JPH08247877A

JPH08247877A - 静電容量型圧力センサとその製造方法

Info

Publication number: JPH08247877A
Application number: JP5077195A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Endo; 智遠藤
Original assignee: Yazaki Corp
Current assignee: Yazaki Corp
Priority date: 1995-03-10
Filing date: 1995-03-10
Publication date: 1996-09-27
Anticipated expiration: 2015-07-10
Also published as: JP3061249B2

Abstract

(57)【要約】【目的】ダイアフラムを構成するシリコン層の絶縁分離
と応力緩和を図り、シリコン層に信号処理回路を形成
し、低コストで圧力センサを製造する。【構成】シリコン基板１の表面にシリコンとほぼ熱膨張
率が等しい絶縁膜２を形成し、その上にシリコン層３を
形成する。シリコン層３の上面に底面が平坦な凹部４を
形成し、上面に下部電極５、信号処理回路部６、接続配
線７を形成する。シリコン基板１を選択エッチングして
薄肉部８と厚肉部９を形成する。薄肉部８は感圧部を構
成する。上部ガラス板１１の下面に上部電極１２を形成
する。上部ガラス板１１とシリコン層３を陽極接合法に
より貼合わせる。シリコン層３は絶縁膜２で絶縁分離さ
れるので、応力が緩和され、信号処理回路を形成するこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、シリコン基板を用いた
静電容量型圧力センサとその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】シリコンを用いた圧力センサは、シリコ
ン基板の一部をエッチングして感圧ダイアフラムとし、
感圧部に向い合う部分に電極を有するガラス板を設けて
ダイアフラムと電極との間にコンデンサを形成し、圧力
変化に伴う容量の変化を検出するように構成されてい
る。シリコンを用いた圧力センサの技術については、例
えば特開平４−９７２７に開示されている。

【０００３】図４は従来の静電容量型圧力センサの一例
の断面図である。

【０００４】図４（ａ）に示すように、圧力センサ４０
のダイアフラムは、単結晶のシリコン基板４１を両面か
らエッチングして底面が平坦な凹部４２，４３，４４を
形成して薄肉部４５を形成する。上面に不純物を拡散し
て下部電極４６と拡散リード４７を設ける。シリコン基
板４１の下面にＳｉＯ₂膜４８、Ｓｉ₃Ｎ₄膜４９をＣ
ＶＤ法で形成する。

【０００５】上部ガラス板５１は、ダイアフラムの凹部
４３に向い合う位置に円錐台形の貫通孔５２が設けら
れ、貫通孔５２の底面に導電体の蓋部材５３が設けられ
る。上部ガラス板５１の下面にスパッタ法等により上部
電極５４を形成し、上部電極５４の一部は蓋部材５３を
覆って電気的に接続する。上部ガラス板５１の上面に金
属配線５５ａ，５５ｂを、金属配線５５ａは貫通孔５２
の内面、底面を通って導電体の蓋部材５３に電気的に接
触した後再び上面に出るように、形成する。上部ガラス
板５１の上面に容量検出用ＩＣチップ５６を固着し、Ｉ
Ｃチップ５６の電極５７を金属線５８で金属配線５５
ａ，５５ｂに接続する。これにより上部電極５４は蓋部
材５３、金属配線５５ａを介して容量検出用ＩＣチップ
５６と接続する。

【０００６】上部ガラス板５１とシリコン基板４１と
は、例えば、約４００℃に加熱して６００〜１０００Ｖ
の直流電圧を印加する陽極接合法で貼り合わされる。図
示されていないが、この貼り合わで下部電極はＩＣチッ
プ５６の電極の他の電極と接続される。シリコン基板４
１の凹部４３は、この貼り合わせで蓋部材５３の表面に
設けられた上部電極５４が下部電極４６と接触しないよ
うにするために設けられるものである。このようにし
て、圧力センサ４０が製造される。

【０００７】図４（ｂ）に示すように、金属製基台６１
にはガラス６３で絶縁され気密封止された２本の端子６
２が設けられ、中央に貫通孔６４があけられている。基
台６１の上面に貫通孔６６を有するガラス製の台座６５
を、貫通孔６４と貫通孔６６とを位置合わせして、ろう
材６７で固着する。台座６５の上面に、図４（ａ）に示
す圧力センサ４０を、その凹部４４が貫通孔６６と通気
するように位置合わせしてろう材６８で固着する。そし
て、金属線６９で圧力センサ４０の電極を２本の端子６
２にそれぞれボンディング接続する。基台６１にキャッ
プ７０を被せて溶接により封止する。そして、基台６１
の下面に圧力導入パイプ７１を取り付ける。これによ
り、実用に供される圧力センサが製造される。

【０００８】上記圧力センサにおいて、ガラス製の台座
６５は、圧力センサ４０のダイアフラムを構成している
シリコン基板４１と金属製基台６１とを電気的に絶縁す
るためと、シリコン基板４１と金属製基台６１との間の
熱膨張率の差に起因する応力を緩和するために設けられ
るものである。シリコン基板４１を金属製基台６１には
んだ等で直接ろう付けすると、下部電極４６が金属製基
台６１に短絡して静電容量値が狂うので、シリコン基板
４１と金属製基台６１とを絶縁するのである。また、シ
リコンの熱膨張率は４．２×１０^-6／℃、基台６１が鉄
とすると熱膨張率は１３．２×１０^-6／℃で３倍以上も
異なるので、その中間の熱膨張率をもったガラス、例え
ば熱膨張率８．９×１０^-6／℃の鉛カリソーダガラス、
熱膨張率９．３×１０^-6／℃のソーダライムガラス等を
台座６５に用いて応力を緩和しているのである。シリコ
ンの熱膨張率に近い熱膨張率をもったガラスとして熱膨
張率（４．６〜４．７）×１０^-6／℃のホウ珪酸ガラス
やカリガラス等の硬質ガラスがあるが、硬質ガラスは鉄
と熱膨張率が違い過ぎて、封着すると割れてしまうの
で、台座６５には使用できない。

【０００９】上述のように、台座６５を用いてシリコン
基板にかかる応力を緩和しても、熱膨張率が２倍以上も
異なるので、シリコン基板にはかなり大きな歪みが生ず
る。この歪みがあると、シリコン基板に容量検出用集積
回路や圧力算出用集積回路を形成しても良好な特性をも
った集積回路を作ることができないという問題がある。
このため、図４に示した従来例ではシリコン基板に容量
検出用集積回路や圧力算出用集積回路を設けず、容量検
出用ＩＣチップ５６を別個に作り、上部ガラス板５１の
上に設けているのである。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】このように、台座６５
を用いて絶縁と応力緩和を図り、容量検出用ＩＣチップ
５６を別個に作る従来の構造では、台座とＩＣチップの
部品コストと、この部品を組み立てる工数が余分にかか
り、圧力センサ全体のコストが高くなるという問題があ
った。

【００１１】本発明の目的は、ガラス台座を用いなくて
も絶縁と応力緩和を図ることができ、ダイアフラムを構
成するシリコン層に容量検出用の信号処理回路を形成す
ることができ、簡単な構造を有し低コストで製造できる
静電容量型圧力センサとその製造方法を提供することに
ある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の静電容量型圧力
センサは、シリコン基板の上にシリコンと熱膨張率のほ
ぼ等しい絶縁膜を介して設けられた一導電型で単結晶の
シリコン層と、このシリコン層の上面に設けられ底面が
平坦な凹部と、この凹部の底面に形成された反対導電型
領域からなる下部電極と、この下部電極に向かい合う前
記シリコン基板の領域を前記絶縁膜が露出するまで選択
除去して形成される薄肉部とを有するダイアフラムと、
前記ダイアフラムの上面に取付けられ前記下部電極に間
隔をおいて対向する上部電極を有する上部ガラス板と、
前記シリコン層の表面に設けられ前記下部電極と前記上
部電極からの信号を受けて圧力値を算出する信号処理回
路とを備えたことを特徴とする。

【００１３】本発明は、前記薄肉部が前記絶縁膜と前記
シリコン層とから成ることを特徴とする。

【００１４】本発明は、前記薄肉部が前記シリコン層の
みから成ることを特徴とする。

【００１５】本発明は、前記薄肉部の中央部分に前記シ
リコン基板の一部で構成され前記薄肉部よりも厚い厚肉
部を有することを特徴とする。

【００１６】本発明は、前記厚肉部が前記絶縁膜を介し
て前記シリコン層と接していることを特徴とする請求項
４記載の静電容量型圧力センサ。

【００１７】本発明は、前記信号処理回路が反対導電型
領域で形成される接続配線で前記下部電極に接続するこ
とを特徴とする。

【００１８】本発明の静電容量型圧力センサの製造方法
は、（Ａ）シリコン基板の表面に所定の厚さでかつシリ
コンと熱膨張率のほぼ等しい絶縁膜を形成する工程と、
この絶縁膜の上に一導電型で単結晶のシリコン層を貼り
付ける工程と、このシリコン層を所定の厚さに調整する
工程と、このシリコン層の上面を選択エッチングして底
面が平坦な凹部を形成する工程と、この凹部に反対導電
型不純物を導入して反対導電型の下部電極を形成する工
程と、この下部電極の隣の前記シリコン層に不純物を導
入して信号処理回路とこの信号処理回路を前記下部電極
に接続する反対導電型領域の接続配線を形成する工程
と、前記下部電極に向かい合う前記シリコン基板の領域
を選択除去して薄肉部を形成する工程とを備えたダイア
フラム形成工程、（Ｂ）ガラス板の下面に前記下部電極
に向い合う上部電極を形成する工程と、この上部電極を
前記信号処理回路に接続するための接続配線を形成する
工程とを備えた上部ガラス板形成工程、（Ｃ）前記ダイ
アフラムの上面に前記上部ガラス板を前記下部電極と前
記上部電極とが向い合うように位置合わせして貼合わせ
ると同時に前記接続配線を前記信号処理回路に接続する
工程とを備えたことを特徴とする。

【００１９】本発明は、前記薄肉部を形成する工程が、
前記シリコン基板のみを選択除去して形成する工程であ
ることを特徴とする。

【００２０】本発明は、前記薄肉部を形成する工程が、
前記シリコン基板と前記絶縁膜とを選択除去して形成す
る工程であることを特徴とする。

【００２１】本発明は、前記薄肉部の中央部分に前記シ
リコン基板の一部を選択除去して厚肉部を形成する工程
を含むことを特徴とする。

【００２２】

【作用】本発明では、シリコン層を絶縁膜でシリコン基
板と絶縁分離したので、シリコン基板にかかる応力に起
因する歪みがシリコン層に直接伝わらなくなり、シリコ
ン層に下部電極、信号処理回路を設け、従って台座を必
要としなくなり、また、圧力算出回路を別個に作って取
り付ける必要がなくなり、圧力センサを低コストで製造
することができる。

【００２３】前記薄肉部は、シリコン層に凹部を形成す
るときの選択エッチングとシリコン基板の選択エッチン
グとで形成されるが、シリコン基板の選択エッチングの
とき絶縁膜はエッチ・ストッパの役目をしている。それ
故、絶縁膜が露出するようにエッチングすれば、薄肉部
の厚さは凹部の下のシリコン層の厚さと絶縁膜の厚さで
決まり、シリコン基板の過剰エッチングにより薄肉部の
厚さがばらつくというようなことは起こらない。

【００２４】圧力センサの感度を高めるためには薄肉部
の厚さは薄い方がよい。このため、絶縁膜を除去して、
薄肉部をシリコン層のみで構成して薄肉部の厚さを薄く
すると、圧力センサの感度を高めることができる。絶縁
膜はエッチ・ストッパの役目をしているから、絶縁膜の
除去はシリコン基板の選択エッチングが終了した後にす
る。薄肉部の厚さの制御は、凹部の下のシリコン層の厚
さの制御のみ行えばよいことになる。

【００２５】圧力センサの感圧部は、薄肉部のみで構成
することができるが、大きな圧力がかかったとき、薄肉
部が円弧状に撓み、上部電極とダイアフラムとが平行に
ならず、圧力−容量変換が複雑になる。これを防ぎ、上
部電極とダイアフラムとの平行度を保つために、薄肉部
の中央部分に厚肉部を設ける。厚肉部は、薄肉部よりも
厚く、シリコン基板よりも薄くするのが普通であるが、
シリコン基板と同じ厚さにしても良い。

【００２６】前記厚肉部は、シリコン基板の一部を選択
エッチングして作られるので、厚肉部は絶縁膜を介して
前記シリコン層と接している。

【００２７】信号処理回路をシリコン層に形成したの
で、信号処理回路を下部電極に接続するため、下部電極
と同導電型の反対導電型領域で接続配線を形成して下部
電極に接続する。

【００２８】この発明では、シリコン基板の表面に絶縁
膜を形成し、この絶縁膜の上にシリコン層を貼り付ける
ことにより絶縁膜で分離されたシリコン層を形成してい
る。この方法でシリコン層がシリコン基板から分離さ
れ、歪みのないシリコン層を形成することができ、シリ
コン層に下部電極、信号処理回路を設けることができる
ようになり、台座と圧力算出回路を別個に作って取り付
ける必要がなくなり、圧力センサを低コストで製造する
ことができるようになる。

【００２９】上述のように、感圧部となる薄肉部を絶縁
膜とシリコン層とで構成するときは、シリコン基板のみ
を選択除去する工程で薄肉部を形成することができる。

【００３０】圧力センサの感度を高めるためには薄肉部
の厚さは薄い方がよい。このため、薄肉部をシリコン層
のみで構成し、絶縁膜を除去する。絶縁膜はエッチ・ス
トッパの役目をしているから、シリコン基板の選択エッ
チングが終了した後に絶縁膜を除去する。

【００３１】薄肉部が円弧状に撓むのを防ぎ、上部電極
とダイアフラムとの平行度を保つために、薄肉部の中央
部分に厚肉部を設けるが、厚肉部はシリコン基板の一部
を選択除去して形成する。

【００３２】

【実施例】図１は本発明の第１の実施例の断面図であ
る。

【００３３】シリコン基板１は、結晶方位が〔１００〕
である主面を有する単結晶のシリコン板から成る。この
シリコン基板１の表面に絶縁膜２を形成する。絶縁膜２
としてＳｉＯ₂にＡｌ₂Ｏ₃２２％，ＺｎＯ１０％，Ｍ
ｇＯ５％が含まれた物が選ばれる。絶縁膜２の上に一導
電型で単結晶のシリコン層３を形成する。シリコン層３
の上面に底面が平坦な凹部４を形成し、凹部４を含むシ
リコン層３の上面から反対導電型の不純物を高濃度に拡
散して高伝導度の下部電極５を形成する。凹部４の隣の
領域に信号処理回路６を形成し、反対導電型不純物の拡
散により接続配線７、ボンディングパッド１３を形成
し、下部電極５と信号処理回路６とを接続する。シリコ
ン基板１を選択エッチングして凹部２６を形成すること
により薄肉部８と厚肉部９を形成する。薄肉部８は、絶
縁膜２とシリコン層３とからなり、感圧部を構成する。
シリコン基板１の底面にはんだ付け用Ｎｉ膜１０を形成
する。これによりダイアフラムが構成される。

【００３４】上部ガラス板１１は、下部電極５に向い合
う領域に上部電極１２を形成し、この上部電極１２を信
号処理回路６に接続する接続配線（図示せず）を形成す
ることにより作られる。

【００３５】シリコン層３の上面に上部ガラス板１１を
置き、下部電極５と上部電極１２とが向い合うように位
置合わせして、陽極接合法により貼合わせると同時に接
続配線を信号処理回路６に接続する。ボンディングパッ
ド１３に金属線１４を熱圧着法で取り付ける。

【００３６】厚肉部９は、必ずしも必要ではないが、大
きな圧力がかかったとき、薄肉部８が円弧状に撓むのを
防ぎ、上部電極１２とダイアフラムとの平行度を安定に
保つ効果があるので、厚肉部９を設けた方が良い。厚肉
部９は、薄肉部８よりも厚く、シリコン基板１よりも薄
くするのが普通であるが、シリコン基板１と同じ厚さに
しても良い。

【００３７】図２は本発明の第２の実施例の断面図であ
る。

【００３８】第２の実施例においては、薄肉部８の絶縁
膜２を除去して、シリコン層３のみで薄肉部８を形成し
ている。厚肉部９は絶縁膜２を介してシリコン層３に接
している。このようにすると、小さな圧力でも薄肉部８
が撓み易くなり、検出感度が高くなるという効果が得ら
れる。絶縁膜２を除去するエッチング剤ではシリコン層
３は殆ど侵されないので、薄肉部８の厚さはシリコン層
３の厚さに維持される。それ以外は第１の実施例と同じ
である。

【００３９】第１および第２の実施例においては、シリ
コン層３は、絶縁膜２によりシリコン基板１と完全に絶
縁されていて電気信号はすべてシリコン層３から取り出
すことができる。このことは、シリコン基板１をどこに
取付けてもシリコン層３は常に絶縁されていて取付場所
の影響を受けないという大きな利点を有していることを
示す。

【００４０】また、シリコン層３は、絶縁膜２によりシ
リコン基板１から完全に分離されているから、シリコン
基板１の歪みはシリコン層３に直接伝わらない。絶縁膜
２を構成しているシリコンとほぼ等しい熱膨張率の膜
（ＳｉＯ₂５９％，Ａｌ₂Ｏ₃２２％，ＺｎＯ１０％，
ＭｇＯ５％）の熱膨張率は約（２〜３）×１０^-6／℃で
あり、シリコンの熱膨張率４．２×１０^-6／℃に近く、
シリコン層３にそれ程大きな応力を及ぼさない。従っ
て、シリコン層３には歪みが余り発生せず、シリコン層
３に信号処理回路６を形成することができる。それ故、
従来例のように、容量検出用ＩＣチップを別個に作る必
要はなく、部品コスト、組み立て工数が節減でき、コス
トダウンがはかれる。

【００４１】図３は図１のダイアフラムの製造方法を説
明するための工程順に示した断面図である。

【００４２】まず、図３（ａ）に示すように、結晶方位
が〔１００〕である主面を有する単結晶のシリコン基板
１の表面にシリコンと熱膨張率がほぼ等しい絶縁膜２
（ＳｉＯ₂５９％，Ａｌ₂Ｏ₃２２％，ＺｎＯ１０％，
ＭｇＯ５％）をスパッタにより約０．５〜１μｍの厚さ
に設ける。絶縁膜２は、相当正確に形成することがで
き、±０．５μｍ以下の精度で所望の厚さにすることが
できる。一導電型の単結晶のシリコン板２１を別に用意
し、シリコン基板１の絶縁膜２の上に置く。

【００４３】次に、図３（ｂ）に示すように、シリコン
板２１を絶縁膜２の上に重ね合わせ、約９００℃〜１０
００℃のＮ₂雰囲気中で約１時間加熱して貼り合わせ
る。シリコン基板１とシリコン板２１との間に圧力をか
けたり、電圧をかけたりするようなことはしない。

【００４４】次に、図３（ｃ）に示すように、シリコン
板２１を研磨して厚さ約１５〜２５μｍの薄いシリコン
層３に調整する。この調整は、薄肉部８の厚さを決定す
るものであるから重要である。この研磨は相当正確に行
うことができ、±０．５μｍ以内の精度で所望の厚さに
することができる。シリコン板２１の研磨は、シリコン
層３と絶縁膜２の厚さの和が２０μｍ程度となるように
するのが望ましい。

【００４５】次に、図３（ｄ）に示すように、シリコン
層３の表面とシリコン基板１の裏面にＳｉＯ₂膜を形成
し、ホトリソグラフィ技術によって凹部４を形成する領
域のＳｉＯ₂膜を選択エッチングして窓あけしてマスク
２２，２３を形成する。ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイド、（ＣＨ₃）₄ＮＯＨ）を用
いてエッチングを行い、凹部４を形成する。ＴＭＡＨ
は、ＳｉＯ₂を殆どエッチせずにシリコンをエッチする
ので、ＳｉＯ₂をマスクとして使用する場合のシリコン
のエッチングにはＫＯＨより優れている。エッチング終
了後、マスク２２，２３を除去する。

【００４６】次に、図３（ｅ）に示すように、マスク
（図示せず）を新しく付け直し、熱拡散またはイオン注
入により下部電極５、信号処理回路６、接続配線７、ボ
ンディングパッド１３を形成する。これらは、通常の集
積回路製造技術を用いて形成される。

【００４７】次に、図３（ｆ）に示すように、シリコン
基板１の裏面にＳｉＯ₂膜でマスク２４を形成し、シリ
コン層３の表面にホトレジストのマスク２５を形成し、
薄肉部８を形成する領域のマスク２４を選択除去して窓
あけし、ＴＭＡＨで異方性エッチングを行い絶縁膜２に
達する凹部２６を形成する。これにより薄肉部８と厚肉
部９が形成される。絶縁膜２はエッチング剤に対するス
トッパとなっており、絶縁膜２とシリコン層３からなる
薄肉部８の厚さが図３（ｄ）で設定した厚さに維持され
るという大きな効果を有している。従来は薄肉部８の厚
さの制御をエッチング液の組成とエッチング時間の制御
で行っていたので薄肉部７の厚さを狭い許容範囲に収め
ることが難しかったが、本発明では絶縁膜２がストッパ
となっていてそれ以上はエッチングされないので、薄肉
部８の厚さを精度良く制御できる。

【００４８】次に、図３（ｇ）に示すように、エッチン
グ終了後レジストマスク２４，２５を除去する。マスク
（図示せず）とめっき法またはスパッタ法を用いてシリ
コン基板１の底面にはんだ付け用Ｎｉ膜１０を形成す
る。これにより図１に示すダイアフラムが製造される。

【００４９】上部ガラス板１１は、凹部４に向い合う領
域に上部電極１２を形成し、この上部電極１２を信号処
理回路６に接続する接続配線（図示せず）を形成するこ
とにより作られる。

【００５０】シリコン層３の上面に上部ガラス板１１を
置き、下部電極５と上部電極１２とが向い合うように位
置合わせして、約４００℃に加熱して６００〜１０００
Ｖの直流電圧を印加する陽極接合法により貼合わせると
同時に接続配線を信号処理回路６に接続する。ボンディ
ングパッド１３に金属線１４を熱圧着法で取り付ける。
これにより図１に示す圧力センサが製造される。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明では、シリ
コン層を絶縁膜でシリコン基板と絶縁分離したので、シ
リコン基板にかかる応力に起因する歪みがシリコン層に
直接伝わらなくなり、シリコン層に下部電極、信号処理
回路を設けることができるようになり、従って台座が不
要となり、圧力センサを低コストで製造することができ
る。

【００５２】また、本発明では、シリコン層を絶縁膜で
シリコン基板と絶縁分離してシリコン基板にかかる応力
に起因する歪みがシリコン層に発生しないようにしたの
で、シリコン層に信号処理回路を集積形成することがで
き、圧力算出回路を別個に作って取り付ける必要がなく
なり、圧力センサを低コストで製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の断面図である。

【図２】本発明の第２の実施例の断面図である。

【図３】図１のダイアフラムの製造方法を説明するため
の工程順に示した断面図である。

【図４】従来の静電容量型圧力センサの一例の断面図で
ある。

【符号の説明】

１シリコン基板２絶縁膜３シリコン層４凹部５下部電極６信号処理回路７接続配線８薄肉部９厚肉部１０Ｎｉ膜１１上部ガラス板１２上部電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】シリコン基板の上にシリコンと熱膨張率
のほぼ等しい絶縁膜を介して設けられた一導電型で単結
晶のシリコン層と、このシリコン層の上面に設けられ底
面が平坦な凹部と、この凹部の底面に形成された反対導
電型領域からなる下部電極と、この下部電極に向かい合
う前記シリコン基板の領域を前記絶縁膜が露出するまで
選択除去して形成される薄肉部とを有するダイアフラム
と、前記ダイアフラムの上面に取付けられ前記下部電極に間
隔をおいて対向する上部電極を有する上部ガラス板と、前記シリコン層の表面に設けられ前記下部電極と前記上
部電極からの信号を受けて圧力値を算出する信号処理回
路とを備えたことを特徴とする静電容量型圧力センサ。
【請求項２】前記薄肉部が前記絶縁膜と前記シリコン
層とから成ることを特徴とする請求項１記載の静電容量
型圧力センサ。
【請求項３】前記薄肉部が前記シリコン層のみから成
ることを特徴とする請求項１記載の静電容量型圧力セン
サ。
【請求項４】前記薄肉部の中央部分に前記シリコン基
板の一部で構成され前記薄肉部よりも厚い厚肉部を有す
ることを特徴とする請求項１または請求項２または請求
項３記載の静電容量型圧力センサ。
【請求項５】前記厚肉部が前記絶縁膜を介して前記シ
リコン層と接していることを特徴とする請求項４記載の
静電容量型圧力センサ。
【請求項６】前記信号処理回路が反対導電型領域で形
成される接続配線で前記下部電極に接続することを特徴
とする請求項１記載の静電容量型圧力センサ。
【請求項７】（Ａ）シリコン基板の表面に所定の厚さ
でかつシリコンと熱膨張率のほぼ等しい絶縁膜を形成す
る工程と、この絶縁膜の上に一導電型で単結晶のシリコ
ン層を貼り付ける工程と、このシリコン層を所定の厚さ
に調整する工程と、このシリコン層の上面を選択エッチ
ングして底面が平坦な凹部４を形成する工程と、この凹
部に反対導電型不純物を導入して反対導電型の下部電極
を形成する工程と、この下部電極の隣の前記シリコン層
に不純物を導入して信号処理回路とこの信号処理回路を
前記下部電極に接続する反対導電型領域の接続配線を形
成する工程と、前記下部電極に向かい合う前記シリコン
基板の領域を選択除去して薄肉部を形成する工程とを備
えたダイアフラム形成工程、（Ｂ）ガラス板の下面に前記下部電極に向い合う上部電
極を形成する工程と、この上部電極を前記信号処理回路
に接続するための接続配線を形成する工程とを備えた上
部ガラス板形成工程、（Ｃ）前記ダイアフラムの上面に前記上部ガラス板を前
記下部電極と前記上部電極とが向い合うように位置合わ
せして貼合わせると同時に前記接続配線を前記信号処理
回路に接続する工程とを備えたことを特徴とする静電容
量型圧力センサの製造方法。
【請求項８】前記薄肉部を形成する工程が、前記シリ
コン基板のみを選択除去して形成する工程であることを
特徴とする請求項７記載の静電容量型圧力センサの製造
方法。
【請求項９】前記薄肉部を形成する工程が、前記シリ
コン基板と前記絶縁膜２とを選択除去して形成する工程
であることを特徴とする請求項７記載の静電容量型圧力
センサの製造方法。
【請求項１０】前記薄肉部の中央部分に前記シリコン
基板の一部を選択除去して厚肉部を形成する工程を含む
ことを特徴とする請求項７または求項８または求項９記
載の静電容量型圧力センサの製造方法。