JPH1145956A - パッケージされた集積回路素子及びその製造方法 - Google Patents

パッケージされた集積回路素子及びその製造方法

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JPH1145956A
JPH1145956A JP10100428A JP10042898A JPH1145956A JP H1145956 A JPH1145956 A JP H1145956A JP 10100428 A JP10100428 A JP 10100428A JP 10042898 A JP10042898 A JP 10042898A JP H1145956 A JPH1145956 A JP H1145956A
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泰 成 鄭
Ki Tae Ryu
奇 兌 柳
Tae Keun Lee
泰 根 李
Keun Hyoung Choi
根 亨 崔
Han Shin Youn
漢 信 尹
Jum Sook Park
点 淑 朴
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱放出能力が優れるし、重さが軽く、厚さが
薄く、製造コストが低いパッケージされた集積回路素子
及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明のパッケージされた集積回路素子
は、一つ以上の伝導性トレース層と一つ以上の絶縁層を
有し、第１表面と前記第１表面に対向し多数の電気的接
点らの形成されている第２表面とを有する配線基板と、
前記配線基板の第１表面に付着される第１表面と外部に
露出される第２表面とを有する一つ以上の金属熱伝導体
層と、前記配線基板と金属熱伝導体層に形成された貫通
ホール領域と、前記外部に露出される第１表面と前記第
１表面に対向しボンディングパッドの形成された第２表
面とを有し、前記ホール領域内に位置する集積回路チッ
プと、前記ボンディングパッドと前記伝導性トレース層
とを電気的に連結する多数のボンディングワイヤーと、
前記多数のボンディングワイヤー及び前記集積回路チッ
プを封止するとともに前記ホール領域を埋め込んでいる
封止剤(encapsulation) とを備えてなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は集積回路チップのような
電子機器を装着したパッケージに係わり、より詳しくは
減少した重さ及び製造コストを有するボール・グリッド
・アレイパッケージ(ball grid array package) 及びこ
れの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路チップは初期は金属とかセラミ
ックでパッケージングされた。金属またはセラミックに
よるパッケージング方法は優れた熱的特性を提供するに
反し、製造費用がたくさんかかり時間消耗的だという短
所があった。このような短所を克服するための数多いパ
ッケージらが開発されたが、そのうち代表的なものがプ
ラスチックモールドパッケージ(plastic molded packag
e)である。特に、プラスチックモールドＢＧＡパッケー
ジは従来の微細ピッチプラスチックパッケージを表面装
着するのにおける難しさを除去するだけでなく、パッケ
ージリ―ドを集積回路パッケージの外側のきわまで延び
る必要がない。また、プラスチックモールドＢＧＡパッ
ケージはいっそう小型化することが可能なだけでなく、
同一の印刷回路基板に装着されたパッケージらが非常に
密接な間隔を有するようにすることができる。その他
に、ＢＧＡパッケージは配線の長さがより短くなること
により電気的特性が改善される。低コストと共に前記の
長所らはＢＧＡパッケージを多くの集積回路用に理想的
にする。
【０００３】図１は従来の技術によるＢＧＡパッケージ
を示す断面図である。図１に示されたＢＧＡパッケージ
は、回路パターンの形成された基板１と、接着剤３によ
り前記基板１に付着されており、上部表面上に多数のボ
ンディングパッド２ａらの形成された集積回路チップ２
とを備える。そして、基板１の回路パターンと集積回路
チップ２上のボンディングパッド２ａとは金属ワイヤー
４により電気的に連結されている。また、集積回路チッ
プ２の表面を外部から保護するため、基板１のワイヤー
ボンディング部分及び集積回路チップ２はエポキシ樹脂
５により封止される。基板１の下部面にはマザーボード
（図示せず）上に形成された電源供給端子との電気的接
続のための多数の半田ボール(solder ball) ６が付着さ
れている。
【０００４】図１に示されたＢＧＡパッケージは集積回
路チップの信頼性を低下させ、ひいては集積回路チップ
の破損を招くことのできる非常に劣る熱分散特性を有す
る。このようなパッケージの集積回路チップから発生し
た熱を外部へ充分に放出させるため、より多くの電力が
消耗される問題点がある。また、このようなパッケージ
は全体的な厚さがかなり厚い。最近にはＢＧＡパッケー
ジの熱分散特性を改善するため、集積回路チップから発
生した熱を放出させるためのヒットシンク(heat sink)
の付着されたスーパＢＧＡパッケージが開発された。
【０００５】図２はヒットシンクの付着されたスーパＢ
ＧＡパッケージを示す断面図である。図２を参照すれ
ば、スーパＢＧＡパッケージは、伝導性トレース層２２
及び絶縁層２３からなる配線基板１１と、配線基板１１
の絶縁層２３に接着剤層１８により一表面の付着された
銅層１９とを備える。配線基板１１及び銅層１９の各々
の中心部には、これらを垂直に貫通しウェル(well)領域
１４を形成するようになるオープニングが形成されてい
る。そして、銅層１９の表面にはパッケージの熱分散能
力を向上させるためのヒットシンク２０が接着剤層１８
ａにより付着されている。ここで、ヒットシンク２０
は、これが銅層１９に付着された状態でのヒットシンク
２０に対する集積回路チップの付着、ワイヤーのボンデ
ィング及び、封止工程の間に発生する応力が耐えられる
程の厚い厚さを有する。ウェル領域１４には、表面上に
多数のボンディングパッド１２ａを有する集積回路チッ
プ１２が位置し接着剤層１８ｂによりヒットシンク２０
に付着されており、ボンディングパッド１２ａがボンデ
ィングワイヤー１５により配線基板１１の伝導性トレー
ス層２３に電気的に連結されている。その他に、基板１
１のワイヤーのボンディングされた部分及び集積回路チ
ップ１２は絶縁封止制(insulating encapsulantmateria
l) により封止されており、基板１１の表面上にはパッ
ケージをマザーボード（図示せず）と電気的に接続させ
るための多数の半田ボール１７が付着されている。
【０００６】図２に示されたスーパＢＧＡパッケージ
は、図１に示されたパッケージに比べ熱放出特性が優れ
るに反して重さが重いので、軽量を要求するノート・ブ
ック、ポケット・コンピューター、セルラー・ホン(cel
lular phone)などに適用することが難しいという短所が
ある。また、値段が高い銅を２層以上に積層させるの
で、製造コストが高く、厚さが相変らず比較的厚いとい
う短所がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、熱放
出能力が優れ、重さが軽く、厚さが薄く、製造コストが
低いパッケージされた集積回路素子を提供することにあ
る。また、本発明の他の目的は、製造時間を短縮させ、
装備の投資コストを減少させ、製造コストを減少させる
パッケージされた集積回路素子の製造方法を提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述した本発明の課題を
解決するため、本発明のパッケージされた集積回路素子
は、第１実施例として、一つ以上の伝導性トレース層と
一つ以上の絶縁層を有し、第１表面と前記第１表面に対
向し多数の電気的接点らの形成されている第２表面とを
有する配線基板と、前記配線基板の第１表面に付着され
る第１表面と外部に露出される第２表面とを有する一つ
以上の金属熱伝導体層と、前記配線基板と金属熱伝導体
層に形成された貫通ホール領域と、前記外部に露出され
る第１表面と前記第１表面に対向しボンディングパッド
の形成された第２表面とを有し、前記ホール領域内に位
置する集積回路チップと、前記ボンディングパッドと前
記伝導性トレース層とを電気的に連結する多数のボンデ
ィングワイヤーと、前記多数のボンディングワイヤー及
び前記集積回路チップを封止するとともに前記ホール領
域を埋め込んでいる封止剤(encapsulation) とを備えて
なることを特徴とする。
【０００９】また、本発明のパッケージされた集積回路
素子は、第２実施例として、一つ以上の伝導性トレース
層と一つ以上の絶縁層を有し、第１表面と前記第１表面
に対向し多数の電気的接点らの形成されている第２表面
とを有する配線基板と、前記配線基板の第１表面に付着
される第１表面と前記第１表面に対向した第２表面とを
有する一つ以上の第１金属熱伝導体層と、前記第１金属
熱伝導体層の第２表面に付着される第１表面と前記第１
表面に対向し外部に露出される第２表面とを有する第２
金属熱伝導体層と、前記配線基板と第１金属熱伝導体層
に前記第１金属熱伝導体層の第１表面が露出されるよう
に形成されたホール領域と、前記ホール領域内に位置
し、前記第２金属熱伝導体層の第１表面に付着された第
１表面と前記第１表面に対向しボンディングパッドの形
成された第２表面とを有する集積回路チップと、前記ボ
ンディングパッドと前記伝導性トレース層とを電気的に
連結する多数のボンディングワイヤーと、前記多数のボ
ンディングワイヤー及び前記集積回路チップを封止する
とともに前記ホール領域を埋め込んでいる封止剤とを備
えてなることを特徴とする。
【００１０】また、本発明のパッケージされた集積回路
素子は、第３実施例として、一つ以上の伝導性トレース
層と一つ以上の絶縁層を有し、第１表面と前記第１表面
に対向し多数の電気的接点らの形成されている第２表面
とを有する配線基板と、前記配線基板の第１表面に付着
される第１表面と前記第１表面に対向した第２表面とを
有する一つ以上の第１金属熱伝導体層と、前記第１金属
熱伝導体層の第２表面に付着される第１表面と前記第１
表面に対向し外部に露出される第２表面とを有し、中心
部にオープニングの形成されている第２金属熱伝導体層
と、前記第２金属熱伝導体層の第１表面が露出されるよ
うに前記配線基板と第１金属熱伝導体層に形成されたホ
ール領域と、前記ホール領域内の中心部に位置し、前記
第２金属熱伝導体層のホールより大きい幅を有し前記第
２金属熱伝導体層の第１表面と直接接触する第１表面と
前記第１表面に対向しボンディングパッドの形成された
第２表面とを有する集積回路チップと、前記ボンディン
グパッドと前記伝導性トレース層とを電気的に連結する
多数のボンディングワイヤーと、前記多数のボンディン
グワイヤー及び前記集積回路チップを封止するとともに
前記ホール領域を埋め込んでいる封止剤とを備えてなる
ことを特徴とする。
【００１１】そして、本発明のパッケージされた集積回
路素子は、第４実施例として、一つ以上の伝導性トレー
ス層と一つ以上の絶縁層を有し、第１表面と前記第１表
面に対向し多数の電気的接点らの形成されている第２表
面とを有する配線基板と、前記配線基板の第１表面の外
側部分上に付着された誘電体層と、第１表面と前記第１
表面に対向した第２表面とを有し、前記誘電体層の内側
末端部と接触するとともに前記第１表面が前記配線基板
の第１表面の内側部分上に付着されている金属熱伝導体
層と、前記金属熱伝導体層の第１表面が露出されるよう
に前記配線基板の中心部に形成されたホール領域と、前
記ホール領域内に位置し、前記配線基板の第１表面に付
着された第１表面と前記第１表面に対向し多数のボンデ
ィングパッドの形成された第２表面とを有する集積回路
チップと、前記ボンディングパッドと前記伝導性トレー
ス層とを電気的に連結する多数のボンディングワイヤー
と、前記多数のボンディングワイヤー及び前記集積回路
チップを封止するとともに前記ホール領域を埋め込んで
いる封止剤とを備えてなることを特徴とする。
【００１２】また、本発明のパッケージされた集積回路
素子の製造方法は、表面上に真空を作用させるための真
空ホールが形成されており、前記真空ホールに真空発生
装置が連結されているヒーターブロックを準備する工程
と、配線基板とこれの後面に付着された金属熱伝導体層
とからなり、前記配線基板と前記金属熱伝導体層の中心
部に貫通ホール領域の形成されている組立体を、前記真
空ホールが前記貫通ホール領域の中心部に位置するよう
に前記ヒーターブロックの表面上に安置する工程と、前
記真空発生装置により前記ヒーターブロックの真空ホー
ルを通じて集積回路チップの表面上に真空吸入力を作用
させ集積回路チップを前記ホール領域の内部にアライニ
ングする工程と、前記真空吸入力の保持された状態で前
記ヒーターブロック上で前記配線基板と前記集積回路チ
ップとをボンディングワイヤーで連結する工程と、封止
剤で前記ホール領域を埋め込むとともに前記ボンディン
グワイヤーと前記集積回路チップとを封止する工程とを
含むことを特徴とする。
【００１３】また、本発明のパッケージされた集積回路
素子の製造方法は、表面上に真空を作用させるための真
空ホールが形成されており、前記真空ホールに真空発生
装置が連結されているヒーターブロックを準備する工程
と、配線基板とこれの後面に付着されている第１金属熱
伝導体層と前記第１金属熱伝導体層の後面に付着されオ
ープニングを有する第２金属熱伝導体層とからなり、前
記配線基板と前記第１金属熱伝導体層の中心部に前記第
２金属熱伝導体層のオープニングと連結され前記第２金
属熱伝導体層の表面の一部を露出させるホール領域の形
成されている組立体を、前記ヒーターブロックの表面上
にローディングするものの、前記第２金属熱伝導体層の
オープニングと前記真空ホールが互いに通じるように前
記ヒットシンクを前記ヒーターブロックの表面と接触さ
せる工程と、前記真空発生装置により前記ヒーターブロ
ックの真空ホール及び前記第２金属熱伝導体層のオープ
ニングを通じて集積回路チップの表面上に真空吸入力を
作用させ、集積回路チップを前記ホール領域の内部にア
ライニングする工程と、前記真空吸入力の保持される前
記ヒーターブロック上で前記配線基板と前記集積回路チ
ップとをボンディングワイヤーで連結する工程と、封止
剤で前記ホール領域を埋め込むとともに前記ボンディン
グワイヤーと前記集積回路チップとを封止する工程とを
含むことを特徴とする。
【００１４】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の望ましい
実施例を詳しく説明する。
【００１５】図３は本発明の第１実施例によるＢＧＡパ
ッケージの断面図である。ＢＧＡパッケージ１００は、
第１伝導性トレース層３１ａ及び第２伝導性トレース層
３１ｂと、これらのトレース層の間に介された絶縁層３
２からなる配線基板５０とを含む。各々の第１及び第２
伝導性トレース層３１ａ、３１ｂは互いに所定の間隔を
おいて水平に配列された多数の部材からなり、前記部材
らの間の間隔には絶縁層３２の部分が埋め込まれてい
る。第１及び第２伝導性トレース層は望ましく銅から形
成される。
【００１６】そして、配線基板５０は、パッケージ１０
０の外部に露出され第１伝導性トレース層３１ａの一表
面を含む第１表面５０ａと、前記第１表面に対向し第２
伝導性トレース層３１ｂの一表面を含む第２表面５０ｂ
とを有する。配線基板５０の第１表面５０ａは、第１伝
導性トレース層３１ａの表面と共に第１表面５０ａを構
成し、第１伝導性トレース層３１ａを露出させるととも
に形成された絶縁ソルダマスク層３３を含む。配線基板
５０の第１表面５０ａで第１伝導性トレース層３１ａの
外側表面上には、配線基板５０をパッケージ１００の外
部端子（図示せず）と電気的に連結するための電気的接
点として作用する半田ボール３４が付着されている。
【００１７】一方、配線基板５０の第２表面５０ｂに
は、ヒットシンクとして作用する金属熱伝導体層３５が
接着剤３８により付着されている。接着剤３８としては
望ましく両面接着テープが使用できるが、液状接着剤を
使用することもできる。金属熱伝導体層３５は、配線基
板５０の第２表面５０ｂに付着される第１表面３５ａ
と、これに対向しパッケージ１００の外部に露出される
第２表面３５ｂとを有する。また、金属熱伝導体層３５
は、望ましく銅、アルミニウム、または銀で作られるこ
とができる。
【００１８】配線基板５０及び金属熱伝導体層３５の中
心部にはこれらを垂直に貫通するホール領域３６が形成
されている。ホール領域３６は、パッケージ１００の平
面を示す図である図４に示されたように、望ましく四角
形の横断面状を有し、円形の横断面状の耳部分３７を有
することができる。その他に、ホール領域３６は長方
形、円形、菱形、または星形の横断面状を有し、四角
形、長方形、菱形、または三角形の耳部分を有すること
ができる。
【００１９】また図３を参照すれば、ホール領域３６の
中心部には、パッケージ１００の外部に露出される第１
表面４０ａと前記第１表面に対向する第２表面４０ｂと
を有する集積回路チップ４０が位置する。集積回路チッ
プ４０の第２表面４０ｂには多数のボンディングパッド
４１が形成されており、ボンディングパッド４１はボン
ディングワイヤー３９により伝導性トレース層３１ａ、
３１ｂと電気的に連結されている。
【００２０】図３に示されたパッケージ１００を製造す
るため、配線基板５０とこれの第２表面５０ｂに付着さ
れた金属熱伝導体層３５からなり、前記配線基板５０と
前記金属熱伝導体層３５の中心部に貫通ホール領域３６
の形成されている組立体が、図５に示されたヒーターブ
ロック６１上にローディングされる。前記組立体はユニ
ット単位として形成される。そして、配線基板５０を含
む組立体のローディング時、金属熱伝導体層３５の第２
表面３５ｂがヒーターブロック６１の表面と向かい合う
ようになる。このようなユニット単位での工程進行は従
来のような以後のシンギュレーション(singulation) 工
程の省略を可能にする。図３と共に図５を参照すれば、
ヒーターブロック６１は表面上に真空ホール６２を有す
る。真空ホール６２は真空装置（図示せず）によりヒー
ターブロック６１の内部で形成された真空をヒーターブ
ロック６１の外部へ作用させるためのものである。従っ
て、示されていないが、この分野で通常の知識を有した
当業者は、真空ホール６２を通じてヒーターブロック６
１の外部へ真空を作用させるための真空印加方式を容易
に理解することができる。例えば、ヒーターブロック６
１の外部に位置した真空装置をホース（図示されず）を
使用して真空ホール６２に連結することで、ヒーターブ
ロック６１の内部から外部へ真空を作用させる方式が用
いられる。
【００２１】ヒーターブロック６１上に配線基板５０を
ローディングするには、金属熱伝導体層３５の付着され
た配線基板５０からなり中心部にホール領域３６の形成
されている組立体が、金属熱伝導体層３５の第２表面３
５ｂがヒーターブロック６１の表面を向かうようにして
ホール領域３６に真空ホール６２が位置するようにロー
ディングされる。その後、ユニット単位で切断(saw) さ
れた集積回路チップ４０の第１表面４０ａが真空ホール
６２を覆うとともに、集積回路チップ４０が配線基板５
０のホール領域３６に位置する。この時、集積回路チッ
プ４０は真空ホール６２を通じて第１表面４０ａに作用
する真空の吸引力により、ヒーターブロック６１の表面
上に堅固に固定されることでアライニングされる。この
ように真空により集積回路チップを固定及びアライニン
グすることによって、従来のようなダイアタッチ工程が
必要なくなる。従って、パッケージ１００はダイアタッ
チ工程のためのダイパッドが除去されることで、より薄
い厚さ及びより軽い重さを有する。また、パッケージ１
００はダイアタッチ工程を除去することにより減少した
製造コストを有する。
【００２２】集積回路チップ４０のアライニングの後、
集積回路チップ４０のボンディングパッド４１と配線基
板５０とを電気的に連結するボンディングワイヤー３９
によるワイヤーボンディング工程が行われる。その後、
真空吸引力の続く作用により配線基板５０を含む組立体
及び集積回路チップ４０をヒーターブロック上に保持さ
せた状態で、エポキシ系列の封止剤４２でホール領域３
６を埋め込むとともに、集積回路チップ４０及びボンデ
ィングワイヤー３９を封止する。それから、封止剤の硬
化が行われる。このような封止及び硬化工程は、ワイヤ
ーボンディングの後にヒーターブロック上ですぐ行われ
ることで既存のモールド工程を代替する。その後、配線
基板５０の第１表面５０ａに半田ボール３４が付着さ
れ、リフロー(reflow)工程が行われる。
【００２３】本発明の第１実施例によるＢＧＡパッケー
ジ１００は、集積回路チップ４０の第１表面４０ａがパ
ッケージ１００の外部に露出されているので、集積回路
チップ４０から発生した熱を外部へ容易に放出させるこ
とができる。実際に、図３に示されたパッケージはこれ
の熱放出特性をテストするためのシミュレーションテス
トの結果、２ｍ／ｓｅｃの空気流速(air flow)で１５．
８℃／Ｗの熱抵抗を示した。そして、集積回路チップ４
０のワイヤーボンディングのために使用されたダイパッ
ドがないので、従来のパッケージに比べて重さが軽く厚
さが薄い。図３に示されたパッケージは１．０ｍｍの厚
さを有し、図２に示されたパッケージの重さの５５％程
の重さを有する。その他に、ＢＧＡパッケージ１００は
これを製造するには、ダイアタッチ工程、モールド工程
及び、シンギュレーション(singulation) 工程が必要な
いので、製造時間、装備投資のコスト及び、製造原価が
減少する。
【００２４】図６は本発明の第２実施例によるＢＧＡパ
ッケージ２００を示す断面図である。図６の未説明符号
に対しては上述した図３のパッケージについての説明を
参照されたい。
【００２５】ＢＧＡパッケージ２００は、配線基板５０
の第２表面５０ｂに接着剤３８により付着される第１表
面７０ａと前記第１表面に対向する第２表面７０ｂとを
有し、ヒットシンクとして作用する第１金属熱伝導体層
７０と接着剤７２により第１金属熱伝導体層７０に付着
される第２金属熱伝導体層７３とを含む。接着剤３８、
７２の望ましい例は、両面接着テープである。第２金属
熱伝導体層７３は、第１金属熱伝導体層７０の第２表面
７０ｂに付着される第１表面７３ａと前記第１表面に対
向しパッケージ２００の外部に露出される第２表面７３
ｂとを有する。
【００２６】示されていないが、第２金属熱伝導体層７
３の第１表面７３ａ及び第２表面７３ｂには、第１金属
熱伝導体層７０、集積回路チップ４０及び、封止剤４２
に対する第１表面７３ａ及び第２表面７３ｂの接着力を
増加させ、水分浸透及び腐食を防止するためにニッケル
鍍金層またはブラックエノダイジングのような物質層が
形成されることが望ましい。また、第２熱伝導体層７３
は箔形態で示されたが、接着剤７２により第１金属熱伝
導体層７０に付着される多数のピンで第２金属熱伝導体
層を形成することもできる。そして、配線基板５０と第
１金属熱伝導体層７０の中心部には、第２金属熱伝導体
層７３の第１表面７３ａの一部を露出させるホール領域
３６が形成されている。ホール領域３６の中心部には、
接着剤７２により第２金属熱伝導体層７３の第１表面７
３ａに付着される第１表面４０ａ及び、前記第１表面に
対向する第２表面を有する集積回路チップ４０が位置す
る。
【００２７】図６に示されたパッケージ２００は、図３
に示されたパッケージ１００の製造について上述された
方法と同一な方法により製造できる。しかし、パッケー
ジ２００を製造するためには封止剤４２の形成後、第１
金属熱伝導体層７０の第２表面７０ｂ及び集積回路チッ
プ４０の第１表面４０ａ上に接着剤７２により第２金属
熱伝導体層７３を付着する工程が更に含まれる。
【００２８】また、図６に示されたパッケージ２００は
図２に示されたパッケージ１００とほとんど同一な効果
を提供する。しかし、パッケージ２００は第２金属熱伝
導体層７３の第１表面の全体にわたって接着剤７２が形
成されているので、図２に示されたパッケージ１００よ
り更に容易に集積回路チップから発生した熱を分散させ
ることができる。実際に、図６に示されたパッケージは
これの熱放出特性をテストするためのシミュレーション
テストの結果、２ｍ／ｓｅｃの空気流速(air flow)で
６．３℃／Ｗの熱抵抗を示した。そして、図６に示され
たパッケージ２００でヒットシンクとして備えられる第
２金属熱伝導体層７３は封止剤４２の形成後に付着され
るので、図２に示されたパッケージのヒットシンクより
更に薄い厚さのものを使用することが可能である。この
ように薄くなった厚さの第２金属熱伝導体層７３は、パ
ッケージ２００の全体的な厚さ及び重さの減少に大きく
寄与する。パッケージ２００は約１．１ｍｍの厚さを有
し、図２に示されたパッケージの重さの６５％程の重さ
を有する。
【００２９】図７は本発明の第３実施例によるＢＧＡパ
ッケージを示す断面図である。図７で次に説明されない
未説明の符号に対しては、図３に示されたパッケージに
関する前記の説明を参照されたい。
【００３０】図７を参照すれば、ＢＧＡパッケージ３０
０は第１金属熱伝導体層７０の第２表面７０ｂに接着剤
８２により付着された第２金属熱伝導体層８３を含む。
接着剤８２の望ましい例は両面接着テープである。第２
金属熱伝導体層８３は、第１金属熱伝導体層７０の第２
表面７０ｂに付着される第１表面８３ａと、パッケージ
３００の外部に露出される第２表面８３ｂとを有し、中
心部にオープニング８４を有している。オープニング８
４は、これを通じた真空の作用時に第１表面８３ａ上に
集積回路チップ４０のアライニング及び固定のため、集
積回路チップ４０により完全に覆われる程で小さなけれ
ばならない。
【００３１】示されていないが、第２金属熱伝導体層８
３の第１表面８３ａには、第１金属熱伝導体層７０及び
封止剤４２に対する第１表面８３ａの接着力を増加さ
せ、水分浸透及び腐食を防止するためにニッケル鍍金層
またはブラックエノダイジングのような物質層が形成さ
れることが望ましい。そして、第２金属熱伝導体層８３
は箔の形状を有することで示されたが、接着剤８２によ
り第１金属熱伝導体層７０に付着される多数のピンから
なることもできる。ホール領域３６の中心部には集積回
路チップ４０が位置し、集積回路チップ４０の第１表面
４０ａが第２金属熱伝導体層８３の第１表面８３ａと直
接に接触している。
【００３２】また、図７に示されたパッケージ３００
は、図３に示されたパッケージ１００の製造と関連して
上述したような類似の方法により製造できる。図５と共
に図７を参照すれば、配線基板５０上に第１及び第２金
属熱伝導体層７０及び８３の付着された組立体を、第２
金属熱伝導体層８３の第２表面８３ｂがヒーターブロッ
ク６１の表面に向かうようにヒーターブロック６１上に
安置する。ここで、配線基板５０及び第１金属熱伝導体
層７０の中心部には互いに連結されたホール領域３６が
形成されている。
【００３３】その後、集積回路チップ４０をホール領域
３６にアライニング及び保持させる。この時、真空ホー
ル６２からオープニング８４を通じて集積回路チップ４
０に作用する真空による吸引力により、集積回路チップ
４０の第１表面４０ａが第２金属熱伝導体層８３の第１
表面８３ａに直接に接触するようになる。それから、図
３によるパッケージ１００の製造と関連して上述された
ようにワイヤーボンディング、封止及び、半田ボールの
装着工程が行われる。
【００３４】図７に示されたパッケージ３００は図３に
示されたパッケージ１００とほとんど同一な効果を提供
する。しかし、パッケージ３００は集積回路チップ４０
の第１表面４０ａで箔またはピンの形態の第２金属熱伝
導体層８３を有することで、パッケージ１００に比べて
更に容易に集積回路チップから発生した熱を分散させる
ことができる。実際に、図７に示されたパッケージは、
これの熱放出特性をテストするためのシミュレーション
テストの結果、２ｍ／ｓｅｃの空気流速(air flow)で
７．８℃／Ｗの熱抵抗を示した。そして、図７に示され
たパッケージは１．２ｍｍの厚さを有し、図２に示され
たパッケージの重さの８５％程の重さを有する。
【００３５】図８は本発明の第４実施例によるＢＧＡパ
ッケージ４００を示す断面図である。図８の未説明の符
号に対しては前記の図３のパッケージについての説明を
参照されたい。
【００３６】図８を参照すれば、ＢＧＡパッケージ４０
０は、配線基板５０の第２表面５０ｂの内側部分に接着
剤９２により付着された金属熱伝導体層９３を含む。金
属熱伝導体層９３は、配線基板５０の第２表面に付着さ
れる第１表面９３ａと、前記第１表面に対向し外部に露
出される第２表面９３ｂとを有する。また、金属熱伝導
体層９３は銅、アルミニウム、または銀で作られたもの
が望ましい。金属熱伝導体層９３が銅の場合には腐食の
防止のため第２表面９３ｂはニッケルのような材料で鍍
金され、アルミニウムの場合には第２表面９３ｂはブラ
ックエノダイジング(black anodizing) されることがで
きる。
【００３７】配線基板５０の中心部には金属熱伝導体層
９３の第１表面９３ａを露出させるとともにホール領域
３６が形成されている。ホール領域３６の中心部には集
積回路チップ４０が位置し、集積回路チップ４０の第１
表面４０ａが金属熱伝導体層９３の第１表面９３ａに接
着剤９５により付着されている。このような接着剤９５
は集積回路チップ４０からの熱放出を増加させるため、
銀を含むことが望ましい。
【００３８】一方、配線基板５０の第２表面５０ｂの外
側部分には、金属熱伝導体層９３と接着剤９２を通じた
水分吸収によりパッケージ４００がクラック及びディラ
ミネーション(delamination)されることを防止し、パッ
ケージ４００の信頼性を増加させるために誘電体層９６
が形成されている。誘電体層９６の内側末端部は金属熱
伝導体層９３の末端部と接触している。また、誘電体層
９６は望ましくソルダレジスト、ポリイミド、またはエ
ポキシからなることができる。
【００３９】次に、図８に示されたパッケージ４００を
製造する方法を説明すれば、図８に示されたパッケージ
４００を製造するため、図５に示されたヒーターブロッ
ク６１をまた用いる。図５と共に図８を参照すれば、配
線基板５０の第２表面５０ｂ上に金属熱伝導体層９３及
び誘電体層９６の付着された組立体を、金属熱伝導体層
９３の第２表面９３ｂ及び誘電体層９６の表面がヒータ
ーブロックの表面に向かうようにし、真空ホール６２を
備えたヒーターブロック６１上に安置する。ここで、配
線基板５０の中心部にはホール領域３６が形成されてい
る。この時、金属熱伝導体層９３の第２表面９３ｂが、
ヒーターブロック６１の真空ホール６２を完全に密閉す
るようにヒーターブロック６１上に置かれなければなら
ない。
【００４０】その後、ヒーターブロック６１に連結され
た真空装置の作動により発生する真空吸引力が、真空ホ
ール６２を通じて金属熱伝導体層９３の第２表面９３ａ
上に作用し、組立体がヒーターブロック６１の表面上に
保持される。それから、真空吸入力により組立体がヒー
ターブロック６１の表面上に保持された状態で、図３に
よるパッケージ１００の製造と関連して上述されたよう
にワイヤーボンディング、封止及び、半田ボールの装着
工程が行われる。
【００４１】図８に示されたパッケージ４００は集積回
路チップ４０の側面部に金属熱伝導体層を有しないの
で、更に薄い厚さ及び重さを有する。また、集積回路チ
ップ４０の第１表面４０ａにヒットシンクとして薄い金
属熱伝導体層９３が付着されているので、熱放出能力面
でも図３、図６及び、図７に示されたパッケージら程度
に優れることと予想される。パッケージ４００は図３、
図６及び、図７に示されたパッケージ１００、２００及
び、３００の場合とは違い、それを製造するには集積回
路チップ４０が接着剤９５により金属熱伝導体層９３に
付着された後に、ヒーターブロック６２上に配線基板５
０と集積回路チップ４０のローディング及び整列工程が
行われる。しかし、ワイヤーボンディング及び封止工程
が図３、図６及び、図７の場合のようにヒーターブロッ
ク６２上で行われる。従って、ＢＧＡパッケージ４００
はこれを製造することにおいて、モールド工程及びシン
ギュレーション(singulation) 工程が必要ないので、製
造時間、装備の投資コスト及び、製造原価が減少する。
そして、図８に示されたパッケージ４００は約１．２ｍ
ｍの厚さを有し、図２に示されたパッケージの重さの９
０％程の重さを有する。
【００４２】図９は、上述した第１乃至第３実施例によ
るパッケージらの熱放出特性を評価するためのシミュレ
ーションテストの結果を示すグラフである。図９で、縦
軸は熱抵抗（℃／Ｗ）であり、横軸は空気流速（ｍ／ｓ
ｅｃ）である。そして、グラフＡは本発明の第１実施例
によるパッケージに対するテストの結果を示し、グラフ
Ｂは第２実施例、グラフＣは第３実施例、そしてグラフ
Ｄは第４実施例によるパッケージに対するテストの結果
を示す。図９から知れるように、本発明の第１実施例に
よるパッケージは、集積回路チップの後面にヒットシン
クを付着しなかったにもかかわらず、２ｍ／ｓｅｃの空
気流速で１５．８℃／Ｗ以下の優れた熱抵抗特性を示し
た。このような第１実施例によるパッケージの熱抵抗値
は、集積回路チップから発生した熱を放出するには充分
な値である。そして、本発明の第２実施例によるパッケ
ージは、最も優れた２ｍ／ｓｅｃの空気流速で約６．３
℃／Ｗの熱抵抗特性を示し、本発明の第３実施例による
パッケージは、２ｍ／ｓｅｃの空気流速で約７．８℃／
Ｗの熱抵抗値を示した。最後で、本発明の第４実施例に
よるパッケージは、２ｍ／ｓｅｃの空気流速で６．５℃
／Ｗの熱抵抗特性を示した。
【００４３】図１０は、本発明の図９に示された熱抵抗
値を電力分散特性(power dissipation) 値に換算して示
したグラフである。図１０で、縦軸は電力分散値(Watt
s) を示し、横軸は空気流速（ｍ／ｓｅｃ）を示す。そ
して、グラフＥは本発明の第１実施例のパッケージに対
する電力分散特性を示し、グラフＦは第２実施例のパッ
ケージ、グラフＧは第３実施例のパッケージ、そしてグ
ラフＨは第４実施例によるパッケージに対するテストの
結果を示す。図１０から知れるように、本発明によるパ
ッケージらはみんな２ｍ／ｓｅｃの空気流速で３．２Ｗ
以上の優れた電力分散特性を示した。
【００４４】図１１Ａ乃至Ｃは本発明の第１実施例によ
るパッケージで、ボンディングワイヤーの特性を示すグ
ラフであって、図１１Ａはボンドプルテスト(bond pull
test)の結果を示し、図１１Ｂはボールセン断テスト(b
all shear test) の結果を示し、図１１Ｃはループの高
さ(loop height) の測定の結果を示す。このようなテス
トを行う前に図５に示されたヒーターブロック上でワイ
ヤーボンディングすることにおいて、韓国のＫ＆Ｓ社で
製造したＫ＆Ｓ１４８８Ｔｕｒｂｏワイヤーボンダ、韓
国のミキョンサ(Mikyeong Sa) で製造した１．３ｍｉｌ
ｓの厚さのゴールドワイヤー及び、Ｍｉｃｒｏ Ｓｗｉ
ｓｓ ６ｍｉｌ Ｔｉｐの商品名で市販されるキャピラ
リ(Capillary) が使用された。そして、ワイヤーボンデ
ィング温度は１８０℃、時間は一番目のワイヤー及び二
番目のワイヤーがみんな２５ｍｓｅｃ、電力は一番目の
ワイヤーが６０ｍＷ、二番目のワイヤーが１２０ｍＷ、
力(force) は一番目のワイヤーが４５ｇ、二番目のワイ
ヤーが１１０ｇであった。
【００４５】図１１Ａから知れるように、グラフＩに示
された２１個のすべてのサンプルらはボンドプルテスト
において、グラフＪに示されたような基準値の最少５ｇ
を越えることにより、堅固にワイヤーボンディングされ
たことが立証された。図１１Ｂから、グラフＫに示され
た２１個のすべてのサンプルらは、ボールセン断テスト
時にグラフＬに示されたような基準値の最小３０ｇにみ
んな合格したことが知れる。そして、図１１Ｃから知れ
るように、グラフＭに示された２２個のすべてのワイヤ
ーサンプルらはグラフＮに示されたような基準値の１０
ｍｉｌｓ以下に合格した。
【００４６】以上のとおりに図１１Ａ乃至Ｃに示された
結果から、図５に示されたヒーターブロック上で真空に
より集積回路チップを固定させた状態でのワイヤーボン
ディングは、パッケージのボンディングワイヤーの特性
に何の悪影響を与えることがなく、成功的なワイヤーボ
ンディングの結果を提供することが立証された。
【００４７】図１２Ａ乃至Ｃは本発明の第１実施例によ
るパッケージの封止特性を示すグラフであって、図１２
Ａは封止の高さ(encapsulation height)の測定の結果を
示し、図１２Ｂはワイヤースウィピング(wire sweepin
g) の測定の結果を示し、図１２Ｃは封止空隙(void)の
測定の結果を示す。このような測定を行う前に、図５に
示されたヒーターブロック上でワイヤーボンディングさ
れたパッケージを封止することにおいて、商品名ＣＡＭ
ＡＬＯＴ５０００で市販されるディスペンスシステム(D
ispense System) 及び商品名Ｈｙｓｏｌ ４４５１／４
４５０で市販されるダム／フィル材料(Dam/Fill Materi
al) が使用された。そして、封止温度は８０℃であり、
封止圧力は１．４ｂａｒであった。
【００４８】図１２Ａから知れるように、グラフＯに示
された２２個のサンプルらはグラフＰに示されたような
１６ｍｉｌｓ以下の封止の高さの基準値をみんな通過し
た。そして、図１２Ｂから知れるように、グラフＱに示
された２２個のサンプルらはワイヤースウィピングの測
定において、グラフＲに示されたような基準値の５．０
％以下をみんな通過したし、図１２Ｃから知れるよう
に、グラフＳに示された２２個のサンプルらはグラフＴ
に示されたような５．０％以下の封止空隙率の基準値を
みんな通過した。以上の封止特性に対する測定の結果か
ら、図５に示されたヒーターブロック上に真空により集
積回路チップを固定させた状態で封止工程を行っても、
パッケージの封止特性に何の悪影響を与えることがなく
成功的な封止が成されるということが立証された。
【００４９】図１３Ａ乃至Ｃは本発明の第２実施例によ
るパッケージでボンディングワイヤーの特性を示すグラ
フであって、図１３Ａはボンドプルテスト(bond pull t
est)の結果を示し、図１３Ｂはボールセン断テスト(bal
l shear test) の結果を示し、図１３Ｃはループの高さ
(loop height) の測定の結果を示す。このようなテスト
前に、図５に示されたヒーターブロック上でワイヤーボ
ンディングすることにおいて、韓国のＫ＆Ｓ社で製造し
たＫ＆Ｓ１４８８Ｔｕｒｂｏワイヤーボンダ、韓国のミ
キョンサ(Mikyeong Sa) で製造した１．３ｍｉｌｓの直
径のゴールドワイヤー及び、ＳＴＰという商品名で市販
されるキャピラリ(Capillary) が使用された。そして、
ワイヤーボンディング温度は２２０℃、時間は一番目の
ワイヤーが２５ｍｓｅｃ、二番目のワイヤーが３０ｍｓ
ｅｃ、電力は一番目のワイヤー及び二番目のワイヤーが
みんな６０ｍＷ、力(force) は一番目のワイヤーが４５
ｇ、二番目のワイヤーが５５ｇであった。
【００５０】図１３Ａから知れるように、グラフＵに示
された２１個のすべてのサンプルらはボンドプルテスト
において、グラフＶに示されたような基準値の最少５ｇ
を越えることで、堅固にワイヤーボンディングされた。
図１３Ｂから、グラフＷに示された２１個のすべてのサ
ンプルらは、ボールセン断テスト時にグラフＸに示され
たような基準値の最小３０ｇに越えたことが知れる。そ
して、図１３Ｃから知れるように、グラフＹに示された
２２個のすべてのワイヤーサンプルらは、グラフＺに示
されたような基準値の１０ｍｉｌｓ以下に合格した。以
上の結果から、図５に示されたヒーターブロック上で真
空により集積回路チップを固定させた状態でのワイヤー
ボンディングは、成功的なワイヤーボンディングの結果
を提供することが立証された。
【００５１】図１４Ａ乃至Ｃは本発明の第２実施例によ
るパッケージの封止特性を示すグラフであって、図１４
Ａは封止の高さ(encapsulation height)の測定の結果を
示し、図１４Ｂはワイヤースウィピング(wire sweepin
g) の測定の結果を示し、図１４Ｃは封止空隙(void)の
測定の結果を示す。このような測定を行う前に、図５に
示されたヒーターブロック上でワイヤーボンディングさ
れたパッケージを封止することにおいて、商品名ＣＡＭ
ＡＬＯＴ５０００で市販されるディスペンスシステム(D
ispense System) 及び商品名Ｈｙｓｏｌ ４４５１／４
４５０で市販されるダム／フィル材料(Dam/Fill Materi
al) が使用された。そして、封止温度は８０℃であり、
封止圧力は１．５ｂａｒであった。
【００５２】図１４Ａから知れるように、グラフＡ１に
示された２２個のサンプルらは、グラフＢ１に示された
ような１６ｍｉｌｓ以下の封止の高さの基準値をみんな
通過した。そして、図１３Ｂから知れるように、グラフ
Ｃ１に示された２２個のサンプルらはワイヤースウィピ
ングの測定において、グラフＤ１に示されたような基準
値の５．０％以下をみんな通過したし、図１４Ｃから知
れるように、グラフＥ１に示された２２個のサンプルら
は、グラフＦ１に示されたような５．０％以下の封止空
隙率の基準値をみんな通過した。図１４Ａ乃至Ｃで示さ
れた封止特性の測定の結果から、図５に示されたヒータ
ーブロック上に真空により集積回路チップを固定させた
状態で封止工程を行っても、パッケージの封止特性に何
の悪影響を与えることがなく、成功的な封止が成される
ということが立証された。
【００５３】図１５Ａ乃至Ｃは本発明の第２実施例によ
るパッケージのボールの装着(ballmount)特性を示すグ
ラフであって、図１５Ａはパッケージワーピジ(package
warpage) の測定の結果を示し、図１５Ｂは半田ボール
のセン断力(solder ball shear) の測定の結果を示し、
図１５Ｃは平坦性(coplanarity) の測定の結果を示す。
このような測定を行う前に、封止されたパッケージに半
田ボールを装着することにおいて、ＳＨＩＢＵＹＡ Ｓ
ＢＭ−２３０の商品名で市販されるボールマウンタ、Ｖ
ＩＴＲＯＮＩＣＳ ＳＭＤ−５２２Ｎの商品名で市販さ
れるファーネス、ＡＣＣＥＬ ＭＩＣＲＯＣＥＬ２の商
品名で市販されるフラックスクリーナ(flux cleaner)及
び、ＳＥＮＪＵ ６３Ｓｎ／３７Ｐｂの商品名で市販さ
れる半田ボールが使用された。そして、ファーネスのピ
ーク温度は２２５＋／−５℃であり、フラックスクリー
ニング時間はウォッシュ１２０秒、リンス１２０秒、ド
ライ１８０秒であった。
【００５４】図１５Ａから知れるように、グラフＧ１に
示された１２個のサンプルらは、グラフＨ１に示された
ような５．０ｍｉｌｓのパッケージワーピジの基準値を
みんな通過した。また、図１５Ｂから知れるように、グ
ラフＪ１に示された２２個の半田ボールのサンプルら
は、みんなグラフＫ１に示されたような１Ｋｇ以下のセ
ン断力の基準値に合格した。そして、図１５Ｃから知れ
るように、グラフＬ１及びＬ２に示された１つの平坦面
に対し２４個ずつ、２つの平坦面に対し測定された４８
個のサンプルらは、みんなグラフＭ１に示されたような
６ｍｉｌｓ以下の平坦性の基準値に合格した。図１５Ａ
乃至Ｃに示された結果から、本発明の第２実施例による
パッケージには半田ボールが成功的に装着されたことが
立証された。
【００５５】本発明では第３実施例及び第４実施例によ
るパッケージに対しはワイヤーボンディング特性、封止
特性及び、半田ボールの装着特性に関するテスト及び／
または測定を行わなかった。しかし、本発明の発明者ら
はたとえこのようなテスト及び／または測定を行わなか
ったが、第３及び第４実施例によるパッケージはこれが
集積回路チップの第２表面に付着されたヒットシンクを
有するという点で、第２実施例によるパッケージと構造
的な類似性を有するので、第２実施例によるパッケージ
と類似なワイヤーボンディング特性、封止特性及び、半
田ボールの装着特性を有することと予想する。
【００５６】
【発明の効果】以上で説明したように、本発明によるＢ
ＧＡパッケージは、集積回路チップが外部に露出された
りまたは露出された集積回路チップの表面に薄い熱伝導
性ピンまたは箔の付着された構造を有する。従って、本
発明によるパッケージは熱放出能力が優れるとともに重
さが軽く、厚さが薄く、製造コストが低い。
【００５７】以上で本発明は望ましい実施例を基準で説
明し示したが、当業者は本発明の要旨から外れない範囲
で前記実施例に対する多様な変更及び修正の可能なこと
が明確に分かる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の技術によるＢＧＡパッケージを示す断面
図である。
【図２】ヒットシンクの付着されたスーパＢＧＡパッケ
ージを示す断面図である。
【図３】本発明の第１実施例によるＢＧＡパッケージの
断面図である。
【図４】本発明によるパッケージに形成されたホール領
域を示す平面図である。
【図５】本発明の実施例らによるパッケージの製造に使
用されるヒーターブロックを示す斜視図である。
【図６】本発明の第２実施例によるＢＧＡパッケージを
示す断面図である。
【図７】本発明の第３実施例によるＢＧＡパッケージを
示す断面図である。
【図８】本発明の第４実施例によるＢＧＡパッケージを
示す断面図である。
【図９】前記の第１乃至第４実施例によるパッケージら
の熱放出特性を評価するためのシミュレーションテスト
の結果を示したグラフである。
【図１０】本発明の図９に示された熱抵抗値を電力分散
特性(power dissipation) 値に換算して示したグラフで
ある。
【図１１】（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の第１実施例による
パッケージでボンディングワイヤーの特性を示すグラフ
である。
【図１２】（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の第１実施例による
パッケージの封止特性を示すグラフである。
【図１３】（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の第２実施例による
パッケージでボンディングワイヤーの特性を示すグラフ
である。
【図１４】（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の第２実施例による
パッケージの封止特性を示すグラフである。
【図１５】（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の第２実施例による
パッケージのボールの装着特性を示すグラフである。
【符号の説明】
３１ａ、３１ｂ 伝導性トレース層 ３２ 絶縁層 ３３ ソルダマスク ３４ 半田ボール ３５ 金属熱伝導体層 ３６ ホール領域 ３７ 円形の横断面状の耳部分 ３８ 接着剤 ３９ ボンディングワイヤー ４０ 集積回路チップ ４１ ボンディングパッド ４２ 封止剤 ５０ 配線基板 ６１ ヒーターブロック ６２ 真空ホール ７０ 第１金属熱伝導体層 ７２ 接着剤 ７３ 第２金属熱伝導体層 ８２ 接着剤 ８３ 第２金属熱伝導体層 ８４ オプーニング ９３ 金属熱伝導体層 １００、２００、３００、４００ パッケージ
フロントページの続き (72)発明者 崔 根 亨 大韓民国京畿道利川市夫鉢邑牙美里山136 −１顯宇アパート1310号 (72)発明者 尹 漢 信 大韓民国ソウル江北區水踰１洞49−16 ８ −４ (72)発明者 朴 点 淑 大韓民国京畿道利川市夫鉢邑牙美里山１洞 136−１

Claims (38)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一つ以上の伝導性トレース層と一つ以上
    の絶縁層を有し、第１表面と前記第１表面に対向し多数
    の電気的接点らの形成されている第２表面とを有する配
    線基板と、前記配線基板の第１表面に付着される第１表
    面と外部に露出される第２表面とを有する一つ以上の金
    属熱伝導体層と、前記配線基板と金属熱伝導体層に形成
    された貫通ホール領域と、前記外部に露出される第１表
    面と前記第１表面に対向しボンディングパッドの形成さ
    れた第２表面とを有し、前記ホール領域内に位置する集
    積回路チップと、前記ボンディングパッドと前記伝導性
    トレース層とを電気的に連結する多数のボンディングワ
    イヤーと、前記多数のボンディングワイヤー及び前記集
    積回路チップを封止するとともに前記ホール領域を埋め
    込んでいる封止剤(encapsulation) とを備えてなること
    を特徴とするパッケージされた集積回路素子。
  2. 【請求項２】 前記集積回路チップは、前記集積回路チ
    ップの第１表面に作用する真空吸引力により前記ホール
    領域内にアライニング及び固定され、前記真空吸引力の
    保持された状態で前記多数のワイヤーにより前記集積回
    路チップのボンディングパッドと前記伝導性トレース層
    とが電気的に連結されることを特徴とする請求項１記載
    のパッケージされた集積回路素子。
  3. 【請求項３】 前記金属熱伝導体層は、銅、アルミニウ
    ム及び、銀からなる群より選択されたもので作られるこ
    とを特徴とする請求項１記載のパッケージされた集積回
    路素子。
  4. 【請求項４】 前記伝導性トレース層は銅からなること
    を特徴とする請求項１記載のパッケージされた集積回路
    素子。
  5. 【請求項５】 前記ホール領域は四角形の横断面状を有
    し、また円形の横断面状の耳部分を有することを特徴と
    する請求項１記載のパッケージされた集積回路素子。
  6. 【請求項６】 前記電気的接点は半田ボールであること
    を特徴とする請求項１記載のパッケージされた集積回路
    素子。
  7. 【請求項７】 一つ以上の伝導性トレース層と一つ以上
    の絶縁層を有し、第１表面と前記第１表面に対向し多数
    の電気的接点らの形成されている第２表面とを有する配
    線基板と、前記配線基板の第１表面に付着される第１表
    面と前記第１表面に対向した第２表面とを有する一つ以
    上の第１金属熱伝導体層と、前記第１金属熱伝導体層の
    第２表面に付着される第１表面と前記第１表面に対向し
    外部に露出される第２表面とを有する第２金属熱伝導体
    層と、前記配線基板と第１金属熱伝導体層に前記第１金
    属熱伝導体層の第１表面が露出されるように形成された
    ホール領域と、前記ホール領域内に位置し、前記第２金
    属熱伝導体層の第１表面に付着された第１表面と前記第
    １表面に対向しボンディングパッドの形成された第２表
    面とを有する集積回路チップと、前記ボンディングパッ
    ドと前記伝導性トレース層とを電気的に連結する多数の
    ボンディングワイヤーと、前記多数のボンディングワイ
    ヤー及び前記集積回路チップを封止するとともに前記ホ
    ール領域を埋め込んでいる封止剤とを備えてなることを
    特徴とするパッケージされた集積回路素子。
  8. 【請求項８】 前記集積回路チップは、前記集積回路チ
    ップの第１表面に作用する真空吸引力により前記ホール
    領域内にアライニング及び固定され、前記真空吸引力の
    保持された状態で前記多数のワイヤーにより前記集積回
    路チップのボンディングパッドと前記伝導性トレース層
    とが電気的に連結されることを特徴とする請求項７記載
    のパッケージされた集積回路素子。
  9. 【請求項９】 前記第１及び第２金属熱伝導体層中の最
    小限一つの層は、銅、アルミニウム及び、銀からなる群
    より選択されたもので作られることを特徴とする請求項
    ７記載のパッケージされた集積回路素子。
  10. 【請求項１０】 前記伝導性トレース層は銅からなるこ
    とを特徴とする請求項７記載のパッケージされた集積回
    路素子。
  11. 【請求項１１】 前記ホール領域は四角形の横断面状を
    有し、また円形の横断面状の耳部分を有することを特徴
    とする請求項７記載のパッケージされた集積回路素子。
  12. 【請求項１２】 前記電気的接点は半田ボールであるこ
    とを特徴とする請求項７記載のパッケージされた集積回
    路素子。
  13. 【請求項１３】 前記第２金属熱伝導体層の第１表面全
    体に接着剤が塗布されていることを特徴とする請求項７
    記載のパッケージされた集積回路素子。
  14. 【請求項１４】 一つ以上の伝導性トレース層と一つ以
    上の絶縁層を有し、第１表面と前記第１表面に対向し多
    数の電気的接点らの形成されている第２表面とを有する
    配線基板と、前記配線基板の第１表面に付着される第１
    表面と前記第１表面に対向した第２表面とを有する一つ
    以上の第１金属熱伝導体層と、前記第１金属熱伝導体層
    の第２表面に付着される第１表面と前記第１表面に対向
    し外部に露出される第２表面とを有し、中心部にオープ
    ニングの形成されている第２金属熱伝導体層と、前記第
    ２金属熱伝導体層の第１表面が露出されるように前記配
    線基板と第１金属熱伝導体層に形成されたホール領域
    と、前記ホール領域内の中心部に位置し、前記第２金属
    熱伝導体層のホールより大きい幅を有し前記第２金属熱
    伝導体層の第１表面と直接接触する第１表面と前記第１
    表面に対向しボンディングパッドの形成された第２表面
    とを有する集積回路チップと、前記ボンディングパッド
    と前記伝導性トレース層とを電気的に連結する多数のボ
    ンディングワイヤーと、前記多数のボンディングワイヤ
    ー及び前記集積回路チップを封止するとともに前記ホー
    ル領域を埋め込んでいる封止剤とを備えてなることを特
    徴とするパッケージされた集積回路素子。
  15. 【請求項１５】 前記集積回路チップは、前記第２金属
    熱伝導体層のホールを通じて前記集積回路チップの第１
    表面に作用する真空吸引力により前記ホール領域内にア
    ライニング及び固定され、前記真空吸引力の保持された
    状態で前記多数のワイヤーにより前記集積回路チップの
    ボンディングパッドと前記伝導性トレース層とが電気的
    に連結されることを特徴とする請求項１４記載のパッケ
    ージされた集積回路素子。
  16. 【請求項１６】 前記第１及び第２金属熱伝導体層中の
    最小限一つの層は、銅、アルミニウム及び、銀からなる
    群より選択されたもので作られることを特徴とする請求
    項１４記載のパッケージされた集積回路素子。
  17. 【請求項１７】 前記伝導性トレース層は銅からなるこ
    とを特徴とする請求項１４記載のパッケージされた集積
    回路素子。
  18. 【請求項１８】 前記ホール領域は四角形の横断面状を
    有し、また円形の横断面状の耳部分を有することを特徴
    とする請求項１４記載のパッケージされた集積回路素
    子。
  19. 【請求項１９】 前記電気的接点は半田ボールであるこ
    とを特徴とする請求項１４記載のパッケージされた集積
    回路素子。
  20. 【請求項２０】 前記第１第１金属熱伝導体層と第２金
    属熱伝導体層との間には接着剤が位置することを特徴と
    する請求項１４記載のパッケージされた集積回路素子。
  21. 【請求項２１】 一つ以上の伝導性トレース層と一つ以
    上の絶縁層を有し、第１表面と前記第１表面に対向し多
    数の電気的接点らの形成されている第２表面とを有する
    配線基板と、前記配線基板の第１表面の外側部分上に付
    着された誘電体層と、第１表面と前記第１表面に対向し
    た第２表面とを有し、前記誘電体層の内側末端部と接触
    するとともに前記第１表面が前記配線基板の第１表面の
    内側部分上に付着されている金属熱伝導体層と、前記金
    属熱伝導体層の第１表面が露出されるように前記配線基
    板の中心部に形成されたホール領域と、前記ホール領域
    内に位置し、前記配線基板の第１表面に付着された第１
    表面と前記第１表面に対向し多数のボンディングパッド
    の形成された第２表面とを有する集積回路チップと、前
    記ボンディングパッドと前記伝導性トレース層とを電気
    的に連結する多数のボンディングワイヤーと、前記多数
    のボンディングワイヤー及び前記集積回路チップを封止
    するとともに前記ホール領域を埋め込んでいる封止剤と
    を備えてなることを特徴とするパッケージされた集積回
    路素子。
  22. 【請求項２２】 前記配線基板は、これの第１表面に作
    用する真空吸引力によりヒーターブロック上にアライニ
    ング及び固定され、前記真空吸引力の保持された状態で
    前記多数のワイヤーにより前記集積回路チップのボンデ
    ィングパッドと前記伝導性トレース層とが電気的に連結
    されることを特徴とする請求項２１記載のパッケージさ
    れた集積回路素子。
  23. 【請求項２３】 前記金属熱伝導体層は、銅、アルミニ
    ウム及び、銀からなる群より選択されたもので作られる
    ことを特徴とする請求項２１記載のパッケージされた集
    積回路素子。
  24. 【請求項２４】 前記伝導性トレース層は銅からなるこ
    とを特徴とする請求項２１記載のパッケージされた集積
    回路素子。
  25. 【請求項２５】 前記ホール領域は四角形の横断面状を
    有し、また円形の横断面状の耳部分を有することを特徴
    とする請求項２１記載のパッケージされた集積回路素
    子。
  26. 【請求項２６】 前記電気的接点は半田ボールであるこ
    とを特徴とする請求項２１記載のパッケージされた集積
    回路素子。
  27. 【請求項２７】 前記金属熱伝導体層に対する集積回路
    チップの付着は、銀を含んだ接着剤により行われること
    を特徴とする請求項２１記載のパッケージされた集積回
    路素子。
  28. 【請求項２８】 前記誘電体層は、ソルダレジスト、ポ
    リイミド及び、エポキシからなる群より選択されたもの
    で作られることを特徴とする請求項２１記載のパッケー
    ジされた集積回路素子。
  29. 【請求項２９】 表面上に真空を作用させるための真空
    ホールが形成されており、前記真空ホールに真空発生装
    置が連結されているヒーターブロックを準備する工程
    と、配線基板とこれの後面に付着された金属熱伝導体層
    とからなり、前記配線基板と前記金属熱伝導体層の中心
    部に貫通ホール領域の形成されている組立体を、前記真
    空ホールが前記貫通ホール領域の中心部に位置するよう
    に前記ヒーターブロックの表面上に安置する工程と、前
    記真空発生装置により前記ヒーターブロックの真空ホー
    ルを通じて集積回路チップの表面上に真空吸入力を作用
    させ集積回路チップを前記ホール領域の内部にアライニ
    ングする工程と、前記真空吸入力の保持された状態で前
    記ヒーターブロック上で前記配線基板と前記集積回路チ
    ップとをボンディングワイヤーで連結する工程と、封止
    剤で前記ホール領域を埋め込むとともに前記ボンディン
    グワイヤーと前記集積回路チップとを封止する工程とを
    含むことを特徴とするパッケージされた集積回路素子の
    製造方法。
  30. 【請求項３０】 前記配線基板は、絶縁層を挟んでいる
    多数の伝導性トレース層からなることを特徴とする請求
    項２９記載のパッケージされた集積回路素子の製造方
    法。
  31. 【請求項３１】 請求項２９の方法により製造されるこ
    とを特徴とするパッケージされた集積回路素子。
  32. 【請求項３２】 前記封止工程の後、前記集積回路チッ
    プの表面及び配線基板の表面上にまた他の金属熱伝導体
    層を付着する工程を更に含むことを特徴とする請求項２
    ９記載のパッケージされた集積回路素子の製造方法。
  33. 【請求項３３】 請求項３２の方法により製造されるこ
    とを特徴とするパッケージされた集積回路素子。
  34. 【請求項３４】 前記封止工程の後、前記配線基板に半
    田ボールを装着する工程を更に含むことを特徴とする請
    求項２９記載のパッケージされた集積回路素子の製造方
    法。
  35. 【請求項３５】 表面上に真空を作用させるための真空
    ホールが形成されており、前記真空ホールに真空発生装
    置が連結されているヒーターブロックを準備する工程
    と、配線基板とこれの後面に付着されている第１金属熱
    伝導体層と前記第１金属熱伝導体層の後面に付着されオ
    ープニングを有する第２金属熱伝導体層とからなり、前
    記配線基板と前記第１金属熱伝導体層の中心部に前記第
    ２金属熱伝導体層のオープニングと連結され前記第２金
    属熱伝導体層の表面の一部を露出させるホール領域の形
    成されている組立体を、前記ヒーターブロックの表面上
    にローディングするものの、前記第２金属熱伝導体層の
    オープニングと前記真空ホールが互いに通じるように前
    記ヒットシンクを前記ヒーターブロックの表面と接触さ
    せる工程と、前記真空発生装置により前記ヒーターブロ
    ックの真空ホール及び前記第２金属熱伝導体層のオープ
    ニングを通じて集積回路チップの表面上に真空吸入力を
    作用させ、集積回路チップを前記ホール領域の内部にア
    ライニングする工程と、前記真空吸入力の保持される前
    記ヒーターブロック上で前記配線基板と前記集積回路チ
    ップとをボンディングワイヤーで連結する工程と、封止
    剤で前記ホール領域を埋め込むとともに前記ボンディン
    グワイヤーと前記集積回路チップとを封止する工程とを
    含むことを特徴とするパッケージされた集積回路素子の
    製造方法。
  36. 【請求項３６】 前記配線基板は、絶縁層を挟んでいる
    多数の伝導性トレース層からなることを特徴とする請求
    項３５記載のパッケージされた集積回路素子の製造方
    法。
  37. 【請求項３７】 前記封止工程の後、前記配線基板の全
    面に半田ボールを装着する工程を更に含むことを特徴と
    する請求項３５記載のパッケージされた集積回路素子の
    製造方法。
  38. 【請求項３８】 請求項３５の方法により製造されるこ
    とを特徴とするパッケージされた集積回路素子。
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