DE10042839A1 - Elektronisches Bauteil mit Wärmesenke und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Elektronisches Bauteil mit Wärmesenke und Verfahren zu seiner Herstellung

Info

Publication number
DE10042839A1
DE10042839A1 DE10042839A DE10042839A DE10042839A1 DE 10042839 A1 DE10042839 A1 DE 10042839A1 DE 10042839 A DE10042839 A DE 10042839A DE 10042839 A DE10042839 A DE 10042839A DE 10042839 A1 DE10042839 A1 DE 10042839A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
heat sink
system carrier
electronic component
metal
chips
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE10042839A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10042839B4 (de
Inventor
Gottfried Beer
Wolfgang Spitzlsperger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE10042839A priority Critical patent/DE10042839B4/de
Publication of DE10042839A1 publication Critical patent/DE10042839A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10042839B4 publication Critical patent/DE10042839B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/85455—Nickel (Ni) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Elektronisches Bauteil (1) mit Wärmesenke (5) zur Chipkühlung und ein Verfahren zur Herstellung desselben. Der Chip (12, 13, 14) ist auf einem Systemträger (2) mit metallischen Flachleitern (3) angeordnet, wobei der Systemträger (2) auf einem Metallteil (4) als Wärmesenke (5) positioniert ist. Eine Außenfläche (6) der Wärmesenke (5) ist der Betriebsatmosphäre (7) ausgesetzt. Eine Innenfläche (8) stützt den Systemträger (2), wobei die Innenfläche (8) eine Metalloxydverbindungsschicht (9) zur elektrischen Isolation der Wärmesenke (5) von dem Systemträger (2) aufweist.

Description

Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauteil mit Wärme­ senke zur Chipkühlung und ein Verfahren zur Herstellung des elektronischen Bauteils.
Zur Chipkühlung können Wärmesenken eingesetzt werden, die in das Gehäuse eingearbeitet sind. Diese Wärmesenken sind von einem metallischen Systemträger, der die zu kühlenden Chips trägt durch dazwischen liegendes Isolationsmaterial aus Kera­ mik oder Kunststoffmasse beabstandet. Dieser Abstand ist er­ forderlich um den elektrisch leitenden metallischen System­ träger von der metallischen Wärmesenke elektrisch zu isolie­ ren. Dieser elektrische Isolator aus Kunststoffmasse oder Ke­ ramik hat den Nachteil, daß er für eine vorgegebene Span­ nungsfestigkeit eine erhebliche Dicke aufweisen muß, und zum anderen, daß die Chipkühlung aufgrund des Wärmewiderstands dieses elektrischen Isolators begrenzt ist.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein elektronisches Bauteil und ein Verfahren zu seiner Herstellung anzugeben, das mit einer verbesserten Chipkühlung ausgestattet ist.
Gelöst wird diese Aufgabe durch den Gegenstand der unabhängi­ gen Ansprüche. Merkmale vorteilhafter Weiterbildungen der Er­ findung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
Gemäß der Erfindung wird ein elektronisches Bauteil mit Wär­ mesenke zur Chipkühlung geschaffen, wobei der Chip auf einem Systemträger mit metallischen Flachleitern angeordnet ist und der Systemträger auf einem Metallteil als Wärmesenke angeord­ net ist. Die Aussenfläche des Metallteils ist der Betriebsat­ mosphäre ausgesetzt und eine Innenfläche stützt unmittelbar den Systemträger, wobei die Innenfläche des Metallteils von den Flachleitern des Systemträgers durch eine Metalloxydver­ bindungsschicht des Metalls der Wärmesenke elektrisch iso­ liert ist.
Dieser Gegenstand hat den Vorteil, daß an Stelle eines volu­ minösen elektrischen Isolators lediglich eine Metalloxydver­ bindungsschicht vorgesehen ist, die unmittelbar durch Oxida­ tion des Metalls der Wärmesenke herstellbar ist. Eine derar­ tige Metalloxydverbindungsschicht stellt keinen wesentlichen Wärmewiderstand dar, zumal ihre Dicke äußerst begrenzt ist und ermöglicht, daß das Metallteil, das als Wärmesenke einge­ setzt wird, unmittelbar den Systemträger stützen kann und so­ mit dem elektronischen Bauteil eine erhöhte Festigkeit ver­ leiht. Darüber hinaus kann die durch die Schaltungselemente auf dem Chip erzeugte Wärme fast unmittelbar an die Wärmesen­ ke abgegeben werden, ohne eine Keramik- oder Kunststoffmasse überwinden zu müssen. Somit ist die Chipkühlung wesentlich verbessert, so daß höhere Verlustleistungen für die Schal­ tungselemente auf den Chips zugelassen werden können. Auf­ grund Ihrer mechanischen Festigkeit übernimmt die Wärmesenke gleichzeitig die stützende Wirkung einer elektrisch isolie­ renden Keramikmasse zwischen Systemträger und Umgebung und schließlich können an die freiliegende Außenfläche der Wärme­ senke jederzeit durch den Abnehmer weitere Kühlflächen und Kühlvorrichtungen angeschlossen werden.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist die Me­ talloxydverbindungsschicht eine Dicke mit einer Spannungsfe­ stigkeit auf, welche größer ist als die maximale Spannungs­ differenz zwischen den Flachleitern. Die Dicke der Metal­ loxydverbindungsschicht kann durch die Länge des Oxidations­ prozesses des Metallteils eingestellt werden, so daß in einer weiteren Ausführungsform die Metalloxydverbindungsschicht hochspannungsfest ist.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist das Me­ tallmaterial der Wärmesenke ein Aluminium und/oder eine Aluminiumlegierung. Diese Materialien haben den Vorteil, daß ei­ ne wärmeleitende Metalloxydverbindungsschicht entsteht und zusätzlich die Spannungsfestigkeit von einigen Milimetern Kunststoffmasse mittels wenigen µm Aluminiumoxydschicht ver­ wirklicht werden kann.
Bei einer Wärmesenke aus Aluminium und/oder einer Aluminium­ legierung ist die Metalloxydverbindungsschicht eine Oxal­ schicht mit ihren besonders gegenüber Erosion resistenten Ei­ genschaften.
In einer weiteren Ausführungsform wird der zu stützende Sy­ stemträger mit der Wärmesenke über eine Klebstoffschicht ver­ bunden. Diese Klebstoffschicht kann, da bereits die Metal­ loxydverbindungsschicht den Isolator darstellt, aus einem gut elektrisch leitenden und damit hoch wärmeleitenden Klebstoff bestehen. Ein weiterer Vorteil für den Wärmeübergang ergibt sich, wenn die Klebeschicht extrem dünn ausgeführt wird.
Derartige Klebstoffschichten können Epoxid-, Imid- oder Ther­ moplastleitkleber sein. Andererseits kann die Klebstoff­ schicht auch einen mit Füllstoff versehenen Isolierkleber aufweisen, wobei die Füllstoffe aus der Palette hoch wärme­ leitender Stoffe ausgewählt sind. Alternativ können auch un­ gefüllte extrem dünne Isolierkleber eingesetzt werden. Die unmittelbare Verbindung des metallischen Systemträgers mit einem Metallteil als Wärmesenke hat den Vorteil, daß als Sy­ stemträger Metallfolien verwendet werden können, wenn vor dem Bonden die Wärmesenke stützend an dem Systemträger angebracht ist, so daß Systemträger und Metallteil eine starre Konstruk­ tion bilden, die den Belastungen des Bondprozesses gewachsen ist.
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, die Isolierschicht aus einer Metalloxidverbindungsschicht der Wärmesenke mit einem elektrisch leitenden Material als Sy­ stemträger zu bedrucken.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist das elek­ tronische Bauteil ein Multichipmodul, das mehrere Chips auf dem Systemträger aufweist. Insbesondere für mehrere Chips ist die stabilisierende Wirkung eines als Wärmesenke eingebauten Metallteils an dem Systemträger von Vorteil. Das Metallteil hat dabei eine plattenförmige Form, die der Größe des System­ trägers für mehrere Chips genau angepasst ist und bildet so­ mit ein form- und stabilität bestimmendes Element und für die Fertigung eine Fixierungs- und Ausrichtungshilfe beim Bonden der unterschiedlichen Chips des Moduls auf dem Systemträger.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist die Wärmesenke Überbrückungsbereiche aus Systemträgermaterial in dem Bereich des Systemträgers auf, wobei die Überbrückungsbe­ reiche zusätzliche Bondflächen für entfernt voneinander ange­ ordnete Chips eines Multichipmoduls bereitstellen. Diese Überbrückungsbereiche sind auf der Wärmesenke befestigte In­ seln, die unabhängig vom Systemträger eine zweite partielle Entflechtungsebene bilden können. Dieses hat den Vorteil, daß die Verdrahtung der unterschiedlichen Chips des Multichipmo­ duls relativ frei gestaltet werden kann und größere Variatio­ nen zuläßt.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist der Sy­ stemträger mit aufgebrachten Chips und Bondverbindungen zwi­ schen Kontaktflächen auf dem Chip und Bonddrahtanschlussflä­ chen auf dem Systemträger sowie mit Inseln mit Überbrückungs­ kontakten, und die Wärmesenke von einer Umhüllung aus Kunst­ stoffmasse unter Freilassung der Aussenfläche der Wärmesenke umgeben. Dazu war es zunächst erforderlich, daß die Chips mittels Bonddrähten untereinander über die Überbrückungskon­ takte auf unterschiedlichen Inseln miteinander verdrahtet wurden bzw. bei einer Flip-Chip-Technologie ist es erforder­ lich, daß die unterschiedlichen Kontakthöcker auf den Chips mit den entsprechenden korrespondierenden Kontaktanschlußflä­ chen auf dem Systemträger verbunden sind, bevor die Umhüllung durch eine Kunststoffmasse das Gesamtsystem zu einem Multi­ chipmodul verpackt.
Ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit Wärmesenke zur Chipkühlung weist folgende Verfahrens­ schritte auf:
  • - Herstellen eines Metallteils als Wärmesenke, das in sei­ nen Abmessungen einem Systemträger eines elektrischen Bauelementes derart angepasst ist, daß es den Systemträ­ ger unmittelbar stützt,
  • - Oxidieren der Innenfläche des Metallteils zu einer Me­ talloxydverbindungsschicht des Metalls der Wärmesenke,
  • - Verbinden des Systemträgers mit der beschichteten Ober­ fläche der Wärmesenke,
  • - Aufbringen von Chips auf dem Systemträger,
  • - Verbinden der Kontaktflächen auf dem Chip mittels Kon­ takthöckern in der Flip-Chip-Technologie oder mittels Bonddrähten in der Bondtechnologie mit den Kontaktan­ schlußflächen auf den Flachleitern des Systemträgers,
  • - Umhüllen von Systemträger, Chips und Wärmesenke mit Kunststoffmasse unter Freilassung der Aussenfläche der Wärmesenke.
Dieses Verfahren hat den Vorteil, daß der Systemträger eines Multichipmoduls aus einer äusserst dünnen Metallfolie von we­ nigen µm hergestellt sein kann, da die ihn unmittelbar stüt­ zende metallische Wärmesenke den folienartigen Systemträger stützt. Darüber hinaus kann der Systemträger aus einer mit elektrisch leitendem Material bedruckten Isolationsfolie auf­ gebaut sein oder das elektrisch leitende Material unmittelbar auf die Metalloxidverbindungsschicht der Wärmesenke gedruckt sein. Das Verfahren liefert auch Vorteile für konventionelle Systemträger, da die Wärmeableitung und damit Kühlung der Chips über die Metalloxydverbindungsschicht wesentlich inten­ siver ist als über eine großvolumige Kunststoff- oder Kera­ mikmasse.
In einer Durchführung des Verfahren werden Inseln, die in ih­ rer Dicke der Dicke des Systemträgers angepasst sind, unmit­ telbar auf der Wärmesenke zwischen den Flachleitern des Sy­ stemträgers ausgebildet und positioniert. Eine derartige An­ bringung von zusätzlichen Inseln ergibt zusätzliche Bond- oder Verbindungsstützpunkte, mit denen die Verdrahtung we­ sentlich freier gestaltet werden kann, gegenüber einem Sy­ stemträger, der keine stützende Wärmesenke aufweist, die mit derartigen Inseln zur Kontaktüberbrückung ausgestattet ist.
In einer weiteren Durchführungsform der Erfindung erfolgt das Verbinden von beschichteter Oberfläche der Wärmesenke und des Systemträgers mittels einer Klebstoffschicht. Eine derartige Klebstoffschicht kann dabei äusserst dünn im µm-Bereich aus­ geformt werden, so daß der damit entstehende Wärmewiderstand gering bleibt und zusätzlich kann ein Klebstoff mit einem wärmeleitenden Füller gewählt werden, so daß die dünne Kleb­ stoffschicht im Bereich von µm keine Wärmeleitungsblockade darstellt.
Um den Wärmeübergang der Chips auf den Systemträger zu inten­ sivieren, können in einem weiteren Verfahren die Chips auf den Systemträger gelötet werden.
Ausführungsformen der Erfindung werden nun anhand der beige­ fügten Zeichnungen näher erläutert.
Fig. 1 zeigt einen Querschnitt durch eine Prinzipskizze eines Multichipmoduls mit Wärmesenke.
Fig. 2 zeigt einen schematischen teilweisen Querschnitt durch die Schichtfolge einer Ausführungsform der Erfindung.
Fig. 1 zeigt einen Querschnitt durch eine Prinzipskizze ei­ nes Multichipmoduls 20 mit Wärmesenke 5. Dieses Multichipmo­ dul 20 hat einen Systemträger 2 mit metallischen Flachleitern 3, auf dem beispielsweise drei Chips 12, 13 und 14 angeordnet sind. Zwischen den Flachleitern 3 ist in der Dicke des Sy­ stemträgers 2 ein Überbrückungsbereich 15 in Form einer Insel 17 angeordnet. Diese Insel 17 trägt in dieser Ausführungsform Bonddrahtanschlussflächen 16. Der metallische Systemträger 2 und die Insel 17 werden durch die Wärmesenke 5 aus Metall ge­ stützt und in Position gehalten. Damit erhält das Multichip­ modul 20 eine erhöhte Stabilität. Die Chips 12, 13, 14 weisen Kontaktflächen 18 auf, die mit den Schaltungselementen auf der Chipoberfläche verbunden sind. Diese Kontaktflächen wer­ den in diesem Beispiel über Bonddrähte 21, 22, 23, 24 mit un­ terschiedlichen Bonddrahtanschlussflächen 16 verbunden. Diese Bonddrahtanschlussflächen 16 befinden sich sowohl auf der In­ sel 17 als auch auf den Flachleitern 3.
Die Bonddrahtanschlussflächen 16 können zur Erleichterung des Bondens eine Nickel-Beschichtung, eine Aluminiumlegierungsbe­ schichtung oder eine andere bondbare Oberfläche aufweisen, und die Kontaktflächen 18 auf den Chips können aus ähnlichen Materialien aufgebaut sein. Auf diese Weise ist es durch ein Thermokompressionsverfahren oder durch ein Ultraschallverfah­ ren leicht möglich, eine zuverlässige Verbindung zwischen Kontaktflächen auf den Chips und Kontaktanschlussflächen auf den Flachleitern 3 über Bonddrähte mit Hilfe der Bondtechno­ logie herzustellen. Durch die stützende Wärmesenke wird dar­ über hinaus erreicht, daß bei dem Bondverfahren die gesamte Konstruktion aus Chips, Systemträger und Wärmesenke äusserst stabil ist und somit ein sicheres Bonden ermöglicht.
Darüber hinaus zeigt Fig. 1 eine Umhüllung 25 für das Multi­ chipmodul 20 aus einer Kunststoffmasse 26. Eine derartige Um­ hüllung kann mit einem entsprechenden Moldverfahren oder ei­ nem Spritzgussverfahren hergestellt werden, wobei die Aussen­ fläche 6 der Wärmesenke 5 von Kunststoffmasse 26 freigelassen bleibt, um einen Wärmeaustausch mit der Betriebsatmosphäre 7 zu ermöglichen. Zur zusätzlichen Verankerung der Kunststoff­ masse 26 an der Wärmesenke 5 weist die Wärmesenke 5 Absätze 29 auf, die einen Formschluß der Wärmesenke 5 mit der Kunst­ stoffmasse 26 ermöglichen.
Da die Wärmesenke 5 aus einem Metallteil 4 besteht und der Systemträger 2 metallische Flachleiter 3 aufweist, besteht die Gefahr, dass die stützende Wärmesenke 5 die Flachleiter kurzschliesst. Um dieses zu vermeiden, wird die Innenfläche 8 des Metallteils 4 der Wärmesenke 5 vor dem Anbau an den Sy­ stemträger 2 mit einer Metalloxydschicht des Metalls der Wär­ mesenke 5 versehen. Diese Metalloxydschicht ist wenige µm dick und wirkt elektrisch isolierend, so daß ein elektrischer Kurzschluss mit dem Systemträger ausgeschlossen ist. Gleich­ zeitig ist der Wärmewiderstand aufgrund der geringen Dicke dieser elektrischen Isolierschicht ebenfalls minimal.
Die Staffelung der Schichten eines elektronischen Bauteils mit den unterschiedlichen Übergängen von der Wärmesenke 5 zu dem Systemträger 2 und schliesslich zu den Chips 12, 13, 14 wird im Detail in Fig. 2 gezeigt.
Fig. 2 zeigt einen schematischen teilweisen Querschnitt durch die Schichtfolge einer Ausführungsform der Erfindung. Von unten nach oben werden in Fig. 2 die Wärmesenke 5, die Metalloxydverbindungsschicht 9 der. Wärmesenke 5, eine Klebe­ schicht 11, der Systemträger 2, eine weitere Verbindungs­ schicht 30, mit der der Chip 12 auf dem Systemträger 2 befe­ stigt ist, und der Chip 12 selbst gezeigt. Die Dickenverhält­ nisse der gezeigten Schichten sind willkürlich und nicht maß­ stabsgerecht. So kann zum Beispiel der Systemträger 2 aus ei­ ner relativ dünnen Metallfolie bestehen, da der Systemträger 2 in dieser Ausführungsform durch die metallische Wärmesenke 5 in Form eines Metallteils 4 stabilisiert wird. Die Metal­ loxydverbindungsschicht 9 ist in dieser Ausführungsform eine Eloxalschicht, die durch Eloxieren einer aus Aluminiumlegie­ rung hergestellten Wärmesenke gebildet wurde und wenige Mi­ krometer dick ist. Die Klebeschicht 11 weist einen die Wärme­ leitung verbessernden Füller auf, während die Verbindungsschicht 30 zwischen Systemträger 2 und Chip 12 entweder eine elektrisch leitende Klebstoffschicht 28 ist oder eine Lötver­ bindung des Chips 12 mit dem Systemträger 2 darstellt.
Eine derartige Stapelung entsprechend der Fig. 2 ist äu­ sserst stabil und kann deshalb das Verbinden der Kontaktflä­ chen 18 des Chips 12 mit entsprechenden Kontaktanschlussflä­ chen auf dem Systemträger 2 erleichtern.
Bezugszeichenliste
1
elektronisches Bauteil
2
Systemträger
3
matallische Flachleiter
4
Metallteil
5
Wärmesenke
6
eine Aussenfläche des Metallteils
7
Betriebsatmosphäre
8
eine Innenfläche des Metallteils
9
Metalloxydverbindungsschicht
10
Eloxalschicht
11
Klebstoffschicht
12
,
13
,
14
Chips
15
Überbrückungsbereich
16
Bonddrahtanschlussflächen
17
Inseln
18
Kontaktflächen
19
Überbrückungskontakt
20
Multichipmodul
21
,
22
,
23
,
24
Bonddrähte
25
Umhüllung
26
Kunststoffmasse
27
beschichtete Oberfläche
28
elektrisch leitender Klebstoff
29
Absätze
30
Verbindungsschicht

Claims (18)

1. Elektronisches Bauteil mit Wärmesenke (5) zur Chipküh­ lung, wobei der Chip (12, 13, 14) auf einem Systemträger (2) mit metallischen Flachleitern (3) angeordnet ist, und wobei der Systemträger (2) auf einem Metallteil (4) als Wärmesenke (5) angeordnet ist, dessen eine Aussen­ fläche (6) der umgebenden Betriebsatmosphäre (7) ausge­ setzt ist, und dessen eine Innenfläche (8) den System­ träger (2) stützt, wobei die Innenfläche (8) des Metall­ teils (4) von den Flachleitern (3) des Systemträgers (2) durch eine Metalloxydverbindungsschicht (9) des Metalls der Wärmesenke (5) elektrisch isoliert ist.
2. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Metalloxydverbindungsschicht (9) eine Spannungsfestigkeit aufweist, die größer als die maxima­ le Spannungsdifferenz zwischen den Flachleitern (3) ist.
3. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Metalloxydverbindungsschicht (9) hochspannungsfest ist.
4. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall der Wärmesenke (5) Aluminium und/oder eine Aluminiumlegierung ist.
5. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Metalloxydverbindungsschicht (9) eine Eloxalschicht (10) ist.
6. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmesenke (5) mit dem Systemträger (2) über eine Klebstoffschicht (11) verbunden ist.
7. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Klebstoffschicht (11) einen Epoxid-, Imid- oder Thermoplast-Leitkleber aufweist.
8. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Klebstoffschicht (11) einen mit Füllstoff versehenen Isolierkleber aufweist.
9. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das elektronische Bauteil (1) ein Multichipmodul (20) ist, das mehrere Chips (12, 13, 14) auf dem Systemträger (2) aufweist.
10. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmesenke (5) Überbrückungsbereiche (15) aus Sy­ stemträgermaterial aufweist, die zusätzliche Bonddraht­ anschlussflächen (16) für entfernt voneinander angeord­ nete Chips (12, 13, 14) eines Multichipmoduls (20) be­ reitstellen.
11. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Wärmesenke (5) eine unabhängig vom Systemträger (2) befestigte Insel (17) zur Anordnung einer zweiten partiellen Entflechtungsebene angeordnet ist.
12. Elektronische Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Systemträger (2) mit aufgebrachten Chips (12, 13, 14) und Bondverbindungen (21, 22, 23, 24) zwischen Kon­ taktflächen (18) auf dem Chip (12, 13, 14) und Bond­ drahtanschlussflächen (16) auf dem Systemträger (2) so­ wie Inseln (17) mit Überbrückungskontakten (19) und die Wärmesenke (5) von einer Umhüllung (25) aus Kunststoff­ masse (26) unter Freilassung der Aussenfläche (6) der Wärmesenke (5) umgeben ist.
13. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils (1) mit Wärmesenke (5) zur Chipkühlung, das folgende Verfahrensschritte aufweist:
  • - Herstellen eines Metallteils (4) als Wärmesenke (5), das in seinen Abmessungen einem Systemträger (2) eines elektronischen Bauteils (1) derart ange­ passt ist, daß es den Systemträger (2) unmittelbar stützt,
  • - Oxidieren mindestens der Innenfläche (8) des Me­ tallteils (4) zu einer Metalloxydverbindungsschicht (9) des Metalls der Wärmesenke (5),
  • - Verbinden des Systemträgers (2) mit der beschichte­ ten Oberfläche (27) der Wärmesenke (5),
  • - Aufbringen von Chips (12, 13, 14) auf den System­ träger (2),
  • - Verbinden der Kontaktflächen (18) auf dem Chip (12, 13, 14) mittels Kontakthöckern in der BGA (Ball- Grid-Array)- Technologie oder mittels Bonddrähten in der Bondtechnologie mit Kontaktanschlussflächen (16) auf den Flachleitern (3) des Systemträgers (2),
  • - Umhüllen von Systemträger (2), Chips (12, 13, 14) und Wärmesenke (5) mit einer Kunststoffmasse (26) unter Freilassen der Aussenflächen (6) der Wärme­ senke (5).
14. Verfahren nach Anspruch 13, das weiterhin den Verfah­ rensschritt aufweist:
  • - Ausbilden und Positionieren von Inseln (17), die in ihrer Dicke der Dicke des Systemträgers (2) ange­ passt sind und unmittelbar auf der Wärmesenke (5) zwischen den Flachleitern (3) des Systemträgers (5) angeordnet werden.
15. Verfahren nach Anspruch 13 oder Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Verbinden der beschichteten Oberfläche (27) der Wär­ mesenke (5) und des Systemträgers (2) mittels einer Klebstoffschicht (11) erfolgt.
16. Verfahren nach Anspruch 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Chips (12, 13, 14) auf den Systemträger (2) gelötet werden.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Chips (12, 13, 14) auf den Systemträger (2) mit ei­ nem elektrisch leitenden Klebstoff (28) auf Epoxidharz­ basis mit elektrisch leitenden Füllpartikeln geklebt werden.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß der Systemträger als eine auf die Metalloxidverbindungs­ schicht aufgedruckte elektrisch leitende Beschichtung ausgebildet wird.
DE10042839A 2000-08-30 2000-08-30 Elektronisches Bauteil mit Wärmesenke und Verfahren zu seiner Herstellung Expired - Fee Related DE10042839B4 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10042839A DE10042839B4 (de) 2000-08-30 2000-08-30 Elektronisches Bauteil mit Wärmesenke und Verfahren zu seiner Herstellung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10042839A DE10042839B4 (de) 2000-08-30 2000-08-30 Elektronisches Bauteil mit Wärmesenke und Verfahren zu seiner Herstellung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10042839A1 true DE10042839A1 (de) 2002-04-04
DE10042839B4 DE10042839B4 (de) 2009-01-29

Family

ID=7654464

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10042839A Expired - Fee Related DE10042839B4 (de) 2000-08-30 2000-08-30 Elektronisches Bauteil mit Wärmesenke und Verfahren zu seiner Herstellung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE10042839B4 (de)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004021838A1 (de) * 2004-05-04 2005-09-08 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit Kühlvorrichtung
GB2446839A (en) * 2007-02-22 2008-08-27 Ruey-Feng Tai Semiconductor heat transfer method
US8106497B2 (en) 2006-01-12 2012-01-31 Infineon Technologies Ag Semiconductor module having a semiconductor chip stack and method
DE102004054996B4 (de) * 2003-12-06 2013-07-18 Schaeffler Technologies AG & Co. KG Elektronisches Gerät
DE102014113498A1 (de) * 2014-09-18 2016-03-24 Infineon Technologies Ag Stromstärkesensor mit einem Messwiderstand in einer Umverteilungsschicht
US11598904B2 (en) 2018-12-11 2023-03-07 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module and method for producing a power semiconductor module

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE8914493U1 (de) * 1989-12-08 1990-05-17 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Leistungsbaugruppe
DE4222838A1 (de) * 1991-09-21 1993-03-25 Bosch Gmbh Robert Elektrisches geraet, insbesondere schalt- und steuergeraet fuer kraftfahrzeuge
DE4238417A1 (de) * 1991-11-14 1993-05-19 Mitsubishi Electric Corp
JPH08116012A (ja) * 1994-10-18 1996-05-07 Dainippon Printing Co Ltd 放熱板とそれを用いたリードフレーム部材及び樹脂封止型半導体装置、および放熱板の製造方法
DE19530577A1 (de) * 1995-08-19 1997-02-20 Daimler Benz Ag Gehäuse für Bauelemente der Mikroelektronik und Verfahren zu seiner Herstellung
DE19625240A1 (de) * 1995-10-26 1997-04-30 Mitsubishi Electric Corp Halbleitervorrichtung
DE19821715A1 (de) * 1997-05-17 1999-01-28 Hyundai Electronics Ind Gehäuse mit einem Schaltkreisbauelement

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE8914493U1 (de) * 1989-12-08 1990-05-17 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Leistungsbaugruppe
DE4222838A1 (de) * 1991-09-21 1993-03-25 Bosch Gmbh Robert Elektrisches geraet, insbesondere schalt- und steuergeraet fuer kraftfahrzeuge
DE4238417A1 (de) * 1991-11-14 1993-05-19 Mitsubishi Electric Corp
JPH08116012A (ja) * 1994-10-18 1996-05-07 Dainippon Printing Co Ltd 放熱板とそれを用いたリードフレーム部材及び樹脂封止型半導体装置、および放熱板の製造方法
DE19530577A1 (de) * 1995-08-19 1997-02-20 Daimler Benz Ag Gehäuse für Bauelemente der Mikroelektronik und Verfahren zu seiner Herstellung
DE19625240A1 (de) * 1995-10-26 1997-04-30 Mitsubishi Electric Corp Halbleitervorrichtung
DE19821715A1 (de) * 1997-05-17 1999-01-28 Hyundai Electronics Ind Gehäuse mit einem Schaltkreisbauelement

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004054996B4 (de) * 2003-12-06 2013-07-18 Schaeffler Technologies AG & Co. KG Elektronisches Gerät
DE102004021838A1 (de) * 2004-05-04 2005-09-08 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit Kühlvorrichtung
US8106497B2 (en) 2006-01-12 2012-01-31 Infineon Technologies Ag Semiconductor module having a semiconductor chip stack and method
US8587110B2 (en) 2006-01-12 2013-11-19 Infineon Technologies Ag Semiconductor module having a semiconductor chip stack and method
GB2446839A (en) * 2007-02-22 2008-08-27 Ruey-Feng Tai Semiconductor heat transfer method
DE102014113498A1 (de) * 2014-09-18 2016-03-24 Infineon Technologies Ag Stromstärkesensor mit einem Messwiderstand in einer Umverteilungsschicht
DE102014113498B4 (de) 2014-09-18 2019-03-28 Infineon Technologies Ag Stromstärkesensor mit einem Messwiderstand in einer Umverteilungsschicht
US10295570B2 (en) 2014-09-18 2019-05-21 Infineon Technologies Ag Current sensor device having a sense resistor in a re-distribution layer
US11598904B2 (en) 2018-12-11 2023-03-07 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module and method for producing a power semiconductor module

Also Published As

Publication number Publication date
DE10042839B4 (de) 2009-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102010016566B4 (de) Halbleiterbaustein mit mehreren Chips und Substrat in einer Metallkappe sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbausteins
DE68920767T2 (de) Halbleiterpackung.
EP1652232B1 (de) Multichip-Schaltungsmodul und Verfahren zur Herstellung hierzu
DE19821715B4 (de) Gepacktes integriertes Schaltkreisbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10138278C1 (de) Elektronisches Bauteil mit aufeinander gestapelten elektronischen Bauelementen und Verfahren zur Herstellung derselben
DE19601372B4 (de) Halbleitermodul
DE4017697C2 (de) Elektronisches Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und Verwendung
DE10033977B4 (de) Zwischenverbindungsstruktur zum Einsatz von Halbleiterchips auf Schichtträgern
DE102009046858B3 (de) Leistungshalbleitermodul und Verfahren zum Betrieb eines Leistungshalbleitermoduls
DE102011084803A1 (de) Leistungshalbleitervorrichtung
DE102010000407B4 (de) Halbleiter-Package mit einem aus Metallschichten bestehenden Band und Verfahren zum Herstellen eines derartigen Halbleiter-Package
DE102010003533B4 (de) Substratanordnung, Verfahren zur Herstellung einer Substratanordnung, Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitermodulanordnung
DE4418426A1 (de) Halbleiterleistungsmodul und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterleistungsmoduls
DE102019130778A1 (de) Ein Package, welches ein Chip Kontaktelement aus zwei verschiedenen elektrisch leitfähigen Materialien aufweist
EP1525619A1 (de) Oberflächenmontierbares halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung
DE102021100717A1 (de) Package mit eingekapselter elektronischer Komponente zwischen einem Laminat und einem thermisch leitfähigen Träger
DE10232788B4 (de) Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip auf einem Systemträger, Systemträger und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils
EP1595287B1 (de) Elektronisches bauteil mit halbleiterchip und verfahren zur herstellung desselben
DE10010461A1 (de) Vorrichtung zum Verpacken elektronischer Bauteile mittels Spritzgußtechnik
DE102011080299B4 (de) Verfahren, mit dem ein Schaltungsträger hergestellt wird, und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE10157362B4 (de) Leistungsmodul und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10042839A1 (de) Elektronisches Bauteil mit Wärmesenke und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102018115509A1 (de) Wärmedissipationsvorrichtung, Halbleiterpackagingsystem und Verfahren zum Herstellen derselben
DE19830158C2 (de) Zwischenträgersubstrat mit hoher Verdrahtungsdichte für elektronische Bauelemente
EP3053192B1 (de) Schaltungsvorrichtung und verfahren zu deren herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee