JPH1074770A - ドープされたシリコン基板 - Google Patents
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Abstract
然発生的ドーピング作用を回避するための付加的措置を
必要とせずに処理できるようにする。 【解決手段】 ドーパントの拡散障壁の作用をする酸化
シリコン層3をシリコン基板1とポリシリコン層4との
間に配設し、シリコン基板1の裏側2にあるポリシリコ
ン層4のゲッタリング作用を保持する。
Description
プされたシリコン基板に関する。
処理前に、いわゆる自然発生的なドーピング作用を回避
するために特にエピタキシャル層、基板の裏側にはポリ
シリコンから成るゲッタ層及びその上に酸化シリコン層
が備えられている。この自然発生的ドーピング作用と
は、ドーパントが基板の裏側から拡散し、基板の表側に
組み込まれることを意味する。
がなければ例えば製造処理された構成部品中のゲート酸
化物の沈澱を生じるおそれのある金属汚染物質を捕獲す
る作用をする。しかし高温処理工程中にもドーパントは
シリコン基板からポリシリコン層中に拡散する。可溶性
によってはこのポリシリコン層は極めて異なる濃度でド
ーパントを添加されるので、ポリシリコン層の飽和が起
こり、この飽和ポリシリコン層は発生する金属汚染物質
層を不十分に捉えるに過ぎない。そのためとりわけゲー
ト酸化物の沈澱が起こる。
板の処理工程中に酸化シリコン層がエッチング除去され
るので、それによっても濃縮されたポリシリコン層から
ドーパントが拡散し、自然発生的ドーピング並びに別の
処理すべきシリコン基板に対し横方向の汚染が生じる。
ない基板の裏側からの拡散のため高温処理時に別々に炉
を運行し、それにより別の処理すべき生成物に対する横
方向の汚染の危険を阻止するようにして対処してきた。
この措置は製造容量に不必要に高い負荷をかけることに
なる。
リコンで密封するようにしてこの問題に対処することも
試みられている。この措置はもちろん一方ではゲート酸
化物の沈澱を来し、他方では付加的な作業工程を要する
ため付加的な出費を招く。
は、ドープされたシリコン基板のため上記のような煩雑
な処理をせずに基板の裏側を処理することにある。
り、シリコン基板の裏側に酸化シリコン層を施し、この
酸化シリコン層にポリシリコン層を施すことにより解決
される。
は、ドーパントがもはや酸化シリコン層を通して、従っ
てポリシリコン層には拡散しないこと、即ちポリシリコ
ン層からのドーパントの蒸発が起こらないことにある。
それによりポリシリコン層は発生する金属汚染物質をゲ
ッタリングするため十分に“空格子点”を有することに
なる。
ピング作用、横方向の汚染)に対処するための冒頭に記
載した措置は省略することができる。
の厚さが、またその上に施されるポリシリコン層は約
1.2μmの厚さが有利である。
る。
シリコン基板1の裏側2に酸化シリコン層3が直接施さ
れており、この酸化シリコン層3にポリシリコン層4が
施されている。酸化シリコン層3はシリコン基板1の裏
側2とポリシリコン層4との間のドーパントの拡散障壁
の作用をする。そのため自然発生的ドーピング作用及び
別の処理すべきシリコン基板に対する横方向の汚染物質
を回避するための特別の措置をそれ以上必要とせず、シ
リコン基板1の裏側2にあるポリシリコン層4のゲッタ
リング作用は保持される。
を≧1018/cm3の濃度で有している。酸化シリコン
層3は約50nmの厚さを有し、ポリシリコン層4は約
1.2μmの厚さを有する。
1はパワー半導体製造用の基材として用いられる。
Claims (4)
- 【請求項1】 シリコン基板(1)の裏側(2)に酸化
シリコン層(3)が施され、この酸化シリコン層(3)
にポリシリコン層(4)が施されていることを特徴とす
るドープされたシリコン基板。 - 【請求項2】 酸化シリコン層(3)が約50nmの厚
さを有し及び/又はポリシリコン層(4)が約1.2μ
mの厚さを有することを特徴とする請求項1記載のシリ
コン基板。 - 【請求項3】 ≧1018ドーピング原子/cm3のドー
パント濃度を有するシリコン基板(1)が備えられてい
ることを特徴とする請求項1又は2記載のシリコン基
板。 - 【請求項4】 パワー半導体の製造用基材として使用す
ることを特徴とするシリコン基板(1)の裏側(2)に
酸化シリコン層(3)を施し、この酸化シリコン層
(3)にポリシリコン層(4)を施した高ドープされた
シリコン基板。
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