KR100263758B1 - 고분자유전막을이용한미세공동구조의유기발광소자의제조방법및이에사용되는장치 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 22
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 20
- -1 diamin compound Chemical class 0.000 claims abstract description 18
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims abstract description 16
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 15
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- QZAQJDMAOKERBY-UHFFFAOYSA-N 12,12-bis(trifluoromethyl)-2,7,17-trioxapentacyclo[11.7.0.03,11.05,9.015,19]icosa-1(13),3(11),4,9,14,19-hexaene-6,8,16,18-tetrone Chemical compound C1=C2OC3=CC=4C(=O)OC(=O)C=4C=C3C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O QZAQJDMAOKERBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N bpda Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 15
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 10
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 6
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 5
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 claims description 5
- NSGXIBWMJZWTPY-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane Chemical compound FC(F)(F)CC(F)(F)F NSGXIBWMJZWTPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NVKGJHAQGWCWDI-UHFFFAOYSA-N 4-[4-amino-2-(trifluoromethyl)phenyl]-3-(trifluoromethyl)aniline Chemical compound FC(F)(F)C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C(F)(F)F NVKGJHAQGWCWDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YGLVWOUNCXBPJF-UHFFFAOYSA-N (2,3,4,5-tetraphenylcyclopenta-1,4-dien-1-yl)benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1C(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 YGLVWOUNCXBPJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DKKYOQYISDAQER-UHFFFAOYSA-N 3-[3-(3-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=C(OC=3C=C(N)C=CC=3)C=CC=2)=C1 DKKYOQYISDAQER-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VYQCFEWVPQCVIJ-UHFFFAOYSA-N 4-(2,2,2-trifluoro-1-phenylethyl)aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(C(F)(F)F)C1=CC=CC=C1 VYQCFEWVPQCVIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LFBALUPVVFCEPA-UHFFFAOYSA-N 4-(3,4-dicarboxyphenyl)phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 LFBALUPVVFCEPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- APXJLYIVOFARRM-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(3,4-dicarboxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 APXJLYIVOFARRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JRLALOMYZVOMRI-UHFFFAOYSA-N BPPC Chemical compound BPPC JRLALOMYZVOMRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 claims description 2
- YRITVODHCMDVSY-VEGPOJNRSA-N [(2r,3s,5r)-5-(6-aminopurin-9-yl)-2-(phosphonooxymethyl)oxolan-3-yl] [(2r,3s)-3-hydroxy-5-(5-methyl-2,4-dioxopyrimidin-1-yl)oxolan-2-yl]methyl hydrogen phosphate Chemical compound O=C1NC(=O)C(C)=CN1C1O[C@H](COP(O)(=O)O[C@@H]2[C@H](O[C@H](C2)N2C3=NC=NC(N)=C3N=C2)COP(O)(O)=O)[C@@H](O)C1 YRITVODHCMDVSY-VEGPOJNRSA-N 0.000 claims description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 2
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- 125000006158 tetracarboxylic acid group Chemical group 0.000 claims description 2
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ODIGIKRIUKFKHP-UHFFFAOYSA-N (n-propan-2-yloxycarbonylanilino) acetate Chemical compound CC(C)OC(=O)N(OC(C)=O)C1=CC=CC=C1 ODIGIKRIUKFKHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 5-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carbonyl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)=O)=C1 VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 2
- YXCKIFUUJXNFIW-UHFFFAOYSA-N 5-[4-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)phenyl]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C2=CC=C(C=C2)C=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 YXCKIFUUJXNFIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 17
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005917 acylation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 3
- QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 5-[(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)oxy]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(OC=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 150000008056 dicarboxyimides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229920002100 high-refractive-index polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
Abstract
본 발명은 특정파장의 빛을 증폭시킨 유기전기발광소자의 제조방법 및 이에 사용되는 장치에 관한 것으로, 유리판 및 ITO(Indium Tin Oxide)층으로 이루어진 양극 투명 전극, 유기 발광층 및 음극 금속 전극을 포함하는 유기전기발광소자의 제조방법에 있어서, 상기 유리판과 ITO층 사이에 굴절율이 보다 큰 고분자막 I 과 굴절율이 보다 작은 고분자막 II 를 교대로 증착시킴으로써 미세공동 구조의 유기발광소자를 개발하는데 그 특징을 두고 있다.
Description
본 발명은 특정파장의 빛을 증폭시킨 유기전기 발광소자의 제조 방법 및 이에 사용되는 장치에 관한 것이다
종래의 유기전기 발광소자의 제작 방법으로서는, 안정성을 유지하기 위하여 ITO 유리 위에 안정화된 고분자에 발광효율을 증가시키기 위한 정공수송물질을 혼합하여 정공수송층을 제작한 후, 진공 시스템을 사용하여 발광물질을 증착하고, 그 위에 금속전극을 코팅하는 방법이 일반적으로 사용된다. 경우에 따라, 발광층과 금속전극 사이에 전자수송층을 삽입하는 경우도 있다.
그러나, 일반적으로 유기전기발광소자의 발광물질로 사용되는 유기 단분자 물질은 높은 발광효율, 저럼한 가격, 다양한 색상조절, 박막제작의 용이성 등의 장점은 있으나 발광되는 빛의 띠넓이(band width)가 넓기 때문에 정확한 색상의 빛깔을 얻기가 어렵고, 평판유리를 통하여 빛이 방출됨으로써 내부전반사에 의한 빛 손실이 크므로 효율면에서 떨어진다는 단점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 특정파장을 증폭시킨 고효율의 유기전기발광소자의 제조 방법 및 이에 사용되는 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 유기 발광 소자의 제조 방법에 사용되는 진공 시스템의 개략도이고,
도 2는 본 발명의 방법으로 제조된 유기 발광 소자의 구조를 나타낸다.
*<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
I : 로드락(Loadlock) 챔버 II : 기재 세정 챔버
III : 고분자막 증착중합 챔버 IV : 투명 전극 코팅 챔버
V : 유기발광물질 및 전극 코팅 챔버
1 : 마그네틱 바 2 : 기판 로딩
3, 7, 18, 27 : 기판 홀더 I 4, 9, 19, 23, 28 : 펌핑 포트
5 : 퀵 엑서스 도어 6, 10, 20, 24 : 게이트 밸브
8 : 이온 공급원 11, 12, 13, 14 : 열 배스
15 : 매스 플로우 밸브 16, 17 : 셔터
21 : 스퍼터 25 : 다중 도가니 확산 셀
26 : 전자 빔 증발기
a : 평판 유리 b : 증착된 고분자막
c : 투명전극 d : 유기발광층
e : 음극 금속 전극 f : 전원
g : 발광되어 나오는 빛
상기 목적에 따라, 본 발명에서는 유리판 및 ITO(Indium Tin Oxide)층으로 이루어진 양극 투명 전극, 유기 발광층 및 음극 금속 전극을 포함하는 유기전기발광소자의 제조방법에 있어서, 상기 유리판과 ITO층 사이에 굴절율이 보다 큰 고분자막 I 과 굴절율이 보다 작은 고분자막 II 를 교대로 증착시키는 것을 특징으로 하는, 유기전기발광소자의 제조방법을 제공한다.
또한 본 발명에서는 유리 기판이 공급되고 완성된 소자가 배출되는 로드락 챔버; 상기 로드락 챔버로부터 공급된 유리 기판을 이온공급원을 통하여 세정하는 기재 세정 챔버; 상기 기재 세정 챔버로부터 예비 세정 유리 기재에 귤절율이 보다 큰 고분자 유전막 I과 귤절율이 보다 작은 고분자 II를 교대로 증착시킬 수 있는 고분자 유전막 증착 중합 챔버; 상기 증착중합 챔버로부터 공급된 기재의 고분자 유전막 상에 양극 투명전극물질을 코팅할 수 있는 투명전극 코팅 챔버; 상기 투명전극 코팅 챔버로부터 공급된 기재의 양극 투명전극 상에 다중 도가니 확산셀을 통해 유기발광물질을 증착시켜 유기발광층을 형성하고, 상기 유기발광층 상에 전자 빔 증발기를 이용하여 음극전극 금속을 증착시키는 유기발광물질 및 전극 코팅 챔버를 포함하고, 모든 챔버는 진공상태로 유지되는 유기발광소자의 제조 장치를 제공한다.
이하 본 발명에 대하여 보다 상세히 설명한다.
본 발명에 따라 제조된 유기발광소자의 구조는 유리기재, 굴절율이 큰 고분자막 I과 굴절율이 보다 작은 고분자막 II을 교대로 증착시켜 제조한 다층 고분자유전막, 투명 양극, 유기발광층 및 음극 금속전극으로 이루어져 있다. 또한, 발광효율을 높이기 위하여 양극과 유기발광층 사이에 정공전달물질층을, 유기발광층과 음극금속층 사이에 전자수송층을 추가로 삽입할 수 있다. 이 때 유기물질의 종류에 따라 단층(단일 유기물질이 정공 및 전자 수송 특성을 가지고 있으며 발광 특성을 가지는 경우), 이층(단일 유기물질이 발광 및 전자수송 특성을 가지는 경우), 삼층(각각의 유기물질이 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 이루는 경우) 구조의 유기 물질 박막을 형성할 수 있다. 음극 금속 전극으로는 마그네슘, 알루미늄, 인듐, 은-마그네슘 등을 사용할 수 있다.
양극 투명 전극으로는 일반적으로 ITO(Indium Tin Oxide)가 사용된다.
유기발광물질로는 하기 화학식 1의 구조를 갖는 N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-1,1'-디페닐-1,4'-디아민(DCM), 하기 화학식 2의 구조를 갖는 트리스(8-하이드로퀴놀리나토)알루미늄(Alq3), 하기 화학식 3의 구조를 갖는 1,1,4,4-테트라페닐-1,3-부타디엔(TB), 1,2,3,4,5-펜타페닐-1,3-사이클로펜타디엔(PPCP) 및 N,N'-비스(2,5-디-터트-부틸페닐)-3,4,9,10-페릴렌 디카복시이미드(BPPC) 등이 사용될 수 있다.
유기 발광물질인 DCM의 경우는 주요 피크 파장이 607㎚로서 적색을 나타내고, Alq3의 경우는 508㎚으로서 녹색을 나타내며, TB의 경우는 459㎚로서 청색을 나타낸다.
본 발명에서 고분자 유전막 I 및 II는 폴리이미드로 이루어지는데, 폴리이미드의 경우 고분자 상태이므로 직접적으로 진공증착을 통하여서는 박막 형성이 안되고, 일반적으로는 폴리아믹산의 전구체 상태에서 용매에 용매에 용해시킨 후 기판에 도포하고 이를 열처리하여 폴리이미드 박막을 형성시키는 방법을 사용해 왔다. 그러나, 이 경우, 매우 얇은 막 및 균일한 두께의 박막을 얻기가 어려우며 용매를 완전히 제거하지 못함으로써 발생되는 많은 문제점을 갖고 있다.
이를 해결하기 위하여, 본 발명에서는 디안하이드라이드 화합물과 디아민화합물을 기판상에 증착시켜 기판상에서 아실화반응을 거쳐 폴리아믹산을 형성시키고, 이를 열처리하여 최종 폴리아미드 박막을 얻는 정밀제어 진공증착법을 사용함으로써 유기전기 발광소자의 경우, 표면상태 및 두께가 균일하고, 잔존하는 용매가 없는 고밀도의 유기박막을 얻을 수 있다.
본 발명의 방법에 사용될 수 있는 디안하이드라이드 화합물의 예로는 1,2,4,5-테트라카복실릭 벤젠 디안하이드라이드(PMDA), 3,4,3',4'-벤조페논 테트라카복실릭 디안하이드라이드(BTDA), 3,4,3',4'-비페닐 테트라카복실릭 디안하이드라이드(BPDA), 터페닐 테트라카복실릭 디안하이드라이드(TPDA), 2,2-비스(3,4-디카복시페닐) 헥사플루오로프로판 디안하이드라이드(6FDA), 1,1-비스(3,4-디카복시페닐 안하이드라이드)-1-페닐-2,2,2-트리플루오로에탄(3FDA), 9,9-비스(트리플루오로메틸)-2,3,6,7-크산텐 테르라카복실릭 디안하이드라이드(6FCDA) 등이 있고, 디아민 화합물의 예로는 4,4'-디아미노페닐 에테르(ODA), p-페닐렌 디아민(PDA), 2,2'-비스(4-디아미노페닐)헥사플루오로프로판(6FDAM), 1,1'-비스(4-아미노페닐)-1-페닐-2,2,2-트리플루오로에탄(3FDAM), 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘(TFMB), 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠(APB) 등이 있으며, 이들의 구조식은 다음과 같다.
상기 디안하이드라이드 화합물과 디아민 화합물이 아실화 반응을 거쳐 폴리아믹산을 형성시키고, 이를 200 내지 250 ℃에서 열처리하여 폴리이미드 박막으로 전환시키는 과정은 다음과 같다.
이와 같이 디안하이드라이드 화합물과 디아민 화합물로부터 제조될 수 있는 여러 폴리이미드의 유전상수 및 굴절율은 표 1에 나타나있다.
| 폴리이미드 | 유전상수 | 굴절율 |
| PMDA + ODA | 3.22 | 1.80 |
| BTDA + 4,4'-ODA | 3.15 | 1.78 |
| BTDA + 3,3'-ODA | 3.09 | 1.76 |
| ODPA + 4,4'-ODA | 3.07 | 1.75 |
| ODPA + 3,3'-ODA | 2.99 | 1.73 |
| 6FDA + 4,4'-ODA | 2.79 | 1.67 |
| 6FDA + 3,3'-ODA | 2.73 | 1.65 |
| 6FDA + 6FDAM | 2.39 | 1.54 |
본 발명의 고분자 유전막층은, 굴절율이 보다 큰 고분자 유전막 I과 보다 작은 고분자 유전막 II를 교대로 여러번 증착하여 형성되며, 그 반사율은 다음 수학식 1에 의하여 결정할 수 있다.
상기 식에서, n′는 고분자 유전막 I의 굴절율이고, n″은 고분자 유전막 II의 굴절율이며, N은 고분자 유전막 I과 II로 이루어진 고분자막 쌍의 수를 나타낸다.
예를 들어, 굴절율이 1.80인 PMDA + ODA와 굴절율이 1.54인 6FDA + 6FDAM을 각각 유전막 I과 유전막 II으로 사용해서 교대로 10회 증착하여 115㎚ 두께의 10층의 유전막 쌍으로 이루어진 분포된 브래그 반사기(Distrbuted Bragg Reflector: DBR)를 형성시키고, 유기발광물질로서 TB를 사용하는 경우, 수학식 1에 의해 계산된 반사율은 0.84가 된다. 이렇게 제조된 고분자 유전막은 고반사율 거울(High Reflective Mirror)로서 작용하며, 반대쪽인 음극 금속 전극의 완전 거울(Perfect Mirror)과 함께 평면 미세공동(Planar Microcavity) 구조를 이룬다.
이상의 구조로 제작된 발광소자의 방출 조건은 페브리-페롯 간섭계(Fabry-Perot Interferometer) 원리에 적용할 수 있으며, 다음 수학식 2에 의하여 방출광의 피크 파장을 구할 수 있다.
상기식에서, d는 공동 두께, n은 고분자 유전막의 굴절율, θ는 공동 내부에서의 광방출 각도, m은 정수, λ는 방출되는 빛의 피크 파장이다.
미세공동의 두께는 진공증착과정에서 in-situ 두께 측정 모니터를 이용하여 0.1Å 단위까지 측정할 수 있다.
본 발명에서는 상기 공정을 도 1에 도시한 바와 같은 진공시스템에서 진행시켜 유기발광소자의 제조 공정을 모두 진공상태에서 진행하게 된다.
펌핑 포트(4, 9, 19, 23, 28)를 통하여 전체 진공시스템을 고진공 상태로 유지시킨 후, 유리 기판을 준비한다. 로드락 챔버(I)의 진공을 깬 후, 퀵 엑세스 도어(5)를 통하여 유리 기판을 기판 홀더에 장착한다. 펌핑 포트(4)를 통하여 챔버(I)을 고진공으로 유지한 다음, 게이트 밸브를 열고 마그네틱 바(1)를 이용하여 유리기판을 기재 세정 챔버(II)의 기판 홀더(7)로 이동시킨다.
이동시킨 마그네틱 바(1)를 원 위치로 이동시킨 후, 게이트 밸브(6, 10)를 닫고 이온 공급원(8)을 이용하여 예비 세정 공정을 수행한다. 예비 세정공정에서 이온공급원(8)을 통해 공급되는 것은 Ar 이온이다.
예비 세정 공정이 끝난 후, 게이트 밸브(6, 10)를 열고 마그네틱 바(1)를 이용하여 증착 중합 챔버(III)의 기판 홀더(18)로 이동시킨 후, 마그네틱 바(1)는 원위치 시키고, 게이트 밸브들(6, 10)은 닫는다.
챔버 (III)에서 분포된 브래그 반사기(Distributed Bragg Reflector:DBR)를 기판에 형성시키기 위하여 굴절율이 낮은 폴리이미드 막 II을 형성하기 위한 디안하이드라이드 화학물 및 디아민 화합물이 각각 이 들어있는 열 배스(thermal bath)(11, 12)에 열을 가함으로서 특정 진공도 하에서 각 물질의 증발 조건에서 증기가 발생하게 된다. 기판의 특정 온도는 유지시킨 후 기판에서 아실화 반응과정을 거쳐 폴리아믹산 박막이 형성되고 이를 열처리함으로써 폴리이미드 박막 II가 형성되도록 진행시킨다. 이어서, 굴절율이 높은 폴리이미드 막 I을 형성하기 위한 디안하이드라이드 화합물 및 디아민 화합물이 각각 들어있는 열 배스(13, 14)에 열을 가함으로서 상기 언급된 과정을 거쳐 폴리이미드 막 I을 형성시킨다. 이때 폴리이미드막 I과 II가 교대로 증착된 다층막을 제작하기 위하여 선택적으로 셔터(16, 17)를 사용한다.
분포된 브래그 반사기(Distributed Bragg Reflector:DBR) 폴리이미드 박막이 형성된 기판을 투명전극 코팅챔버(IV)로 이동시키고, 양극으로 사용될 투명전극을 스퍼터(21)를 이용하여 제작한다.
이어서 유기물질 및 전극 코팅 챔버(V)로 이동시킨 후, 다중 확산셀(25)을 이용하여 기판상이 정밀한 온도 조절을 통하여 0.3Å/초 이하의 증착 속도로 유기발광 물질을 증착시킨다. 이 때, 유기물질에 따라 다중 도가니 확산셀의 개수 및 증착층의 수가 조절된다.
마지막으로, 전자 빔 증발기(26)를 이용하여 특정 금속을 증착하여 발광 소자의 음극을 제작한다. 음극 금속 전극으로는 마그네슘, 알루미늄, 인듐, 은-마그네슘 등을 사용할 수 있다
모든 공정이 끝나고 나면 게이트 밸브를 통하여 로드락챔버 (I)으로 제작된 소자를 옮기고 나서 게이트 밸브를 모두 닫은 후, 로드락챔버 (I)만 진공을 제거하고, 소자를 꺼낸다.
이상의 과정에서 진공시스템 내부를 보수하는 경우를 제외하고는 배기시킬 필요가 없으므로 깨끗한 분위기를 유지할 수 있으며, 원하는 진공도를 얻기 위하여 기다리는 시간을 절약할 수 있다.
상기 열거된 순서에 의하여 제작된 유기발광소자의 개략적인 구조는 도 2에 나타낸 바와 같이, 평판 유리(a), 증착된 고분자막(b), 투명전극(c), 유기발광층(d) 및 음극 금속 전극(e)으로 이루어진다.
이하 하기 실시예에 의거하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 단, 이들 제조실시예 및 실시예는 본 발명을 설명하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 범위가 이들만으로 제한되는 것은 아니다.
실시예
펌핑 포트(4, 9, 19, 23, 28)를 통하여 전체 진공시스템을 고진공 상태로 유지시킨 후, 유리 기판을 준비하고, 로드락 챔버(I)의 진공을 깬 후, 퀵 엑세스 도어(5)를 통하여 유리 기판을 기판 홀더에 장착하였다. 펌핑 포트(4)를 통하여 챔버(I)을 고진공으로 유지한 다음, 게이트 밸브를 열고 마그네틱 바(1)를 이용하여 유리기판을 세정 챔버(II)의 기판 홀더(7)로 이동시켰다.
이동시킨 마그네틱 바(1)를 원 위치로 이동시킨 후, 게이트 밸브(6, 10)를 닫고 이온 공급원(8)을 이용하여 Ar 이온을 이용함으로써 예비 세정 공정을 수행하였다.
예비 세정 공정이 끝난 후, 게이트 밸브(6, 10)를 열고 마그네틱 바(1)를 이용하여 증착 중합 챔버(III)의 기판 홀더(18)로 이동시킨 후, 마그네틱 바(1)는 원위치 시키고, 게이트 밸브들(6, 10)은 닫았다.
챔버 (III)에서 굴절율이 낮은 폴리이미드 막 II를 형성하기 위한 헥사플루오로프로판 디안하이드라이드(6FDA) 및 2,2'-비스(4-디아미노페닐)헥사플루오로프로판(6FDAM)이 들어있는 열 배스(thermal bath)(11, 12)에 열을 가하여 폴리이미드 박막 II를 형성시켰다. 이어서, 굴절율이 높은 폴리이미드 막 I을 형성하기 위한 1,2,4,5-테트라카복실릭벤젠 디안하이드라이드(PMDA) 및 4,4'-다아미노페닐에테르(ODA)이 들어있는 열 배스(13, 14)에 열을 가하여, 폴리이미드 막 I을 형성시켰다. 이때 선택적으로 셔터(16, 17)를 사용하여, 고분자막 I과 II를 교대로 증착시켜 형성된 고분자막 쌍이 10 층이 되도록하였다.
분포된 브래그 반사기(Distributed Bragg Reflector:DBR) 폴리이미드 박막이 형성된 기판을 투명전극 코팅챔버(IV)로 이동시키고, 양극으로 사용될 ITO 투명전극을 스퍼터(21)를 이용하여 증착시켰다.
이어서 유기물질 및 전극 코팅 챔버(V)로 이동시킨 후, 다중 확산셀(25)을 이용하여 기판상이 정밀한 온도 조절을 통하여 0.3Å/초 이하의 증착 속도로 1,1,4,4-테트라페닐-1,3-부타디엔(TB)을 증착시켰다.
마지막으로, 전자 빔 증발기(26)를 이용하여 알루미늄을 증착하여 발광 소자의 음극을 제작하고, 게이트 밸브를 통하여 로드락챔버 (I)으로 제작된 소자를 옮기고 나서 게이트 밸브를 모두 닫은 후, 로드락챔버 (I)만 진공을 제거하고, 소자를 꺼냈다.
현재 개발중인 유기발광 소자의 발광물질로서 사용되는 유기 단분자 물질은 높은 발광효율, 저럼한 가격, 다양한 색상조절, 박막제작의 용이성 등의 장점이 있지만, 발광되는 빛의 띠넓이가 넓어 정확한 색상은 얻기가 어려운 단점을 지니고 있다. 이를 해결하기 위하여 유기 기판과 양극 전극 사이에 유전 특성이 뛰어난 폴리이미드로 이루어진 굴절율이 높은 고분자 막과 굴절율이 낮은 고분자 막을 교대로 증착시켜 다층고분자 유전막을 제조함으로써 특정 파장을 증폭시킨 고효율의 유기발광소자를 제작할 수 있다. 또한, 폴리이미드 박막 형성시에 정밀제어 진공증착법을 사용함으로써 표면상태 및 두께가 균일하고 용매가 잔존하지 않는 고밀도의 유기박막을 얻을 수 있으며, 오염원에서 완전히 차단된 상태에서 발광소자를 제작함으로서 신뢰성 및 재현성이 보장될 수 있다. 본 발명의 공정 및 장치는 유기전기발광소자 이외에도 유기물질을 이용한 다양한 광-전자 소자 개발에 적용가능하다.
Claims (6)
- 유리판 및 ITO(Indium Tin Oxide)층으로 이루어진 양극 투명 전극, 유기 발광층 및 음극 금속 전극을 포함하는 유기전기발광소자의 제조방법에 있어서, 상기 유리판과 ITO층 사이에 굴절율이 상이한 두 가지 고분자막을 교대로 증착시키는 것을 특징으로 하는 유기전기발광소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 고분자막을, 디안하이드라이드 화합물 및 디아민 화합물을 증기화시켜 기판상에서 아실화시켜 폴리아믹산을 제조하고, 이를 열이미드화시켜 폴리이미드로 전환시켜 제조하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 디안하이드라이드 화합물이 1,2,4,5-테트라카복실릭 벤젠 디안하이드라이드(PMDA), 3,4,3',4'-벤조페논 테트라카복실릭 디안하이드라이드(BTDA), 3,4,3',4'-비페닐 테트라카복실릭 디안하이드라이드(BPDA), 터페닐 테트라카복실릭 디안하이드라이드(TPDA), 2,2-비스(3,4-디카복시페닐) 헥사플로오로프로판 디안하이드라이드(6FDA), 1,1-비스(3,4-디카복시페닐 안하이드라이드)-1-페닐-2,2,2-트리플루오로에탄(3FDA) 및 9,9-비스(트리플루오로메틸)-2,3,6,7-크산텐 테르라카복시 디안하이드라이드(6FCDA)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 디아민 화합물이 4,4'-디아미노페닐 에테르(ODA), p-페닐렌 디아민(PDA), 2,2'-비스(4-디아미노페닐)헥사플루오로프로판(6FDAM), 1,1'-비스(4-아미노페닐)-1-페닐-2,2,2-트리플루오로에탄(3FDAM), 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘(TFMB) 및 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠(APB)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기발광층을 형성하는 유기발광물질이 N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-1,1'-디페닐-1,4'-디아민(DCM), 트리스(8-하이드로퀴놀리나토)알루미늄(ALq3), 1,1,4,4-테트라페닐-1,3-부타디엔(TB), 1,2,3,4,5-펜타페닐-1,3-사이클로펜타디엔(PPCP) 및 N,N'-비스(2,5-디-터트-부틸페닐)-3,4,9,10-페릴렌 디카복시이미드(BPPC)으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 유리 기판이 공급되고 완성된 소자가 배출되는 로드락 챔버; 상기 로드락 챔버로부터 공급된 유리 기판을 이온공급원을 통하여 세정하는 기판 세정 챔버; 상기 기판 세정 챔버로부터 공급된 예비 세정된 유리 기판에 굴절율이 상이한 두 가지 고분자막을 교대로 증착시킬 수 있는 고분자 유전막 증착 중합 챔버; 상기 증착중합 챔버로부터 공급된 기판의 고분자 유전막 상에 양극 투명전극물질을 코팅할 수 있는 투명전극 코팅 챔버; 상기 투명전극 코팅 챔버로부터 공급된 기판의 양극 투명전극 상에 다중 도가니 확산셀을 통해 유기발광물질을 증착시켜 유기발광층을 형성하고, 상기 유기발광층 상에 전자 빔 증발기를 이용하여 음극전극 금속을 증착시키는 유기발광물질 및 전극 코팅 챔버를 포함하고, 모든 챔버는 진공상태로 유지되는, 유기발광소자의 제조 장치.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970052337A KR100263758B1 (ko) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | 고분자유전막을이용한미세공동구조의유기발광소자의제조방법및이에사용되는장치 |
| JP10289891A JPH11199864A (ja) | 1997-10-10 | 1998-10-12 | 電気発光素子の製造方法 |
| US09/768,160 US6379743B1 (en) | 1997-10-10 | 2001-01-24 | Process for the preparation of organic electroluminescent device using vapor deposition polymerization |
| US09/768,159 US20010005528A1 (en) | 1997-10-10 | 2001-01-24 | Process for the preparation of organic electroluminescent device using vapor deposition polymerization |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970052337A KR100263758B1 (ko) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | 고분자유전막을이용한미세공동구조의유기발광소자의제조방법및이에사용되는장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990031560A KR19990031560A (ko) | 1999-05-06 |
| KR100263758B1 true KR100263758B1 (ko) | 2000-08-16 |
Family
ID=19522631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970052337A KR100263758B1 (ko) | 1997-10-10 | 1997-10-13 | 고분자유전막을이용한미세공동구조의유기발광소자의제조방법및이에사용되는장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100263758B1 (ko) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6577059B2 (en) * | 2000-11-17 | 2003-06-10 | Tdk Corporation | Thin-film EL device, and its fabrication process |
| JP4703108B2 (ja) * | 2003-09-10 | 2011-06-15 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 発光素子基板およびそれを用いた発光素子 |
| KR100715500B1 (ko) * | 2004-11-30 | 2007-05-07 | (주)케이디티 | 미세공동 유기 발광 소자와 광 여기 발광층을 이용한 광원 |
| KR100873082B1 (ko) | 2007-05-30 | 2008-12-09 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| KR101387031B1 (ko) | 2013-02-28 | 2014-04-18 | 한국과학기술원 | 유리섬유직물이 매립된 플렉시블 디스플레이용 무색투명 폴리이미드 필름 제조방법 |
-
1997
- 1997-10-13 KR KR1019970052337A patent/KR100263758B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990031560A (ko) | 1999-05-06 |
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