持体ではプロー ブの移動距離が大きくなるため、製造速度を低下させることになる。また、不変 支持体の剛性が増大する（すなわち、引張強さが高く、伸びが低くなる）と、更 に普及しつつある大口径半導体ウェーハの取り扱いがいっそう容易くなる。 本発明のウェーハ処理テープにおいて有用である不変支持体を作製する物質に は、ポリオレフィン(例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、お よびポリメチルペンテン)、エチレン／ビニルモノマー共重合体(例えば、エチレ ン／（メタ）アクリル酸共重合体、およびエチレン／ビニル酢酸エステル共重合 体)、ポリブタジエン、ポリ(塩化ビニル)、ポリウレタン、ポリアミド、および ポリエステル（特に、ポリエチレンテレフタレート）などがある。 本発明において有用である接着剤成分は、熱可塑性エラストマーブロック共重 合体を含んで成る非ＰＳＡ物質であり、より好適には、基本的に熱可塑性エラス トマーブロック共重合体より成る非ＰＳＡ物質である。なお「非ＰＳＡ」は、感 圧特性を発現しない接着剤を表している。感圧接着剤は、ほんの僅かに圧力をか けると、種々広範の基材に対して不変且つ投錨効果のあるタックを発現する接着 剤を指すものである、と従来理解されている。感圧接着剤について容認されてい る定量的説明は、Dahliquist判定基準線によって与えられており、この直線は、 約３×１０5パスカル未満の貯蔵弾性率（Ｇ‘）（室温約２０〜２２°Ｃ、１０ ラジアン／秒で測定）を有する物質が、感圧接着特性を有する一方、この値を上 廻るＧ’を有する物質は感圧接着特性を備えていないことを示す。従って、さら に厳密に言えば、非ＰＳＡは、ここで使用されているように、少なくともDahlqu ist判定基準線以上の貯蔵弾性率を有する物質、より好適には、１×１０6パスカ ル以上の貯蔵弾性率を有する物質を指すものとなる。 「熱可塑性エラストマーブロック共重合体」は、セグメント化されたＡおよび Ｂのブロックまたはセグメントの共重合体を表しており、これは、熱可塑性およ びエラストマー（すなわちゴム状）の挙動の両方を発現する。簡単にするため、 「熱可塑性エラストマー」および「ブロック共重合体」なる表現を熱可塑性エラ ストマーブロック共重合体を指すものとしてここで使用する場合がある。従って 、熱可塑性エラストマーは、従来の熱可塑性プラスチック（例えば、アクリレー トおよびビニル系誘導体）は勿論、天然ゴムおよび合成ゴムと容易に識別できる 。本発明の接着剤成分およびウェーハ処理テープにおいて有用である熱可塑性エ ラストマーには、ラジアル線状Ａ−Ｂジブロックおよび線状Ａ−Ｂ−Ａトリブロ ック構造を有する多ブロック共重合体があり、勿論これらの物質の配合物も含ま れる。これらの構造において、Ａは非ゴム状熱可塑性プラスチックのセグメント （例えば、末端ブロック）を表しており、Ｂはゴム状エラストマーセグメント（ 例えば、中央ブロック）を表す。しかし、僅かな比率なら他の単量体をブロック 共重合体に添加してもよい。 実例となる熱可塑性プラスチックＡブロックは、単環式および多環式芳香族炭 化水素、特に、単環式および多環式アレーンを含む。また、実例となる単環式お よび多環式アレーンは、単環式および二環式構造の、置換および未置換のポリ（ ビニル）アレーンを含む。好適な熱可塑性エラストマーは、室温での相分離を確 実にする十分なセグメント分子量の置換または未置換多環式アレーン熱可塑性プ ラ スチックセグメントを含む。熱可塑性プラスチックＡブロックは、アルケニルア レーンの単独重合体または共重合体を含んで成るものである。 熱可塑性プラスチックＡブロック中のアルケニルアレーンは、好適には、モノ アルケニルアレーンである。「モノアルケニルアレーン」なる用語には、ｏ−メ チルスチレンと、ｐ−メチルスチレンと、ｐ−第三ブチルスチレンと、１，３ジ メチルスチレンと、α−メチルスチレンと、他の環アルキル化スチレンと、を含 み、特に、環−メチル化スチレンと、ビニルナフタレン、ビニルアントラセンの ような他のモノ−アルキル多環式芳香族化合物と、を含むスチレン、およびその 類似体および同族体のようなベンゼン系のモノアルケニルアレーンを特に含むも のと見なす。好適なモノアルケニルアレーンは、スチレンおよびα−メチルスチ レン等のモノビニル単環式アレーンであり、スチレンが特に好適である。 個々の熱可塑性プラスチックＡブロックは、良好なドメイン形成を促進するた め、好適には、少なくとも約６，０００の数平均分子量を有しており、より好適 には、約８，０００〜３０，０００の数平均分子量を有する。熱可塑性プラスチ ックＡブロックは、通常、ブロック共重合体の約５〜３０重量％、好適には、約 ３〜２５重量％を構成する。Ｂブロックが飽和ゴム状エラストマーセグメントを 含んで成る場合、最も好適な熱可塑性エラストマーは、ブロック共重合体の約１ ５〜２５重量％を構成するＡブロックを含有する。 Ａ−Ｂ−Ａなる表示には、線状のものは勿論、枝分かれしたブロック共重合体 が含まれており、また、末端ブロックが互いに異なるが両末端ブロック共スチレ ンまたはスチレン同族体から誘導される構造体が含まれる(そのような構造体は 、Ａ−Ｂ−Ｃブロック共重合体として認識されることもある)。 好適なゴム状エラストマーＢセグメントは、単量体の単独重合体、または二つ 以上の脂肪族共役ジエン単量体の共重合体を含んで成るポリマーブロックである 。共役ジエンは、好適には、４〜８個の炭素原子を含有する共役ジエンである。 適当な共役ジエン単量体の例には、１，３−ブタジエン(ブタジエン)、２−メチ ル−１，３ブタジエン(イソプレン)、２，３−ジメチル−１，３ブタジエン、１ ，３−ペンジエン(ピペリレン)、１，３−ヘキサジエン等がある。 最も好適なスチレンブロック共重合体において、ゴム状セグメントは、１，４ および１，２異性体の混合物を含んで成る中央ブロックを有するスチレン−ブタ ジエン−スチレンブロック共重合体のような不飽和前駆物質の水素化によって飽 和させてもよい。後述の水素化の時、スチレン−エチレン／ブチレン−スチレン ブロック共重合体が得られる。同様に、スチレン−イソプレン−スチレンブロッ ク共重合体前駆物質を水素化してスチレン−エチレン／プロピレン−スチレンブ ロック共重合体を生成してもよい。ポリイソプレン、ポリブタジエン、およびス チレン−ブタジエンゴムのようなゴム状物質はまた、ゴム状エラストマーセグメ ントを形成するために使用されてもよい。最も好適なのは、ブタジエンとイソプ レンである。また、別々の共役ジエンの混合物も使用してよい。線状ジブロック およびトリブロック共重合体のＢブロックの数平均分子量は、好適には約４，５ ００〜１８０，０００の範囲である。 本発明において有用であるラジアルブロック共重合体は、米国特許第３，２８ １，３８３号において開示された種類のもので、一般式：（Ａ−Ｂ）ｎＸに従う ものであり、この式において、Ａは、スチレンまたはスチレン同族体から重合さ れる熱可塑性プラスチックブロックであり、Ｂは、上記で示したような、共役ジ エンから誘導されるゴム状エラストマーブロックであり、Ｘは、四塩化珪素、四 塩化錫、またはジビニルベンゼン等の２〜４の官能価を有する有機または無機連 結分子であるが、他の種類のものについては、米国特許第３，２８１，３８３号 で言及されている。Ｘは、更に大きい官能価を有するものであってもよく、この 場合、イベント「ｎ」は、官能価Ａに対応する数である。ラジアルブロック共重 合体の数平均分子量は、好適には、約１２５，０００〜４００，０００の範囲で ある。 また、熱可塑性エラストマーは、ラジアルまたは線状トリブロック共重合体と 単純なジブロック共重合体との混合物を含んで成る。しかし、トリブロック共重 合体とジブロック共重合体との混合物内におけるジブロック共重合体の比率は、 約８５重量％を超えてはならず、通常、例えば３０重量％の低い割合を用いる。 種々広範の市販の熱可塑性エラストマーを、(単独または組み合わせて)本発明 において使用することができ、これには、SOLPRENE系(フィリップス・ペトロー リアム社(Philips Petroleum Co.)製)、FINAPRENE系(フィナ(Fina)製)、TUFPREN EおよびASAPRENE系(アサヒ(Asahi)製)、STEREON系(ファイアーストーン・シンセ ティック・ラバー・アンド・ラテックス社（Firestone Synthetic Rubber & Lat ex Co.）製)、EUROPRENE SOL T系(エニケム(Enichem)製)、VECTOR系(デキシコポ リマーズ(Dexco Polymers)製)、およびCARIFLEX TR系（シェル・ケミカル社(She ll Chemical Co.)製）がある。また、SEPTON 2002、2005、2007、2023、2043、 および2063のようなSEPON系の物質（クラレ社(Kuraray Co．Ltd.)製）も有用で ある。更にまた、D-1101、D-1102、D-1107P、D-1111、D-1112、D-1114PX、D-111 6、D-1117P、D-1118X、D-1119、D-1122X、D-1124、D-1125PX、D-1184、D-1300X 、D-1320X、4141、4158、4433、RP-6408、RP-6409、RP-6614、RP-6906、RP-6912 、G-1650、G-1651、G-1652、G-1654X、G-1657、G-1701X、G-1702X、G-1726X、G- 1750X、G-1765X、FG-1901X、FG-1921X、FG-1924、およびTKG-101のようなKRATON 系の物質（シェル・ケミカル社製）も有用である。一般に、水素化熱可塑性エラ ストマーのKRATON系が好適である。 極めて好適な物質種類は、スチレンセグメントと、エチレン／プロピレンセグ メントとを含んで成る水素化ブロック共重合体であり、これらは特に、報告され ているカップリング効率(coupling efficiency)が１００％であり、１５〜２５ ％（より好適には、約１８〜２３％）のスチレンを有しており、更に約３１００ ｐｓｉの引張強さ、および約９％の破断点残留歪を有する。そのような物質は、 以下の（１０ラジアン／秒における）貯蔵弾性率プロファイル、すなわち、０° Ｃで約２．５×１０⁶〜４．０×１０⁶パスカル、２０°Ｃで約２．７×１０⁶〜 ４．０×１０⁶パスカル、および４０°Ｃで約２．９×１０⁶〜３．８×１０⁶パ スカル、を表すことがある。この物質種類に対応するものは、KRATON RP-6906お よびRP-6912であり、後述のものは、四つの相異なるブロック（スチレン−エチ レン／プロピレン−スチレン−エチレン／プロピレン）を有する線状多ブロック 共重合体として特に特徴的である。これらの物質の配合物もまた有用である。こ の物質種類は、都合のよいことに、接着力改質剤を添加せずに、実用レベルの接 着力を提供する。 本発明において有用である若干数の熱可塑性エラストマーは、ウェーハ処理用 途で最大限役立てるため、低すぎるか(特に、所定の水素化熱可塑性エラストマ ーの場合)、高すぎるか（特に、所定の非水素化熱可塑性エラストマーの場合） のいずれかの固有接着レベルを有していてもよい。加えて、若干数の熱可塑性エ ラストマーは、ウェーハ処理用途において最高の有用性を得るため、合着する基 材表面を濡らすことが不十分になったり、低品質の塗膜を形成したり、塗布困難 なものであってもよく、あるいは、これらが複合されてもよい。従って、本発明 の接着剤成分は、更に適宜、熱可塑性エラストマーの本来の接着力、ぬらし性(w ettingability)、またはコーティング性(coatability)を増大するため、粘着付 与樹脂または液状ゴム等の接着力改質剤を含んで成るものであってもよく、また 、熱可塑性エラストマー本来の接着力を低下させるため、光架橋剤を含んで成る ものであってもよい。 接着剤成分の能力を改善してこれを塗着する基材表面を迅速にぬらせるように するため、粘着付与樹脂を熱可塑性エラストマーに添加して、その初期接着強さ を向上し、且つその弾性率を低下できる。粘着付与樹脂は、粘性を低下させたり 、コーティング性および剥離接着強さを改善するなど、その他所望の性質を接着 剤成分に対して付与できる。 本発明の接着剤成分において有用である粘着付与樹脂は、Ｃ5からＣ9の不飽和 炭化水素単量体、ポリテルペン、合成ポリテルベン等の重合により誘導される樹 脂を含む。粘着付与樹脂は、エチレン不飽和物を含有してもよいが、水素化した 熱可塑性エラストマーと共に使用するには特に、飽和粘着付与樹脂が好適である 。炭化水素粘着付与樹脂は、主としてオレフィンおよびジオレフィンを含んで成 る単量体の重合により調整可能であり、且つ、例えば、イソプレン製造工程の残 留副生物を含むことがある。こららの炭化水素粘着付与樹脂は、通常、約８０〜 １４５°Ｃの環球試験軟化点、約０〜２の酸価、および１未満のけん化価を示す 。本発明の接着剤成分において有用である粘着付与樹脂は、通常、低分子量物質 であり、例えば、重量平均分子量は約３５０〜２，５００である。また、粘着付 与樹脂は、熱可塑性エラストマーに対して相溶であることが所望されており、こ れ によって、室温においてこれらの成分の相分離の見ることのできる形跡は現れな くなる。 本発明の接着剤成分において有用である市販の粘着付与樹脂にしてＣ5オレフ ィンの部分を基剤とする粘着付与樹脂の例には、グッドイヤー・タイアー・アン ド・ラバー社(Goodyear Tire and Rubber Co.)製の"Wingtack"（商標）95、およ び"Wingtack"（商標）115（ウイングタックプラス）粘着付与樹脂がある。その 他の炭化水素樹脂には、ヘラクレス・ケミカル社(Hercules Chemical Co.，Inc. )製の"Regalrez"（商標）1078、"Regalrez"（商標）1094、および"Regalrez"（ 商標）1126、アラカワ・フォレスト・ケミカル・インダストリーズ(Arakawa For est Chemical Industries)製の"Arkon"（商標）P115のようなアルコン樹脂、お よびエクソン・ケミカル社(Exxon Chemical Co.)製の"Escorez"（商標）樹脂が ある。本発明において有用である、ロジン誘導体、特に水素化誘導体の例には、 ヘラクレス・ケミカル社製の"Foral"（商標）185および"Foral"（商標）105があ る。 その他の好適な樹脂は、脂環式、単環式、および二環式モノテルペンのような テルペン炭化水素とこれらの混合物の重合および／または共重合によって得られ る高分子樹脂質のようなテルペン重合体を含み、また、カレン(carene)、異性化 ピネン、テルピネン、およびその他種々のテルペンを含む。市販のテルペン系樹 脂には、アリゾナ・ケミカル社(Arizona Chemical Corp.)製の"Zonarez"（商標 ）テルペンＢ−シリーズおよび７０００シリーズがある。"Zonarez"（商標）テ ルペン樹脂に関して報告されている典型的性質には、約８０〜１４５°Ｃの環球 試験軟化点と、１未満のけん化価とが含まれる。 粘着付与樹脂は、有効量で使用されるが、この有効量は、対象となる基材に対 して適切なレベルの接着力を与える量である。実際に使用する粘着付与樹脂の量 は、所望する接着力のレベル、合着する基材、および熱可塑性エラストマーの弾 性率で決まる。粘着付与樹脂の量が不十分であると、接着力が十分に増大しない 。一方、粘着付与樹脂は、ウェーハ処理テープを除去する時、許容できない程高 いレベルの半導体ウェーハの破損を引き起こす恐れがあるので、最終接着力を許 容できないほど高いレベルにするような量では使用してはならない。一般に、接 着 剤の非ＰＳＡ特性を維持しながら所望の接着力を得るために必要な最小量の粘着 付与樹脂を使用しており、この量は、粘着付与樹脂と熱可塑性エラストマーとの 総合重量を基準にして、通常１０重量％未満の量である。より好適には、約３〜 ８重量％が使用される。 代わりに、液状ゴムを使用して、接着剤成分の初期接着強さ増大し、弾性率を 低減し、更に合着する表面を濡らす能力を改善してもよい。液状ゴムは、熱可塑 性エラストマーに対して相溶となるように選択しなければならず、これによって 、室温において相分離の見ることのできる形跡は現れなくなる。液状ゴムの分子 量は、液状ゴムが合着境界線へ移行しないように選択しなければならず、この移 行が生じると、境界層が脆弱になり、且つウェーハ処理テープの早期破損が起こ る。なお、約２５，０００〜５０，０００の分子量が有用である。部分的に水素 化した液状ゴムを使用してもよいが、水素化液状イソプレンゴム（例えば、クラ レ社製の、分子量約２５，０００を有するKuraray LIR 290）など、更に十分に 水素化した液状ゴムが好適である。 液状ゴムは、有効量で使用しなければならず、この有効量は、粘着付与樹脂に 関して前に検討したのと同じ基準で選択される量である。これらのパラメータの 範囲内で、液状ゴムの典型量は、熱可塑性エラストマーと液状ゴムとの総合重量 を基準にして２０重量％未満であり、より好適には５重量％以上２０重量％未満 である。 一方、熱可塑性エラストマーの最終接着力が大きすぎて、ウェーハ処理テープ を簡単に除去できない場合、光架橋剤を添加して熱可塑性エラストマーの最終接 着力を低減することが適切である。ここで使用した「光架橋剤」とは、紫外線（ 例えば、約２５０〜４００ｎｍの波長を有する放射線）を照射した時、熱可塑性 エラストマーを架橋させる試剤を指す。 本発明での使用に好適である光架橋剤には、ベンズアルデヒド、アセトアルデ ヒド、およびこれらの置換誘導体などのアルデヒドと、アセトフェノン、ベンゾ フェノン、およびこれらの置換誘導体にして例えば"Samdoray 1000"（商標）（ サンドズ・ケミカルズ社(Sandoz Chemicals，Inc.)製）のような置換誘導体、な ど のケトンと、ベンゾキノン、アントラキノン、およびこれらの置換誘導体のよう なキノンと、２−イソプロピルチオキサントンおよび２−ドデシルチオキサント ンなどのチオキサントン、および２，４−ビス−（トリクロロメチル）−６−（ ３‘，４’−ジメトキシフェニール）−シン−トリアジンなどの所定の発色団− 置換ハロメチル−シン−トリアジンと、があるが、これら後述物質は、ハロゲン 汚染の発生ポテンシャルのため、あまり好適であるとは言えない。 光架橋剤は、効果を得られる有効量で使用するが、この有効量とは、対象とな る基材に対して所望の最終接着性を提供する接着剤の架橋を引き起こすのに十分 な量を指す。光架橋剤の量が不十分であると接着剤成分の不適当な硬化（すなわ ち架橋）を引き起こすため、光架橋剤を過剰に加えると接着剤成分のバルクを全 体的に不均一に硬化させるが、接着力は依然として高いままとなる。これらのパ ラメータの範囲内で、光架橋剤の量は、通常、熱可塑性エラストマーの約０．０ ５〜２重量％であり、より好適には約０．２〜１重量％、最も好適には約０．３ 〜０．５重量％である。 また、種々の添加剤を最小量、接着剤成分中に含ませることもできる。そのよ うな添加剤には、顔料、染料、可塑剤、充填剤、安定剤、紫外線吸収剤、老化防 止剤、プロセス油などがある。使用する添加剤の量は、所望する最終特性に依存 して変更できる。 ウェーハ処理用途での有用性を向上させるため、ウェーハ処理テープは基本的 に、ＩＣ半導体ウェーハ上へ移行してこれを汚染するイオン性不純物の影響を受 けてはならない。 本発明の接着剤成分およびウェーハ処理テープは、容易に製作できる。通常、 熱可塑性エラストマー、および何らかの粘着付与樹脂または液状ゴムは、トルエ ン（最小量のヘプタンおよび／またはシクロヘキサン、或はこれに匹敵する重量 部のメチルエチルケトンおよびイソプロパノール配合物と配合される）などの無 極性有機溶剤中で、室温で数時間(通常、約２〜４時間)、見えている非溶存熱可 塑性エラストマーが見えなくなるまで、ローラーミルまたは他の低せん断力混合 装置を用いて可溶化する。光架橋剤を含ませる場合、確実に完全溶解させるため 、 今度は、ローラーミル上で新たに配合しながら、光架橋剤を添加してもよい。こ の結果得られる可溶化された熱可塑性エラストマーを、塗布可能な粘性（例えば 約４，０００〜５，０００ｃｐｓ）を提供する固形分（例えば、約２５％）まで 、前述した種類の無極性有機溶剤を追加して希釈してもよい。５０／２５／２５ 重量％比のトルエン／メチルエチルケトン／イソプロパノール配合物は、希釈溶 剤として特に好適である。 ナイフコーティング、スロテットナイフコーティング、またはリバースロール コーティングなど、種々のコーティング方法を用いて、溶剤溶液を不変支持体に 塗着した後、接着テープを提供するべく、ある温度（例えば約６５〜１２０°Ｃ ）および時間（例えば数分から約１時間）で乾燥してもよい。乾燥した接着剤層 の厚さは、約１０〜数１００（例えば約２００）μｍの広範囲にわたって変更で きるが、ウェーハ研削工程用には、厚さ約８０〜９０μｍの乾燥接着剤がより好 適であり、一方、厚さ約５０〜１００μｍの乾燥接着剤が、ウェーハダイシング 工程で使用されるテープに使用される。 光架橋剤が使用された場合、接着剤は、約２５０〜４００ｎｍの波長を有する 紫外線を照射される。接着剤を架橋するのに要する好適なこの波長範囲における 輻射エネルギーは、約１００〜１，５００ｍＪ／ｃｍ2、より好適には、約２０ ０〜８００ｍＪ／ｃｍ2である。接着剤は、ウェーハ処理（例えば、研削または ダイシング）の前後どちらでも架橋できる。 ウェーハ処理テープを提供するために接着剤成分が一旦乾燥されると、テープ の接着面を、適宜、ポリオレフィン（例えば、ポリエチレンまたはポリプロピレ ン）またはポリエステル（例えば、ポリエチレンテレフタレート）フィルム、或 はシリコーン、ワックス、フルオロカーボン等の剥離材で処理してある紙または プラスチックフィルム等の暫定除去可能剥離ライナーで保護してもよい。 以下の非限定実施例を参照して、いっそう完全に本発明を正しく理解する。実 施例は、以下に説明する所定の試験方法で評価してある。なお、当該試験方法お よび実施例において与えられる寸法は全て呼称寸法である。 試験方法剥離接着強さ試験法Ａ ウェーハ研削に用いることで遭遇する種々の基材に対する剥離接着強さは、ウ ェーハ処理テープ（幅２５ｍｍ、長さ約１３０ｍｍのテープ）試料を、約２ｋｇ のゴムで被覆したローラを２回通過させて付着することにより評価した。この後 、ウェーハ処理テープを付着した基材は、「ドエル」として実施例で指定した時 間中、２３°Ｃ、相対湿度（ＲＨ）５０％で、放置した。 次に、基材の反対側表面（すなわち、ウェーハ処理テープを付着していない基 材表面）を、インスツルメンターズ社（Instrumentors，Inc.）のスリップ−ピ ールテスタ（Slip-Peel tester）SP-102C-3H90型粘着力試験装置の接着力試験キ ャリッジにテープでしっかりと固着する。ウェーハ処理テープ試験用細片の一自 由端を粘着力試験装置のフォースセンサに付着してから、試験細片を、角度１８ ０°、速度３０ｃｍ／分で基材から剥離した。剥離接着強さは、グラム／インチ 幅（gliw:grams per linear inch width；約ｇ／２５ｍｍ）で記録され、後述の 実施例に関して報告される値は、最低２回測定した平均値である。 剥離接着強さの値は、約２０〜５００ｇｌｉｗ、最も好適には約２０〜２００ ｇｌｉｗでなければならず、半導体ウェーハ製造業界でウェーハ処理テープが広 範に受容されるよう促進する。好適には、当該接着剤成分では、接触時間にわた る接着力ビルドが最小を示しており、つまり、最終接着力がこれらの範囲内にと どまっていることを示す。 また、ウェーハ処理テープが剥離可能であると見なされるかどうかも、定性的 に評価してある。テープは、基材を破損または毀損することなく基材から剥離可 能である場合、および基材上に人間が肉眼で見ることのできる接着剤残留物がな い場合、剥離可能であると見なす。 剥離接着強さを測定する基材は、（１）平滑なポリイミド（表面平滑化処理を 施されたシリコンウェーハに塗着されたもの）と、（２）半導体ＩＣチップ製造 において従来使用されているパッシベーション層を代表するＩＣポリイミドパッ シベーション層（半導体シリコンウェーハにホトリソグラフィで食刻された電子 回路を有する半導体シリコンウェーハに塗着されており、そのため合着用に露出 した 表面が、ポリイミドと電子回路物質の両方である）と、（３）丁度説明したとお り、ＩＣポリイミドパッシベーション層上に塗布されたエボキシ系ホトレジスト 層（半導体ウェーハの製造において汎用されているホトレジスト層の代表である ）と、（４）半導体ＩＣチップ製造において従来使用されているパッシベーショ ン層を代表するＩＣシリコンオキシナイトライドパッシベーション層（半導体シ リコンウェーハにホトリソグラフィで食刻された電子回路を有する半導体シリコ ンウェーハに塗着されており、そのため合着用に露出した表面が、シリコンオキ シナイトライドと電子回路物質の両方である）と、であった。剥離接着強さ試験法Ｂ また、ウェーハダイシング用途で遭遇する種々の基材に対する剥離接着強さも 評価した。大きさ約１１５ｍｍ×１９ｍｍのウェーハ処理テープの試験細片は、 固定ブレードギャップレザーナイフで切断して、約２ｋｇのゴムで被覆したロー ラを２回通過させて、表面平滑化処理を施した半導体シリコンウェーハ、フロー トガラス、およびグレード３１５のステンレス鋼基材に接着剤で合着する。基材 表面は、リントレス布に付けたジアセトンアルコールで再び清浄にした後、ヘプ タン中でリンスして自然乾燥した。試料は、「ドエル」として実施例で指定した 時間の間、２１°Ｃ、５５％ＲＨで状態調整した。剥離接着強さは、インスツル メンターズ社のスリップ−ピールテスタSP-102C 3M90型粘着力試験装置で測定し た。ウェーハ処理テープ試験細片の一自由端を、粘着力試験装置のフォースセン サに付着してから、試験細片を試験細片を、角度１８０°、速度３０ｃｍ／分で 基材から剥離した。剥離接着強さは、グラム／インチ幅（ｇｌｉｗ）で記録され て、後述の実施例に関して報告される値は、５回測定した平均値である。ウェー ハダイシング用途については、剥離接着強さは、約２０〜２００ｇｌｉｗが好適 であり、より好適には約４０〜１５０ｇｌｉｗ、最も好適には、約１００ｇｌｉ ｗだが、実際の接着力は、ダイの寸法に依存しており、大抵はダイが小さくなる ほど、大きい剥離接着強さが必要になる。好適には、当該接着剤成分では、接触 時間にわたる接着力ビルドが最小を示しており、つまり、最終接着力がこれらの 範囲内にとどまっていることを示す。半導体ウェーハ研削 ウェーハ研削用途でのウェーハ処理テープの有用性は、少なくとも半導体シリ コンウェーハの幅に等しい幅を有するテープ試料を用いて評価した。このテープ は、大気温度にあるクラス１０００のクリーンルーム内で、約２ｋｇのゴムで被 覆したローラを１回通過させてウェーハの非シリコン面に貼着した。この後、ウ ェーハ処理テープを付着したシリコンウェーハは、周囲条件で８時間以下で通常 は１時間未満の時間放置した。 次に、テープを貼った半導体ウェーハをディスコDFG-83H/6型ウェーハ研削盤 の真空つかみにテープ側を設置した。研削工程において、半導体ウェーハを一連 の３つの研削といしの下に通す(各研削といしはディスコ社から入手可能)。第一 研削といし（型番RS-01-2-40/60-NA-A）で、シリコンを１２０μｍ除去して、第 二研削といし（型番RS-01-2-20/30-NA-C）で、シリコンを１００μｍ除去して、 さらに第三研削といし（型番RS-03-2-2/34-P）で、シリコンを１０μｍ除去した 。合計研削時間は、約１０分であった。第三研削といしを経た後、半導体ウェー ハを水で洗浄して研削破片を除去してから、自然乾燥して周囲条件で約１６時間 放置した。 固定ブレードギャップレザーナイフを用いて、支持体を露出したウェーハ処理 テープの２５ｍｍ幅試験細片を２枚切断して、それぞれをウェーハの端から約０ ．５インチ内側に置く。次に、５０ｍｍ幅の日東BT 315Sリムーバルテープ（日 東電工社製）一枚を、約２ｋｇのゴムで被覆したローラを２回通過させて、ウェ ーハ処理テープの露出した支持体の中心に貼着した。その後、二枚の切断細片の 間で、ウェーハ処理テープの中間部に付着したリムーバルテープを手で除去した 。ウェーハ処理テープの露出した支持体の二つのエッジピースは、リムーバルテ ープを使用せずに手で除去した。次に、半導体ウェーハの反対側表面（すなわち 、試験細片を付着していない面）を、インスツルメンターズ社のスリップ−ピー ルテスタSP-102C-3H90型粘着力試験装置の接着力試験キャリッジにテープでしっ かりと固着する。試験細片の一端を粘着力試験装置のフォースセンサに付着して から、ウェーハ処理テープと共にリムーバルテープを、角度１８０°、速度３０ ｃｍ／ 分でウェーハから剥離した。剥離接着強さは、グラム／インチ幅で記録され、実 施例に関して報告される値は一回測定した値である。 ウェーハ処理テープは、半導体ウェーハを破損または毀損することなくウェー ハから剥離可能である場合、およびウェーハ上に人間が肉眼で見ることのできる 接着剤残留物がない場合、剥離可能であると見なした。半導体ウェーハダイシング ウェーハダイシングテープとしてのウェーハ処理テープ独特の有用性は、２０ ０ｍｍ四方の試料テープを１４７ｍｍ直径のウェーハテープリング（＃８５７２ ：スイス、ベルク(Berg)のグスタフ・ウィルツ社(Gustav Wirz AG.)製）を覆う ように伸ばしてそのテープを他のロックリングで固定することによって、評価し た。厚さ約０．４３ｍｍを有する１２７ｍｍ直径の研磨済みシリコンウェーハを 、この伸ばしたフィルムの上に注意深く設置して、ウェーハとフィルムの間に空 気が入らないようにした。テープ背面に沿って指で丁寧に押すことで、エアポケ ットになりそうな所は全て除去した。シリコンウェーハを付着して３０分以内に 、このウェーハをディスコ・アブラシブ・システムオートマチックダイシングソ ー（Disco Abrasive System automatic dicing saw）（型番DAD-2H/5、外径５０ ．８ｍｍ、厚さ０．０５０ｍｍを有するディスコNDCZ-205Lソーブレードに固定 ）を用いてダイシングした。ダイシングソーは、速度２５．４ｍｍ／秒で、稼働 されて、３０ｐｓｉの水洗浄を使用して、シリコンウェーハを切断して、のこの 切り目中心を基準に４．３ｍｍ×４．３ｍｍの大きさのダイにする。ウェーハダ イシング工程中テープを洗浄除去したダイの数を記録した。半導体ウェーハの汚損 ウェーハ処理テープが半導体ウェーハの汚損を生ずる傾向は、ウェーハの試験 面を、ツァイスマイクロスコープカメラMM 100型（Zeiss Microscope Camera Mo del MM100）を装備したツァイスアクシオプランユニバーサル・セミコンダクタ 顕微鏡（Zeiss Axioplan Universal Semiconductor microscope）の下に設置し て、少なくとも１２８Ｘ倍で、試験面の光学密度の変化に関して表面全体を光学 的に検査することによって評価した。試験面の光学密度の変化があれば、汚損が あると見 なした。次に、汚損された表面積の割合を概算した。一般に、汚損の存在は好ま しくないと見なされており、このことによってウェーハ処理テープをどの程度広 範囲に使用するかが限定されることがある。破断点引張強さおよび伸び率 幾つかの実施例の破断点引張強さおよび伸びの特性をテストした。特に、試験 試料は、約１５０ｍｍ×２０ｍｍの大きさの試験細片を、固定ブレードギャップ レザーナイフを用いて切断することによって、製作した。試料に着けた剥離ライ ナーを全て除去してからテストを行った。試験試料は、予め２１°Ｃ、５５％Ｒ Ｈで少なくとも４時間状態調整を行ってから、５０ポンドのロードセル、１２５ ｍｍ／分のクロスヘッド速度、および５０ｍｍのギャップを有する1122型インス トロン引張試験機（Instron Tensile Tester Model 1122）で測定した。試料は 、縦横方向とも、破断点で観測される引張強さおよび伸び率の両方をテストした 。引張強さは、テープの断面積で除算した破断点における力として、ポンド毎平 方インチで計算したが、後でキロパスカル（ｋＰａ）に変換した。実施例におい て以下に報告する結果は、５回測定の平均である。 実施例１乃至１１ 本発明によるウェーハ処理テープのシリーズを製作した。各実施例のウェーハ 処理テープで使用される接着剤成分は、熱可塑性エラストマー３０グラム（ｇ） とトルエン７０ｇをワンクォートガラスジャー内で合わせて、このジャーを、非 溶存熱可塑性エラストマーが見えなくなるまで、ローラーミル上に設置すること で、調製する。合計混合時間は、８時間未満であった。次に、乾燥接着剤被膜の 厚さを確実に約７６μｍにできるコーティングギャップを備えて形成されたブル ノーズナイフを有するナイフボックスを使用して、接着剤成分溶液を、５０μｍ 厚のポリエチレンテレフタレートフィルムに塗布する。一回塗布して、ウェーハ 処理テープを室温で約１０分乾燥してから、８２°Ｃで１０分乾燥した。 以下の表１は、熱可塑性エラストマーの種類とその熱可塑性エラストマーの中 のスチレンの割合（％スチレン）の記載と共に、各実施例で使用される熱可塑性 エラストマーの商品名を示す。表１（以降の表でも同様）において、ＳＩＳは、 スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体を指しており、ＳＢＳはスチ レン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体を、ＳＢはスチレン−ブタジエン ブロック共重合体を、ＳＥＢＳはスチレン−エチレン／ブチレン−スチレンブロ ック共重合体を、ＳＥＰＳはスチレン−エチレン／プロピレン−スチレンブロッ ク共重合体を、更にＳＥＰＳＥＰはスチレン−エチレン／プロピレン−スチレン −エチレン／プロピレンブロック共重合体を指す。なおKRATONは、シェル・ケミ カル社から市販されているものである。 また、表１には、剥離接着強さ試験（方法Ａ）の結果も示してあり、この場合 、基材は平滑なポリイミドで、ドエル時間（dwell time）は１日であって、更に ウェーハ処理テープの可剥性についての所見も記載してある。 ^*：剥離接着力が強すぎてテープを除去できなかった。 表１は、不飽和物質の方が接着力が高いため、本発明で使用するには飽和熱可 塑性エラストマーが一般に好適であることを示す(ただし、実施例６は接触時間 にわたる接着力ビルドを示しており、実施例８は乾燥時に平滑な表面を生成しな かった)。しかし、不飽和物質の接着力レベルは、前述したとおりであり、且つ 他の実施例において以下で示すように、光架橋剤を組み込むことで実用的な所ま で下げることができる。表１で特に示さなかったが、各実施例は、Dahlquist判 定基準線以上の貯蔵弾性率を有していた。 実施例１２乃至１９ 本発明によるウェーハ処理テープのシリーズは、以下の表２で示す熱可塑性エ ラストマーを使用した他は、実施例１乃至１１で説明した手順に従って製作され た。ＳＥＢ（Ｉ）Ｓは、イソプレンアームを有するＳＥＢＳブロック共重合体を 指す。なお、SEPTONは、クラレ社から市販されている。複数基材で、テープの可 剥性に関する所見と共に表２に明記したドエル時間を用いて、剥離接着強さに関 してウェーハ処理テープを評価した（試験方法Ａを使用）。これらの実施例では 、ポリイミド基材を、前述のとおりＩＣポリイミドパッシベーション層とした。 なお、実施例５、６、７、１０、および１１を、表２中で再び繰り返している。 表２は、表１で平滑なポリイミドに対して比較的高い接着力を有していた物質 が、表２の基材に対しても比較的高い接着力を有することを示すが、ホトレジス ト層に対する接着力は大抵、ＩＣポリイミドパッシベーション層に対する接着力 を下廻るものであった。種類としては、ＳＥＰＳブロック共重合体が、一般に最 も所望される。表２で特に示さなかったが、各実施例は、Dahlquist判定基準線 以上の貯蔵弾性率を有していた。 実施例２０乃至２５ 本発明によるウェーハ処理テープのシリーズは、以下の表３で示す２種類の別 々の熱可塑性エラストマーの配合物を使用した他は、実施例１乃至１１で説明し た手順に従って製作されており、表３には、熱可塑性エラストマーの相対的割合 を重量％で掲載してある。また、表３には、方法Ａの剥離接着強さ試験の結果も 、 当該テープの可剥性についての所見と共に示してあり、この試験の際、基材は、 ＩＣポリイミドパッシベーション層であった。 表３は、剥離接着強さを、配合物で使用されるブロック共重合体の種類と、当 該配合物で使用されるブロック共重合体の相対量と、を変更することによって実 用的に調節できることを示す。特に、別々のＳＥＰＳブロック共重合体の配合物 、またはこれらと、変性ＳＥＢＳブロック共重合体（例えば、ＳＥＢ（Ｉ）Ｓブ ロック共重合体）との配合物が好適である。表３で特に示さなかったが、各実施 例は、Dahlquist判定基準線以上の貯蔵弾性率を有していた。 実施例２６乃至３０ 本発明によるウェーハ処理テープのシリーズは、Kraton G-1650熱可塑性エラ ストマーおよびRegalrez 1094粘着付与樹脂（ヘラクレス社製炭化水素樹脂）の 量を変更して、トルエン１１５ｇと一緒にすることによって接着剤成分を調製し た 他は、実施例１乃至１１で説明したように製作した。実施例２６乃至３０で用い る接着剤の配合に関する更に明確な情報は、以下の表４に記載してある。また、 表４には、テープの可剥性に関する所見と共に剥離接着強さ試験（方法Ａ）の結 果も記載されており、試験の際、基材はＩＣポリイミドパッシベーション層であ った。 表４は、粘着付与樹脂が、接着剤成分の剥離接着強さを増大するのに有用であ ることを示す。通常、その量は、（熱可塑性エラストマーと粘着付与樹脂との総 合重量を基準にして）１０重量％未満であり、より好適には、約３〜８重量％で ある。表４で特に示さなかったが、各実施例は、Dahlquist判定基準線以上の貯 蔵弾性率を有していた。 実施例３１および３２ 本発明による一対のウェーハ処理テープは、接着剤成分が量を変更したKraton RP-6906熱可塑性エラストマーと、液状ゴム成分として分子量約２５，０００を 有するKuraray LIR-290液状水素化イソプレン重合体と、を含んで成るものであ る他は、実施例１乃至１１で説明したように製作した。更に、実施例３１および ３２の接着剤成分を、ワンピントガラスジャーの中で調製した。また、実施例３ ２のウェーハ処理テープは、プライマー層も含んでおり、その成分は、実施例３ ７ に関して以下で説明する。これらの実施例の接着剤成分の新たな情報については 、以下の表５に記載してある。なお、実施例１０を表５に再記載してある。また 、表５には、当該テープの可剥性に関する所見と共に、剥離接着強さ試験（方法 Ａ）の結果も、記載されており、試験の際、基材はポリイミドパッシベーション 層およびエポキシ系ホトレジスト層であった。 表５は、接着剤成分の剥離接着強さを変えるには、少量の液状ゴムで役立つこ とを示す。使用する液状ゴムの量は、通常、（熱可塑性エラストマーと液状ゴム との総合重量を基準にして）２０重量％未満であり、より好適には、約５重量％ 以上２０重量％未満である。表５で特に示さなかったが、各実施例は、Dahlquis t判定基準線以上の貯蔵弾性率を有していた。 実施例６、１０、１１、３０、および３２のウェーハ処理テープに前述の半導 体ウェーハ研削試験を行っており、（半導体ウェーハ研削試験に関して説明した 手順を用いて）測定したその剥離接着強さと結果を以下の表６に記載した。一回 ウェーハ処理テープを除去して、半導体ウェーハの表面を前に説明した半導体ウ ェーハ汚損試験に従って検査しており、この結果も、当該テープの可剥性に関す る 所見と共に表６に示してある。 実施例３３乃至３６ 本発明によるウェーハ処理テープのシリーズを製作した。各実施例のウェーハ 処理テープで用いられる接着剤成分は、ワンポイントガラスジャーの中で熱可塑 性エラストマー２０ｇをトルエン４６ｇと一緒にして、次にこのガラスジャーを 閉鎖してローラーミルに設置して、非溶存熱可塑性エラストマーが見えなくなる まで混合することで得た。この時、ベンゾフェノン光架橋剤を添加して、ローラ ーミルで配合物を更に１時間混合して、ベンゾフェノンを確実に溶解した。次に 接着剤成分を５０μｍ厚ポリエチレンテレフタレートフィルムに塗布して、実施 例１乃至１１で説明した手順を用いて乾燥した。乾燥後、接着剤塗布シートに対 する合計線量が６００ｍＪ／ｃｍ²になるよう、接着剤塗布フィルムを２００ワ ット／インチの中間圧水銀ランプ４つの下を２．９ｍ／分で通過させた。（光の 出力は、バージニア州スターリングのエレクトロニック・インスツルメンテーシ ョン・ テクノロジーズ社(Electronic Instrumentation Technologies,Inc.)製のUH365H -S型ライトメータで測定した。）これらの実施例で使用する接着剤成分に関する さらに多くの情報を以下の表７に記載してあり、この表の中で、光架橋剤の割合 は、熱可塑性エラストマーの重量を基準にしたものである。実施例５および１２ で説明した接着剤を再度作製して表７について再びテストした。また表７には、 テープの可剥性に関する所見と共に、種々の基材（ＩＣポリイミドパッシベーシ ョン層およびエポキシ系ホトレジスト層）に関する剥離接着強さ試験（方法Ａ） の結果も記載してある。 ^* 「min.」は、分を意味する。 表７は、未水素化熱可塑性エラストマー、特にＳＩＳおよびＳＢＳ熱可塑性エ ラストマーの剥離接着強さを低減するために、光架橋剤を使用できることを示す 。しかし、光架橋剤の量が増大すると、ウェーハ処理テープ除去後、合着面に接 着剤残留物を生じることがある。光架橋剤の量は、通常、熱可塑性エラストマー の 約０．０５〜２重量％であり、より好適には、約０．２〜１重量％、最も好適に は、約０．３〜０．５重量％である。表７で特に示さなかったが、実施例の各熱 可塑性エラストマーは、Dahlquist判定基準線以上の貯蔵弾性率を有していた。 本発明による３種類のウェーハ処理テープの新たなシリーズを製作した。これ らのテープでは、実施例１８の接着剤成分（ＳＥＰＳ熱可塑性エラストマー）を 使用しており、この成分に対して（熱可塑性エラストマーの重量を基準にして） ０％、０．５％、および１．０％ベンゾフェノン光架橋剤を添加した。次に、光 架橋剤を有する接着剤成分を、５０μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィル ムに乾燥時の厚さが約８５μｍになるまで塗布した後、実施例１乃至１１で説明 した手順に従って乾燥する。乾燥後、接着剤塗布フィルムを、接着剤塗布シート への合計線量が６００ｍＪ／ｃｍ2になるように、単一の２００ワット／インチ の中間圧水銀ランプの下を、２４ｍ／分の速度で通過させる。（光の出力は、上 記のようにUM365H-S型ライトメータで測定した。） 次に、ウェーハ処理テープの第２シリーズを、ＩＣポリイミド基材上で、剥離 接着強さ（試験方法Ａを使用）および１６時間ドエル時間について評価した。（ ＩＣポリイミド基材は、半導体ウェーハ製造業界で用いられている基材の代表的 なものであるが、他の実施例で用いられているものとはポリイミドおよび電子回 路パターンが異なる。）ベンゾフェノンを含有しない試料の剥離接着強さは、１ ７０ｇｌｉｗであり、０．５％ベンゾフェノンを含有する試料の剥離接着強さは 、１１８ｇｌｉｗ、１．０％ベンゾフェノンを含有する試料の剥離接着強さは、 ３７ｇｌｉｗであった。これら３種類の試料全ては、可剥性であった。これらの 実施例で使用される熱可塑性エラストマーの貯蔵弾性率は、Dahlquist判定基準 線以上であった。 第２シリーズの実施例は、光架橋剤が、水素化した熱可塑性エラストマー、特 にスチレン−エチレン／プロピレン−スチレンを基材とする熱可塑性エラストマ ーを含んで成る接着剤成分の剥離接着強さを低減するために有用に使用できるこ とを示す。 実施例３７ 上部密閉式５ガロンバケットの中に、Kraton RP-6906熱可塑性エラストマー３ ．８５ｋｇとトルエン７．１５ｋｇを加えた。次に、密閉式バケットを大型２ロ ーラーミルに設置して、非溶存熱可塑性エラストマーが見えなくなるまで（約１ ６時間）混合物を混合できるようにした。次に、この熱可塑性エラストマー溶液 を、５０／２５／２５重量％比のトルエン／メチルエチルケトン／イソプロパノ ールを含んで成る希釈溶液を用いて、固形分濃度２５％まで希釈した。容量型ポ ンプを用いて、熱可塑性エラストマー溶液を、８４μｍ乾燥時厚さになるまで、 ５０μｍ厚のポリエチレンテレフタレート支持体にスロットダイコーティングし た。支持体には予め５μｍ厚（乾燥時の厚さ）のプライマー層を塗布してあり、 このプライマー層は、１０％固体重合体／溶剤溶液を含むものであり、この中で 溶剤は、６５／３５重量％比のトルエン／メチルエチルケトン配合物から成り、 重合体は、等量比のポリクロロプレンゴム、カルシウム亜鉛レゾネート、テルペ ン樹脂と、等量比のアクリロニトリル−ブタジエンゴム共重合体およびフェノー ル樹脂と、の配合物から成るものであって、後述の２種類の物質の複合割合は、 重合体の合計重量の約６０％に等しい。 ウェットコートしたフィルムを約６５°Ｃに設定したゾーン１および２と、約 ８０°Ｃに設定したゾーン３と、約９３°Ｃに設定したゾーン４と、を備えた４ ゾーンインピンジドエアドライングオーブンをそれぞれ約７．６および３ｍ／分 のライン速度で通過させることによって、プライマー溶液と熱可塑性エラストマ ー溶液とを別々に乾燥した。オーブンを出る時、シリコーン塗布したポリエチレ ンテレフタレート剥離ライナーを乾燥した接着剤層に積層して、次に、その構造 体を巻く。巻いた製品を、クラス１０００のクリーンルーム内で、デューゼンベ リシェアスリッター(Dusenberry shear slitter)を用いて、個々のロールに加工 した。 次に、実施例３７を、基材としてＩＣポリイミドパッシベーション層およびエ ポキシ系ホトレジスト層を用いる半導体ウェーハ研削試験を使用して評価した。 剥離接着強さは、半導体研削試験において説明したように測定した。結果は、ウ ェーハ処理テープ除去後の基材表面の状態に関する所見と共に以下で表８に示し てある。また、表８では、３種類の市販のウェーハ処理テープも示してあり、こ れらの市販テープは、半導体ウェーハ製造において汎用されているものである。 一般に、市販のテープは、支持体に載置するアクリル接着剤層（厚さ２５μｍ未 満）を有する、エチレン／酢酸ビニル共重合体の支持体（約１２５〜１５０μｍ 厚）を含む。 表８では、本発明のウェーハ処理テープの優れた性能を、３種類の市販の汎用 されているテープと比較して示している。本発明のウェーハ処理テープは、ＩＣ ポリイミド上に副次的な極微量の汚損しか示さなかったが、一方市販テープは、 高レベルの汚損を示した。ホトレジスト層上では、実施例３７のウェーハ処理テ ープは、いかなる汚損または損傷も示さなかったが、市販のテープは、毀損およ び汚損の両方を示した。表８で特に示さなかったが、実施例３７は、Dahlquist 判定基準線以上の貯蔵弾性率を有していた。 実施例３８乃至４３ 本発明によるウェーハ処理テープのシリーズを製作した。各実施例では、接着 剤成分は、２４重量％の熱可塑性エラストマーと、６９重量％のトルエンと、７ 重量％のイソプロパノールと、を含んで成る熱可塑性エラストマーの溶剤溶液を 調製することによって得た。１ガロン金属缶の中に配合剤を入れた後、非溶存熱 可塑性エラストマーの形跡が見えなくなるまで、ローラーミル上で２４時間混合 した。次に、接着剤成分を、実施例３７に関連して説明したように用意したポリ エチレンテレフタレート支持体に塗布した。接着剤塗布は、５フィート毎分の速 度で、約５０μｍの乾燥接着剤厚を提供するように設定されたブルノーズナイフ を具備する９インチ幅ナイフボックスを利用して、実行する。次に、接着剤塗布 フィルムを乾燥した。熱可塑性エラストマーおよび支持体の厚さは、以下表９に 示すように変更した。 次に、幾つかの実施例の引張強さおよび伸び特性を前述のようにテストしてお り、その結果を以下の表１０に記載した。また、表１０で以下に示したのは、日 東電IV-12-Sであり、これは、市販の広く使用されているウェーハダイシングテ ープであり、約１１０μｍ厚のビニル支持体と、約１０μｍ厚のアクリル系感圧 接着剤と、を含む。 表１０は、本発明のウェーハ処理テープの方が、市販テープよりも横方向の引 張強さが大きく、（両方向の）伸びが小さいことを示す。引張強さが小さく、或 は伸びが大きい不変支持体は、引張強さが大きく、或は伸びが小さい不変支持体 よりも、半導体ＩＣチップ除去用ブローブが接触した時によく伸びる。支持体が よく伸びると、プローブの移動距離が増大するので、製造速度は更に遅くなる。 更に、不変支持体の剛性が増大するにつれて(例えば、引張強さが大きく、伸び が小さい)、さらに普及しつつある大口径半導体ウェーハの取り扱いがいっそう 容易になる。 また、実施例は、種々の基材およびドエル時間を用いて、試験方法Ｂでも剥離 接着強さについてテストしており、その結果は、以下に表１２で示した。 実施例４４乃至４９ 接着剤塗布テープのシリーズを製作した。各実施例において、接着剤成分は、 熱可塑性エラストマー２８重量％と、トルエン６４重量％と、イソプロパノール ８重量％と、をワンクォートガラスジャーの中で一緒にして、ジャーを密閉した 後、配合物をローラーテーブル上で、非溶存熱可塑性エラストマーの形跡が見え なくなるまで、２４時間混合して得た熱可塑性エラストマーの固溶体２８重量％ を含んで成るものであった。次に接着剤成分を、約１０μｍの塗膜厚さ用ギャッ プを有するブルノーズドローバー(bullnose draw bar)を具備したドローナイフ を使用して、５０μｍ厚のポリエチレンテレフタレート支持体に塗布した。次に 、接着剤塗布フィルムを、乾燥時の接着剤厚さが約２０〜３０μｍになるまで、 ３０分、７０°Ｃで乾燥した。熱可塑性エラストマーは、以下の表１１で示すよ うに変更した。 試験結果と共に、以下表１２に示すような種々の基材およびドエル時間で試験 方法Ｂを使用して、剥離接着強さについて実施例をテストした。 前記データは、本発明のウェーハ処理テープに、比較的薄い不変支持体を取り 入れることが可能であるということを示している。この事実は比較的厚い接着剤 層の使用を可能にするという点で都合のよいものであり、これによって、支持体 に切り込みを入れずに半導体ウェーハを容易にダイシングできる。また、更に薄 い支持体を用いれば、巻芯のまわりに巻いてロール形態にできるテープの量を増 やすことができるため、テープロールの交換回数を減らして製造効率を上げるこ とが可能である。 前に検討したように接着力改質剤を使用することによって、これら実施例の接 着力を選択的に増減することが可能である。好適には、ウェーハ処理テープは、 ２週間、より好適には約一カ月にわたって最小の接着力ビルドを示し、長い貯蔵 寿命を提供して、ダイシング後直ちに半導体ＩＣチップを除去してこれらを実際 に必要になるまで保存する必要をなくす。表１２で特に示さなかったが、本発明 の各実施例は、Dahlquist判定基準線以上の貯蔵弾性率を有していた。 幾つかの実施例を、前に説明した半導体ウェーハダイシング試験を用いて評価 した。以下で表１３に記載した結果は、ウェーハダイシング工程中、テープを洗 浄したダイの数を表す。 表１３は、本発明の好適な実施例（実施例３８および４１）が、広く使用され ている市販テープで得られた結果よりも良好な結果を与えることを示している。 また一方、本発明のウェーハ処理テープは、市販のテープよりも厚い接着剤層を 有するものであったため、市販のテープよりも取り扱い易いものであった。この ため、本発明のテープで使用される支持体に切り込みを入れずに、半導体ウェー ハをダイシングすることができた。もしウェーハダイシング中、テープ支持体を 切断すると、早急に役に立たなくなる。更に、厚い接着剤層を用いているにもか かわらず、本発明のウェーハ処理テープは、ダイシングソーブレードに接着剤残 留物を残さなかった。 本発明の種々の変形および修正が本発明の範囲および精神から逸脱することの ないものであることは、当業者にとって明らかであろう。本発明が、本明細書中 前に記した説明便宜上の実施態様に限定されるものではないということが、理解 されるはずである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ， ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，Ｓ Ｚ，ＵＧ)，ＵＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＺ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＨＵ，Ｉ Ｌ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＫ ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ， ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，Ｒ Ｕ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ (72)発明者 ネステガード，マーク・ケイ アメリカ合衆国55133−3427ミネソタ州セ ント・ポール、ポスト・オフィス・ボック ス33427 (72)発明者 ルディン，エリナー アメリカ合衆国55133−3427ミネソタ州セ ント・ポール、ポスト・オフィス・ボック ス33427

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．不変支持体と、前記不変支持体に載置する熱可塑性エラストマーブロック共 重合体を含んで成る非感圧接着剤層とを含んで成る半導体ウェーハ処理テープ。 ２．室温における前記接着剤の成分の貯蔵弾性率が、１×１０⁶パスカル以上で ある請求項１に記載の半導体ウェーハ処理テープ。 ３．前記熱可塑性エラストマーブロック共重合体が、１５〜２５重量％のスチレ ンを含んで成る、請求項１に記載の半導体ウェーハ処理テープ。 ４．前記熱可塑性エラストマーブロック共重合体が、スチレン−エチレン／プロ ピレン−スチレンブロック共重合体である、請求項１に記載の半導体ウェーハ処 理テープ。 ５．前記熱可塑性エラストマーブロック共重合体が、スチレン−エチレン／プロ ピレン−スチレン−エチレン／プロピレンブロック共重合体である、請求項１に 記載の半導体ウェーハ処理テープ。 ６．更に、前記接着剤が、粘着付与樹脂を含んで成る、請求項１に記載の半導体 ウェーハ処理テープ。 ７．前記粘着付与樹脂が、前記熱可塑性エラストマーブロック共重合体および粘 着付与樹脂の総合重量を基準にして、１０重量％未満の量で存在する、請求項６ に記載の半導体ウェーハ処理テープ。 ８．前記粘着付与樹脂が、前記熱可塑性エラストマーブロック共重合体および粘 着付与樹脂の総合重量を基準にして、約３〜８重量％の量で存在する、請求項７ に記載の半導体ウェーハ処理テープ。 ９．前記接着剤が更に液状ゴムを含んで成る、請求項１に記載の半導体ウェーハ 処理テープ。 １０．前記液状ゴムが、前記熱可塑性エラストマーブロック共重合体および前記 液状ゴムの総合重量を基準にして、２０重量％未満の量で存在する、請求項９に 記載の半導体ウェーハ処理テープ。 １１．前記液状ゴムが、前記熱可塑性エラストマーブロック共重合体および前記 液状ゴムの総合重量を基準にして、約５重量％以上２０重量％未満の量で存在す る、請求項１０に記載の半導体ウェーハ処理テープ。 １２．更に、前記接着剤を前記不変支持体に合着するプライマーを含んで成る、 請求項１に記載の半導体ウェーハ処理テープ。 １３．更に、露出した接着剤層に載置する暫定かつ除去可能保護ライナーを含ん で成る請求項１に記載の半導体ウェーハ処理テープ。 １４．前記暫定かつ除去可能保護ライナーが、剥離剤を含まないポリエステルフ ィルムである、請求項１３に記載の半導体ウェーハ処理テープ。 １５．露出した接着剤層に載置する半導体ウェーハを含んで成る、請求項１に記 載の半導体ウェーハ処理テープ。 １６．前記テープが、シリコン、ポリイミド、シリコンオキシナイトライドパッ シベーション層、およびホトレジスト塗膜より成る部類から選択される基材に対 して、約２０〜５００グラム／インチ幅の剥離接着強さを発現する、請求項１に 記載の半導体ウェーハ処理テープ。 １７．前記テープが、シリコン、集積回路ポリイミドパッシベーション層、シリ コンオキシナイトライドパッシベーション層、およびホトレジスト塗膜より成る 部類から選択される基材に対して、約２０〜２００グラム／インチ幅の剥離接着 強さを発現する、請求項１６に記載の半導体ウェーハ処理テープ。 １８．前記テープが、周囲条件の下で少なくとも７日間、前記基材と接触して放 置した後、約２０〜５００グラム／インチ幅の剥離接着強さを発現する、請求項 １６に記載の半導体ウェーハ処理テープ。 １９．前記テープが、周囲条件の下で少なくとも７日間、前記基材と接触して放 置した後、約２０〜２００グラム／インチ幅の剥離接着強さを発現する、請求項 １７に記載の半導体ウェーハ処理テープ。 ２０．不変支持体と、前記不変支持体に載置する非感圧接着剤層とを含んで成る 半導体ウェーハ処理テープであって、前記接着剤が、水素化熱可塑性エラストマ ーブロック共重合体と、粘着付与樹脂、液状ゴム、および光架橋剤より成る部類 から選択される接着力改質剤とを含んで成る半導体ウェーハ処理テープ。 ２１．前記接着力改質剤が、前記水素化熱可塑性エラストマーブロック共重合体 および粘着付与樹脂の総合重量を基準にして、約３〜８重量％の量で存在する前 記粘着付与樹脂である、請求項２０に記載の半導体ウェーハ処理テープ。 ２２．前記接着力改質剤が、前記水素化熱可塑性エラストマーブロック共重合体 および液状ゴムの総合重量を基準にして、約５重量％以上２０重量％未満の量で 存在する前記液状ゴムである、請求項２０に記載の半導体ウェーハ処理テープ。 ２３．前記テープが、シリコン、集積回路ポリイミドパッシベーション層、シリ コンオキシナイトライドパッシベーション層、およびホトレジスト塗膜より成る 部類から選択される基材に対して、約２０〜２００グラム／インチ幅の剥離接着 強さを発現する、請求項２０に記載の半導体ウェーハ処理テープ。 ２４．前記テープが、周囲条件の下で少なくとも７日間、前記基材と接触して放 置した後、約２０〜２００グラム／インチ幅の剥離接着強さを発現する、請求項 ２３に記載の半導体ウェーハ処理テープ。 ２５．不変支持体と、前記不変支持体に載置する非感圧接着剤層とを含んで成る 半導体ウェーハ処理テープであって、前記接着剤が熱可塑性エラストマーブロッ ク共重合体と、光架橋剤とを含んで成る半導体ウェーハ処理テープ。 ２６．前記テープが、シリコン、集積回路ポリイミドパッシベーション層、シリ コンオキシナイトライドパッシベーション層、およびホトレジスト塗膜より成る 部類から選択される基材に対して、約２０〜２００グラム／インチ幅の剥離接着 強さを発現する、請求項２５に記載の半導体ウェーハ処理テープ。 ２７．前記テープが、周囲条件の下で少なくとも７日間、前記基材と接触して放 置した後、約２０〜２００グラム／インチ幅の剥離接着強さを発現する、請求項 ２６に記載の半導体ウェーハ処理テープ。 ２８．不変支持体と、前記不変支持体に載置する非感圧接着剤層とを含んで成る 半導体ウェーハ処理テープであって、前記接着剤が、２０°Ｃで、２．７×１０⁶ 〜４．０×１０⁶パスカルの貯蔵弾性率を示す水素化熱可塑性エラストマーブロ ック共重合体を含んで成る半導体ウェーハ処理テープ。 ２９．前記水素化熱可塑性エラストマーブロック共重合体が、スチレン−エチレ ン／プロピレン−スチレンブロック共重合体である請求項２８に記載の半導体ウ ェーハ処理テープ。 ３０．前記水素化熱可塑性エラストマーブロック共重合体が、スチレン−エチレ ン／プロピレン−スチレン−エチレン／プロピレンブロック共重合体である請求 項２８に記載の半導体ウェーハ処理テープ。 ３１．不変支持体と、前記不変支持体に載置する非感圧接着剤層とを含んで成る 半導体ウェーハ処理テープであって、前記接着剤が、室温で、１×１０⁶パスカ ル以上の貯蔵弾性率を有しており、熱可塑性エラストマーブロック共重合体を含 んで成るものであって、 前記テープが、基材に貼着した時、および周囲条件の下で少なくとも７日間、前 記基材と接触して放置した後の両者において、シリコン、ポリイミド、シリコン オキシナイトライドパッシベーション層、およびホトレジスト塗膜より成る部類 から選択される前記基材に対して、約２０〜５００グラム／インチ幅の剥離接着 強さを発現する半導体ウェーハ処理テープ。 ３２．更に、粘着付与樹脂、液状ゴム、および光架橋剤より成る部類から選択さ れる接着力改質剤を含んで成る、請求項３１に記載の半導体ウェーハ処理テープ 。 ３３．前記熱可塑性エラストマーブロック共重合体が、スチレンおよびエチレン ／プロピレンのブロックを含んで成る、請求項３１に記載の半導体ウェーハ処理 テープ。 ３４．不変支持体と、前記不変支持体に載置する非感圧接着剤層と、を含んで成 る半導体ウェーハダイシングテープであって、前記接着剤が、室温で、１×１０⁶ パスカル以上の貯蔵弾性率を有しており、熱可塑性エラストマーブロック共重 合体を含んで成るものであって、 前記テープが、貼着した時、および周囲条件の下で少なくとも７日間、基材と接 触して放置した後の両者において、半導体ウェーハのシリコン表面に対して、約 ２０〜２００グラム／インチ幅の剥離接着強さを発現する半導体ウェーハダイシ ングテープ。 ３５．前記テープを前記基材に貼着した時、および周囲条件の下で少なくとも１ ５日間、前記基材と接触して放置した後の剥離接着強さが、約２０〜２００グラ ム／インチ幅である、請求項３４に記載の半導体ウェーハダイシングテープ。 ３６．前記不変支持体が厚さ約１２〜２５μｍを有する、請求項２６に記載の半 導体ウェーハダイシングテープ。 ３７．前記不変支持体が、縦方向に約１２０〜１６５％の破断点伸びを有する、 請求項２６に記載の半導体ウェーハダイシングテープ。 ３８．半導体ウェーハの処理方法であって、前記方法が、 （ａ）半導体ウェーハを提供する工程と、 （ｂ）不変支持体と、前記不変支持体に載置する非感圧接着剤層と、を含んで成 る半導体ウェーハ処理テープの接着面に対して前記半導体ウェーハを接着させる 工程であって、前記接着剤が熱可塑性エラストマーブロック共重合体を含んで成 る工程と、 （ｃ）前記ウェーハの背面を研削するか、または前記ウェーハをダイシングして 集積回路半導体チップにすることによって、前記半導体ウェーハを処理する工程 を含んで成る、半導体ウェーハの処理方法。