JPH0547758A - 半導体装置の層間絶縁膜の形成方法 - Google Patents
半導体装置の層間絶縁膜の形成方法Info
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- JPH0547758A JPH0547758A JP20584591A JP20584591A JPH0547758A JP H0547758 A JPH0547758 A JP H0547758A JP 20584591 A JP20584591 A JP 20584591A JP 20584591 A JP20584591 A JP 20584591A JP H0547758 A JPH0547758 A JP H0547758A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の製造方法、より詳しくは、多層
配線の層間絶縁膜の形成方法に関し、下地の材料に関係
なく（影響されることのない）かつステップカバーレッ
ジを改善した層間絶縁膜を、有機シリコン化合物（ＴＥ
ＯＳを含む）と、オゾン（Ｏ3 ）を含有した酸素とを原
料として形成する方法を提案する。 【構成】 半導体装置の多層配線構造での層間絶縁膜
を、（ア）有機シリコン化合物と、オゾン含有酸素ガス
と、リンドーパントを原料としてＣＶＤ法によりＰＳＧ
膜４を形成する工程、および（イ）該ＰＳＧ膜４の上に
有機シリコン化合物と、オゾン含有酸素ガスとを原料と
してＣＶＤ法によりノンドープシリケイト（ＮＤＧ）膜
４を形成する工程とでもって２層構造膜に形成する。
配線の層間絶縁膜の形成方法に関し、下地の材料に関係
なく（影響されることのない）かつステップカバーレッ
ジを改善した層間絶縁膜を、有機シリコン化合物（ＴＥ
ＯＳを含む）と、オゾン（Ｏ3 ）を含有した酸素とを原
料として形成する方法を提案する。 【構成】 半導体装置の多層配線構造での層間絶縁膜
を、（ア）有機シリコン化合物と、オゾン含有酸素ガス
と、リンドーパントを原料としてＣＶＤ法によりＰＳＧ
膜４を形成する工程、および（イ）該ＰＳＧ膜４の上に
有機シリコン化合物と、オゾン含有酸素ガスとを原料と
してＣＶＤ法によりノンドープシリケイト（ＮＤＧ）膜
４を形成する工程とでもって２層構造膜に形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方
法、より詳しくは、多層配線の層間絶縁膜の形成方法に
関する。ＩＣ、ＬＳＩなどの半導体装置の高集積化と微
細化とがますます求められている。そして、微細化では
より平坦な（段差のない）絶縁層（特に、多層配線構造
での層間絶縁膜）を形成することも重要であり、ステッ
プカバーレッジトラブルを防止し、半導体装置の信頼性
を高めることになる。
法、より詳しくは、多層配線の層間絶縁膜の形成方法に
関する。ＩＣ、ＬＳＩなどの半導体装置の高集積化と微
細化とがますます求められている。そして、微細化では
より平坦な（段差のない）絶縁層（特に、多層配線構造
での層間絶縁膜）を形成することも重要であり、ステッ
プカバーレッジトラブルを防止し、半導体装置の信頼性
を高めることになる。
【０００２】
【従来の技術】従来の層間絶縁膜にはＣＶＤ法（化学的
気相成長法）によるＳｉＯ2 あるいはＰＳＧ膜が用いら
れている。ＳｉＯ2 膜はＳｉＨ4 （あるいはＳｉ
2 Ｈ6 ，ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）と、Ｏ2 （あるいはＮ2 Ｏ）
とを原料として、ＰＳＧ膜はこれらの原料にリンドーパ
ントのＰＨ3 （あるいはＰＣｌ3 ，ＰＯＣｌ3 ）を添加
して作られる。しかしながら、微細加工により配線層の
側面がより垂直になってくると、層間絶縁膜のステップ
カバーレッジは良くない。そこで、ステップカバーレッ
ジの改善を図るために、ＴＥＯＳ（Tetra Ethy Ortho S
ilicate)と、オゾン（Ｏ 3 ）を含有した酸素とを原料と
したＣＶＤ絶縁膜であるノンドープシリケイト（ＮＳ
Ｇ）膜が注目されている。
気相成長法）によるＳｉＯ2 あるいはＰＳＧ膜が用いら
れている。ＳｉＯ2 膜はＳｉＨ4 （あるいはＳｉ
2 Ｈ6 ，ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）と、Ｏ2 （あるいはＮ2 Ｏ）
とを原料として、ＰＳＧ膜はこれらの原料にリンドーパ
ントのＰＨ3 （あるいはＰＣｌ3 ，ＰＯＣｌ3 ）を添加
して作られる。しかしながら、微細加工により配線層の
側面がより垂直になってくると、層間絶縁膜のステップ
カバーレッジは良くない。そこで、ステップカバーレッ
ジの改善を図るために、ＴＥＯＳ（Tetra Ethy Ortho S
ilicate)と、オゾン（Ｏ 3 ）を含有した酸素とを原料と
したＣＶＤ絶縁膜であるノンドープシリケイト（ＮＳ
Ｇ）膜が注目されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このＴＥＯ
Ｓ−Ｏ3 −ＮＳＧはその膜質が下地材料に影響され易い
ために、アルミニウム（Ａｌ，Ａｌ合金）配線層の上よ
りも熱酸化膜や樹脂の上ではフッ酸によるエッチングレ
ートが速くなり（すなわち、エッチングレートが均一で
なく）、さらに熱酸化膜の上方表面が凹凸となってしま
う。
Ｓ−Ｏ3 −ＮＳＧはその膜質が下地材料に影響され易い
ために、アルミニウム（Ａｌ，Ａｌ合金）配線層の上よ
りも熱酸化膜や樹脂の上ではフッ酸によるエッチングレ
ートが速くなり（すなわち、エッチングレートが均一で
なく）、さらに熱酸化膜の上方表面が凹凸となってしま
う。
【０００４】従って、このＴＥＯＳ−Ｏ3 −ＮＳＧ膜は
その膜質を悪くする様な下地の上には良質に成膜するこ
とは困難であった。本発明の目的は、以上の点に鑑み、
下地の材料に関係なく（影響されることのない）かつス
テップカバーレッジを改善した層間絶縁膜を、有機シリ
コン化合物（ＴＥＯＳを含む）と、オゾン（Ｏ3 ）を含
有した酸素とを原料として形成する方法を提案すること
である。
その膜質を悪くする様な下地の上には良質に成膜するこ
とは困難であった。本発明の目的は、以上の点に鑑み、
下地の材料に関係なく（影響されることのない）かつス
テップカバーレッジを改善した層間絶縁膜を、有機シリ
コン化合物（ＴＥＯＳを含む）と、オゾン（Ｏ3 ）を含
有した酸素とを原料として形成する方法を提案すること
である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述の目的が、半導体装
置の多層配線構造での層間絶縁膜を、（ア）有機シリコ
ン化合物と、オゾン含有酸素ガスと、リンドーパントを
原料としてＣＶＤ法によりＰＳＧ膜を形成する工程、お
よび（イ）該ＰＳＧ膜の上に有機シリコン化合物と、オ
ゾン含有酸素ガスとを原料としてＣＶＤ法によりノンド
ープシリケイト膜を形成する工程とでもって２層構造膜
に形成することを特徴とする半導体装置の層間絶縁膜の
形成方法によって達成される。
置の多層配線構造での層間絶縁膜を、（ア）有機シリコ
ン化合物と、オゾン含有酸素ガスと、リンドーパントを
原料としてＣＶＤ法によりＰＳＧ膜を形成する工程、お
よび（イ）該ＰＳＧ膜の上に有機シリコン化合物と、オ
ゾン含有酸素ガスとを原料としてＣＶＤ法によりノンド
ープシリケイト膜を形成する工程とでもって２層構造膜
に形成することを特徴とする半導体装置の層間絶縁膜の
形成方法によって達成される。
【０００６】有機シリコン化合物がＴＥＯＳ(Si(OC2H5)
4)，ＴＭＯＳ(Si1C4H12O4)，ＳＯＢ( (CH3)3SiO 3B) ，
ＳＯＰ( (CH3)3SiO 3PO)，ＯＭＣＴＳ(Si4C8H24O4)，Ｔ
ＭＣＴＳ(Si4C4H16O4)またはＤＡＤＢＳ(Si1C12H24O6)
であることが好ましい。ＴＥＯＳは下記の化学構造式を
有する。
4)，ＴＭＯＳ(Si1C4H12O4)，ＳＯＢ( (CH3)3SiO 3B) ，
ＳＯＰ( (CH3)3SiO 3PO)，ＯＭＣＴＳ(Si4C8H24O4)，Ｔ
ＭＣＴＳ(Si4C4H16O4)またはＤＡＤＢＳ(Si1C12H24O6)
であることが好ましい。ＴＥＯＳは下記の化学構造式を
有する。
【０００７】
【化１】
【０００８】ＴＭＯＳは下記の化学構造式を有する。
【０００９】
【化２】
【００１０】ＳＯＢは下記の化学構造式を有する。
【００１１】
【化３】
【００１２】ＳＯＰは下記の化学構造式を有する。
【００１３】
【化４】
【００１４】ＯＭＣＴＳは下記の化学構造式を有する。
【００１５】
【化５】
【００１６】ＴＭＣＴＳは下記の化学構造式を有する。
【００１７】
【化６】
【００１８】ＤＡＤＢＳは下記の化学構造式を有する。
【００１９】
【化７】
【００２０】リンドーパントがPCl3, POCl3, PH3, ＴＭ
Ｐ(P(CH3)3) またはＴＭＯＰ(PO(CH 3)3)であることが好
ましい。
Ｐ(P(CH3)3) またはＴＭＯＰ(PO(CH 3)3)であることが好
ましい。
【００２１】
【作用】本発明では、層間絶縁膜を２層構造にして、上
述したＴＥＳＯ−Ｏ3 −ＮＳＧ膜（すなわち、有機シリ
コン化合物と、オゾン含有酸素とのＣＶＤによるＮＳＧ
膜）の下にＴＥＳＯ−Ｏ3 −ＰＳＧ膜（すなわち、有機
シリコン化合物と、オゾン含有酸素と、リンドーパント
とのＣＶＤによるＰＳＧ膜）を形成することで、ＮＳＧ
膜の膜質低下を防止する。また、ＰＳＧ膜はその表面を
大気に曝すと水分の析出が生じるので、その上のＮＳＧ
膜がカバーして水分析出を抑制することになる。本発明
でのＮＳＧ膜およびＰＳＧ膜は共に基本的には有機シリ
コン化合物と、オゾン含有酸素とのＣＶＤによる成膜で
あってステップカバーレッジは一層改善される。
述したＴＥＳＯ−Ｏ3 −ＮＳＧ膜（すなわち、有機シリ
コン化合物と、オゾン含有酸素とのＣＶＤによるＮＳＧ
膜）の下にＴＥＳＯ−Ｏ3 −ＰＳＧ膜（すなわち、有機
シリコン化合物と、オゾン含有酸素と、リンドーパント
とのＣＶＤによるＰＳＧ膜）を形成することで、ＮＳＧ
膜の膜質低下を防止する。また、ＰＳＧ膜はその表面を
大気に曝すと水分の析出が生じるので、その上のＮＳＧ
膜がカバーして水分析出を抑制することになる。本発明
でのＮＳＧ膜およびＰＳＧ膜は共に基本的には有機シリ
コン化合物と、オゾン含有酸素とのＣＶＤによる成膜で
あってステップカバーレッジは一層改善される。
【００２２】
【実施例】以下、添付図面を参照して、本発明の実施態
様例および比較例によって本発明を詳細に説明する。図
１は、本発明に係る形成方法による半導体装置の多層配
線構造の部分断面図であり、層間絶縁膜を２層構造で構
成する。
様例および比較例によって本発明を詳細に説明する。図
１は、本発明に係る形成方法による半導体装置の多層配
線構造の部分断面図であり、層間絶縁膜を２層構造で構
成する。
【００２３】例 先ず、シリコン半導体基板１を用意し、その上に絶縁
（ＳｉＯ2 ）膜２を熱酸化法によって形成する。該絶縁
膜２の上にアルミニウム配線層３Ａおよび３Ｂを公知工
程にしたがって、スパッタリング法によるアルミニウム
膜の全面形成とリソグラフィ法によるパターンニングで
形成する。
（ＳｉＯ2 ）膜２を熱酸化法によって形成する。該絶縁
膜２の上にアルミニウム配線層３Ａおよび３Ｂを公知工
程にしたがって、スパッタリング法によるアルミニウム
膜の全面形成とリソグラフィ法によるパターンニングで
形成する。
【００２４】次に、本発明に従って、ＴＥＯＳ蒸気を含
有するヘリウム(He)（あるいは窒素(N2)）キャリアガス
と、オゾン含有酸素ガスと、フォスフィン（PH3 ）ガス
とを反応炉に入れて、所定温度に加熱した半導体基板の
配線層３Ａ、３Ｂおよび絶縁膜２の全面にＰＳＧ膜４を
厚さ１００〜３００nmで形成する。図１に示すように、
ＰＳＧ膜４は全面にわたってほぼ均一な厚さに堆積して
成膜できる。そして、フォスフィン（PH3 ）ガスの供給
を停止し、さらに続けてＴＥＳＯ−Ｏ3 系の反応でＮＳ
Ｇ膜５を厚さ５００〜８００nmで形成する。このＮＳＧ
膜５は図１に示すように配線層間の凹所を埋めかつ表面
がなだらかになる。そして、この上に上層の配線層（図
示せず）を形成するわけであり、ステップカバーレッジ
トラブルを招くことがない。また、ＮＳＧ膜５のエッチ
ングレートは何処でも同じとなる。
有するヘリウム(He)（あるいは窒素(N2)）キャリアガス
と、オゾン含有酸素ガスと、フォスフィン（PH3 ）ガス
とを反応炉に入れて、所定温度に加熱した半導体基板の
配線層３Ａ、３Ｂおよび絶縁膜２の全面にＰＳＧ膜４を
厚さ１００〜３００nmで形成する。図１に示すように、
ＰＳＧ膜４は全面にわたってほぼ均一な厚さに堆積して
成膜できる。そして、フォスフィン（PH3 ）ガスの供給
を停止し、さらに続けてＴＥＳＯ−Ｏ3 系の反応でＮＳ
Ｇ膜５を厚さ５００〜８００nmで形成する。このＮＳＧ
膜５は図１に示すように配線層間の凹所を埋めかつ表面
がなだらかになる。そして、この上に上層の配線層（図
示せず）を形成するわけであり、ステップカバーレッジ
トラブルを招くことがない。また、ＮＳＧ膜５のエッチ
ングレートは何処でも同じとなる。
【００２５】比較例 上述の例と同様にしてシリコン基板１の上に絶縁膜２を
形成し、その上に配線層３Ａおよび３Ｂを形成する。Ｔ
ＥＯＳ蒸気を含有するヘリウム（あるいは窒素）キャリ
アガスと、オゾン含有酸素ガスと、ガスとを反応炉に入
れて、所定温度に加熱した半導体基板の配線層３Ａ、３
Ｂおよび絶縁膜２の全面にＮＳＧ膜６を厚さ５００〜８
００nmで形成する。このときの条件は上述の例でのＮＳ
Ｇ膜形成と同じ条件である。この場合には、ＰＳＧ膜が
無く、絶縁膜２の上方におけるＮＳＧ膜表面は細かな凹
凸が発生している。このような凹凸表面は、この上に積
層する配線あるいは絶縁層を凹凸にし、これをパターニ
ングした際の形状は不安定である。また、ＳＯＧとエッ
チバックの平坦化プロセスを使用した場合に、ＮＳＧ膜
のエッチレートの不均一により、不安定な平坦化を招
き、半導体装置の信頼性を低下させる。
形成し、その上に配線層３Ａおよび３Ｂを形成する。Ｔ
ＥＯＳ蒸気を含有するヘリウム（あるいは窒素）キャリ
アガスと、オゾン含有酸素ガスと、ガスとを反応炉に入
れて、所定温度に加熱した半導体基板の配線層３Ａ、３
Ｂおよび絶縁膜２の全面にＮＳＧ膜６を厚さ５００〜８
００nmで形成する。このときの条件は上述の例でのＮＳ
Ｇ膜形成と同じ条件である。この場合には、ＰＳＧ膜が
無く、絶縁膜２の上方におけるＮＳＧ膜表面は細かな凹
凸が発生している。このような凹凸表面は、この上に積
層する配線あるいは絶縁層を凹凸にし、これをパターニ
ングした際の形状は不安定である。また、ＳＯＧとエッ
チバックの平坦化プロセスを使用した場合に、ＮＳＧ膜
のエッチレートの不均一により、不安定な平坦化を招
き、半導体装置の信頼性を低下させる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る方法
で形成した層間絶縁膜はＴＥＳＯ−Ｏ 3 −ＮＳＧ膜をそ
の膜質の下地依存性がなく、なだらかかつスムースな表
面で成膜できる。したがって、ステップカバーレッジト
ラブルの軽減と微細配線構造に寄与する。
で形成した層間絶縁膜はＴＥＳＯ−Ｏ 3 −ＮＳＧ膜をそ
の膜質の下地依存性がなく、なだらかかつスムースな表
面で成膜できる。したがって、ステップカバーレッジト
ラブルの軽減と微細配線構造に寄与する。
【図１】本発明に係る方法で多層配線層を形成している
半導体装置の部分断面図である。
半導体装置の部分断面図である。
【図２】比較例としての半導体装置の部分断面図であ
る。
る。
１…シリコン半導体基板 ２…絶縁膜 ３Ａ、３Ｂ…配線層 ４…ＴＥＳＯ−Ｏ3 −ＰＳＧ膜 ５…ＴＥＳＯ−Ｏ3 −ＮＳＧ膜 ６…ＴＥＳＯ−Ｏ3 −ＮＳＧ膜
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体装置の多層配線構造での層間絶縁
膜を、（ア）有機シリコン化合物と、オゾン含有酸素ガ
スと、リンドーパントを原料としてＣＶＤ法によりＰＳ
Ｇ膜（４）を形成する工程、および（イ）該ＰＳＧ膜
（４）の上に有機シリコン化合物と、オゾン含有酸素ガ
スとを原料としてＣＶＤ法によりノンドープシリケイト
膜（５）を形成する工程とでもって２層構造膜に形成す
ることを特徴とする半導体装置の層間絶縁膜の形成方
法。 - 【請求項２】 前記有機シリコン化合物がＴＥＯＳ，Ｔ
ＭＯＳ，ＳＯＢ，ＳＯＰ，ＯＭＣＴＳ，ＴＭＣＴＳまた
はＤＡＤＢＳであることを特徴とする請求項１記載の製
造方法。 - 【請求項３】 前記リンドーパントがPCl3, POCl3, P
H3, ＴＭＰまたはＴＭＯＰであることを特徴とする請求
項１記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20584591A JPH0547758A (ja) | 1991-08-16 | 1991-08-16 | 半導体装置の層間絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20584591A JPH0547758A (ja) | 1991-08-16 | 1991-08-16 | 半導体装置の層間絶縁膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547758A true JPH0547758A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16513667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20584591A Pending JPH0547758A (ja) | 1991-08-16 | 1991-08-16 | 半導体装置の層間絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0547758A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08153784A (ja) * | 1994-11-28 | 1996-06-11 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US6103601A (en) * | 1995-10-26 | 2000-08-15 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for improving film stability of halogen-doped silicon oxide films |
| US6352943B2 (en) | 1998-05-20 | 2002-03-05 | Semiconductor Process Laboratory Co., Ltd. | Method of film formation and method for manufacturing semiconductor device |
| US6599574B1 (en) * | 1996-04-04 | 2003-07-29 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for forming a dielectric film using helium as a carrier gas |
| KR100468687B1 (ko) * | 1997-09-08 | 2005-03-16 | 삼성전자주식회사 | 층간절연막형성방법 |
| KR100952243B1 (ko) * | 2007-12-26 | 2010-04-09 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 금속전 층간 절연막 제조 방법 |
-
1991
- 1991-08-16 JP JP20584591A patent/JPH0547758A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08153784A (ja) * | 1994-11-28 | 1996-06-11 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US6103601A (en) * | 1995-10-26 | 2000-08-15 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for improving film stability of halogen-doped silicon oxide films |
| US6374770B1 (en) | 1995-10-26 | 2002-04-23 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for improving film stability of halogen-doped silicon oxide films |
| US6599574B1 (en) * | 1996-04-04 | 2003-07-29 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for forming a dielectric film using helium as a carrier gas |
| KR100468687B1 (ko) * | 1997-09-08 | 2005-03-16 | 삼성전자주식회사 | 층간절연막형성방법 |
| US6352943B2 (en) | 1998-05-20 | 2002-03-05 | Semiconductor Process Laboratory Co., Ltd. | Method of film formation and method for manufacturing semiconductor device |
| KR100952243B1 (ko) * | 2007-12-26 | 2010-04-09 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 금속전 층간 절연막 제조 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000307 |