JP6104625B2 - 発光材料および有機ｅｌ素子 - Google Patents

Description

本発明は、発光材料およびそれを用いた有機ＥＬ素子に関する。

有機ＥＬ素子は、陰極と陽極との間に発光層を有する。発光層は、通常、ホスト材料とドーパント材料で構成される。ドーパント材料としては、蛍光材料および燐光材料が一般的に知られている。蛍光材料は内部量子効率の理論上限値が２５％であるのに対して、燐光材料の内部量子効率の理論上限値は１００％である。そのため、ドーパント材料として燐光材料を用いた有機ＥＬ素子は、照明やディスプレイなど様々な分野で注目されている。

ドーパント材料は、それ自身の発光能力は高いが、単独での成膜が困難な場合が多い。そのため成膜性の高いホスト材料と混合して用いるのが一般的である。燐光材料を用いた有機ＥＬ素子において、ホスト材料のＳ_０−Ｔ_１ギャップは、ドーパント材料のＳ_０−Ｔ_１ギャップよりも大きい必要がある。ここで、「Ｓ_０−Ｔ_１ギャップ」とは、一重項基底状態（Ｓ_０）と三重項最低励起状態（Ｔ_１）の断熱遷移エネルギーを意味する。そのため、青色のような短波長（高エネルギー）の光を放出する有機ＥＬ素子では、ホスト材料が大きなＳ_０−Ｔ_１ギャップを有することが求められる。一般に、青色燐光ドーパント材料のＳ_０−Ｔ_１ギャップは２．６ｅＶ程度あるいはそれ以上であるため、ホスト材料は、２．７ｅＶ程度以上のＳ_０−Ｔ_１ギャップを有することが求められる。

このような特性を満たし得る燐光材料用のホスト材料として、カルバゾール誘導体が注目されている。例えば、下記の４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−２，２’−ジメチル−ビフェニル（ＣＤＢＰ）は、Ｓ_０−Ｔ_１ギャップが２．７ｅＶ以上であり、Ｎ−カルバゾリル基を含む故にアモルファス状態が安定することが知られている（特許文献１および特許文献２参照）。また、ＣＤＢＰはキャリア移動度が高いことから、高発光効率の青色燐光ドーパント用のホスト材料としての応用が期待されている。

特許第４１０３４９１号 特開２００４−２７３１２８号公報

本発明者らが、ホスト材料としてＣＤＢＰを用いた有機ＥＬ素子について検討したところ、低駆動電圧では高い発光効率を示すものの、高駆動電圧における発光効率の低下を生じ易いことが判明した。このような高駆動電圧下での発光効率低下の原因についてさらに検討を進めた結果、ＣＤＢＰは、正孔移動度が電子移動度に比して１／１００以下と小さく、電界強度が高くなるに従って、その差がより大きくなることが判明した。

このように、ＣＤＢＰ等のカルバゾール化合物をホスト材料として用いた有機ＥＬ素子では、正孔移動度が電子移動度と比べて非常に小さいために、発光層の陰極側界面付近で優先的に発光が生じており、陽極側ではほとんど発光していないと考えられる。また、駆動電圧の上昇に伴ってその傾向がより顕著となるために、高駆動電圧下での発光効率の低下を生じ易いと推定される。

このような観点から、正孔輸送性と電子輸送性の両方を備えるバイポーラ性の材料がホスト材料として用いられることが好ましい。これまでも種々のバイポーラ性の有機材料が開発されているが、Ｓ_０−Ｔ_１ギャップが小さいため、青色燐光ドーパント材料として使用可能なものはほとんど得られていないのが現状である。

上記現状に鑑み、本発明は、正孔移動度と電子移動度の差が小さく、高駆動電圧においても高い発光効率を発揮し得る燐光材料用のホスト材料、および当該材料を用いた有機ＥＬ素子の提供を目的とする。

本発明者らが検討の結果、所定のカルバゾール誘導体が、所期のＳ_０−Ｔ_１ギャップを有し、かつ正孔移動度と電子移動度の差が小さいことを見出し、本発明にいたった。

本発明は、下記式（Ｉ）で表される化合物からなる発光材料に関する。

式（Ｉ）中、Ｒ^１は水素原子または非芳香族置換基を表す。Ｒ^２はベンズイミダゾリル基のベンゼン環に結合した置換基である。Ｒ^３およびＲ^４はビフェニリレンのベンゼン環に結合した置換基である。Ｒ^５およびＲ^６はカルバゾリル基のベンゼン環に結合した置換基である。Ｒ^２〜Ｒ^４はそれぞれ独立に非芳香族置換基を表す。Ｒ^５およびＲ^６はそれぞれ独立に、任意の置換基を表す。

式（Ｉ）中、ｐは０〜４の整数である。ｑおよびｒはそれぞれ独立に０〜４の整数である。ｓおよびｔはそれぞれ独立に０〜４の整数である。Ｒ^２〜Ｒ^６がそれぞれ複数存在する場合、複数のＲ^２〜Ｒ^６は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、複数のＲ^５および複数のＲ^６は、それぞれ、互いに結合して環構造を形成してもよい。

一実施形態において、本発明の発光材料は、正孔移動度と電子移動度との差が小さいことが好ましい。具体的には、正孔移動度と電子移動度のいずれか大きい方が、電子移動度と正孔移動度のいずれか小さい方の３０倍以下であることが好ましい。なお、正孔移動度および電子移動度は、ＴＯＦ法により求められる、電界強度５０００００Ｖ／ｃｍでの値である。

さらに、本発明は、上記発光材料を用いた有機ＥＬ素子に関する。本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に挟持された少なくとも１つの発光層を備え、発光層は、燐光ドーパント材料およびホスト材料を含有する。本発明の有機ＥＬ素子は、当該ホスト材料として、上記式（Ｉ）の発光材料を含有する。

一実施形態において、発光層中の前記燐光ドーパント材料は、Ｓ_０−Ｔ_１ギャップが２．６ｅＶ以上である。当該実施形態では、青色発光層を備える有機ＥＬ素子が得られる。

本発明の発光材料は、強電界下においても正孔移動度と電子移動度の差が小さく、燐光材料のホスト材料として用いられた場合は、高駆動電圧下でも高発光効率を示し得る。また、本発明の発光材料は、Ｓ_０−Ｔ_１ギャップが大きいため、特に青色燐光用ホスト材料として好適に用いられる。

有機ＥＬ装置の層構成の一例を示す模式的断面図である。 図１の有機ＥＬ装置における有機ＥＬ素子の層構成の一例を示す模式的断面図である。 実施例の発光材料のキャリア移動度測定結果である。 比較例の発光材料（ＣＤＢＰ）のキャリア移動度測定結果である。 実施例および比較例の有機ＥＬ素子の発光スペクトルである。 実施例および比較例の有機ＥＬ素子の輝度を電流密度に対してプロットしたグラフである。

［化合物の構造］
本発明の発光材料は、４，４’−ビフェニリレンの４位および４’位のそれぞれに、カルバゾリル基の９位のＮ原子、およびベンズイミダゾリル基の１位のＮ原子が結合した化合物であり、下記式（Ｉ）で表される。なお、４，４’−ビフェニリレン基、カルバゾリル基およびベンズイミダゾリル基のそれぞれは、置換基を有していてもよく有していなくてもよい。

上記化合物は、正孔移動度と電子移動度の差が小さく、バイポーラ性のホスト材料として有用である。これは、ビフェニリレンに９位のＮ原子が結合したカルバゾリル基が化合物に正孔輸送性を持たせ、ビフェニリレンに１位のＮ原子が結合したＮ−ベンズイミダゾリル基が化合物に電子輸送性を持たせ、両者が独自の機能を相乗的に発現し得るためと推定される。

［置換基の例］
式（Ｉ）において、Ｒ^１は水素原子または非芳香族置換基を表す。Ｒ^２はベンズイミダゾリル基のベンゼン環に結合した置換基である。Ｒ^３およびＲ^４はビフェニル骨格のベンゼン環に結合した置換基である。Ｒ^５およびＲ^６はカルバゾリル基のベンゼン環に結合した置換基である。Ｒ^２〜Ｒ^４はそれぞれ独立に非芳香族置換基を表す。Ｒ^５およびＲ^６はそれぞれ独立に、任意の置換基を表す。

式（Ｉ）中、ｐは０〜４の整数である。ｑおよびｒはそれぞれ独立に０〜４の整数である。ｓおよびｔはそれぞれ独立に０〜４の整数である。Ｒ^２〜Ｒ^６がそれぞれ複数存在する場合、複数のＲ^２〜Ｒ^６は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、複数のＲ^５および複数のＲ^６は、それぞれ、互いに結合して環構造を形成してもよい。

＜置換基Ｒ^１〜Ｒ^４の例＞
式（１）中、置換基Ｒ¹は、水素または非芳香族置換基であり、Ｒ^２〜Ｒ^４は非芳香族置換基である。非芳香族置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン置換アルキル基、ハロゲン置換アルコキシ基、アミノ基、アルキルチオ基等が挙げられる。

前記アルキル基としては、炭素数１〜２０の直鎖状または分岐を有するアルキル基が挙げられる。好ましくは炭素数１〜６、より好ましくは炭素数１〜４の、直鎖状または分岐を有する低級アルキル基が挙げられる。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、１−エチルプロピル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、１，２，２−トリメチルプロピル基、３，３−ジメチルブチル基、２−エチルブチル基、イソヘキシル基、３−メチルペンチル基、等が挙げられる。

前記アルコキシ基としては、直鎖状または分岐を有する炭素数１〜２０のアルコキシ基が挙げられる。好ましくは炭素数１〜６、より好ましくは炭素数１〜４の、直鎖状または分岐を有する低級アルコキシ基が挙げられる。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、３−メチルペンチルオキシ基、等が挙げられる。

前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、およびヨウ素原子が挙げられる。

前記ハロゲン置換アルキル基としては、１〜７個、より好ましくは１〜３個のハロゲン原子で置換された前記例示のアルキル基を挙げることができる。具体的には、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、クロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチル基、ブロモメチル基、ジブロモメチル基、ジクロロフルオロメチル基、２，２−ジフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、２−フルオロエチル基、２−クロロエチル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、ヘプタフルオロプロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、３−クロロプロピル基、２−クロロプロピル基、３−ブロモプロピル基、４，４，４−トリフルオロブチル基、４，４，４，３，３−ペンタフルオロブチル基、４−クロロブチル基、４−ブロモブチル基、２−クロロブチル基、５，５，５−トリフルオロペンチル基、５−クロロペンチル基、６，６，６−トリフルオロヘキシル基、６−クロロヘキシル基、ペルフルオロヘキシル基、等が挙げられる。

前記ハロゲン置換アルコキシ基としては、１〜７個、より好ましくは１〜３個のハロゲン原子で置換された前記例示のアルコキシ基を挙げることができる。具体的には、前記例示のハロゲン置換アルキル基に酸素原子（−Ｏ−）が付加されたものが挙げられる。

前記アミノ基は、無置換アミノ基（−ＮＨ_２）の他、１個または２個の置換基を有するものであってもよい。また、アミノ基が２個の置換基を有する場合、これらは同一でもよく、異なっていてもよい。アミノ基が置換基を有する場合、その置換基としては、前記例示の低級アルキル基が好ましい。アミノ基の具体例としては、無置換アミノ基、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ｎ−ペンチルアミノ基、ｎ−ヘキシルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基、ジ−ｎ−ペンチルアミノ基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−エチルアミノ基、Ｎ−エチル−Ｎ−ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−ｎ−ブチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−ｎ−ヘキシルアミノ基、等が挙げられる。

前記アルキルチオ基としては、炭素数１〜３０の直鎖状または分岐を有するアルキルチオ基を挙げることができる。好ましくは炭素数１〜６、より好ましくは炭素数１〜４の、直鎖状または分岐を有する低級アルキルチオ基が挙げられる。具体的には、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基、等が挙げられる。

（置換基Ｒ^５〜Ｒ^６の例）
カルバゾリル基のベンゼン環に結合した置換基Ｒ^５およびＲ^６は、芳香族置換基であってもよく、非芳香族置換基であってもよい。非芳香族置換基の例としては、Ｒ^１〜Ｒ^４の例として前述した各置換が挙げられる。芳香族置換基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基等の置換もしくは無置換のアリール基や、置換もしくは無置換の不飽和複素環基が挙げられる。前記不飽和複素環基の不飽和複素環としては、５〜１０員環、好ましくは５〜６員環のものが挙げられる。具体的には、ピリジン環、ピロール環、オキサゾール環、イソキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、フラザン環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ジハイドロオキサゾール環、チオフェン環、フラン環、ピラゾール環、等を挙げることができる。

また、前記芳香族置換基の一例として、カルバゾール環を有するものが挙げられる。例えば、本発明の発光材料を構成する化合物は、下記式（ＩＩ）で表されるように、複数のカルバゾール環が連結した構造を有していてもよい。

上記式（ＩＩ）において、各カルバゾール環の各ベンゼン環は、さらに任意の置換基を有していてもよい。窒素原子に結合した置換基Ｘ^１〜Ｘ^３は、それぞれ同一であってもよく、異なっていてもよい。

複数のカルバゾール環が連結した構造を有する場合、本発明の発光材料を構成する化合物の例としては、上記式（ＩＩ）において、窒素原子の置換基Ｘ^１〜Ｘ^３の少なくとも１つが、下記式（ＩＩＩ）で表される構造であるものが挙げられる。

上記式（ＩＩＩ）におけるＲ^１〜Ｒ^４、ならびにｐ、ｑおよびｒは、式（Ｉ）について先に例示したものと同様である。

式（ＩＩ）では、複数のカルバゾール環が連結した構造として、隣接するカルバゾール環の２位と７位が結合した例を挙げたが、各カルバゾール環は、２位および７位以外で連結されていてもよい。また、カルバゾール環の連結数は３に限定されず、２個であってもよく、４個以上であってもよい。さらにカルバゾール環を構成するベンゼン環の１つに、複数のカルバゾール環が連結されていてもよい。

多数のカルバゾール環が連結された構造を採用することによって、溶液成膜に適した材料とすることもできる。また、複数のカルバゾール環のそれぞれの窒素原子上の置換基Ｘを上記式（ＩＩＩ）の構造とすることによって、正孔移動度と電子移動度を適宜に調整し得る。

上記式（Ｉ）において、カルバゾリル基のベンゼン環に複数の置換基Ｒ^５およびＲ^６が結合している場合（すなわち、式（Ｉ）中のｓまたはｔが２以上である場合）、これら複数の置換基が互いに結合して芳香族または非芳香族の環構造を形成していてもよい。また、複数の置換基が互いに結合して形成される環構造は、複素環であってもよく、例えば、下記式（ＩＶ）に例示するインドロカルバゾール構造等を形成していてもよい。

インドロカルバゾールの各ベンゼン環は、さらに置換基を有していてもよい。また、窒素原子に結合した置換基Ｘ^４とＸ^５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。なお、インドロカルバゾール環の構造は、上記式（ＩＶ）に限定されず、他の幾何異性構造であってもよい。

インドロカルバゾール構造を有する場合、本発明の発光材料を構成する化合物の例としては、上記式（ＩＶ）において、窒素原子の置換基Ｘ^４〜Ｘ^５の少なくとも１つが、上記式（ＩＩＩ）で表される構造であるものが挙げられる。

［好ましい化合物の例］
（ビフェニルレンの置換基）
上記式（Ｉ）において、ビフェニル骨格を形成するそれぞれのベンゼン環は、少なくとも１つの置換基Ｒ^３およびＲ^４を有することが好ましい。すなわち、上記式（Ｉ）において、ｑおよびｒは１以上であることが好ましい。ビフェニル骨格を形成するベンゼン環が置換基を有する場合、立体障害等に起因して、２つのベンゼン環平面の間にねじれが生じ易く、π電子密度を調整することができる。特に、下記式（Ｖ）で表されるように、ビフェニル骨格の２位および２’位に置換基Ｒ^３１およびＲ^４１を有することが好ましい。

上記式（Ｖ）におけるＲ^１〜Ｒ^６、ならびにｐ，ｑ，ｒ，ｓおよびｔは、式（Ｉ）について先に例示したものと同様である。Ｒ^３１およびＲ^４１は、Ｒ^３およびＲ^４と同様に、それぞれ独立に非芳香族置換基である。式（Ｖ）において、Ｒ^３１およびＲ^４１は、炭素数１〜５の置換もしくは無置換アルキル基であることが好ましく、炭素数１〜５の無置換アルキル基であることがより好ましく、メチル基であることが特に好ましい。

ビフェニル骨格を形成するベンゼン環の２位および２’位にアルキル基を有する場合、２つのベンゼン環平面の間にねじれを生じさせるとともに、アルキル基からベンゼン環への電子が押し出が生じ、π電子密度が調整される。そのため、三重項最低励起状態（Ｔ_１）のエネルギーが上昇し、これに伴ってＳ_０−Ｔ_１ギャップが大きくなるため、青色燐光材料のホスト材料として有用な化合物が得られうる。

π電子密度を適宜に調整する観点からは、式（ＩＶ）において、ｒおよびｑが１であることが好ましい。すなわち、ビフェニリレンの２位および２’位のみに置換基Ｒ^３（Ｒ^３１）およびＲ^４（Ｒ^４１）を有し、３位，３’位、５位，５’位、６位および６’位は水素であることが好ましい。この場合の置換基Ｒ^３（Ｒ^３１）およびＲ^４（Ｒ^４１）は、前述のごとく、炭素数１〜５の無置換アルキル基であることがより好ましく、メチル基であることが特に好ましい。すなわち、本発明の一形態において、発光材料を構成する化合物は、下記式（ＶＩ）で表される構造を有することが好ましい。

（ベンズイミダゾリル基上の置換基）
上記式（Ｉ）において、ベンズイミダゾリル基の２位に結合したＲ_１は、水素原子、または炭素数１〜５の置換もしくは無置換アルキル基であることが好ましい。Ｒ^１が水素または低級アルキル基であれば、Ｔ_１エネルギーを低下させて、Ｓ_０−Ｔ_１ギャップを大きくできるため、青色燐光材料のホスト材料として有用な化合物が得られうる。特に、Ｒ^１は、水素またはメチル基であることが好ましい。

［合成方法］
上記化合物の合成方法は特に限定されず、各種公知の反応を組み合わせて、目的の化合物を得ることができる。例えば、上記式（ＶＩ）で表される化合物は、２，２’−アルキル−４，４’−ジハロゲン化ビフェニルとカルバゾールとを反応させて、ビフェニリレンに結合した一方のハロゲン（例えばヨウ素）をカルバゾリル基と置換した後、さらにベンズイミダゾールと反応させて、他方のハロゲンをベンズイミダゾリル基と置換する方法によって合成され得る。このような合成スキームによれば、４，４’−ビフェニリレンの４位および４’位のそれぞれに、カルバゾリル基の９位のＮ原子、およびベンズイミダゾリル基の１位のＮ原子が選択的に結合した化合物が得られる。

［キャリア移動度］
本発明の発光材料は、正孔移動度μ_ｈと電子移動度μ_ｅとの差が小さいことが好ましい。具体的には、正孔移動度と電子移動度のいずれか大きい方が、正孔移動度と電子移動度のいずれか小さい方の３０倍以下であることが好ましく、２０倍以下であることがより好ましく、１０倍以下であることがさらに好ましい。ここで、正孔移動度μ_ｈおよび電子移動度μ_ｅは、５０００００Ｖ／ｃｍの電界を付与した場合の値であり、Ｔｉｍｅ ｏｆ Ｆｌｉｇｈｔキャリア移動度測定法（ＴＯＦ法）により測定される。電子移動度と正孔移動度との差が小さいことによって、有機ＥＬ素子の発光層に用いられた場合に、発光層内で、正孔および電子の両方が高い移動度を有する。そのため、有機ＥＬ素子の電流密度が向上し、厚み方向で均一な発光を得ることが可能となる。

また、本発明の発光材料は、正孔移動度および電子移動度がいずれも大きいことが好ましい。具体的には、正孔移動度μ_ｈおよび電子移動度μ_ｅは、いずれも、１．０×１０^−９ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上であることが好ましく、１．０×１０^−８ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上であることがより好ましく、５．０×１０^−８ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上であることがさらに好ましく、８．０×１０^−８ｃｍ^２／Ｖ・ｓであることが特に好ましい。

［有機ＥＬ素子］
図１は、有機ＥＬ装置の層構成の一例である。図１に示される有機ＥＬ装置は、透明基板３側から光が取り出される、「ボトムエミッション型」と称される構成である。有機ＥＬ装置１は、透明基板３上に、有機ＥＬ素子２を有し、有機ＥＬ素子は、封止部７によって封止されている。有機ＥＬ素子２は、透明電極層（陽極）４および裏面電極層（陰極）６からなる一対の電極間に、少なくとも１つの発光層を有する機能層５を備える。

機能層５は、複数の有機化合物薄膜が積層されたものである。図２は、機能層５の層構成の一例である。図２に示される有機ＥＬ素子２において、機能層５は、正孔注入層１０、正孔輸送層１１、発光層１２、電子輸送層１５、および電子注入層１６を有する。すなわち、有機ＥＬ素子２において、発光層１２は、透明電極層４と裏面電極層６との間に位置している。

（透明基板）
ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置において、透明基板３は、透光性を有する材料からなるものであれば特に限定はない。図１に示すボトムエミッション方式の実施形態では、透明基板３側から光が取り出されるため、透明基板３は可視光域における透過率が８０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましく、９５％以上であることがさらに好ましい。透明基板３としては、ガラス基板、フレキシブルな透明フィルム基板等を使用してもよい。なお、有機ＥＬ装置がトップエミッション方式を採用する場合、基板は不透明なものであってもよい。

（透明電極）
透明基板３上には、透明電極層（陽極）４が積層される。透明電極層４を構成する材料は特に限定されず、公知のものが使用できる。例えば、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ₂）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の材料からなるものが挙げられる。中でも、発光層１２からの光の取出し効率や、電極のパターニングの容易性の観点からは、ＩＴＯあるいはＩＺＯが好ましく用いられる。

透明電極層４には、必要に応じて、アルミニウム、ガリウム、ケイ素、ホウ素、ニオブ等の１種以上のドーパントがドーピングされていてもよい。透明電極層４の透過率は、可視光域における透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることがさらに好ましい。透明電極層４は、例えば、スパッタ法やＣＶＤ法等のドライプロセスによって透明基板３上に形成される。透明電極層４の膜厚は、光の透過性や電気伝導度を考慮して適宜選択すればよいが、例えば８０〜３００ｎｍであり、好ましくは１００〜１５０ｎｍ、より好ましくは１３０〜１５０ｎｍである。

（裏面電極層）
透明電極層４上には、機能層５が形成され、その上に裏面電極層（陰極）６が形成される。裏面電極層に用いられる材料としては、好ましくは仕事関数の小さい金属、または、その合金や金属酸化物等が挙げられる。仕事関数の小さい金属としては、アルカリ金属ではＬｉ等、アルカリ土類金属ではＭｇ、Ｃａ等が例示される。また、希土類金属等からなる金属単体、あるいは、これらの金属とＡｌ、Ｉｎ、Ａｇ等の合金等が用いられることもある。さらに、特開２００１−１０２１７５号公報等に開示されているように、陰極に接する有機層として、アルカリ土類金属イオン、アルカリ金属イオンからなる群から選択される少なくとも１種を含む有機金属錯体化合物を用いることもできる。この場合、陰極として、当該錯体化合物中の金属イオンを真空中で金属に還元し得る金属、例えばＡｌ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｉ等もしくはこれらの金属を含有する合金を用いることが好ましい。

（機能層）
次に機能層５について説明する。機能層５は、少なくとも１層の発光層１２を有する。機能層を構成する各層は、一般に、有機化合物、高分子化合物、遷移金属錯体等を含むアモルファス膜で構成される。機能層５は、一般に複数の層からなる積層構造を有している。図２では、機能層５は、正孔注入層１０、正孔輸送層１１、発光層１２、電子輸送層１５、および電子注入層１６を有する。機能層５は、発光層１２を有していればよく、正孔注入層１０、正孔輸送層１１、電子輸送層１５、および電子注入層１６は必要に応じて設けられる。

（発光層）
本発明の有機ＥＬ素子において、発光層１２は、ホスト材料とドーパント材料を含有することが好ましい。

前記ドーパント材料としては、蛍光あるいは燐光を放出する遷移金属錯体が好適に用いられる。特に、高い発光効率を示す有機ＥＬ素子を得る観点から、ドーパント材料としては、燐光材料が好適に用いられる。燐光ドーパント材料としては、イリジウム錯体が有名である。例えば、緑色燐光を放出するドーパント材料としてはＩｒ（ｐｐｙ）_３等が知られており、青色燐光を放出するドーパント材料としてはＦＩｒｐｉｃ、ＦＩｒ６等が知られている。

本発明の一実施形態において、前記燐光ドーパント材料は、Ｓ_０−Ｔ_１ギャップが２．６ｅＶ以上であることが好ましい。２．６ｅｖは、波長約４８０ｎｍに相当するため、ドーパント材料のＳ_０−Ｔ_１ギャップが２．６ｅＶ以上であれば、４８０ｎｍよりも短波長の青色の燐光を放出する。

発光層中のドーパント材料の含有量は特に限定されないが、０．１重量％以上が好ましく、１重量％〜５０重量％がより好ましく、２重量％〜３０重量％がさらに好ましく、３重量％〜２０重量％が特に好ましく、３重量％〜１２重量％が最も好ましい。

本発明の有機ＥＬ素子は、前記ホスト材料として、前述の式（Ｉ）で表される化合物からなる発光材料を含有する。本発明の発光材料は、良好な成膜性を示し、かつ、上記イリジウム錯体等のドーパント材料の良好な分散性を確保することができる。さらに、本発明の発光材料は、Ｓ_０−Ｔ_１ギャップが大きいため、青色燐光材料のホスト材料として好適である。

また、本発明の発光材料がホスト材料として用いられることで、高駆動電圧下においても発光効率に優れる有機ＥＬ素子とすることができる。これは、本発明の発光材料が、正孔移動度と電子移動度の差が小さいバイポーラ性を有し、発光層内において、正孔および電子の両方が高い移動度を有するために、電流密度が向上し、厚み方向で均一な発光を生じ得るためであると推測される。

本発明の有機ＥＬ素子は、ホスト材料として、式（Ｉ）で表される化合物に加えて、本発明の目的を損なわない範囲で、その他の材料を含有していてもよい。ホスト材料として含まれる他の材料も、燐光ドーパント材料よりも大きなＳ_０−Ｔ_１ギャップを有することが好ましい。例えば、ホスト材料のキャリア密度をより高めるために、発光層中には、式（Ｉ）で表される化合物に加えて、ＣＤＢＰのようなカルバゾール化合物等がホスト材料として含まれていてもよい。

発光層１２中、式（Ｉ）で表される化合物の含有量は、７０重量％〜９８重量％が好ましく、８０重量％〜９７重量％がより好ましく、８８重量％〜９７重量％がさらに好ましい。含有量が前記範囲であれば、発光層全体としてのバイポーラ性が保たれるため、高い発光効率を有する有機ＥＬ素子とすることができる。

発光層の形成方法は特に限定されず、真空蒸着法や転写法等のドライプロセスの他、コーティング法や印刷法等のウェットプロセスを採用することができる。特に、本発明の発光材料は良好な成膜性を示すことから、真空蒸着法が好適に用いられる。真空蒸着法においては、ホスト材料とドーパント材料を共蒸着し、その際の蒸着速度を制御することにより、所望の蒸着比（ドープ濃度）を実現することができる。なお、本発明の発光材料が、前述の式（ＩＩ）に示したように、分子中の多数のカルバゾール環が連結された構造を有する場合は、真空蒸着法よりもウェットプロセスの方が成膜性に優れる場合も想定される。

（正孔注入層および正孔輸送層）
図２に示すように、機能層５は、発光層１２と陽極４との間に、正孔注入層１０や、正孔輸送層１１を有していてもよい。また、図示されていないが、正孔輸送層１１と発光層１２との間に、さらに電子阻止層等を有していてもよい。

正孔注入層１０を構成する材料としては、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ルテニウム、酸化マンガン等の金属酸化物や、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノ−キノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）が挙げられる。さらに、三酸化モリブデンとＮ，Ｎ−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン（略称：ＮＰＢ）との混合層を正孔注入層１０として採用することができる。

（正孔輸送層）
正孔輸送層を構成する材料としては、アリールアミン系化合物、イミダゾール系化合物、オキサジアゾール系化合物、オキサゾール系化合物、トリアゾール系化合物、カルコン系化合物、スチリルアントラセン系化合物、スチルベン系化合物、テトラアリールエテン系化合物、トリアリールアミン系化合物、トリアリールエテン系化合物、トリアリールメタン系化合物、フタロシアニン系化合物、フルオレノン系化合物、ヒドラジン系化合物、カルバゾール系化合物、Ｎ−ビニルカルバゾール系化合物、ピラゾリン系化合物、ピラゾロン系化合物、フェニルアントラセン系化合物、フェニレンジアミン系化合物、ポリアリールアルカン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリフェニレンビニレン系化合物等が挙げられる。

特に、アリールアミン化合物を含有する正孔輸送層は、アリールアミン化合物がラジカルカチオン化し易いため、正孔輸送層から発光層への正孔輸送効率を効果的に上昇させることができる。正孔輸送層材料を構成し得るアリールアミン化合物の中でも、トリアリールアミン誘導体が好ましく、特に４、４‘−ビス［Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（「α―ＮＰＤ」、または「ＮＰＢ」と称される場合がある）が特に好ましい。

（電子輸送層および電子注入層）
図２に示すように、機能層５は、発光層１２と陰極６との間に、電子注入層１６や電子輸送層１５を有していてもよい。また、図示されていないが、電子輸送層１５と発光層１２との間に、さらに正孔阻止層等を有していてもよい。正孔阻止層を構成する材料としては、例えば、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（通称：バトクプロイン、ＢＣＰ）等が挙げられる。

電子輸送層１５を構成する材料としては、トリス（８−ヒドロキシ−キノリナト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ_３）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、１，３−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン（Ｂｐｙ−ＯＸＤ）、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンジントリイル）−トリス（１−フェニル−１−Ｈ−ベンゾイミダゾール）（ＴＰＢｉ）、２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチフフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、ビス（２−メチルｌ−８−キノリノラト）−４−（フェニルフェノラト）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、等が挙げられる。

電子注入層１６を構成する材料としては、Ｌｉ等のアルカリ金属；Ｍｇ、Ｃａ等のアルカリ土類金属；１種以上の前記金属を含む合金；前記金属の酸化物、ハロゲン化物、および炭酸化物；ならびにこれらの混合物が挙げられる。具体的には、８−ヒドロキシキノリノラト（リチウム）（Ｌｉｑ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、等が挙げられる。

図２に示す有機ＥＬ素子２は、透明基板３上に形成された透明電極層４上に、真空蒸着法等の手法により、正孔注入層１０、正孔輸送層１１、発光層１２、電子輸送層１５、電子注入層１６、および裏面電極層６を順次積層することにより製造することができる。このようにして製造された有機ＥＬ素子２は、封止部７によって封止され、有機ＥＬ装置１となる。

なお、図２では、機能層５が５つの層からなる構成について説明したが、本発明は当該実施形態に限定されるものではない。例えば、正孔注入層１０、正孔輸送層１１、電子輸送層１５、電子注入層１６の一部または全部が省略された構成でもよい。また、前述のごとく、発光層１２の前後に正孔阻止層や電子阻止層が設けられていてもよい。

機能層５を構成する各層の成膜方法については特に制限はなく、真空蒸着法やコーティング法、印刷法等の適宜の方法によって形成することができる。

本発明の有機ＥＬ素子は、発光層内の正孔移動度と電子移動度が同程度の値をとるため、高い発光効率を示す。本発明の有機ＥＬ素子は、消費電力の少ない省エネルギーの光源になり、ディスプレイ装置や照明装置などに有効に適用できる。

以下に、化合物の合成例および有機ＥＬ素子の作製例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。

［実施例１］化合物（Ａ）の合成およびキャリア移動度測定
本実施例では、下記の化合物（Ａ）を合成し、Ｓ_０−Ｔ_１ギャップの測定およびキャリア移動度の測定を行った。

＜化合物の合成＞
Ｎ,Ｎ’−ジメチルプロピレン尿素（４ｍｌ）中に、２，２’−ジメチル−４，４’−ジヨードビフェニル（以下、化合物（１１）と称する）：４．９７ｇ、カルバゾール：１．５９ｇ、ヨウ化銅（Ｉ）：９１．７ｍｇ、１８−クラウン６−エーテル：１２７ｍｇ、および炭酸カリウム：１．００ｇを含有する混合溶液を、窒素雰囲気下にて、１７０℃で１１時間撹拌した後、室温まで放冷した。得られた混合物を酢酸エチルで希釈し、１％塩酸水溶液、水と飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去した。さらに、シリカゲルクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン／塩化メチレン＝１０／１）により精製して、白色個体の化合物（１２）を２．４２ｇ（収率４５％）得た。

化合物（１２）について、^１Ｈ−ＮＭＲを測定したところ、次の結果が得られた。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）；δ＝８．１６（ｄ、２Ｈ）、７．７０（ｓ、１Ｈ）、７．６２（ｄ、１Ｈ）、７．５０−７．４１（ｍ、６Ｈ）、７．３２−７．２６（ｍ、３Ｈ）、６．９６（ｄ、１Ｈ）、２．１５（ｓ、３Ｈ）、２．１３（ｓ、３Ｈ）。

次に、無水ジメチルスルホキシド（２２．５ｍｌ）中に、化合物（１２）：２．２９ｇ、ベンゾイミダゾール：１．７２ｇ、（１Ｓ，２Ｓ）−（＋）−Ｎ，Ｎ’−ジメチルシクロヘキサン−１，２−ジアミン：２０７ｍｇ、ヨウ化銅（Ｉ）：１３９ｍｇ、およびリン酸カリウム：４．１２ｇを含有する混合溶液を、窒素雰囲気下にて、１５０℃で１１時間撹拌した後、室温まで放冷した。得られた混合物を塩化メチレンで希釈し、１％塩酸水溶液、水、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去した。さらに、シリカゲルクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン／塩化メチレン＝３／１、ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝３／１、１／１）により精製して、白色個体の化合物（Ａ）を１．５８ｇ（収率７１％）得た。

化合物（Ａ）について^１Ｈ−ＮＭＲを測定したところ、次の結果が得られた。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）；δ＝８．２１（ｓ、１Ｈ）、８．１７（ｄ、２Ｈ）、７．９２（ｍ、１Ｈ）、７．６７（ｍ、１Ｈ）、７．５３−７．２９（ｍ、１４Ｈ）、２．２９（ｓ、３Ｈ）、２．２４（ｓ、３Ｈ）。

＜Ｓ_０−Ｔ_１ギャップの測定＞
上記で得られた化合物（Ａ）を、７７Ｋの２−ＭｅＴＨＦ溶媒中に分散させた。この化合物の燐光スペクトルを測定したところ、Ｔ_１状態の零点振動準位からＳ_０状態の零点振動準位への遷移と帰属されるピークが、４１０ｎｍの位置に現われた。この発光ピークに相当するエネルギギャップ３．０２ｅＶが、Ｓ_０−Ｔ_１ギャップと帰属された。

＜キャリア移動度の測定＞
キャリア移動度は、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｐｈｏｔｏｒｅｃｅｐｔｅｒｓ ｆｏｒ Ｉｍａｇｏｎｇ Ｓｙｓｔｅｍｓ（Ｐ．Ｍ．Ｂｏｒｓｅｎｂｅｒｇ、Ｄ．Ｓ．Ｗｅｉｓｓ著、Ｍａｒｃｅｌ Ｄｅｋｋｅｒ社、１９９３年）に記載されている、Ｔｉｍｅ ｏｆ Ｆｌｉｇｈｔ（ＴＯＦ）キャリア移動度測定法により測定した。測定の詳細は下記の通りである。

ＩＴＯガラス基板上に、真空蒸着法により、対象化合物を膜厚２．９〜５．７μｍ（蒸着速度：０．５ｎｍ／ｓｅｃ）で形成した。次にこの化合物層上に金を９ｎｍ厚（蒸着速度：０．０２ｎｍ／ｓｅｃ）で真空蒸着して、電極を形成した。この手順により得られたＩＴＯ／化合物（Ａ）／Ａｕからなる素子をＴＯＦ測定用素子とした。

このＴＯＦ測定用素子の金電極側に、波長３３７ｎｍのパルスレーザーを照射し、キャリア、すなわち、正孔と電子を金電極側界面に発生させ、金電極とＩＴＯ電極の間に電界Ｆを印加した際のキャリア移動（正孔移動あるいは電子移動）によって生じた電流（いわゆる光誘起電流）の時間変化をオシロスコープで測定した。なお、この測定においては、金電極を陽極、ＩＴＯ電極を陰極とした場合は正孔が移動し、金電極を陰極、ＩＴＯ電極を陽極とした場合は電子が移動するため、正孔移動度と電子移動度とを独立に測定することができる。

上記オシロスコープで測定した光誘起電流が急激に低下するまでの時間に着目し、これを移動時間τとした。印加した電界強度Ｆ、移動時間τ、化合物の膜厚ｄを次の式に代入し、キャリア移動度μを評価した。
μ＝ｄ／（Ｆτ）

［比較例１］ＣＤＢＰのキャリア移動度測定
上記キャリア移動度の測定において、対象化合物を、下記の４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−２，２’−ジメチル−ビフェニル（ＣＤＢＰ）に変更して、ＩＴＯ／ＣＤＢＰ（膜厚：２．１μｍ〜３．７μｍ）／Ａｕ（９０ｎｍ）からなるＴＯＦ測定用素子を作製し、上記実施例１と同様にしてキャリア移動度を測定した。

［実施例２］有機ＥＬ素子の作製および評価
パターニングされたＩＴＯ電極（膜厚８０ｎｍ）を有するガラス基板上に、以下の手順で、２ｍｍ×２ｍｍの発光領域を有するボトムエミッション型評価素子を作製した。

ＩＴＯ電極（陽極）上に、三酸化モリブデン（ＭｏＯ_３）を蒸着し、正孔注入層（膜厚０．７５ｎｍ）を形成した。正孔注入層の上に、Ｎ，Ｎ−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン（ＮＰＢ）を真空蒸着し、正孔輸送層（膜厚６０ｎｍ）を形成した。

次に、正孔輸送層の上に、燐光ドーパント材料とホスト材料を共蒸着して、発光層（２０ｎｍ）を形成した。燐光ドーパント材料として前述のＦＩｒｐｉｃ（Ｓ_０−Ｔ_１ギャップ：２．６ｅＶ）、ホスト材料として上記実施例１の化合物（Ａ）を用い、蒸着比は、重量比で、ドーパント材料：ホスト材料＝８：９２とした。

発光層の上に、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）を真空蒸着し、正孔阻止層（膜厚１０ｎｍ）を形成した。次に、正孔阻止層上に、トリス（８−ヒドロキシ−キノリナト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）を真空蒸着し、電子輸送層（膜厚３０ｎｍ）を形成した。電子輸送層の上に、ＬｉＦを真空蒸着し、電子注入層（膜厚１ｎｍ）を形成した。電子注入層の上に、陰極として、アルミニウムを１００ｎｍの膜厚で成膜した。

陰極を形成後、不活性下のグローボックスに、蒸着成膜後の有機ＥＬ素子を移動し、ガラスキャップに２液性硬化樹脂を塗布し、基板とキャップを貼り合わせた。樹脂の硬化完了後、貼り合わせた基板を大気圧下に取り出し、電流を通電して、電流−電圧−輝度（Ｉ−Ｖ−Ｌ）特性および発光強度スペクトルを測定した。

［比較例２］ＣＤＢＰを使用した有機ＥＬ素子の作製および評価
ホスト材料として、化合物（Ａ）に代えてＣＤＢＰが用いられたこと以外は、実施例２と同様にして、有機ＥＬ素子の作製および評価を行った。

［評価結果］
＜化合物のキャリア移動度＞
図３に実施例１（化合物（Ａ））のキャリア移動度、図４に比較例１（ＣＤＢＰ）のキャリア移動度の測定結果を示す。比較例１のＣＤＢＰ（図４）では、電界強度Ｆが４００（Ｖ／ｃｍ）^１／２＝１６００００Ｖ／ｃｍから９００（Ｖ／ｃｍ）^１／２＝８１００００Ｖ／ｃｍの全ての領域において、電子移動度の方が正孔移動度よりも３０倍以上大きい値を示した。電界強度が大きくなるに従って、両者の差が大きくなる傾向がみられ、電界強度Ｆが７０７（Ｖ／ｃｍ）^１／２＝５０００００Ｖ／ｃｍの場合、正孔移動度は電子移動度の約８００倍となっていた。

一方、実施例１の化合物（Ａ）（図３）では、測定範囲において、電子移動度、正孔移動度ともに、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ程度であった。キャリア移動度は、ＣＤＢＰと同等以下であるが、電子移動度と正孔移動の差はみられず、電界強度Ｆを高くても、電子移動度と正孔移動度の差が大きくなることはなく、電界強度Ｆが１６００００Ｖ／ｃｍから８１００００Ｖ／ｃｍの全ての領域において、正孔移動度は電子移動度の１０倍未満であった。この結果から、本発明の発光材料を構成する化合物は、電子輸送性と正孔輸送性の両方を有するバイポーラ性の材料であるといえる。

＜発光スペクトルおよびＩ−Ｖ−Ｌ特性＞
図５に、実施例２および比較例２の有機ＥＬ素子の、駆動電圧１０Ｖにおける発光スペクトルを示す。いずれの有機ＥＬ素子も、４７０ｎｍに発光ピーク強度を有する青色の燐光を放出し、ＦＩｒｐｉｃの光励起発光スペクトルと同じ形状のスペクトルが得られた。また、実施例２の有機ＥＬ素子は、測定範囲（駆動電圧０〜１２Ｖ）において、スペクトル形状に変化がみられなかった。

駆動電圧１０Ｖにおける輝度は、比較例２が１４２６ｃｄ／ｍ^２であったのに対して、実施例２は３１６３ｃｄ／ｍ^２であり、本発明の有機ＥＬ素子の輝度は、ＣＤＢＰをホスト材料に用いた有機ＥＬ素子の２倍以上であった。

図６に、実施例２および比較例２の有機ＥＬ素子の電流発光効率を示す。比較例２の素子は、電流密度０．０２ｍＡ／ｃｍ^２において最大電流発光効率１１．８ｃｄ／Ａを示したのに対して、実施例２の素子は、電流密度０．２ｍＡ／ｃｍ^２において最大電流発光効率１５．２ｃｄ／Ａを示した。これらの結果から、本発明の有機ＥＬ素子は、ＣＤＢＰをホスト材料に用いた従来の有機ＥＬ素子よりも高い発光効率を示し、特に高電流密度（高駆動電圧）における発光特性に優れることが示された。

２ 有機ＥＬ素子
４ 透明電極層（陽極）
５ 機能層
６ 裏面電極層（陰極）
１２ 発光層

Claims (6)

1. 下記式（Ｉ）で表される発光材料：
   式（Ｉ）中、
   Ｒ^１は水素原子または非芳香族置換基を表し、
   Ｒ^２はベンズイミダゾリル基のベンゼン環に結合した置換基であり、Ｒ^３およびＲ^４はビフェニリレンのベンゼン環に結合した置換基であり、Ｒ^５およびＲ^６はカルバゾリル基のベンゼン環に結合した置換基であり、
   Ｒ^２〜Ｒ^４はそれぞれ独立に非芳香族置換基を表し、少なくともビフェニル骨格の２位および２’位には、それぞれ置換基Ｒ ^３ およびＲ ^４ が存在し、ビフェニル構造の２位および２’位の前記置換基Ｒ ^３ およびＲ ^４ は、それぞれ独立に、炭素数１〜５の置換または無置換アルキル基であり、Ｒ^５およびＲ^６はそれぞれ独立に、任意の置換基を表し、
   ｐは０〜４の整数であり、ｑおよびｒはそれぞれ独立に１〜４の整数であり、ｓおよびｔはそれぞれ独立に０〜４の整数であり、
   Ｒ^２〜Ｒ^６がそれぞれ複数存在する場合、複数のＲ^２〜Ｒ^６は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、
   複数のＲ^５および複数のＲ^６は、それぞれ、互いに結合して環構造を形成してもよい。
2. 前記式（Ｉ）中、ｑおよびｒは１であり、ビフェニル構造の２位および２’位の前記置換基Ｒ^３およびＲ^４は、いずれもメチル基である、請求項１に記載の発光材料。
3. 前記式（Ｉ）中、Ｒ^１が、水素原子、または炭素数１〜５の置換もしくは無置換アルキル基である、請求項１または２に記載の発光材料。
4. 電界強度５０００００Ｖ／ｃｍにおいてＴＯＦ法により求めた正孔移動度と電子移動度のいずれか大きい方が、電子移動度と正孔移動度のいずれか小さい方の３０倍以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光材料。
5. 陽極；陰極；および前記陽極と前記陰極との間に挟持された少なくとも１つの発光層、を備え、
   前記発光層は、燐光ドーパント材料およびホスト材料を含有し、
   前記ホスト材料が、請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光材料である、有機ＥＬ素子。
6. 前記燐光ドーパント材料のＳ_０−Ｔ_１ギャップが２．６ｅＶ以上である、請求項５に記載の有機ＥＬ素子。