DE19905220B4 - Multichipanordnung - Google Patents
Multichipanordnung Download PDFInfo
- Publication number
- DE19905220B4 DE19905220B4 DE19905220A DE19905220A DE19905220B4 DE 19905220 B4 DE19905220 B4 DE 19905220B4 DE 19905220 A DE19905220 A DE 19905220A DE 19905220 A DE19905220 A DE 19905220A DE 19905220 B4 DE19905220 B4 DE 19905220B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- chip
- intermediate carrier
- arrangement according
- chips
- multichip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73257—Bump and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/818—Bonding techniques
- H01L2224/81801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/0651—Wire or wire-like electrical connections from device to substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06513—Bump or bump-like direct electrical connections between devices, e.g. flip-chip connection, solder bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06582—Housing for the assembly, e.g. chip scale package [CSP]
- H01L2225/06586—Housing with external bump or bump-like connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
Multichipanordnung
auf einem Zwischenträger
zur Montage auf beliebigen Trägerelementen oder
zur Verbindung mit anderen Komponenten mittels einer Freiverdrahtung,
wobei auf dem Zwischenträger
ein Stapel von mindestens zwei miteinander verbunden Halbleiterchips
mit abnehmender Größe angeordnet
ist,
– wobei das unterste Halbleiterchip mit der Vorderseite nach oben unmittelbar, oder durch eine Klebstoffschicht verbunden, auf dem Zwischenträger (4) befestigt ist,
– wobei wenigstens vom unteren der übereinander gestapelten Halbleiterchips Drahtbrücken (7) zum Zwischenträger (4) gezogen sind,
– wobei der oberste Halbleiterchip mit Hilfe der Polymer Flip-Chip Technologie auf dem darunter befindlichen Chip befestigt und mit diesem mittels Polymer-Bumps kontaktiert ist;
– wobei von dem darunter befindlichen Halbleiterchip Drahtbrücken (7) zum Zwischenträger (4) gezogen sind; und
– wobei zwischen den Chips und zwischen den Polymer-Bumps eine elektrisch isolierende Zwischenschicht (10) eingefügt ist.
– wobei das unterste Halbleiterchip mit der Vorderseite nach oben unmittelbar, oder durch eine Klebstoffschicht verbunden, auf dem Zwischenträger (4) befestigt ist,
– wobei wenigstens vom unteren der übereinander gestapelten Halbleiterchips Drahtbrücken (7) zum Zwischenträger (4) gezogen sind,
– wobei der oberste Halbleiterchip mit Hilfe der Polymer Flip-Chip Technologie auf dem darunter befindlichen Chip befestigt und mit diesem mittels Polymer-Bumps kontaktiert ist;
– wobei von dem darunter befindlichen Halbleiterchip Drahtbrücken (7) zum Zwischenträger (4) gezogen sind; und
– wobei zwischen den Chips und zwischen den Polymer-Bumps eine elektrisch isolierende Zwischenschicht (10) eingefügt ist.
Description
- Die Erfindung betrifft eine Multichipanordnung auf einem Zwischenträger zur Montage auf beliebigen Trägerelementen, oder zur Verbindung mit anderen Komponenten mittels einer Freiverdrahtung mit anderen Komponenten verbindbar ist.
- Um möglichst große Packungsdichten von Halbleiterbauelementen auf Leiterplatten o. dgl. erreichen zu können, wird versucht, die Chips in möglichst kleinen Gehäusen bzw. Häusungen unterzubringen, da es in der Regel nicht möglich ist, die Chips direkt auf Leiterplatten zu kontaktieren. Aus diesem Grund ist es erforderlich, das Halbleiterchip zunächst auf einem Zwischenträger (auch als Interposer bezeichnet) zu montieren und die Bondpads auf dem Halbleiterchip mit den Kontakten auf dem Zwischenträger elektrisch zu verbinden. Das erfolgt üblicherweise durch das Ziehen von Drahtbrücken mittels bekannter Drahtbondverfahren.
- Eine andere Technologie zur Montage von Halbleiterchips ist die so genannte Flip-Chip-Technologie. Hierbei werden die mit Kontakthügeln zur elektrischen Kontaktierung versehenen Chips Face Down mit einem Zwischenträger verbunden, wobei zunächst die erforderliche elektrische Verbindung hergestellt wird. Anschließend daran wird zwischen das Chip und den Zwischenträger ein geeigneter Underfill eingebracht, um eine ausreichend feste mechanische Verbindung zwischen dem Chip und dem Zwischenträger herzustellen.
- Die Zwischenträger können dann unmittelbar oder mittelbar auf Leiterplatten oder anderen Trägerelementen montiert und elektrisch mit diesen verbunden werden. Hierzu sind auf dem Zwischenträger, d. h. auf der der Chipmontageseite gegenüber liegenden Seite, so genannte Mikro-Ball-Arrays angeordnet, die aus lötfähigem Material bestehen und über entsprechend angeordneten Lötpunkten auf der Leiterplatte zu positionieren sind. Die Kontaktierung, d. h. die elektrische und mechanische Verbindung mit der Leiterplatte erfolgt anschließend wie üblich unter Wärmezufuhr.
- Selbstverständlich können die Zwischenträger mit den montierten Chips für bestimmte Anwendungsfälle auch mit einer Freiverdrahtung versehen werden, indem die erforderlichen Anschlussdrähte direkt an den entsprechenden Lötpunkten am Zwischenträger befestigt werden. So können mit der Freiverdrahtung beispielsweise Messwertgeber angeschlossen werden.
- Ein besonders geringer Platzbedarf kann erreicht werden, wenn die Halbleiterchips mit Hilfe des CSP (Chip Size Packaging) verpackt werden. In diesem Fall entspricht der Flächenbedarf des verpackten Halbleiterchips etwa dessen Ausgangsgröße.
- Besteht nun der Bedarf, möglichst viele CSP-Bauelemente auf einer Leiterplatte unterzubringen, so ist die maximale Anzahl dieser Bauelemente auf der vorgegebenen Fläche vom Flächenbedarf des verpackten Halbleiterchips und von der Anordnung der notwendigen Leitbahnen (Layout) auf der Leiterplatte abhängig.
- Aus der
JP 07 326 710 A - Der untere Chip kann zur Verstärkung mit einem Haftvermittler, der den Chip umgibt, auf dem Zwischenträger befestigt sein. Der obere Chip ist über Drahtbrücken mit dem Zwischenträger elektrisch verbunden.
- Die gesamte Anordnung ist mit einer Vergussmasse vergossen.
- Die
JP 05 047 998 A - Die
JP 07 249 732 A - Bei diesen Anordnungen können mehr als zwei Chips nicht gestapelt werden.
- Weiterhin geht aus der
JP 08 288 455 A - Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Multichipanordnung zu schaffen, mit der eine erhebliche Vergrößerung der Packungsdichte erreicht werden kann.
- Erreicht wird das durch eine Multichipanordnung auf einem Zwischenträger zur Montage auf beliebigen Trägerelementen oder zur Verbindung mit anderen Komponenten mittels einer Freiverdrahtung, wobei auf dem Zwischenträger ein Stapel von mindestens zwei miteinander verbunden Halbleiterchips mit abnehmender Größe angeordnet ist, wobei das unterste Halbleiterchip mit der Vorderseite nach oben unmittelbar, oder durch eine Klebstoffschicht verbunden, auf dem Zwischenträger befestigt ist, wobei wenigstens vom unteren der übereinander gestapelten Halbleiterchips Drahtbrücken zum Zwischenträger gezogen sind, wobei der oberste Halbleiterchip mit Hilfe der Polymer Flip-Chip (PFC) Technologie auf dem darunter befindlichen Chip befestigt und mit diesem mittels Polymer-Bumps kontaktiert ist; wobei von dem darunter befindlichen Chip Drahtbrücken zum zwischenträger gezogen sind und wobei zwischen den Halbleiterchips zwischen den Polymer-Bumps eine elektrisch isolierende Zwischenschicht eingefügt ist.
- Die Zwischenschichten weisen weiterhin planare Oberflächen auf, auf denen das jeweils nächste Halbleiterchip mit Hilfe eines Klebstoffes befestigt werden kann.
- Der Zwischenträger kann weiterhin aus einem Leiterplattenmaterial oder einem Leiterplatten ähnlichen Material, aus einem Keramikmaterial, oder aus Kunststoff oder einem Laminat gefertigt werden.
- Wegen der erreichbaren hohen Packungsdichte der erfindungsgemäßen Multichipanordnung ist der Zwischenträger bevorzugt als Multilayer ausgebildet, also mit mehreren Leitbahnebenen versehen, wobei die Anschlusskontakte auf dem Zwischenträger so verteilt sind, dass die Drahtbrücken von den einzelnen Halbleiterchips zu den Anschlusskontakten auf dem Zwischenträger kurzschlussfrei verlaufen.
- Um eine gute Kühlung der Multichipanordnung zu erreichen, ist unmittelbar auf dem obersten Halbleiterchip ein Kühlkörper kontaktiert.
- Zum Schutz der Multichipanordnung ist auf dem Zwischenträger weiterhin eine Vergussmasse (Glob Top) aufgebracht, welche die gestapelten Halbleiterchips und die freiliegenden Teile der Drahtbrücken einschließt, wobei die Vergussmasse zumindest über den Chips eine plane Oberfläche aufweist. Damit besteht die Möglichkeit, auf der Multichipanordnung einen Kühlkörper großflächig befestigen zu können. Die Vergussmasse kann auch so aufgebracht werden, dass diese die Chips lediglich seitlich umgibt, wobei die Drahtbrücken mit in der Vergussmasse eingebettet sind. Damit kann ein noch besserer Wärmeübergang zu einem auf der Multichipanordnung zu montierenden Kühlelement ereicht werden.
- Die Erfindung soll nachfolgend näher erläutert werden. In den zugehörigen Zeichnungen zeigen:
-
1 : eine nicht erfindungsgemäße Multichipanordnung auf einem Zwischenträger mit einem Stapel aus drei Chips; -
2 : eine erfindungsgemäße Multichipanordnung auf einem Zwischenträger mit zwei unterschiedlich großen gestapelten Chips, wobei der obere Chip auf dem unteren Chip durch die PFC-Technologie befestigt ist; und -
3 : eine Multichipanordnung auf einem Zwischenträger mit zwei gleich großen gestapelten Chips, wobei der untere Chip durch die PFC-Technologie auf dem Zwischenträger befestigt ist. -
1 zeigt eine Anordnung, bei der auf einem Zwischenträger4 , der auch mit Interposer oder Substrat bezeichnet werden kann, ein Stapel mehrerer Chips1 ,2 ,3 angeordnet ist. Bei der hier dargestellten Anordnung sind drei Chips unterschiedlicher Größe übereinander gestapelt, wobei prinzipiell auch die Möglichkeit besteht, gleich große Chips übereinander anzuordnen, wobei dann je nach der Lage des jeweiligen Chips entweder eine Drahtbond-Verbindungstechnologie oder die Flip-Chip-Technologie für die elektrische Kontaktierung angewendet werden muss. Wie aus der1 weiter ersichtlich ist, ist der Chip1 mit den größten flächenmäßigen Abmessungen unmittelbar auf dem Zwischenträger4 befestigt. Die Befestigung erfolgt durch eine Klebstoffschicht5 . Der Zwischenträger4 kann aus üblichem Leiterplattenmaterial, einem Laminat, oder aus einem Keramikmaterial bestehen. Bevorzugt wird jedoch übliches Leiterplattenmaterial verwendet, wobei der Zwischenträger4 wegen der hohen Packungsdichte bevorzugt als Multilayer ausgeführt ist. Für die elektrische Verbindung des Zwischenträgers4 mit einer Leiterplatte o. dgl., sind Lötkugeln6 in Form eines Micro Ball Arrays vorgesehen, das auf der Unterseite des Zwischenträgers4 , also auf der der Chipmontageseite gegenüberliegenden Seite angeordnet ist. - An den Lötkugeln
6 kann selbstverständlich auch eine Freiverdrahtung angeschlossen werden, wie dies in speziellen Anwendungsfällen, z. B. der Medizintechnik zum Anschluß von Sensoren oder Meßwertgebern notwendig sein kann. - Unmittelbar nach der Montage des Chips
1 erfolgt dessen elektrischer Anschluß an den Zwischenträger4 mit Hilfe von Drahtbrücken7 , die von den Bondpads8 zu den Anschlußkontakten9 auf dem Zwischenträger4 gezogen werden. Die Herstellung der Drahtbrücken7 erfolgt mit Hilfe eines der üblichen Verfahren zum Ultraschall- oder Thermokompressionsdrahtbonden o. dgl. unter Verwendung von Bonddrähten aus Aluminium oder Gold. - Da die Drahtbrücken
7 von der Vorderseite des Chips1 (oben) zur Anschlußseite des Zwischenträgers4 verlaufen, muß zur Montage des nächsten Chips2 auf dem Chip1 zunächst eine Zwischenschicht10 aufgebracht werden, welche die Drahtbrücken7 zumindest im Bereich über dem Chip1 einschließt. Die Zwischenschicht10 , die aus einem elektrisch isolierenden Material bestehen muß, wird dabei in der Weise auf dem Chip1 aufgebracht, daß auf deren Oberseite eine planare Fläche zur Aufnahme des nächsten Chips2 entsteht. Das Chip2 wird auf dieser Zwischenschicht10 mit einem Klebstoff befestigt. - Anschließend daran erfolgt die elektrische Verbindung des Chips
2 mit dem Zwischenträger4 mit weiteren Drahtbrücken7 , die wie beim Chip1 von den Bondpads8 auf dem Chip2 zu den Anschlußkontakten9 auf dem Zwischenträger4 gezogen werden. - Danach wird im Bereich innerhalb der Bondpads
8 eine weitere Zwischenschicht10' auf das Chip2 aufgetragen, die ebenfalls eine planare Oberfläche aufweist, die aber die Drahtbrücken7 vom Chip2 zum Zwischenträger4 nicht einschließt. Das gilt für den Fall, daß das nachfolgend zu montierende Chip3 kleiner ist, als das Chip2 . Ansonsten ist auf analoge Weise wie bei der Zwischenschicht10 zwischen dem Chip1 und dem Chip2 zu verfahren. - Das Chip
3 wird dann auf der Zwischenschicht10' ebenfalls durch Kleben befestigt. - Anschließend daran erfolgt der elektrische Anschluß des Chips
3 an den Zwischenträger4 mit Hilfe von Drahtbrücken7 , die von den Bondpads8 auf dem Chip3 zu den Anschlußkontakten9 auf dem Zwischenträger4 gezogen werden. - Die so hergestellte Multichipanordnung kann zum Schluß mit einer Vergußmasse
11 (Glob Top) umhüllt werden, welche die Chips1 ,2 ,3 , die Drahtbrücken7 und Teile des Zwischenträgers einschließt und somit vor Beschädigung schützt. - Für die Herstellung der Multichipanordnung nach
1 ist lediglich zu berücksichtigen, daß die Bondpads8 bei denjenigen Chips, welche zumindest teilweise durch ein weiteres Chip abgedeckt werden, außerhalb des Überdeckungsbereiches liegen müssen, damit die Möglichkeit zum Ziehen der Drahtbrücken besteht. Das gilt natürlich nicht für solche Chips, die mit Hilfe der Flip-Chip Technologie auf dem Zwischenträger4 oder einem anderen Chip montiert sind, wie nachfolgend beschrieben. -
2 zeigt eine erfindungsgemäße Ausführung der Multichipanordnung mit zwei übereinandergestapelten Chips1 ,2 , wobei das kleinere Chip2 mit Hilfe der Polymer Flip-Chip Technologie auf dem Chip1 montiert worden ist. Das Chip1 ist hier ebenfalls durch eine Klebstoffschicht5 direkt auf dem Zwischenträger4 befestigt. Das Chip2 ist über eine Vielzahl von regelmäßig verteilt angeordneten Polymer Bumps12 mit dem Chip1 elektrisch verbunden. Um eine ausreichende mechanische Festigkeit der Verbindung zwischen dem Chip2 und dem Chip1 zu erreichen, wird der Zwischenraum zwischen beiden Chips zwischen den Polymer Bumps mit einem Underfill ausgefüllt. - Die elektrische Verbindung zwischen den Bondinseln
7 auf dem Chip1 und den Anschlußkontakten9 auf dem Zwischenträger4 erfolgt durch Drahtbrücken7 . - Nachdem der mechanische Aufbau dieser Multichipanordnung abgeschlossen und die elektrischen Anschlüsse fertiggestellt sind, wird die Multichipanordnung mit einer Vergußmasse
11 (Glob Top) versehen, welche die Chips1 ,2 , die Drahtbrücken7 und Teile des Zwischenträgers4 umhüllt. Die Rückseite des Chips2 kann auch freigehalten werden, um die Möglichkeit für die unmittelbare Befestigung eines Kühlelementes auf dem Chip2 zu schaffen. Durch das Ausfüllen des Zwischenraumes zwischen beiden Chips und zwischen den Polymer Bumps wird die Voraussetzung geschaffen, daß die Umhüllung der Multichipanordnung mit dem Glob Top volkommen blasenfrei erfolgen kann. - In
3 ist eine andere Variante einer Multichipanordnung dargestellt, bei der zwei gleich große Chips1 ,2 auf dem Zwischenträger4 montiert sind. Das Chip1 ist hier mit Hilfe der Polymer Flip-Chip Technologie direkt auf dem Zwischenträger4 befestigt. Der Zwischenraum zwischen dem Chip1 und dem Zwischenträger4 und auch zwischen den einzelnen den elektrischen Kontakt zum Zwischenträger herstellenden Polymer Bumps12 ist im Interesse der notwendigen mechanischen Festigkeit mit Hilfe einer Füllmasse13 (Underfill) ausgefüllt. Die Chips1 ,2 sind hier mit einem Klebstoff5 direkt aufeinander montiert. - Für die elektrische Verbindung vom Chip
2 zum Zwischenträger4 sind Drahtbrücken7 vorgesehen, die von den Bondpads8 auf dem Chip2 zu den Anschlußkontakten9 auf dem Zwischenträger4 gezogen werden. Anschließend kann die Multichipanordnung wie bei den anderen Varianten durch eine Vergußmasse11 umhüllt werden. - Die vorstehend beschriebene Multichipanordnung nach den
2 und3 ist auf der Unterseite des Zwischenträgers4 ebenfalls mit einem regelmäßig angeordneten Array von Lötkugeln6 versehen, so daß diese beispielsweise auf Leiterplatten oder anderen Trägerelementen, z. B. Anschlußkontakten von Chipkarten, montiert und mit diesen elektrisch verbunden werden kann. Auch ist der Anschluß einer Freiverdrahtung möglich. -
- 1
- Chip
- 2
- Chip
- 3
- Chip
- 4
- Zwischenträger
- 5
- Klebstoffschicht
- 6
- Lötkugel (Solderball)
- 7
- Drahtbrücke
- 8
- Bondpad
- 9
- Anschlußkontakt
- 10
- Zwischenschicht
- 11
- Vergußmasse
- 12
- Polymer Bump
- 13
- Underfill
Claims (11)
- Multichipanordnung auf einem Zwischenträger zur Montage auf beliebigen Trägerelementen oder zur Verbindung mit anderen Komponenten mittels einer Freiverdrahtung, wobei auf dem Zwischenträger ein Stapel von mindestens zwei miteinander verbunden Halbleiterchips mit abnehmender Größe angeordnet ist, – wobei das unterste Halbleiterchip mit der Vorderseite nach oben unmittelbar, oder durch eine Klebstoffschicht verbunden, auf dem Zwischenträger (
4 ) befestigt ist, – wobei wenigstens vom unteren der übereinander gestapelten Halbleiterchips Drahtbrücken (7 ) zum Zwischenträger (4 ) gezogen sind, – wobei der oberste Halbleiterchip mit Hilfe der Polymer Flip-Chip Technologie auf dem darunter befindlichen Chip befestigt und mit diesem mittels Polymer-Bumps kontaktiert ist; – wobei von dem darunter befindlichen Halbleiterchip Drahtbrücken (7 ) zum Zwischenträger (4 ) gezogen sind; und – wobei zwischen den Chips und zwischen den Polymer-Bumps eine elektrisch isolierende Zwischenschicht (10 ) eingefügt ist. - Multichipanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschichten (
10 ) planare Oberflächen aufweisen, auf denen das jeweils nächste Halbleiterchip (2 ,3 ) mit Hilfe eines Klebers befestigt ist. - Multichipanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Zwischenträger (
4 ) aus einem Leiterplattenmaterial oder einem Leiterplatten ähnlichen Material besteht. - Multichipanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Zwischenträger (
4 ) aus einem Keramikmaterial besteht. - Multichipanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Zwischenträger (
4 ) aus Kunststoff besteht. - Multichipanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Zwischenträger (
4 ) aus einem Laminat besteht. - Multichipanordnung nach einem der Ansprüche 3 bis 6, da durch gekennzeichnet, dass der Zwischenträger (
4 ) als Multilayer ausgebildet ist. - Multichipanordnung nach einem der Ansprüchen 1 bis 7, da durch gekennzeichnet, dass Anschlusskontakte (
9 ) auf dem Zwischenträger (4 ) so verteilt sind, dass die Drahtbrücken (7 ) von Bondpads (8 ) der einzelnen Halbleiterchips zu den Anschlusskontakten (9 ) kurzschlussfrei verlaufen. - Multichipanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass unmittelbar auf dem obersten Halbleiterchip ein Kühlkörper kontaktiert ist.
- Multichipanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Zwischenträger (
4 ) eine Vergussmasse (11 ) (Glob Top) aufgebracht ist, welche die gestapelten Halbleiterchips und die freiliegenden Teile der Drahtbrücken (7 ) einschließt. - Multichipanordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Vergussmasse (
11 ) zumindest über den Halbleiterchips eine planare Oberfläche zur Aufnahme eines Kühlkörper aufweist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19905220A DE19905220B4 (de) | 1998-02-11 | 1999-02-09 | Multichipanordnung |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19805326 | 1998-02-11 | ||
DE19805326.6 | 1998-02-11 | ||
DE19905220A DE19905220B4 (de) | 1998-02-11 | 1999-02-09 | Multichipanordnung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19905220A1 DE19905220A1 (de) | 1999-08-19 |
DE19905220B4 true DE19905220B4 (de) | 2008-11-20 |
Family
ID=7857224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19905220A Expired - Fee Related DE19905220B4 (de) | 1998-02-11 | 1999-02-09 | Multichipanordnung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19905220B4 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10023823A1 (de) * | 2000-05-15 | 2001-12-06 | Infineon Technologies Ag | Multichip-Gehäuse |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0547998A (ja) * | 1991-08-21 | 1993-02-26 | Sony Corp | 高密度実装化半導体装置 |
JPH07249732A (ja) * | 1994-03-10 | 1995-09-26 | Fujitsu Ltd | 半導体素子の接合方法 |
JPH07326710A (ja) * | 1994-06-02 | 1995-12-12 | Fujitsu Ltd | 半導体実装構造 |
JPH08288455A (ja) * | 1995-04-11 | 1996-11-01 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1999
- 1999-02-09 DE DE19905220A patent/DE19905220B4/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0547998A (ja) * | 1991-08-21 | 1993-02-26 | Sony Corp | 高密度実装化半導体装置 |
JPH07249732A (ja) * | 1994-03-10 | 1995-09-26 | Fujitsu Ltd | 半導体素子の接合方法 |
JPH07326710A (ja) * | 1994-06-02 | 1995-12-12 | Fujitsu Ltd | 半導体実装構造 |
JPH08288455A (ja) * | 1995-04-11 | 1996-11-01 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19905220A1 (de) | 1999-08-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69732166T2 (de) | In der mitte bestückte lötballgitter-packung | |
DE102004031920B4 (de) | Mehrchippackung und Herstellungsverfahren | |
DE69621851T2 (de) | Mehrchipanlage und sandwich-typ verfahren zur herstellung durch verwendung von leitern | |
DE69325749T2 (de) | Gestapelte Mehrchip-Module und Verfahren zur Herstellung | |
DE10360708B4 (de) | Halbleitermodul mit einem Halbleiterstapel, Umverdrahtungsplatte, und Verfahren zur Herstellung derselben | |
DE10259221B4 (de) | Elektronisches Bauteil mit einem Stapel aus Halbleiterchips und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE60101159T2 (de) | Herstellungsmethode eines stapelchip-ic-gehäuses auf scheibenebene | |
DE19723203B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils in Chipgröße | |
DE102010016566B4 (de) | Halbleiterbaustein mit mehreren Chips und Substrat in einer Metallkappe sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbausteins | |
DE10033977B4 (de) | Zwischenverbindungsstruktur zum Einsatz von Halbleiterchips auf Schichtträgern | |
DE102006001767B4 (de) | Halbleitermodul mit Halbleiterchips und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE10142120A1 (de) | Elektronisches Bauteil mit wenigstens zwei gestapelten Halbleiterchips sowie Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE102010000407B4 (de) | Halbleiter-Package mit einem aus Metallschichten bestehenden Band und Verfahren zum Herstellen eines derartigen Halbleiter-Package | |
DE10339770B4 (de) | Verfahren zum Herstellen einer FBGA-Anordnung | |
DE10142119B4 (de) | Elektronisches Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE102004001829A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE10251530A1 (de) | Stapelanordnung eines Speichermoduls | |
DE102005027356A1 (de) | Halbleiterleistungsbauteilstapel in Flachleitertechnik mit oberflächenmontierbaren Außenkontakten und ein Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE19755675B4 (de) | Halbleitergehäuse und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE112013004858T5 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE19920444B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbausteins sowie Halbleiterbaustein | |
DE19801488B4 (de) | Verfahren zum Zusammenbau eines Halbleiterbausteins | |
DE10124970B4 (de) | Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip auf einer Halbleiterchip-Anschlußplatte, Systemträger und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE10394239B4 (de) | Verfahren zum Verpacken integrierter Schaltungen und integriertes Schaltungsgehäuse | |
DE10251527B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Stapelanordnung eines Speichermoduls |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: MICROELECTRONIC PACKAGING DRESDEN GMBH, 01109 DRES |
|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: FIRST SENSOR MICROELECTRONIC PACKAGING GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: MICROELECTRONIC PACKAGING DRESDEN GMBH, 01109 DRESDEN, DE |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: PATENTANWAELTE LIPPERT, STACHOW & PARTNER, DE Representative=s name: LIPPERT STACHOW PATENTANWAELTE RECHTSANWAELTE , DE |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |