KR100713112B1 - 2층 배면 실-포함 웨이퍼 및, 웨이퍼 상의 2층 lto 배면 실 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (46)
- 제1 주면(major side) 및 제2 주면을 가진 웨이퍼 기판(wafer substrate), 및 2층 배면 실(two layer backside seal)을 구비한, 2층 배면 실-포함 웨이퍼(wafer with a two layer backside seal)로서,상기 2층 배면 실은,상기 웨이퍼 기판의 하나의 주면에 인접하는 제1주면과, 제2주면을 가진 저응력(low stress) LTO층; 및, 상기 저응력 LTO층의 상기 제2 주면에 인접한 제1주면과, 제2주면을 가진 고응력(high stress) LTO층을 포함하고,상기 저응력 LTO층의 응력은 100 MPa 미만이고 상기 고응력 LTO층의 응력은 300 MPa 미만이며, 상기 고응력 LTO 층은 상기 저응력 LTO층보다 높은 밀도를 가지는 것을 특징으로 하는, 2층 배면 실-포함 웨이퍼.
- 제1항에 있어서,상기 웨이퍼 기판과 상기 저응력 LTO 층 사이에 폴리 실리콘 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 2층 배면 실-포함 웨이퍼.
- 2개의 주면을 가진 웨이퍼 상에 2층 LTO 배면 실을 형성하는 방법으로서,상기 웨이퍼의 하나의 주면 상에 존재하는 제1 주면 및, 제2 주면을 가진 저응력 LTO층을 형성하는 단계; 및상기 저응력 LTO 층보다 밀도가 높고, 제1 주면 및 제2 주면을 가진 고응력 LTO층을, 상기 고응력 LTO 층의 하나의 주면이 상기 저응력 LTO층의 제2 주면에 인접하도록 형성하는 단계를 포함하고,상기 저응력 LTO 층의 응력은 100 Mpa 미만이며 상기 고응력 LTO 층의 응력은 300 MPa 미만인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제3항에 있어서,고주파 RF 파워를 이용하여 상기 저응력 LTO층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 저응력 LTO층의 형성에 사용되는 상기 고주파는 13.56 MHz인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 2층 LTO 배면 실 형성 방법.
- 제4항에 있어서,상기 고주파 RF의 파워가 200∼1600 watt인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 2층 LTO 배면 실 형성 방법.
- 청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제5항에 있어서,상기 고주파 RF의 파워가 300∼1200 watt인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 2층 LTO 배면 실 형성 방법.
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- 제3항에 있어서,200 내지 467 Pa의 저압을 이용하여 상기 저응력 LTO층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 2층 LTO 배면 실 형성 방법.
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- 제3항에 있어서,50∼1000 sccm의 높은 실란 유량(silane flow rate)을 이용하여 상기 저응력 LTO층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 2층 LTO 배면 실 형성 방법.
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- 청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제10항에 있어서,상기 저응력 LTO층을 형성하는 데 사용되는 상기 실란 유량이 100∼600 sccm인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 2층 LTO 배면 실 형성 방법.
- 제3항에 있어서,250∼600℃의 온도를 이용하여 상기 저응력 LTO층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 2층 LTO 배면 실 형성 방법.
- 청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제13항에 있어서,상기 저응력 LTO층을 형성하는 데 사용되는 온도가 300∼450℃인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 2층 LTO 배면 실 형성 방법.
- 제3항에 있어서,유량이 800∼7000 sccm인 N2의 존재 하에 상기 저응력 LTO층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 2층 LTO 배면 실 형성 방법.
- 청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제15항에 있어서,상기 저응력 LTO층의 형성에 사용되는 N2의 유량이 1000∼4000 sccm인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 2층 LTO 배면 실 형성 방법.
- 제3항에 있어서,유량이 2000∼18000 sccm인 N2O의 존재 하에 상기 저응력 LTO층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 2층 LTO 배면 실 형성 방법.
- 청구항 18은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제17항에 있어서,상기 저응력 LTO층의 형성에 사용되는 N2O의 유량이 3000∼15000 sccm인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 2층 LTO 배면 실 형성 방법.
- 제3항에 있어서,200∼1600 watt의 고출력에서 고주파 RF 파워를 사용하여 상기 고응력 LTO층을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 고응력 LTO층의 형성에 사용되는 상기 고주파는 13.56 MHz인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 2층 LTO 배면 실 형성 방법.
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- 청구항 21은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제19항에 있어서,상기 고주파 RF의 출력(power)은 300∼1200 watt인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 2층 LTO 배면 실 형성 방법.
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- 제3항에 있어서,0 watt 초과 및 800watt 이하의 범위인 고출력에서 저주파 RF를 사용하여 상기 고응력 LTO층을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 고응력 LTO층의 형성에 사용되는 상기 저주파는 100∼600 kHz인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 2층 LTO 배면 실 형성 방법.
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- 청구항 25은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제23항에 있어서,100∼600 watt의 출력으로 저주파 RF를 사용하여 상기 고응력 LTO층을 형성하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 2층 LTO 배면 실 형성 방법.
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- 청구항 27은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제23항에 있어서,상기 고응력 LTO층의 형성에 사용되는 상기 저주파가 200 kHz인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 2층 LTO 배면 실 형성 방법.
- 제3항에 있어서,200∼467 Pa의 고압을 사용하여 상기 고응력 LTO층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 2층 LTO 배면 실 형성 방법.
- 제28항에 있어서,상기 저응력 LTO층을 형성하는 데 사용되는 압력보다 높은 압력을 사용하여 상기 고응력 LTO층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 2층 LTO 배면 실 형성 방법.
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- 제3항에 있어서,50∼1000 sccm의 낮은 실란 유량을 사용하여 고응력 LTO층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 2층 LTO 배면 실 형성 방법.
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- 청구항 33은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제31항에 있어서,100∼600 sccm의 실란 유량을 사용하여 상기 고응력 LTO층을 형성하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 2층 LTO 배면 실 형성 방법.
- 제31항 및 제33항 중 어느 한 항에 있어서,상기 저응력 LTO층을 형성하는 단계에서 사용되는 실란 유량보다 낮은 유량을 사용하여 상기 고응력 LTO층을 형성하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 2층 LTO 배면 실 형성 방법.
- 제3항에 있어서,250∼600℃ 범위의 온도를 이용하여 상기 고응력 LTO층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 2층 LTO 배면 실 형성 방법.
- 청구항 36은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제35항에 있어서,상기 고응력 LTO층을 형성하는 데 사용되는 온도가 300∼450℃인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 2층 LTO 배면 실 형성 방법.
- 제3항에 있어서,유량이 800∼7000 sccm인 N2의 존재 하에 상기 고응력 LTO층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 2층 LTO 배면 실 형성 방법.
- 청구항 38은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제37항에 있어서,상기 고응력 LTO층의 형성에 사용되는 N2의 유량이 1000∼4000 sccm인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 2층 LTO 배면 실 형성 방법.
- 제3항에 있어서,유량이 2000∼18000 sccm인 N2O의 존재 하에 상기 고응력 LTO층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 2층 LTO 배면 실 형성 방법.
- 청구항 40은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제39항에 있어서,상기 고응력 LTO층의 형성에 사용되는 N2O의 유량이 3000∼15000 sccm인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 2층 LTO 배면 실 형성 방법.
- 제3항에 있어서,연속 플라즈마 공정으로 상기 저응력 및 고응력 LTO 층들을 증착하여 상기 저응력 LTO 층과 상기 고응력 LTO 층 사이에 네트워크를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 2층 LTO 배면 실 형성 방법.
- 청구항 42은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제3항에 있어서,상기 웨이퍼가 p형 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 2층 LTO 배면 실 형성 방법.
- 청구항 43은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제3항에 있어서,상기 웨이퍼가 n형 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 2층 LTO 배면 실 형성 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 웨이퍼 기판의 하나의 주면에 인접한 에피텍셜층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 2층 배면 실-포함 웨이퍼.
- 제44항에 있어서,상기 에피텍셜층은, p형이고, 상기 웨이퍼 기판은 p+ 기판이고,상기 저응력 LTO 층의 상기 제1 주면은, 상기 p+ 기판에 인접하며,상기 고응력 LTO 층의 상기 제1 주면은, 상기 저응력 LTO 층의 제2 주면에 인접하는 것을 특징으로 하는, 2층 배면 실-포함 웨이퍼.
- 제44항에 있어서,상기 에피텍셜층은, n형이고, 상기 웨이퍼 기판은 n+ 기판이고,상기 저응력 LTO 층의 상기 제1 주면은, 상기 n+ 기판에 인접하고,상기 고응력 LTO 층의 상기 제1 주면은, 상기 저응력 LTO 층의 제2 주면에 인접하는 것을 특징으로 하는, 2층 배면 실-포함 웨이퍼.
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