DE102010000407B4 - Halbleiter-Package mit einem aus Metallschichten bestehenden Band und Verfahren zum Herstellen eines derartigen Halbleiter-Package - Google Patents

Halbleiter-Package mit einem aus Metallschichten bestehenden Band und Verfahren zum Herstellen eines derartigen Halbleiter-Package Download PDF

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Abstract

Halbleiter-Package, umfassend: einen ersten Halbleiterchip, der ein erstes Bondpad aufweist, einen zweiten Halbleiterchip, der ein zweites Bondpad aufweist, ein elektrisches Verbindungsstückmittel, und ein aluminiumbeschichtetes Kupferbandmittel, das eine Aluminiumschicht und eine Kupferschicht enthält, wobei die Aluminiumschicht und die Kupferschicht miteinander verbunden sind, die Aluminiumschicht an das erste Bondpad geschweißt ist, die Kupferschicht das erste Bondpad überlappt und davon beabstandet ist und das elektrische Verbindungsstückmittel die Kupferschicht und das zweite Bondpad kontaktiert und von der Aluminiumschicht und dem ersten Bondpad beabstandet ist, wodurch die Bondpads unter Verwendung eines elektrisch leitenden Wegmittels, das die Aluminiumschicht, die Kupferschicht und das elektrische Verbindungsstückmittel enthält, elektrisch verbunden sind.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein ein Halbleiter-Package und insbesondere ein Halbleiter-Package, das mehrere Halbleiterchips und ein Band enthält. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Package.
  • Halbleiterchips enthalten Bondpads, die elektrisch mit einer externen Schaltungsanordnung verbunden sind, um als Teil eines Elektroniksystems zu fungieren. Die externe Schaltungsanordnung ist in der Regel ein Anschlussarray wie etwa ein Systemträger (bzw. Leadframe oder Leiterrahmen) oder ein Stützsubstrat wie etwa eine gedruckte Leiterplatte. Elektrische Verbindung zwischen dem Chip und der externen Schaltungsanordnung wird häufig durch Draht-Bonding, Tape-Automated-Bonding (TAB) oder Flip-Chip-Bonding erreicht. Beispielsweise enthalten bei dem Flip-Chip-Bonding Ball-Grid-Array-Packages (BGA) ein Array von Lötkugeln zum Montieren an entsprechenden Anschlüssen auf einer gedruckten Leiterplatte und Land-Grid-Array-Packages (LGA) enthalten ein Array von Metallpads, die entsprechende, auf entsprechenden Anschlüssen auf einer gedruckten Leiterplatte montierte Lötbahnen aufnehmen.
  • Halbleiter-Packages (bzw. Halbleiterverkapselungen oder Halbleitergehäuse) können mehrere Chips enthalten, die gestapelt sind, um eine kompakte hochdichte Struktur zu erhalten. Der obere Chip ist oftmals unter Verwendung von Lötkugeln auf dem unteren Chip oder eine Zwischenverbindungs-Metallisierung Flip-Chip-gebondet. Halbleiter-Packages können auch ein flexibles leitendes Band mit einer Aluminiumschicht enthalten, das unter Einsatz von Wedge-Bonden an den Chip und die Zuleitung geschweißt wird. Die Aluminiumschicht liefert eine hohe Strombelastbarkeit, einen niedrigen Ausbreitungswiderstand und zuverlässige Verbindungen. Die Aluminiumschicht liefert jedoch keine geeignete Zwischenverbindung für einen gestapelten oberen Chip, da der Wedge-Bond eine raue unebene obere Oberfläche mit scharfen Spitzen und Tälern aufweist, die Lotaufschmelzen nicht aufnimmt. Folglich würde der obere Chip unter Verwendung einer Lötkugel an den Band angebracht werden, die eine Verbindung mit der Aluminiumschicht mit schlechter Zuverlässigkeit herstellt.
  • Halbleiter-Packages mit mehreren Halbleiterchips, die durch ein flexibles Band elektrisch miteinander verbunden sind, und entsprechende Herstellungsverfahren sind aus den Schriften US 5 438 224 A , US 2007/0 222 087 A1 , US 2005/0 269 694 A1 und DE 10 2006 060 899 A1 bekannt.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Halbleiter-Package zu schaffen, das mehrere Chips enthält, die auf zuverlässige und preiswerte Weise an einem Band angebracht sind. Ferner soll ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleiter-Package angegeben werden.
  • Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabenstellung wird durch die Merkmale der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Die vorliegende Erfindung liefert ein Halbleiter-Package, das einen ersten Halbleiterchip, einen zweiten Halbleiterchip und ein Band enthält. Das Band enthält eine erste Metallschicht und eine zweite Metallschicht. Die erste Metallschicht ist an den ersten Chip geschweißt und die zweite Metallschicht ist an dem zweiten Chip angebracht.
  • Die vorliegende Erfindung stellt auch ein Verfahren bereit zum Herstellen eines Halbleiter-Package, das Folgendes beinhaltet: Bereitstellen eines ersten Halbleiterchips, Bereitstellen eines zweiten Halbleiterchips, Bereitstellen eines Bands, das eine erste Metallschicht und eine zweite Metallschicht enthält, dann Schweißen der ersten Metallschicht an den ersten Chip und Anbringen der zweiten Metallschicht an dem zweiten Chip.
  • Diese und weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden deutlicher aus der ausführlichen Beschreibung, die folgt.
  • Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden nun unter Bezugnahme auf die Zeichnungen eingehender beschrieben. Es zeigen:
  • 1 eine Querschnittsansicht eines Halbleiter-Package gemäß einem erläuternden Beispiel;
  • 2A–2C Querschnittsansichten eines Verfahrens zum Herstellen des Halbleiter-Package von 1;
  • 3 eine Querschnittsansicht eines Halbleiter-Package gemäß einer ersten Ausführungsform;
  • 4A–4E Querschnittsansichten eines Verfahrens zum Herstellen des Halbleiter-Package von 3;
  • 5 eine Querschnittsansicht eines Halbleiter-Package gemäß einer zweiten Ausführungsform;
  • 6A–6E Querschnittsansichten eines Verfahrens zum Herstellen des Halbleiter-Package von 5;
  • 7 eine Querschnittsansicht eines Halbleiter-Package gemäß einer dritten Ausführungsform;
  • 8A–8F Querschnittsansichten eines Verfahrens zum Herstellen des Halbleiter-Package von 7;
  • 9 eine Querschnittsansicht eines Halbleiter-Package gemäß einer vierten Ausführungsform; und
  • 10A–10F Querschnittsansichten eines Verfahrens zum Herstellen des Halbleiter-Package von 9.
  • In der folgenden Beschreibung werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben. Für den Fachmann sollte es jedoch offensichtlich sein, dass die vorliegende Erfindung ohne solche Details praktiziert werden kann. Einige der Details werden nicht ausführlich beschrieben, um die vorliegende Erfindung nicht zu verdunkeln.
  • 1 ist eine Querschnittsansicht eines Halbleiter-Package 100 gemäß einem erläuternden Beispiel. Das Halbleiter-Package 100 enthält einen ersten Halbleiterchip 102, einen zweiten Halbleiterchip 104 und ein Band 106. Das Band 106 enthält eine erste Metallschicht 108 und eine zweite Metallschicht 110. Die erste Metallschicht 108 ist an den ersten Chip 102 geschweißt und die zweite Metallschicht 110 ist am zweiten Chip 104 angebracht.
  • Die 2A–2C sind Querschnittsansichten eines Verfahrens zum Herstellen des Halbleiter-Package 100. In 2A ist der erste Chip 102 bereitgestellt. In 2B ist das Band 106 an der ersten Metallschicht 108 an den ersten Chip 102 geschweißt. In 2C ist das Band 106 an der zweiten Metallschicht 110 am zweiten Chip 104 angebracht.
  • 3 ist eine Querschnittsansicht eines Halbleiter-Package 200 gemäß einer ersten Ausführungsform. Das Halbleiter-Package 200 enthält einen ersten Chip 202, einen zweiten Chip 204, ein Band 206, ein Die-Pad (bzw. Chipträger) 212, ein elektrisches Verbindungsstück 214, eine Zuleitung (bzw. Lead) 216 und ein Kapselungsmittel 218. Der erste Chip 202 enthält ein erstes Bondpad (bzw. Bondfläche oder Drahtkontaktfläche) 220, der zweite Chip 204 enthält ein zweites Bondpad 222 und das Band 206 enthält eine erste Metallschicht 208 und eine zweite Metallschicht 210.
  • Der erste Chip 202 ist ein unterer Chip, der durch einen nicht gezeigten dünnen Kleber an dem Die-Pad 212 montiert ist, der zweite Chip 204 ist ein oberer Chip, der invertiert und auf den ersten Chip 202 gestapelt ist, und das zweite Bondpad 222 überlappt das erste Bondpad 220 und ist vertikal darauf ausgerichtet.
  • Das Band 206 ist ein flexibles leitendes aluminiumbeschichtetes Kupferband mit einer hohen Strombelastbarkeit und einem niedrigen Ausbreitungswiderstand. Die erste Metallschicht 208 ist eine Aluminiumschicht mit einer Dicke von 2 mm, und die zweite Metallschicht 210 ist eine Kupferschicht mit einer Dicke von 0,7 mm. Die erste Metallschicht 208 und die zweite Metallschicht 210 werden durch Hochdruckwalzen einer Kupferfolie auf einen Aluminiumstreifen und Tempern des Verbunds miteinander verbunden, um eine Mischkristall-Schweißstelle auszubilden.
  • Die erste Metallschicht 208 wird durch einen Wedge-Bond an das erste Bondpad 220 geschweißt und durch einen anderen Wedge-Bond an die Zuleitung 216 geschweißt, und die zweite Metallschicht 210 wird durch das elektrische Verbindungsstück 214 an dem zweiten Bondpad 222 angebracht.
  • Der Wedge-Bond am ersten Bondpad 220 wird unter Verwendung von Ultraschallbonden unter erheblicher Druckkraft und Schwingungen ausgebildet. Der Wedge-Bond würde eine raue, unebene obere Oberfläche mit scharfen Spitzen und Tälern erzeugen, wenn die Aluminiumschicht die obere Oberfläche bilden würde (d. h. bei Abwesenheit der Kupferschicht), da das Wedge-Bonding-Werkzeug die Aluminiumschicht kontaktieren würde. Diese raue, unebene obere Oberfläche würde eine schlechte Grenzfläche für das Lotaufschmelzen erzeugen. Insbesondere würde der größte Teil des Lots oder alles Lot die Täler füllen, und das verbleibende Lot (falls überhaupt) über den Spitzen würde dünn, brüchig und rissanfällig sein. Da die Kupferschicht über der Aluminiumschicht liegt, kontaktiert vorteilhafterweise das Wedge-Bonding-Werkzeug die Kupferschicht und nicht die Aluminiumschicht, und die Kupferschicht absorbiert Stress und behält aufgrund ihrer robusten metallurgischen Eigenschaften eine relativ flache ebene obere Oberfläche bei.
  • Das elektrische Verbindungsstück 214 ist eine Lötkugel, die den zweiten Chip 204 und das Band 206 kontaktiert und dazwischengeschichtet ist. Die erste Metallschicht 208 kontaktiert die zweite Metallschicht 210 und das erste Bondpad 220 und ist dazwischengeschichtet und verbindet diese elektrisch, ist von dem zweiten Chip 204 und dem elektrischen Verbindungsstück 214 beabstandet und überlappt das erste Bondpad 220. Die zweite Metallschicht 210 kontaktiert die erste Metallschicht 208 und das elektrische Verbindungsstück 214 und ist dazwischengeschichtet und verbindet diese elektrisch, ist von den Chips 202 und 204 beabstandet und überlappt die erste Metallschicht 208 und das erste Bondpad 220. Das elektrische Verbindungsstück 214 kontaktiert die zweite Metallschicht 210 und das zweite Bondpad 222 und ist dazwischengeschichtet und verbindet diese elektrisch, ist von dem ersten Chip 202 und der ersten Metallschicht 208 beabstandet und überlappt die Metallschichten 208 und 210 und das erste Bondpad 220.
  • Die Bondpads 220 und 222 sind durch einen elektrisch leitenden Weg, der aus den Metallschichten 208 und 210 und dem elektrischen Verbindungsstück 214 besteht und diese erfordert, elektrisch miteinander verbunden. Weiterhin ist das erste Bondpad 220 durch einen elektrisch leitenden Weg, der durch die Metallschichten 208 und 210 bereitgestellt wird, elektrisch mit der Zuleitung 216 verbunden, und das zweite Bondpad 222 ist durch einen elektrisch leitenden Weg, der durch die Metallschichten 208 und 210 und das elektrische Verbindungsstück 214 bereitgestellt wird, elektrisch mit der Zuleitung 216 verbunden.
  • Die Zuleitung 216 ist von den Chips 202 und 204 beabstandet, steht von dem Kapselungsmittel 218 vor und liefert eine elektrische Leitung von Strom zwischen den Bondpads 220 und 222 und der externen Schaltungsanordnung während des Betriebs der Chips 202 und 204.
  • Das Kapselungsmittel 218 ist ein elektrisch isolierender und wärmeleitender geformter Kunststoff, der die Chips 202 und 204, das Band 206, das Die-Pad 212 und das elektrische Verbindungsstück 214 kontaktiert und schützt.
  • Bei der ersten Metallschicht 208 und der zweiten Metallschicht 210 kann es sich um verschiedene leitende Metalle handeln, die gut mit dem ersten Chip 202 bzw. dem elektrischen Verbindungsstück 214 koppeln. Gleichermaßen kann es sich bei dem elektrischen Verbindungsstück 214 um verschiedene leitende Materialien wie etwa Lot, Lotdraht und leitenden Kleber handeln, die gut mit dem zweiten Chip 204 und der zweiten Metallschicht 210 koppeln. Zusätzlich kann eine dünne Goldschicht auf der zweiten Metallschicht 210 anschlagbeschichtet sein, um die Lotbenetzbarkeit zu verbessern, wenn beispielsweise die zweite Metallschicht 210 Kupfer ist und das elektrische Verbindungsstück 214 Lot ist, wobei in dem Fall die Lötverbindung das dazwischenliegende Gold während der Lotaufschmelzoperation absorbieren und die Kupferschicht kontaktieren würde.
  • Die 4A–4E sind Querschnittsansichten eines Verfahrens zum Herstellen des Halbleiter-Package 200. In 4A ist der erste Chip 202 auf dem Die-Pad 212 montiert. In 4B ist die erste Metallschicht 208 unter Verwendung von Ultraschallbonden an das erste Bondpad 220 wedgegebondet. In 4C ist die erste Metallschicht 208 unter Verwendung von Ultraschallbonden an die Zuleitung 216 wedgegebondet. In 4D ist die zweite Metallschicht 210 durch das elektrische Verbindungsstück 214 an das zweite Bondpad 222 gelötet, wodurch der zweite Chip 204 mechanisch an dem Band 206 angebracht und mit ihm elektrisch verbunden wird und der zweite Chip 204 derart auf dem Band 206 montiert wird, dass der zweite Chip 204 auf dem ersten Chip 202 gestapelt ist. Anfänglich wird ein Lötbump (bzw. Lötabscheidung oder Lothügel) an dem zweiten Bondpad 222 angebracht. Danach wird der zweite Chip 204 invertiert und derart auf dem Band 206 platziert, dass der Lötbump die zweite Metallschicht 210 und das zweite Bondpad 222 kontaktiert und dazwischengeschichtet wird. Der Lötbump wird dann während einer Lotaufschmelzoperation erhitzt, aufgeschmolzen und gehärtet, um das elektrische Verbindungsstück 214 als eine Lotkugel bereitzustellen, die die zweite Metallschicht 210 und das zweite Bondpad 222 kontaktiert und dazwischengeschichtet ist. In 4E wird das Kapselungsmittel 218 durch Spritzpressen auf den Chips 202 und 204, dem Band 206, dem Die-Pad 212, dem elektrischen Verbindungsstück 214 und der Zuleitung 216 ausgebildet.
  • 5 ist eine Querschnittsansicht eines Halbleiter-Package 300 gemäß einer zweiten Ausführungsform. Das Halbleiter-Package 300 enthält einen ersten Chip 302, einen zweiten Chip 304, ein Band 306, ein Die-Pad 312, ein elektrisches Verbindungsstück 314, eine Zuleitung 316 und ein Kapselungsmittel 318. Der erste Chip 302 enthält ein erstes Bondpad 320, der zweite Chip 304 enthält ein zweites Bondpad 322 und das Band 306 enthält eine erste Metallschicht 308 und eine zweite Metallschicht 310.
  • Das Halbleiter-Package 300 ist allgemein ähnlich dem Halbleiter-Package 200, außer dass die Chips 302 und 304 seitlich gegeneinander versetzt sind und das Band 306 an dem Die-Pad 312 angebracht ist.
  • Die 6A–6E sind Querschnittsansichten eines Verfahrens zum Herstellen des Halbleiter-Package 300. In 6A ist der erste Chip 302 auf dem Die-Pad 312 montiert. In 6B ist die erste Metallschicht 308 unter Verwendung von Ultraschallbonden an das erste Bondpad 320 wedgebondet. In 6C ist die erste Metallschicht 308 unter Verwendung von Ultraschallbonden an das Die-Pad 312 und die Zuleitung 316 wedgegebondet. In 6D ist die zweite Metallschicht 310 durch das elektrische Verbindungsstück 314 an das zweite Bondpad 322 gelötet. In 6E ist durch Spritzpressen das Kapselungsmittel 318 auf den Chips 302 und 304, dem Band 306, dem Die-Pad 312, dem elektrischen Verbindungsstück 314 und der Zuleitung 316 ausgebildet.
  • 7 ist eine Querschnittsansicht eines Halbleiter-Package 400 gemäß einer dritten Ausführungsform. Das Halbleiter-Package 400 enthält einen ersten Chip 402, einen zweiten Chip 404, ein Band 406, ein Die-Pad 412, ein elektrisches Verbindungsstück 414, eine Zuleitung 416, ein Kapselungsmittel 418 und einen Drahtbond 424. Der erste Chip 402 enthält ein erstes Bondpad 420, der zweite Chip 404 enthält ein zweites Bondpad 422 und das Band 406 enthält eine erste Metallschicht 408 und eine zweite Metallschicht 410.
  • Das Halbleiter-Package 400 ist allgemein ähnlich dem Halbleiter-Package 200, außer dass die Chips 402 und 404 seitlich gegeneinander versetzt sind, der zweite Chip 404 nicht invertiert ist, das Band 406 an dem Die-Pad 412 angebracht ist, das elektrische Verbindungsstück 414 die Rückseite des zweiten Chips 404 und die zweite Metallschicht 410 kontaktiert und dazwischengeschichtet ist und das zweite Bondpad 422 durch einen Drahtbond 424 elektrisch mit der Zuleitung 416 verbunden ist.
  • Die 8A–8F sind Querschnittsansichten eines Verfahrens zum Herstellen des Halbleiter-Package 400. In 8A ist der erste Chip 402 auf dem Die-Pad 412 montiert. In 8B ist die erste Metallschicht 408 unter Verwendung von Ultraschallbonden an das erste Bondpad 420 wedgebondet. In 8C ist die erste Metallschicht 408 unter Verwendung von Ultraschallbonden an das Die-Pad 412 und die Zuleitung 416 wedgegebondet. In 8D ist die zweite Metallschicht 410 durch das elektrische Verbindungsstück 414 an dem zweiten Chip 404 angebracht. Anfänglich wird ungehärtetes Epoxid auf der zweiten Metallschicht 410 abgeschieden. Danach wird der zweite Chip 404 derart auf dem ungehärteten Epoxid platziert, dass das ungehärtete Epoxid den zweiten Chip 404 und die zweite Metallschicht 410 kontaktiert und dazwischengeschichtet ist. Das ungehärtete Epoxid wird dann erhitzt, gehärtet und ausgehärtet, um das elektrische Verbindungsstück 414 als elektrisch leitenden und wärmeleitenden Kleber bereitzustellen, der den zweiten Chip 404 und die zweite Metallschicht 410 kontaktiert und dazwischengeschichtet ist. In 8E ist das zweite Bondpad 422 durch den Drahtbond 424 elektrisch mit der Zuleitung 416 verbunden. In 8F ist durch Spritzpressen das Kapselungsmittel 418 auf den Chips 402 und 404, dem Band 406, dem Die-Pad 412, dem elektrischen Verbindungsstück 414, der Zuleitung 416 und dem Drahtbond 424 ausgebildet.
  • 9 ist eine Querschnittsansicht eines Halbleiter-Package 500 gemäß einer vierten Ausführungsform. Das Halbleiter-Package 500 enthält einen ersten Chip 502, einen zweiten Chip 504, ein Band 506, ein Die-Pad 512, ein thermisches Verbindungsstück 514, eine Zuleitung 516, ein Kapselungsmittel 518 und einen Drahtbond 524. Der erste Chip 502 enthält ein erstes Bondpad 520, der zweite Chip 504 enthält ein zweites Bondpad 522 und das Band 506 enthält eine erste Metallschicht 508 und eine zweite Metallschicht 510.
  • Das Halbleiter-Package 500 ist allgemein ähnlich dem Halbleiter-Package 200, außer dass die Chips 502 und 504 seitlich gegeneinander versetzt sind, der zweite Chip 504 nicht invertiert ist, das Band 506 an dem Die-Pad 512 angebracht ist, das thermische Verbindungsstück 514 die Rückseite des zweiten Chips 504 und die zweite Metallschicht 510 kontaktiert und dazwischengeschichtet ist und elektrisch isolierend ist, und das zweite Bondpad 522 durch einen Drahtbond 524 elektrisch mit der Zuleitung 516 verbunden ist.
  • Die 10A–10F sind Querschnittsansichten eines Verfahrens zum Herstellen des Halbleiter-Package 500. In 10A ist der erste Chip 502 auf dem Die-Pad 512 montiert. In 10B ist die erste Metallschicht 508 unter Verwendung von Ultraschallbonden an das erste Bondpad 520 wedgegebondet. In 10C ist die erste Metallschicht 508 unter Verwendung von Ultraschallbonden an das Die-Pad 512 und die Zuleitung 516 wedgegebondet. In 10D ist die zweite Metallschicht 510 durch das thermische Verbindungsstück 514 an dem zweiten Chip 504 angebracht. Anfänglich wird ungehärtetes Epoxid auf der zweiten Metallschicht 510 abgeschieden. Danach wird der zweite Chip 504 derart auf dem ungehärteten Epoxid platziert, dass das ungehärtete Epoxid den zweiten Chip 504 und die zweite Metallschicht 510 kontaktiert und dazwischengeschichtet ist. Das ungehärtete Epoxid wird dann erhitzt, gehärtet und ausgehärtet, um das thermische Verbindungsstück 514 als elektrisch isolierenden und wärmeleitenden Kleber bereitzustellen, der den zweiten Chip 504 und die zweite Metallschicht 510 kontaktiert und dazwischengeschichtet ist. In 10E ist das zweite Bondpad 522 durch den Drahtbond 524 elektrisch mit der Zuleitung 516 verbunden. In 10F ist durch Spritzpressen das Kapselungsmittel 518 auf den Chips 502 und 504, dem Band 506, dem Die-Pad 512, dem thermisches Verbindungsstück 514, der Zuleitung 516 und dem Drahtbond 524 ausgebildet.

Claims (11)

  1. Halbleiter-Package, umfassend: einen ersten Halbleiterchip, der ein erstes Bondpad aufweist, einen zweiten Halbleiterchip, der ein zweites Bondpad aufweist, ein elektrisches Verbindungsstückmittel, und ein aluminiumbeschichtetes Kupferbandmittel, das eine Aluminiumschicht und eine Kupferschicht enthält, wobei die Aluminiumschicht und die Kupferschicht miteinander verbunden sind, die Aluminiumschicht an das erste Bondpad geschweißt ist, die Kupferschicht das erste Bondpad überlappt und davon beabstandet ist und das elektrische Verbindungsstückmittel die Kupferschicht und das zweite Bondpad kontaktiert und von der Aluminiumschicht und dem ersten Bondpad beabstandet ist, wodurch die Bondpads unter Verwendung eines elektrisch leitenden Wegmittels, das die Aluminiumschicht, die Kupferschicht und das elektrische Verbindungsstückmittel enthält, elektrisch verbunden sind.
  2. Halbleiter-Package nach Anspruch 1, wobei das elektrische Verbindungsstückmittel Lot oder Kleber ist.
  3. Halbleiter-Package nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Aluminiumschicht die Kupferschicht und das erste Bondpad kontaktiert und dazwischengeschichtet ist, die Kupferschicht das elektrische Verbindungsstückmittel und die Aluminiumschicht kontaktiert und dazwischengeschichtet ist, und das elektrische Verbindungsstückmittel die Kupferschicht und das zweite Bondpad kontaktiert und dazwischengeschichtet ist.
  4. Halbleiter-Package nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das elektrisch leitende Wegmittel aus der Aluminiumschicht, der Kupferschicht und dem elektrischen Verbindungsstückmittel besteht.
  5. Halbleiter-Package nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der zweite Chip auf den ersten Chip gestapelt ist und das zweite Bondpad das erste Bondpad überlappt.
  6. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Package, umfassend: Bereitstellen eines ersten Halbleiterchips, der ein erstes Bondpad aufweist; Bereitstellen eines zweiten Halbleiterchips, der ein zweites Bondpad aufweist; Bereitstellen eines Bands, das eine erste Metallschicht aus Aluminium und eine zweite Metallschicht aus Kupfer enthält, wobei die erste Metallschicht und die zweite Metallschicht miteinander verbunden sind; Schweißen der ersten Metallschicht an das erste Bondpad; und Anbringen der zweiten Metallschicht an dem zweiten Bondpad, wobei die zweite Metallschicht das erste Bondpad überlappt und davon beabstandet ist und ein elektrisches Verbindungsstück die zweite Metallschicht und das zweite Bondpad kontaktiert und von der ersten Metallschicht und dem ersten Bondpad beabstandet ist, wodurch die Bondpads unter Verwendung eines elektrisch leitenden Wegmittels, das die erste Metallschicht, die zweite Metallschicht und das elektrische Verbindungsstück enthält, elektrisch verbunden sind.
  7. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Package, umfassend: Bereitstellen eines ersten Halbleiterchips, der ein erstes Bondpad aufweist; Bereitstellen eines zweiten Halbleiterchips, der ein zweites Bondpad aufweist; Bereitstellen eines aluminiumbeschichteten Kupferbands, das eine Aluminiumschicht und eine Kupferschicht aufweist, die miteinander verbunden sind; Wedgebonden der Aluminiumschicht an das erste Bondpad unter Verwendung von Ultraschallbonden; Montieren des zweiten Chips auf dem Band, so dass ein leitendes Material zwischen der Kupferschicht und dem zweiten Bondpad angeordnet ist; Aushärten des leitenden Materials nach dem Anordnen des leitenden Materials zwischen der Kupferschicht und dem zweiten Bondpad, um ein elektrisches Verbindungsstück bereitzustellen, das die Kupferschicht und das zweite Bondpad kontaktiert und dazwischengeschichtet ist und daran haftet, wodurch der zweite Chip mechanisch an dem Band angebracht wird; elektrisches Verbinden der Bondpads unter Verwendung der Aluminiumschicht, der Kupferschicht und des elektrischen Verbindungsstücks; und dann Bereitstellen eines Kapselungsmittels, das die Chips, das Band und das elektrische Verbindungsstück kontaktiert und schützt.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, wobei der zweite Chip auf dem Band montiert wird, so dass der zweite Chip auf den ersten Chip gestapelt ist und das zweite Bondpad das erste Bondpad überlappt.
  9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, mit dem Anordnen eines Lötbump auf dem zweiten Bondpad, dann Montieren des zweiten Chips auf dem Band, so dass der Lötbump das zweite Bondpad und das Band kontaktiert und dazwischengeschichtet ist, und dann Aufschmelzen des Lötbump, um das elektrische Verbindungsstück bereitzustellen, das die Kupferschicht und das zweite Bondpad kontaktiert und dazwischengeschichtet ist.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, mit dem Wedgebonden der Aluminiumschicht an eine Zuleitung, die von den Chips beabstandet ist und eine elektrische Leitung von Strom zwischen den Bondpads und einer externen Schaltungsanordnung während des Betriebs der Chips liefert, und dann dem Bereitstellen des Kapselungsmittels.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 10, mit dem elektrischen Verbinden der Bondpads unter Verwendung nur der Aluminiumschicht, der Kupferschicht und des elektrischen Verbindungsstücks.
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