以下本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。
以上のような事情に鑑みて、本発明者らは鋭意検討の結果、ジアリールアミンもしくは含窒素複素環基がビフェニレン連結基によって結合された特定構造の化合物を用いることによって有機エレクトロルミネッセンス素子の発光輝度、発光効率および耐久性を大きく向上させることができることを見出した。
即ち、本発明に係る前記化合物を有機エレクトロルミネッセンス素子の有機化合物層、特に発光層もしくは正孔輸送層に用いることにより、輝度が高く耐久性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子を作製することができる。さらに好ましくは、本発明の化合物にリン光発光性化合物を混合した層として発光層を形成した素子、すなわち本発明に係る化合物を発光ホスト材料とするリン光発光型有機エレクトロルミネッセンス素子に用いることにより、発光効率と耐久性の両面で顕著な改善効果を得ることができる。
本発明に係る化合物を表した一般式について、以下詳しく説明する。
前記一般式1において、X1は一般式Aもしくは一般式Bで表される置換基である。
一般式AにおいてZ1とZ2は独立に−N=または−C(R7)=を表し、R7は水素原子または置換基である。R5とR6は独立に水素原子または置換基を表し、R7と結合して環構造を形成してもよい。R5、R6、R7が表す置換基の例としてはアルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等)、シクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等)、アルケニル基(例えば、ビニル基、アリル基等)、アルキニル基(例えば、エチニル基、プロパルギル基等)、アリール基(例えば、フェニル基、ナフチル基等)、ヘテロアリール基(例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、キナゾリル基、フタラジル基等)、ヘテロ環基(例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等)、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等)、シクロアルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等)、アルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等)、シクロアルキルチオ基(例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等)、アリールチオ基(例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等)、アルコキシカルボニル基(例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等)、アリールオキシカルボニル基(例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等)、スルファモイル基(例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2−ピリジルアミノスルホニル基等)、アシル基(例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等)、アシルオキシ基(例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等)、アミド基(例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等)、カルバモイル基(例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2−ピリジルアミノカルボニル基等)、ウレイド基(例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基、ナフチルウレイド基、2−ピリジルアミノウレイド基等)、スルフィニル基(例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2−ピリジルスルフィニル基等)、アルキルスルホニル基(例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等)、アリールスルホニル基(フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2−ピリジルスルホニル基等)、アミノ基(例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2−ピリジルアミノ基等)、フッ化炭化水素基(例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等)、シアノ基、メルカプト基、シリル基(例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等)等が挙げられる。一般式Aによって表される構造として好ましいのはインドール環、ベンズイミダゾール環、カルバゾール環、ピリドインドール環、ジピリドピロール環の残基であり、これは以下一般式2〜6にあっても同様である。
また、一般式BにおいてAr1とAr2は独立に、置換基を有していてもよいアリール基もしくはヘテロアリール基を表す。その例としては先に一般式Aの説明において挙げたものと同様の置換基を挙げることができる。これらのアリール基もしくはヘテロアリール基は置換基を有していてもよく、置換基の例としては先に一般式Aの説明においてR5、R6、R7が表す置換基の例として挙げたものと同じ置換基が挙げられる。好ましい例としてはフェニル基、ナフチル基、o−トリル基、m−キシリル基、デュリル基、ピレニル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、チエニル基が挙げられ、これは以下に説明する前記一般式2〜6にあっても同様である。
一般式1においてY1はさらに他の脂肪族環もしくは芳香族環と縮合していてもよい6員環芳香族基を形成する非金属原子群を表し、形成される6員環芳香族化合物の例としてはベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環を挙げることができる。該6員環芳香族基は少なくとも1つの置換基を有し、該置換基の少なくとも1つはX1同様に一般式Aもしくは一般式Bのいずれかで表される置換基を有しているが、該置換基はX1と同じであっても異なっていてもよい。
さらにY1が形成する芳香族6員環はその他に置換基を有していてもよく、その例としては先に一般式Aの説明においてR5、R6、R7が表す置換基の例として挙げたものと同じ置換基が挙げられる。これらの置換基は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよく、またY1を含んで形成される芳香族環に結合したその他の置換基と互いに結合して、環構造を形成していてもよい。
R1、R2、R3およびR4は水素原子または置換基を表すが、R1とR2のどちらか一方、およびR3とR4のどちらか一方は少なくとも水素原子でない置換基である。置換基の例としては先に一般式Aの説明においてR5、R6、R7が表す置換基の例として挙げたものと同じ置換基が挙げられる。
一般式2においてX2およびX2′は、一般式1におけるX1同様に一般式Aもしくは一般式Bのいずれかで表される置換基であり、L2は少なくともヘテロ環から誘導される2価の残基または酸素原子を、一般式2に記されたm−フェニレン基とX2′の連結に直接に係る部分構造として有する2価の連結基を表す。「直接に係る」というのは一般式2に記されたm−フェニレン基から化学結合に沿ってX2′に至るまでの間に、先に記したヘテロ環残基を経由する、という意味であり、例えばL2がチエニルオキシ基を有するp−フェニレン基である場合、部分構造としてヘテロ環部分も酸素原子も有してはいるが、これは本発明の範疇とはされない。
L2を構成するその他の部分構造の例としてはメチレン、エチレン、ビニレンなどの鎖状脂肪族基、シクロヘキサン、ノルボルナン、ノルボルネンなどの環状脂肪族化合物から誘導される2価の残基、硫黄原子、ジオキサンやモルフォリン、ピペリジン、ピペラジンなどのヘテロ環化合物から誘導される2価の残基、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ピレン、フルオレン、フェナントレンなどの縮合環を含む芳香族炭化水素化合物から誘導される2価の残基、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、イミダゾール、ピラゾール、フラン、チオフェン、チアゾール、ベンズイミダゾール、カルバゾール、ジベンゾチオフェン、チエノチオフェンなどの、縮合環を含むヘテロ芳香族化合物から誘導される2価の残基、およびこれら2価の有機基の任意の組み合わせが挙げられる。これらの連結基は置換基を有していてもよく、その例としては先に一般式Aの説明においてR5、R6、R7が表す置換基の例として挙げたものと同じ置換基が挙げられる。
一般式3においてL3は単なる結合手、酸素原子またはアルキレン基を表し、L3′は一般式2における連結基L2と同義である。R8とR9は独立に置換基を表し、その例としては先に一般式Aの説明においてR5、R6、R7が表す置換基の例として挙げたものと同じ置換基と、さらにフッ素原子が挙げられるが、R8とR9のうち少なくとも一方は炭化水素基もしくはフッ化炭化水素基である。X3およびX3′は独立に一般式Aもしくは一般式Bで表される置換基である。
一般式1で表される化合物のより好ましい構造は一般式4によって表される。ここでR1′とR3′は独立に置換基を表し、L4は一般式2における連結基L2と同義であり、X4およびX4′は独立に一般式Aもしくは一般式Bで表される置換基である。さらに好ましい構造はR1′およびR3′が炭化水素基であるもの、L4がp−フェニレン連結基であるもの、X4およびX4′が一般式Aもしくは一般式Bのうち同じ一般式で表される構造を有するものであり、これらを同時に満たす構造がとりわけ好ましい。
一般式2で表される化合物のより好ましい構造は一般式5によって表される。ここでL5は一般式2における連結基L2と同様、少なくとも2価のヘテロ環残基および酸素原子を有する連結基を表し、R10およびR11は独立に、先に一般式Aの説明においてR5、R6、R7が表す置換基の例として挙げた置換基もしくはフッ素原子から選ばれ、X5およびX5′は独立に一般式Aもしくは一般式Bで表される置換基である。さらに好ましい構造はL5が含窒素複素環残基であるもの、R10およびR11が独立にアルキル基またはフッ化アルキル基から選ばれる置換基であるもの、X5およびX5′が一般式Aもしくは一般式Bのうち同じ一般式で表される構造を有するものであり、これらを同時に満たす構造がとりわけ好ましい。
一般式3で表される化合物のより好ましい構造は一般式6によって表される。ここでR8′およびR9′は独立に置換基を表すが、少なくともいずれか一方は炭化水素基である。R8′およびR9′として好ましくはアルキル基、フッ化アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基であり、さらに好ましい置換基としてメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、フェニル基、o−トリル基、p−トリル基、m−キシリル基、p−フルオロフェニル基、p−トリフルオロメチルフェニル基、ピリジル基、イミダゾリル基、チアゾリル基を挙げることができる。X6およびX6′は独立に一般式Aもしくは一般式Bで表される置換基であり、その両方が同時一般式Aもしくは一般式Bのうち同じ一般式で表される構造を有することが好ましい。
L6は一般式2における連結基L2の説明において挙げたのと同様の構造を有する2価の連結基を表し、好ましい構造としては例えば以下のような2価の有機基およびこれらの任意の組み合わせによる構造を挙げることができる。
一般式1〜3で表される本発明に係る化合物の代表的具体例について以下に記すが、本発明はこれにより限定されない。
本発明に係る化合物はTetrahedron Lett.,39(1998),2367−2370ページ、日本国特許3161360号、Angew.Chem.Int.Ed.,37(1998),2046−2067ページ、Tetrahedron Lett.,41(2000),481−484ページ、Synth.Commun.,11(7)(1981),513−519ページ、およびChem.Rev.,2002,102,1359−1469ページ等に記載の合成反応等、当業に従事する技術者には周知の合成方法によって製造することができる。
合成例:化合物26
4,4′−ジヨード−2,2′−ジメチルビフェニル3.0g、4−(N−カルバゾリル)ベンゼンボロン酸6.0g、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム3.2gをトルエン60ml中に分散し、炭酸ナトリウム6.0gを水50mlに溶解した溶液を加えて、窒素雰囲気下において還流温度で6時間加熱攪拌した。得られた反応混合物にトルエンを加え有機層を分離し、希塩酸および水にて洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後に溶媒を留去した。
得られた茶褐色油状物質をカラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物26の無色結晶を1.8g得た。NMRスペクトル、マススペクトルにより確認した。
有機エレクトロルミネッセンス素子は、陰極と陽極が、少なくとも発光層等、少なくとも1層の有機化合物層を挟持する構成をとっている。本発明においては、これら少なくとも1層の有機化合物層において、前記一般式4で表される化合物が含有されることに特徴がある。
上記一般式1〜3で表される化合物(好ましくは一般式4〜6で表される化合物)は、有機EL素子を構成する、下記に示すようないずれかの層(例えば、正孔輸送層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層等)に含有していてもよいが、特に、発光層に含有する場合、または、発光層よりも陽極に近い層に含有する場合に(例えば正孔輸送材料として)、高発光輝度、高発光効率を示し、かつ、耐久性が向上した有機EL素子が提供できることができる。
本発明に係る一般式1〜6で表される化合物の、有機EL素子を構成するいずれか1層中での含有量としては、50質量%以上であることが好ましく、更に好ましくは、80〜95質量%であり、特に好ましくは、90〜95質量%である。
また、前記一般式1〜3で表される化合物(好ましくは一般式4〜6で表される化合物)は、発光層に含有されるとき、ホスト化合物として含有されており、リン光発光性化合物をドーパントして用いる構成において使用することが、高発光輝度、高発光効率を示し、かつ、耐久性が向上した有機EL素子を得る上で特に好ましい。
組み合わされる特に好ましいリン光発光性化合物としては後述するが、有機金属錯体であることが好ましく、特に、リン光発光性化合物がイリジウム、白金、ロジウム、パラジウムのいずれかを含有する有機金属錯体であることが好ましい。
以下、本発明に係わる有機EL素子の各構成層についてより詳細に説明する。
《有機EL素子の構成層》
本発明において、有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
(i)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
(ii)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(iii)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(iv)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極
(v)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(vi)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
《陽極》
有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはAu等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXO(In2O3−ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また、陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常10〜1000nm、好ましくは10〜200nmの範囲で選ばれる。
《陰極》
一方、陰極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性および酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えばマグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜1000nm、好ましくは50nm〜200nmの範囲で選ばれる。なお、発光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が、透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
次に、本発明の有機EL素子の構成層として用いられる、注入層、正孔輸送層、電子輸送層等について説明する。
《注入層》:電子注入層、正孔注入層
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記のごとく陽極と発光層または正孔輸送層の間、および、陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日 エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されており、正孔注入層(陽極バッファー層)と電子注入層(陰極バッファー層)とがある。
陽極バッファー層(正孔注入層)は、特開平9−45479号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。
陰極バッファー層(電子注入層)は、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。
上記バッファー層(注入層)はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるが、その膜厚は0.1nm〜100nmの範囲が好ましい。
阻止層は、上記のごとく、有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば特開平11−204258号、同11−204359号、および「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日 エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層がある。
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層であり、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層であり、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。
この注入層は、上記材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、LB法、転写法、印刷法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。注入層の膜厚については特に制限はないが、通常は5〜5000nm程度である。この注入層は、上記材料の一種または二種以上からなる一層構造であってもよい。
《発光層》
発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子および正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であっても良い。発光層は単一の組成をもつ層であってもよいし、同一または異なる組成をもつ複数の層からなる積層構造であってもよい。
本発明では、上記一般式1〜3で表される化合物(好ましくは一般式4で表される化合物)を用いて発光層を形成することは好ましい。その形成方法としては、例えば、蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法等の公知の方法により薄膜を形成することができるが、本発明では、特に分子堆積膜が好ましい。ここで、分子堆積膜とは、上記化合物の気相状態から沈着され形成された薄膜や、該化合物の溶融状態、または液相状態から固体化され形成された膜のことである。通常、分子堆積膜はLB法により形成された薄膜(分子累積膜)と、凝集構造、高次構造の相違やそれに起因する機能的な相違により区別することができる。
また、この発光層は、特開昭57−51781号公報に記載されているように、樹脂等の結着材と共に発光材料として上記化合物を溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により塗布して薄膜形成することにより得ることができる。
このようにして形成された発光層の膜厚については特に制限はなく、状況に応じて適宜選択することができるが、5nm〜5μmの範囲に膜厚調整することが好ましい。
また、本発明において少なくとも一層の発光層は、一般式1〜3で表される化合物(好ましくは一般式4で表される化合物)の少なくとも1種と、少なくとも1種のリン光発光性化合物を含んでなることが好ましい。このように発光層が2種類以上の化合物を含んでなる場合、発光層を構成する主たる構成成分はホスト化合物あるいは単にホスト、加えられた化合物はドーパントと呼ばれ、リン光発光型の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、ホスト化合物からリン光性ドーパントへのエネルギー移動によりリン光性ドーパントが発光し、その結果としてリン光発光が取り出される。本発明においては一般式4で表される化合物がホスト化合物、リン光発光性化合物がドーパントである構成が好ましい。
ここで、「ホスト化合物」とは、2種以上の化合物で構成される発光層中にて混合比(質量)の最も多い化合物のことを意味し、それ以外の化合物については「ドーパント化合物」という。例えば、発光層を化合物a、化合物bという2種で構成し、その混合比がa:b=10:90であれば化合物Aがドーパント化合物であり、化合物Bがホスト化合物である。さらに、発光層を化合物a、化合物b、化合物cの3種から構成し、その混合比がa:b:c=5:10:85であれば、化合物a、化合物bがドーパント化合物であり、化合物cがホスト化合物である。リン光発光性ドーパントは1種のみを用いてもよいし、複数種類を用いてもよい。複数の発光層を積層して有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する場合、それぞれの層に含有されるリン光発光性ドーパントは同じであっても異なっていても、単一種類であっても複数種類であってもよい。
本発明において、ホスト化合物としては、前記一般式4で表される化合物が好ましく用いられる。また、ホスト化合物としては、従来公知の蛍光性化合物等を用いることができる。
本発明における「リン光発光性化合物」とは励起三重項からの発光が観測される化合物であり、リン光量子収率が、25℃において0.001以上の化合物である。リン光量子収率は好ましくは0.01以上、さらに好ましくは0.1以上である。上記リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁(1992年版、丸善)に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に用いられるリン光発光性化合物は、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率が達成されれば良い。
本発明に係るリン光発光性化合物としては、元素周期表で8〜10族の金属を含有する錯体系化合物が好ましく、さらに好ましくは、イリジウム、オスミウム、ルテニウム、ロジウム化合物、パラジウム、または白金等のいずれかを含有する有機金属錯体が挙げられ、好ましくは、イリジウム、白金、ロジウム、パラジウム等の有機金属錯体であり、中でも最も好ましく用いられるのはイリジウム化合物である。
以下に、本発明に係る燐光性化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。また、これらの化合物は、例えば、Inorg.Chem.40巻、1704〜1711に記載の方法等により合成できる。
また、以上のほか、以下、WO 00/70655、特開2002−280178、同2001−181616、同2002−280179、同2001−181617、同2002−280180、同2001−247859、同2002−299060、同2001−313178、同2002−302671、同2001−345183、同2002−324679、WO 02/15645、特開2002−332291、同2002−50484、同2002−332292、同2002−83684、特表2002−540572、特開2002−117978、同2002−338588、同2002−170684、同2002−352960、同WO 01/93642、同2002−50483、同2002−100476、同2002−173674、同2002−359082、同2002−175884、同2002−363552、同2002−184582、同2003−7469、特表2002−525808、特開2003−7471、特表2002−525833、特開2003−31366、同2002−226495、同2002−234894、同2002−235076、同2002−241751、同2001−319779、同2001−319780、同2002−62824、同2002−100474、同2002−203679、同2002−343572、同2002−203678等に記載されている化合物を使用することもできる。
リン光発光性化合物のホスト化合物に対するドープ量は、0質量%を超えて30質量%未満であり、好ましくは、0.1〜20質量%であり、さらに好ましくは1〜15質量%未満である。
発光層にはさらにリン光発光性化合物からなるドーパントの他に、蛍光性ドーパントが加えられていても良く、蛍光性ドーパントの代表例としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体、その他公知の蛍光性化合物等が挙げられる。
本発明においては一般式1〜6で表される化合物を用いるが、公知のホスト化合物も併用することが出来、一般式1〜6の化合物を含有する発光層のほかに発光層を設けて、公知のホスト化合物を用いてもよい。公知のホスト化合物としては、構造的には特に制限はないが、代表的にはカルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体、芳香族ボラン誘導体、含窒素複素環化合物、チオフェン誘導体、フラン誘導体、オリゴアリーレン化合物等が好ましい化合物として挙げられる。
また、これらのホスト化合物は低分子化合物でも、繰り返し単位を持つ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物(蒸着重合性発光ホスト)でもいい。
ホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、かつ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Tg(ガラス転移温度)である化合物が好ましい。
ホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。
特開2001−257076、同2002−308855、同2001−313179、同2002−319491、同2001−357977、同2002−334786、同2002−8860、同2002−334787、同2002−15871、同2002−334788、同2002−43056、同2002−334789、同2002−75645、同2002−338579、同2002−105445、同2002−343568、同2002−141173、同2002−352957、同2002−203683、同2002−363227、同2002−231453、同2003−3165、同2002−234888、同2003−27048、同2002−255934、特開2002−260861、同2002−280183、同2002−299060、同2002−302516、同2002−305083、同2002−305084、同2002−308837等。
発光層中、ドーパントはホスト化合物を含有する層全体に分散されていてもよいし、部分的に分散されていてもよい。
また発光層にはp−ポリフェニレンビニレンやポリフルオレンのような高分子材料が加えられていても良く、前記ドーパントを高分子鎖に導入した、または前記ドーパントを高分子の主鎖とした高分子材料を使用してもよい。
発光層は、上記化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法、インクジェット法、転写法、印刷法などの公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。発光層としての膜厚に格別の制限はないが、通常は前記のように5nm〜5μmの範囲で選ばれる。また、この発光層は、特開昭57−51781号公報に記載されているように、樹脂などの結着材と共に上記発光材料を溶剤に溶かして溶液としたのち、これをスピンコート法などにより薄膜化して形成することもできる。
薄型であること、および樹脂基板上に形成することが可能であるという有機EL素子の特長を活かして、これをパネル状その他の形状の照明装置に利用する場合を考慮すると、白色発光素子を構成することは実用的に有用である。現在のところ単一の発光材料で白色発光を示すものがないため、複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて混色により白色発光を得ている。複数の発光色の組み合わせとしては3原色(青色、緑色、赤色)の3つの発光極大波長を含有させたものでも良いし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した2つの発光極大波長を含有したものでも良い。これらの混色した発光は先に述べたとおり、ドーパントを用いることによって行うことができ、これは同一の発光層に含まれるドーパントの種類と量を変化させることによっても行うことができるし、複数の層を積層して発光層を構成した場合には、それぞれの層に含まれるドーパントの種類と量を変化させ、それぞれの層を異なる色調に発光させることによって外部に取り出される発光の色調を制御することもできる。
《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層もしくは複数層設けることができる。本発明の一般式4で表される化合物は、発光層と共に、正孔輸送材料として、好ましく用いることができる。
但し、正孔輸送材料としては、本発明の前記一般式4で表される化合物のほかにも、特に制限はなく、従来、光導伝材料において、正孔の電荷注入輸送材料として慣用されているものやEL素子の正孔注入層、正孔輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
正孔輸送材料は、正孔の注入もしくは輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、本発明の前記一般式1〜6で表される化合物、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物およびスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。
芳香族第三級アミン化合物およびスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベン;N−フェニルカルバゾール、さらには、米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDATA)等が挙げられる。
さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
また、p型−Si,p型−SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
また、本発明においては正孔輸送層の正孔輸送材料は415nm以下に蛍光極大波長を有することが好ましい。すなわち、正孔輸送材料は、正孔輸送能を有しつつかつ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Tgである化合物が好ましい。
この正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、LB法、転写法、印刷法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5〜5000nm程度である。この正孔輸送層は、上記材料の一種または二種以上からなる一層構造であってもよい。
《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層もしくは複数層設けることができる。
従来、単層の電子輸送層、および複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる)としては、下記の材料が知られている。
さらに、電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
この電子輸送層に用いられる材料(以下、電子輸送材料という)の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタンおよびアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体などが挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。
さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
また、8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えばトリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)など、およびこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基などで置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、ジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、n型−Si、n型−SiCなどの無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
電子輸送層に用いられる好ましい化合物は、415nm以下に蛍光極大波長を有することが好ましい。すなわち、電子輸送層に用いられる化合物は、電子輸送能を有しつつかつ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Tgである化合物が好ましい。
この正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、LB法、転写法、印刷法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5〜5000nm程度である。この正孔輸送層は、上記材料の一種または二種以上からなる一層構造であってもよい。
《基体(基板、基材、支持体等ともいう)》
本発明の有機EL素子に係る基体としては、ガラス、石英、プラスチック等を挙げることができる。特に好ましい基体は有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。基体側から光り取り出しする場合は、基体は透明ないし半透明である。
樹脂フィルムとしては、特に限定はなく、具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン類、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン(商品名JSR(株)製)あるいはアペル(商品名三井化学(株)製)といったノルボルネン系(またはシクロオレフィン系)樹脂、有機無機ハイブリッド樹脂等をあげることができる。有機無機ハイブリッド樹脂としては、有機樹脂とゾルゲル反応によって得られる無機高分子(例えばシリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア等)を組み合わせて得られるものが挙げられる。
樹脂フィルムの表面には無機物もしくは有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよい。被膜の具体例としてはゾル−ゲル法により形成されたシリカ層、ポリマーの塗布等により形成された有機層(例えば重合性基を有する有機材料膜に紫外線照射や加熱等の手段で後処理を施した膜を含む)、DLC膜、金属酸化物膜または金属窒化物膜などが挙げられる。金属酸化物膜、金属窒化物膜を構成する金属酸化物、金属窒化物としては、酸化珪素、酸化チタン、酸化アルミニウムなどの金属酸化物、窒化珪素などの金属窒化物、酸窒化珪素、酸窒化チタンなどの金属酸窒化物が挙げられる。
前記、表面に無機物もしくは有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成された樹脂フィルムの水蒸気透過率は、0.01g/m2・day・atm以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
本発明に係る有機EL素子の発光の、室温における外部取り出し効率は1%以上であることが好ましく、より好ましくは2%以上である。ここに、外部取り出し量子効率(%)=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100である。
また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用してもよい。
《有機EL素子の作製方法》
本発明に係る有機EL素子の作製方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極からなる有機EL素子の作製法について説明する。
まず適当な基体上に、所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、1μm以下、好ましくは10nm〜200nmの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陽極を作製する。次に、この上に素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層の有機化合物薄膜を形成させる。
この有機化合物薄膜の薄膜化の方法としては、前記の如くスピンコート法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、印刷法等があるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法またはスピンコート法が特に好ましい。さらに層ごとに異なる製膜法を適用してもよい。製膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度50〜450℃、真空度10−6Pa〜10−2Pa、蒸着速度0.01nm〜50nm/秒、基板温度−50℃〜300℃、膜厚0.1nm〜5μmの範囲で適宜選ぶことが望ましい。
これらの層の形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、1μm以下好ましくは50nm〜200nmの範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより、所望の有機EL素子が得られる。この有機EL素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施してもかまわない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。
本発明の有機EL素子を多色表示装置とする場合、青、赤、緑発光の3種の異なった発光を有する発光層を形成するが、発光層形成時のみシャドーマスクを設け、他層は共通であるのでシャドーマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法、転写法、ミスト法等で膜を形成できる。
発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、印刷法である。蒸着法を用いる場合においてはシャドーマスクを用いたパターニングが好ましい。
また作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。
青、赤、緑発光の3種の有機EL素子を用いることにより、多色表示装置が可能となり、表示デバイス、ディスプレイにおいて、フルカラーの表示が可能となる。
表示デバイス、ディスプレイとしてはテレビ、パソコン、モバイル機器、AV機器、文字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリックス(パッシブマトリックス)方式でもアクティブマトリックス方式でもどちらでもよい。
また、各種の省電力発光光源として用いることができ、発光光源としては家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではない。特に液晶用のバックライトとして、表示手段としての液晶素子と組み合わせて液晶表示装置とする用途においても好ましい。
白色に発光させるには、前記のように、複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて混色により白色発光を得る。
また、本発明に係る有機EL素子に共振器構造をもたせた有機EL素子として用いてもよい。
このような共振器構造を有した有機EL素子の使用目的としては光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより、上記用途に使用してもよい。
《表示装置》
本発明の有機EL素子は、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス(パッシブマトリクス)方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでも良い。前述のように、異なる発光色を有する本発明の有機EL素子を2種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。
本発明の有機EL素子から構成される表示装置の一例を図面に基づいて以下に説明する。
図1は、有機EL素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機EL素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。
ディスプレイ1は、複数の画素を有する表示部A、画像情報に基づいて表示部Aの画像走査を行う制御部B等からなる。
制御部Bは、表示部Aと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Aに表示する。
図2は、表示部Aの模式図である。
表示部Aは基板上に、複数の走査線5およびデータ線6を含む配線部と、複数の画素3等とを有する。表示部Aの主要な部材の説明を以下に行う。
図においては、画素3の発光した光が、白矢印方向(下方向)へ取り出される場合を示している。
配線部の走査線5および複数のデータ線6は、それぞれ導電材料からなり、走査線5とデータ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素3に接続している(詳細は図示せず)。
画素3は、走査線5から走査信号が印加されると、データ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を、適宜、同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。
次に、画素の発光プロセスを説明する。
図3は、画素の模式図である。
画素は、有機EL素子10、スイッチングトランジスタ11、駆動トランジスタ12、コンデンサ13等を備えている。複数の画素に有機EL素子10として、赤色、緑色、青色発光の有機EL素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。
図3において、制御部Bからデータ線6を介してスイッチングトランジスタ11のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Bから走査線5を介してスイッチングトランジスタ11のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ11の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサ13と駆動トランジスタ12のゲートに伝達される。
画像データ信号の伝達により、コンデンサ13が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスタ12の駆動がオンする。駆動トランジスタ12は、ドレインが電源ライン7に接続され、ソースが有機EL素子10の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン7から有機EL素子10に電流が供給される。
制御部Bの順次走査により走査信号が次の走査線5に移ると、スイッチングトランジスタ11の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ11の駆動がオフしてもコンデンサ13は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ12の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機EL素子10の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ12が駆動して有機EL素子10が発光する。
すなわち、有機EL素子10の発光は、複数の画素それぞれの有機EL素子10に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ11と駆動トランジスタ12を設けて、複数の画素3それぞれの有機EL素子10の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。
ここで、有機EL素子10の発光は、複数の階調電位をもつ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でもよいし、2値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでもよい。
また、コンデンサ13の電位の保持は、次の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。
本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機EL素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。
図4は、パッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。図4において、複数の走査線5と複数の画像データ線6が画素3を挟んで対向して格子状に設けられている。
順次走査により走査線5の走査信号が印加されたとき、印加された走査線5に接続している画素3が画像データ信号に応じて発光する。
パッシブマトリクス方式では画素3にアクティブ素子が無く、製造コストの低減が計れる。
本発明をさらに実施例により具体的に説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。
実施例1
《有機EL素子の作製》
有機EL素子を以下のように作製した。
陽極としてガラス上にITOを150nm成膜した基板(NHテクノグラス社製:NA−45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をiso−プロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
この透明支持基板を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、5つのタンタル製抵抗加熱ボートに、α−NPD、CBP、クマリン6、Alq3をそれぞれ入れ、真空蒸着装置(第1真空槽)に取り付けた。
さらにタンタル製抵抗加熱ボートにフッ化リチウムを、タングステン製抵抗加熱ボートにアルミニウムをそれぞれ入れ、真空蒸着装置の第2真空槽に取り付けた。
まず、第1の真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、α−NPDの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm〜0.2nm/秒で透明支持基板に膜厚25nmの厚さになるように蒸着し、正孔注入/輸送層を設けた。
さらに、CBP、およびクマリン6の入った前記加熱ボートにそれぞれ通電してCBPに対するクマリン6のドープ率が1%、膜厚が30nmになるように蒸着し、発光層を設けた。
次いで、Alq3の入った前記加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度0.1〜0.2nm/秒で膜厚40nmの電子注入層を設けた。
次に、前記の如く電子注入層を製膜した素子を真空のまま第2真空槽に移した後、電子注入層の上にステンレス鋼製の長方形穴あきマスクが配置されるように装置外部からリモートコントロールして設置した。
第2真空槽を2×10−4Paまで減圧した後、フッ化リチウム入りのボートに通電して蒸着速度0.01〜0.02nm/秒で膜厚0.5nmの陰極バッファー層を設け、次いでアルミニウムの入ったボートに通電して蒸着速度1〜2nm/秒で膜厚150nmの陰極をつけた。
さらにこの有機EL素子を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス(純度99.999%以上の高純度窒素ガスで置換したグローブボックス)へ移し、図5に示したような封止構造にして、有機EL素子OLED1−1を作製した。なお、捕水剤である酸化バリウム25は、アルドリッチ社製の高純度酸化バリウム粉末を、粘着剤付きのフッ素樹脂系半透過膜(ミクロテックス S−NTF8031Q 日東電工製)でガラス製封止缶24に貼り付けたものを予め準備して使用した。封止缶と有機EL素子の接着には紫外線硬化型の接着剤27を用い、紫外線ランプを照射することで両者を接着し封止した封止構造を有する素子を作製した。図において21は透明電極を設けたガラス基板、22が前記正孔注入/輸送層、発光層からなる有機EL層、23は陰極を示す。
上記で使用した化合物の構造を以下に示す。
クマリン6(Aldrich,Chem.Co製)
《有機EL素子OLED1−2〜1−17の作製》
有機EL素子OLED1−1における発光材料(発光層化合物)であるCBPまたは正孔輸送材料であるα−NPDを表1に示す化合物に置き換えた以外はすべて同様にして、有機EL素子OLED1−2〜OLED1−23を作製した。
有機EL素子OLED1−1の温度23℃、窒素雰囲気下で10V直流電圧を印加したときの点灯開始直後の発光輝度(cd/m2)および発光効率(lm/W)を測定した。発光輝度については、CS−1000(ミノルタ製)を用いて測定した。
また、発光効率については、外部取り出し量子効率(η)を測定した。
外部取り出し量子効率(%)=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100
であり、外部取り出し量効率の測定法は、分光放射輝度計CS−1000により測定した発光スペクトルを各波長の光子のエネルギーから380〜780nmの光子数を求め、さらにランバーシアン仮定に基づき発光面から発光した光子数を求めた。また、電流量から電子数を求めた。いずれも、OLED1−1を100とした相対値で比較した。
以上の結果からわかるとおり、本発明の化合物を発光層および/または正孔輸送層に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子は、高い輝度と発光効率を示す。
実施例2
《有機EL素子の作製》
有機EL素子を以下のように作製した。
陽極としてガラス上にITOを150nm成膜した基板(NHテクノグラス社製:NA−45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をiso−プロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
この透明支持基板を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、5つのタンタル製抵抗加熱ボートに、α−NPD、CBP、Ir−1、BCP、Alq3をそれぞれ入れ、真空蒸着装置(第1真空槽)に取り付けた。
さらにタンタル製抵抗加熱ボートにフッ化リチウムを、タングステン製抵抗加熱ボートにアルミニウムをそれぞれ入れ、真空蒸着装置の第2真空槽に取り付けた。
まず、第1の真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、α−NPDの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm〜0.2nm/秒で透明支持基板に膜厚25nmの厚さになるように蒸着し、正孔注入/輸送層を設けた。
さらに、CBPの入った前記加熱ボートとIr−1の入ったボートをそれぞれ独立に通電して発光ホストであるCBPと発光ドーパントであるIr−1の蒸着速度を調節してリン光ドーパントIr−1のドープ量が6%になるように膜厚30nmの発光層を蒸着により設けた。
次いで、BCPの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1〜0.2nm/秒で厚さ10nmの電子輸送層を設けた。更に、Alq3の入った前記加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度0.1〜0.2nm/秒で膜厚40nmの電子注入層を設けた。
次に、前記の如く電子注入層を製膜した素子を真空のまま第2真空槽に移した後、電子注入層の上にステンレス鋼製の長方形穴あきマスクが配置されるように装置外部からリモートコントロールして設置した。
第2真空槽を2×10−4Paまで減圧した後、フッ化リチウム入りのボートに通電して蒸着速度0.01〜0.02nm/秒で膜厚0.5nmの陰極バッファー層を設け、次いでアルミニウムの入ったボートに通電して蒸着速度1〜2nm/秒で膜厚150nmの陰極をつけた。
さらにこの有機EL素子を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス(純度99.999%以上の高純度窒素ガスで置換したグローブボックス)へ移し、前記同様、図5に示したような封止構造にして、透明電極を設けたガラス基板上に正孔注入/輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等からなる有機層を有する有機EL素子OLED2−1を作製した。
上記で使用した化合物の構造を以下に示す。
《有機EL素子OLED2−2〜2−22の作製》
有機EL素子OLED2−1における発光ホストであるCBPまたは正孔輸送材料であるα−NPDを表2に示す化合物に置き換えた以外はすべて同様にして、有機EL素子OLED2−2〜OLED2−22を作製した。
有機EL素子OLED2−1〜2−22の温度23℃、窒素雰囲気下で10V直流電圧を印加したときの点灯開始直後の発光輝度(cd/m2)および発光効率(lm/W)を測定した。発光輝度については、CS−1000(ミノルタ製)を用いて測定した。
また、発光効率については、外部取り出し量子効率(η)を測定した。
外部取り出し量子効率(%)=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100
であり、外部取り出し量効率の測定法は、分光放射輝度計CS−1000により測定した発光スペクトルを各波長の光子のエネルギーから380〜780nmの光子数を求め、さらにランバーシアン仮定に基づき発光面から発光した光子数を求めた。また、電流量から電子数を求めた。いずれも、OLED2−1を100とした相対値で比較した。
また、耐久性については10mA/cm2の一定電流で駆動したときに、輝度が発光開始直後の輝度(初期輝度)の半分に低下するのに要した時間を測定し、これを半減寿命(τ0.5)として耐久性の指標とした。これについてもOLED2−1を100とした相対値で比較した。
以上の結果からわかるとおり、本発明の化合物を発光層に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子は、高い輝度と安定性を示す。