JPH0815067A - 静電容量型圧力センサの製造方法 - Google Patents
静電容量型圧力センサの製造方法Info
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- JPH0815067A JPH0815067A JP15206994A JP15206994A JPH0815067A JP H0815067 A JPH0815067 A JP H0815067A JP 15206994 A JP15206994 A JP 15206994A JP 15206994 A JP15206994 A JP 15206994A JP H0815067 A JPH0815067 A JP H0815067A
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- upper glass
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Abstract
(57)【要約】
【目的】個別の圧力センサに切離す切断工程で切断され
たガラス小片が回路部を損傷しないようにして製造歩留
りを向上させる。 【構成】上部ガラス板２に回路部３の列を内側に含む矩
形の開口２２を複数個形成する。開口２２は一つの圧力
センサと隣の圧力センサとを切離す切断線の一部を内側
に含む。単結晶シリコン基板に回路部３、薄肉部４、厚
肉部５、凹部６を形成してダイアフラム１を作る。ダイ
アフラム１と上部ガラス板２を貼合わせ、切断刃１０で
切断して個別の圧力センサに切離す。回路部３に金属線
９を接続する。予め上部ガラス板２に開口２２を設けて
おくと、回路部３の上に切断されたガラス小片が発生し
ないので回路部３を損傷することがなく、製造歩留りを
向上させることができる。またガラス切断部分が少なく
なり、切断刃１０の消耗が減る。
たガラス小片が回路部を損傷しないようにして製造歩留
りを向上させる。 【構成】上部ガラス板２に回路部３の列を内側に含む矩
形の開口２２を複数個形成する。開口２２は一つの圧力
センサと隣の圧力センサとを切離す切断線の一部を内側
に含む。単結晶シリコン基板に回路部３、薄肉部４、厚
肉部５、凹部６を形成してダイアフラム１を作る。ダイ
アフラム１と上部ガラス板２を貼合わせ、切断刃１０で
切断して個別の圧力センサに切離す。回路部３に金属線
９を接続する。予め上部ガラス板２に開口２２を設けて
おくと、回路部３の上に切断されたガラス小片が発生し
ないので回路部３を損傷することがなく、製造歩留りを
向上させることができる。またガラス切断部分が少なく
なり、切断刃１０の消耗が減る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン基板を用いた
静電容量型圧力センサの製造方法に関する。
静電容量型圧力センサの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン基板を用いた圧力センサは、シ
リコン基板の一部をエッチングして感圧ダイアフラムと
し、感圧部に向い合う部分に電極を設けたガラス板を設
けてダイアフラムと電極との間にコンデンサを形成し、
圧力変化に伴う容量の変化を検出するように構成されて
いる。従来の静電容量型圧力センサの製造方法について
説明しよう。
リコン基板の一部をエッチングして感圧ダイアフラムと
し、感圧部に向い合う部分に電極を設けたガラス板を設
けてダイアフラムと電極との間にコンデンサを形成し、
圧力変化に伴う容量の変化を検出するように構成されて
いる。従来の静電容量型圧力センサの製造方法について
説明しよう。
【０００３】図８は従来の静電容量型圧力センサのダイ
アフラムの製造方法を説明するための工程順に示した断
面図である。
アフラムの製造方法を説明するための工程順に示した断
面図である。
【０００４】まず、図８（ａ）に示すように、結晶方位
が〔１００〕である主面を有する単結晶の一導電型シリ
コン基板７１の一面にマスク７２を設け、窓あけし、シ
リコン基板７１と反対導電型のウェル７３を形成する。
が〔１００〕である主面を有する単結晶の一導電型シリ
コン基板７１の一面にマスク７２を設け、窓あけし、シ
リコン基板７１と反対導電型のウェル７３を形成する。
【０００５】次に、図８（ｂ）に示すように、ウェル７
３の中に一導電型の素子領域７４を形成する。
３の中に一導電型の素子領域７４を形成する。
【０００６】次に、図８（ｃ）に示すように、素子領域
７４に電極７５を設け、回路部３を形成する。回路部３
を絶縁膜７６で覆って保護する。
７４に電極７５を設け、回路部３を形成する。回路部３
を絶縁膜７６で覆って保護する。
【０００７】次に、図８（ｄ）に示すように、シリコン
基板７１の反対側の面にマスク７７，７８を設ける。マ
スク７７と７８とはエッチング性が異なる材料を用い
る。例えば、マスク７７にＳｉＯ2 を、マスク７８にＳ
ｉ3 Ｎ4 を使用する。薄肉部４を形成する領域のマスク
７７，７８を除去し、厚肉部１０４を形成する領域のマ
スク７７を残す。シリコン基板７１を異方性エッチング
して凹部７９を形成する。エッチング液にはＴＭＡＨ
（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、（Ｃ
Ｈ3 ）4 ＮＯＨ）などが適当である。
基板７１の反対側の面にマスク７７，７８を設ける。マ
スク７７と７８とはエッチング性が異なる材料を用い
る。例えば、マスク７７にＳｉＯ2 を、マスク７８にＳ
ｉ3 Ｎ4 を使用する。薄肉部４を形成する領域のマスク
７７，７８を除去し、厚肉部１０４を形成する領域のマ
スク７７を残す。シリコン基板７１を異方性エッチング
して凹部７９を形成する。エッチング液にはＴＭＡＨ
（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、（Ｃ
Ｈ3 ）4 ＮＯＨ）などが適当である。
【０００８】次に、図８（ｅ）に示すように、厚肉部５
を形成する領域のマスク７７を除去し、エッチングして
厚肉部５を形成すると同時に薄肉部４を形成する。そし
て、マスク７２，７７，７８を除去する。
を形成する領域のマスク７７を除去し、エッチングして
厚肉部５を形成すると同時に薄肉部４を形成する。そし
て、マスク７２，７７，７８を除去する。
【０００９】次に、図８（ｆ）に示すように、シリコン
基板７１の薄肉部４側の面に新しくマスク８０を設け、
反対側の面のマスク７２に窓をあけ、エッチングして凹
部６を形成する。
基板７１の薄肉部４側の面に新しくマスク８０を設け、
反対側の面のマスク７２に窓をあけ、エッチングして凹
部６を形成する。
【００１０】次に、図８（ｇ）に示すように、マスク７
２、８０を除去する。このようにしてダイアフラム１が
製造される。
２、８０を除去する。このようにしてダイアフラム１が
製造される。
【００１１】図９は従来の静電容量型圧力センサの上部
ガラス板の製造方法を説明するための工程順に示した断
面図である。
ガラス板の製造方法を説明するための工程順に示した断
面図である。
【００１２】まず、図９（ａ）に示すように、上部ガラ
ス板９１の両面にホトレジスト等でマスク９２，９３を
設け、マスク９３に開口９４を設ける。
ス板９１の両面にホトレジスト等でマスク９２，９３を
設け、マスク９３に開口９４を設ける。
【００１３】次に、図９（ｂ）に示すように、開口９４
を通して上部ガラス板９１をエッチングして凹部９５を
形成する。
を通して上部ガラス板９１をエッチングして凹部９５を
形成する。
【００１４】次に、図９（ｃ）に示すように、マスク９
２，９３を除去し、ダイアフラム１の凹部６に向い合う
面に金属の蒸着、選択エッチングを行って電極９６を形
成する。このようにして上部ガラス板９１が得られる。
２，９３を除去し、ダイアフラム１の凹部６に向い合う
面に金属の蒸着、選択エッチングを行って電極９６を形
成する。このようにして上部ガラス板９１が得られる。
【００１５】図１０は従来の静電容量型圧力センサの製
造における貼り合わせ工程と切断工程とを説明するため
の断面図、図１１は図１０（ｂ）の切断工程を説明する
ための平面図および断面図である。
造における貼り合わせ工程と切断工程とを説明するため
の断面図、図１１は図１０（ｂ）の切断工程を説明する
ための平面図および断面図である。
【００１６】まず、図１０（ａ）に示すように、ダイア
フラム１と上部ガラス板９１を重ねて位置合わせして陽
極接合法により貼合わせる。陽極接合は、約４００℃の
温度に加熱して直流電圧を印加することにより行われ
る。
フラム１と上部ガラス板９１を重ねて位置合わせして陽
極接合法により貼合わせる。陽極接合は、約４００℃の
温度に加熱して直流電圧を印加することにより行われ
る。
【００１７】次に、図１０（ｂ）および図１１に示すよ
うに、ダイアフラム１と上部ガラス板９１を切断刃１０
で切断して個別の圧力センサに切り離す。切断は、図１
１に破線９８，９９，１００で示すように、縦横２方向
に行う。破線９８，９９破線で示す切断は個別の圧力セ
ンサに切り離すため、破線１００で示す切断は回路部３
の上を開いて回路部３に金属線を接続するために行うも
のである。従って、破線１００で示す切断は上部ガラス
板９１の凹部９５の上の部分のみ行い、ダイアフラム１
を切断しない。なお、図１１で符号１１は感圧部を示
す。
うに、ダイアフラム１と上部ガラス板９１を切断刃１０
で切断して個別の圧力センサに切り離す。切断は、図１
１に破線９８，９９，１００で示すように、縦横２方向
に行う。破線９８，９９破線で示す切断は個別の圧力セ
ンサに切り離すため、破線１００で示す切断は回路部３
の上を開いて回路部３に金属線を接続するために行うも
のである。従って、破線１００で示す切断は上部ガラス
板９１の凹部９５の上の部分のみ行い、ダイアフラム１
を切断しない。なお、図１１で符号１１は感圧部を示
す。
【００１８】図１０（ｃ）に示すように、上部ガラス板
９１を切断すると、ガラス小片９７が切り出される。
９１を切断すると、ガラス小片９７が切り出される。
【００１９】図１０（ｄ）に示すように、ガラス小片９
７を取り除き、回路部３に金属線９を接続する。
７を取り除き、回路部３に金属線９を接続する。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の圧
力センサの製造方法において、切断工程で発生するガラ
ス小片９７が回路部３の上に落ちて回路部３を損傷さ
せ、製造歩留りを低下させるという問題がある。
力センサの製造方法において、切断工程で発生するガラ
ス小片９７が回路部３の上に落ちて回路部３を損傷さ
せ、製造歩留りを低下させるという問題がある。
【００２１】また、破線１００で示す切断は、切り込み
量が大き過ぎると回路部３を傷つけてしまうので、切り
込み量を制御しなければならないが、この制御は非常に
難しい。さらに、１枚の切断刃１０で切断を行う場合に
はこの切断に要する時間だけ余分に工数がかかるという
問題がある。
量が大き過ぎると回路部３を傷つけてしまうので、切り
込み量を制御しなければならないが、この制御は非常に
難しい。さらに、１枚の切断刃１０で切断を行う場合に
はこの切断に要する時間だけ余分に工数がかかるという
問題がある。
【００２２】本発明の目的は、個別の圧力センサに切り
離す切断工程で回路部の上に切断されたガラス小片が発
生しないようにして回路部の損傷を防ぎ、製造歩留りを
向上させる静電容量型圧力センサの製造方法を提供する
ことにある。
離す切断工程で回路部の上に切断されたガラス小片が発
生しないようにして回路部の損傷を防ぎ、製造歩留りを
向上させる静電容量型圧力センサの製造方法を提供する
ことにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】本発明の静電容量型圧力
センサの製造方法は、（Ａ）シリコン基板をエッチング
して縦横に整列して配置された凹部を形成することによ
り薄肉部を有する感圧部を縦横に整列して形成する工程
と、前記各々の感圧部の隣に前記感圧部からの信号を処
理する回路部を一つ宛形成する工程とを備えたダイアフ
ラム形成工程、（Ｂ）ガラス板の前記回路部の列に対応
する位置に、前記回路部の列を内側に含むように矩形の
開口を複数本平行に形成する工程と、前記ガラス板の前
記感圧部に向かい合う位置に電極を形成する工程とを備
えた上部ガラス板形成工程、（Ｃ）前記シリコン基板の
上面に前記上部ガラス板を前記感圧部と前記電極とが向
い合うように位置合わせして貼合わせる貼合わせ工程、
（Ｄ）前記貼合わせられた上部ガラス板とシリコン基板
とを縦方向および横方向に切断して個別の圧力センサに
切り離す切断工程、を備えたことを特徴とする。
センサの製造方法は、（Ａ）シリコン基板をエッチング
して縦横に整列して配置された凹部を形成することによ
り薄肉部を有する感圧部を縦横に整列して形成する工程
と、前記各々の感圧部の隣に前記感圧部からの信号を処
理する回路部を一つ宛形成する工程とを備えたダイアフ
ラム形成工程、（Ｂ）ガラス板の前記回路部の列に対応
する位置に、前記回路部の列を内側に含むように矩形の
開口を複数本平行に形成する工程と、前記ガラス板の前
記感圧部に向かい合う位置に電極を形成する工程とを備
えた上部ガラス板形成工程、（Ｃ）前記シリコン基板の
上面に前記上部ガラス板を前記感圧部と前記電極とが向
い合うように位置合わせして貼合わせる貼合わせ工程、
（Ｄ）前記貼合わせられた上部ガラス板とシリコン基板
とを縦方向および横方向に切断して個別の圧力センサに
切り離す切断工程、を備えたことを特徴とする。
【００２４】本発明は、前記開口が前記一つの圧力セン
サと隣の圧力センサとを切り離す切断線の一部を内側に
含むことを特徴とする。
サと隣の圧力センサとを切り離す切断線の一部を内側に
含むことを特徴とする。
【００２５】
【作用】本発明では、上部ガラス板の前記回路部の列に
対応する位置に、かつ前記回路部の列を内側に含む矩形
の開口を予め設けておいてから、上部ガラス板とシリコ
ン基板とを貼合わせ、個別の圧力センサに切り離す切断
を行うようにしたので、切断時にガラス小片が発生しな
く、従って回路部を損傷することがなく、製造歩留りを
向上させることができる。
対応する位置に、かつ前記回路部の列を内側に含む矩形
の開口を予め設けておいてから、上部ガラス板とシリコ
ン基板とを貼合わせ、個別の圧力センサに切り離す切断
を行うようにしたので、切断時にガラス小片が発生しな
く、従って回路部を損傷することがなく、製造歩留りを
向上させることができる。
【００２６】本発明では、前記開口が一つの圧力センサ
と隣の圧力センサとを切り離す切断線の一部を内側に含
むように形成したので、この切断線に沿って切断すると
きはシリコン基板のみ切断すればよい場所が増加し、ガ
ラスを切断する場所が減り、その分だけ切断工数が減る
と同時に切断刃の消耗が減り、切断刃の寿命が長くな
る。特に、開口の長辺に沿って切断するときはガラスを
切断する場所が矩形開口の両端の外側のみとなって大幅
に減り、短辺に沿う切断においてもガラスを切断する場
所が半分近くに減り、切断刃の消耗が大幅に減る。
と隣の圧力センサとを切り離す切断線の一部を内側に含
むように形成したので、この切断線に沿って切断すると
きはシリコン基板のみ切断すればよい場所が増加し、ガ
ラスを切断する場所が減り、その分だけ切断工数が減る
と同時に切断刃の消耗が減り、切断刃の寿命が長くな
る。特に、開口の長辺に沿って切断するときはガラスを
切断する場所が矩形開口の両端の外側のみとなって大幅
に減り、短辺に沿う切断においてもガラスを切断する場
所が半分近くに減り、切断刃の消耗が大幅に減る。
【００２７】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例を説明するため
の工程順に示した斜視図および断面図、図２は図１の上
部ガラス板の製造方法を説明するための工程順に示した
断面図、図３は本発明の第１の実施例における切断工程
を説明するための平面図および断面図である。
の工程順に示した斜視図および断面図、図２は図１の上
部ガラス板の製造方法を説明するための工程順に示した
断面図、図３は本発明の第１の実施例における切断工程
を説明するための平面図および断面図である。
【００２８】図１（ａ）に示すように、上部ガラス板２
を用意する。上部ガラス板２は、円板形で、位置決めの
ため円板の一部を切断した物から成る。切断部２１は通
常オリエンテーション・フラット２１と呼ばれている。
オリエンテーション・フラット２１を基準にして矩形の
開口２２を複数個平行に形成する。開口２２は、一つの
圧力センサと隣の圧力センサとを切り離す切断線の一部
を内側に含む寸法に形成する。上部ガラス板２は、図２
に示す手順により製造される。
を用意する。上部ガラス板２は、円板形で、位置決めの
ため円板の一部を切断した物から成る。切断部２１は通
常オリエンテーション・フラット２１と呼ばれている。
オリエンテーション・フラット２１を基準にして矩形の
開口２２を複数個平行に形成する。開口２２は、一つの
圧力センサと隣の圧力センサとを切り離す切断線の一部
を内側に含む寸法に形成する。上部ガラス板２は、図２
に示す手順により製造される。
【００２９】まず、図２（ａ）に示すように、上部ガラ
ス板２の両面にマスク材２３，２４を設け、窓２５，２
６を開ける。ガラスのエッチングはフッ化水素酸系のエ
ッチング液を用いるので、マスク材は、このエッチング
液に耐えるものであることが必要である。
ス板２の両面にマスク材２３，２４を設け、窓２５，２
６を開ける。ガラスのエッチングはフッ化水素酸系のエ
ッチング液を用いるので、マスク材は、このエッチング
液に耐えるものであることが必要である。
【００３０】次に、図２（ｂ）に示すように、フッ化水
素酸系のエッチング液でエッチングして開口２２を複数
個平行に形成する。
素酸系のエッチング液でエッチングして開口２２を複数
個平行に形成する。
【００３１】次に、図２（ｃ）に示すように、マスク材
２３，２４を除去し、電極８を設ける。
２３，２４を除去し、電極８を設ける。
【００３２】次に、図１（ｂ）に示すように、ダイアフ
ラム１を用意する。ダイアフラム１は、結晶方位が〔１
００〕である主面を有する単結晶シリコン基板の一面に
回路部３が形成され、その隣に薄肉部４と厚肉部５、凹
部６から成る感圧部が形成されたものから成る。ダイア
フラム１は、図８で説明した方法で製造される。
ラム１を用意する。ダイアフラム１は、結晶方位が〔１
００〕である主面を有する単結晶シリコン基板の一面に
回路部３が形成され、その隣に薄肉部４と厚肉部５、凹
部６から成る感圧部が形成されたものから成る。ダイア
フラム１は、図８で説明した方法で製造される。
【００３３】次に、図１（ｃ）に示すように、ダイアフ
ラム１の上に上部ガラス板２を置き、位置合わせした
後、陽極接合法で貼り合わせる。
ラム１の上に上部ガラス板２を置き、位置合わせした
後、陽極接合法で貼り合わせる。
【００３４】次に、図１（ｄ）および図３に示すよう
に、ダイアフラム１と上部ガラス板２を切断刃１０で切
断して個別の圧力センサに切り離す。切断は、図３に破
線１２，１３で示すように、一つの圧力センサと隣の圧
力センサとを切り離す縦横２方向の切断線に沿って行わ
れる。また、開口２２は、切断線の一部を開口２２の内
側に、かつ開口の辺に沿って含むように設けられている
ので、ガラスを切断する場所は大幅に低減する。なお、
図３で符号１１はダイアフラム１の感圧部を示す。
に、ダイアフラム１と上部ガラス板２を切断刃１０で切
断して個別の圧力センサに切り離す。切断は、図３に破
線１２，１３で示すように、一つの圧力センサと隣の圧
力センサとを切り離す縦横２方向の切断線に沿って行わ
れる。また、開口２２は、切断線の一部を開口２２の内
側に、かつ開口の辺に沿って含むように設けられている
ので、ガラスを切断する場所は大幅に低減する。なお、
図３で符号１１はダイアフラム１の感圧部を示す。
【００３５】次に、図１（ｅ）に示すように、回路部３
に金属線９を接続する。
に金属線９を接続する。
【００３６】このように、予め上部ガラス板２に開口２
２を設けておくと、切断時にガラス小片９７（図１０参
照）が発生しないので回路部３を損傷することがなく、
製造歩留りを向上させることができる。また、図１１に
破線１００で示した切断がなくなったので、その分だけ
切断工数が減ると同時に切断刃１０の消耗が減り、切断
刃の寿命が長くなる。さらに、図１（ｄ）と図１０
（ｃ）並びに図３と図１１を比較すれば明らかなよう
に、本発明の方法では、ガラスを切断する部分が少な
く、その分だけ切断刃１０の消耗が減り、切断刃の寿命
がさらに長くなる。
２を設けておくと、切断時にガラス小片９７（図１０参
照）が発生しないので回路部３を損傷することがなく、
製造歩留りを向上させることができる。また、図１１に
破線１００で示した切断がなくなったので、その分だけ
切断工数が減ると同時に切断刃１０の消耗が減り、切断
刃の寿命が長くなる。さらに、図１（ｄ）と図１０
（ｃ）並びに図３と図１１を比較すれば明らかなよう
に、本発明の方法では、ガラスを切断する部分が少な
く、その分だけ切断刃１０の消耗が減り、切断刃の寿命
がさらに長くなる。
【００３７】図４は本発明の第２の実施例で製造した圧
力センサの断面図である。
力センサの断面図である。
【００３８】ダイアフラム３１は、単結晶シリコン基板
の一方の面に回路部３２が形成され、他方の面からのみ
のエッチングにより薄肉部３３と厚肉部３４から成る感
圧部が形成されたものから成り、従来あった一方の面側
の凹部は形成されていない。その代わりに、上部ガラス
板４１に凹部４２が形成され、そこに電極４３が形成さ
れている。それ以外は図１（ｅ）に示したものと同じで
ある。
の一方の面に回路部３２が形成され、他方の面からのみ
のエッチングにより薄肉部３３と厚肉部３４から成る感
圧部が形成されたものから成り、従来あった一方の面側
の凹部は形成されていない。その代わりに、上部ガラス
板４１に凹部４２が形成され、そこに電極４３が形成さ
れている。それ以外は図１（ｅ）に示したものと同じで
ある。
【００３９】図５は図４のダイアフラムの製造方法を説
明するための工程順に示した断面図である。
明するための工程順に示した断面図である。
【００４０】まず、図５（ａ）に示すように、結晶方位
が〔１００〕である主面を有する単結晶の一導電型シリ
コン基板５１の一面にマスク５２を設け、窓あけし、シ
リコン基板５１と反対導電型のウェル５３を形成する。
が〔１００〕である主面を有する単結晶の一導電型シリ
コン基板５１の一面にマスク５２を設け、窓あけし、シ
リコン基板５１と反対導電型のウェル５３を形成する。
【００４１】次に、図５（ｂ）に示すように、ウェル５
３の中に一導電型の素子領域５４を形成する。素子領域
５４に電極５５を設け、回路部３２を形成する。回路部
３２を絶縁膜５６で覆って保護する。
３の中に一導電型の素子領域５４を形成する。素子領域
５４に電極５５を設け、回路部３２を形成する。回路部
３２を絶縁膜５６で覆って保護する。
【００４２】次に、図５（ｃ）に示すように、シリコン
基板５１の反対側の面にマスク５７，５８を設ける。マ
スク５７と５８とはエッチング性が異なる材料を用い
る。例えば、マスク５７にＳｉＯ2 を、マスク５８にＳ
ｉ3 Ｎ4 を使用する。薄肉部３３を形成する領域のマス
ク５７，５８を除去し、厚肉部３４を形成する領域のマ
スク５７を残す。
基板５１の反対側の面にマスク５７，５８を設ける。マ
スク５７と５８とはエッチング性が異なる材料を用い
る。例えば、マスク５７にＳｉＯ2 を、マスク５８にＳ
ｉ3 Ｎ4 を使用する。薄肉部３３を形成する領域のマス
ク５７，５８を除去し、厚肉部３４を形成する領域のマ
スク５７を残す。
【００４３】次に、図５（ｄ）に示すように、シリコン
基板５１を異方性エッチングして凹部５９を形成する。
エッチング液にはＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウム
ハイドロオキサイド、（ＣＨ3 ）4 ＮＯＨ）などが適当
である。
基板５１を異方性エッチングして凹部５９を形成する。
エッチング液にはＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウム
ハイドロオキサイド、（ＣＨ3 ）4 ＮＯＨ）などが適当
である。
【００４４】次に、図５（ｅ）に示すように、厚肉部３
４を形成する領域のマスク５７を除去し、エッチングし
て厚肉部３４を形成すると同時に薄肉部３３を形成す
る。そして、マスク５２，５７，５８を除去する。この
ようにして図４に示すダイアフラム３１が製造される。
４を形成する領域のマスク５７を除去し、エッチングし
て厚肉部３４を形成すると同時に薄肉部３３を形成す
る。そして、マスク５２，５７，５８を除去する。この
ようにして図４に示すダイアフラム３１が製造される。
【００４５】図６は図４の上部ガラス板の製造方法を説
明するための工程順に示した断面図である。
明するための工程順に示した断面図である。
【００４６】まず、図６（ａ）に示すように、ガラス板
６１の上面にマスク６２を、下面にマスク６３，６４を
設ける。ガラスのエッチングはフッ化水素酸系のエッチ
ング液を用いるので、マスク材は、このエッチング液に
耐えるものであることが必要である。また、マスク６３
と６４は、耐エッチング性が異なるものであることが必
要である。このようなレジスト材として、例えばポジ型
とネガ型のホトレジストがある。マスク６３にポジ型ホ
トレジストを、マスク６４にネガ型ホトレジストを用い
るのも一つの方法であり、この逆の用い方もできる。マ
スク６２，６３，６４を形成した後、凹部４２、開口４
４を形成する領域のマスク６４に開口６５，６６を設
け、更に開口６６のマスク６３を除去し、ガラス板２０
の表面を露出させる。
６１の上面にマスク６２を、下面にマスク６３，６４を
設ける。ガラスのエッチングはフッ化水素酸系のエッチ
ング液を用いるので、マスク材は、このエッチング液に
耐えるものであることが必要である。また、マスク６３
と６４は、耐エッチング性が異なるものであることが必
要である。このようなレジスト材として、例えばポジ型
とネガ型のホトレジストがある。マスク６３にポジ型ホ
トレジストを、マスク６４にネガ型ホトレジストを用い
るのも一つの方法であり、この逆の用い方もできる。マ
スク６２，６３，６４を形成した後、凹部４２、開口４
４を形成する領域のマスク６４に開口６５，６６を設
け、更に開口６６のマスク６３を除去し、ガラス板２０
の表面を露出させる。
【００４７】次に、図６（ｂ）に示すように、開口６６
を通してエッチングを行い、凹部６７を形成する。
を通してエッチングを行い、凹部６７を形成する。
【００４８】次に、図６（ｃ）に示すように、開口６５
のマスク６３を除去し、開口６４，６６を通してエッチ
ングして凹部４２を形成すると共に凹部６７を更に深く
エッチングして開口４４を形成する。
のマスク６３を除去し、開口６４，６６を通してエッチ
ングして凹部４２を形成すると共に凹部６７を更に深く
エッチングして開口４４を形成する。
【００４９】次に、図６（ｄ）に示すように、マスク６
１〜６４を除去した後、金属の蒸着と選択除去により電
極４３を形成して上部ガラス板４１を得る。
１〜６４を除去した後、金属の蒸着と選択除去により電
極４３を形成して上部ガラス板４１を得る。
【００５０】図７は本発明の第２の実施例における切断
工程を説明するための工程順に示した断面図である。
工程を説明するための工程順に示した断面図である。
【００５１】まず、図７（ａ）に示すように、以上のよ
うにして得られたダイアフラム１の上に上部ガラス板２
を重ね合わせ、位置合わせして陽極接合する。
うにして得られたダイアフラム１の上に上部ガラス板２
を重ね合わせ、位置合わせして陽極接合する。
【００５２】次に、図７（ｂ）に示すように、ダイアフ
ラム３１と上部ガラス板４１を切断刃１０で切断して個
別の圧力センサに切り離す。第１の実施例と同様に、切
断は、図３に破線１２，１３で示すように縦横２方向に
行う。
ラム３１と上部ガラス板４１を切断刃１０で切断して個
別の圧力センサに切り離す。第１の実施例と同様に、切
断は、図３に破線１２，１３で示すように縦横２方向に
行う。
【００５３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、上部
ガラス板に予め開口を設けてにおき、ダイアフラムに貼
り付け、開口の内側に沿って切断するようにしたので、
切り離されたガラス小片が発生せず、従って、ガラス小
片による回路部の損傷も発生せず、製造歩留りを向上さ
せることができる。さらに、切断数とガラスを切断する
部分が減るので、切断工数が低減されると共に切断刃の
寿命が長くなる。
ガラス板に予め開口を設けてにおき、ダイアフラムに貼
り付け、開口の内側に沿って切断するようにしたので、
切り離されたガラス小片が発生せず、従って、ガラス小
片による回路部の損傷も発生せず、製造歩留りを向上さ
せることができる。さらに、切断数とガラスを切断する
部分が減るので、切断工数が低減されると共に切断刃の
寿命が長くなる。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するための工程順
に示した斜視図および断面図である。
に示した斜視図および断面図である。
【図２】図１の上部ガラス板の製造方法を説明するため
の工程順に示した断面図である。
の工程順に示した断面図である。
【図３】本発明の第１の実施例における切断工程を説明
するための平面図および断面図である。
するための平面図および断面図である。
【図４】本発明の第２の実施例で製造した圧力センサの
断面図である。
断面図である。
【図５】図４のダイアフラムの製造方法を説明するため
の工程順に示した断面図である。
の工程順に示した断面図である。
【図６】図４の上部ガラス板の製造方法を説明するため
の工程順に示した断面図である。
の工程順に示した断面図である。
【図７】本発明の第２の実施例における切断工程をを説
明するための工程順に示した断面図である。
明するための工程順に示した断面図である。
【図８】従来の静電容量型圧力センサのダイアフラムの
製造方法を説明するための工程順に示した断面図であ
る。
製造方法を説明するための工程順に示した断面図であ
る。
【図９】従来の静電容量型圧力センサの上部ガラス板の
製造方法を説明するための工程順に示した断面図であ
る。
製造方法を説明するための工程順に示した断面図であ
る。
【図１０】従来の静電容量型圧力センサの製造における
貼り合わせ工程と切断工程とを説明するための断面図で
ある。
貼り合わせ工程と切断工程とを説明するための断面図で
ある。
【図１１】図１０（ｂ）の切断工程を説明するための平
面図および断面図である。
面図および断面図である。
１ ダイアフラム ２ 上部ガラス板 ３ 回路部 ４ 薄肉部 ５ 厚肉部 ６ 凹部 ８ 電極 ９ 金属線 １０ 切断刃 ２２ 開口
【手続補正書】
【提出日】平成７年８月２２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】次に、図８（ｄ）に示すように、シリコン
基板７１の反対側の面にマスク７７，７８を設ける。マ
スク７７と７８とはエッチング性が異なる材料を用い
る。例えば、マスク７７にＳｉＯ２を、マスク７８にＳ
ｉ３Ｎ４を使用する。薄肉部４を形成する領域のマスク
７７，７８を除去し、厚肉部５を形成する領域のマスク
７７を残す。シリコン基板７１を異方性エッチングして
凹部７９を形成する。エッチング液にはＴＭＡＨ（テト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、（ＣＨ３）
４ＮＯＨ）などが適当である。
基板７１の反対側の面にマスク７７，７８を設ける。マ
スク７７と７８とはエッチング性が異なる材料を用い
る。例えば、マスク７７にＳｉＯ２を、マスク７８にＳ
ｉ３Ｎ４を使用する。薄肉部４を形成する領域のマスク
７７，７８を除去し、厚肉部５を形成する領域のマスク
７７を残す。シリコン基板７１を異方性エッチングして
凹部７９を形成する。エッチング液にはＴＭＡＨ（テト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、（ＣＨ３）
４ＮＯＨ）などが適当である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】次に、図８（ｅ）に示すように、厚肉部５
を形成する領域のマスク７７を除去し、エッチングして
厚肉部５を形成すると同時に薄肉部４を形成する。そし
て、マスク７７，７８を除去する。
を形成する領域のマスク７７を除去し、エッチングして
厚肉部５を形成すると同時に薄肉部４を形成する。そし
て、マスク７７，７８を除去する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
Claims (2)
- 【請求項１】 （Ａ）シリコン基板をエッチングして縦
横に整列して配置された凹部を形成することにより薄肉
部を有する感圧部を縦横に整列して形成する工程と、前
記各々の感圧部の隣に前記感圧部からの信号を処理する
回路部を一つ宛形成する工程とを備えたダイアフラム形
成工程、 （Ｂ）ガラス板の前記回路部の列に対応する位置に、前
記回路部の列を内側に含むように矩形の開口を複数本平
行に形成する工程と、前記ガラス板の前記感圧部に向か
い合う位置に電極を形成する工程とを備えた上部ガラス
板形成工程、 （Ｃ）前記シリコン基板の上面に前記上部ガラス板を前
記感圧部と前記電極とが向い合うように位置合わせして
貼合わせる貼合わせ工程、 （Ｄ）前記貼合わせられた上部ガラス板とシリコン基板
とを切断して個別の圧力センサに切り離す切断工程、 を備えたことを特徴とする静電容量型圧力センサの製造
方法。 - 【請求項２】 前記開口が前記一つの圧力センサと隣の
圧力センサとを切り離す切断線の一部を前記開口の内側
にかつ前記開口の辺に沿って含むことを特徴とする請求
項１記載の静電容量型圧力センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15206994A JPH0815067A (ja) | 1994-07-04 | 1994-07-04 | 静電容量型圧力センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15206994A JPH0815067A (ja) | 1994-07-04 | 1994-07-04 | 静電容量型圧力センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0815067A true JPH0815067A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15532380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15206994A Withdrawn JPH0815067A (ja) | 1994-07-04 | 1994-07-04 | 静電容量型圧力センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0815067A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009260388A (ja) * | 1997-01-11 | 2009-11-05 | Robert Bosch Gmbh | ウェハステープル |
-
1994
- 1994-07-04 JP JP15206994A patent/JPH0815067A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009260388A (ja) * | 1997-01-11 | 2009-11-05 | Robert Bosch Gmbh | ウェハステープル |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010904 |