JPH11330068A - 成膜方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
成膜方法及び半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH11330068A JPH11330068A JP10138040A JP13804098A JPH11330068A JP H11330068 A JPH11330068 A JP H11330068A JP 10138040 A JP10138040 A JP 10138040A JP 13804098 A JP13804098 A JP 13804098A JP H11330068 A JPH11330068 A JP H11330068A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- phosphorus
- insulating film
- forming
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 97
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 139
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 135
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 135
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 133
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 75
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 38
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 27
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 84
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 84
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 84
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 71
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 31
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 78
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 abstract description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 7
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 41
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 28
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 239000002585 base Substances 0.000 description 16
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 10
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 7
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000013612 plasmid Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- WVLBCYQITXONBZ-UHFFFAOYSA-N trimethyl phosphate Chemical compound COP(=O)(OC)OC WVLBCYQITXONBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
- H01L21/02129—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being boron or phosphorus doped silicon oxides, e.g. BPSG, BSG or PSG
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02304—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment formation of intermediate layers, e.g. buffer layers, layers to improve adhesion, lattice match or diffusion barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
- H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
- H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
- H01L21/31608—Deposition of SiO2
- H01L21/31612—Deposition of SiO2 on a silicon body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
- H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
- H01L21/31625—Deposition of boron or phosphorus doped silicon oxide, e.g. BSG, PSG, BPSG
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/76224—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using trench refilling with dielectric materials
- H01L21/76229—Concurrent filling of a plurality of trenches having a different trench shape or dimension, e.g. rectangular and V-shaped trenches, wide and narrow trenches, shallow and deep trenches
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、成膜方法に関し、被成膜基板に対す
る成膜の表面依存性を確実に消去して膜質の優れた絶縁
膜を形成するとともに、幅が狭く、かつ深い凹部を有す
る被成膜基板の凹部内に隙間なく絶縁膜を埋め込む。 【解決手段】被成膜基板11の表面に下地層としてリン
含有絶縁膜14を形成する工程と、オゾン含有ガスとシ
リコン含有ガスを含む混合ガスを用いた化学気相成長法
によりリン含有絶縁膜14上にシリコン含有絶縁膜15
を形成する工程とを有する。
る成膜の表面依存性を確実に消去して膜質の優れた絶縁
膜を形成するとともに、幅が狭く、かつ深い凹部を有す
る被成膜基板の凹部内に隙間なく絶縁膜を埋め込む。 【解決手段】被成膜基板11の表面に下地層としてリン
含有絶縁膜14を形成する工程と、オゾン含有ガスとシ
リコン含有ガスを含む混合ガスを用いた化学気相成長法
によりリン含有絶縁膜14上にシリコン含有絶縁膜15
を形成する工程とを有する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、成膜方法及び半導
体装置の製造方法に関し、より詳しくは、TEOSとオ
ゾンとを含む混合ガスを用いたCVD法により凹部を有
する被成膜基板上にシリコン酸化膜(NSG膜:Non-dop
ed Silicate Glass )を形成する際に、被成膜基板の表
面依存性を消去してその表面の凹部内にシリコン酸化膜
を埋め込む成膜方法及び半導体装置の製造方法に関す
る。
体装置の製造方法に関し、より詳しくは、TEOSとオ
ゾンとを含む混合ガスを用いたCVD法により凹部を有
する被成膜基板上にシリコン酸化膜(NSG膜:Non-dop
ed Silicate Glass )を形成する際に、被成膜基板の表
面依存性を消去してその表面の凹部内にシリコン酸化膜
を埋め込む成膜方法及び半導体装置の製造方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体デバイスにおいては、微細
化の進展に伴い、配線間の凹部や絶縁素子分離のための
絶縁物を埋め込む凹部等、幅が狭く、かつより深い凹部
が半導体基板の表面に形成されるようになっている。こ
のような半導体装置では、凹部に絶縁膜を埋め込む必要
がある。そのために、O2 中のO3 濃度が1%以上の高
濃度のO3 を含むオゾン含有ガスとTEOS(テトラエ
チルオルソシリケート)を含む混合ガスを用いたCVD
法により、膜質の優れたシリコン酸化膜(以下、High O
3/TEOS SiO2 膜と称する。)を形成して狭い凹部に隙間
なく埋め込む必要がある。
化の進展に伴い、配線間の凹部や絶縁素子分離のための
絶縁物を埋め込む凹部等、幅が狭く、かつより深い凹部
が半導体基板の表面に形成されるようになっている。こ
のような半導体装置では、凹部に絶縁膜を埋め込む必要
がある。そのために、O2 中のO3 濃度が1%以上の高
濃度のO3 を含むオゾン含有ガスとTEOS(テトラエ
チルオルソシリケート)を含む混合ガスを用いたCVD
法により、膜質の優れたシリコン酸化膜(以下、High O
3/TEOS SiO2 膜と称する。)を形成して狭い凹部に隙間
なく埋め込む必要がある。
【0003】しかし、High O3/TEOS SiO2 膜の成膜は、
被成膜基板の表面の性質に敏感であり、成膜の膜質が左
右されやすい。表面依存性による影響は、成膜速度の低
下、成膜の表面荒れ、膜質の低下という形で現れる。従
って、シリコン基板上に成膜するときと同じ成膜速度、
成膜の表面状態及び成膜の膜質等を有するようなHigh O
3/TEOS SiO2 膜を成膜するためには、被成膜基板の表面
に対してHigh O3/TEOS SiO2 膜の成膜が表面依存性の影
響を受けないようにすることが要求される。そのような
表面依存性を消去するために、従来以下のような対策を
施している。
被成膜基板の表面の性質に敏感であり、成膜の膜質が左
右されやすい。表面依存性による影響は、成膜速度の低
下、成膜の表面荒れ、膜質の低下という形で現れる。従
って、シリコン基板上に成膜するときと同じ成膜速度、
成膜の表面状態及び成膜の膜質等を有するようなHigh O
3/TEOS SiO2 膜を成膜するためには、被成膜基板の表面
に対してHigh O3/TEOS SiO2 膜の成膜が表面依存性の影
響を受けないようにすることが要求される。そのような
表面依存性を消去するために、従来以下のような対策を
施している。
【0004】被成膜基板の表面に下地層としてプラズ
マCVD法によりシリコン酸化膜を形成する。これは、
特開平7−211712号公報に開示されている。 被成膜基板の表面をプラズマガスに曝す。これは、特
開平4−94539号公報に開示されている。 被成膜基板の表面に下地層としてO2 中のO3 濃度が
1%以下の低濃度のO 3 を含むオゾン含有ガスとTEO
Sとを含む反応ガスを用いたCVD法によりシリコン酸
化膜(以下、Low O3/TEOS SiO2膜と称する。)を形成す
る。これは、特開平3−198340号公報に開示され
ている。
マCVD法によりシリコン酸化膜を形成する。これは、
特開平7−211712号公報に開示されている。 被成膜基板の表面をプラズマガスに曝す。これは、特
開平4−94539号公報に開示されている。 被成膜基板の表面に下地層としてO2 中のO3 濃度が
1%以下の低濃度のO 3 を含むオゾン含有ガスとTEO
Sとを含む反応ガスを用いたCVD法によりシリコン酸
化膜(以下、Low O3/TEOS SiO2膜と称する。)を形成す
る。これは、特開平3−198340号公報に開示され
ている。
【0005】さらに、上記の方法を組み合わせたもの、
即ち、 被成膜基板の表面に下地層としてO2 中のO3 濃度が
1%以下の低濃度のO 3 を含むオゾン含有ガスとTEO
Sとを含む反応ガスを用いたCVD法によりLow O3/TEO
S SiO2膜を形成し、次いでそのLow O3/TEOS SiO2膜をプ
ラズマガスに曝す。
即ち、 被成膜基板の表面に下地層としてO2 中のO3 濃度が
1%以下の低濃度のO 3 を含むオゾン含有ガスとTEO
Sとを含む反応ガスを用いたCVD法によりLow O3/TEO
S SiO2膜を形成し、次いでそのLow O3/TEOS SiO2膜をプ
ラズマガスに曝す。
【0006】被成膜基板の表面に下地層としてO2 中
のO3 濃度が1%以上の高濃度のO 3 を含むオゾン含有
ガスとTEOSとを含む反応ガスを用いたCVD法によ
りHigh O3/TEOS SiO2 膜を形成し、そのHigh O3/TEOS S
iO2 膜をTEOS蒸気に曝す。 その他、被成膜基板の表面依存性を消去する方法は、特
開平7−66131号公報等に開示されている。
のO3 濃度が1%以上の高濃度のO 3 を含むオゾン含有
ガスとTEOSとを含む反応ガスを用いたCVD法によ
りHigh O3/TEOS SiO2 膜を形成し、そのHigh O3/TEOS S
iO2 膜をTEOS蒸気に曝す。 その他、被成膜基板の表面依存性を消去する方法は、特
開平7−66131号公報等に開示されている。
【0007】このような方法により、成膜が被成膜基板
の表面に依存せず、十分な流動性を有するO3/TEOS SiO2
膜を形成することができる。
の表面に依存せず、十分な流動性を有するO3/TEOS SiO2
膜を形成することができる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
表面依存性の消去方法では、以下のような問題がある。
即ち、上記項の被成膜基板の表面に下地層としてプラ
ズマCVD法によりシリコン酸化膜を形成する方法で
は、プラズマCVD法によるシリコン酸化膜はステップ
カバレージがあまりよくないため、幅が狭く、かつ深い
凹部を埋めるためには適当でない。
表面依存性の消去方法では、以下のような問題がある。
即ち、上記項の被成膜基板の表面に下地層としてプラ
ズマCVD法によりシリコン酸化膜を形成する方法で
は、プラズマCVD法によるシリコン酸化膜はステップ
カバレージがあまりよくないため、幅が狭く、かつ深い
凹部を埋めるためには適当でない。
【0009】また、上記項の被成膜基板の表面をプラ
ズマガスに曝す方法では、プラズマ装置が必要であるた
め装置が大がかりになり、またコスト高を招くこと、プ
ラズマによって幅が狭く、深い凹部の底まで改質できる
か否か疑問があること等がある。さらに、項の方法で
は、Low O3/TEOS SiO2膜の膜厚が少なくとも50nm以
上必要であり、幅が狭く、かつ深い凹部への埋め込みに
は適していない。
ズマガスに曝す方法では、プラズマ装置が必要であるた
め装置が大がかりになり、またコスト高を招くこと、プ
ラズマによって幅が狭く、深い凹部の底まで改質できる
か否か疑問があること等がある。さらに、項の方法で
は、Low O3/TEOS SiO2膜の膜厚が少なくとも50nm以
上必要であり、幅が狭く、かつ深い凹部への埋め込みに
は適していない。
【0010】また、項及び項についてもそれぞれ
項及び項と同じような問題がある。本発明は、上記の
従来例の問題点に鑑みて創作されたものであり、被成膜
基板に対する成膜の表面依存性を確実に消去して膜質の
優れた絶縁膜を形成するとともに、幅が狭く、かつ深い
凹部を有する被成膜基板の凹部内に隙間なく絶縁膜を埋
め込むことが可能な成膜方法及び半導体装置の製造方法
を提供するものである。
項及び項と同じような問題がある。本発明は、上記の
従来例の問題点に鑑みて創作されたものであり、被成膜
基板に対する成膜の表面依存性を確実に消去して膜質の
優れた絶縁膜を形成するとともに、幅が狭く、かつ深い
凹部を有する被成膜基板の凹部内に隙間なく絶縁膜を埋
め込むことが可能な成膜方法及び半導体装置の製造方法
を提供するものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1に係る発明は、成膜方法に係り、被成膜基
板の表面に下地層としてリン含有絶縁膜を形成する工程
と、オゾン含有ガスとシリコン含有ガスを含む混合ガス
を用いた化学気相成長法により前記リン含有絶縁膜上に
シリコン含有絶縁膜を形成する工程とを有することを特
徴としている。
め、請求項1に係る発明は、成膜方法に係り、被成膜基
板の表面に下地層としてリン含有絶縁膜を形成する工程
と、オゾン含有ガスとシリコン含有ガスを含む混合ガス
を用いた化学気相成長法により前記リン含有絶縁膜上に
シリコン含有絶縁膜を形成する工程とを有することを特
徴としている。
【0012】請求項2に係る発明は、成膜方法に係り、
第1のガス放出手段によりオゾン含有ガスとシリコン含
有ガスとリン含有ガスとを放出して化学気相成長法によ
り、被成膜基板の表面に下地層としてリン含有絶縁膜を
形成する工程と、前記第1のガス放出手段と異なる第2
のガス放出手段によりオゾン含有ガスとシリコン含有ガ
スとを放出し、化学気相成長法により、連続して前記不
純物含有絶縁膜上にシリコン含有絶縁膜を形成する工程
とを有することを特徴としている。
第1のガス放出手段によりオゾン含有ガスとシリコン含
有ガスとリン含有ガスとを放出して化学気相成長法によ
り、被成膜基板の表面に下地層としてリン含有絶縁膜を
形成する工程と、前記第1のガス放出手段と異なる第2
のガス放出手段によりオゾン含有ガスとシリコン含有ガ
スとを放出し、化学気相成長法により、連続して前記不
純物含有絶縁膜上にシリコン含有絶縁膜を形成する工程
とを有することを特徴としている。
【0013】請求項3に係る発明は、請求項1又は請求
項2に記載の成膜方法に係り、前記リン含有絶縁膜を形
成する工程の後、前記リン含有絶縁膜上にシリコン含有
絶縁膜を形成する工程の前に、前記リン含有絶縁膜の表
面を大気に曝すか、或いは前記リン含有絶縁膜を加熱し
つつ、前記リン含有絶縁膜の表面を水蒸気に曝すことを
特徴としている。
項2に記載の成膜方法に係り、前記リン含有絶縁膜を形
成する工程の後、前記リン含有絶縁膜上にシリコン含有
絶縁膜を形成する工程の前に、前記リン含有絶縁膜の表
面を大気に曝すか、或いは前記リン含有絶縁膜を加熱し
つつ、前記リン含有絶縁膜の表面を水蒸気に曝すことを
特徴としている。
【0014】請求項4に係る発明は、請求項1乃至請求
項3の何れか一に記載の成膜方法に係り、成膜された前
記リン含有絶縁膜の膜厚は10nm以上、100nm以
下であることを特徴としている。請求項5に係る発明
は、請求項1乃至請求項4の何れか一に記載の成膜方法
に係り、前記オゾン含有ガスは酸素中に10%以下の濃
度のオゾンを含むガスであることを特徴としている。
項3の何れか一に記載の成膜方法に係り、成膜された前
記リン含有絶縁膜の膜厚は10nm以上、100nm以
下であることを特徴としている。請求項5に係る発明
は、請求項1乃至請求項4の何れか一に記載の成膜方法
に係り、前記オゾン含有ガスは酸素中に10%以下の濃
度のオゾンを含むガスであることを特徴としている。
【0015】請求項6に係る発明は、請求項1乃至請求
項5の何れか一に記載の成膜方法に係り、前記シリコン
含有ガスはテトラエチルオルソシリケート(TEOS)
を含むガスであることを特徴としている。請求項7に係
る発明は、請求項1乃至請求項6の何れか一に記載の成
膜方法に係り、前記シリコン含有絶縁膜を形成するとき
の成膜温度は350℃〜550℃であることを特徴とし
ている。
項5の何れか一に記載の成膜方法に係り、前記シリコン
含有ガスはテトラエチルオルソシリケート(TEOS)
を含むガスであることを特徴としている。請求項7に係
る発明は、請求項1乃至請求項6の何れか一に記載の成
膜方法に係り、前記シリコン含有絶縁膜を形成するとき
の成膜温度は350℃〜550℃であることを特徴とし
ている。
【0016】請求項8に係る発明は、請求項7に記載の
成膜方法に係り、前記シリコン含有絶縁膜を形成すると
きの成膜温度は375℃〜425℃であることを特徴と
している。請求項9に係る発明は、請求項1乃至請求項
8の何れか一に記載の成膜方法に係り、前記リン含有絶
縁膜は、リンガラス膜(PSG膜)又はボロンリンガラ
ス膜(BPSG膜)のうち何れか一であることを特徴と
している。
成膜方法に係り、前記シリコン含有絶縁膜を形成すると
きの成膜温度は375℃〜425℃であることを特徴と
している。請求項9に係る発明は、請求項1乃至請求項
8の何れか一に記載の成膜方法に係り、前記リン含有絶
縁膜は、リンガラス膜(PSG膜)又はボロンリンガラ
ス膜(BPSG膜)のうち何れか一であることを特徴と
している。
【0017】請求項10に係る発明は、請求項9に記載
の成膜方法に係り、前記リンガラス膜中のリンの濃度は
10モル%以下であることを特徴としている。請求項1
1に係る発明は、半導体装置の製造方法に係り、請求項
1乃至請求項10の何れか一に記載の成膜方法を用い
て、凹部を有する被成膜基板の表面に、下地層として前
記凹部を被覆するリン含有絶縁膜を形成し、その後前記
リンガラス膜上にシリコン含有絶縁膜を形成して該シリ
コン含有絶縁膜により前記凹部を埋めることを特徴とし
ている。
の成膜方法に係り、前記リンガラス膜中のリンの濃度は
10モル%以下であることを特徴としている。請求項1
1に係る発明は、半導体装置の製造方法に係り、請求項
1乃至請求項10の何れか一に記載の成膜方法を用い
て、凹部を有する被成膜基板の表面に、下地層として前
記凹部を被覆するリン含有絶縁膜を形成し、その後前記
リンガラス膜上にシリコン含有絶縁膜を形成して該シリ
コン含有絶縁膜により前記凹部を埋めることを特徴とし
ている。
【0018】上記のように、この発明においては、被成
膜基板の表面に下地層としてリンガラス膜等のリン含有
絶縁膜を形成し、さらにそのリン含有絶縁膜上にオゾン
含有ガスとシリコン含有ガスとを含む混合ガスを用いた
化学気相成長法によりシリコン含有絶縁膜を形成してい
る。本願発明者の実験によれば、リンガラス膜(PSG
膜)又はボロンリンガラス膜(BPSG膜)等のリン含
有絶縁膜により被成膜基板の表面を被覆することによ
り、オゾン含有ガスとシリコン含有ガスとを含む混合ガ
スを用いた化学気相成長法により成膜されるシリコン含
有絶縁膜を被成膜基板上に成膜する際に、被成膜基板に
対する成膜の表面依存性を消去することができる。
膜基板の表面に下地層としてリンガラス膜等のリン含有
絶縁膜を形成し、さらにそのリン含有絶縁膜上にオゾン
含有ガスとシリコン含有ガスとを含む混合ガスを用いた
化学気相成長法によりシリコン含有絶縁膜を形成してい
る。本願発明者の実験によれば、リンガラス膜(PSG
膜)又はボロンリンガラス膜(BPSG膜)等のリン含
有絶縁膜により被成膜基板の表面を被覆することによ
り、オゾン含有ガスとシリコン含有ガスとを含む混合ガ
スを用いた化学気相成長法により成膜されるシリコン含
有絶縁膜を被成膜基板上に成膜する際に、被成膜基板に
対する成膜の表面依存性を消去することができる。
【0019】ところで、高濃度のオゾン(酸素中のオゾ
ン濃度が1%以上とする。)を含むオゾン含有ガスとシ
リコン含有ガスとを用いた化学気相成長法によりシリコ
ン酸化膜(High O3/TEOS SiO2 膜)を成膜するとき、被
成膜基板に対する成膜の表面依存性が顕著に現れるとさ
れる。本発明によれば、被成膜基板表面をリン含有絶縁
膜で被覆することにより成膜の表面依存性を消去するこ
とができるため、表面依存性の影響を受けやすいHigh O
3/TEOS SiO2 膜を成膜するときでも十分な流動性を得る
ことができる。
ン濃度が1%以上とする。)を含むオゾン含有ガスとシ
リコン含有ガスとを用いた化学気相成長法によりシリコ
ン酸化膜(High O3/TEOS SiO2 膜)を成膜するとき、被
成膜基板に対する成膜の表面依存性が顕著に現れるとさ
れる。本発明によれば、被成膜基板表面をリン含有絶縁
膜で被覆することにより成膜の表面依存性を消去するこ
とができるため、表面依存性の影響を受けやすいHigh O
3/TEOS SiO2 膜を成膜するときでも十分な流動性を得る
ことができる。
【0020】また、膜厚10nm程度の薄い膜厚のリン
含有絶縁膜により成膜の表面依存性を十分に消去するこ
とができる。このため、少なくとも凡そ20nm以上の
幅の狭い凹部の内面でも十分に被覆することができる。
なお、リン含有絶縁膜の膜厚の上限については、下地層
としてのリン含有絶縁膜とその上のシリコン含有絶縁膜
からなる層間絶縁膜の全膜厚中、シリコン含有絶縁膜の
膜厚に比べてリン含有絶縁膜の膜厚が十分に薄くなるよ
うな膜厚とすることが望ましい。通常、それが100n
m程度であれば十分に薄いといえる。
含有絶縁膜により成膜の表面依存性を十分に消去するこ
とができる。このため、少なくとも凡そ20nm以上の
幅の狭い凹部の内面でも十分に被覆することができる。
なお、リン含有絶縁膜の膜厚の上限については、下地層
としてのリン含有絶縁膜とその上のシリコン含有絶縁膜
からなる層間絶縁膜の全膜厚中、シリコン含有絶縁膜の
膜厚に比べてリン含有絶縁膜の膜厚が十分に薄くなるよ
うな膜厚とすることが望ましい。通常、それが100n
m程度であれば十分に薄いといえる。
【0021】これにより、被成膜基板の表面に幅の狭い
凹部を有している場合、凹部内に成膜されたシリコン酸
化膜にボイドやシームを生じさせることなく、シリコン
酸化膜により凹部を隙間なく埋めることができる。この
場合、第1のガス放出手段によりオゾン含有ガスとシリ
コン含有ガスとリン含有ガスとを放出してリン含有絶縁
膜を形成し、その後第2のガス放出手段によりオゾン含
有ガスとシリコン含有ガスとを放出してシリコン酸化膜
を形成している。ところで、成膜されたリン含有絶縁膜
の表面での表面依存性を消去するためには、実験によ
り、リン含有絶縁膜上に次のシリコン含有絶縁膜を形成
するときに反応ガス中にリン含有ガスを含まないように
する必要があることがわかった。即ち、リン含有絶縁膜
を形成したときのガス放出手段と異なるガス放出手段を
用いてシリコン含有絶縁膜を形成すれば、リン含有絶縁
膜の表面での表面依存性を消去することができる。リン
含有絶縁膜の成膜チャンバとシリコン含有絶縁膜の成膜
チャンバを変えてもよいし、成膜のときにそれぞれ別の
ガス放出手段に切り換えてもよい。
凹部を有している場合、凹部内に成膜されたシリコン酸
化膜にボイドやシームを生じさせることなく、シリコン
酸化膜により凹部を隙間なく埋めることができる。この
場合、第1のガス放出手段によりオゾン含有ガスとシリ
コン含有ガスとリン含有ガスとを放出してリン含有絶縁
膜を形成し、その後第2のガス放出手段によりオゾン含
有ガスとシリコン含有ガスとを放出してシリコン酸化膜
を形成している。ところで、成膜されたリン含有絶縁膜
の表面での表面依存性を消去するためには、実験によ
り、リン含有絶縁膜上に次のシリコン含有絶縁膜を形成
するときに反応ガス中にリン含有ガスを含まないように
する必要があることがわかった。即ち、リン含有絶縁膜
を形成したときのガス放出手段と異なるガス放出手段を
用いてシリコン含有絶縁膜を形成すれば、リン含有絶縁
膜の表面での表面依存性を消去することができる。リン
含有絶縁膜の成膜チャンバとシリコン含有絶縁膜の成膜
チャンバを変えてもよいし、成膜のときにそれぞれ別の
ガス放出手段に切り換えてもよい。
【0022】また、実験により、リン含有絶縁膜を形成
する工程の後、リン含有絶縁膜上にシリコン含有絶縁膜
を形成する工程の前に、リン含有絶縁膜の表面を大気に
曝すか、或いはリン含有絶縁膜を加熱しつつ、リン含有
絶縁膜の表面を水蒸気に曝すと、リン含有絶縁膜の表面
は疎水性に変換されること、及び、被成膜表面が疎水性
に変換されれば上記成膜における表面依存性が抑制され
ることが実験により確かめられている。特に表面依存性
の影響を受けやすいHigh O3/TEOS SiO2 膜を成膜する場
合にそのような処理をすることが望ましい。
する工程の後、リン含有絶縁膜上にシリコン含有絶縁膜
を形成する工程の前に、リン含有絶縁膜の表面を大気に
曝すか、或いはリン含有絶縁膜を加熱しつつ、リン含有
絶縁膜の表面を水蒸気に曝すと、リン含有絶縁膜の表面
は疎水性に変換されること、及び、被成膜表面が疎水性
に変換されれば上記成膜における表面依存性が抑制され
ることが実験により確かめられている。特に表面依存性
の影響を受けやすいHigh O3/TEOS SiO2 膜を成膜する場
合にそのような処理をすることが望ましい。
【0023】さらに、シリコン含有絶縁膜の成膜に用い
られるオゾン含有ガスは酸素中に10%以下の濃度のオ
ゾンを含むガスである。上記したように、酸素中のオゾ
ン濃度が1%以上である高濃度のオゾンを含むオゾン含
有ガスを用いて、表面依存性の影響を受けやすいHigh O
3/TEOS SiO2 膜を成膜するときに特に有効であるが、勿
論、酸素中のオゾン濃度が1%以下である低濃度のオゾ
ンを含むオゾン含有ガスを用いて、表面依存性の影響を
受けにくいシリコン酸化膜(Low O3/TEOS SiO2膜)を形
成する場合も、リン含有絶縁膜を下地層として用いるこ
とが有効である。これにより、Low O3/TEOS SiO2膜から
被成膜基板への水分の透過防止やアルカリイオンの移動
等を防止することができるからである。
られるオゾン含有ガスは酸素中に10%以下の濃度のオ
ゾンを含むガスである。上記したように、酸素中のオゾ
ン濃度が1%以上である高濃度のオゾンを含むオゾン含
有ガスを用いて、表面依存性の影響を受けやすいHigh O
3/TEOS SiO2 膜を成膜するときに特に有効であるが、勿
論、酸素中のオゾン濃度が1%以下である低濃度のオゾ
ンを含むオゾン含有ガスを用いて、表面依存性の影響を
受けにくいシリコン酸化膜(Low O3/TEOS SiO2膜)を形
成する場合も、リン含有絶縁膜を下地層として用いるこ
とが有効である。これにより、Low O3/TEOS SiO2膜から
被成膜基板への水分の透過防止やアルカリイオンの移動
等を防止することができるからである。
【0024】また、シリコン含有絶縁膜を形成するとき
の成膜温度を350℃〜550℃の範囲とすることによ
り、O3/TEOS の混合ガスを用いたCVD法によりシリコ
ン含有絶縁膜を成膜する際に成膜の流動性を増すことが
できる。上記成膜温度の範囲のうちでも、特に、十分な
成膜の流動性を得るには、成膜温度は375℃〜425
℃の範囲が好ましい。
の成膜温度を350℃〜550℃の範囲とすることによ
り、O3/TEOS の混合ガスを用いたCVD法によりシリコ
ン含有絶縁膜を成膜する際に成膜の流動性を増すことが
できる。上記成膜温度の範囲のうちでも、特に、十分な
成膜の流動性を得るには、成膜温度は375℃〜425
℃の範囲が好ましい。
【0025】
【発明の実施の形態】以下に、図面を参照しながらこの
発明の実施の形態について説明する。 (1)この発明の基礎データ この発明は、以下の(i)〜(iv)項に説明するような
化学気相成長法(CVD法)を用いた場合のO3/TEOS Si
O2膜の成膜反応における知見を基礎としている。
発明の実施の形態について説明する。 (1)この発明の基礎データ この発明は、以下の(i)〜(iv)項に説明するような
化学気相成長法(CVD法)を用いた場合のO3/TEOS Si
O2膜の成膜反応における知見を基礎としている。
【0026】(i)O3/TEOS SiO2膜を成膜する際の流動
性は、375〜425℃の範囲の成膜温度で最も顕著に
現れる。一方、成膜温度が450℃を越えると等方的成
長を示す。特に500℃以上では、O3+TEOSの混合ガス
(以下、O3/TEOS のように記す。)を用いたCVD法に
よるシリコン含有絶縁膜の成膜は完全に等方的な成膜で
ある。
性は、375〜425℃の範囲の成膜温度で最も顕著に
現れる。一方、成膜温度が450℃を越えると等方的成
長を示す。特に500℃以上では、O3+TEOSの混合ガス
(以下、O3/TEOS のように記す。)を用いたCVD法に
よるシリコン含有絶縁膜の成膜は完全に等方的な成膜で
ある。
【0027】(ii)図4は、下地層表面が親水性か疎水
性かという表面の性質と、下地層表面に付着した水の接
触角(θ)と、下地層上に形成される各種の膜の成膜レ
ート比との間の関係を示す図である。ここで、接触角
(θ)とは、図4に示すように、下地層表面に付着した
水が表面張力により凝集して水玉ができたとき、下地層
表面との接触面における水玉への接線と下地表面とのな
す角度のことをいう。成膜レート比とは、各種の膜をシ
リコン表面に直接成膜したときの成膜レートを基準とし
て同じ膜を種々の下地層上に成膜したときの成膜レート
の比をいう。成膜レートが1に近いほど、表面依存性が
抑制されていることを示している。
性かという表面の性質と、下地層表面に付着した水の接
触角(θ)と、下地層上に形成される各種の膜の成膜レ
ート比との間の関係を示す図である。ここで、接触角
(θ)とは、図4に示すように、下地層表面に付着した
水が表面張力により凝集して水玉ができたとき、下地層
表面との接触面における水玉への接線と下地表面とのな
す角度のことをいう。成膜レート比とは、各種の膜をシ
リコン表面に直接成膜したときの成膜レートを基準とし
て同じ膜を種々の下地層上に成膜したときの成膜レート
の比をいう。成膜レートが1に近いほど、表面依存性が
抑制されていることを示している。
【0028】なお、図4中、「Th.SiO2 」とは、熱酸化
により形成されたシリコン酸化膜のことをいう。「A
D」とは、「as deposited」、即ち成膜直後のことをい
う。「EX」とは、「after exposure」、即ち大気中に
放置した後のことをいう。成膜レート比の比較データに
おいて、各種の膜のうち、リンガラス(PSG)(A
D),不純物非含有シリコン酸化膜(NSG),ボロン
リンガラス(BPSG),及びPSG(EX)の成膜に
用いた酸化性ガスとして酸素中のオゾン濃度が5%であ
るオゾン含有ガスを用いた。
により形成されたシリコン酸化膜のことをいう。「A
D」とは、「as deposited」、即ち成膜直後のことをい
う。「EX」とは、「after exposure」、即ち大気中に
放置した後のことをいう。成膜レート比の比較データに
おいて、各種の膜のうち、リンガラス(PSG)(A
D),不純物非含有シリコン酸化膜(NSG),ボロン
リンガラス(BPSG),及びPSG(EX)の成膜に
用いた酸化性ガスとして酸素中のオゾン濃度が5%であ
るオゾン含有ガスを用いた。
【0029】図4に示すように、下地層に対するO3/TEO
S SiO2膜の表面依存性は、下地層の表面に付着した水の
接触角(θ)、即ち親水性か疎水性かによって左右され
る。即ち、下地層の表面が親水性であれば成膜の表面依
存性は大きく、疎水性であれば成膜の表面依存性は小さ
い。なお、図4において、NSGは親水性にもかかわら
ず、下地層に対する成膜の表面依存性が小さい理由は、
現状では不明である。
S SiO2膜の表面依存性は、下地層の表面に付着した水の
接触角(θ)、即ち親水性か疎水性かによって左右され
る。即ち、下地層の表面が親水性であれば成膜の表面依
存性は大きく、疎水性であれば成膜の表面依存性は小さ
い。なお、図4において、NSGは親水性にもかかわら
ず、下地層に対する成膜の表面依存性が小さい理由は、
現状では不明である。
【0030】(iii )図5は、下地層上に堆積したNS
G膜の成膜に用いたオゾン含有ガス中のオゾン濃度とN
SG膜の成膜レート比との関係を示すグラフである。下
地層としての各種の膜をパラメータとしている。縦軸
は、線形目盛りで表した成膜レート比を示し、横軸は線
形目盛りで表した酸素中のオゾン濃度(%)を示す。
G膜の成膜に用いたオゾン含有ガス中のオゾン濃度とN
SG膜の成膜レート比との関係を示すグラフである。下
地層としての各種の膜をパラメータとしている。縦軸
は、線形目盛りで表した成膜レート比を示し、横軸は線
形目盛りで表した酸素中のオゾン濃度(%)を示す。
【0031】また、下地層としての各種の膜の表示にお
いて、「NSG4%AD」の表示は、オゾン濃度4%の
オゾン含有ガスを用いて形成したNSG膜であって、そ
の成膜直後にその上に成膜したことを表している。「P
SG2mol %EX」の表示は、リン含有量2mol %のP
SG膜であって、大気中に放置後にその上に成膜したこ
とを表している。「PSG4〜6mol %EX」の表示
は、リン含有量4乃至6mol %のPSG膜のことであ
る。「BPSG8-8mol%AD」の表示は、ボロン含有量
8mol %、リン含有量8mol %のBPSG膜であって、
その成膜直後にその上に成膜したことを表している。そ
の他の表示は、上記表示に準ずる。また、PSG膜、及
びBPSG膜の成膜に用いたオゾン含有ガス中のオゾン
濃度はいずれも4%としている。
いて、「NSG4%AD」の表示は、オゾン濃度4%の
オゾン含有ガスを用いて形成したNSG膜であって、そ
の成膜直後にその上に成膜したことを表している。「P
SG2mol %EX」の表示は、リン含有量2mol %のP
SG膜であって、大気中に放置後にその上に成膜したこ
とを表している。「PSG4〜6mol %EX」の表示
は、リン含有量4乃至6mol %のPSG膜のことであ
る。「BPSG8-8mol%AD」の表示は、ボロン含有量
8mol %、リン含有量8mol %のBPSG膜であって、
その成膜直後にその上に成膜したことを表している。そ
の他の表示は、上記表示に準ずる。また、PSG膜、及
びBPSG膜の成膜に用いたオゾン含有ガス中のオゾン
濃度はいずれも4%としている。
【0032】図5に示すように、シリコン含有絶縁膜の
形成に用いられるオゾン含有ガス中のオゾン濃度と表面
依存性との間には著しい相関がある。また、下地層がP
SGの場合、下地層の表面依存性は下地層の成膜直後
(AD)では大きいが、空気中に放置する(EX)と、
下地層の表面が親水性から疎水性に変換されて成膜の表
面依存性は小さくなることがわかる。
形成に用いられるオゾン含有ガス中のオゾン濃度と表面
依存性との間には著しい相関がある。また、下地層がP
SGの場合、下地層の表面依存性は下地層の成膜直後
(AD)では大きいが、空気中に放置する(EX)と、
下地層の表面が親水性から疎水性に変換されて成膜の表
面依存性は小さくなることがわかる。
【0033】次に、下地層の種類による表面依存性の程
度の比較を表1に示す。
度の比較を表1に示す。
【0034】
【表1】
【0035】表1は、下地層としての各種の膜の上にLo
w O3 NSG膜(Low O3/TEOS SiO2膜のこと)、High O3 NS
G 膜(High O3/TEOS SiO2 膜のこと)、BSG膜、PS
G膜、又はBPSG膜を成膜したときの表面依存性の程
度を比較した表である。表1によれば、High O3 NSG 膜
は、下地層としてのTh.SiO2 、HDPSG膜(AD)
(高濃度リン含有PSG膜(AD)のこと)又はSOG
(Spin-On-Glass)の上に成膜したとき表面依存性の影響
を強く受ける。即ち、成膜レート比(DR)で0.7以
下となる。
w O3 NSG膜(Low O3/TEOS SiO2膜のこと)、High O3 NS
G 膜(High O3/TEOS SiO2 膜のこと)、BSG膜、PS
G膜、又はBPSG膜を成膜したときの表面依存性の程
度を比較した表である。表1によれば、High O3 NSG 膜
は、下地層としてのTh.SiO2 、HDPSG膜(AD)
(高濃度リン含有PSG膜(AD)のこと)又はSOG
(Spin-On-Glass)の上に成膜したとき表面依存性の影響
を強く受ける。即ち、成膜レート比(DR)で0.7以
下となる。
【0036】これに対して、下地層としてのBPSG、
BSG、PSG(EX)、又はP-SiO の上にHigh O3 NS
G 膜を成膜する場合、表面依存性の影響は中程度であ
る。即ち、成膜レート比(DR)で0.7以上、1以下
となる。また、P-SiO を下地層として成膜した場合には
表面依存性の影響を全く受けない。さらに、Low O3 NSG
膜をはじめとしてPSG膜やBPSG膜は、いかなる種
類の下地層上に成膜した場合であっても表面依存性の影
響を全く受けない。
BSG、PSG(EX)、又はP-SiO の上にHigh O3 NS
G 膜を成膜する場合、表面依存性の影響は中程度であ
る。即ち、成膜レート比(DR)で0.7以上、1以下
となる。また、P-SiO を下地層として成膜した場合には
表面依存性の影響を全く受けない。さらに、Low O3 NSG
膜をはじめとしてPSG膜やBPSG膜は、いかなる種
類の下地層上に成膜した場合であっても表面依存性の影
響を全く受けない。
【0037】なお、P-SiO とは、TEOSを含むガスのプラ
ズマを用いて成膜されたシリコン酸化膜である。また、
「SiN膜」はシリコン窒化膜を表す。その他の膜につ
いては上記説明に準じて解釈することができる。 (iv)下地層上にO3/TEOS SiO2膜を成膜する場合、下地
層とO3/TEOS SiO2膜の間にいわゆるバリア層或いはシー
ド層が必要である。バリア層或いはシード層はO3/TEOS
SiO2膜と下地層表面とを遮断し、水分の透過を防止し、
下地層に対する成膜の表面依存性を消去する等のために
必要である。また、何種類かの材料が露出した下地層表
面を均一化する必要もある。
ズマを用いて成膜されたシリコン酸化膜である。また、
「SiN膜」はシリコン窒化膜を表す。その他の膜につ
いては上記説明に準じて解釈することができる。 (iv)下地層上にO3/TEOS SiO2膜を成膜する場合、下地
層とO3/TEOS SiO2膜の間にいわゆるバリア層或いはシー
ド層が必要である。バリア層或いはシード層はO3/TEOS
SiO2膜と下地層表面とを遮断し、水分の透過を防止し、
下地層に対する成膜の表面依存性を消去する等のために
必要である。また、何種類かの材料が露出した下地層表
面を均一化する必要もある。
【0038】本発明は以上の知見に基づいて創作された
ものであり、以下にその発明の実施の形態について詳細
に説明する。 (2)本発明の実施の形態 図1(a)〜(c)はこの発明の実施の形態について説
明する断面図である。まず、図示しない成膜チャンバ内
に図1(a)に示す被成膜基板11を置く。被成膜基板
11の表面には、段差(凹部)12や溝(凹部)13に
より凹凸が生じている。例えば、図3(a),(b)に
示すように、半導体基板21の表面に形成されたトレン
チ溝22や、下地絶縁層23上に形成された配線24
a、24bにより生じている凹凸である。
ものであり、以下にその発明の実施の形態について詳細
に説明する。 (2)本発明の実施の形態 図1(a)〜(c)はこの発明の実施の形態について説
明する断面図である。まず、図示しない成膜チャンバ内
に図1(a)に示す被成膜基板11を置く。被成膜基板
11の表面には、段差(凹部)12や溝(凹部)13に
より凹凸が生じている。例えば、図3(a),(b)に
示すように、半導体基板21の表面に形成されたトレン
チ溝22や、下地絶縁層23上に形成された配線24
a、24bにより生じている凹凸である。
【0039】次いで、被成膜基板11を加熱し、温度3
50℃〜550℃の範囲に保つ。好ましくは温度375
℃〜425℃の範囲に保つ。この実施の形態では、例え
ば、400℃とする。次に、図1(b)に示すように、
CVD法により被成膜基板11の表面に下地層として薄
い膜厚のリンガラス膜(リン含有絶縁膜)14を成膜す
る。このため、酸素中のオゾン濃度が5%のオゾン含有
ガスと、TEOS(シリコン含有ガス)と、TMOP
(トリメチルフォスフェイト(PO(OCH3)3) :リン含有ガ
ス)を含む窒素ガスとを被成膜基板11上に導く。加熱
により上昇している被成膜基板11の温度により成膜ガ
スが反応し、被成膜基板11上にリンガラス膜14が堆
積する。
50℃〜550℃の範囲に保つ。好ましくは温度375
℃〜425℃の範囲に保つ。この実施の形態では、例え
ば、400℃とする。次に、図1(b)に示すように、
CVD法により被成膜基板11の表面に下地層として薄
い膜厚のリンガラス膜(リン含有絶縁膜)14を成膜す
る。このため、酸素中のオゾン濃度が5%のオゾン含有
ガスと、TEOS(シリコン含有ガス)と、TMOP
(トリメチルフォスフェイト(PO(OCH3)3) :リン含有ガ
ス)を含む窒素ガスとを被成膜基板11上に導く。加熱
により上昇している被成膜基板11の温度により成膜ガ
スが反応し、被成膜基板11上にリンガラス膜14が堆
積する。
【0040】このとき、リンガラス膜14中のリンの含
有量が10%以下となるように、TMOPの流量を調整
しておく。また、リンガラス膜14の膜厚は、表面依存
性の消去に十分な厚さとなるように、かつ凹部12,1
3の幅や深さを考慮して決められる。即ち、表面依存性
の消去に十分な膜厚は実験により凡そ10nm以上であ
ることが分かっている。また、リンガラス膜14のみで
凹部13内を満たさないように、かつできるだけ薄くす
ることが望ましい。一般に、下地層としてのリンガラス
膜14とその上のシリコン酸化膜15とで構成される層
間絶縁膜の全膜厚中、シリコン酸化膜15の膜厚に比べ
てリンガラス膜14の膜厚が十分に薄くなるような膜厚
とすることが望ましく、通常、リンガラス膜14の膜厚
が100nm程度であれば十分に薄いといえる。この実
施の形態では、例えば、リンガラス膜14の膜厚を10
nm以上、100nm以下となるように成膜時間を設定
する。
有量が10%以下となるように、TMOPの流量を調整
しておく。また、リンガラス膜14の膜厚は、表面依存
性の消去に十分な厚さとなるように、かつ凹部12,1
3の幅や深さを考慮して決められる。即ち、表面依存性
の消去に十分な膜厚は実験により凡そ10nm以上であ
ることが分かっている。また、リンガラス膜14のみで
凹部13内を満たさないように、かつできるだけ薄くす
ることが望ましい。一般に、下地層としてのリンガラス
膜14とその上のシリコン酸化膜15とで構成される層
間絶縁膜の全膜厚中、シリコン酸化膜15の膜厚に比べ
てリンガラス膜14の膜厚が十分に薄くなるような膜厚
とすることが望ましく、通常、リンガラス膜14の膜厚
が100nm程度であれば十分に薄いといえる。この実
施の形態では、例えば、リンガラス膜14の膜厚を10
nm以上、100nm以下となるように成膜時間を設定
する。
【0041】上記により設定された成膜時間の経過のの
ち、膜厚10〜100nmの範囲のリンガラス膜14が
被成膜基板11上に形成される。リンガラス膜14の成
膜温度は375℃〜425℃の範囲であるので、被成膜
基板11に露出する材料の種類に関わらず、リンガラス
膜14は平滑であり、ほぼ等方的に成長する。また、成
膜の表面依存性はリンガラス膜14により消去される。
ち、膜厚10〜100nmの範囲のリンガラス膜14が
被成膜基板11上に形成される。リンガラス膜14の成
膜温度は375℃〜425℃の範囲であるので、被成膜
基板11に露出する材料の種類に関わらず、リンガラス
膜14は平滑であり、ほぼ等方的に成長する。また、成
膜の表面依存性はリンガラス膜14により消去される。
【0042】なお、リンガラス膜14の上にシリコン酸
化膜(シリコン含有絶縁膜)15を形成する前に、成膜
チャンバ内で成膜温度と同じ温度に加熱した状態で水蒸
気に曝す処理を行う。これにより、リンガラス膜14の
表面が親水性から疎水性に変換される。次いで、TMO
Pを停止し、かつTMOPを流したガス供給系とは別の
ガス供給系に切り換えて、連続して同じ成膜チャンバ内
にリンガラス膜14を成膜したときと同じ濃度のオゾン
を酸素中に含むオゾン含有ガスと、TEOS(シリコン
含有ガス)とを流し続けるとともに、被成膜基板の温度
もそのまま保持する。即ち、被成膜基板の温度を、リン
ガラス膜の成膜温度と同じように、温度350℃〜55
0℃の範囲、好ましくは温度375℃〜425℃の範囲
に保つ。
化膜(シリコン含有絶縁膜)15を形成する前に、成膜
チャンバ内で成膜温度と同じ温度に加熱した状態で水蒸
気に曝す処理を行う。これにより、リンガラス膜14の
表面が親水性から疎水性に変換される。次いで、TMO
Pを停止し、かつTMOPを流したガス供給系とは別の
ガス供給系に切り換えて、連続して同じ成膜チャンバ内
にリンガラス膜14を成膜したときと同じ濃度のオゾン
を酸素中に含むオゾン含有ガスと、TEOS(シリコン
含有ガス)とを流し続けるとともに、被成膜基板の温度
もそのまま保持する。即ち、被成膜基板の温度を、リン
ガラス膜の成膜温度と同じように、温度350℃〜55
0℃の範囲、好ましくは温度375℃〜425℃の範囲
に保つ。
【0043】図1(c)に示すように、この状態を保持
し、リンガラス膜14上にシリコン酸化膜(High O3/TE
OS SiO2 膜:シリコン含有絶縁膜)15を形成する。こ
のとき、下地層に対する成膜の表面依存性が消去されて
いるため、成膜されるHigh O 3/TEOS SiO2 膜15は著し
い流動性を示し、幅が狭い凹部13内に流入する。図2
(a),(b)はそれぞれ、被成膜基板11上、幅が広
い凹部12と幅が狭い凹部13に形成されたHigh O3/TE
OS SiO2 膜15の断面を示す写真である。なお、写真中
のHigh O3/TEOS SiO2 膜15に見られる縞模様は成膜が
どのように堆積していくかを観察しやすくするために、
所定の膜厚のHigh O3/TEOS SiO2 膜15の成膜ごとに異
なる層を形成したものである。
し、リンガラス膜14上にシリコン酸化膜(High O3/TE
OS SiO2 膜:シリコン含有絶縁膜)15を形成する。こ
のとき、下地層に対する成膜の表面依存性が消去されて
いるため、成膜されるHigh O 3/TEOS SiO2 膜15は著し
い流動性を示し、幅が狭い凹部13内に流入する。図2
(a),(b)はそれぞれ、被成膜基板11上、幅が広
い凹部12と幅が狭い凹部13に形成されたHigh O3/TE
OS SiO2 膜15の断面を示す写真である。なお、写真中
のHigh O3/TEOS SiO2 膜15に見られる縞模様は成膜が
どのように堆積していくかを観察しやすくするために、
所定の膜厚のHigh O3/TEOS SiO2 膜15の成膜ごとに異
なる層を形成したものである。
【0044】図2(a),(b)に示すように、幅の広
い凹部12では、流動性形状となっていることが確認さ
れ、また、図5(b)に示すように、幅の狭い凹部13
では、凹部13内のHigh O3/TEOS SiO2 膜15にボイド
やシームが生じるのを抑制して、High O3/TEOS SiO2 膜
15を凹部13内に隙間なく埋め込むことができる。以
上のように、この発明の実施の形態によれば、被成膜基
板11表面をリンガラス膜14で被覆することにより成
膜の表面依存性を消去することができるため、表面依存
性の影響を受けやすいHigh O3/TEOS SiO2 膜15を成膜
するときでも十分な流動性を得ることができる。
い凹部12では、流動性形状となっていることが確認さ
れ、また、図5(b)に示すように、幅の狭い凹部13
では、凹部13内のHigh O3/TEOS SiO2 膜15にボイド
やシームが生じるのを抑制して、High O3/TEOS SiO2 膜
15を凹部13内に隙間なく埋め込むことができる。以
上のように、この発明の実施の形態によれば、被成膜基
板11表面をリンガラス膜14で被覆することにより成
膜の表面依存性を消去することができるため、表面依存
性の影響を受けやすいHigh O3/TEOS SiO2 膜15を成膜
するときでも十分な流動性を得ることができる。
【0045】また、薄い膜厚のリンガラス膜14により
成膜の表面依存性を十分に消去することができるため、
幅の狭い凹部13の内面でも十分に被覆することができ
る。これにより、被成膜基板11の表面に幅の狭い凹部
13を有している場合、凹部13内のHigh O3/TEOS SiO
2 膜15にボイドやシームを生じさせることなく、High
O3/TEOS SiO2 膜15を凹部13内に隙間なく埋め込む
ことができる。
成膜の表面依存性を十分に消去することができるため、
幅の狭い凹部13の内面でも十分に被覆することができ
る。これにより、被成膜基板11の表面に幅の狭い凹部
13を有している場合、凹部13内のHigh O3/TEOS SiO
2 膜15にボイドやシームを生じさせることなく、High
O3/TEOS SiO2 膜15を凹部13内に隙間なく埋め込む
ことができる。
【0046】さらに、High O3/TEOS SiO2 膜15を形成
するときの成膜温度を、350℃〜550℃の範囲、好
ましくは375℃〜425℃の範囲としているので、O3
/TEOS の混合ガスを用いたCVD法によりHigh O3/TEOS
SiO2 膜15を成膜する際に成膜の流動性を増すことが
できる。なお、上記実施の形態では、PSG膜を下地層
14として用いているが、PSG膜の代わりにBPSG
膜を用いてもよい。
するときの成膜温度を、350℃〜550℃の範囲、好
ましくは375℃〜425℃の範囲としているので、O3
/TEOS の混合ガスを用いたCVD法によりHigh O3/TEOS
SiO2 膜15を成膜する際に成膜の流動性を増すことが
できる。なお、上記実施の形態では、PSG膜を下地層
14として用いているが、PSG膜の代わりにBPSG
膜を用いてもよい。
【0047】また、下地層14上のシリコン含有絶縁膜
15の成膜に用いられるオゾン含有ガスとして、酸素中
にオゾン濃度が1%以上、10%以下の高濃度のオゾン
を含むものを用いてHigh O3/TEOS SiO2 膜を形成してい
るが、酸素中のオゾン濃度が1%以下である低濃度のオ
ゾンを含むオゾン含有ガスを用いて、表面依存性の影響
を受けにくいシリコン酸化膜(Low O3/TEOS SiO2膜)を
成膜する場合にも適用することができる。この場合、リ
ンガラス膜等のリン含有絶縁膜14を用いることによ
り、成膜の表面依存性の消去の他に、特に、Low O3/TEO
S SiO2膜から被成膜基板への水分の透過防止やアルカリ
イオンの移動等を防止することができる。
15の成膜に用いられるオゾン含有ガスとして、酸素中
にオゾン濃度が1%以上、10%以下の高濃度のオゾン
を含むものを用いてHigh O3/TEOS SiO2 膜を形成してい
るが、酸素中のオゾン濃度が1%以下である低濃度のオ
ゾンを含むオゾン含有ガスを用いて、表面依存性の影響
を受けにくいシリコン酸化膜(Low O3/TEOS SiO2膜)を
成膜する場合にも適用することができる。この場合、リ
ンガラス膜等のリン含有絶縁膜14を用いることによ
り、成膜の表面依存性の消去の他に、特に、Low O3/TEO
S SiO2膜から被成膜基板への水分の透過防止やアルカリ
イオンの移動等を防止することができる。
【0048】さらに、上記では、リンガラス膜14を成
膜した後、シリコン酸化膜15を形成する前に、水蒸気
に曝してリンガラス膜14の表面を疎水性に変換してい
るが、リンガラス膜14を形成したときに用いたガス放
出手段をリンの付着が全くない別のガス放出手段に切り
換えてもよい。或いは、被成膜基板11を成膜チャンバ
の外に取り出して大気に曝してもよい。これにより、リ
ンガラス膜14の表面での表面依存性を消去することが
できる。
膜した後、シリコン酸化膜15を形成する前に、水蒸気
に曝してリンガラス膜14の表面を疎水性に変換してい
るが、リンガラス膜14を形成したときに用いたガス放
出手段をリンの付着が全くない別のガス放出手段に切り
換えてもよい。或いは、被成膜基板11を成膜チャンバ
の外に取り出して大気に曝してもよい。これにより、リ
ンガラス膜14の表面での表面依存性を消去することが
できる。
【0049】また、上記で、リンガラス膜(リン含有絶
縁膜)14を膜厚10〜100nmの範囲で形成してい
るが、これに限られるものではない。理論的にはリン含
有絶縁膜の膜厚は凹部の幅の1/2以下で有ればよい。
従って、リン含有絶縁膜の膜厚の上限については、凹部
の幅によって左右されることになる。
縁膜)14を膜厚10〜100nmの範囲で形成してい
るが、これに限られるものではない。理論的にはリン含
有絶縁膜の膜厚は凹部の幅の1/2以下で有ればよい。
従って、リン含有絶縁膜の膜厚の上限については、凹部
の幅によって左右されることになる。
【0050】
【発明の効果】以上のように、この発明においては、被
成膜基板表面をリンガラス膜等のリン含有絶縁膜で被覆
している。このため、被成膜基板に対して成膜の表面依
存性を消去して成膜のときに十分な流動性を得ることが
できる。また、シリコン含有絶縁膜の成膜に用いられる
オゾン含有ガスとして酸素中に10%以下の濃度のオゾ
ンを含むガスを用いている。即ち、酸素中のオゾン濃度
が1%以上である高濃度のオゾンを含むオゾン含有ガス
を用いて成膜された、表面依存性の影響を受けやすいHi
gh O3/TEOS SiO2 膜、或いは酸素中のオゾン濃度が1%
以下である低濃度のオゾンを含むオゾン含有ガスを用い
て成膜された、表面依存性の影響を受けにくいシリコン
酸化膜(Low O3/TEOS SiO2膜)に適用している。
成膜基板表面をリンガラス膜等のリン含有絶縁膜で被覆
している。このため、被成膜基板に対して成膜の表面依
存性を消去して成膜のときに十分な流動性を得ることが
できる。また、シリコン含有絶縁膜の成膜に用いられる
オゾン含有ガスとして酸素中に10%以下の濃度のオゾ
ンを含むガスを用いている。即ち、酸素中のオゾン濃度
が1%以上である高濃度のオゾンを含むオゾン含有ガス
を用いて成膜された、表面依存性の影響を受けやすいHi
gh O3/TEOS SiO2 膜、或いは酸素中のオゾン濃度が1%
以下である低濃度のオゾンを含むオゾン含有ガスを用い
て成膜された、表面依存性の影響を受けにくいシリコン
酸化膜(Low O3/TEOS SiO2膜)に適用している。
【0051】High O3/TEOS SiO2 膜の成膜に適用する場
合には、表面依存性を消去するために有効であり、Low
O3/TEOS SiO2膜の成膜に適用する場合には、表面依存性
を消去するためよりも、Low O3/TEOS SiO2膜から被成膜
基板への水分の透過防止やアルカリイオンの移動等を防
止するために有効である。また、下地層としてリンガラ
ス膜等のリン含有絶縁膜を用いることで薄い膜厚でも成
膜の表面依存性を十分に消去することができるため、幅
の狭い凹部の内面でも十分に被覆することができる。
合には、表面依存性を消去するために有効であり、Low
O3/TEOS SiO2膜の成膜に適用する場合には、表面依存性
を消去するためよりも、Low O3/TEOS SiO2膜から被成膜
基板への水分の透過防止やアルカリイオンの移動等を防
止するために有効である。また、下地層としてリンガラ
ス膜等のリン含有絶縁膜を用いることで薄い膜厚でも成
膜の表面依存性を十分に消去することができるため、幅
の狭い凹部の内面でも十分に被覆することができる。
【0052】これにより、被成膜基板の表面に幅の狭い
凹部を有している場合、凹部内に成膜されたシリコン酸
化膜にボイドやシームを生じさせることなく、シリコン
酸化膜により凹部を隙間なく埋めることができる。ま
た、シリコン含有絶縁膜を形成するときの成膜温度を3
50℃〜550℃の範囲、好ましくは375℃〜425
℃の範囲とすることにより、O3/TEOS の混合ガスを用い
たCVD法によりシリコン含有絶縁膜を成膜する際に成
膜の流動性を一層増すことができる。
凹部を有している場合、凹部内に成膜されたシリコン酸
化膜にボイドやシームを生じさせることなく、シリコン
酸化膜により凹部を隙間なく埋めることができる。ま
た、シリコン含有絶縁膜を形成するときの成膜温度を3
50℃〜550℃の範囲、好ましくは375℃〜425
℃の範囲とすることにより、O3/TEOS の混合ガスを用い
たCVD法によりシリコン含有絶縁膜を成膜する際に成
膜の流動性を一層増すことができる。
【図1】図1(a)〜(c)は、本発明の実施の形態に
係る成膜方法及び半導体装置の製造方法について示すフ
ローチャートである。
係る成膜方法及び半導体装置の製造方法について示すフ
ローチャートである。
【図2】図2(a),(b)は、本発明の実施の形態に
係る成膜方法及び半導体装置の製造方法により段差及び
溝を有する被成膜基板に形成されたシリコン含有絶縁膜
の断面形状を示す写真である。
係る成膜方法及び半導体装置の製造方法により段差及び
溝を有する被成膜基板に形成されたシリコン含有絶縁膜
の断面形状を示す写真である。
【図3】図3(a)は、本発明の実施の形態に係る成膜
方法及び半導体装置の製造方法に用いられる段差を有す
る被成膜基板について示す断面図である。図3(b)
は、本発明の実施の形態に係る成膜方法及び半導体装置
の製造方法に用いられるトレンチ溝を有する被成膜基板
について示す断面図である。
方法及び半導体装置の製造方法に用いられる段差を有す
る被成膜基板について示す断面図である。図3(b)
は、本発明の実施の形態に係る成膜方法及び半導体装置
の製造方法に用いられるトレンチ溝を有する被成膜基板
について示す断面図である。
【図4】図4は、本発明の実施の形態に係る成膜方法に
より形成されるO3/TEOS NSG 膜の成膜レートの表面依存
性と接触角との相関を示す図である。
より形成されるO3/TEOS NSG 膜の成膜レートの表面依存
性と接触角との相関を示す図である。
【図5】図5は、本発明の実施の形態に係る成膜方法に
より形成されるO3/TEOS NSG 膜の成膜レート比とオゾン
濃度との相関を、下地層の種類をパラメータとして調査
したグラフである。
より形成されるO3/TEOS NSG 膜の成膜レート比とオゾン
濃度との相関を、下地層の種類をパラメータとして調査
したグラフである。
【図6】図6(a),(b)は、第1の比較例に係る成
膜方法により段差や溝を有する被成膜基板上に形成され
たシリコン含有絶縁膜の断面形状について示す断面図で
ある。
膜方法により段差や溝を有する被成膜基板上に形成され
たシリコン含有絶縁膜の断面形状について示す断面図で
ある。
【図7】図7(a),(b)は、第2の比較例に係る成
膜方法により段差や溝を有する被成膜基板上に形成され
たシリコン含有絶縁膜の断面形状について示す断面図で
ある。
膜方法により段差や溝を有する被成膜基板上に形成され
たシリコン含有絶縁膜の断面形状について示す断面図で
ある。
11 被成膜基板、 12 段差(凹部)、 13 溝(凹部)、 14 リン含有絶縁膜(下地層)、 15 シリコン酸化膜(シリコン含有絶縁膜)、 21 シリコン基板(半導体基板)、 22 トレンチ溝(凹部)、 23 下地絶縁層、 24a,24b 配線、 25 凹部。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成11年5月17日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0011
【補正方法】変更
【補正内容】
【0011】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1記載の発明は、成膜方法に係り、被成膜基
板の表面に下地層としてリン含有絶縁膜を形成する工程
と、前記リン含有絶縁膜の表面を大気に曝すか、或いは
前記リン含有絶縁膜を加熱しつつ、前記リン含有絶縁膜
の表面を水蒸気に曝す工程と、オゾン含有ガスとシリコ
ン含有ガスを含む混合ガスを用いた化学気相成長法によ
り前記リン含有絶縁膜上にシリコン含有絶縁膜を形成す
る工程とを有することを特徴としている。
め、請求項1記載の発明は、成膜方法に係り、被成膜基
板の表面に下地層としてリン含有絶縁膜を形成する工程
と、前記リン含有絶縁膜の表面を大気に曝すか、或いは
前記リン含有絶縁膜を加熱しつつ、前記リン含有絶縁膜
の表面を水蒸気に曝す工程と、オゾン含有ガスとシリコ
ン含有ガスを含む混合ガスを用いた化学気相成長法によ
り前記リン含有絶縁膜上にシリコン含有絶縁膜を形成す
る工程とを有することを特徴としている。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0012
【補正方法】変更
【補正内容】
【0012】請求項2記載の発明は、請求項1記載の成
膜方法に係り、前記リン含有絶縁膜を形成する際に第1
のガス放出手段によりオゾン含有ガスとシリコン含有ガ
スとリン含有ガスとを放出し、前記シリコン含有絶縁膜
を形成する際に前記第1のガス放出手段と異なる第2の
ガス放出手段によりオゾン含有ガスとシリコン含有ガス
とを放出することを特徴としている。
膜方法に係り、前記リン含有絶縁膜を形成する際に第1
のガス放出手段によりオゾン含有ガスとシリコン含有ガ
スとリン含有ガスとを放出し、前記シリコン含有絶縁膜
を形成する際に前記第1のガス放出手段と異なる第2の
ガス放出手段によりオゾン含有ガスとシリコン含有ガス
とを放出することを特徴としている。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0013
【補正方法】変更
【補正内容】
【0013】請求項3記載の発明は、請求項1又は2記
載の成膜方法に係り、成膜された前記リン含有絶縁膜の
膜厚は10nm以上、100nm以下であることを特徴
としている。
載の成膜方法に係り、成膜された前記リン含有絶縁膜の
膜厚は10nm以上、100nm以下であることを特徴
としている。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0014
【補正方法】変更
【補正内容】
【0014】請求項4記載の発明は、請求項1乃至3の
何れか一に記載の成膜方法に係り、前記オゾン含有ガス
は酸素中に10%以下の濃度のオゾンを含むガスである
ことを特徴としている。請求項5記載の発明は、請求項
1乃至4の何れか一に記載の成膜方法に係り、前記シリ
コン含有ガスはテトラエチルオルソシリケート(TEO
S)を含むガスであることを特徴としている。
何れか一に記載の成膜方法に係り、前記オゾン含有ガス
は酸素中に10%以下の濃度のオゾンを含むガスである
ことを特徴としている。請求項5記載の発明は、請求項
1乃至4の何れか一に記載の成膜方法に係り、前記シリ
コン含有ガスはテトラエチルオルソシリケート(TEO
S)を含むガスであることを特徴としている。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0015
【補正方法】変更
【補正内容】
【0015】請求項6記載の発明は、請求項1乃至5の
何れか一に記載の成膜方法に係り、前記シリコン含有絶
縁膜を形成するときの成膜温度は350℃〜550℃で
あることを特徴としている。請求項7記載の発明は、請
求項6記載の成膜方法に係り、前記シリコン含有絶縁膜
を形成するときの成膜温度は375℃〜425℃である
ことを特徴としている。
何れか一に記載の成膜方法に係り、前記シリコン含有絶
縁膜を形成するときの成膜温度は350℃〜550℃で
あることを特徴としている。請求項7記載の発明は、請
求項6記載の成膜方法に係り、前記シリコン含有絶縁膜
を形成するときの成膜温度は375℃〜425℃である
ことを特徴としている。
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0016
【補正方法】変更
【補正内容】
【0016】請求項8記載の発明は、請求項1乃至請求
項7の何れか一に記載の成膜方法に係り、前記リン含有
絶縁膜はリンガラス膜(PSG膜)又はボロンリンガラ
ス膜(BPSG膜)のうち何れか一であることを特徴と
している。請求項9記載の発明は、請求項8記載の成膜
方法に係り、前記リンガラス膜中のリン濃度は10モル
%以下であることを特徴としている。
項7の何れか一に記載の成膜方法に係り、前記リン含有
絶縁膜はリンガラス膜(PSG膜)又はボロンリンガラ
ス膜(BPSG膜)のうち何れか一であることを特徴と
している。請求項9記載の発明は、請求項8記載の成膜
方法に係り、前記リンガラス膜中のリン濃度は10モル
%以下であることを特徴としている。
【手続補正8】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0017
【補正方法】変更
【補正内容】
【0017】請求項10記載の発明は、半導体装置の製
造方法に係り、請求項1乃至請求項9の何れか一に記載
の成膜方法を用いて、凹部を有する被成膜基板の表面
に、下地層として前記凹部を被覆するリン含有絶縁膜を
形成し、その後前記リン含有絶縁膜上にシリコン含有絶
縁膜を形成して該シリコン含有絶縁膜により前記凹部を
埋めることを特徴としている。
造方法に係り、請求項1乃至請求項9の何れか一に記載
の成膜方法を用いて、凹部を有する被成膜基板の表面
に、下地層として前記凹部を被覆するリン含有絶縁膜を
形成し、その後前記リン含有絶縁膜上にシリコン含有絶
縁膜を形成して該シリコン含有絶縁膜により前記凹部を
埋めることを特徴としている。
【手続補正9】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0018
【補正方法】変更
【補正内容】
【0018】ところで、高濃度のオゾン(酸素中のオゾ
ン濃度が1%以上とする。)を含むオゾン含有ガスとシ
リコン含有ガスとを用いた化学気相成長法によりシリコ
ン酸化膜(High O3/TEOS SiO2 膜) を成膜するとき、被
成膜基板において成膜の表面依存性が顕著に現れるとさ
れる。
ン濃度が1%以上とする。)を含むオゾン含有ガスとシ
リコン含有ガスとを用いた化学気相成長法によりシリコ
ン酸化膜(High O3/TEOS SiO2 膜) を成膜するとき、被
成膜基板において成膜の表面依存性が顕著に現れるとさ
れる。
【手続補正10】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0019
【補正方法】変更
【補正内容】
【0019】本願発明者の実験によれば、リンガラス膜
(PSG膜)又はボロンリンガラス膜(BPSG膜)等
のリン含有絶縁膜により被成膜基板の表面を被覆するこ
とにより、オゾン含有ガスとシリコン含有ガスとを含む
混合ガスを用いた化学気相成長法により成膜されるシリ
コン含有絶縁膜を被成膜基板上に成膜する際に、被成膜
基板における成膜の表面依存性を消去することができ
る。更に、シリコン含有絶縁膜を形成する前にリン含有
絶縁膜の表面を大気に曝すか、或いは水蒸気に曝すこと
により、リン含有絶縁膜の表面は疎水性に変換されるこ
と、かつ被成膜表面が疎水性に変換されれば、オゾン含
有ガスとシリコン含有ガスを含む混合ガスを用いた化学
気相成長法によるシリコン含有絶縁膜の成膜における表
面依存性が制御されることが確かめられている。特に、
表面依存性の影響を受けやすいHigh O3/TEOS SiO2 膜を
成膜する場合にそのような表面処理をすることが望まし
い。
(PSG膜)又はボロンリンガラス膜(BPSG膜)等
のリン含有絶縁膜により被成膜基板の表面を被覆するこ
とにより、オゾン含有ガスとシリコン含有ガスとを含む
混合ガスを用いた化学気相成長法により成膜されるシリ
コン含有絶縁膜を被成膜基板上に成膜する際に、被成膜
基板における成膜の表面依存性を消去することができ
る。更に、シリコン含有絶縁膜を形成する前にリン含有
絶縁膜の表面を大気に曝すか、或いは水蒸気に曝すこと
により、リン含有絶縁膜の表面は疎水性に変換されるこ
と、かつ被成膜表面が疎水性に変換されれば、オゾン含
有ガスとシリコン含有ガスを含む混合ガスを用いた化学
気相成長法によるシリコン含有絶縁膜の成膜における表
面依存性が制御されることが確かめられている。特に、
表面依存性の影響を受けやすいHigh O3/TEOS SiO2 膜を
成膜する場合にそのような表面処理をすることが望まし
い。
【手続補正11】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0020
【補正方法】変更
【補正内容】
【0020】この発明においては、被成膜基板の表面に
下地層としてリンガラス膜等のリン含有絶縁膜を成膜し
た後、シリコン含有絶縁膜を成膜する前に、リン含有絶
縁膜の表面を大気に曝すか、或いは水蒸気に曝してい
る。これにより、成膜の表面依存性を消去することがで
きるため、表面依存性の影響を受けやすいHigh O3/TEOS
SiO2 膜を成膜するときでも十分な流動性を得ることが
できる。
下地層としてリンガラス膜等のリン含有絶縁膜を成膜し
た後、シリコン含有絶縁膜を成膜する前に、リン含有絶
縁膜の表面を大気に曝すか、或いは水蒸気に曝してい
る。これにより、成膜の表面依存性を消去することがで
きるため、表面依存性の影響を受けやすいHigh O3/TEOS
SiO2 膜を成膜するときでも十分な流動性を得ることが
できる。
【手続補正12】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0021
【補正方法】変更
【補正内容】
【0021】また、膜厚10nm程度の薄い膜厚のリン
含有絶縁膜により成膜の表面依存性を十分に消去するこ
とができる。このため、少なくとも凡そ20nm以上の
幅の狭い凹部の内面でも十分に被覆することができる。
なお、リン含有絶縁膜の膜厚の上限については、下地層
としてのリン含有絶縁膜とその上のシリコン含有絶縁膜
からなる層間絶縁膜の全膜厚中、シリコン含有絶縁膜の
膜厚に比べてリン含有絶縁膜の膜厚が十分に薄くなるよ
うな膜厚とすることが望ましい。通常、それが100n
m程度であれば十分に薄いといえる。
含有絶縁膜により成膜の表面依存性を十分に消去するこ
とができる。このため、少なくとも凡そ20nm以上の
幅の狭い凹部の内面でも十分に被覆することができる。
なお、リン含有絶縁膜の膜厚の上限については、下地層
としてのリン含有絶縁膜とその上のシリコン含有絶縁膜
からなる層間絶縁膜の全膜厚中、シリコン含有絶縁膜の
膜厚に比べてリン含有絶縁膜の膜厚が十分に薄くなるよ
うな膜厚とすることが望ましい。通常、それが100n
m程度であれば十分に薄いといえる。
【手続補正13】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0022
【補正方法】変更
【補正内容】
【0022】これにより、被成膜基板の表面に幅の狭い
凹部を有している場合、凹部内に成膜されたシリコン酸
化膜にボイドやシームを生じさせることなく、シリコン
酸化膜により凹部を隙間なく埋めることができる。この
場合、第1のガス放出手段によりオゾン含有ガスとシリ
コン含有ガスとリン含有ガスとを放出してリン含有絶縁
膜を形成し、その後リン含有絶縁膜の表面を水蒸気に曝
す等した後、第2のガス放出手段によりオゾン含有ガス
とシリコン含有ガスとを放出してシリコン酸化膜を形成
している。ところで、成膜されたリン含有絶縁膜の表面
での表面依存性を消去するためには、実験により、リン
含有絶縁膜上に次のシリコン含有絶縁膜を形成するとき
に反応ガス中にリン含有絶縁膜を形成したときのガス放
出手段と異なるガス放出手段を用いてシリコン含有絶縁
膜を形成すれば、リン含有絶縁膜の表面での表面依存性
を消去することができる。リン含有絶縁膜の成膜チャン
バとシリコン含有絶縁膜の成膜チャンバを変えてもよい
し、成膜のときにそれぞれ別のガス放出手段に切り換え
てもよい。
凹部を有している場合、凹部内に成膜されたシリコン酸
化膜にボイドやシームを生じさせることなく、シリコン
酸化膜により凹部を隙間なく埋めることができる。この
場合、第1のガス放出手段によりオゾン含有ガスとシリ
コン含有ガスとリン含有ガスとを放出してリン含有絶縁
膜を形成し、その後リン含有絶縁膜の表面を水蒸気に曝
す等した後、第2のガス放出手段によりオゾン含有ガス
とシリコン含有ガスとを放出してシリコン酸化膜を形成
している。ところで、成膜されたリン含有絶縁膜の表面
での表面依存性を消去するためには、実験により、リン
含有絶縁膜上に次のシリコン含有絶縁膜を形成するとき
に反応ガス中にリン含有絶縁膜を形成したときのガス放
出手段と異なるガス放出手段を用いてシリコン含有絶縁
膜を形成すれば、リン含有絶縁膜の表面での表面依存性
を消去することができる。リン含有絶縁膜の成膜チャン
バとシリコン含有絶縁膜の成膜チャンバを変えてもよい
し、成膜のときにそれぞれ別のガス放出手段に切り換え
てもよい。
【手続補正14】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0050
【補正方法】変更
【補正内容】
【0050】
【発明の効果】以上のように、この発明においては、被
成膜基板表面をリンガラス膜等のリン含有絶縁膜で被覆
し、かつ、リン含有絶縁膜上にシリコン含有絶縁膜を成
膜する前に、リン含有絶縁膜の表面を大気に曝すか、或
いは水蒸気に曝している。これにより、被成膜基板にお
いて成膜の表面依存性を消去して成膜のときに十分な流
動性を得ることができる。また、シリコン含有絶縁膜の
成膜に用いられるオゾン含有ガスとして酸素中に10%
以下の濃度のオゾンを含むガスを用いている。即ち、酸
素中のオゾン濃度が1%以上である高濃度のオゾンを含
むオゾン含有ガスを用いて成膜された、表面依存の影響
を受けやすいHigh O3/TEOS SiO2 膜、或いは酸素中のオ
ゾン濃度が1%以下である低濃度のオゾンを含むオゾン
含有ガスを用いて成膜された、表面依存性を受けにくい
シリコン酸化膜(Low O3/TEOS SiO2膜) に適用してい
る。
成膜基板表面をリンガラス膜等のリン含有絶縁膜で被覆
し、かつ、リン含有絶縁膜上にシリコン含有絶縁膜を成
膜する前に、リン含有絶縁膜の表面を大気に曝すか、或
いは水蒸気に曝している。これにより、被成膜基板にお
いて成膜の表面依存性を消去して成膜のときに十分な流
動性を得ることができる。また、シリコン含有絶縁膜の
成膜に用いられるオゾン含有ガスとして酸素中に10%
以下の濃度のオゾンを含むガスを用いている。即ち、酸
素中のオゾン濃度が1%以上である高濃度のオゾンを含
むオゾン含有ガスを用いて成膜された、表面依存の影響
を受けやすいHigh O3/TEOS SiO2 膜、或いは酸素中のオ
ゾン濃度が1%以下である低濃度のオゾンを含むオゾン
含有ガスを用いて成膜された、表面依存性を受けにくい
シリコン酸化膜(Low O3/TEOS SiO2膜) に適用してい
る。
Claims (11)
- 【請求項1】 被成膜基板の表面に下地層としてリン含
有絶縁膜を形成する工程と、 オゾン含有ガスとシリコン含有ガスを含む混合ガスを用
いた化学気相成長法により前記リン含有絶縁膜上にシリ
コン含有絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴と
する成膜方法。 - 【請求項2】 第1のガス放出手段によりオゾン含有ガ
スとシリコン含有ガスとリン含有ガスとを放出して化学
気相成長法により、被成膜基板の表面に下地層としてリ
ン含有絶縁膜を形成する工程と、 前記第1のガス放出手段と異なる第2のガス放出手段に
よりオゾン含有ガスとシリコン含有ガスとを放出し、化
学気相成長法により、連続して前記不純物含有絶縁膜上
にシリコン含有絶縁膜を形成する工程とを有することを
特徴とする成膜方法。 - 【請求項3】 前記リン含有絶縁膜を形成する工程の
後、前記リン含有絶縁膜上にシリコン含有絶縁膜を形成
する工程の前に、前記リン含有絶縁膜の表面を大気に曝
すか、或いは前記リン含有絶縁膜を加熱しつつ、前記リ
ン含有絶縁膜の表面を水蒸気に曝すことを特徴とする請
求項1又は請求項2に記載の成膜方法。 - 【請求項4】 成膜された前記リン含有絶縁膜の膜厚は
10nm以上、100nm以下であることを特徴とする
請求項1乃至請求項3の何れか一に記載の成膜方法。 - 【請求項5】 前記オゾン含有ガスは酸素中に10%以
下の濃度のオゾンを含むガスであることを特徴とする請
求項1乃至請求項4の何れか一に記載の成膜方法。 - 【請求項6】 前記シリコン含有ガスはテトラエチルオ
ルソシリケート(TEOS)を含むガスであることを特
徴とする請求項1乃至請求項5の何れか一に記載の成膜
方法。 - 【請求項7】 前記シリコン含有絶縁膜を形成するとき
の成膜温度は350℃〜550℃であることを特徴とす
る請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の成膜方法。 - 【請求項8】 前記シリコン含有絶縁膜を形成するとき
の成膜温度は375℃〜425℃であることを特徴とす
る請求項7に記載の成膜方法。 - 【請求項9】 前記リン含有絶縁膜は、リンガラス膜
(PSG膜)又はボロンリンガラス膜(BPSG膜)の
うち何れか一であることを特徴とする請求項1乃至請求
項8の何れか一に記載の成膜方法。 - 【請求項10】 前記リンガラス膜中のリンの濃度は1
0モル%以下であることを特徴とする請求項9に記載の
成膜方法。 - 【請求項11】 請求項1乃至請求項10の何れか一に
記載の成膜方法を用いて、凹部を有する被成膜基板の表
面に、下地層として前記凹部を被覆するリン含有絶縁膜
を形成し、その後前記リン含有絶縁膜上にシリコン含有
絶縁膜を形成して該シリコン含有絶縁膜により前記凹部
を埋めることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13804098A JP3208376B2 (ja) | 1998-05-20 | 1998-05-20 | 成膜方法及び半導体装置の製造方法 |
US09/157,936 US6352943B2 (en) | 1998-05-20 | 1998-09-22 | Method of film formation and method for manufacturing semiconductor device |
EP98118024A EP0959493A3 (en) | 1998-05-20 | 1998-09-23 | Deposition of insulating films by CVD |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13804098A JP3208376B2 (ja) | 1998-05-20 | 1998-05-20 | 成膜方法及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11330068A true JPH11330068A (ja) | 1999-11-30 |
JP3208376B2 JP3208376B2 (ja) | 2001-09-10 |
Family
ID=15212626
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13804098A Expired - Fee Related JP3208376B2 (ja) | 1998-05-20 | 1998-05-20 | 成膜方法及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6352943B2 (ja) |
EP (1) | EP0959493A3 (ja) |
JP (1) | JP3208376B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140143694A (ko) * | 2013-06-07 | 2014-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 홈을 절연막으로 채우는 방법 |
Families Citing this family (353)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7157385B2 (en) | 2003-09-05 | 2007-01-02 | Micron Technology, Inc. | Method of depositing a silicon dioxide-comprising layer in the fabrication of integrated circuitry |
US6489254B1 (en) * | 2000-08-29 | 2002-12-03 | Atmel Corporation | Method of forming pre-metal dielectric film on a semiconductor substrate including first layer of undoped oxide of high ozone:TEOS volume ratio and second layer of low ozone doped BPSG |
US20070014801A1 (en) * | 2001-01-24 | 2007-01-18 | Gish Kurt C | Methods of diagnosis of prostate cancer, compositions and methods of screening for modulators of prostate cancer |
US7125815B2 (en) * | 2003-07-07 | 2006-10-24 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a phosphorous doped silicon dioxide comprising layer |
US7053010B2 (en) | 2004-03-22 | 2006-05-30 | Micron Technology, Inc. | Methods of depositing silicon dioxide comprising layers in the fabrication of integrated circuitry, methods of forming trench isolation, and methods of forming arrays of memory cells |
US7129189B1 (en) | 2004-06-22 | 2006-10-31 | Novellus Systems, Inc. | Aluminum phosphate incorporation in silica thin films produced by rapid surface catalyzed vapor deposition (RVD) |
US7297608B1 (en) | 2004-06-22 | 2007-11-20 | Novellus Systems, Inc. | Method for controlling properties of conformal silica nanolaminates formed by rapid vapor deposition |
US7097878B1 (en) | 2004-06-22 | 2006-08-29 | Novellus Systems, Inc. | Mixed alkoxy precursors and methods of their use for rapid vapor deposition of SiO2 films |
US7202185B1 (en) | 2004-06-22 | 2007-04-10 | Novellus Systems, Inc. | Silica thin films produced by rapid surface catalyzed vapor deposition (RVD) using a nucleation layer |
US7235459B2 (en) | 2004-08-31 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming trench isolation in the fabrication of integrated circuitry, methods of fabricating memory circuitry, integrated circuitry and memory integrated circuitry |
US7148155B1 (en) | 2004-10-26 | 2006-12-12 | Novellus Systems, Inc. | Sequential deposition/anneal film densification method |
US7790633B1 (en) | 2004-10-26 | 2010-09-07 | Novellus Systems, Inc. | Sequential deposition/anneal film densification method |
US7294583B1 (en) | 2004-12-23 | 2007-11-13 | Novellus Systems, Inc. | Methods for the use of alkoxysilanol precursors for vapor deposition of SiO2 films |
US7223707B1 (en) | 2004-12-30 | 2007-05-29 | Novellus Systems, Inc. | Dynamic rapid vapor deposition process for conformal silica laminates |
US7271112B1 (en) | 2004-12-30 | 2007-09-18 | Novellus Systems, Inc. | Methods for forming high density, conformal, silica nanolaminate films via pulsed deposition layer in structures of confined geometry |
US7510966B2 (en) | 2005-03-07 | 2009-03-31 | Micron Technology, Inc. | Electrically conductive line, method of forming an electrically conductive line, and method of reducing titanium silicide agglomeration in fabrication of titanium silicide over polysilicon transistor gate lines |
US7109129B1 (en) | 2005-03-09 | 2006-09-19 | Novellus Systems, Inc. | Optimal operation of conformal silica deposition reactors |
US7135418B1 (en) | 2005-03-09 | 2006-11-14 | Novellus Systems, Inc. | Optimal operation of conformal silica deposition reactors |
US8012847B2 (en) | 2005-04-01 | 2011-09-06 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming trench isolation in the fabrication of integrated circuitry and methods of fabricating integrated circuitry |
US7589028B1 (en) | 2005-11-15 | 2009-09-15 | Novellus Systems, Inc. | Hydroxyl bond removal and film densification method for oxide films using microwave post treatment |
US7491653B1 (en) | 2005-12-23 | 2009-02-17 | Novellus Systems, Inc. | Metal-free catalysts for pulsed deposition layer process for conformal silica laminates |
US7737035B1 (en) | 2006-03-31 | 2010-06-15 | Novellus Systems, Inc. | Dual seal deposition process chamber and process |
US7552280B1 (en) | 2006-06-28 | 2009-06-23 | Emc Corporation | Asymmetrically interleaving access to redundant storage devices |
US20080081114A1 (en) * | 2006-10-03 | 2008-04-03 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and method for delivering uniform fluid flow in a chemical deposition system |
US7993457B1 (en) | 2007-01-23 | 2011-08-09 | Novellus Systems, Inc. | Deposition sub-chamber with variable flow |
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US8105956B2 (en) | 2009-10-20 | 2012-01-31 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming silicon oxides and methods of forming interlevel dielectrics |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US9353439B2 (en) | 2013-04-05 | 2016-05-31 | Lam Research Corporation | Cascade design showerhead for transient uniformity |
US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
US9570289B2 (en) * | 2015-03-06 | 2017-02-14 | Lam Research Corporation | Method and apparatus to minimize seam effect during TEOS oxide film deposition |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10023959B2 (en) | 2015-05-26 | 2018-07-17 | Lam Research Corporation | Anti-transient showerhead |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
US10381226B2 (en) | 2016-07-27 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing substrate |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
CN111344522B (zh) | 2017-11-27 | 2022-04-12 | 阿斯莫Ip控股公司 | 包括洁净迷你环境的装置 |
KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
EP3737779A1 (en) | 2018-02-14 | 2020-11-18 | ASM IP Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TW202344708A (zh) | 2018-05-08 | 2023-11-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
TWI816783B (zh) | 2018-05-11 | 2023-10-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
JP2021109175A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01248528A (ja) | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Ushio Inc | Sog膜の硬化方法 |
JPH0222475A (ja) | 1988-07-08 | 1990-01-25 | Nec Corp | 絶縁膜形成溶液および半導体装置の製造方法 |
JP2538722B2 (ja) | 1991-06-20 | 1996-10-02 | 株式会社半導体プロセス研究所 | 半導体装置の製造方法 |
JPH0547758A (ja) | 1991-08-16 | 1993-02-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の層間絶縁膜の形成方法 |
JP2809018B2 (ja) * | 1992-11-26 | 1998-10-08 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US5502006A (en) * | 1993-11-02 | 1996-03-26 | Nippon Steel Corporation | Method for forming electrical contacts in a semiconductor device |
JP3158835B2 (ja) | 1994-02-01 | 2001-04-23 | 富士通株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
US5565384A (en) * | 1994-04-28 | 1996-10-15 | Texas Instruments Inc | Self-aligned via using low permittivity dielectric |
JPH088336A (ja) | 1994-06-16 | 1996-01-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US5716890A (en) * | 1996-10-18 | 1998-02-10 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Structure and method for fabricating an interlayer insulating film |
US6114216A (en) * | 1996-11-13 | 2000-09-05 | Applied Materials, Inc. | Methods for shallow trench isolation |
-
1998
- 1998-05-20 JP JP13804098A patent/JP3208376B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-09-22 US US09/157,936 patent/US6352943B2/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-09-23 EP EP98118024A patent/EP0959493A3/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140143694A (ko) * | 2013-06-07 | 2014-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 홈을 절연막으로 채우는 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0959493A3 (en) | 2000-09-06 |
JP3208376B2 (ja) | 2001-09-10 |
EP0959493A2 (en) | 1999-11-24 |
US20010049202A1 (en) | 2001-12-06 |
US6352943B2 (en) | 2002-03-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3208376B2 (ja) | 成膜方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2983476B2 (ja) | 成膜方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2975919B2 (ja) | 下地表面改質方法及び半導体装置の製造方法 | |
US6514884B2 (en) | Method for reforming base surface, method for manufacturing semiconductor device and equipment for manufacturing the same | |
KR100368504B1 (ko) | 반도체장치제조방법 | |
EP0643421B1 (en) | Semiconductor device and associated fabrication method | |
US20060089002A1 (en) | Method to form etch and/or CMP stop layers | |
JP2994616B2 (ja) | 下地表面改質方法及び半導体装置の製造方法 | |
US5567661A (en) | Formation of planarized insulating film by plasma-enhanced CVD of organic silicon compound | |
US20050148144A1 (en) | Selective post-doping of gate structures by means of selective oxide growth | |
KR20200023509A (ko) | 산화규소 상의 초박형 비정질 규소 막의 연속성을 개선하기 위한 전처리 접근법 | |
JP2005033189A (ja) | 成膜方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP3616035B2 (ja) | 絶縁膜およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 | |
US6562735B1 (en) | Control of reaction rate in formation of low k carbon-containing silicon oxide dielectric material using organosilane, unsubstituted silane, and hydrogen peroxide reactants | |
JP3251554B2 (ja) | 成膜方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2633551B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
US11087973B2 (en) | Method of selective deposition for BEOL dielectric etch | |
JP4160317B2 (ja) | 絶縁膜の製造方法および半導体装置の製造方法 | |
US6730619B2 (en) | Method of manufacturing insulating layer and semiconductor device including insulating layer | |
JPH05129280A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3401322B2 (ja) | 絶縁膜を有する半導体装置の製造方法 | |
JPH11150179A (ja) | 溝分離型半導体装置の製造方法 | |
US6169026B1 (en) | Method for planarization of semiconductor device including pumping out dopants from planarization layer separately from flowing said layer | |
KR100534026B1 (ko) | 높은 종횡비를 갖는 갭을 채우기 위한 고밀도 플라즈마증착방법 | |
KR20010045429A (ko) | 반도체 소자의 층간절연막 형성 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010626 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |