JP4641922B2 - Cvd膜の製造方法及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents
Cvd膜の製造方法及び電子デバイスの製造方法 Download PDFInfo
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Description
まず、ロードロック室を介して基板Sを成膜室12中に搬入し、成膜ステージ16の基板載置面16aに固定する。そして、冷却装置を稼働することで、基板冷却用配管25に冷却材を流通させ、基板Sの温度を約25℃に保つ。
続いて、下層CVD膜26を成膜する。
続いて、第1工程に引き続き、上層CVD膜28を下層CVD膜26上に成膜する。
図4(A)に示すように、下地として、基板Sである6インチシリコンウエハの主面Saに、断面形状が逆テーパ状のポリイミドからなる凸条40が形成された構造体42を用いた。なお、この凸条40が「段差」に相当する。
このことより、CVD膜34は、優れた表面平坦性を有していることがわかった。
図4(B)に示すように、実施例2では、構造体44として、凸条46の斜面46bと主面Saと傾斜角θ(=30°)が、実施例1よりも小さいものを用いた。なお、凸条46は、傾斜角θ以外は、実施例1の凸条40と同じ寸法である。
実施の形態の第1工程と、ほぼ同様の手順で第1下層CVD膜50を成膜した。
実施の形態の第2工程と、ほぼ同様の手順で第1上層CVD膜52を成膜した。
実施の形態の第1工程と、ほぼ同様の手順で第2下層CVD膜54を成膜した。
実施の形態の第2工程と、ほぼ同様の手順で第2上層CVD膜56を成膜した。
図4(C)に示すように、基板Sである6インチシリコンウエハの主面Saに、ポリイミド膜64を成膜し、このポリイミド膜64に断面形状が順テーパ状の凹溝60が形成された構造体62を下地として用いた。
12 成膜室
14 光源
14a エキシマランプ
16 成膜ステージ
16a 基板載置面
18 ガス導入管
20 窓
20a,32a,34a,36a,58a 表面
22 ヒータ
24 排気装置
25 基板冷却用配管
26 下層CVD膜
28 上層CVD膜
29 ラインアンドスペースパターン
30,40,46 凸条
30a,60 凹溝
32,58 堆積膜
34 CVD膜
36 比較用CVD膜
38 黒線
40b,46b,60a 斜面
42,44,62 構造体
48 下側CVD膜
49 上側CVD膜
50 第1下層CVD膜
52 第1上層CVD膜
54 第2下層CVD膜
56 第2上層CVD膜
S 基板
Sa 主面
θ 角度
E エッジ部
Claims (6)
- 段差を有する下地を100℃以下の温度に保ったままで、真空紫外光CVDにより該下地表面にCVD膜を成膜するにあたり、
直鎖状有機ケイ素化合物からなる第1材料ガスと、環状有機ケイ素化合物からなる第2材料ガスとを混合した第1原料ガスを用いて、下層CVD膜を成膜する第1工程と、
該第1工程に引き続き、前記環状有機ケイ素化合物からなる第2原料ガスを用いて、前記下層CVD膜上に上層CVD膜を成膜する第2工程と
を含むことを特徴とするCVD膜の製造方法。 - 前記第1材料ガスとして、前記直鎖状有機ケイ素化合物としての(ビスターシャルブチルアミノ)シラン(SiH2[NH(C4H9)]2)を用い、
前記第2材料ガスとして、前記環状有機ケイ素化合物としてのオクタメチルシクロテトラシロキサン(((CH3)2SiO)4)を用いる
ことを特徴とする請求項1に記載のCVD膜の製造方法。 - 前記第1原料ガスにおいて、前記第1材料ガスに対する前記第2材料ガスの流量比Rを0.3≦R≦1.0の範囲に制御する
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のCVD膜の製造方法。 - 前記下層CVD膜と前記上層CVD膜とが交互に堆積された堆積膜の表面における高低差が0.05μm以下となるまで、前記第1工程終了後に前記第2工程を行う工程単位を2回以上実施して前記堆積膜を形成することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のCVD膜の製造方法。
- 前記工程単位の実施回につれて、前記第1材料ガスに対する前記第2材料ガスの流量比Rを0.3≦R≦1.0の範囲内で徐々に大きくした前記第1原料ガスを用いることを特徴とする請求項4に記載のCVD膜の製造方法。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載のCVD膜の製造方法を含む電子デバイスの製造方法。
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