DE10042839B4 - Elektronisches Bauteil mit Wärmesenke und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
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Abstract
Elektronisches
Bauteil mit Wärmesenke
(5) zur Chipkühlung,
wobei der Chip (12, 13, 14) auf einem Systemträger (2) mit metallischen Flachleitern
(3) angeordnet ist, und wobei der Systemträger (2) auf einem Metallteil
(4) als Wärmesenke
(5) angeordnet ist, dessen eine Außenfläche (6) der umgebenden Betriebsatmosphäre (7) ausgesetzt
ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Systemträger (2)
in Form einer dünnen,
ein elektrisch leitendes Material aufweisenden Schicht von wenigen μm durch das
Metallteil (4), auf dessen Innenfläche (8) sich der Systemträger (2)
abstützt,
stabilisiert ist, wobei der Systemträger von dem Metallteil (4)
durch eine Metalloxidverbindungsschicht (9) des Metalls der Wärmesenke
(5) elektrisch isoliert ist.
Description
- Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauteil mit Wärmesenke zur Chipkühlung und ein Verfahren zur Herstellung des elektronischen Bauteils.
- Zur Chipkühlung können Wärmesenken eingesetzt werden, die in das Gehäuse eingearbeitet sind. Diese Wärmesenken sind von einem metallischen Systemträger, der die zu kühlenden Chips trägt durch dazwischen liegendes Isolationsmaterial aus Keramik oder Kunststoffmasse beabstandet. Dieser Abstand ist erforderlich um den elektrisch leitenden metallischen Systemträger von der metallischen Wärmesenke elektrisch zu isolieren. Dieser elektrische Isolator aus Kunststoffmasse oder Keramik hat den Nachteil, daß er für eine vorgegebene Spannungsfestigkeit eine erhebliche Dicke aufweisen muß, und zum anderen, daß die Chipkühlung aufgrund des Wärmewiderstands dieses elektrischen Isolators begrenzt ist.
- Beispiele für derartige Bauelemente gehen etwa aus der
DE 196 25 240 A1 , derDE 198 21 715 A1 , derDE 42 38 417 A1 , derDE 195 30 577 A1 und derDE 42 22 838 A1 hervor. Es ist auch schon bekannt, die Isolierschicht auf der Wärmesenke durch eine Metalloxidierung zu realisieren, zum Beispiel gemäßJP 08-116 012 A DE 89 14 493 U1 . - Aufgabe der Erfindung ist es, ein elektronisches Bauteil und ein Verfahren zu seiner Herstellung anzugeben, das mit einer verbesserten Chipkühlung ausgestattet ist.
- Gelöst wird diese Aufgabe durch den Gegenstand der unabhängigen Ansprüche. Merkmale vorteilhafter Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
- Gemäß der Erfindung wird ein elektronisches Bauteil mit Wärmesenke zur Chipkühlung geschaffen, wobei der Chip auf einem Systemträger mit metallischen Flachleitern angeordnet ist und der Systemträger auf einem Metallteil als Wärmesenke angeordnet ist. Die Außenfläche des Metallteils ist der Betriebsatmosphäre ausgesetzt. Der Systemträger in Form einer dünnen, ein elektrisch leitendes Material aufweisenden Schicht von wenigen μm wird durch das Metallteil, auf dessen Innenfläche sich der Systemträger abstützt, stabilisiert. Dabei ist der Systemträger von dem Metallteil durch eine Metalloxidverbindungsschicht des Metalls der Wärmesenke elektrisch isoliert.
- Dieser Gegenstand hat den Vorteil, daß an Stelle eines voluminösen elektrischen Isolators lediglich eine Metalloxidverbindungsschicht vorgesehen ist, die unmittelbar durch Oxidation des Metalls der Wärmesenke herstellbar ist. Eine derartige Metalloxidverbindungsschicht stellt keinen wesentlichen Wärmewiderstand dar, zumal ihre Dicke äußerst begrenzt ist und ermöglicht, daß das Metallteil, das als Wärmesenke eingesetzt wird, unmittelbar den Systemträger stützen kann und somit dem elektronischen Bauteil eine erhöhte Festigkeit verleiht. Darüber hinaus kann die durch die Schaltungselemente auf dem Chip erzeugte Wärme fast unmittelbar an die Wärmesenke abgegeben werden, ohne eine Keramik- oder Kunststoffmasse überwinden zu müssen. Somit ist die Chipkühlung wesentlich verbessert, so daß höhere Verlustleistungen für die Schaltungselemente auf den Chips zugelassen werden können. Aufgrund ihrer mechanischen Festigkeit übernimmt die Wärmesenke gleichzeitig die stützende Wirkung einer elektrisch isolierenden Keramikmasse zwischen Systemträger und Umgebung und schließlich können an die freiliegende Außenfläche der Wärmesenke jederzeit durch den Abnehmer weitere Kühlflächen und Kühlvorrichtungen angeschlossen werden.
- In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist die Metalloxidverbindungsschicht eine Dicke mit einer Spannungsfestigkeit auf, welche größer ist als die maximale Spannungsdif ferenz zwischen den Flachleitern. Die Dicke der Metalloxidverbindungsschicht kann durch die Länge des Oxidationsprozesses des Metallteils eingestellt werden, so daß in einer weiteren Ausführungsform die Metalloxidverbindungsschicht hochspannungsfest ist.
- In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist das Metallmaterial der Wärmesenke ein Aluminium und/oder eine Aluminiumlegierung. Diese Materialien haben den Vorteil, daß eine wärmeleitende Metalloxidverbindungsschicht entsteht und zusätzlich die Spannungsfestigkeit von einigen Millimetern Kunststoffmasse mittels wenigen μm Aluminiumoxidschicht verwirklicht werden kann.
- Bei einer Wärmesenke aus Aluminium und/oder einer Aluminiumlegierung ist die Metalloxidverbindungsschicht eine Oxalschicht mit ihren besonders gegenüber Erosion resistenten Eigenschaften.
- In einer weiteren Ausführungsform wird der zu stützende Systemträger mit der Wärmesenke über eine Klebstoffschicht verbunden. Diese Klebstoffschicht kann, da bereits die Metalloxidverbindungsschicht den Isolator darstellt, aus einem gut elektrisch leitenden und damit hoch wärmeleitenden Klebstoff bestehen. Ein weiterer Vorteil für den Wärmeübergang ergibt sich, wenn die Klebeschicht extrem dünn ausgeführt wird.
- Derartige Klebstoffschichten können Epoxid-, Imid- oder Thermoplastleitkleber sein. Andererseits kann die Klebstoffschicht auch einen mit Füllstoff versehenen Isolierkleber aufweisen, wobei die Füllstoffe aus der Palette hoch wärmeleitender Stoffe ausgewählt sind. Alternativ können auch ungefüllte extrem dünne Isolierkleber eingesetzt werden. Die unmittelbare Verbindung des metallischen Systemträgers mit einem Metallteil als Wärmesenke hat den Vorteil, daß als Systemträger Metallfolien verwendet werden können, wenn vor dem Bonden die Wärmesenke stützend an dem Systemträger angebracht ist, so daß Systemträger und Metallteil eine starre Konstruktion bilden, die den Belastungen des Bondprozesses gewachsen ist.
- Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, die Isolierschicht aus einer Metalloxidverbindungsschicht der Wärmesenke mit einem elektrisch leitenden Material als Systemträger zu bedrucken.
- In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist das elektronische Bauteil ein Multichipmodul, das mehrere Chips auf dem Systemträger aufweist. Insbesondere für mehrere Chips ist die stabilisierende Wirkung eines als Wärmesenke eingebauten Metallteils an dem Systemträger von Vorteil. Das Metallteil hat dabei eine plattenförmige Form, die der Größe des Systemträgers für mehrere Chips genau angepasst ist und bildet somit ein form- und stabilität-bestimmendes Element und für die Fertigung eine Fixierungs- und Ausrichtungshilfe beim Bonden der unterschiedlichen Chips des Moduls auf dem Systemträger.
- In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist die Wärmesenke Überbrückungsbereiche aus Systemträgermaterial in dem Bereich des Systemträgers auf, wobei die Überbrückungsbereiche zusätzliche Bondflächen für entfernt voneinander angeordnete Chips eines Multichipmoduls bereitstellen. Diese Überbrückungsbereiche sind auf der Wärmesenke befestigte Inseln, die unabhängig vom Systemträger eine zweite partielle Entflechtungsebene bilden können. Dieses hat den Vorteil, daß die Verdrahtung der unterschiedlichen Chips des Multichipmoduls relativ frei gestaltet werden kann und größere Variationen zuläßt.
- In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist der Systemträger mit aufgebrachten Chips und Bondverbindungen zwischen Kontaktflächen auf dem Chip und Bonddrahtanschlussflächen auf dem Systemträger sowie mit Inseln mit Überbrückungs kontakten, und die Wärmesenke von einer Umhüllung aus Kunststoffmasse unter Freilassung der Außenfläche der Wärmesenke umgeben. Dazu war es zunächst erforderlich, daß die Chips mittels Bonddrähten untereinander über die Überbrückungskontakte auf unterschiedlichen Inseln miteinander verdrahtet wurden bzw. bei einer Flip-Chip-Technologie ist es erforderlich, daß die unterschiedlichen Kontakthöcker auf den Chips mit den entsprechenden korrespondierenden Kontaktanschlußflächen auf dem Systemträger verbunden sind, bevor die Umhüllung durch eine Kunststoffmasse das Gesamtsystem zu einem Multichipmodul verpackt.
- Ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit Wärmesenke zur Chipkühlung weist folgende Verfahrensschritte auf:
- – Herstellen eines Metallteils als Wärmesenke, das in seinen Abmessungen einer dünnen, wenige μm dicken, ein elektrisch leitendes Material aufweisenden Schicht als Systemträger eines elektrischen Bauelementes derart angepasst ist, daß es den Systemträger unmittelbar stützt,
- – Oxidieren der Innenfläche des Metallteils zu einer Metalloxidverbindungsschicht des Metalls der Wärmesenke,
- – Aufbringen der dünnen, wenige μm dicken, ein elektrisch leitendes Material aufweisenden Schicht als Systemträger auf die oxidierte Oberfläche der Wärmesenke,
- – Aufbringen von Chips auf dem Systemträger,
- – Verbinden der Kontaktflächen auf dem Chip mittels Kontakthöckern in der Flip-Chip-Technologie oder mittels Bonddrähten in der Bondtechnologie mit den Kontaktanschlußflächen auf den Flachleitern des Systemträgers,
- – Umhüllen von Systemträger, Chips und Wärmesenke mit Kunststoffmasse unter Freilassung der Außenfläche der Wärmesenke.
- Dieses Verfahren hat den Vorteil, daß der Systemträger eines Multichipmoduls aus einer äußerst dünnen Metallfolie von wenigen μm hergestellt sein kann, da die ihn unmittelbar stüt zende metallische Wärmesenke den folienartigen Systemträger stützt. Darüber hinaus kann der Systemträger aus einer mit elektrisch leitendem Material bedruckten Isolationsfolie aufgebaut sein oder das elektrisch leitende Material unmittelbar auf die Metalloxidverbindungsschicht der Wärmesenke gedruckt sein. Das Verfahren liefert auch Vorteile für konventionelle Systemträger, da die Wärmeableitung und damit Kühlung der Chips über die Metalloxidverbindungsschicht wesentlich intensiver ist als über eine großvolumige Kunststoff- oder Keramikmasse.
- In einer Durchführung des Verfahren werden Inseln, die in ihrer Dicke der Dicke des Systemträgers angepasst sind, unmittelbar auf der Wärmesenke zwischen den Flachleitern des Systemträgers ausgebildet und positioniert. Eine derartige Anbringung von zusätzlichen Inseln ergibt zusätzliche Bond- oder Verbindungsstützpunkte, mit denen die Verdrahtung wesentlich freier gestaltet werden kann, gegenüber einem Systemträger, der keine stützende Wärmesenke aufweist, die mit derartigen Inseln zur Kontaktüberbrückung ausgestattet ist.
- In einer weiteren Durchführungsform der Erfindung erfolgt das Verbinden von beschichteter Oberfläche der Wärmesenke und des Systemträgers mittels einer Klebstoffschicht. Eine derartige Klebstoffschicht kann dabei äußerst dünn im μm-Bereich ausgeformt werden, so daß der damit entstehende Wärmewiderstand gering bleibt und zusätzlich kann ein Klebstoff mit einem wärmeleitenden Füller gewählt werden, so daß die dünne Klebstoffschicht im Bereich von μm keine Wärmeleitungsblockade darstellt.
- Um den Wärmeübergang der Chips auf den Systemträger zu intensivieren, können in einem weiteren Verfahren die Chips auf den Systemträger gelötet werden.
- Ausführungsformen der Erfindung werden nun anhand der bei gefügten Zeichnungen näher erläutert.
-
1 zeigt einen Querschnitt durch eine Prinzipskizze eines Multichipmoduls mit Wärmesenke. -
2 zeigt einen schematischen teilweisen Querschnitt durch die Schichtfolge einer Ausführungsform der Erfindung. -
1 zeigt einen Querschnitt durch eine Prinzipskizze eines Multichipmoduls20 mit Wärmesenke5 . Dieses Multichipmodul20 hat einen Systemträger2 mit metallischen Flachleitern3 , auf dem beispielsweise drei Chips12 ,13 und14 angeordnet sind. Zwischen den Flachleitern3 ist in der Dicke des Systemträgers2 ein Überbrückungsbereich15 in Form einer Insel17 angeordnet. Diese Insel17 trägt in dieser Ausführungsform Bonddrahtanschlussflächen16 . Der metallische Systemträger2 und die Insel17 werden durch die Wärmesenke5 aus Metall gestützt und in Position gehalten. Damit erhält das Multichipmodul20 eine erhöhte Stabilität. Die Chips12 ,13 ,14 weisen Kontaktflächen18 auf, die mit den Schaltungselementen auf der Chipoberfläche verbunden sind. Diese Kontaktflächen werden in diesem Beispiel über Bonddrähte21 ,22 ,23 ,24 mit unterschiedlichen Bonddrahtanschlussflächen16 verbunden. Diese Bonddrahtanschlussflächen16 befinden sich sowohl auf der Insel17 als auch auf den Flachleitern3 . - Die Bonddrahtanschlussflächen
16 können zur Erleichterung des Bondens eine Nickel-Beschichtung, eine Aluminiumlegierungsbeschichtung oder eine andere bondbare Oberfläche aufweisen, und die Kontaktflächen18 auf den Chips können aus ähnlichen Materialien aufgebaut sein. Auf diese Weise ist es durch ein Thermokompressionsverfahren oder durch ein Ultraschallverfahren leicht möglich, eine zuverlässige Verbindung zwischen Kontaktflächen auf den Chips und Kontaktanschlussflächen auf den Flachleitern3 über Bonddrähte mit Hilfe der Bondtechnologie herzustellen. Durch die stützende Wärmesenke wird darüber hinaus erreicht, daß bei dem Bondverfahren die gesamte Konstruktion aus Chips, Systemträger und Wärmesenke äußerst stabil ist und somit ein sicheres Bonden ermöglicht. - Darüber hinaus zeigt
1 eine Umhüllung25 für das Multichipmodul20 aus einer Kunststoffmasse26 . Eine derartige Umhüllung kann mit einem entsprechenden Moldverfahren oder einem Spritzgussverfahren hergestellt werden, wobei die Außenfläche6 der Wärmesenke5 von Kunststoffmasse26 freigelassen bleibt, um einen Wärmeaustausch mit der Betriebsatmosphäre7 zu ermöglichen. Zur zusätzlichen Verankerung der Kunststoffmasse26 an der Wärmesenke5 weist die Wärmesenke5 Absätze29 auf, die einen Formschluß der Wärmesenke5 mit der Kunststoffmasse26 ermöglichen. - Da die Wärmesenke
5 aus einem Metallteil4 besteht und der Systemträger2 metallische Flachleiter3 aufweist, besteht die Gefahr, dass die stützende Wärmesenke5 die Flachleiter kurzschließt. Um dieses zu vermeiden, wird die Innenfläche8 des Metallteils4 der Wärmesenke5 vor dem Anbau an den Systemträger2 mit einer Metalloxidschicht des Metalls der Wärmesenke5 versehen. Diese Metalloxidschicht ist wenige μm dick und wirkt elektrisch isolierend, so daß ein elektrischer Kurzschluss mit dem Systemträger ausgeschlossen ist. Gleichzeitig ist der Wärmewiderstand aufgrund der geringen Dicke dieser elektrischen Isolierschicht ebenfalls minimal. - Die Staffelung der Schichten eines elektronischen Bauteils mit den unterschiedlichen Übergängen von der Wärmesenke
5 zu dem Systemträger2 und schließlich zu den Chips12 ,13 ,14 wird im Detail in2 gezeigt. -
2 zeigt einen schematischen teilweisen Querschnitt durch die Schichtfolge einer Ausführungsform der Erfindung. Von unten nach oben werden in2 die Wärmesenke5 , die Metalloxidverbindungsschicht9 der Wärmesenke5 , eine Klebeschicht11 , der Systemträger2 , eine weitere Verbindungsschicht30 , mit der der Chip12 auf dem Systemträger2 befes tigt ist, und der Chip12 selbst gezeigt. Die Dickenverhältnisse der gezeigten Schichten sind willkürlich und nicht maßstabsgerecht. So kann zum Beispiel der Systemträger2 aus einer relativ dünnen Metallfolie bestehen, da der Systemträger2 in dieser Ausführungsform durch die metallische Wärmesenke5 in Form eines Metallteils4 stabilisiert wird. Die Metalloxidverbindungsschicht9 ist in dieser Ausführungsform eine Eloxalschicht10 , die durch Eloxieren einer aus Aluminiumlegierung hergestellten Wärmesenke gebildet wurde und wenige Mikrometer dick ist. Die Klebeschicht11 weist einen die Wärmeleitung verbessernden Füller auf, während die Verbindungsschicht30 zwischen Systemträger2 und Chip12 entweder eine elektrisch leitende Klebstoffschicht28 ist oder eine Lötverbindung des Chips12 mit dem Systemträger2 darstellt. - Eine derartige Stapelung entsprechend der
2 ist äußerst stabil und kann deshalb das Verbinden der Kontaktflächen18 des Chips12 mit entsprechenden Kontaktanschlussflächen auf dem Systemträger2 erleichtern. -
- 1
- elektronisches Bauteil
- 2
- Systemträger
- 3
- matallische Flachleiter
- 4
- Metallteil
- 5
- Wärmesenke
- 6
- eine Aussenfläche des Metallteils
- 7
- Betriebsatmosphäre
- 8
- eine Innenfläche des Metallteils
- 9
- Metalloxidverbindungsschicht
- 10
- Eloxalschicht
- 11
- Klebstoffschicht
- 12, 13, 14
- Chips
- 15
- Überbrückungsbereich
- 16
- Bonddrahtanschlussflächen
- 17
- Inseln
- 18
- Kontaktflächen
- 19
- Überbrückungskontakt
- 20
- Multichipmodul
- 21, 22, 23, 24
- Bonddrähte
- 25
- Umhüllung
- 26
- Kunststoffmasse
- 27
- beschichtete Oberfläche
- 28
- elektrisch leitender Klebstoff
- 29
- Absätze
- 30
- Verbindungsschicht
Claims (18)
- Elektronisches Bauteil mit Wärmesenke (
5 ) zur Chipkühlung, wobei der Chip (12 ,13 ,14 ) auf einem Systemträger (2 ) mit metallischen Flachleitern (3 ) angeordnet ist, und wobei der Systemträger (2 ) auf einem Metallteil (4 ) als Wärmesenke (5 ) angeordnet ist, dessen eine Außenfläche (6 ) der umgebenden Betriebsatmosphäre (7 ) ausgesetzt ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Systemträger (2 ) in Form einer dünnen, ein elektrisch leitendes Material aufweisenden Schicht von wenigen μm durch das Metallteil (4 ), auf dessen Innenfläche (8 ) sich der Systemträger (2 ) abstützt, stabilisiert ist, wobei der Systemträger von dem Metallteil (4 ) durch eine Metalloxidverbindungsschicht (9 ) des Metalls der Wärmesenke (5 ) elektrisch isoliert ist. - Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Metalloxidverbindungsschicht (
9 ) eine Spannungsfestigkeit aufweist, die größer als die maximale Spannungsdifferenz zwischen den Flachleitern (3 ) ist. - Elektronisches Bauteil nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Metalloxidverbindungsschicht (
9 ) hochspannungsfest ist. - Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall der Wärmesenke (
5 ) Aluminium und/oder eine Aluminiumlegierung ist. - Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Metalloxidverbindungsschicht (
9 ) eine Eloxalschicht (10 ) ist. - Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmesenke (
5 ) mit dem Systemträger (2 ) über eine Klebstoffschicht (11 ) verbunden ist. - Elektronisches Bauteil nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Klebstoffschicht (
11 ) einen Epoxid-, Imid- oder Thermoplast-Leitkleber aufweist. - Elektronisches Bauteil nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Klebstoffschicht (
11 ) einen mit Füllstoff versehenen Isolierkleber aufweist. - Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das elektronische Bauteil (
1 ) ein Multichipmodul (20 ) ist, das mehrere Chips (12 ,13 ,14 ) auf dem Systemträger (2 ) aufweist. - Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmesenke (
5 ) Überbrückungsbereiche (15 ) aus Systemträgermaterial aufweist, die zusätzliche Bonddrahtanschlussflächen (16 ) für entfernt voneinander angeordnete Chips (12 ,13 ,14 ) eines Multichipmoduls (20 ) bereitstellen. - Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Wärmesenke (
5 ) eine unabhängig vom Systemträger (2 ) befestigte Insel (17 ) zur Anordnung einer zweiten partiellen Entflechtungsebene angeordnet ist. - Elektronische Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Systemträger (
2 ) mit aufgebrachten Chips (12 ,13 ,14 ) und Bondverbindungen (21 ,22 ,23 ,24 ) zwischen Kontaktflächen (18 ) auf dem Chip (12 ,13 ,14 ) und Bonddrahtanschlussflächen (16 ) auf dem Systemträger (2 ) sowie Inseln (17 ) mit Überbrückungskontakten (19 ) und die Wärmesenke (5 ) von einer Umhüllung (25 ) aus Kunststoffmasse (26 ) unter Freilassung der Außenfläche (6 ) der Wärmesenke (5 ) umgeben ist. - Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils (
1 ) mit Wärmesenke (5 ) zur Chipkühlung, das folgende Verfahrensschritte aufweist: – Herstellen eines Metallteils (4 ) als Wärmesenke (5 ), das in seinen Abmessungen einer dünnen, wenige μm dicken, ein elektrisch leitendes Material aufweisenden Schicht als Systemträger (2 ) eines elektronischen Bauteils (1 ) derart angepasst ist, daß es den Systemträger (2 ) unmittelbar stützt und stabilisiert, – Oxidieren mindestens der Innenfläche (8 ) des Metallteils (4 ) zu einer Metalloxidverbindungsschicht (9 ) des Metalls der Wärmesenke (5 ), – Aufbringen der dünnen, wenige μm dicken, ein elektrisch leitendes Material aufweisenden Schicht als Systemträger (2 ) auf die oxidierte Oberfläche (27 ) der Wärmesenke (5 ), – Aufbringen von Chips (12 ,13 ,14 ) auf den Systemträger (2 ), – Verbinden der Kontaktflächen (18 ) auf dem Chip (12 ,13 ,14 ) mittels Kontakthöckern in der BGA(Ball-Grid-Array)-Technologie oder mittels Bonddrähten in der Bondtechnologie mit Kontaktanschlussflächen (16 ) auf den Flachleitern (3 ) des Systemträgers (2 ), – Umhüllen von Systemträger (2 ), Chips (12 ,13 ,14 ) und Wärmesenke (5 ) mit einer Kunststoffmasse (26 ) unter Freilassen der Außenflächen (6 ) der Wärmesenke (5 ). - Verfahren nach Anspruch 13, das weiterhin den Verfahrensschritt aufweist: – Ausbilden und Positionieren von Inseln (
17 ), die in ihrer Dicke der Dicke des Systemträgers (2 ) angepasst sind und unmittelbar auf der Wärmesenke (5 ) zwischen den Flachleitern (3 ) des Systemträgers (5 ) angeordnet werden. - Verfahren nach Anspruch 13 oder Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Verbinden der exidierten (
27 ) der Wärmesenke (5 ) und des Systemträgers (2 ) mittels einer Klebstoffschicht (11 ) erfolgt. - Verfahren nach Anspruch 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Chips (
12 ,13 ,14 ) auf den Systemträger (2 ) gelötet werden. - Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Chips (
12 ,13 ,14 ) auf den Systemträger (2 ) mit einem elektrisch leitenden Klebstoff (28 ) auf Epoxidharzbasis mit elektrisch leitenden Füllpartikeln geklebt werden. - Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß der Systemträger als eine auf die Metalloxidverbindungsschicht aufgedruckte elektrisch leitende Beschichtung ausgebildet wird.
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DE102004021838A1 (de) * | 2004-05-04 | 2005-09-08 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement mit Kühlvorrichtung |
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE8914493U1 (de) * | 1989-12-08 | 1990-05-17 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Leistungsbaugruppe |
DE4222838A1 (de) * | 1991-09-21 | 1993-03-25 | Bosch Gmbh Robert | Elektrisches geraet, insbesondere schalt- und steuergeraet fuer kraftfahrzeuge |
DE4238417A1 (de) * | 1991-11-14 | 1993-05-19 | Mitsubishi Electric Corp | |
JPH08116012A (ja) * | 1994-10-18 | 1996-05-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 放熱板とそれを用いたリードフレーム部材及び樹脂封止型半導体装置、および放熱板の製造方法 |
DE19530577A1 (de) * | 1995-08-19 | 1997-02-20 | Daimler Benz Ag | Gehäuse für Bauelemente der Mikroelektronik und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE19625240A1 (de) * | 1995-10-26 | 1997-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleitervorrichtung |
DE19821715A1 (de) * | 1997-05-17 | 1999-01-28 | Hyundai Electronics Ind | Gehäuse mit einem Schaltkreisbauelement |
-
2000
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE8914493U1 (de) * | 1989-12-08 | 1990-05-17 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Leistungsbaugruppe |
DE4222838A1 (de) * | 1991-09-21 | 1993-03-25 | Bosch Gmbh Robert | Elektrisches geraet, insbesondere schalt- und steuergeraet fuer kraftfahrzeuge |
DE4238417A1 (de) * | 1991-11-14 | 1993-05-19 | Mitsubishi Electric Corp | |
JPH08116012A (ja) * | 1994-10-18 | 1996-05-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 放熱板とそれを用いたリードフレーム部材及び樹脂封止型半導体装置、および放熱板の製造方法 |
DE19530577A1 (de) * | 1995-08-19 | 1997-02-20 | Daimler Benz Ag | Gehäuse für Bauelemente der Mikroelektronik und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE19625240A1 (de) * | 1995-10-26 | 1997-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleitervorrichtung |
DE19821715A1 (de) * | 1997-05-17 | 1999-01-28 | Hyundai Electronics Ind | Gehäuse mit einem Schaltkreisbauelement |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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