JP2005033189A - 成膜方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title abstract description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 146
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 76
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 73
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 70
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 70
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 47
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 20
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 18
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 58
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 56
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 15
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000010790 dilution Methods 0.000 claims description 9
- 239000012895 dilution Substances 0.000 claims description 9
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2$l^{3},4$l^{3},6$l^{3},8$l^{3}-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C[Si]1O[Si](C)O[Si](C)O[Si](C)O1 WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 4
- CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N ethoxysilane Chemical compound CCO[SiH3] CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N methoxysilane Chemical compound CO[SiH3] ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N methylsilane Chemical compound [SiH3]C UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- -1 Alternatively Chemical compound 0.000 claims description 3
- ZMAPKOCENOWQRE-UHFFFAOYSA-N diethoxy(diethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(CC)OCC ZMAPKOCENOWQRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZXPDYFSTVHQQOI-UHFFFAOYSA-N diethoxysilane Chemical compound CCO[SiH2]OCC ZXPDYFSTVHQQOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YQGOWXYZDLJBFL-UHFFFAOYSA-N dimethoxysilane Chemical compound CO[SiH2]OC YQGOWXYZDLJBFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N dimethylsilane Chemical compound C[SiH2]C UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N methoxy(trimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)C POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical group CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N trimethylsilane Chemical compound C[SiH](C)C PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DFJDZTPFNSXNAX-UHFFFAOYSA-N ethoxy(triethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(CC)CC DFJDZTPFNSXNAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910003849 O-Si Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910003872 O—Si Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 claims 1
- 125000003698 tetramethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 62
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 18
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 abstract description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 41
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 41
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 30
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 22
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 11
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 9
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 3
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(ethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)OCC DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AQRLNPVMDITEJU-UHFFFAOYSA-N triethylsilane Chemical compound CC[SiH](CC)CC AQRLNPVMDITEJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
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- H01L21/02216—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
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- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
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- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
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Abstract
【解決手段】 シロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物又はCH3基を有するシリコン含有有機化合物のうち何れか一のシリコンソースと、アルコキシル基(OR:Oは酸素、RはCH3又はC2H5)を有する酸素含有有機化合物からなる酸化剤とを含む第1の成膜ガスを生成する工程と、第1の成膜ガスに電力を印加してプラズマを生成し、反応させて基板上に低誘電率絶縁膜を形成する工程とを有する。
【選択図】 図2
Description
請求項2記載の発明は、請求項1記載の成膜方法に係り、前記第1の成膜ガスは、前記シリコンソース及び酸化剤の他に、H2Oを含むことを特徴とし、
請求項3記載の発明は、請求項1又は2の何れか一に記載の成膜方法に係り、前記第1の成膜ガスに、希釈ガスとしてHe、Ar又はH2のうち少なくとも何れか一を添加することを特徴とし、
請求項4記載の発明は、請求項1乃至3の何れか一に記載の成膜方法に係り、前記シロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物として2種類以上のシロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物を用い、前記2種類以上のシロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物のうち、少なくとも1種は直鎖状のSi-O-Si結合を有し、少なくとも1種は環状のSi-O-Si結合を有することを特徴とし、
請求項5記載の発明は、請求項1乃至4の何れか一に記載の成膜方法に係り、前記シロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物は、
ヘキサメチルジシロキサン(HMDSO:(CH3)3Si-O-Si(CH3)3)、或いは、
オクタメチルトリシロキサン(OMTS)
オクタメチルシクロテトラシロキサン(OMCTS)、
のうち少なくとも何れか一を用いることを特徴とし、
請求項6記載の発明は、請求項1乃至4の何れか一に記載の成膜方法に係り、前記CH3基を有するシリコン含有有機化合物ガスは、モノメチルシラン(SiH3(CH3))、ジメチルシラン(SiH2(CH3)2)、トリメチルシラン(SiH(CH3)3)、或いはテトラメチルシラン(Si(CH3)4)のうち何れか一のメチルシランであることを特徴とし、
請求項7記載の発明は、請求項1乃至6の何れか一に記載の成膜方法に係り、前記酸化剤は、シリコンの周りに3個以下のアルコキシル基が結合したものであることを特徴とし、
請求項8記載の発明は、請求項7記載の成膜方法に係り、前記酸化剤は、テトラメトキシシラン、トリメトキシシラン、ジメトキシシラン、メトキシシラン、モノメチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、テトラエトキシシラン、トリエトキシシラン、ジエトキシシラン、エトキシシラン、モノエチルトリエトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン又はトリエチルエトキシシランのうち何れか一であることを特徴とし、
請求項9記載の発明は、請求項1乃至8の何れか一に記載の成膜方法に係り、前記第1の成膜ガスに、CxHyFz又はCxHyBz(x,yは0(但し、x=y=0を除く。)又は正の整数、zは正の整数)を添加することを特徴とし、
請求項10記載の発明は、請求項9記載の成膜方法に係り、前記CxHyFzは、C3F8、C4F8又はCHF3であることを特徴とし、
請求項11記載の発明は、請求項9記載の成膜方法に係り、前記CxHyBzは、B2H6であることを特徴とし、
請求項12記載の発明は、請求項1乃至11の何れか一に記載の成膜方法に係り、前記低誘電率絶縁膜を形成する工程の後、該低誘電率絶縁膜をHe、Ar、H2又は重水素のうち少なくとも何れか一のプラズマに曝すことを特徴とし、
請求項13記載の発明は、半導体装置の製造方法に係り、請求項1乃至12の何れか一に記載の成膜方法により低誘電率絶縁膜を形成する工程の前又は後の少なくとも何れか一に、シロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物又はCH3基を有するシリコン含有有機化合物のうち何れか一のシリコンソースと、アルコキシル基(OR:Oは酸素、RはCH3又はC2H5)を有する酸素含有有機化合物からなる酸化剤と、H2、N2O又はO2のうち少なくとも何れか一とを含む第2の成膜ガスを生成する工程と、
前記第2の成膜ガスに電力を印加してプラズマを生成し、反応させて基板上にバリア絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とし、
請求項14記載の発明は、請求項13記載の半導体装置の製造方法に係り、前記基板に銅膜を主とする配線又は電極が形成されていることを特徴とし、
請求項15記載の発明は、半導体装置に係り、請求項13又は14の何れか一に記載の半導体装置の製造方法により作成されたことを特徴としている。
(本発明の実施の形態である成膜方法に用いるプラズマCVD/処理装置の説明)
図1は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法に用いられる平行平板型のプラズマCVD/処理装置101の構成を示す側面図である。
(本発明の実施の形態である半導体装置の製造方法の説明)
次に、この発明の実施の形態である半導体装置の製造方法に用いられる低誘電率絶縁膜とCuバリア絶縁膜の成膜方法について説明する。
(1)シリコン含有有機化合物/酸化剤
ここで、シリコン含有有機化合物は2種以上のシロキサンで構成される場合も有り、その場合、直鎖状シロキサン及び環状シロキサンをそれぞれ1以上含む。以下、同じ。
(3)シリコン含有有機化合物/酸化剤/H2O/希釈ガス
(4)シリコン含有有機化合物/酸化剤/H2O/希釈ガス/CxHyFz又はCxHyBz
(5)シリコン含有有機化合物/酸化剤/H2O/CxHyFz又はCxHyBz
(6)シリコン含有有機化合物/酸化剤/希釈ガス
(7)シリコン含有有機化合物/酸化剤/希釈ガス/CxHyFz又はCxHyBz
(8)シリコン含有有機化合物/酸化剤/CxHyFz又はCxHyBz
(ii)Cuバリア絶縁膜を形成する成膜ガスの構成ガス
(9)シリコン含有有機化合物/酸化剤/H2,N2O,O2
(10)シリコン含有有機化合物/酸化剤/H2O/H2,N2O,N2O,
(11)シリコン含有有機化合物/酸化剤/H2O/希釈ガス/H2,N2O,O2
(12)シリコン含有有機化合物/酸化剤/H2O/希釈ガス/CxHyFz又はCxHyBz/H2,N2O,O2
(13)シリコン含有有機化合物/酸化剤/H2O/CxHyFz又はCxHyBz/H2,N2O,O2
(14)シリコン含有有機化合物/酸化剤/希釈ガス/H2,N2O,O2
(15)シリコン含有有機化合物/酸化剤/希釈ガス/CxHyFz又はCxHyBz/H2,N2O,O2
(16)シリコン含有有機化合物/酸化剤/CxHyFz又はCxHyBz/H2,N2O,O2
次に、上記のシリコン含有有機化合物、酸化剤、希釈ガス、CxHyFz又はCxHyBzについて説明する。
(A)シロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物
(a)直鎖状のSi-O-Si結合を有するもの
ヘキサメチルジシロキサン(HMDSO:(CH3)3Si-O-Si(CH3)3)
オクタメチルトリシロキサン(OMTS)
オクタメチルシクロテトラシロキサン(OMCTS)
モノメチルシラン(SiH3(CH3))
ジメチルシラン(SiH2(CH3)2)
トリメチルシラン(SiH(CH3)3)
テトラメチルシラン(Si(CH3)4)
(ii)酸化剤
(A)メトキシ基を有する酸素含有有機化合物
メトキシシラン(SiH3(OCH3))、ジメトキシシラン(SiH2(OCH3)2)、トリメトキシシラン(TMS:SiH(OCH3)3)、テトラメトキシシラン(Si(OCH3)4)、トリメチルメトキシシラン(Si(CH3)3(OCH3))、ジメチルジメトキシシラン(Si(CH3)2(OCH3)2)、モノメチルトリメトキシシラン(Si(CH3)(OCH3)3)
(B)エトキシ基を有する酸素含有有機化合物
エトキシシラン(SiH3(OC2H5))、ジエトキシシラン(SiH2(OC2H5)2)、トリエトキシシラン(SiH(OC2H5)3)、テトラエトキシシラン(TEOS:Si(OC2H5)4)、トリエチルエトキシシラン(Si(C2H5)3(OC2H5))、ジエチルジエトキシシラン(Si(C2H5)2(OC2H5)2)、モノエチルトリエトキシシラン(Si(C2H5)(OC2H5)3)
(iii)希釈ガス
He,Ar,H2
(iv)CxHyFz又はCxHyBz
(a)CxHyFz
C3F8
C4F8
CHF3
(b)CxHyBz
B2H6
次に、上記以外の成膜条件、及び膜形成の全体の工程を説明するとともに、上記を含む成膜条件及び膜形成の全体の工程を採用した理由又は効果とを説明する。
第1実施例の絶縁膜は低誘電率絶縁膜の一例である。酸化剤としてトリメトキシシランを用いる。
(i)成膜ガス条件
HMDSOガス流量:100 sccm
トリメトキシシラン:50 sccm
ガス圧力:1.7Torr
(ii)プラズマ化条件
高周波電力(13.56MHz)PHF:300W
低周波電力(380KHz)PLF:0W
(電極の大きさは345mmφ、以下同じ。)
(iii)基板加熱温度:375℃
(iv)成膜されたシリコン酸化膜
膜厚:700nm
比誘電率:2.5
(2)第2実施例
第2実施例の絶縁膜は低誘電率絶縁膜の他の一例である。成膜条件Iに対してH2Oを加えている。
(i)成膜ガス条件
HMDSOガス流量:100 sccm
トリメトキシシラン:50 sccm
H2Oガス流量:400 sccm
ガス圧力:1.7Torr
(ii)プラズマ化条件
高周波電力(13.56MHz)PHF:300W
低周波電力(380KHz)PLF:0W
(iii)基板加熱温度:375℃
(iv)成膜されたシリコン酸化膜
膜厚:700nm
比誘電率:2.5
(3)第3実施例
第3実施例の絶縁膜はバリア絶縁膜の一例である。成膜条件Iに対してH2、N2O又はO2のうち少なくとも何れか一を加えている。
(i)成膜ガス条件
HMDSOガス流量:100 sccm
トリメトキシシラン:50 sccm
N2Oガス流量:400 sccm
CHF3流量:適量
ガス圧力:1.0Torr
(ii)プラズマ化条件
高周波電力(13.56MHz)PHF:300W
低周波電力(380KHz)PLF:0W
(iii)基板加熱温度:375℃
(iv)成膜されたシリコン酸化膜
膜厚:100nm
比誘電率:4.0
(4)第4実施例
第4実施例の絶縁膜は低誘電率絶縁膜の一例である。シリコン含有化合物ガスとしてOMCTSを用い、酸化剤としてモノメチルトリメトキシシラン(MTMS)を用いた。さらに、H2Oを加えている。
(i)成膜ガス条件
OMCTS流量:100 sccm
MTMS流量:50 sccm
H2Oガス流量:400 sccm
He流量:100 sccm
ガス圧力(パラメータ):1.3,1.4,1.5,1.6,1.7,1.8 Torr
(ii)プラズマ化条件
高周波電力(13.56MHz)PHF:562W
低周波電力(380KHz)PLF:0W
(iii)基板加熱温度:350℃
(iv)成膜されたシリコン酸化膜
膜厚:700nm
比誘電率:約2.6
次に、第1乃至第4の実施例のうち、第4の実施例で作製された低誘電率絶縁膜に関し、その成膜速度、比誘電率及び屈折率、リーク電流及び絶縁破壊電界強度の調査結果について説明する。
図6は、成膜速度の圧力依存性について調査した結果を示すグラフである。縦軸は線形目盛で表した成膜速度(nm/min)を示し、横軸は線形目盛で表したガス圧力(Torr)を示す。
図7は、比誘電率及び屈折率の圧力依存性について調査した結果を示すグラフである。左の縦軸は線形目盛で表した比誘電率を示し、右の縦軸は線形目盛で表した屈折率を示し、横軸は線形目盛で表したガス圧力(Torr)を示す。
調査用絶縁膜はシリコン基板上に形成された。成膜後に調査用絶縁膜上に水銀プローブを当て、シリコン基板と水銀プローブの間に測定用電圧を印加して、リーク電流及び絶縁破壊電界強度を測定した。
(第2の実施の形態)
次に、図3(a)〜(c)、図4(a)、(b)、及び図5(a)、(b)を参照して、本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を説明する。
次に、本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を説明する。
2 上部電極
3 下部電極
4 排気配管
5 バルブ
6 排気装置
7 第1の高周波電力供給電源
8 第2の高周波電力供給電源
9a 配管
9b〜9h 分岐配管
10a〜10o 開閉手段
11a〜11g 流量調整手段
12 ヒータ
21 基板
61 下地基板
62 下部配線埋込絶縁膜
62a、66b、67a 主たる絶縁膜(低誘電率絶縁膜)
63a、66a、66c、67b 保護層(バリア絶縁膜)
64 下部配線溝
65 下部配線
65b、70b 銅膜
66 配線層間絶縁膜
67 上部配線埋込絶縁膜
68 開口部
69 上部配線溝
73a、73b、73c マスク
101 成膜装置
101A 成膜部
Claims (15)
- シロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物又はCH3基を有するシリコン含有有機化合物のうち何れか一のシリコンソースと、アルコキシル基(OR:Oは酸素、RはCH3又はC2H5)を有する酸素含有有機化合物からなる酸化剤とを含む第1の成膜ガスを生成する工程と、
前記第1の成膜ガスに電力を印加してプラズマを生成し、反応させて基板上に低誘電率絶縁膜を形成する工程と
を有することを特徴とする成膜方法。 - 前記第1の成膜ガスは、前記シリコンソース及び酸化剤の他に、H2Oを含むことを特徴とする請求項1記載の成膜方法。
- 前記第1の成膜ガスに、希釈ガスとしてHe、Ar又はH2のうち少なくとも何れか一を添加することを特徴とする請求項1又は2の何れか一に記載の成膜方法。
- 前記シロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物として2種類以上のシロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物を用い、前記2種類以上のシロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物のうち、少なくとも1種は直鎖状のSi-O-Si結合を有し、少なくとも1種は環状のSi-O-Si結合を有することを特徴とする請求項1乃至3の何れか一に記載の成膜方法。
- 前記CH3基を有するシリコン含有有機化合物ガスは、モノメチルシラン(SiH3(CH3))、ジメチルシラン(SiH2(CH3)2)、トリメチルシラン(SiH(CH3)3)、或いはテトラメチルシラン(Si(CH3)4)のうち何れか一のメチルシランであることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一に記載の成膜方法。
- 前記酸化剤は、シリコンの周りに3個以下のアルコキシル基が結合したものであることを特徴とする請求項1乃至6の何れか一に記載の成膜方法。
- 前記酸化剤は、テトラメトキシシラン、トリメトキシシラン、ジメトキシシラン、メトキシシラン、モノメチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、テトラエトキシシラン、トリエトキシシラン、ジエトキシシラン、エトキシシラン、モノエチルトリエトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン又はトリエチルエトキシシランのうち何れか一であることを特徴とする請求項7記載の成膜方法。
- 前記第1の成膜ガスに、CxHyFz又はCxHyBz(x,yは0(但し、x=y=0を除く。)又は正の整数、zは正の整数)を添加することを特徴とする請求項1乃至8の何れか一に記載の成膜方法。
- 前記CxHyFzは、C3F8、C4F8又はCHF3であることを特徴とする請求項9記載の成膜方法。
- 前記CxHyBzは、B2H6であることを特徴とする請求項9記載の成膜方法。
- 前記低誘電率絶縁膜を形成する工程の後、該低誘電率絶縁膜をHe、Ar、H2又は重水素のうち少なくとも何れか一のプラズマに曝すことを特徴とする請求項1乃至11の何れか一に記載の成膜方法。
- 請求項1乃至12の何れか一に記載の成膜方法により低誘電率絶縁膜を形成する工程の前又は後の少なくとも何れか一に、シロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物又はCH3基を有するシリコン含有有機化合物のうち何れか一のシリコンソースと、アルコキシル基(OR:Oは酸素、RはCH3又はC2H5)を有する酸素含有有機化合物からなる酸化剤と、H2、N2O又はO2のうち少なくとも何れか一とを含む第2の成膜ガスを生成する工程と、
前記第2の成膜ガスに電力を印加してプラズマを生成し、反応させて基板上にバリア絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記基板に銅膜を主とする配線又は電極が形成されていることを特徴とする請求項13記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項13又は14の何れか一に記載の半導体装置の製造方法により作成されたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004171399A JP4032044B2 (ja) | 2003-06-17 | 2004-06-09 | 成膜方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
US10/867,178 US7238629B2 (en) | 2003-06-17 | 2004-06-15 | Deposition method, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
TW093117177A TWI294147B (en) | 2003-06-17 | 2004-06-15 | Deposition method, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
EP04014153A EP1489197A1 (en) | 2003-06-17 | 2004-06-16 | Method of manufacturing semiconductor device |
KR1020040044558A KR100746679B1 (ko) | 2003-06-17 | 2004-06-16 | 성막 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003172395 | 2003-06-17 | ||
JP2004171399A JP4032044B2 (ja) | 2003-06-17 | 2004-06-09 | 成膜方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005033189A true JP2005033189A (ja) | 2005-02-03 |
JP4032044B2 JP4032044B2 (ja) | 2008-01-16 |
Family
ID=33422163
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004171399A Expired - Fee Related JP4032044B2 (ja) | 2003-06-17 | 2004-06-09 | 成膜方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7238629B2 (ja) |
EP (1) | EP1489197A1 (ja) |
JP (1) | JP4032044B2 (ja) |
KR (1) | KR100746679B1 (ja) |
TW (1) | TWI294147B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006270097A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Asm Japan Kk | 膜質の安定な低誘電率膜の形成方法 |
JP2007103754A (ja) * | 2005-10-06 | 2007-04-19 | Ran Technical Service Kk | Cvd膜の製造方法及び電子デバイスの製造方法 |
JP2012169623A (ja) * | 2011-02-11 | 2012-09-06 | Nordson Corp | 半導体デバイスパッケージング用のパッシベーション層 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6936309B2 (en) * | 2002-04-02 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Hardness improvement of silicon carboxy films |
US6890867B2 (en) * | 2003-02-25 | 2005-05-10 | Micron Technology, Inc. | Transistor fabrication methods comprising selective wet-oxidation |
JP2005294333A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Semiconductor Process Laboratory Co Ltd | 成膜方法及び半導体装置 |
US7763538B2 (en) * | 2006-01-10 | 2010-07-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | Dual plasma treatment barrier film to reduce low-k damage |
US20070207622A1 (en) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Micron Technology, Inc. | Highly selective doped oxide etchant |
KR101316745B1 (ko) * | 2007-04-03 | 2013-10-08 | 주식회사 원익아이피에스 | 트리메틸사일렌과 오존을 이용한 실리콘다이옥사이드 박막제조 방법 |
JP2010532819A (ja) * | 2007-07-06 | 2010-10-14 | ピルキントン グループ リミテッド | 蒸着法 |
TWI382459B (zh) * | 2009-01-06 | 2013-01-11 | Century Display Shenxhen Co | A substrate processing apparatus for chemical vapor deposition (CVD) |
US8703625B2 (en) * | 2010-02-04 | 2014-04-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods to prepare silicon-containing films |
KR102350589B1 (ko) | 2015-08-24 | 2022-01-14 | 삼성전자주식회사 | 박막 형성 방법 및 이를 이용한 집적회로 소자의 제조 방법 |
US10351729B2 (en) * | 2016-03-03 | 2019-07-16 | Motorola Mobility Llc | Polysiloxane films and methods of making polysiloxane films |
JP2020009840A (ja) * | 2018-07-04 | 2020-01-16 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及び基板処理装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6593247B1 (en) | 1998-02-11 | 2003-07-15 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing low k films using an oxidizing plasma |
JP3986674B2 (ja) | 1998-08-04 | 2007-10-03 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置、その製造方法及び層間絶縁膜の形成方法 |
ATE414326T1 (de) | 1999-08-17 | 2008-11-15 | Applied Materials Inc | Methode und apparat zur verbesserung der eigenschaften eines niedrig-k si-o-c filmes |
US6500773B1 (en) | 2000-11-27 | 2002-12-31 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing organosilicate layers |
JP3545364B2 (ja) | 2000-12-19 | 2004-07-21 | キヤノン販売株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US6709721B2 (en) | 2001-03-28 | 2004-03-23 | Applied Materials Inc. | Purge heater design and process development for the improvement of low k film properties |
US6890850B2 (en) | 2001-12-14 | 2005-05-10 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing dielectric materials in damascene applications |
EP1504138A2 (en) | 2002-05-08 | 2005-02-09 | Applied Materials, Inc. | Method for using low dielectric constant film by electron beam |
-
2004
- 2004-06-09 JP JP2004171399A patent/JP4032044B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-15 US US10/867,178 patent/US7238629B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-15 TW TW093117177A patent/TWI294147B/zh active
- 2004-06-16 KR KR1020040044558A patent/KR100746679B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-06-16 EP EP04014153A patent/EP1489197A1/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006270097A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Asm Japan Kk | 膜質の安定な低誘電率膜の形成方法 |
JP4545107B2 (ja) * | 2005-03-22 | 2010-09-15 | 日本エー・エス・エム株式会社 | 膜質の安定な低誘電率膜の形成方法 |
JP2007103754A (ja) * | 2005-10-06 | 2007-04-19 | Ran Technical Service Kk | Cvd膜の製造方法及び電子デバイスの製造方法 |
JP4641922B2 (ja) * | 2005-10-06 | 2011-03-02 | ランテクニカルサービス株式会社 | Cvd膜の製造方法及び電子デバイスの製造方法 |
JP2012169623A (ja) * | 2011-02-11 | 2012-09-06 | Nordson Corp | 半導体デバイスパッケージング用のパッシベーション層 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20040111079A (ko) | 2004-12-31 |
US20050014391A1 (en) | 2005-01-20 |
JP4032044B2 (ja) | 2008-01-16 |
US7238629B2 (en) | 2007-07-03 |
TW200514161A (en) | 2005-04-16 |
TWI294147B (en) | 2008-03-01 |
KR100746679B1 (ko) | 2007-08-06 |
EP1489197A1 (en) | 2004-12-22 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |