JPH11199864A - 電気発光素子の製造方法 - Google Patents

電気発光素子の製造方法

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JPH11199864A
JPH11199864A JP10289891A JP28989198A JPH11199864A JP H11199864 A JPH11199864 A JP H11199864A JP 10289891 A JP10289891 A JP 10289891A JP 28989198 A JP28989198 A JP 28989198A JP H11199864 A JPH11199864 A JP H11199864A
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宰▲ぎょんぐ▼ 李
Reikei Kin
澪圭 金
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KOTO GIJUTSU KENKYUIN KENKYU KUMIAI
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KOTO GIJUTSU KENKYUIN KENKYU KUMIAI
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Abstract

(57)【要約】 【課題】表面粗度が改善され、見かけ密度および熱安定
性が高く、界面接触が改善された電気発光素子を製造す
ることを課題とする。 【解決手段】透明基板、透明電極、金属電極、及び二つ
の電極の間に位置し、有機発光層、選択的正孔輸送層及
び選択的電子輸送層からなり、下記化１のポリイミドマ
トリックスに分散された電子的活性物質を含有する有機
中間層を含む電気発光素子の製造方法において、有機中
間層を、二無水物、ジアミン及び電子的活性物質の蒸気
を蒸着して電子的活性物質を含有するポリイミド前駆体
層を形成する第１の工程と、ポリイミド前駆体層を熱イ
ミド化する第２の工程とを具備することを特徴とする電
気発光素子の製造方法。 【化１】 但し、前記化１で、Ａは二無水物から誘導され、Ｂはジ
アミンから誘導され、ｎは２以上の整数である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気発光素子の製
造方法に関する。さらに詳細には、真空蒸着法を用いて
熱安定性が改善され、表面が均一な高密度のポリイミド
薄膜を含有する電気発光素子を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、電気発光素子は、透明電極、金
属電極、および前記二つの電極の間に位置する有機発光
層を含む有機層からなる積層構造を有し交流または直流
で駆動される。直流駆動の場合は、透明電極が陽極、金
属電極が陰極に作用する。電気発光効率を高めるため
に、有機層は正孔輸送層および電子輸送層を多層構造の
形でさらに含み得る。
【０００３】例えば、直流駆動の場合、別途の正孔輸送
層が陽極と有機発光層の間に密着されて位置し得る。ま
た、選択的な電子輸送層を陰極層と有機発光層の間に挿
入し得る。従って、用いられる有機物質によって電気発
光素子の有機層は単層、２層または３層であり得、各々
の層は種々の組合せの有機発光物質、正孔輸送物質およ
び電子伝達物質などの電子的活性物質を含有する。陽極
としては、インジウム・スズ酸化物−ガラス層が主に用
いられ、陰極としてはマグネシウム、アルミニウム、イ
ンジウムまたは銀−マグネシウムの金属層が用いられ
る。
【０００４】しかし、電子的活性物質を通常の真空蒸着
法に従って製造した有機層、例えば正孔輸送層は、素子
を駆動する際に発生する振動、結晶化および拡散移動な
どによって変形または破壊され易く、素子の寿命が短い
という問題があった。
【０００５】このような問題を解決するため、有機溶媒
を用いるスピンコートのような湿式工程を通じて活性物
質が高分子マトリックスに分散された有機層を製造する
方法が提示された。しかし、このような方法で製造され
た有機層は表面粗度が高く、低い見かけ密度、有機物質
による汚染などの問題を有する。また、この方法によっ
て多層の有機中間層を形成する場合、層間の接着力が十
分でないため、界面接触が弱くなり、素子の寿命が短い
という問題があり、さらに、層厚さが比較的厚いため素
子のターンオン（ｔurn on）電圧が高くなる。
【０００６】従って、表面粗度が改善され、見かけ密度
および熱安定性が高く、界面接触が改善された電気発光
素子の製造方法の開発が要求される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこうした事情
を考慮してなされたもので、表面粗度が改善され、見か
け密度および熱安定性が高く、界面接触が改善された電
気発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、透明基板、透
明電極、金属電極、および前記二つの電極の間に位置
し、有機発光層、選択的正孔輸送層および選択的電子輸
送層からなり、下記一般式である化５のポリイミドマト
リックス（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｍａｔｒｉｘ）に分散
された電子的活性物質を含有する有機中間層を含む電気
発光素子の製造方法において、前記有機中間層を、二無
水物、ジアミンおよび電子的活性物質の蒸気を蒸着して
電子的活性物質を含有するポリイミド前駆体層を形成す
る第１の工程と、前記ポリイミド前駆体層を熱イミド化
（ｔｈｅｒｍａｌ ｉｍｉｄｉｚａｔｉｏｎ）する第２
の工程とを具備することを特徴とする電気発光素子の製
造方法である。
【０００９】
【化５】 但し、前記化５で、Ａは二無水物から誘導され、Ｂはジ
アミンから誘導され、ｎは２以上の整数である。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明をさらに詳細に説明
する。
【００１１】本発明の一態様による電気発光素子は、ガ
ラスのような透明基板上にコーティングされたインジウ
ムスズ酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ；以
下、ＩＴＯという）層を予め決定されたパターンに従っ
て通常の方法でエッチングして製造した陽極と、アルミ
ニウム、マグネシウム、カルシウム、銀またはその他金
属または合金で製造した金属電極層と、前記透明電極層
および金属電極層の間に密着して位置する有機発光層を
含む有機中間層とからなる。本発明の電気発光素子は交
流または直流をもって作動され得る。直流作動の場合、
透明電極は陽極となり、金属電極は陰極として作用す
る。
【００１２】前記有機中間層は透明電極層および有機発
光層の間に挟まれた正孔輸送層をさらに含み得る。ま
た、有機中間層は金属電極層および有機発光層の間に挿
入された電子輸送層をさらに含み得る。
【００１３】従って、有機中間層は、有機発光物質、正
孔輸送物質および電子輸送物質をどのような組合せで用
いるかによって単層または多層構造の形態で製造し得
る。例えば、有機中間層は、正孔輸送／有機発光層およ
び電子輸送層、または正孔輸送層および有機発光／電子
輸送層からなる二層形態であり得る。また、有機中間層
は正孔輸送層、有機発光層および電子輸送層からなる三
層形態でもあり得る。
【００１４】本発明の実施において、一つ以上の有機中
間層に前記化５のポリイミドが用いられる。本発明に使
用され得る例示的なポリイミドは、下記化６に示す一般
式の二無水物および下記化７に示す一般式のジアミンを
真空蒸着重合して得ることができる。
【００１５】
【化６】
【化７】 ここで、ＡおよびＢは前記定義した通りである。
【００１６】化６の二無水物の例としては、ピロメリト
酸二無水物、３，４，３’，４’−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物、４，４’−（ヘキサフル
オロプロピリデン）ジ無水フタル酸、４，４’−（ジメ
チルシリコン）ジ無水フタル酸、４，４’−オキシジ無
水フタル酸、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホン
テトラカルボン酸二無水物、１，１’−ビス（３，４−
ジカルボキシルフェニル二無水物）−１−フェニル−
２，２，２−トリフルオロエタン、９，９’−ビス（ト
リフルオロメチル）−２，３，６，７−クサンテンテト
ラカルボン酸二無水物、テルフェニルテトラカルボン酸
二無水物、１，２，３，４−シクロペンタンテトラカル
ボン酸二無水物、ナフタレン−１，４，５，８−テトラ
カルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテト
ラカルボン酸二無水物、４−（２，５−ジオキソテトラ
ヒドロフラン−３−イル）テトラリン−１，２−ジカル
ボン酸無水物、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフ
リル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジ
カルボン酸無水物、ビシクロ［２，２，２］オクト−７
−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、
２，２’−ジ−ｔ−ブチルビフェニル−ビス（無水フタ
ル酸エーテル）、２，５’−ジ−ｔ−ブチルフェニル−
ビス（無水フタル酸エーテル）、ビスフェノールＡ−ビ
ス（無水フタル酸エーテル）などが挙げられる。前記二
無水物から誘導された前記化５のポリイミドのＡの構造
は、下記の化８に示す通りである。
【００１７】
【化８】 前記化７のジアミンの例としては、４，４’−オキシジ
フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、４，
４’−ジアミノジフェニルメタン、３，４−ジアミノジ
フェニルメタン、４，４−ジアミノジフェニルメタン、
２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２
−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、１，１−ビス（４−アミノフェニル）−１−フェニ
ル−２，２，２−トリフルオロエタン、ベンジジン、
２，２−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、１，
３−ビス（３−アミノフェノキシル）ベンゼン、３，５
−ジアミノトルエン、３，４−ジアミノジフェニルエー
テル、４，４’−フェニレンジアミン、３，４−フェニ
レンジアミン、３，３−ジアミノジフェニルエーテル、
３，３’−ジアミノジフェニルメタン、２，５−ジメチ
ル−ｐ−フェニレンジアミン、２，３，５，６−テトラ
メチル−ｐ−フェニレンジアミン、ジアミノフルオレ
ン、ジアミノフルオレノン、４，４’−ジアミノベンゾ
フェノン、４，４’−ジアミノビフェニル、４，４’−
ジアミノビベンジル、３，３’−ジアミノベンゾフェノ
ン、４，４’−ジアミノスルフィド、α，α’−ビス
（４−アミノフェニル）−１，４−ジイソプロピルベン
ゼン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル］プロパン、１，４−ビス（４−アミノフェノキ
シ）ベンゼン、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノ
キシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビ
ス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフ
ルオロプロパン、１，４−ビス（４−アミノフェノキ
シ）ベンゼン、２，６−ジアミノトルエン、メシチレン
ジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、
３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ビ
ス（アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２
−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサ
フルオロプロパン、４，４’−ビス（２−クロロアニリ
ノ）メタン、４，４−ビス （アミノシクロヘキシル）
メタン、２，２’−ビス（３−アミノ−４−メチルフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン、３，４’−ジアミノベ
ンゾフェノン、４，４’−ジアミノビベンジル、４，
４’−ビス（アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、１，３’−ビス（ｍ−アミノフェノキシ）ベンゼ
ン、４，４’−メチレン−ビス−ｏ−トルイジン、３，
３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシビフェニル、
４，４’−ジアミノオクタフルオロジフェニル、４，
４’−ビス（アミノフェニル）セレン化物、９，１０−
ビス（３−アミノフェニルチオ）アントラセン、９，１
０−ビス（４−アミノフェニルチオ）アントラセン、
９，１０−ビス（３−アミノアニリノ）アントラセン、
９，１０−ビス（４−アミノアニリノ）アントラセン、
アクリジンイエローＧ、アクリフラビン、３，６−ジア
ミノアクリジン、６，９−ジアミノ−２−エトキシアク
リジン、塩基性フクシン、メチル化塩基性フクシン、
２，４−ジアミノ−６−フェニル−１，３，５−トリア
ジン、９，１０−ジアミノフェナントレン、３，８−ジ
アミノ−６−フェニルフェナントリジン、臭化ジミジウ
ム、臭化エチジウム、ヨウ化プロピジウム、チオニン、
３，７−ジアミノ−５−フェニルフェナジウムクロリ
ド、３，３’−ジメチルナフチジンなどがある。前記ジ
アミンから誘導された前記化５に示すポリイミドのＢの
構造は、下記化９，化１０，化１１，化１２に示す通り
である。
【００１８】
【化９】
【化１０】
【化１１】
【化１２】 本発明においては、二無水物とジアミンを活性物質とと
もに基材または他の有機層上に真空蒸着してポリアミク
酸（poly(amic acid) ）のようなポリイミド前駆体を形
成し、前記ポリイミド前駆体を熱処理して活性物質がポ
リイミドに分散された形態のポリイミド層を形成するこ
とによって有機中間層を製造する。例として、二無水物
としてＰＭＤＡを用い、ジアミンとしてＯＤＡを用いる
反応を下記化１３の(1) 〜(4) に示す。
【００１９】
【化１３】 化１３において、ＰＭＤＡの二無水物残基とＯＤＡのア
ミノ残基とが反応してカルボン酸中間体を経てポリアミ
ク酸が形成し、次いで、熱処理によってポリアミク酸が
ポリイミドに転換する。このような蒸着重合法によって
生成されたポリイミドフィルムは通常の湿式方法による
ものより高い密度を有する。
【００２０】電子的活性物質は正孔輸送物質、有機発光
物質、電子輸送物質およびこれらの混合物からなる群か
ら選ばれる。本発明に用いられる活性物質は二無水物お
よびジアミンと反応しない。
【００２１】本発明の真空蒸着重合段階においては、活
性物質、二無水物およびジアミンの蒸気を１：２：２な
いし２：１：１のモル比で０．０１ないし０．０２ｎｍ
／ｓｅｃの蒸着速度で蒸着することが好ましい。
【００２２】本発明において、正孔輸送層は、通常の正
孔輸送物質を単独で蒸着するか、通常の湿式工程によっ
て製造され得るが、好ましくは、正孔輸送物質、二無水
物およびジアミンを真空蒸着してポリイミド前駆体層を
形成し、前記ポリイミド前駆体を熱処理して正孔輸送物
質が化５のポリイミドに分散されたポリイミド薄膜を形
成することによって製造される。
【００２３】具体的な正孔輸送物質の例としては、下記
化１４の一般式（IV）のＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，
Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ジフェ
ニル−４，４’−ジアミン、下記化１４の一般式（V)の
ジアミン、下記化１４の一般式（VII)のα−ＮＰＤ、下
記化１４の一般式（VII)のヒドラゾーン、下記化１４の
一般式（VIII）のＣ2 −ＴＰＤ、下記化１４の一般式
（IX）のＴＭＤＰＡＢ、下記化１５の一般式（X)の４，
４’，４”−トリス（３−メチルフェニル−フェニルア
ミノ）トリフェニルアミン、下記化１５の一般式（XI)
及び下記化１５の一般式（XII)の化合物を挙げることが
でき、このうちＴＰＤが好ましい。
【００２４】
【化１４】
【化１５】 前記化１５で、Ｒ，Ｒ1 ，Ｒ2 及びＲ3 は各々独立的に
アルキルまたは芳香族置換体であり、ｍは１以上の整数
である。特に、正孔輸送層のポリイミドマトリックスを
電子親和度１．１０ないし１．９０ｅＶの二無水物を用
いて製造する場合には、発光効率が大きく増加し得る。
代表的な二無水物の電子親和度を下記表１に示す。正孔
輸送層の厚さは１６ないし４０ｎｍである。
【００２５】
【表１】 本発明において、有機発光層は、通常の有機発光物質を
単独で蒸着するか、通常の湿式工程によって製造され得
るが、好ましくは、有機発光物質、二無水物およびジア
ミンを真空蒸着してポリイミド前駆体層を形成し、前記
ポリイミド前駆体を熱処理して有機発光物質が前記化５
のポリイミドに分散されたポリイミド薄膜を形成するこ
とによって製造される。
【００２６】具体的な有機発光物質としては、トリス
（８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ
3 ）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−
（４−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣ
Ｍ）、１，４−ジスチリルベンゼン、アントラセン、テ
トラセン、ペントラセン、コロネン、ペリレン、ピレ
ン、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）、９、１０
−ジフェニルアントラセン、トリス（４，４，４−トリ
フルオロ−１−（２−チエニル）−１，３−ブタンジオ
ノ）−１，１０−フェナントロリンユウロピウム（ＩＩ
Ｉ）（Ｅｕ（ＴＴＦＡ）３Ｐｈｅｎ）、トリス（２，４
−ペンタジオノ）−１，１０−フェナントロリンテルビ
ウム（ＩＩＩ）（Ｔｂ（ＡＣＡＣ）３Ｐｈｅｎ）および
トリス（４，４，４−トリフルオロ−１−（２−チエニ
ル）−１，３−ブタンジオノ）−１，１０−フェナント
ロリンジスプロシウム（ＩＩＩ）（Ｄｙ（ＴＴＦＡ）３
Ｐｈｅｎ）などが挙げられる。
【００２７】前記有機発光物質は、陽極上に又は正孔輸
送層が用いられる場合には正孔輸送層の表面上に形成さ
れる。前記有機発光層の厚さは、２０ないし３０ｎｍの
範囲である。有機発光層の厚さを調節することによって
本発明の素子のターンオン（ｔｕｒｎ−ｏｎ）電圧を調
節することができる。
【００２８】本発明において、電子輸送層は、通常の電
子輸送物質を単独で蒸着するか、通常の湿式工程によっ
て製造され得るが、好ましくは、電子輸送物質、二無水
物およびジアミンを真空蒸着してポリイミド前駆体層を
形成し、前記ポリイミド前駆体を熱処理して電子輸送物
質が前記化５のポリイミドに分散されたポリイミド薄膜
を形成することによって製造される。
【００２９】電子輸送物質の具体的な例としては、２−
（４−ビフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェ
ニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ブチル−ＰＢ
Ｄ）及びオキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）が挙げられ
る。電子輸送層は、有機発光層の製造時と類似な手順に
従って有機発光層上に電子輸送物質を蒸着するか、ポリ
イミドマトリックス中に分散された電子輸送物質層をコ
ーティングして製造し得る。
【００３０】特に、電子輸送層のポリイミドマトリック
スをイオン化ポテンシャル６．８０ないし７．７０ｅＶ
のジアミンを用いて製造する場合には、発光効率が大き
く増加し得る。いくつのジアミンのイオン化ポテンシャ
ル値を、前記表１に示す。
【００３１】図１は、本発明の一態様による電気発光素
子製造装置の概略図である。図中の付番１，２，３，４
は、各々ロードロックチャンバー，予備洗浄チャンバ
ー，正孔輸送層形成チャンバー，有機発光層形成チャン
バー，陰極電極コーティングチャンバーを示す。前記ロ
ードロックチャンバー１は、マグネチックバー６と、基
材を導入するためのクイックアクセスドア７と、サンプ
ル装着器（基板ホルダー）８と、ポンピングポート９と
を装着している。
【００３２】前記正孔輸送層形成チャンバー２は、イオ
ン供給源10と、サンプル装着器（基板ホルダー）11と、
ポンピングポート12とを装着している。前記有機発光形
成チャンバー３は、サンプル装着器（基板ホルダー）13
と、マスフロー調節器14ａ，15ａ，16ａを夫々介装した
配管14，15，16と、るつぼ17，18，19と、ポンピングポ
ート20とを装着している。前記るつぼ17，18，19には、
夫々に無水物，ジアミン，正孔輸送物質の粉末が入って
いる。
【００３３】前記有機発光形成チャンバー３は、拡散セ
ル21と、サンプル装着器（基板ホルダー）22と、ポンピ
ングポート23とを装着している。前記陰極電極コーティ
ングチャンバー４は、電子ビーム蒸着器24と、サンプル
装着器（基板ホルダー）25と、ポンピングポート26とを
装着している。
【００３４】前記ロードロックチャンバー１、予備洗浄
チャンバー２、正孔伝達層形成チャンバー３、有機発光
層形成チャンバー４、陰極電極コーティングチャンバー
５は、ゲートバルブ27，28，29，30により相互に連結さ
れている。
【００３５】本発明の電気発光素子製造方法の一態様
は、図１に示した装置を使って次のように行う。まず、
ポンピングポート９，12，20，23，26を通じて全体真空
システムを高真空状態に維持する。ガラス−ＩＴＯ基板
をクイックアクセスドア７を通じてロードロックチェン
バー１の基板ホルダー８に装着する。ポンピングポート
９を通じてロードロックチェンバー１を高真空で維持し
た後、ゲートバルブ27を開けてマグネチックバー６を用
いてＩＴＯガラス基板を予備洗浄チャンバー２の基板ホ
ルダー11に移す。
【００３６】次に、マグネチックバー６を元の位置に移
し、ゲートバルブ27を閉めた後、イオン供給源16を用い
て予備洗浄工程を行う。この際、イオン供給源16として
は、Ａｒ、Ｏ2 、Ｎ2 などが用いられる。
【００３７】予備洗浄チャンバー２での工程が終った
後、ゲートバルブ27，28を開けてマグネチックバー６を
用いて基板を正孔伝達層形成チャンバー３の基板ホルダ
ー13に移した後、マグネチックバー６を元に場所に移
し、バルブを閉める。
【００３８】正孔輸送層形成チャンバー３では、ポリイ
ミドに正孔輸送物質（例えば、ＴＰＤ）が分散された薄
膜をＩＴＯ基板に形成するために、ＩＴＯ基板に二無水
物、ジアミン、そして正孔輸送物質の粉末が入っている
るつぼ17、18、19に熱を加えることによって特定真空下
で各物質の蒸気が発生することになる。るつぼを特定温
度（例えば、二無水物：１６０〜２００℃、ジアミン：
１４０〜１８０℃、正孔伝達物質：１８０〜３００℃）
に保持した後、マスフロー調節器14ａ，15ａ，16ａを調
節して各物質の蒸気を特定の比率で反応物質を基板に蒸
着してポリアミク酸薄膜を形成し、これを熱処理して正
孔伝達物質を含むポリイミド薄膜を得る。
【００３９】次に、拡散セル21が装着された有機発光層
形成チャンバー４に基板を移した後、０．０３ｎｍ
（０．３オングストローム：０．３Ａ／ｓｅｃ以下の蒸
着速度で正孔輸送層上に有機発光物質を蒸着する。次い
で、ゲートバルブ30を開け、基板をマグネチックバー６
を用いて基板ホルダー25に移し電子ビーム蒸発器24を用
いて特定金属を蒸着して発光素子の陰極を作る。
【００４０】ポリイミドの真空蒸着重合の際に各物質の
組成比を正確に調節するために、残留気体分析器（ＲＧ
Ａ）及び厚さ測定器（表１に示されていない）を用いて
フィードバックプロセスを適用してマスフローバルブを
正確に調節する。
【００４１】前述の本発明の装置は、有機中間層の構造
によって任意に変更され得る。例えば、ポリイミドマト
リックスを含む有機発光層を製造する場合、有機発光層
形成チャンバー４に二無水物及びジアミン用のるつぼを
各々設置し得る。
【００４２】本発明の有機発光素子製造装置は、工程が
簡単であり、有機層の有機溶媒による汚染を避けること
ができ、層厚さを精密に制御することができる。
【００４３】本発明においては、前述したように、有機
発光物質、正孔輸送物質及び／又は電子輸送物質を含む
本発明の有機層は、単一層又は多層形態であり得る。例
えば、ポリエーテルイミド、有機発光物質及び正孔輸送
物質の配合物を陽極上にコーティングして正孔輸送／有
機発光層を製造することによって、正孔輸送物質及び有
機発光物質を一つの有機層に混入し得る。
【００４４】また、有機発光及び電子輸送能力を共に有
する有機金属化合物、例えば、トリス（８−ヒドロキシ
キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3 ）を有機発光層
の製造時と類似な手順に従ってポリイミドマトリックス
に分散して有機発光／電子輸送単一層を形成し得る。
【００４５】さらに、有機発光素子の駆動の際に正孔伝
達層から正孔が円滑に有機発光層に注入されるように正
孔輸送層に一定量の有機発光物質を混合し得る。また、
本発明の電気発光素子に電子輸送層が用いられる場合電
子輸送層にも有機発光物質を加えて接触性を改善し得
る。
【００４６】図２は、本発明の一態様によって製造され
た電気発光素子の概略的な構造を示す。図２において、
付番31は透明基板を示す。この透明基板31上には、透明
電極32，ポリイミド界面接合層33，正孔輸送層34，有機
発光層35，電子輸送層36，ポリイミド界面接合層37及び
金属電極38が順次形成されている。前記透明電極32，金
属電極38間には電源39が接続されている。なお、電力は
交流または直流であり得る。
【００４７】本発明の実施において、発光の特定波長を
増幅するために透明基材とＩＴＯ薄膜の間に、分布され
たブラッグ反射機として屈折率の異なる各種のポリイミ
ドフィルムの積層をさらに導入することによって、発光
効率を増進させることができる。
【００４８】本発明の分布されたブラッグ反射機は、屈
折率が大きいポリイミドフィルムと小さい屈折率を有す
るポリイミドフィルムを交互に積層して形成されたもの
であり、特定の二無水物とジアミンからポリイミド前駆
体層を真空蒸着重合した後、これを熱処理する過程を適
切に繰返して製造され得る。
【００４９】代表的な二無水物とジアミンから製造され
るポリイミドの屈折率を、下記表２に示す。
【００５０】
【表２】 分布されたブラッグ反射機の反射率は、次の数１によっ
て計算される（Ａ．Ｄodabalapur et al.,Ｊ．Ａpplied
Ｐhys ．80（12），P6953 （1996）参照）。
【００５１】
【数１】 前記数１で、ｎ’は屈折率が高いポリイミド層の屈折
率、ｎ”は屈折率が低いポリイミド層の屈折率、Ｎはポ
リイミド層の組合せの数を示す。
【００５２】例えば、屈折率が１．８０であるＰＭＤＡ
＋ＯＤＡと屈折率が１．５４である６ＦＤＡ＋６ＦＤＡ
Ｍを各々誘電膜Ｉと誘電膜ＩＩとして用いて交替に１０
回蒸着して１１５ｎｍ厚さの１０層の誘電膜対からなる
分布されたブラッグ反射機（Ｄistributed Ｂragg Ｒ
eflector：ＤＢＲ）を形成し、有機発光物質としてＴＢ
を用いる場合、上記数１によって計算された反射率は
０．８４となる。このように製造された高分子誘電膜は
高反射率鏡（Ｈigh Ｒeflective Ｍirror ）として
作用し、反対側である陰極金属電極の完全鏡（Ｐerfect
Ｍirror ）とともに平面微細空洞構造を形成して発光
の特定波長を増幅させ、素子の発光効率を増加させる。
【００５３】本発明の好ましい態様は次の通りである。
前記正孔輸送層が、正孔伝達物質、二無水物およびジア
ミンの蒸気を１：２：２ないし２：１：１のモル比で
０．０１ないし０．０２ｎｍ／ｓｅｃの蒸着速度の下で
真空蒸着重合して製造されることを特徴とする本発明に
よる電気発光素子の製造方法。前記有機発光層が、有機
発光物質、二無水物およびジアミンの蒸気を１：２：２
ないし２：１：１のモル比で０．０１ないし０．０２ｎ
ｍ／ｓｅｃの蒸着速度の下で真空蒸着重合して製造され
ることを特徴とする本発明による電気発光素子の製造方
法。本発明では、接触抵抗を減らすと同時に金属と有機
層との接着を改善するために、陽極上に、または陰極を
コーティングする前にポリイミド界面接合層をコーティ
ングし得る。
【００５４】また、本発明の素子をカプセルで包み得
る。一般に、電気発光素子はパラフィンなどを用いた溶
融工程を用いて製造完了した素子をパッケージングする
方法；ポリアミク酸を溶媒に溶かしてパッケージングす
る溶媒工程があり；ＵＶ−硬化性重合体を用いてカプセ
ルで包んだ後、紫外線に露光させる方法などを用いてパ
ッケージングされ得る。しかし、溶融工程の場合、有機
物質が熱に敏感であるため、熱による発光素子の熱劣化
を避けることができなく、溶媒工程の場合、溶媒が発光
物質層に浸透して発光素子の劣化を誘発する。また、Ｕ
Ｖ−硬化性重合体を用いる場合、有機物質の大部分が紫
外線に弱いため発光素子の劣化が起こる。このような問
題を解決するために、本発明の有機発光素子を二無水物
およびジアミンを用いて真空蒸着重合によってポリイミ
ドのカプセルに封入して空気および水分から保護するこ
とによってその安定性を増加させ得る。
【００５５】単一層および多層構造の有機中間層を有す
る本発明の電気発光素子において、ポリイミドは素子の
安定性、電気発光効率および寿命を増加するために一つ
以上の有機層に使用され得る。特に、有機中間層がポリ
イミド／ポリイミドの二層構造の形態である場合には素
子の物理的安定性が非常に改善される。また、ポリイミ
ドに分散される有機発光物質の量および印加電圧を調節
して発光の波長を調整し得る。
【００５６】本発明の有機電気発光素子は平面的なディ
スプレイ パネルの形に製造することが可能である。ま
た、すべての有機層に一つ以上のポリイミド層が用いら
れ、柔軟な電極が用いられる場合、柔軟な表示素子の製
造も可能である。さらに、本発明は、有機電気発光素子
だけでなく、太陽電池（solar cell）、ＦＥＴ（fiel
d effect trasister）、光ダイオードなどに活用され得
る。
【００５７】
【実施例】以下、本発明を下記実施例によってさらに詳
細に説明する。但し、下記実施例は本発明を例示するの
みであり、本発明の範囲を制限しない。
【００５８】（実施例１）まず、透明基板としての透明
ガラス上に、ＩＴＯをコーティングして透明陽極（透明
電極）を製造した。つづいて、コーティングされた基板
をエキストラン（Extrant)溶液→アセトン溶液→エタノ
ールで各々１時間超音波洗浄した後、エタノールに保管
した。次に、洗浄された基板をチャンバー内の試料装着
器に装着し、三つのるつぼに各々ＤＣＭ、ＰＭＤＡおよ
びＯＤＡを約０．０５ｇずつ入れた 次に、チャンバー内の真空度を１．０×１０-6トール
（ｔｏｒｒ）にした後、各々のるつぼを加熱しはじめ
た。この際、ＰＭＤＡは１８０℃、ＯＤＡは１６０℃、
ＤＣＭは２２０ないし２３０℃に加熱した。石英発振器
を用いた厚さモニター（ＳＴＭ １００／ＭＦ）で各々
の蒸発速度が０．０１ないし０．０２ｎｍ／ｓｅｃに一
定であるか確認した。
【００５９】次に、ＰＭＯＡ、ＯＤＡおよびＤＣＭの蒸
発速度が０．０１ないし０．０２ｎｍ／ｓｅｃに安定化
され、るつぼの温度変化が±１℃以下となったとき、試
料装着機側のシャッターを開けて蒸着を始め、総厚さが
３０ないし３２ｎｍとなるまで蒸着を続けた。
【００６０】次に、有機発光層が蒸着されたＩＴＯガラ
ス基板を真空オーブンで１分当り２℃ずつ１７０℃まで
昇温して１７０℃で４０分間熱処理した。つづいて、熱
処理されたガラス基板をさらに金属蒸着チェンバーの試
料装着器に移送して２×１０-6トールの圧力の下でアル
ミニウムを厚さ３００ｎｍとなるように蒸着した。
【００６１】図３は、ＤＣＭ／ＰＭＤＡ−ＯＤＡ層のＵ
Ｖ可視光線吸収スペクトルを示す特性図である（但し、
（ａ）：熱処理前、（ｂ）：熱処理後）。図３におい
て、曲線（ａ），（ｂ）は、それぞれ４７８．３ｎｍ
（２．１６ｅＶ），４９２．４ｎｍ（２．５５ｅＶ）の
λｍａｘ値を有する。このようなλｍａｘの差は熱処理
による密度の増加に伴って、ＤＣＭ分子間の距離が少な
くなることに起因する。
【００６２】（実施例２）まず、透明ガラス上にＩＴＯ
をコーティングして透明陽極を製造した。つづいて、コ
ーティングされた基板をエキストラン溶液→アセトン溶
液→エタノールで各々１時間超音波洗浄した後、エタノ
ールに保管した。次に、洗浄された基板をチャンバー内
の試料装着器に装着し、三つのるつぼに各々ＴＰＤ、Ｄ
ＣＭ及びＰＭＤＡを約０．０５ｇずつ入れた。チャンバ
ー内の真空度を１．０×１０-6トール（ｔｏｒｒ）にし
た後、各々のるつぼを加熱しはじめた。この際、ＰＭＤ
Ａは１８０℃、ＯＤＡは１６０℃、ＴＰＤは２２０℃に
加熱した。石英発振器を用いた厚さモニター（ＳＴＭ
１００／ＭＦ）で各々の蒸発速度が０．０１ないし０．
０２ｎｍ／ｓｅｃの範囲に調節した。
【００６３】ＰＭＤＡ、ＯＤＡおよびＤＣＭの蒸発速度
が０．０１ないし０．０２ｎｍ／ｓｅｃに安定化され、
るつぼの温度変化が±１℃以下となったとき、試料装着
器側のシャッターを開けて蒸着を始め、総厚さが３０な
いし３２ｎｍとなるまで蒸着を続けた。
【００６４】この有機層が蒸着されたＩＴＯガラス基板
を真空オーブンで１分当り２℃ずつ２００℃まで昇温し
て２００℃で１時間熱処理した。次に、上記の熱処理さ
れた基板をさらに有機発光層蒸着チェンバーの試料装着
器に移送し、Ａｌｑ3 を３０ｎｍの厚さに蒸着し、さら
に、アルミニウムを厚さ３５０ｎｍとなるように蒸着し
た。製造された素子のターンオン電圧は、下記表３に示
す通りである。
【００６５】
【表３】 （実施例３〜１０）製造条件を上記表３に示すように変
化させることを除いては、実施例２の手順を繰り返し
た。製造された素子のターンオン電圧は、上記表３に示
す。実施例７で製造した素子は、１２ ｌｍ／Ｗという
高い発光効率を示した。
【００６６】（比較例１〜６）製造条件を上記表３に示
すように変化させることを除いては、実施例２の手順を
繰り返した。製造された素子のターンオン電圧は、上記
表３に示す通りである。 （実施例１１） 実施例１で製造した素子をサンプルホルダーに装着し、
二無水物とジアミンを蒸着（温度：ＰＭＤＡ：１８５
℃、ＯＤＡ：１５５℃）して素子をカプセルで包んだ。
【００６７】（実施例１２）まず、透明ガラス上にＩＴ
Ｏをコーティングして透明陽極を製造した。つづいて、
基板を試料装着器に装着し、三つのるつぼに各々ＯＰＤ
Ａ、ＯＤＡおよびＴＰＤを約０．０１ｇずつ入れ、２×
１０-6トールの圧力、ＰＭＤＡは１８０℃、ＯＤＡは１
６０℃、ＴＰＤは２２０℃の条件の下で陽極上にポリア
ミク酸層を形成し、このポリアミク酸層を１８０℃で１
時間熱処理して１８０ｎｍ厚さの正孔輸送層を形成し
た。ひきつづき、Ａｌｑ3 を２０ｎｍの厚さに蒸着した
後、アルミニウムを厚さ３５０ｎｍとなるように蒸着し
た。製造された素子のターンオン電圧は５Ｖであり、９
Ｖでの発光効率は１３ ｌｍ／Ｗであった。
【００６８】（実施例１３）正孔輸送層の厚さを１５ｎ
ｍとすることを除いては、実施例１２の手順を繰り返し
た。製造された素子のターンオン電圧は４Ｖであり、８
Ｖでの発光効率は１３ ｌｍ／Ｗであった。
【００６９】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によって製
造された電気発光素子は高い発光効率を有する。また、
本発明によるポリイミド層は密度が高く、厚さが均一で
ある。したがって、本発明の方法によって製造された有
機層は有機電気発光素子の外にも有機半導体素子である
太陽電池、ＦＥＴ素子、有機薄膜センサーなどに応用で
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一態様による電気発光素子製造装置の
概略的な構造を示す。
【図２】本発明の一態様によって製造された電気発光素
子の概略的な構造を示す。
【図３】ＤＣＭ／ＰＭＤＡ−ＯＤＡ層のＵＶ可視光線吸
収スペクトルの特性図を示す。
【図４】ＩＴＯ層表面のＡtomic Ｆorce microscopyス
ペクトル写真を示す。
【図５】本発明の実施例２で製造した正孔伝達層表面の
Ａtomic Ｆorce microscopyスペクトル写真を示す。
フロントページの続き (31)優先権主張番号 １９９８−７０４０ (32)優先日 1998年３月４日 (33)優先権主張国 韓国（ＫＲ） (31)優先権主張番号 １９９８−２３６４４ (32)優先日 1998年６月23日 (33)優先権主張国 韓国（ＫＲ） (31)優先権主張番号 １９９８−３８４６９ (32)優先日 1998年９月17日 (33)優先権主張国 韓国（ＫＲ） (72)発明者 崔 東権 大韓民国、ソウル特別市138−240松坡区新 川洞ジャンミアパート２棟801号

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 透明基板、透明電極、金属電極、および
    前記二つの電極の間に位置し、有機発光層、選択的正孔
    輸送層および選択的電子輸送層からなり、下記一般式で
    ある化１のポリイミドマトリックスに分散された電子的
    活性物質を含有する有機中間層を含む電気発光素子の製
    造方法において、 前記有機中間層を、二無水物、ジアミンおよび電子的活
    性物質の蒸気を蒸着して電子的活性物質を含有するポリ
    イミド前駆体層を形成する第１の工程と、前記ポリイミ
    ド前駆体層を熱イミド化する第２の工程とを具備するこ
    とを特徴とする電気発光素子の製造方法。 【化１】 但し、前記化１で、Ａは二無水物から誘導され、Ｂはジ
    アミンから誘導され、ｎは２以上の整数である。
  2. 【請求項２】 前記第１の工程において、電子的活性物
    質、二無水物およびジアミンの蒸気を１：２：２ないし
    ２：１：１のモル比で０．０１ないし０．０２ｎｍ／ｓ
    ｅｃの蒸着速度の下で蒸着することを特徴とする請求項
    １に記載の電気発光素子の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記第２の工程において、前記熱イミド
    化を１５０ないし３００℃の温度で１ないし１０時間の
    間行うことを特徴とする請求項１に記載の電気発光素子
    の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記二無水物が、ピロメリト酸二無水
    物、３，４，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸
    二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラ
    カルボン酸二無水物、４，４’−（ヘキサフルオロプロ
    ピリデン）ジ無水フタル酸、４，４’−（ジメチルシリ
    コン）ジ無水フタル酸、４，４’−オキシジ無水フタル
    酸、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカ
    ルボン酸二無水物、１，１’−ビス（３，４−ジカルボ
    キシルフェニル二無水物）−１−フェニル−２，２，２
    −トリフルオロエタン、９，９’−ビス（トリフルオロ
    メチル）−２，３，６，７−クサンテンテトラカルボン
    酸二無水物、テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、
    １，２，３，４−シクロペンタンテトラカルボン酸二無
    水物、ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸
    二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン
    酸二無水物、４−（２，５−ジオキソテトラヒドロフラ
    ン−３−イル）テトラリン−１，２−ジカルボン酸無水
    物、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−３
    −メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸
    無水物、ビシクロ［２，２，２］オクト−７−エン−
    ２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、２，２’
    −ジ−ｔ−ブチルビフェニル−ビス （無水フタル酸エ
    ーテル）、２，５’−ジ−ｔ−ブチルフェニル−ビス
    （無水フタル酸エーテル）、ビスフェノールＡ−ビス
    （無水フタル酸エーテル）からなる群から選ばれること
    を特徴とする請求項１に記載の電気発光素子の製造方
    法。
  5. 【請求項５】 前記ジアミンが、４，４’−オキシジフ
    ェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’
    −ジアミノジフェニルメタン、３，４−ジアミノジフェ
    ニルメタン、４，４−ジアミノジフェニルメタン、２，
    ２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビ
    ス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
    １，１−ビス（４−アミノフェニル）−１−フェニル−
    ２，２，２−トリフルオロエタン、ベンジジン、２，２
    −ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、１，３−ビ
    ス（３−アミノフェノキシル）ベンゼン、３，５−ジア
    ミノトルエン、３，４−ジアミノジフェニルエーテル、
    ４，４’−フェニレンジアミン、３，４−フェニレンジ
    アミン、３，３−ジアミノジフェニルエーテル、３，
    ３’−ジアミノジフェニルメタン、２，５−ジメチル−
    ｐ−フェニレンジアミン、２，３，５，６−テトラメチ
    ル−ｐ−フェニレンジアミン、ジアミノフルオレン、ジ
    アミノフルオレノン、４，４’−ジアミノベンゾフェノ
    ン、４，４’−ジアミノビフェニル、４，４’−ジアミ
    ノビベンジル、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、
    ４，４’−ジアミノスルフィド、α，α’−ビス（４−
    アミノフェニル）−１，４−ジイソプロピルベンゼン、
    ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
    ル］プロパン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）
    ベンゼン、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキ
    シ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス
    ［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフル
    オロプロパン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）
    ベンゼン、２，６−ジアミノトルエン、メシチレンジア
    ミン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，
    ３’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ビス
    （アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−
    ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフ
    ルオロプロパン、４，４’−ビス（２−クロロアニリ
    ノ）メタン、４，４−ビス （アミノシクロヘキシル）
    メタン、２，２’−ビス（３−アミノ−４−メチルフェ
    ニル）ヘキサフルオロプロパン、３，４’−ジアミノベ
    ンゾフェノン、４，４’−ジアミノビベンジル、４，
    ４’−ビス（アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパ
    ン、１，３’−ビス（ｍ−アミノフェノキシ）ベンゼ
    ン、４，４’−メチレン−ビス−ｏ−トルイジン、３，
    ３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシビフェニル、
    ４，４’−ジアミノオクタフルオロジフェニル、４，
    ４’−ビス（アミノフェニル）セレン化物、９，１０−
    ビス（３−アミノフェニルチオ）アントラセン、９，１
    ０−ビス（４−アミノフェニルチオ）アントラセン、
    ９，１０−ビス（３−アミノアニリノ）アントラセン、
    ９，１０−ビス（４−アミノアニリノ）アントラセン、
    アクリジンイエローＧ、アクリフラビン、３，６−ジア
    ミノアクリジン、６，９−ジアミノ−２−エトキシアク
    リジン、塩基性フクシン、メチル化塩基性フクシン、
    ２，４−ジアミノ−６−フェニル−１，３，５−トリア
    ジン、９，１０−ジアミノフェナントレン、３，８−ジ
    アミノ−６−フェニルフェナントリジン、臭化ジミジウ
    ム、臭化エチジウム、ヨウ化プロピジウム、チオニン、
    ３，７−ジアミノ−５−フェニルフェナジウムクロリ
    ド、３，３’−ジメチルナフチジンからなる群から選ば
    れることを特徴とする請求項１に記載の電気発光素子の
    製造方法。
  6. 【請求項６】 前記電子的活性物質が、４−（ジシアノ
    メチレン）−２−メチル−６−（４−ジメチルアミノス
    チリル）−４Ｈ−ピラン、トリス（８−ヒドロキノリノ
    ラト）アルミニウム、１，４−ビス（２−メチルスチリ
    ル）ベンゼン（ビス−ＭＳＢ）、１，４−ジスチリルベ
    ンゼン、アントラセン、テトラセン、ペントラセン、コ
    ロネン、ペリレン、ピレン、ビス（８−キノリノラト）
    亜鉛（ＩＩ）、９，１０−ジフェニルアントラセン、ト
    リス（４，４，４−トリフルオロ−１−（２−チエニ
    ル）−１，３−ブタンジオノ）−１，１０−フェナント
    ロリンユウロピウム（ＩＩＩ）、トリス（２，４−ペン
    タジオノ）−１，１０−フェナントロリンテルビウム
    （ＩＩＩ）、トリス（４，４，４−トリフルオロ−１−
    （２−チエニル）−１，３−ブタンジオノ）−１，１０
    −フェナントロリンジスプロシウム（ＩＩＩ）およびこ
    れらの混合物からなる群から選ばれる有機発光物質であ
    ることを特徴とする請求項１に記載の電気発光素子の製
    造方法。
  7. 【請求項７】 前記電子的活性物質が、下記化２の一般
    式(IV)のＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−
    メチルフェニル）−１，１’−ジフェニル−４，４’−
    ジアミン、下記化２の一般式(V) のジアミン、下記化３
    の一般式（VI）のα−ＮＰＤ、下記化３の一般式（VII)
    のヒドラゾン、下記化３の一般式（VIII）のＣ2 −ＴＰ
    Ｄ、下記化３の一般式（IX）のＴＭＤＰＡＢ、下記化４
    の一般式 （X)の４，４’，４”−トリス（３−メチル
    フェニル−フェニルアミノ）トリフェニルアミン、下記
    化４の一般式（XI）および下記化４の一般式（XII)の化
    合物ならびにこれらの混合物からなる群から選ばれる正
    孔輸送物質であることを特徴とする請求項１に記載の電
    気発光素子の製造方法。 【化２】 【化３】 【化４】 但し、前記化４で、Ｒ、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 は各々独
    立的にアルキルまたは芳香族置換体であり、ｍは１以上
    の整数である。
  8. 【請求項８】 前記有機発光層の厚さが、２０ないし３
    ０ｎｍの範囲であり、正孔輸送層の厚さが１６ないし４
    ０ｎｍ範囲であることを特徴とする請求項１に記載の電
    気発光素子の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記金属電極上に二無水物とジアミンを
    真空状態で蒸着重合してポリイミド前駆体膜を形成し、
    前記ポリイミド前駆体膜を熱イミド化してポリイミド保
    護膜を形成して素子を密閉する段階をさらに含む請求項
    １に記載の電気発光素子の製造方法。
  10. 【請求項１０】 1)第１二無水物と第１ジアミンを真空
    蒸着重合して第１ポリイミド前駆体層を形成し、2)第１
    ポリイミド層を熱イミド化して第１ポリイミド層を形成
    し、3)第２二無水物と第２ジアミンを真空蒸着重合して
    第２ポリイミド前駆体層を形成し、4)前記第２ポリイミ
    ド前駆体層を熱イミド化する段階を繰返して、第１ポリ
    イミド高分子膜と屈折率がより小さい第２ポリイミド高
    分子膜が交互に形成された構造の分布されたブラッグ反
    射機を前記透明基板と透明電極との間に形成する段階を
    さらに含むことを特徴とする請求項１に記載の電気発光
    素子の製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記正孔輸送層のポリイミドマトリッ
    クスが、１．１０ｅＶないし１．９０ｅＶの電子親和度
    を有する二無水物とジアミンから形成されることを特徴
    とする請求項１に記載の電気発光素子の製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記電子輸送層のポリイミドマトリッ
    クスが、６．８０ないし７．７０ｅＶのイオン化ポテン
    シャルを有するジアミン化合物と二無水物から形成され
    ることを特徴とする請求項１に記載の電気発光素子の製
    造方法。
  13. 【請求項１３】 前記正孔輸送層が、正孔伝達物質、二
    無水物およびジアミンの蒸気を１：２：２ないし２：
    １：１のモル比で０．０１ないし０．０２ｎｍ／ｓｅｃ
    の蒸着速度の下で真空蒸着重合させて形成されることを
    特徴とする請求項１に記載の電気発光素子の製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記有機発光層が、有機発光物質、二
    無水物およびジアミンの蒸気を１：２：２ないし２：
    １：１のモル比で０．０１ないし０．０２ｎｍ／ｓｅｃ
    の蒸着速度の下で真空蒸着重合させて形成されることを
    特徴とする請求項１に記載の電気発光素子の製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記電子輸送層が、電子輸送物質，二
    無水物及びジアミンの蒸気を１：２：２ないし２：１：
    １のモル比で０．０１ないし０．０２ｎｍ／ｓｅｃの蒸
    着速度の下で真空蒸着重合させて形成されることを特徴
    とする請求項１に記載の電気発光素子の製造方法。
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