JPH10209470A - センサの製造方法並びにウェハステープル - Google Patents
センサの製造方法並びにウェハステープルInfo
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- JPH10209470A JPH10209470A JP10003187A JP318798A JPH10209470A JP H10209470 A JPH10209470 A JP H10209470A JP 10003187 A JP10003187 A JP 10003187A JP 318798 A JP318798 A JP 318798A JP H10209470 A JPH10209470 A JP H10209470A
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- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
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- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/162—Disposition
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 必要な面積を低減することである。
【解決手段】 接続テープを次にようにキャップウェハ
に配置する、すなわち、キャップウェハを基板ウェハ
に、基板ウェハに配置された２つのセンサ素子間の領域
に取り付けることによって接続テープをそれぞれ正確に
配置し、ここで前記領域には接触接続部（１６）が配置
されておらず、キャップウェハ（３）を基板ウェハ
（１）にボンディングした後に、第１の切り出しステッ
プで、キャップウェハと接続テープを、後でセンサの側
面を形成する箇所で切り出し、別のステップで空洞部の
密閉度を検査し、第２の切り出しステップで、基板ウェ
ハを切り離すことによってセンサを完全に個別化する。
に配置する、すなわち、キャップウェハを基板ウェハ
に、基板ウェハに配置された２つのセンサ素子間の領域
に取り付けることによって接続テープをそれぞれ正確に
配置し、ここで前記領域には接触接続部（１６）が配置
されておらず、キャップウェハ（３）を基板ウェハ
（１）にボンディングした後に、第１の切り出しステッ
プで、キャップウェハと接続テープを、後でセンサの側
面を形成する箇所で切り出し、別のステップで空洞部の
密閉度を検査し、第２の切り出しステップで、基板ウェ
ハを切り離すことによってセンサを完全に個別化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板ウェハに少な
くとも２つのセンサ素子を配置し、センサ素子に電気接
点を設け、接点孔をキャップウェハに設け、接続テープ
の形態の接続媒体をキャップウェハの上に設け、キャッ
プウェハを基板ウェハに取り付けるステップからなり、
ここで接続テープはセンサ素子の間、および接点孔の周
囲に配置され、接続媒体は、センサ素子がそれぞれ配置
された空洞部を気密に封鎖する形式のセンサ製造方法に
関する。
くとも２つのセンサ素子を配置し、センサ素子に電気接
点を設け、接点孔をキャップウェハに設け、接続テープ
の形態の接続媒体をキャップウェハの上に設け、キャッ
プウェハを基板ウェハに取り付けるステップからなり、
ここで接続テープはセンサ素子の間、および接点孔の周
囲に配置され、接続媒体は、センサ素子がそれぞれ配置
された空洞部を気密に封鎖する形式のセンサ製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】刊行物ＵＳ５３２３０５１からすでに、
基板ウェハとキャップウェハとの間にシールガラステー
プが配置されたウェハステープルが公知である。このシ
ールガラステープは少なくとも基板ウェハ上に設けられ
た構成体を気密に封鎖する。
基板ウェハとキャップウェハとの間にシールガラステー
プが配置されたウェハステープルが公知である。このシ
ールガラステープは少なくとも基板ウェハ上に設けられ
た構成体を気密に封鎖する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、必要
な面積を低減することである。
な面積を低減することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題は本発明によ
り、接続テープを次にようにキャップウェハに配置す
る、すなわち、キャップウェハを基板ウェハに、基板ウ
ェハに配置された２つのセンサ素子間の領域に取り付け
ることによって接続テープをそれぞれ正確に配置し、こ
こで前記領域には接触接続部が配置されておらず、キャ
ップウェハを基板ウェハにボンディングした後に、第１
の切り出しステップで、キャップウェハと接続テープ
を、後でセンサの側面を形成する箇所で切り出し、別の
ステップで空洞部の密閉度を検査し、第２の切り出しス
テップで、基板ウェハを切り離すことによってセンサを
完全に個別化する、ように構成して解決される。
り、接続テープを次にようにキャップウェハに配置す
る、すなわち、キャップウェハを基板ウェハに、基板ウ
ェハに配置された２つのセンサ素子間の領域に取り付け
ることによって接続テープをそれぞれ正確に配置し、こ
こで前記領域には接触接続部が配置されておらず、キャ
ップウェハを基板ウェハにボンディングした後に、第１
の切り出しステップで、キャップウェハと接続テープ
を、後でセンサの側面を形成する箇所で切り出し、別の
ステップで空洞部の密閉度を検査し、第２の切り出しス
テップで、基板ウェハを切り離すことによってセンサを
完全に個別化する、ように構成して解決される。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明の接続媒体と溝幅の適切な
選択によって、ウェハ面積当たりでさらに多くのセンサ
素子を設けることができる。このことにより一方ではチ
ップ面積が節約され、他方ではさらに小さなセンサが得
られる。このことでさらにそれぞれの適用事例において
必要なスペースが低減される。
選択によって、ウェハ面積当たりでさらに多くのセンサ
素子を設けることができる。このことにより一方ではチ
ップ面積が節約され、他方ではさらに小さなセンサが得
られる。このことでさらにそれぞれの適用事例において
必要なスペースが低減される。
【０００６】従属請求項に記載された手段によって独立
請求項に記載された方法およびウェハステープルの有利
な改善および発展が可能である。
請求項に記載された方法およびウェハステープルの有利
な改善および発展が可能である。
【０００７】２ステップ・切り出しプロセスでは、セン
サ素子がまだウェハステープルと一体であっても鋸過程
により機械的負荷をかけることができれば、このセンサ
素子を電気機能および／または密閉度についてセンサす
ることができる。このことにより場合により、損傷した
センサを鋸過程で選別することができる。
サ素子がまだウェハステープルと一体であっても鋸過程
により機械的負荷をかけることができれば、このセンサ
素子を電気機能および／または密閉度についてセンサす
ることができる。このことにより場合により、損傷した
センサを鋸過程で選別することができる。
【０００８】電気機能および／または密閉度について検
査する前に、修復ステップを挿入することができる。こ
の修復ステップは、一方ではチップ収益を高め、他方で
は損傷したセンサを検出する際の確実性を高める。
査する前に、修復ステップを挿入することができる。こ
の修復ステップは、一方ではチップ収益を高め、他方で
は損傷したセンサを検出する際の確実性を高める。
【０００９】センサ素子を基板ウェハに、例えば横方向
にずらして対で配置すれば、個々のセンサ素子間にテー
プ状の２つの接続媒体構成体を有するウェハステープル
に対して、ウェハステープル当たりで６０％まで多くの
センサを収容することができる。しかもその際に、接続
テープに対して必要な孔版構造幅を狭くする必要はな
い。このことや予想外に簡単であり、安価な手段であ
る。
にずらして対で配置すれば、個々のセンサ素子間にテー
プ状の２つの接続媒体構成体を有するウェハステープル
に対して、ウェハステープル当たりで６０％まで多くの
センサを収容することができる。しかもその際に、接続
テープに対して必要な孔版構造幅を狭くする必要はな
い。このことや予想外に簡単であり、安価な手段であ
る。
【００１０】基板ウェハにソケットを設ければ、キャッ
プウェハを基板ウェハに取り付ける際に接続テープ、例
えばシールガラスの接続テープをソケットに配置するこ
とができる。このことは一方では接続テープに対して流
れ止めが形成され、このことにより接続テープがさらに
局所的に固定される点で有利である。さらに他方では空
洞部を密閉度について簡単に検査することができる点で
有利である。なぜなら、例えば赤外線の光学的漏れ検査
の際に、空洞容積が大きくなることによってより多くの
ガスが空洞部に存在するようになるからである。さらに
センサ素子とキャップウェハとの間に比較的に大きな安
全間隔が得られる。センサ素子に接触する導体路は例え
ばソケットと基板ウェハとの間に配置することができ
る。このことによりキャップを被せるためにて平坦なソ
ケット面が発生し、これにより空洞部の密閉度が良好に
保証される。
プウェハを基板ウェハに取り付ける際に接続テープ、例
えばシールガラスの接続テープをソケットに配置するこ
とができる。このことは一方では接続テープに対して流
れ止めが形成され、このことにより接続テープがさらに
局所的に固定される点で有利である。さらに他方では空
洞部を密閉度について簡単に検査することができる点で
有利である。なぜなら、例えば赤外線の光学的漏れ検査
の際に、空洞容積が大きくなることによってより多くの
ガスが空洞部に存在するようになるからである。さらに
センサ素子とキャップウェハとの間に比較的に大きな安
全間隔が得られる。センサ素子に接触する導体路は例え
ばソケットと基板ウェハとの間に配置することができ
る。このことによりキャップを被せるためにて平坦なソ
ケット面が発生し、これにより空洞部の密閉度が良好に
保証される。
【００１１】安全間隔は、キャップウェハに配置された
ブリッジが回転するようにしても大きくすることができ
る。基板ウェハ上のソケットに対してもキャップウェハ
上のブリッジに対するのと同じように安全間隔を大きく
することは有利である。例えば、センサ素子がキャップ
ウェハに静電吸引力または付着力により貼り付いてしま
う危険性の点で有利である。ブリッジは付加的にキャッ
プを被せる際に接続媒体（例えば接続媒体としてのシー
ルガラス）に対する流れ止めとして用いる。
ブリッジが回転するようにしても大きくすることができ
る。基板ウェハ上のソケットに対してもキャップウェハ
上のブリッジに対するのと同じように安全間隔を大きく
することは有利である。例えば、センサ素子がキャップ
ウェハに静電吸引力または付着力により貼り付いてしま
う危険性の点で有利である。ブリッジは付加的にキャッ
プを被せる際に接続媒体（例えば接続媒体としてのシー
ルガラス）に対する流れ止めとして用いる。
【００１２】
【実施例】図１は、センサの製造方法を示す。ここで基
板ウェハ１とキャップウェハ３は横断面図で示されてい
る。基板ウェハ１にはセンサ素子２が取り付けられてお
り（図１ａ）、接点（図示せず）が設けられている。ブ
リッジ４と接点孔９を有するキャップウェハ３が作製さ
れる。ブリッジ４は図１ａでは単に断面しか見えない
が、このブリッジは図示の断面に沿って、および図示の
断面に対して横方向に、センサ素子の配置構成に相応し
て基板ウェハ上に延在している。これは後で行う方法ス
テップの後で、個々のセンサ素子２をそれぞれ閉じたラ
インに沿って、気密に閉鎖された中空空間を形成するた
め取り囲むためである。キャップウェハに設けられた、
基板ウェハ接点孔９は、基板ウェハ上に選択された接点
の構成に相応して配置される。キャップウェハを基板ウ
ェハに取り付けた後、接点孔はセンサ素子が接点にキャ
ップウェハを通って接近できることを保証しなければな
らない。これは例えば、導入可能な測定先端を介してセ
ンサ素子の機能能力を検査するためであったり、後から
接点に取り付け可能なボンドワイヤを介してセンサ素子
に電気回路を接続するためである。
板ウェハ１とキャップウェハ３は横断面図で示されてい
る。基板ウェハ１にはセンサ素子２が取り付けられてお
り（図１ａ）、接点（図示せず）が設けられている。ブ
リッジ４と接点孔９を有するキャップウェハ３が作製さ
れる。ブリッジ４は図１ａでは単に断面しか見えない
が、このブリッジは図示の断面に沿って、および図示の
断面に対して横方向に、センサ素子の配置構成に相応し
て基板ウェハ上に延在している。これは後で行う方法ス
テップの後で、個々のセンサ素子２をそれぞれ閉じたラ
インに沿って、気密に閉鎖された中空空間を形成するた
め取り囲むためである。キャップウェハに設けられた、
基板ウェハ接点孔９は、基板ウェハ上に選択された接点
の構成に相応して配置される。キャップウェハを基板ウ
ェハに取り付けた後、接点孔はセンサ素子が接点にキャ
ップウェハを通って接近できることを保証しなければな
らない。これは例えば、導入可能な測定先端を介してセ
ンサ素子の機能能力を検査するためであったり、後から
接点に取り付け可能なボンドワイヤを介してセンサ素子
に電気回路を接続するためである。
【００１３】図１ｂには、どのようにキャップウェハ３
ブリッジ４に接続テープ５を、例えば孔版法で取り付け
るかが示されている。この接続テープは例えばシールガ
ラス（ロウガラス）からなる。別のステップで熱供給６
によりシールガラス製の接続テープ（シールガラステー
プ）を乾燥させる（図１ｃ）。図１ｄは、どのように基
板ウェハとキャップウェハとを相互に配向するかが示さ
れている。これによりセンサ素子はシールガラステープ
の間に来るようになる。時間と共に変化することのでき
る圧力と温度により、キャップウェハ３と基板ウェハ１
はシールガラステープを介して相互に接続される（ボン
ディング、シーリング；図１ｅ）。その際に、形成され
た空洞部１７にガスを所定の圧力の下で封印することが
できる。今説明したボンディングステップの後、図１ｆ
に示すように、センサ素子の電気機能検査または空洞部
の密閉度検査が行われる。そのために、キャップウェハ
３を基板ウェハ１に取り付ける前に、接点１６が基板ウ
ェハに設けられ、この接点はセンサ素子２を電気的に接
触接続する。この接点１６を介して検査装置１０により
センサ素子の電気機能が検査される。この電気検査は空
洞部の密閉度に関する検査と同時に適用することができ
る。なぜならセンサ信号は例えば加速度センサ素子の場
合、空洞部に封印されたガスの組成または圧力と共に変
化するからである。しかし選択的に密閉度を別個に、例
えば赤外線の光学的漏れ検査法によって検査することも
できる。最後に、ウェハステープルが敷物としてのシー
ト１２に取り付けられ、鋸装置１１によりセンサ１３に
分けられる（図１ｇ）。昇降装置１４（図１ｈ）によっ
て検査過程で良好と判断されたセンサが選別され、ケー
シングまたは図１ｈに示すようにハイブリッド基板１５
に位置決めされる。
ブリッジ４に接続テープ５を、例えば孔版法で取り付け
るかが示されている。この接続テープは例えばシールガ
ラス（ロウガラス）からなる。別のステップで熱供給６
によりシールガラス製の接続テープ（シールガラステー
プ）を乾燥させる（図１ｃ）。図１ｄは、どのように基
板ウェハとキャップウェハとを相互に配向するかが示さ
れている。これによりセンサ素子はシールガラステープ
の間に来るようになる。時間と共に変化することのでき
る圧力と温度により、キャップウェハ３と基板ウェハ１
はシールガラステープを介して相互に接続される（ボン
ディング、シーリング；図１ｅ）。その際に、形成され
た空洞部１７にガスを所定の圧力の下で封印することが
できる。今説明したボンディングステップの後、図１ｆ
に示すように、センサ素子の電気機能検査または空洞部
の密閉度検査が行われる。そのために、キャップウェハ
３を基板ウェハ１に取り付ける前に、接点１６が基板ウ
ェハに設けられ、この接点はセンサ素子２を電気的に接
触接続する。この接点１６を介して検査装置１０により
センサ素子の電気機能が検査される。この電気検査は空
洞部の密閉度に関する検査と同時に適用することができ
る。なぜならセンサ信号は例えば加速度センサ素子の場
合、空洞部に封印されたガスの組成または圧力と共に変
化するからである。しかし選択的に密閉度を別個に、例
えば赤外線の光学的漏れ検査法によって検査することも
できる。最後に、ウェハステープルが敷物としてのシー
ト１２に取り付けられ、鋸装置１１によりセンサ１３に
分けられる（図１ｇ）。昇降装置１４（図１ｈ）によっ
て検査過程で良好と判断されたセンサが選別され、ケー
シングまたは図１ｈに示すようにハイブリッド基板１５
に位置決めされる。
【００１４】図２は、幅２１のシールガラステープ５が
基板ウェハ１のソケット２０に配置されたウェハステー
プルを示す。各センサ素子２は固有のシールガラステー
プ５により取り囲まれている。隣接するセンサ素子のシ
ールガラステープ５の間には図示の構成では、広がりを
有する中間空間が設けられている。この広がりは溝幅２
２と２つの間隔２３からなる。個別化はすでに説明した
ように、キャップウェハ３と基板ウェハ１を隣接するシ
ールガラステープの間で切り離すことによって行われ
る。シールガラステープ５は製造技術的に例えば５００
μｍの幅を有する。この幅は図２に示した場合ではソケ
ット幅に相当する。隣接するシールガラステープ間に
は、切り出すことができるように十分なスペースが設け
られている。ここでは例えば１００μｍの溝幅２２と、
２×７５μｍの間隔２３が両側に設けられている。この
構成の欠点は大きなチップ面積が必要なことである。一
方では２つのシールガラステープが隣接するセンサ素子
間に設けられており、他方では切り出しのための特別な
自由空間が設けられている。これは溝幅２２と間隔２３
により表される。
基板ウェハ１のソケット２０に配置されたウェハステー
プルを示す。各センサ素子２は固有のシールガラステー
プ５により取り囲まれている。隣接するセンサ素子のシ
ールガラステープ５の間には図示の構成では、広がりを
有する中間空間が設けられている。この広がりは溝幅２
２と２つの間隔２３からなる。個別化はすでに説明した
ように、キャップウェハ３と基板ウェハ１を隣接するシ
ールガラステープの間で切り離すことによって行われ
る。シールガラステープ５は製造技術的に例えば５００
μｍの幅を有する。この幅は図２に示した場合ではソケ
ット幅に相当する。隣接するシールガラステープ間に
は、切り出すことができるように十分なスペースが設け
られている。ここでは例えば１００μｍの溝幅２２と、
２×７５μｍの間隔２３が両側に設けられている。この
構成の欠点は大きなチップ面積が必要なことである。一
方では２つのシールガラステープが隣接するセンサ素子
間に設けられており、他方では切り出しのための特別な
自由空間が設けられている。これは溝幅２２と間隔２３
により表される。
【００１５】図３は、本発明のウェハステープルの実施
例を示す。図２のウェハステープルとは異なり、隣接す
るセンサ素子間には１つのシールガラステープしか配置
されていない。相応して、新たなソケット幅３１を有す
る、隣接するセンサ素子間には１つのソケットしか存在
しない。この新たなソケット幅は図２のウェハステープ
ルのソケット幅よりもやや広く選択されている。例えば
新たなソケット幅３１は５５０μｍに選択される。この
ソケット幅は２つソケット幅３３と新たな溝幅３２から
なり、新たな溝幅３２は図２の溝幅２２よりやや広く選
択されている。幅がやや広いのは、ガラスの切り出しの
際に比較的に幅広の鋸板が必要なためである。なぜな
ら、シリコンに対して使用される薄い鋸板は、ガラスと
共に使用するには不適だからである。
例を示す。図２のウェハステープルとは異なり、隣接す
るセンサ素子間には１つのシールガラステープしか配置
されていない。相応して、新たなソケット幅３１を有す
る、隣接するセンサ素子間には１つのソケットしか存在
しない。この新たなソケット幅は図２のウェハステープ
ルのソケット幅よりもやや広く選択されている。例えば
新たなソケット幅３１は５５０μｍに選択される。この
ソケット幅は２つソケット幅３３と新たな溝幅３２から
なり、新たな溝幅３２は図２の溝幅２２よりやや広く選
択されている。幅がやや広いのは、ガラスの切り出しの
際に比較的に幅広の鋸板が必要なためである。なぜな
ら、シリコンに対して使用される薄い鋸板は、ガラスと
共に使用するには不適だからである。
【００１６】図２の構成に対して、シールガラステープ
と設けられた溝に対する所要面積を低減するために、図
３の本発明のウェハステープルでは１つのシールガラス
テープしか隣接するセンサ素子間に設けられていない。
２ステップ・切り出しプロセスにより、図１について説
明したウェハステープルの検査可能性を維持することが
できる。そのためにはまず、キャップウェハとシールガ
ラステープだけを所定の箇所で切り出し、次に個々のセ
ンサ素子を電気機能ないし空洞部の密閉性に関して検査
し、続いて第２の切り出しステップでセンサ素子を個々
のセンサに個別化するのである。切り出しは水中で行わ
れる。その際に割れ目が発生し、ここに水が入ることが
ある。第１の切り出しステップによるシールガラスのこ
のような損傷は、検査前の修復温度ステップにより修復
することができる。鋸板の厚さと第１の切り出しステッ
プの粗さは、シールガラスとキャップウェハを切り出す
ことができるように選択しなければならない。第２のス
テップの際には、同じ幅かまたは比較的に薄い鋸板を使
用することができる。全体として、隣接する２つのセン
サ素子間のシールガラステープに対する所要横方向スペ
ースはこの実施例ではチップエッジ当たり約２７５μｍ
である。
と設けられた溝に対する所要面積を低減するために、図
３の本発明のウェハステープルでは１つのシールガラス
テープしか隣接するセンサ素子間に設けられていない。
２ステップ・切り出しプロセスにより、図１について説
明したウェハステープルの検査可能性を維持することが
できる。そのためにはまず、キャップウェハとシールガ
ラステープだけを所定の箇所で切り出し、次に個々のセ
ンサ素子を電気機能ないし空洞部の密閉性に関して検査
し、続いて第２の切り出しステップでセンサ素子を個々
のセンサに個別化するのである。切り出しは水中で行わ
れる。その際に割れ目が発生し、ここに水が入ることが
ある。第１の切り出しステップによるシールガラスのこ
のような損傷は、検査前の修復温度ステップにより修復
することができる。鋸板の厚さと第１の切り出しステッ
プの粗さは、シールガラスとキャップウェハを切り出す
ことができるように選択しなければならない。第２のス
テップの際には、同じ幅かまたは比較的に薄い鋸板を使
用することができる。全体として、隣接する２つのセン
サ素子間のシールガラステープに対する所要横方向スペ
ースはこの実施例ではチップエッジ当たり約２７５μｍ
である。
【００１７】修復温度ステップは、例えば３００〜４０
０℃の温度で行われる。正確な温度値は使用されるシー
ルガラスに依存する。この修復温度ステップで、水が毛
細管から出て行き、隣接する空洞部への漏れとはならな
いシールガラスの小さな割れ目が修復される。しかし割
れ目が隠れた漏れとなる場合には水の漏れが現れ、検査
過程でセンサ素子の電気機能の検査またはその他の漏れ
検査法、例えば赤外線の光学的検査法または空洞部外で
のガス検出により検知することができる。
０℃の温度で行われる。正確な温度値は使用されるシー
ルガラスに依存する。この修復温度ステップで、水が毛
細管から出て行き、隣接する空洞部への漏れとはならな
いシールガラスの小さな割れ目が修復される。しかし割
れ目が隠れた漏れとなる場合には水の漏れが現れ、検査
過程でセンサ素子の電気機能の検査またはその他の漏れ
検査法、例えば赤外線の光学的検査法または空洞部外で
のガス検出により検知することができる。
【００１８】シールガラステープを取り付けるための孔
版法に対して択一的に、シルクスクリーン法または他の
平版印刷法を使用することができる。構造化されていな
いキャップウェハ、すなわちブリッジ４のないキャップ
ウェハもこの方法で使用することができる。シールガラ
ス（フリットガラスシール）の代わりに、２つのウェハ
を相互に気密に接続することのできる他の材料、例えば
接着剤、熱ペースト、その他のプラスチックまたはロウ
も使用することができる。ガラス製のキャップウェハを
使用することも可能であり、このキャップウェハはアノ
ード側で基板ウェハのソケットにボンディングされる。
センサ素子の接触接続に用いる導体路はソケットの下に
延在するよう配置できるから、アノード側のボンディン
グの前にソケットの平坦な表面を電気化学的に研磨する
ことができる。基本的には本発明の方法はセンサ素子に
限定されるものではなく、機械的および／または熱的影
響から保護すべきいずれの構成に対しても適用すること
ができ、本発明により気密に封鎖することができる。
版法に対して択一的に、シルクスクリーン法または他の
平版印刷法を使用することができる。構造化されていな
いキャップウェハ、すなわちブリッジ４のないキャップ
ウェハもこの方法で使用することができる。シールガラ
ス（フリットガラスシール）の代わりに、２つのウェハ
を相互に気密に接続することのできる他の材料、例えば
接着剤、熱ペースト、その他のプラスチックまたはロウ
も使用することができる。ガラス製のキャップウェハを
使用することも可能であり、このキャップウェハはアノ
ード側で基板ウェハのソケットにボンディングされる。
センサ素子の接触接続に用いる導体路はソケットの下に
延在するよう配置できるから、アノード側のボンディン
グの前にソケットの平坦な表面を電気化学的に研磨する
ことができる。基本的には本発明の方法はセンサ素子に
限定されるものではなく、機械的および／または熱的影
響から保護すべきいずれの構成に対しても適用すること
ができ、本発明により気密に封鎖することができる。
【００１９】切り出しライン４４は例えば図４ｂのミラ
ー構成では水平に、完全に図示された接点孔９の中央を
通って延在し、シールガラスの満たされた非接触領域４
２ａに沿って２つの隣接するセンサ素子の間を図面で右
方向に続いている。別の切り出しラインが切り出しライ
ン４４に対して垂直に、無接触領域４２ｂの中央を通っ
て延在する。
ー構成では水平に、完全に図示された接点孔９の中央を
通って延在し、シールガラスの満たされた非接触領域４
２ａに沿って２つの隣接するセンサ素子の間を図面で右
方向に続いている。別の切り出しラインが切り出しライ
ン４４に対して垂直に、無接触領域４２ｂの中央を通っ
て延在する。
【００２０】図４ａとｂに示された構成は、センサ素子
が多数設けられたウェハステープルの一部を示すにすぎ
ない。従って図４ｂでは、３つ示した接点孔９のうちの
２つでこれら接点孔の半分しか示されていない。図４ａ
の通常構成４０では、１つのセンサ素子当たり２つのチ
ップエッジに本発明のシールガラステープ構成を使用す
ることができる。しかし図４ｂに示したミラー構成では
１つのセンサチップ当たり３つのチップエッジで本発明
の構成を使用することができる。さらにセンサ素子を配
属された接点孔に対して画定することは、図２のソケッ
ト幅２１に相当する幅を有する幅を有するシールガラス
テープによって実現される。図４ｂのミラー構成の場
合、図２のシールガラステープ構成が基礎とされる構成
４０に対してウェハステープル当たり６０％のチップ面
積が節約される。この数字は、図４ａの横断面に沿って
関与するシールガラステープも含めたセンサ素子の長さ
が２．３ｍｍであり、これに対して垂直にセンサ素子と
所属の接点孔の必要な長さが２．８ｍｍであることを前
提とした場合に得られる。この構成の場合、必要な面積
は６．４４ｍｍ２である。これに対して図４ｂの本発明
のシールガラステープによるミラー構成では、必要面積
がセンサ当たり３．９２ｍｍ２に低減される（（２．３
ｍｍ−２×０．３５ｍｍ）×（２．８ｍｍ−０．３５ｍ
ｍ）＝３．９２ｍｍ２）。
が多数設けられたウェハステープルの一部を示すにすぎ
ない。従って図４ｂでは、３つ示した接点孔９のうちの
２つでこれら接点孔の半分しか示されていない。図４ａ
の通常構成４０では、１つのセンサ素子当たり２つのチ
ップエッジに本発明のシールガラステープ構成を使用す
ることができる。しかし図４ｂに示したミラー構成では
１つのセンサチップ当たり３つのチップエッジで本発明
の構成を使用することができる。さらにセンサ素子を配
属された接点孔に対して画定することは、図２のソケッ
ト幅２１に相当する幅を有する幅を有するシールガラス
テープによって実現される。図４ｂのミラー構成の場
合、図２のシールガラステープ構成が基礎とされる構成
４０に対してウェハステープル当たり６０％のチップ面
積が節約される。この数字は、図４ａの横断面に沿って
関与するシールガラステープも含めたセンサ素子の長さ
が２．３ｍｍであり、これに対して垂直にセンサ素子と
所属の接点孔の必要な長さが２．８ｍｍであることを前
提とした場合に得られる。この構成の場合、必要な面積
は６．４４ｍｍ２である。これに対して図４ｂの本発明
のシールガラステープによるミラー構成では、必要面積
がセンサ当たり３．９２ｍｍ２に低減される（（２．３
ｍｍ−２×０．３５ｍｍ）×（２．８ｍｍ−０．３５ｍ
ｍ）＝３．９２ｍｍ２）。
【図１】センサの製造方法を説明する図である。
【図２】隣接するセンサ素子間に２つの接続テープを有
するウェハステープルの概略図である。
するウェハステープルの概略図である。
【図３】直接隣接するセンサ素子間に１つの接続テープ
しか有しないウェハステープルの概略図である。
しか有しないウェハステープルの概略図である。
【図４】通常構成およびミラー構成のセンサ素子を示す
概略図である。
概略図である。
１ 基板ウェハ ３ キャップウェハ ４ ブリッジ ５ 接続テープ ９ 接点孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 クルト ヴァイプレン ドイツ連邦共和国 メッツィンゲン ベン ツァー シュトラーセ ４ (72)発明者 シュテファン ピンター ドイツ連邦共和国 ロイトリンゲン ペス タロッツィシュトラーセ 142 (72)発明者 ホルスト ミュンツェル ドイツ連邦共和国 ロイトリンゲン グル オバッハシュトラーセ 60 (72)発明者 ヘルムート バウマン ドイツ連邦共和国 ゴーマリンゲン テオ ドール−フォンターネ−シュトラーセ １ (72)発明者 ディートリヒ シューベルト ドイツ連邦共和国 ロイトリンゲン ペー ター−ロゼガー−シュトラーセ 84 (72)発明者 カール ベンダー ドイツ連邦共和国 チュービンゲン ヒル シャウアー シュトラーセ ９ (72)発明者 マルクス ルッツ ドイツ連邦共和国 ロイトリンゲン フィ ツィオンシュトラーセ 23
Claims (12)
- 【請求項１】 センサ（１３）の製造方法であって、 基板ウェハ（１）に少なくとも２つのセンサ素子（２）
を配置し、 センサ素子に電気接点を設け、 接点孔（９）をキャップウェハ（３）に設け、 接続テープの形態の接続媒体をキャップウェハ（３）の
上に設け、 キャップウェハを基板ウェハ（１）に取り付けるステッ
プからなり、 ここで接続テープはセンサ素子（２）の間、および接点
孔（９）の周囲に配置され、 接続媒体は、センサ素子がそれぞれ配置された空洞部
（１７）を気密に封鎖する形式の製造方法において、 接続テープを次にようにキャップウェハに配置する、す
なわち、 キャップウェハを基板ウェハに、基板ウェハに配置され
た２つのセンサ素子間の領域に取り付けることによって
接続テープをそれぞれ正確に配置し、 ここで前記領域には接触接続部（１６）が配置されてお
らず、 キャップウェハ（３）を基板ウェハ（１）にボンディン
グした後に、 第１の切り出しステップで、キャップウェハと接続テー
プを、後でセンサの側面を形成する箇所で切り出し、 別のステップで空洞部の密閉度を検査し、 第２の切り出しステップで、基板ウェハを切り離すこと
によってセンサを完全に個別化する、ことを特徴とする
センサの製造方法。 - 【請求項２】 前記別のステップの前に、温度による修
復ステップを行う、請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 センサ素子を基板ウェハにペアで配置
し、 各ペアに１つの接点孔を配属し、 該接点孔により、ペアの２つのセンサ素子の接触部への
通路を形成する、請求項１または２記載の方法。 - 【請求項４】 少なくとも２つのペアを配置し、該ペア
を相互に横方向にずらして配置する、請求項３記載の方
法。 - 【請求項５】 基板ウェハにソケットを設け、 キャップウェハを基板ウェハに取り付ける際に、接続テ
ープをソケットに配置する、請求項１から４までのいず
れか１項記載の方法。 - 【請求項６】 基板ウェハ（１）と、該基板ウェハ上に
設けられた少なくとも２つのセンサ素子（２）と、前記
基板ウェハに取り付けられたキャップウェハ（３）と、
接触接続部（１６）と、少なくとも１つの接点孔（９）
とを有し、 該キャップウェハは接続媒体により基板ウェハと接合さ
れており、 接続媒体により形成された接続テープが空洞部（１７）
を気密に封鎖し、 該空洞部にはそれぞれセンサ素子が配置されており、 前記接触接続部は、各空洞部の外側に少なくとも１つ配
置されており、かつ所属のセンサ素子を電気接触接続す
るためのものであり、 前記接点孔はキャップウェハに空洞部の外側で配置され
ており、接触接続のために接近することを可能にする形
式の個別されていないウェハステープルにおいて、 基板ウェハ（１）に設けられた２つのセンサ素子間の領
域で、１つの接続テープが空洞部を正確に相互に分離し
ており、 当該領域には接触接続部は配置されていない、ことを特
徴とするウェハステープル。 - 【請求項７】 センサ素子はペアで配置されており、 各ペアに１つの接点孔（９）が配属されており、 該接点孔により、ペアの２つのセンサ素子の接触接続部
（１６）に接近することができる、請求項６記載のウェ
ハステープル。 - 【請求項８】 ウェハステープルは少なくとも２つのペ
アを有し、 当該ペアは相互にずれて配置されている、請求項７記載
のウェハステープル。 - 【請求項９】 キャップウェハ（３）はブリッジ（４）
を有する、請求項６から８までのいずれか１項記載のウ
ェハステープル。 - 【請求項１０】 基板ウェハ（１）はソケット（２０）
を有する、請求項６から９までのいずれか１項記載のウ
ェハステープル。 - 【請求項１１】 ブリッジ（４）は一体的にキャップウ
ェハから切り出し成形されている、請求項９記載のウェ
ハステープル。 - 【請求項１２】 ソケット（２０）とセンサ素子は、基
板ウェハに取り付けられたポリシリコン層から切り出し
成形されている、請求項１０記載のウェハステープル。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19700734A DE19700734B4 (de) | 1997-01-11 | 1997-01-11 | Verfahren zur Herstellung von Sensoren sowie nicht-vereinzelter Waferstapel |
| DE19700734.1 | 1997-01-11 |
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|---|---|---|---|
| JP2009181835A Division JP5334736B2 (ja) | 1997-01-11 | 2009-08-04 | ウェハステープル |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209470A true JPH10209470A (ja) | 1998-08-07 |
| JP4390225B2 JP4390225B2 (ja) | 2009-12-24 |
Family
ID=7817164
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00318798A Expired - Lifetime JP4390225B2 (ja) | 1997-01-11 | 1998-01-09 | センサの製造方法 |
| JP2009181835A Expired - Lifetime JP5334736B2 (ja) | 1997-01-11 | 2009-08-04 | ウェハステープル |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009181835A Expired - Lifetime JP5334736B2 (ja) | 1997-01-11 | 2009-08-04 | ウェハステープル |
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|---|---|
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