JPH09162204A - 突き上げピンおよび半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
突き上げピンおよび半導体製造装置および半導体装置の製造方法Info
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- JPH09162204A JPH09162204A JP31640395A JP31640395A JPH09162204A JP H09162204 A JPH09162204 A JP H09162204A JP 31640395 A JP31640395 A JP 31640395A JP 31640395 A JP31640395 A JP 31640395A JP H09162204 A JPH09162204 A JP H09162204A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】突き上げピン２７を用いて接着シート１４より
半導体素子１３を剥離する時に、半導体素子１３の裏面
に接着剤等が残存せず、また接着シート１４の破断を防
止することにより、半導体装置の不良の発生を防止する
ことができる突き上げピン２７を提供する。 【解決手段】接着シート１４上に接着剤により貼着され
た半導体素子１３を接着シート１４の裏面から突き上げ
ることにより半導体素子１３を接着シート１４より剥離
するために使用される突き上げピン２７において、半導
体素子１３を接着シート１４の裏面から突き上げる時に
接着シート１３および接着剤が均一の厚さとなる手段を
有する。
半導体素子１３を剥離する時に、半導体素子１３の裏面
に接着剤等が残存せず、また接着シート１４の破断を防
止することにより、半導体装置の不良の発生を防止する
ことができる突き上げピン２７を提供する。 【解決手段】接着シート１４上に接着剤により貼着され
た半導体素子１３を接着シート１４の裏面から突き上げ
ることにより半導体素子１３を接着シート１４より剥離
するために使用される突き上げピン２７において、半導
体素子１３を接着シート１４の裏面から突き上げる時に
接着シート１３および接着剤が均一の厚さとなる手段を
有する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置のダイ
ボンディング装置に係わり、接着シートに貼着された半
導体素子を接着シートの裏面からピンで突き上げて、半
導体素子を接着シートから剥離させる半導体製造装置に
関する。
ボンディング装置に係わり、接着シートに貼着された半
導体素子を接着シートの裏面からピンで突き上げて、半
導体素子を接着シートから剥離させる半導体製造装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程において、半導体
基板より切断された半導体素子をリードフレーム上へ接
着する工程をダイボンディングという。図２５に従来の
ダイボンディング装置を示す。
基板より切断された半導体素子をリードフレーム上へ接
着する工程をダイボンディングという。図２５に従来の
ダイボンディング装置を示す。
【０００３】ダイボンディング装置は主に、半導体素子
を１つ取り上げる部分、取り上げた半導体素子をリード
フレーム上へ移送する部分、リードフレームを搬送する
部分より構成される。
を１つ取り上げる部分、取り上げた半導体素子をリード
フレーム上へ移送する部分、リードフレームを搬送する
部分より構成される。
【０００４】半導体素子を取り上げる部分は、半導体素
子の切断が終了した半導体基板１を接着シートに貼着さ
れた状態で固定するウェハリング２と、ウェハリング２
を移動するＸＹテーブル３と、ＸＹテーブル上のカメラ
４と、ＸＹテーブル下に設置され、半導体素子を接着シ
ートの裏面からピンで突き上げて半導体素子を接着シー
トから剥離させる素子突き上げ装置３０から構成され
る。
子の切断が終了した半導体基板１を接着シートに貼着さ
れた状態で固定するウェハリング２と、ウェハリング２
を移動するＸＹテーブル３と、ＸＹテーブル上のカメラ
４と、ＸＹテーブル下に設置され、半導体素子を接着シ
ートの裏面からピンで突き上げて半導体素子を接着シー
トから剥離させる素子突き上げ装置３０から構成され
る。
【０００５】半導体素子をリードフレーム上へ移送する
部分は、接着シートから剥離された半導体素子を取り上
げて位置修正ステージ１１へ移送する素子吸着ヘッド１
０と、半導体素子の位置を修正する位置修正ステージ１
１と、半導体素子をコレット１２により支持して位置修
正ステージ１１からリードフレーム上に移送するボンデ
ィングヘッド部８を有する。
部分は、接着シートから剥離された半導体素子を取り上
げて位置修正ステージ１１へ移送する素子吸着ヘッド１
０と、半導体素子の位置を修正する位置修正ステージ１
１と、半導体素子をコレット１２により支持して位置修
正ステージ１１からリードフレーム上に移送するボンデ
ィングヘッド部８を有する。
【０００６】リードフレームを搬送する部分は、リード
フレームを供給するリード供給部５と、リードフレーム
搬送部６と、リードフレーム上に接着剤を供給するペー
スト供給部７と、リードフレーム収納部９により構成さ
れる。
フレームを供給するリード供給部５と、リードフレーム
搬送部６と、リードフレーム上に接着剤を供給するペー
スト供給部７と、リードフレーム収納部９により構成さ
れる。
【０００７】半導体素子を取り上げる部分について、図
２６および図２７を用いてさらに詳しく説明する。図２
６の（ａ）は、素子突き上げ装置３０上の半導体基板１
の上面拡大図、図２６の（ｂ）は図２６の（ａ）におけ
るＡ−Ａ´断面図、図２７は素子突き上げ装置３０の動
作を示す断面図である。
２６および図２７を用いてさらに詳しく説明する。図２
６の（ａ）は、素子突き上げ装置３０上の半導体基板１
の上面拡大図、図２６の（ｂ）は図２６の（ａ）におけ
るＡ−Ａ´断面図、図２７は素子突き上げ装置３０の動
作を示す断面図である。
【０００８】素子突き上げ装置３０は、バックアップホ
ルダ１５、突き上げピン１７、ピンホルダ１９、ピンホ
ルダ駆動装置３１、制御装置３２、真空装置２０から構
成される。
ルダ１５、突き上げピン１７、ピンホルダ１９、ピンホ
ルダ駆動装置３１、制御装置３２、真空装置２０から構
成される。
【０００９】バックアップホルダ１５は上面に貫通する
穴１８を有する真空チャンバで、この真空チャンバに接
続されている真空装置２０によりバキューム吸引して、
バックアップホルダ１５の上面上の接着シート１４を固
定する。接着シート１４上には、半導体素子１３が貼着
されている。バックアップホルダ１５の真空チャンバに
は、突き上げピン１７を複数本設置することができるピ
ンホルダ１９が挿入されていて、このピンホルダ１９は
駆動装置３１により上下方向に移動する。制御装置３２
は、駆動装置３１の上下駆動を制御する。
穴１８を有する真空チャンバで、この真空チャンバに接
続されている真空装置２０によりバキューム吸引して、
バックアップホルダ１５の上面上の接着シート１４を固
定する。接着シート１４上には、半導体素子１３が貼着
されている。バックアップホルダ１５の真空チャンバに
は、突き上げピン１７を複数本設置することができるピ
ンホルダ１９が挿入されていて、このピンホルダ１９は
駆動装置３１により上下方向に移動する。制御装置３２
は、駆動装置３１の上下駆動を制御する。
【００１０】図２７に示すように、ピンホルダ１９の上
昇により、突上げピン１７はバックアップホルダ１５の
上面に貫通する穴１８を通って、接着シート１４上の半
導体素子１３を持ち上げる（図２７の（ｂ））。一方、
接着シート１４はバキューム吸引によりバックアップホ
ルダ１５に固定されているため、半導体素子１３が接着
シート１４より剥離し、素子吸着ヘッド１０により取り
上げられる（図２７の（ｃ））。この後、ピンホルダ１
９は下降し、バキューム吸引は解除される。ＸＹステー
ジ３の移動により、新たな半導体素子１３´がバックア
ップホルダ１５上に移動され、再びバキューム吸引によ
り接着シート１４はバックアップホルダ１５に固定され
る（図２７の（ｄ））。
昇により、突上げピン１７はバックアップホルダ１５の
上面に貫通する穴１８を通って、接着シート１４上の半
導体素子１３を持ち上げる（図２７の（ｂ））。一方、
接着シート１４はバキューム吸引によりバックアップホ
ルダ１５に固定されているため、半導体素子１３が接着
シート１４より剥離し、素子吸着ヘッド１０により取り
上げられる（図２７の（ｃ））。この後、ピンホルダ１
９は下降し、バキューム吸引は解除される。ＸＹステー
ジ３の移動により、新たな半導体素子１３´がバックア
ップホルダ１５上に移動され、再びバキューム吸引によ
り接着シート１４はバックアップホルダ１５に固定され
る（図２７の（ｄ））。
【００１１】一般に、半導体素子１３と接着シート１４
との接着力は、接着シート１４の接着剤の特性や、半導
体素子１３の面積に依存する。しかし、上述の従来の素
子突き上げ装置３０では、これらに関係なく、突上げピ
ン１７の先端部の形状、移動高さ、移動速度、および真
空吸引圧力等の条件が常に一定である。
との接着力は、接着シート１４の接着剤の特性や、半導
体素子１３の面積に依存する。しかし、上述の従来の素
子突き上げ装置３０では、これらに関係なく、突上げピ
ン１７の先端部の形状、移動高さ、移動速度、および真
空吸引圧力等の条件が常に一定である。
【００１２】近年、特に半導体素子１３の面積の大型化
に伴い、半導体素子１３と接着シート１４との接着力が
増大し、従来のような一定の条件下では半導体素子１３
を接着シート１４から剥離することが困難になってい
る。
に伴い、半導体素子１３と接着シート１４との接着力が
増大し、従来のような一定の条件下では半導体素子１３
を接着シート１４から剥離することが困難になってい
る。
【００１３】このため、半導体素子１３を接着シート１
４から剥離するために、突き上げピン１７は非常に大き
い力で半導体素子１３を突上げる必要がある。このよう
な加圧により、接着シート１４の接着剤と接着シート１
４との間の接着力よりも半導体素子１３の裏面との間の
接着力の方が大きくなり、接着シート１４から剥離され
た半導体基板１３の裏面に接着剤が残ったり、または接
着シート１４が破れて半導体基板１３の裏面に残ってし
まうという問題が発生する。
４から剥離するために、突き上げピン１７は非常に大き
い力で半導体素子１３を突上げる必要がある。このよう
な加圧により、接着シート１４の接着剤と接着シート１
４との間の接着力よりも半導体素子１３の裏面との間の
接着力の方が大きくなり、接着シート１４から剥離され
た半導体基板１３の裏面に接着剤が残ったり、または接
着シート１４が破れて半導体基板１３の裏面に残ってし
まうという問題が発生する。
【００１４】この現象を、図を用いてさらに詳しく説明
する。図２８は、従来の素子突き上げ装置３０の突き上
げピン１７の側面図である。突き上げピン１７は、ピン
ホルダ１９に嵌め込む円筒型の部分１７ａと円錐型の繋
ぎ部分１７ｂ、さらに曲率半径Ｒの球面を有する突端部
分１７ｃから成る。また、これらの中心軸を通るように
切断された断面において、突端部分１７ｃの球面が形成
する扇形の円周角θは１８０℃より小さい。図２９は、
突き上げピン１７が半導体素子１３を突き上げる様子を
示す拡大図である。突き上げピン１７は接着シート１４
および接着剤２３を引き伸ばすように半導体素子１３を
突き上げる。図中、Ａゾーンでは、接着シート１４と接
着剤２３が、突き上げピン１７の突端部分１７ｃと半導
体素子１３の裏面とにより挟まれているため、接着シー
ト１４と接着剤２３は伸びにくい。これに対して、Ｂゾ
ーンでは、半導体素子１３の裏面に接していないため、
Ａゾーンに比べて容易に伸びる。このように接着シート
１４と接着剤２３は、ＡゾーンとＢゾーンにおいて均等
に伸びることができない。これに起因して、特に突端部
分１７ｃと円錐型の繋ぎ部分１７ｂの境界線Ｓ上では、
図２９に示すように、接着シート１４および接着剤２３
が非常に薄くなる。このため、接着剤２３間の結合また
は接着剤２３と接着シート１４との間の結合が弱まり、
接着力が低下する。このようにして、境界線Ｓ上におい
て、Ａゾーンの接着剤２３がＢゾーンから切断されて半
導体素子１３の裏面に接着したり、または接着シート１
４が破断して接着剤２３により半導体素子１３の裏面に
接着したりする。
する。図２８は、従来の素子突き上げ装置３０の突き上
げピン１７の側面図である。突き上げピン１７は、ピン
ホルダ１９に嵌め込む円筒型の部分１７ａと円錐型の繋
ぎ部分１７ｂ、さらに曲率半径Ｒの球面を有する突端部
分１７ｃから成る。また、これらの中心軸を通るように
切断された断面において、突端部分１７ｃの球面が形成
する扇形の円周角θは１８０℃より小さい。図２９は、
突き上げピン１７が半導体素子１３を突き上げる様子を
示す拡大図である。突き上げピン１７は接着シート１４
および接着剤２３を引き伸ばすように半導体素子１３を
突き上げる。図中、Ａゾーンでは、接着シート１４と接
着剤２３が、突き上げピン１７の突端部分１７ｃと半導
体素子１３の裏面とにより挟まれているため、接着シー
ト１４と接着剤２３は伸びにくい。これに対して、Ｂゾ
ーンでは、半導体素子１３の裏面に接していないため、
Ａゾーンに比べて容易に伸びる。このように接着シート
１４と接着剤２３は、ＡゾーンとＢゾーンにおいて均等
に伸びることができない。これに起因して、特に突端部
分１７ｃと円錐型の繋ぎ部分１７ｂの境界線Ｓ上では、
図２９に示すように、接着シート１４および接着剤２３
が非常に薄くなる。このため、接着剤２３間の結合また
は接着剤２３と接着シート１４との間の結合が弱まり、
接着力が低下する。このようにして、境界線Ｓ上におい
て、Ａゾーンの接着剤２３がＢゾーンから切断されて半
導体素子１３の裏面に接着したり、または接着シート１
４が破断して接着剤２３により半導体素子１３の裏面に
接着したりする。
【００１５】このように、裏面に接着剤や接着シート１
４が残っている状態の半導体素子１３をプラスチックパ
ッケージに収納した場合、回路基板に実装する時の熱応
力により、パッケージに亀裂が生じて、不良の原因とな
る。特に、近年多く用いられるようになったＬＯＣ（Le
ad On Chip）構造のように、半導体素子の裏面が封止樹
脂に直接覆われる構造のパッケージでは、亀裂が発生し
やすい。
４が残っている状態の半導体素子１３をプラスチックパ
ッケージに収納した場合、回路基板に実装する時の熱応
力により、パッケージに亀裂が生じて、不良の原因とな
る。特に、近年多く用いられるようになったＬＯＣ（Le
ad On Chip）構造のように、半導体素子の裏面が封止樹
脂に直接覆われる構造のパッケージでは、亀裂が発生し
やすい。
【００１６】さらに、突き上げピン１７に荷重される力
が増大するために、接着シート１４を突上げピン１７が
突き破ってしまうという問題が発生している。
が増大するために、接着シート１４を突上げピン１７が
突き破ってしまうという問題が発生している。
【００１７】突上げピン１７が接着シート１４を突き破
ると、突上げピン１７の先端部が半導体装置１３の裏面
に直接接触するが、前述のように突上げピン１７の先端
部に大きい力が加わっているため、半導体装置１３の裏
面に突上げピン１７の跡や、傷、亀裂等のダメージが発
生する。
ると、突上げピン１７の先端部が半導体装置１３の裏面
に直接接触するが、前述のように突上げピン１７の先端
部に大きい力が加わっているため、半導体装置１３の裏
面に突上げピン１７の跡や、傷、亀裂等のダメージが発
生する。
【００１８】このような裏面にダメージを有する半導体
素子１３をプラスチックパッケージに収納した場合、回
路基板に実装する時の熱応力により、半導体素子１３に
亀裂が生じて、不良の原因となる。裏面にダメージを有
する半導体素子１３と有しない半導体装置１３をそれぞ
れプラスチックパッケージに収納し、赤外線加熱により
半田付けを行い、回路基板に実装した後の不良率を比べ
た場合、裏面にダメージを有しない半導体素子では、１
３９素子中１つも不良が発生しなかったが、裏面にダメ
ージを有する半導体素子では５５０素子中１０素子の不
良が発生した。このように、裏面にダメージを有する半
導体素子１３は明らかに不良率が高い。
素子１３をプラスチックパッケージに収納した場合、回
路基板に実装する時の熱応力により、半導体素子１３に
亀裂が生じて、不良の原因となる。裏面にダメージを有
する半導体素子１３と有しない半導体装置１３をそれぞ
れプラスチックパッケージに収納し、赤外線加熱により
半田付けを行い、回路基板に実装した後の不良率を比べ
た場合、裏面にダメージを有しない半導体素子では、１
３９素子中１つも不良が発生しなかったが、裏面にダメ
ージを有する半導体素子では５５０素子中１０素子の不
良が発生した。このように、裏面にダメージを有する半
導体素子１３は明らかに不良率が高い。
【００１９】さらに、従来の素子突き上げ装置３０で
は、接着シート１４が破れた後もそのまま作業を続け
る。この時、バックアップホルダ１５は、図２６の
（ａ）に点線で示すように、突き上げ動作の対象となる
半導体素子１３のみでなく、前回の突き上げ動作により
半導体素子１３がすでに剥離され取り上げられた領域ま
で広い範囲に渡って接着シート１４をバキューム吸引す
る。このため、前回の突き上げ動作により接着シート１
４が破断してしまっていると、その破断した部分もバキ
ューム吸引することになるため、接着シート１４の破断
部分からリークして充分に圧力を低下させることができ
ないため、接着シート１４を固定することができなくな
る。これにより、半導体素子１３を接着シートから剥離
することができないという問題を生じる。
は、接着シート１４が破れた後もそのまま作業を続け
る。この時、バックアップホルダ１５は、図２６の
（ａ）に点線で示すように、突き上げ動作の対象となる
半導体素子１３のみでなく、前回の突き上げ動作により
半導体素子１３がすでに剥離され取り上げられた領域ま
で広い範囲に渡って接着シート１４をバキューム吸引す
る。このため、前回の突き上げ動作により接着シート１
４が破断してしまっていると、その破断した部分もバキ
ューム吸引することになるため、接着シート１４の破断
部分からリークして充分に圧力を低下させることができ
ないため、接着シート１４を固定することができなくな
る。これにより、半導体素子１３を接着シートから剥離
することができないという問題を生じる。
【００２０】また、突上げピン１７が接着シート１４を
突き破った時に、突上げピン１７の先端部が強い力で半
導体装置１３の裏面に直接接触することにより、突上げ
ピン１７の先端部を破損する場合がある。この時にも、
従来の素子突き上げ装置３０はそのまま作業を続けるた
め、破損した突き上げピン１７の先端部により、さらに
接着シートを破り、半導体素子１３の裏面にダメージを
与え続けてしまう。
突き破った時に、突上げピン１７の先端部が強い力で半
導体装置１３の裏面に直接接触することにより、突上げ
ピン１７の先端部を破損する場合がある。この時にも、
従来の素子突き上げ装置３０はそのまま作業を続けるた
め、破損した突き上げピン１７の先端部により、さらに
接着シートを破り、半導体素子１３の裏面にダメージを
与え続けてしまう。
【００２１】このように、従来の素子突き上げ装置３０
では、ある纏まった単位（１ロット）の半導体素子のダ
イボンディングが終了した後に、初めて接着シート１４
の破断が発見されるため、このような接着シートの破断
を発見した時にはすでに多量の不良品を発生させている
という問題がある。
では、ある纏まった単位（１ロット）の半導体素子のダ
イボンディングが終了した後に、初めて接着シート１４
の破断が発見されるため、このような接着シートの破断
を発見した時にはすでに多量の不良品を発生させている
という問題がある。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の素
子突き上げ装置では、接着シート１４の接着剤の特性
や、半導体素子１３の面積に関係なく、突上げピン１７
の先端部の形状、移動高さ、移動速度、および真空吸引
圧力等の条件が常に一定であった。
子突き上げ装置では、接着シート１４の接着剤の特性
や、半導体素子１３の面積に関係なく、突上げピン１７
の先端部の形状、移動高さ、移動速度、および真空吸引
圧力等の条件が常に一定であった。
【００２３】このため、特に半導体素子の大型化に伴
い、突き上げピンに荷重される力が増大することによ
り、半導体素子の裏面に接着シートの接着剤が残存した
り、接着シートが破断して半導体素子の裏面に残存して
いた。また、突上げピン１７が接着シートを突き破って
半導体素子の裏面に傷や亀裂等のダメージを発生させて
いた。
い、突き上げピンに荷重される力が増大することによ
り、半導体素子の裏面に接着シートの接着剤が残存した
り、接着シートが破断して半導体素子の裏面に残存して
いた。また、突上げピン１７が接着シートを突き破って
半導体素子の裏面に傷や亀裂等のダメージを発生させて
いた。
【００２４】このように、裏面に接着シートが残存した
り、裏面にダメージを有する半導体素子を樹脂封止した
半導体装置は、樹脂や半導体素子に亀裂が発生するとい
う問題があった。
り、裏面にダメージを有する半導体素子を樹脂封止した
半導体装置は、樹脂や半導体素子に亀裂が発生するとい
う問題があった。
【００２５】さらに、従来の素子突き上げ装置では、接
着シートが破れた後も作業を続けていたため、接着シー
トをバキューム吸引して固定することができず、半導体
素子を接着シートから剥離することができないという問
題があった。
着シートが破れた後も作業を続けていたため、接着シー
トをバキューム吸引して固定することができず、半導体
素子を接着シートから剥離することができないという問
題があった。
【００２６】また、従来の素子突き上げ装置３０では、
ある纏まった単位（１ロット）の半導体素子の処理が終
了した後に、初めて接着シート１４の破断が発見される
ため、このような接着シートの破断を発見した時にはす
でに多量の不良品を発生させているという問題があっ
た。
ある纏まった単位（１ロット）の半導体素子の処理が終
了した後に、初めて接着シート１４の破断が発見される
ため、このような接着シートの破断を発見した時にはす
でに多量の不良品を発生させているという問題があっ
た。
【００２７】本発明の第１の目的は、突き上げピンを用
いて接着シートより半導体素子を剥離する時に、半導体
素子の裏面に接着剤等が残存せず、また接着シートの破
断を防止することにより、半導体装置の不良の発生を防
止することができる突き上げピンを提供することであ
る。
いて接着シートより半導体素子を剥離する時に、半導体
素子の裏面に接着剤等が残存せず、また接着シートの破
断を防止することにより、半導体装置の不良の発生を防
止することができる突き上げピンを提供することであ
る。
【００２８】また、本発明の第２の目的は、突き上げピ
ンを用いて接着シートより半導体素子を剥離する時に、
半導体素子の裏面にダメージを与える等の不良の発生を
防止し、さらに、突き上げピンが接着シートを突き破っ
た場合には、それ以上の多量の不良品の発生を防止する
ことができる半導体製造装置を提供することである。さ
らに、本発明の第３の目的は、突き上げピンを用いて接
着シートより半導体素子を剥離する時に、半導体素子の
裏面にダメージを与える等の不良の発生を防止し、突き
上げピンが接着シートを突き破った場合に、接着シート
の破断を検知して、それ以上の多量の不良品の発生を防
止することができる半導体装置の製造方法を提供するこ
とである。
ンを用いて接着シートより半導体素子を剥離する時に、
半導体素子の裏面にダメージを与える等の不良の発生を
防止し、さらに、突き上げピンが接着シートを突き破っ
た場合には、それ以上の多量の不良品の発生を防止する
ことができる半導体製造装置を提供することである。さ
らに、本発明の第３の目的は、突き上げピンを用いて接
着シートより半導体素子を剥離する時に、半導体素子の
裏面にダメージを与える等の不良の発生を防止し、突き
上げピンが接着シートを突き破った場合に、接着シート
の破断を検知して、それ以上の多量の不良品の発生を防
止することができる半導体装置の製造方法を提供するこ
とである。
【００２９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、本発明による突き上げピンは、接着シ
ート上に接着剤により貼着された半導体素子を前記接着
シートの裏面から突き上げることにより前記半導体素子
を前記接着シートより剥離するために使用され、前記半
導体素子を前記接着シートの裏面から突き上げる時に前
記接着シートおよび前記接着剤が均一の厚さとなる手段
を有することを特徴とする。
達成するために、本発明による突き上げピンは、接着シ
ート上に接着剤により貼着された半導体素子を前記接着
シートの裏面から突き上げることにより前記半導体素子
を前記接着シートより剥離するために使用され、前記半
導体素子を前記接着シートの裏面から突き上げる時に前
記接着シートおよび前記接着剤が均一の厚さとなる手段
を有することを特徴とする。
【００３０】また、本発明による突き上げピンは、接着
シート上に接着剤により貼着された半導体素子を前記接
着シートの裏面から突き上げることにより前記半導体素
子を前記接着シートより剥離するために使用され、その
先端は半球以上の球形状を有することを特徴とする。
シート上に接着剤により貼着された半導体素子を前記接
着シートの裏面から突き上げることにより前記半導体素
子を前記接着シートより剥離するために使用され、その
先端は半球以上の球形状を有することを特徴とする。
【００３１】また、本発明による半導体製造装置は、接
着シートに接着剤により貼着された半導体素子を前記接
着シートの裏面から突き上げピンにより突き上げて前記
半導体素子を前記接着シートより剥離し、前記突き上げ
ピンは前記半導体素子を前記接着シートの裏面から突き
上げる時に前記接着シートおよび前記接着剤が均一の厚
さとなる手段を有することを特徴とする。
着シートに接着剤により貼着された半導体素子を前記接
着シートの裏面から突き上げピンにより突き上げて前記
半導体素子を前記接着シートより剥離し、前記突き上げ
ピンは前記半導体素子を前記接着シートの裏面から突き
上げる時に前記接着シートおよび前記接着剤が均一の厚
さとなる手段を有することを特徴とする。
【００３２】さらに、本発明による半導体製造装置は、
接着シートに接着剤により貼着された半導体素子を前記
接着シートの裏面から突き上げピンにより突き上げて前
記半導体素子を前記接着シートより剥離し、前記突き上
げピンの先端は半球以上の球形状を有することを特徴と
する。
接着シートに接着剤により貼着された半導体素子を前記
接着シートの裏面から突き上げピンにより突き上げて前
記半導体素子を前記接着シートより剥離し、前記突き上
げピンの先端は半球以上の球形状を有することを特徴と
する。
【００３３】また、本発明による半導体製造装置は、半
導体素子が接着剤により貼着された接着シートを真空吸
引により固定し、前記半導体素子を前記接着シートの裏
面から突き上げピンにより突き上げて、前記半導体素子
を前記接着シートより剥離し、前記突き上げピンは前記
半導体素子を前記接着シートの裏面から突き上げる時に
前記接着シートおよび前記接着剤が均一の厚さとなる手
段を有し、前記半導体製造装置は前記真空吸引の圧力を
測定する手段と、この圧力測定手段の測定結果に基づい
て突き上げピンの動作状態を制御する制御手段とを具備
することを特徴とする。
導体素子が接着剤により貼着された接着シートを真空吸
引により固定し、前記半導体素子を前記接着シートの裏
面から突き上げピンにより突き上げて、前記半導体素子
を前記接着シートより剥離し、前記突き上げピンは前記
半導体素子を前記接着シートの裏面から突き上げる時に
前記接着シートおよび前記接着剤が均一の厚さとなる手
段を有し、前記半導体製造装置は前記真空吸引の圧力を
測定する手段と、この圧力測定手段の測定結果に基づい
て突き上げピンの動作状態を制御する制御手段とを具備
することを特徴とする。
【００３４】さらに、本発明による半導体製造装置は、
接着シートに接着剤により貼着された半導体素子を前記
接着シートの裏面から突き上げピンにより突き上げて前
記接着シートより剥離し、前記突き上げピンは前記半導
体素子を前記接着シートの裏面から突き上げる時に前記
接着シートおよび前記接着剤が均一の厚さとなる手段を
有し、前記半導体製造装置は前記突き上げピンに加わる
荷重を測定する手段と、この荷重測定手段の測定結果に
基づいて突き上げピンの動作状態を制御する制御手段と
を具備することを特徴とする。
接着シートに接着剤により貼着された半導体素子を前記
接着シートの裏面から突き上げピンにより突き上げて前
記接着シートより剥離し、前記突き上げピンは前記半導
体素子を前記接着シートの裏面から突き上げる時に前記
接着シートおよび前記接着剤が均一の厚さとなる手段を
有し、前記半導体製造装置は前記突き上げピンに加わる
荷重を測定する手段と、この荷重測定手段の測定結果に
基づいて突き上げピンの動作状態を制御する制御手段と
を具備することを特徴とする。
【００３５】また、本発明による半導体製造装置は、接
着シートに接着剤により貼着された半導体素子を前記接
着シートの裏面から突き上げピンにより突き上げて前記
接着シートより剥離し素子吸着ヘッドにより前記素子を
取り上げ、前記突き上げピンは前記半導体素子を前記接
着シートの裏面から突き上げる時に前記接着シートおよ
び前記接着剤が均一の厚さとなる手段を有し、前記半導
体製造装置は、前記素子吸着ヘッドと前記突き上げピン
との間に電圧を印加する手段と、前記素子吸着ヘッドと
前記突き上げピンとの間の導通電流を測定する手段と、
この電流測定手段の測定結果に基づいて突き上げピンの
動作状態を制御する制御手段とを具備することを特徴と
する。
着シートに接着剤により貼着された半導体素子を前記接
着シートの裏面から突き上げピンにより突き上げて前記
接着シートより剥離し素子吸着ヘッドにより前記素子を
取り上げ、前記突き上げピンは前記半導体素子を前記接
着シートの裏面から突き上げる時に前記接着シートおよ
び前記接着剤が均一の厚さとなる手段を有し、前記半導
体製造装置は、前記素子吸着ヘッドと前記突き上げピン
との間に電圧を印加する手段と、前記素子吸着ヘッドと
前記突き上げピンとの間の導通電流を測定する手段と、
この電流測定手段の測定結果に基づいて突き上げピンの
動作状態を制御する制御手段とを具備することを特徴と
する。
【００３６】さらに、本発明による半導体装置の製造方
法は、半導体素子が接着剤により貼着された接着シート
を真空吸引により固定し、前記接着シートおよび前記接
着剤が均一の厚さとなるように、前記接着シートの裏面
から前記半導体素子を突き上げピンにより突き上げる際
に、真空吸引の圧力を測定し、この測定結果に基づいて
突き上げピンの動作状態を制御することを特徴とする。
法は、半導体素子が接着剤により貼着された接着シート
を真空吸引により固定し、前記接着シートおよび前記接
着剤が均一の厚さとなるように、前記接着シートの裏面
から前記半導体素子を突き上げピンにより突き上げる際
に、真空吸引の圧力を測定し、この測定結果に基づいて
突き上げピンの動作状態を制御することを特徴とする。
【００３７】また、半導体装置の製造方法は、接着シー
トに接着剤により貼着された半導体素子を、前記接着シ
ートおよび前記接着剤が均一の厚さとなるように、前記
接着シートの裏面から突き上げピンにより突き上げる際
に、前記突き上げピンに加わる荷重を測定し、この荷重
の測定結果に基づいて突き上げピンの動作状態を制御す
ることを特徴とする。
トに接着剤により貼着された半導体素子を、前記接着シ
ートおよび前記接着剤が均一の厚さとなるように、前記
接着シートの裏面から突き上げピンにより突き上げる際
に、前記突き上げピンに加わる荷重を測定し、この荷重
の測定結果に基づいて突き上げピンの動作状態を制御す
ることを特徴とする。
【００３８】さらに、本発明による半導体装置の製造方
法は、接着シートに接着剤により貼着された半導体素子
を前記接着シートの裏面から、前記接着シートおよび前
記接着剤が均一の厚さとなるように、突き上げピンによ
り突き上げて前記接着シートより剥離し、素子吸着ヘッ
ドにより前記素子を取り上げる際に、前記素子吸着ヘッ
ドと前記突き上げピンとの間に電圧を印加して、前記素
子吸着ヘッドと前記突き上げピンとの間の導通電流を測
定し、この測定結果に基づいて突き上げピンの動作状態
を制御することを特徴とする。
法は、接着シートに接着剤により貼着された半導体素子
を前記接着シートの裏面から、前記接着シートおよび前
記接着剤が均一の厚さとなるように、突き上げピンによ
り突き上げて前記接着シートより剥離し、素子吸着ヘッ
ドにより前記素子を取り上げる際に、前記素子吸着ヘッ
ドと前記突き上げピンとの間に電圧を印加して、前記素
子吸着ヘッドと前記突き上げピンとの間の導通電流を測
定し、この測定結果に基づいて突き上げピンの動作状態
を制御することを特徴とする。
【００３９】このように、本発明による突き上げピン
は、半導体素子を接着シートの裏面から突き上げる時に
接着シートおよび接着剤が均一の厚さとなる手段を有す
るため、接着剤および接着シートが従来のように不均等
に引き伸ばされることにより発生する接着剤間の結合ま
たは接着剤と接着シートとの間の結合の低下がないた
め、接着剤が半導体素子の裏面に残存したり、接着シー
トが破断することを防止することができる。
は、半導体素子を接着シートの裏面から突き上げる時に
接着シートおよび接着剤が均一の厚さとなる手段を有す
るため、接着剤および接着シートが従来のように不均等
に引き伸ばされることにより発生する接着剤間の結合ま
たは接着剤と接着シートとの間の結合の低下がないた
め、接着剤が半導体素子の裏面に残存したり、接着シー
トが破断することを防止することができる。
【００４０】また、本発明による突き上げピンは、その
先端が半球以上の球形状であるため、半導体素子を接着
シートの裏面から突き上げる時に接着シートおよび接着
剤が突き上げピンの突端部の形状に沿って球面状に均等
に引き伸ばされる。これにより、接着剤および接着シー
トが従来のように不均等に引き伸ばされることにより発
生する接着剤間の結合または接着剤と接着シートとの間
の結合の低下がないため、接着剤が半導体素子の裏面に
残存したり、接着シートが破断することを防止すること
ができる。
先端が半球以上の球形状であるため、半導体素子を接着
シートの裏面から突き上げる時に接着シートおよび接着
剤が突き上げピンの突端部の形状に沿って球面状に均等
に引き伸ばされる。これにより、接着剤および接着シー
トが従来のように不均等に引き伸ばされることにより発
生する接着剤間の結合または接着剤と接着シートとの間
の結合の低下がないため、接着剤が半導体素子の裏面に
残存したり、接着シートが破断することを防止すること
ができる。
【００４１】また、本発明の半導体製造装置は、半導体
素子を接着シートの裏面から突き上げる時に接着シート
および接着剤が均一の厚さとなる手段を有する突き上げ
ピンを具備するため、前述の理由により、接着剤が半導
体素子の裏面に残存したり、接着シートが破断すること
を防止することができる。
素子を接着シートの裏面から突き上げる時に接着シート
および接着剤が均一の厚さとなる手段を有する突き上げ
ピンを具備するため、前述の理由により、接着剤が半導
体素子の裏面に残存したり、接着シートが破断すること
を防止することができる。
【００４２】さらに本発明の半導体製造装置は、その先
端が半球以上の球形状である突き上げピンを具備するた
め、前述の理由により接着剤が半導体素子の裏面に残存
したり、接着シートが破断することを防止することがで
きる。
端が半球以上の球形状である突き上げピンを具備するた
め、前述の理由により接着剤が半導体素子の裏面に残存
したり、接着シートが破断することを防止することがで
きる。
【００４３】このように、本発明による突き上げピンお
よび半導体製造装置では、半導体素子の裏面に接着剤ま
たは接着シート等の異物が貼着することを防止できるた
め、半導体素子を樹脂封止して半導体装置を製造した後
に、半導体素子の裏面に貼着しているこれらの異物が原
因となり、樹脂に亀裂が生じるという問題を防止するこ
とができる。
よび半導体製造装置では、半導体素子の裏面に接着剤ま
たは接着シート等の異物が貼着することを防止できるた
め、半導体素子を樹脂封止して半導体装置を製造した後
に、半導体素子の裏面に貼着しているこれらの異物が原
因となり、樹脂に亀裂が生じるという問題を防止するこ
とができる。
【００４４】さらに、本発明による突き上げピンおよび
半導体製造装置では、接着シートが均一の厚さとなるよ
うに引き伸ばされるため、従来に比べてより大きい荷重
力まで接着シートが破断しないことにより、突上げピン
が接着シートを突き破って半導体素子の裏面に傷や亀裂
等のダメージを発生させることはない。したがって、半
導体素子を樹脂封止して半導体装置を製造した後に、半
導体素子の裏面のダメージが原因となり、半導体素子に
亀裂が生じるという問題を防止することができる。
半導体製造装置では、接着シートが均一の厚さとなるよ
うに引き伸ばされるため、従来に比べてより大きい荷重
力まで接着シートが破断しないことにより、突上げピン
が接着シートを突き破って半導体素子の裏面に傷や亀裂
等のダメージを発生させることはない。したがって、半
導体素子を樹脂封止して半導体装置を製造した後に、半
導体素子の裏面のダメージが原因となり、半導体素子に
亀裂が生じるという問題を防止することができる。
【００４５】また、本発明による半導体製造装置では、
前述の突き上げピンを具備し、さらに、真空吸引の圧力
を測定する手段を具備するため、圧力の測定値の低下に
より接着シートの破断を検知し、装置の停止し接着シー
トが破れた状態で作業が続くことを防止できる。
前述の突き上げピンを具備し、さらに、真空吸引の圧力
を測定する手段を具備するため、圧力の測定値の低下に
より接着シートの破断を検知し、装置の停止し接着シー
トが破れた状態で作業が続くことを防止できる。
【００４６】このため、接着シートが破れた状態で作業
を続けることにより、接着シートの破断した箇所より空
気が漏れて接着シートを真空吸引して固定することがで
きず、半導体素子を接着シートから剥離することができ
ないという問題を回避することができる。
を続けることにより、接着シートの破断した箇所より空
気が漏れて接着シートを真空吸引して固定することがで
きず、半導体素子を接着シートから剥離することができ
ないという問題を回避することができる。
【００４７】さらに、接着シートの破断が、ある纏まっ
た単位（１ロット）の半導体素子の処理が終了した後で
はなく、個々の半導体素子の処理ごとに検知できるた
め、多量の不良品の発生を回避することができる。
た単位（１ロット）の半導体素子の処理が終了した後で
はなく、個々の半導体素子の処理ごとに検知できるた
め、多量の不良品の発生を回避することができる。
【００４８】また、本発明による半導体製造装置は、前
述の突き上げピンを具備し、さらに、突き上げピンに加
わる荷重を測定する手段を具備するため、荷重の測定値
の低下により接着シートの破断を検知し、装置の停止し
接着シートが破れた状態で作業が続くことを防止でき
る。
述の突き上げピンを具備し、さらに、突き上げピンに加
わる荷重を測定する手段を具備するため、荷重の測定値
の低下により接着シートの破断を検知し、装置の停止し
接着シートが破れた状態で作業が続くことを防止でき
る。
【００４９】このため、前述の吸引圧力の測定手段を具
備する場合と同様に、接着シートが破れた状態で作業を
続けることにより、半導体素子を接着シートから剥離す
ることができないという問題や、多量の不良品が発生す
るという問題を回避することができる。
備する場合と同様に、接着シートが破れた状態で作業を
続けることにより、半導体素子を接着シートから剥離す
ることができないという問題や、多量の不良品が発生す
るという問題を回避することができる。
【００５０】さらに、本発明による半導体製造装置は、
前述の突き上げピンを具備し、さらに、素子吸着ヘッド
と突き上げピンとの間に電圧を印加する手段と、この素
子吸着ヘッドと突き上げピンとの間の導通電流を測定す
る手段と、この電流測定手段の測定結果に基づいて突き
上げピンの動作状態を制御する制御手段とを具備するた
め、接着シートが破断した場合に、装置を停止して、接
着シートが破れた状態で作業が続くことを防止できる。
前述の突き上げピンを具備し、さらに、素子吸着ヘッド
と突き上げピンとの間に電圧を印加する手段と、この素
子吸着ヘッドと突き上げピンとの間の導通電流を測定す
る手段と、この電流測定手段の測定結果に基づいて突き
上げピンの動作状態を制御する制御手段とを具備するた
め、接着シートが破断した場合に、装置を停止して、接
着シートが破れた状態で作業が続くことを防止できる。
【００５１】このため、接着シートが破れた状態で作業
を続けることにより、半導体素子を接着シートから剥離
することができないという問題や、多量の不良品が発生
するという問題を回避することができる。
を続けることにより、半導体素子を接着シートから剥離
することができないという問題や、多量の不良品が発生
するという問題を回避することができる。
【００５２】また、本発明による半導体装置の製造方法
は、接着シートおよび前記接着剤が均一の厚さとなるよ
うに、前記接着シートの裏面から前記半導体素子を突き
上げピンにより突き上げるため、接着剤が半導体素子の
裏面に貼着したり接着シートが破断することを防止する
ことができ、半導体装置の不良の発生を防止することが
できる。
は、接着シートおよび前記接着剤が均一の厚さとなるよ
うに、前記接着シートの裏面から前記半導体素子を突き
上げピンにより突き上げるため、接着剤が半導体素子の
裏面に貼着したり接着シートが破断することを防止する
ことができ、半導体装置の不良の発生を防止することが
できる。
【００５３】さらに、真空吸引の圧力を測定し、この測
定結果に基づいて突き上げピンの動作状態を制御する本
発明による半導体装置の製造方法は、接着シートが破断
した場合に、真空吸引の圧力の低下を検知して突き上げ
動作を停止することにより、接着シートが破れた状態で
作業が続くことを防止できる。
定結果に基づいて突き上げピンの動作状態を制御する本
発明による半導体装置の製造方法は、接着シートが破断
した場合に、真空吸引の圧力の低下を検知して突き上げ
動作を停止することにより、接着シートが破れた状態で
作業が続くことを防止できる。
【００５４】また、突き上げピンに加わる荷重を測定
し、この荷重の測定結果に基づいて突き上げピンの動作
状態を制御する本発明による半導体装置の製造方法は、
接着シートが破断した場合に、荷重の測定値が変化する
ことを検知して突き上げ動作を停止することにより、接
着シートが破れた状態で作業が続くことを防止できる。
し、この荷重の測定結果に基づいて突き上げピンの動作
状態を制御する本発明による半導体装置の製造方法は、
接着シートが破断した場合に、荷重の測定値が変化する
ことを検知して突き上げ動作を停止することにより、接
着シートが破れた状態で作業が続くことを防止できる。
【００５５】さらに、素子吸着ヘッドにより半導体素子
を取り上げる際に、素子吸着ヘッドと突き上げピンとの
間に電圧を印加して、この素子吸着ヘッドと突き上げピ
ンとの間の導通電流を測定し、この測定結果に基づいて
突き上げピンの動作状態を制御する本発明による半導体
装置の製造方法は、接着シートが破断した場合に、素子
吸着ヘッドと突き上げピンとの間に導通電流が流れるこ
とを検知して突き上げ動作を停止することにより、接着
シートが破れた状態で作業が続くことを防止できる。
を取り上げる際に、素子吸着ヘッドと突き上げピンとの
間に電圧を印加して、この素子吸着ヘッドと突き上げピ
ンとの間の導通電流を測定し、この測定結果に基づいて
突き上げピンの動作状態を制御する本発明による半導体
装置の製造方法は、接着シートが破断した場合に、素子
吸着ヘッドと突き上げピンとの間に導通電流が流れるこ
とを検知して突き上げ動作を停止することにより、接着
シートが破れた状態で作業が続くことを防止できる。
【００５６】以上のように、本発明による半導体装置の
製造方法では、いずれの場合にも、接着剤が半導体素子
の裏面に貼着したり接着シートが破断することを防止す
ることができ、半導体装置の不良の発生を防止すること
ができる。さらに、接着シートが破断した場合には、こ
の破断を検知して突き上げ動作を停止するため、接着シ
ートが破れた状態で作業を続けることにより、半導体素
子を接着シートから剥離することができないという問題
や、多量の不良品が発生するという問題を回避すること
ができる。
製造方法では、いずれの場合にも、接着剤が半導体素子
の裏面に貼着したり接着シートが破断することを防止す
ることができ、半導体装置の不良の発生を防止すること
ができる。さらに、接着シートが破断した場合には、こ
の破断を検知して突き上げ動作を停止するため、接着シ
ートが破れた状態で作業を続けることにより、半導体素
子を接着シートから剥離することができないという問題
や、多量の不良品が発生するという問題を回避すること
ができる。
【００５７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００５８】本発明による第１および第２の実施の形態
は、突き上げピンの先端部の形状を改良して、接着シー
トの破断を防止するものである。
は、突き上げピンの先端部の形状を改良して、接着シー
トの破断を防止するものである。
【００５９】図１に本発明の第１の実施の形態による素
子突き上げ装置３０を示す。図１の（ａ）は本発明の実
施の形態による素子突き上げ装置３０の上面図、図１の
（ｂ）は図１の（ａ）におけるＡ−Ａ´断面図である。
図２６に示す従来の素子突き上げ装置と同様に、本実施
の形態による素子突き上げ装置３０は、バックアップホ
ルダ１５、突き上げピン２７、ピンホルダ１９、ピンホ
ルダ駆動装置３１、制御装置３２、真空装置２０から構
成される。
子突き上げ装置３０を示す。図１の（ａ）は本発明の実
施の形態による素子突き上げ装置３０の上面図、図１の
（ｂ）は図１の（ａ）におけるＡ−Ａ´断面図である。
図２６に示す従来の素子突き上げ装置と同様に、本実施
の形態による素子突き上げ装置３０は、バックアップホ
ルダ１５、突き上げピン２７、ピンホルダ１９、ピンホ
ルダ駆動装置３１、制御装置３２、真空装置２０から構
成される。
【００６０】従来と同様に、バックアップホルダ１５は
上面に貫通する穴１８を有する真空チャンバで、この真
空チャンバに接続されている真空装置２０によりバキュ
ーム吸引して、バックアップホルダ１５の上面上の接着
シート１４を固定する。接着シート１４上には、半導体
素子１３が貼着されている。バックアップホルダ１５の
真空チャンバには、突き上げピン２７を複数本設置する
ことができるピンホルダ１９が挿入されていて、このピ
ンホルダ１９は駆動装置３１により上下方向に移動す
る。
上面に貫通する穴１８を有する真空チャンバで、この真
空チャンバに接続されている真空装置２０によりバキュ
ーム吸引して、バックアップホルダ１５の上面上の接着
シート１４を固定する。接着シート１４上には、半導体
素子１３が貼着されている。バックアップホルダ１５の
真空チャンバには、突き上げピン２７を複数本設置する
ことができるピンホルダ１９が挿入されていて、このピ
ンホルダ１９は駆動装置３１により上下方向に移動す
る。
【００６１】ここで、突き上げピン２７は、従来と異な
り、球状の先端部２７ｃを有している。この形状につい
ては、後に詳しく説明する。
り、球状の先端部２７ｃを有している。この形状につい
ては、後に詳しく説明する。
【００６２】図２に、本実施の形態による素子突き上げ
装置３０の動作を示す。従来と同様に、ピンホルダ１９
の上昇に伴い、突き上げピン２７はバックアップホルダ
１５の上面に形成された穴１８を通過して、接着シート
１４と半導体素子１３を突き上げる（図２の（ｂ））。
一方、接着シート１４はバキューム吸引によりバックア
ップホルダ１５に固定されているため、半導体素子１３
が接着シート１４より剥離し、素子吸着ヘッド１０によ
り取り上げられる（図２の（ｃ））。この後、ピンホル
ダ１９は下降し、バキューム吸引は解除される。（図２
の（ｄ））。
装置３０の動作を示す。従来と同様に、ピンホルダ１９
の上昇に伴い、突き上げピン２７はバックアップホルダ
１５の上面に形成された穴１８を通過して、接着シート
１４と半導体素子１３を突き上げる（図２の（ｂ））。
一方、接着シート１４はバキューム吸引によりバックア
ップホルダ１５に固定されているため、半導体素子１３
が接着シート１４より剥離し、素子吸着ヘッド１０によ
り取り上げられる（図２の（ｃ））。この後、ピンホル
ダ１９は下降し、バキューム吸引は解除される。（図２
の（ｄ））。
【００６３】本発明の第１の実施の形態による突き上げ
ピン２７の形状を、図３を用いてさらに詳しく説明す
る。図３は、突き上げピン２７の拡大側面図である。図
３の（ａ）に示すように、本発明の第１の実施の形態に
よる突き上げピン２７は、球状の突端部分２７ｃと例え
ば円柱型のベース部分２７ａとから構成される。
ピン２７の形状を、図３を用いてさらに詳しく説明す
る。図３は、突き上げピン２７の拡大側面図である。図
３の（ａ）に示すように、本発明の第１の実施の形態に
よる突き上げピン２７は、球状の突端部分２７ｃと例え
ば円柱型のベース部分２７ａとから構成される。
【００６４】突端部分２７ｃとベース部分２７ａとは、
例えば突端部分２７ｃに凹部を設け、ベース部分にはこ
の突端部分の凹部に嵌合する凸部を形成して、これらを
嵌合し接着剤を用いて接合することができる。
例えば突端部分２７ｃに凹部を設け、ベース部分にはこ
の突端部分の凹部に嵌合する凸部を形成して、これらを
嵌合し接着剤を用いて接合することができる。
【００６５】また、突端部分２７ｃは必ずしも球状であ
る必要はなく、例えば、図３の（ｂ）に示すように、半
球状でも構わない。
る必要はなく、例えば、図３の（ｂ）に示すように、半
球状でも構わない。
【００６６】また、図３の（ｃ）乃至（ｄ）に示すよう
に、ピンホルダ１９に嵌め込む円柱型のベース部分２７
ａと球状の突端部分２７ｃとの間に円柱型、円錐型等様
々な形状を有する繋ぎ部分２７ｂを形成することも可能
である。
に、ピンホルダ１９に嵌め込む円柱型のベース部分２７
ａと球状の突端部分２７ｃとの間に円柱型、円錐型等様
々な形状を有する繋ぎ部分２７ｂを形成することも可能
である。
【００６７】さらに、ベース部分２７ａあるいは繋ぎ部
分２７ｂの断面はかならずしも円型である必要はなく、
三角形、四角形等の多角形、楕円形、等どのような形状
でも構わない。ただし、バックアップホルダ１５の貫通
穴１８を通ってバックアップホルダ１５の上面より高く
まで上昇する部分は、突き上げピン２７の移動方向に投
影した時に突端部分２７ｃの球により形成される円の内
側に存在する必要がある。
分２７ｂの断面はかならずしも円型である必要はなく、
三角形、四角形等の多角形、楕円形、等どのような形状
でも構わない。ただし、バックアップホルダ１５の貫通
穴１８を通ってバックアップホルダ１５の上面より高く
まで上昇する部分は、突き上げピン２７の移動方向に投
影した時に突端部分２７ｃの球により形成される円の内
側に存在する必要がある。
【００６８】このように、本実施の形態では、突き上げ
ピン２７の中心軸を含む断面において、突端部分２７ｃ
の形成する扇型の円周θが１８０度以上となる。
ピン２７の中心軸を含む断面において、突端部分２７ｃ
の形成する扇型の円周θが１８０度以上となる。
【００６９】上述の第１の実施の形態では、突端部分２
７ｃは、容易に磨耗しにくい材料を用いて形成されるこ
とが望ましく、例えばルビー、ボールベアリングのボー
ル、超硬合金（例えば炭化タングステン等の非常にかた
い化合物の粉末とコバルト等の金属粉末とを焼結したも
の）等により形成される。一方、ベース部分２７ａおよ
び繋ぎ部分２７ｂは、突端部分２７ｃに比べて磨耗等に
よる劣化が少ないため、突端部分２７ｃより硬度が小さ
く容易に加工できる材料により形成されることが望まし
く、例えば超硬またはＳＵＳ等により形成される。
７ｃは、容易に磨耗しにくい材料を用いて形成されるこ
とが望ましく、例えばルビー、ボールベアリングのボー
ル、超硬合金（例えば炭化タングステン等の非常にかた
い化合物の粉末とコバルト等の金属粉末とを焼結したも
の）等により形成される。一方、ベース部分２７ａおよ
び繋ぎ部分２７ｂは、突端部分２７ｃに比べて磨耗等に
よる劣化が少ないため、突端部分２７ｃより硬度が小さ
く容易に加工できる材料により形成されることが望まし
く、例えば超硬またはＳＵＳ等により形成される。
【００７０】突き上げピン２７はまた、図４に示されて
いる第２の実施の形態に示すように、円柱型のベース部
分２７ａの先端を半球状にして突端部分２７ｃを形成し
てもよい（図４の（ａ）参照）。
いる第２の実施の形態に示すように、円柱型のベース部
分２７ａの先端を半球状にして突端部分２７ｃを形成し
てもよい（図４の（ａ）参照）。
【００７１】このように、本実施の形態においても、突
き上げピン２７の中心軸を含む断面において、突端部分
２７ｃの形成する扇型の円周θを１８０度とすることが
できる。
き上げピン２７の中心軸を含む断面において、突端部分
２７ｃの形成する扇型の円周θを１８０度とすることが
できる。
【００７２】なお、ベース部分２７ａは、例えば図４の
（ｂ）に示すように、接続部分２７ｂよりも細い円柱型
等、接続部分と異なる直径を有する円柱により構成する
ことが可能である。さらに、ベース部分２７ａは、バッ
クアップホルダ１５の貫通穴１８を通らない部分とし
て、図４の（ｃ）に示すように、太くすることもでき
る。また、円柱型のみでなく楕円柱、多角形柱等、その
断面は様々な形状とすることができる。
（ｂ）に示すように、接続部分２７ｂよりも細い円柱型
等、接続部分と異なる直径を有する円柱により構成する
ことが可能である。さらに、ベース部分２７ａは、バッ
クアップホルダ１５の貫通穴１８を通らない部分とし
て、図４の（ｃ）に示すように、太くすることもでき
る。また、円柱型のみでなく楕円柱、多角形柱等、その
断面は様々な形状とすることができる。
【００７３】このような突き上げピン２７は、例えば超
硬またはＳＵＳ等により一体に形成することができる。
硬またはＳＵＳ等により一体に形成することができる。
【００７４】また、上記２つの実施の形態において、突
端部２７ａの球面の半径が非常に小さい場合には、接着
シート１４が容易に破れやすくなる。また、半導体素子
１３の面積の増加に伴い増大する荷重に耐えられない可
能性が生じる。一方、突端部２７ａの球面の半径が非常
に大きい場合には、半導体素子１３の裏面と突き上げピ
ン２７の接触面積が増大し、接着剤２３または接着シー
ト１４が残存しやすい。このため、突端部２７ａの球面
の半径は、例えば０．２５ｍｍ〜０．９９ｍｍの範囲内
に形成することが望ましい。
端部２７ａの球面の半径が非常に小さい場合には、接着
シート１４が容易に破れやすくなる。また、半導体素子
１３の面積の増加に伴い増大する荷重に耐えられない可
能性が生じる。一方、突端部２７ａの球面の半径が非常
に大きい場合には、半導体素子１３の裏面と突き上げピ
ン２７の接触面積が増大し、接着剤２３または接着シー
ト１４が残存しやすい。このため、突端部２７ａの球面
の半径は、例えば０．２５ｍｍ〜０．９９ｍｍの範囲内
に形成することが望ましい。
【００７５】図５に、本発明の第１の実施の形態による
突き上げピン２７を用いて、半導体素子１３を接着シー
ト１４の裏面より突き上げた場合の、半導体素子１３、
接着シート１４および突き上げピン２７の拡大断面図を
示す。ここで、突き上げピンの突端部２７ｃを突き上げ
ピン２７の移動方向に垂直な断面により二つの半球に分
断し、半導体素子１３側をＣ1 、ベース部分２７ａ側を
Ｃ2 とすると、突き上げピンの突端部２７ｃは半球以上
の球面を有していて、突端部２７ｃと接続部２７ｂの境
界線Ｓは、ベース部分２７ａ側の半球Ｃ2 の球面上にあ
る。すなわち、本実施の形態では、突端部２７ｃと接続
部２７ｂの境界線Ｓによる変曲点が、半球Ｃ2 の球面上
にあり、前に図２９で示した従来の場合のように半導体
素子１３側の半球Ｃ1 の球面上に存在しない。
突き上げピン２７を用いて、半導体素子１３を接着シー
ト１４の裏面より突き上げた場合の、半導体素子１３、
接着シート１４および突き上げピン２７の拡大断面図を
示す。ここで、突き上げピンの突端部２７ｃを突き上げ
ピン２７の移動方向に垂直な断面により二つの半球に分
断し、半導体素子１３側をＣ1 、ベース部分２７ａ側を
Ｃ2 とすると、突き上げピンの突端部２７ｃは半球以上
の球面を有していて、突端部２７ｃと接続部２７ｂの境
界線Ｓは、ベース部分２７ａ側の半球Ｃ2 の球面上にあ
る。すなわち、本実施の形態では、突端部２７ｃと接続
部２７ｂの境界線Ｓによる変曲点が、半球Ｃ2 の球面上
にあり、前に図２９で示した従来の場合のように半導体
素子１３側の半球Ｃ1 の球面上に存在しない。
【００７６】このため、従来のように、特にこの境界線
Ｓ上において接着シート１４および接着剤２３が極端に
引き伸ばされて薄くなることを防止し、接着シート１４
および接着剤２３が突き上げピンの突端部２７ｃの球面
に沿って均等に引き伸ばすことができる。
Ｓ上において接着シート１４および接着剤２３が極端に
引き伸ばされて薄くなることを防止し、接着シート１４
および接着剤２３が突き上げピンの突端部２７ｃの球面
に沿って均等に引き伸ばすことができる。
【００７７】このように、本実施の形態では、特定の場
所（境界線Ｓ上）において、接着剤２３間の結合または
接着剤２３と接着シート１４との間の結合が弱まること
がないため、接着剤２３が接着シート１４から剥離して
半導体素子１３の裏面に付着することを防止できる。
所（境界線Ｓ上）において、接着剤２３間の結合または
接着剤２３と接着シート１４との間の結合が弱まること
がないため、接着剤２３が接着シート１４から剥離して
半導体素子１３の裏面に付着することを防止できる。
【００７８】また、本実施の形態では、特定の場所（境
界線Ｓ上）において、接着シート１４が薄くなることは
ないため、突き上げピン２７を大きい力で突き上げても
接着シート１４は容易に破断されなくなる。。
界線Ｓ上）において、接着シート１４が薄くなることは
ないため、突き上げピン２７を大きい力で突き上げても
接着シート１４は容易に破断されなくなる。。
【００７９】さらに、本実施の形態では、接着シート１
４および接着剤２３が突き上げピンの突端部２７ｃの形
状に沿って球面状に均等に引き伸ばされる。このため、
接着剤２３および接着シート１４は、ほぼ一点において
半導体素子１３の裏面に接し、半導体素子１３の裏面に
接着剤２３および接着シート１４が残存することがな
い。
４および接着剤２３が突き上げピンの突端部２７ｃの形
状に沿って球面状に均等に引き伸ばされる。このため、
接着剤２３および接着シート１４は、ほぼ一点において
半導体素子１３の裏面に接し、半導体素子１３の裏面に
接着剤２３および接着シート１４が残存することがな
い。
【００８０】以上、図５を用いて、本発明の第１の実施
の形態について、従来の突き上げピンとの差を説明した
が、突き上げピンの突端部分２７ｃが半球状である第２
の実施の形態においても、図５に示す第１の実施の形態
と同様に、接着シート１４および接着剤２３を突き上げ
ピンの突端部２７ｃの球面に沿って均等に引き伸ばすこ
とができる。
の形態について、従来の突き上げピンとの差を説明した
が、突き上げピンの突端部分２７ｃが半球状である第２
の実施の形態においても、図５に示す第１の実施の形態
と同様に、接着シート１４および接着剤２３を突き上げ
ピンの突端部２７ｃの球面に沿って均等に引き伸ばすこ
とができる。
【００８１】また、突き上げピンの突端部分２７ｃは、
その変曲点が非常に滑らかなために接着シート１４およ
び接着剤２３がほぼ均等に引き伸ばされる形状であれ
ば、厳密に半球状である必要はない。
その変曲点が非常に滑らかなために接着シート１４およ
び接着剤２３がほぼ均等に引き伸ばされる形状であれ
ば、厳密に半球状である必要はない。
【００８２】図６に、本実施の形態による突き上げピン
２７と従来の突き上げピン１７を用い、突端部の球面の
曲率半径を変化させて、半導体素子１３の裏面に残存し
た接着剤２３および接着シート１４の面積を測定した結
果を示す。半導体素子１３の面積は４００ｍｍ2 であ
る。この図に示すように、従来では、半導体素子１３の
裏面に接着剤が常に残存し、突端部２７ｃの曲率半径が
大きくなると、さらに接着シート１４が残っていたが、
本実施の形態の突き上げピンによれば、曲率半径の広い
範囲に渡って、接着剤２３および接着シート１４は半導
体素子１３の裏面にまったく残存しない。
２７と従来の突き上げピン１７を用い、突端部の球面の
曲率半径を変化させて、半導体素子１３の裏面に残存し
た接着剤２３および接着シート１４の面積を測定した結
果を示す。半導体素子１３の面積は４００ｍｍ2 であ
る。この図に示すように、従来では、半導体素子１３の
裏面に接着剤が常に残存し、突端部２７ｃの曲率半径が
大きくなると、さらに接着シート１４が残っていたが、
本実施の形態の突き上げピンによれば、曲率半径の広い
範囲に渡って、接着剤２３および接着シート１４は半導
体素子１３の裏面にまったく残存しない。
【００８３】さらに、図７に、本実施の形態による突き
上げピン２７と従来の突き上げピン１７を用い、様々な
粘着性を有する接着シートを用いて、接着シート１４が
破断した時に突き上げピンに荷重されている力を測定し
た結果を示す。Ａ、Ｂ、Ｃは、それぞれ異なる粘着性を
有する接着シートを示している。これによれば、いずれ
の粘着性を有する接着シートにおいても、本実施の形態
の突き上げピン２７を用いた場合には、従来に比べてよ
り大きい荷重力まで接着シート１４が破断しないことが
わかる。
上げピン２７と従来の突き上げピン１７を用い、様々な
粘着性を有する接着シートを用いて、接着シート１４が
破断した時に突き上げピンに荷重されている力を測定し
た結果を示す。Ａ、Ｂ、Ｃは、それぞれ異なる粘着性を
有する接着シートを示している。これによれば、いずれ
の粘着性を有する接着シートにおいても、本実施の形態
の突き上げピン２７を用いた場合には、従来に比べてよ
り大きい荷重力まで接着シート１４が破断しないことが
わかる。
【００８４】このように、上記第１、第２の実施の形態
の突き上げピン２７によれば、半導体素子１３の裏面に
接着剤２３または接着シート１４が貼着することを防止
できる。このため、半導体素子１３を樹脂封止して半導
体装置を製造した後に、半導体素子１３の裏面に貼着し
ているこれらの異物が原因となり、樹脂に亀裂が生じる
という問題を防止することができる。
の突き上げピン２７によれば、半導体素子１３の裏面に
接着剤２３または接着シート１４が貼着することを防止
できる。このため、半導体素子１３を樹脂封止して半導
体装置を製造した後に、半導体素子１３の裏面に貼着し
ているこれらの異物が原因となり、樹脂に亀裂が生じる
という問題を防止することができる。
【００８５】また、上記第１および第２の実施の形態の
突き上げピン２７を用いた場合には、従来に比べてより
大きい荷重力まで接着シート１４が破断しない。このた
め、半導体素子１３の面積が増大し、この半導体素子１
３を接着シート１４から剥離するために必要な荷重力が
増した場合にも、突上げピン２７が接着シート１４を突
き破って半導体素子１３の裏面に傷や亀裂等のダメージ
を発生させることはない。したがって、半導体素子１３
を樹脂封止して半導体装置を製造した後に、半導体素子
１３の裏面のダメージが原因となり、半導体素子に亀裂
が生じるという問題を防止することができる。
突き上げピン２７を用いた場合には、従来に比べてより
大きい荷重力まで接着シート１４が破断しない。このた
め、半導体素子１３の面積が増大し、この半導体素子１
３を接着シート１４から剥離するために必要な荷重力が
増した場合にも、突上げピン２７が接着シート１４を突
き破って半導体素子１３の裏面に傷や亀裂等のダメージ
を発生させることはない。したがって、半導体素子１３
を樹脂封止して半導体装置を製造した後に、半導体素子
１３の裏面のダメージが原因となり、半導体素子に亀裂
が生じるという問題を防止することができる。
【００８６】このように、上記第１および第２の実施の
形態の突き上げピン２７を用いることにより、接着シー
ト１４の破断を防止することが可能であるが、さらに半
導体素子１３の面積が増大する等、種々の原因により接
着シート１４が破断される可能性を完全に除去すること
はできない。ここで、上記第１または第２の実施の形態
による突き上げピン２７を用いて接着シート１４の破断
を防止するが、突発的に接着シート１４が破断された場
合に、被害を最小限に止める方法を、第３の実施の形態
として説明する。この実施の形態による半導体素子突き
上げ装置３０は、図８に示すように、バックアップホル
ダ１５の真空チャンバ内の圧力を測定し、リークした場
合にはこの圧力が上昇することを利用して、突き上げピ
ン２７が接着シート１４を突き破ったことを検知する機
構を備えている。
形態の突き上げピン２７を用いることにより、接着シー
ト１４の破断を防止することが可能であるが、さらに半
導体素子１３の面積が増大する等、種々の原因により接
着シート１４が破断される可能性を完全に除去すること
はできない。ここで、上記第１または第２の実施の形態
による突き上げピン２７を用いて接着シート１４の破断
を防止するが、突発的に接着シート１４が破断された場
合に、被害を最小限に止める方法を、第３の実施の形態
として説明する。この実施の形態による半導体素子突き
上げ装置３０は、図８に示すように、バックアップホル
ダ１５の真空チャンバ内の圧力を測定し、リークした場
合にはこの圧力が上昇することを利用して、突き上げピ
ン２７が接着シート１４を突き破ったことを検知する機
構を備えている。
【００８７】図８の（ａ）は、本発明の第３の実施の形
態による半導体素子突き上げ装置３０のバックアップホ
ルダ１５部分の上面図、図８の（ｂ）は図８の（ａ）に
おけるＡ−Ａ´断面図およびバックアップホルダ１５の
周辺装置を示す図である。
態による半導体素子突き上げ装置３０のバックアップホ
ルダ１５部分の上面図、図８の（ｂ）は図８の（ａ）に
おけるＡ−Ａ´断面図およびバックアップホルダ１５の
周辺装置を示す図である。
【００８８】本実施の形態による素子突き上げ装置３０
は、図１の（ｂ）に示す本発明の第１の実施の形態によ
る素子突き上げ装置と同様に、バックアップホルダ１
５、突き上げピン２７、ピンホルダ１９、ピンホルダ駆
動装置３１、制御装置３２、真空装置２０を具備する。
これらに加えて、本発明の第３の実施の形態による半導
体素子突き上げ装置３０は、さらに、バックアップホル
ダ１５の真空チャンバ内の圧力を測定する装置３３と、
突き上げ動作前にこの圧力測定装置３３により測定され
たイニシャルデータを記憶し、このイニシャルデータと
突き上げ動作中または突き上げ動作後に圧力測定装置３
３により測定された真空チャンバ内の圧力とを比較する
ことにより圧力の変動を観察して接着シート１４の破断
を判断する機構とを具備する。また、本実施の形態によ
る素子突き上げ装置３０の制御装置３２は、前述の接着
シート１４の破断を判断する機構による判断結果に基づ
いてピンホルダ駆動装置３１の動作を制御する機構を有
する。
は、図１の（ｂ）に示す本発明の第１の実施の形態によ
る素子突き上げ装置と同様に、バックアップホルダ１
５、突き上げピン２７、ピンホルダ１９、ピンホルダ駆
動装置３１、制御装置３２、真空装置２０を具備する。
これらに加えて、本発明の第３の実施の形態による半導
体素子突き上げ装置３０は、さらに、バックアップホル
ダ１５の真空チャンバ内の圧力を測定する装置３３と、
突き上げ動作前にこの圧力測定装置３３により測定され
たイニシャルデータを記憶し、このイニシャルデータと
突き上げ動作中または突き上げ動作後に圧力測定装置３
３により測定された真空チャンバ内の圧力とを比較する
ことにより圧力の変動を観察して接着シート１４の破断
を判断する機構とを具備する。また、本実施の形態によ
る素子突き上げ装置３０の制御装置３２は、前述の接着
シート１４の破断を判断する機構による判断結果に基づ
いてピンホルダ駆動装置３１の動作を制御する機構を有
する。
【００８９】以下、本実施の形態による素子突き上げ装
置３０の動作と、測定される圧力の変化を図９、図１０
を用いて説明する。各々、素子突き上げ装置３０の断面
図を左側に、測定される圧力の変化を図の右側に示す。
置３０の動作と、測定される圧力の変化を図９、図１０
を用いて説明する。各々、素子突き上げ装置３０の断面
図を左側に、測定される圧力の変化を図の右側に示す。
【００９０】図９は、半導体素子１３が接着シート１４
より剥離する過程において、突き上げピン２７が接着シ
ート１４を突き破る場合を示している。
より剥離する過程において、突き上げピン２７が接着シ
ート１４を突き破る場合を示している。
【００９１】まず、接着シート１４をバックアップホル
ダ１５に固定する。また、半導体素子１３を突き上げた
時に半導体素子１３を接着シート１４より剥離するため
に必要な圧力をあらかじめ設定しておく。この圧力は、
半導体素子１３の面積、接着剤２３の性質等により異な
るため、適宜設定する必要がある。
ダ１５に固定する。また、半導体素子１３を突き上げた
時に半導体素子１３を接着シート１４より剥離するため
に必要な圧力をあらかじめ設定しておく。この圧力は、
半導体素子１３の面積、接着剤２３の性質等により異な
るため、適宜設定する必要がある。
【００９２】突き上げ動作を始める前に、接着シート１
４をバックアップホルダ１５上に載せて真空チャンバー
のバキューム吸引を開始し、接着シート１４をバックア
ップホルダ１５に固定する。この時、制御装置は、真空
チャンバ内の圧力が先に設定された値となるまでは、ピ
ンホルダ駆動装置３１を動作させず、ピンホルダ１９は
上昇を開始しない（図９の（ａ））。
４をバックアップホルダ１５上に載せて真空チャンバー
のバキューム吸引を開始し、接着シート１４をバックア
ップホルダ１５に固定する。この時、制御装置は、真空
チャンバ内の圧力が先に設定された値となるまでは、ピ
ンホルダ駆動装置３１を動作させず、ピンホルダ１９は
上昇を開始しない（図９の（ａ））。
【００９３】真空チャンバ内の圧力が設定値になった
（Ｐ点）後に、制御装置３２がピンホルダ駆動装置３１
を動作させて、ピンホルダ１９が上昇を開始する。突き
上げピン２７がバックアップホルダ１５の穴１８を通過
して、接着シート１４上の半導体装置１３を裏面側より
突き上げる（図９の（ｂ））。
（Ｐ点）後に、制御装置３２がピンホルダ駆動装置３１
を動作させて、ピンホルダ１９が上昇を開始する。突き
上げピン２７がバックアップホルダ１５の穴１８を通過
して、接着シート１４上の半導体装置１３を裏面側より
突き上げる（図９の（ｂ））。
【００９４】この時、図９の（ｃ）に示すように、突き
上げピン２７が接着シート１４を突き破ると、この突き
破られた部分からリークし、測定中の圧力が一時低下す
る（Ｑ点）。制御装置３２は、このような圧力の変化を
検知し、ピンホルダ駆動装置３１を停止し、また、警告
音、モニターテレビ等により作業者に知らせる。
上げピン２７が接着シート１４を突き破ると、この突き
破られた部分からリークし、測定中の圧力が一時低下す
る（Ｑ点）。制御装置３２は、このような圧力の変化を
検知し、ピンホルダ駆動装置３１を停止し、また、警告
音、モニターテレビ等により作業者に知らせる。
【００９５】図１０は、半導体素子１３が接着シート１
４より剥離した後に、突き上げピン２７が接着シート１
４を突き破る場合を示している。
４より剥離した後に、突き上げピン２７が接着シート１
４を突き破る場合を示している。
【００９６】図９の場合と同様に、真空チャンバ内の圧
力をあらかじめ設定しておく。半導体装置１３を貼着し
た接着シート１４をバックアップホルダ１５上に載せ
て、真空チャンバーのバキューム吸引を開始し、接着シ
ート１４をバックアップホルダ１５に固定する（図１０
の（ａ））。
力をあらかじめ設定しておく。半導体装置１３を貼着し
た接着シート１４をバックアップホルダ１５上に載せ
て、真空チャンバーのバキューム吸引を開始し、接着シ
ート１４をバックアップホルダ１５に固定する（図１０
の（ａ））。
【００９７】図９の場合と同様に、真空チャンバ内の圧
力が設定値になった（Ｐ点）後に、制御装置３２がピン
ホルダ駆動装置３１を動作させて、ピンホルダ１９が上
昇を開始する。突き上げピン２７がバックアップホルダ
１５の穴１８を通過して、接着シート１４上の半導体装
置１３を裏面側より突き上げる（図１０の（ｂ））。
力が設定値になった（Ｐ点）後に、制御装置３２がピン
ホルダ駆動装置３１を動作させて、ピンホルダ１９が上
昇を開始する。突き上げピン２７がバックアップホルダ
１５の穴１８を通過して、接着シート１４上の半導体装
置１３を裏面側より突き上げる（図１０の（ｂ））。
【００９８】さらに、突き上げピン２７が半導体装置１
３を突き上げて、半導体装置１３が接着シート１４より
剥離する（図１０の（ｃ））。
３を突き上げて、半導体装置１３が接着シート１４より
剥離する（図１０の（ｃ））。
【００９９】この時、図１０の（ｄ）に示すように、突
き上げピン２７が接着シート１４を突き破ると、この突
き破られた部分からリークし、測定中の圧力が一時低下
する（Ｑ点）。制御装置３２は、このような圧力の変化
を検知し、ピンホルダ駆動装置３１を停止し、また、警
告音、モニターテレビ等により作業者に知らせる。
き上げピン２７が接着シート１４を突き破ると、この突
き破られた部分からリークし、測定中の圧力が一時低下
する（Ｑ点）。制御装置３２は、このような圧力の変化
を検知し、ピンホルダ駆動装置３１を停止し、また、警
告音、モニターテレビ等により作業者に知らせる。
【０１００】図１１は、真空チャンバ内の圧力の実測
値、および突き上げピン２７の高さの変位を示したもの
で、図１１の（ａ）は突き上げピン２７が接着シート１
４を突き破らない正常な状態、図１１の（ｂ）は突き上
げピン２７が接着シート１４を突き破った場合である。
図１１の（ｂ）にＱ部として示すように、突き上げピン
２７が接着シート１４を突き破ると、観測される圧力
は、正常な場合に比べて低下する。
値、および突き上げピン２７の高さの変位を示したもの
で、図１１の（ａ）は突き上げピン２７が接着シート１
４を突き破らない正常な状態、図１１の（ｂ）は突き上
げピン２７が接着シート１４を突き破った場合である。
図１１の（ｂ）にＱ部として示すように、突き上げピン
２７が接着シート１４を突き破ると、観測される圧力
は、正常な場合に比べて低下する。
【０１０１】したがって、真空チャンバ内の圧力を常時
測定し、その測定値が描く波形を正常な場合の波形と比
較することにより、正確に接着シートの破断を検知する
ことができる。
測定し、その測定値が描く波形を正常な場合の波形と比
較することにより、正確に接着シートの破断を検知する
ことができる。
【０１０２】図１２および図１３は、本実施の形態によ
る素子突き上げ動作を制御する方法を示すフローチャー
トである。いずれの場合も、例えば素子の品種等の変更
により素子の面積が変更された場合に、素子を接着シー
ト１４から剥離するために必要な真空チャンバ内の圧力
が変化するため、接着シート１４を突き破らないように
新しい素子１３の突き上げ動作を行い、真空チャンバ内
の圧力を測定し、その波形を新しいイニシャルデータと
して記憶する。この後、真空チャンバ内の圧力を常時測
定し、イニシャルデータと常時比較しながら連続して突
き上げ動作を行う場合を図１２に、１つの素子の突き上
げ動作を行う間、真空チャンバ内の圧力を測定し、測定
された圧力の波形を記憶し、１つの素子ごとに、この波
形とイニシャルデータの波形とを比較する場合を図１３
に示している。
る素子突き上げ動作を制御する方法を示すフローチャー
トである。いずれの場合も、例えば素子の品種等の変更
により素子の面積が変更された場合に、素子を接着シー
ト１４から剥離するために必要な真空チャンバ内の圧力
が変化するため、接着シート１４を突き破らないように
新しい素子１３の突き上げ動作を行い、真空チャンバ内
の圧力を測定し、その波形を新しいイニシャルデータと
して記憶する。この後、真空チャンバ内の圧力を常時測
定し、イニシャルデータと常時比較しながら連続して突
き上げ動作を行う場合を図１２に、１つの素子の突き上
げ動作を行う間、真空チャンバ内の圧力を測定し、測定
された圧力の波形を記憶し、１つの素子ごとに、この波
形とイニシャルデータの波形とを比較する場合を図１３
に示している。
【０１０３】まず、図１２について説明する。前述のよ
うに、例えば素子の品種等の変更により素子の面積が変
更された場合に、素子を接着シートから剥離するために
必要な真空チャンバ内の圧力が変化するため、この圧力
を測定し、その波形を新しいイニシャルデータ記憶す
る。次に、接着シート１４のバキューム吸引を開始し、
さらに突き上げピンの上昇を開始する。この時、真空チ
ャンバ内の圧力を常に測定し、あらかじめ測定記憶され
たイニシャルデータと比較することにより、真空チャン
バ内の真空がリークしているか否かを常時判断する。
うに、例えば素子の品種等の変更により素子の面積が変
更された場合に、素子を接着シートから剥離するために
必要な真空チャンバ内の圧力が変化するため、この圧力
を測定し、その波形を新しいイニシャルデータ記憶す
る。次に、接着シート１４のバキューム吸引を開始し、
さらに突き上げピンの上昇を開始する。この時、真空チ
ャンバ内の圧力を常に測定し、あらかじめ測定記憶され
たイニシャルデータと比較することにより、真空チャン
バ内の真空がリークしているか否かを常時判断する。
【０１０４】ここで、リークしていると判断された場合
には、接着シート１４が破断している可能性があるた
め、ただちに装置を停止し警告音等により作業者に知ら
せる。作業者は、原因を調査し、対策を施した後に次の
素子の突き上げを再開する。
には、接着シート１４が破断している可能性があるた
め、ただちに装置を停止し警告音等により作業者に知ら
せる。作業者は、原因を調査し、対策を施した後に次の
素子の突き上げを再開する。
【０１０５】リークしていないと判断される場合には、
突き上げピンが突上げ最高点に到達するまで、さらに突
き上げピンの上昇を続けて、同時に真空チャンバ内の圧
力を常時測定し、リークの有無の判断を常に行う。
突き上げピンが突上げ最高点に到達するまで、さらに突
き上げピンの上昇を続けて、同時に真空チャンバ内の圧
力を常時測定し、リークの有無の判断を常に行う。
【０１０６】突き上げピンが突上げ最高点に到達した後
は、突き上げピンを下降させ、次の素子の突き上げ動作
を行う。
は、突き上げピンを下降させ、次の素子の突き上げ動作
を行う。
【０１０７】次に、図１３の場合について、説明する。
この場合には、真空チャンバ内の圧力を常時測定しリー
クの判断を常に行っていた図１２の場合と異なり、１つ
の素子の突き上げ動作を行う間に測定された圧力を波形
として記憶し、１つの素子の突き上げ動作が終了した時
点で、この波形とイニシャルデータの波形との比較によ
りリークを判断する。このリークの判断を行うタイミン
グ以外は、前述の図１２のフローチャートと同様に行
う。
この場合には、真空チャンバ内の圧力を常時測定しリー
クの判断を常に行っていた図１２の場合と異なり、１つ
の素子の突き上げ動作を行う間に測定された圧力を波形
として記憶し、１つの素子の突き上げ動作が終了した時
点で、この波形とイニシャルデータの波形との比較によ
りリークを判断する。このリークの判断を行うタイミン
グ以外は、前述の図１２のフローチャートと同様に行
う。
【０１０８】図１３の場合には、１つの素子について１
回のみリークの有無を判断すればよいため、判断機構に
高速性が要求されないため簡単に実現することができ
る。
回のみリークの有無を判断すればよいため、判断機構に
高速性が要求されないため簡単に実現することができ
る。
【０１０９】一方、図１２の場合には、常に圧力の測定
とリークの判断を行っているために、リークした時点で
即座に装置を停止することができる。このため、素子へ
の損害が小さく、また、リークの原因を容易に発見する
ことができる。
とリークの判断を行っているために、リークした時点で
即座に装置を停止することができる。このため、素子へ
の損害が小さく、また、リークの原因を容易に発見する
ことができる。
【０１１０】このように、本発明の第３の実施の形態に
よる素子突き上げ装置３０は、真空チャンバの圧力を測
定する測定装置３３と、圧力の測定値の低下により接着
シート１４の破断を検知し、装置の停止および作業者へ
の告知を行う制御装置３２を具備するため、接着シート
１４が破れた状態で作業が続くことを防止できる。この
ため、従来の素子突き上げ装置のように、接着シート１
４が破れた後に作業を続けることにより、接着シート１
４をバキューム吸引して固定することができず、半導体
素子１３を接着シート１４から剥離することができない
という問題を回避することができる。
よる素子突き上げ装置３０は、真空チャンバの圧力を測
定する測定装置３３と、圧力の測定値の低下により接着
シート１４の破断を検知し、装置の停止および作業者へ
の告知を行う制御装置３２を具備するため、接着シート
１４が破れた状態で作業が続くことを防止できる。この
ため、従来の素子突き上げ装置のように、接着シート１
４が破れた後に作業を続けることにより、接着シート１
４をバキューム吸引して固定することができず、半導体
素子１３を接着シート１４から剥離することができない
という問題を回避することができる。
【０１１１】また、従来の素子突き上げ装置３０では、
ある纏まった単位（１ロット）の半導体素子の処理が終
了した後に、初めて接着シート１４の破断が発見される
ため、このような接着シートの破断を発見した時にはす
でに多量の不良品を発生させているという問題があった
が、本発明の第３の実施の形態による素子突き上げ装置
３０は、このような問題を回避することができる。
ある纏まった単位（１ロット）の半導体素子の処理が終
了した後に、初めて接着シート１４の破断が発見される
ため、このような接着シートの破断を発見した時にはす
でに多量の不良品を発生させているという問題があった
が、本発明の第３の実施の形態による素子突き上げ装置
３０は、このような問題を回避することができる。
【０１１２】なお、上記実施の形態では、圧力の測定値
が描く波形を正常な場合の波形と比較することにより、
接着シートの破断を判定したが、例えば圧力の測定値の
絶対値により判断することも可能である。
が描く波形を正常な場合の波形と比較することにより、
接着シートの破断を判定したが、例えば圧力の測定値の
絶対値により判断することも可能である。
【０１１３】また、イニシャルデータは、少なくとも品
種の変更時等の素子の面積が変化した場合には新たに測
定記憶する必要があるが、接着シートまたは装置等のば
らつきによる誤動作を防止するために、品種等が変更さ
れない場合にも、ある一定の期間を経過する度に、イニ
シャルデータを設定することが望ましい。
種の変更時等の素子の面積が変化した場合には新たに測
定記憶する必要があるが、接着シートまたは装置等のば
らつきによる誤動作を防止するために、品種等が変更さ
れない場合にも、ある一定の期間を経過する度に、イニ
シャルデータを設定することが望ましい。
【０１１４】次に、第４の実施の形態として、突上げピ
ン２７に加わる荷重を測定し、この荷重の低下により、
突き上げピン２７が接着シート１４を突き破ったことを
検知する機構を備えた半導体素子突き上げ装置３０を図
１４に示す。
ン２７に加わる荷重を測定し、この荷重の低下により、
突き上げピン２７が接着シート１４を突き破ったことを
検知する機構を備えた半導体素子突き上げ装置３０を図
１４に示す。
【０１１５】図１４の（ａ）は、本発明の第４の実施の
形態による半導体素子突き上げ装置３０のバックアップ
ホルダ１５部分の上面図、図１４の（ｂ）は図１４の
（ａ）におけるＡ−Ａ´断面図およびバックアップホル
ダ１５の周辺装置を示す図である。
形態による半導体素子突き上げ装置３０のバックアップ
ホルダ１５部分の上面図、図１４の（ｂ）は図１４の
（ａ）におけるＡ−Ａ´断面図およびバックアップホル
ダ１５の周辺装置を示す図である。
【０１１６】本実施の形態による素子突き上げ装置３０
は、図１の（ｂ）に示す本発明の第１の実施の形態によ
る素子突き上げ装置と同様に、バックアップホルダ１
５、突き上げピン２７、ピンホルダ１９、ピンホルダ駆
動装置３１、制御装置３２、真空装置２０を具備し、こ
れらの構造は、前述の実施の形態と同様である。これら
に加えて、本発明の第４の実施の形態による半導体素子
突き上げ装置３０は、さらに、例えばひずみゲージ等の
突き上げピン２７に加わる荷重を測定する装置３４と、
この測定装置３４により測定された荷重値とあらかじめ
測定されたイニシャルデータとを比較して荷重値の変動
を検知し、作業を続行するか否かを判断する機能を有す
る判断装置３５を具備する。制御装置３２は、判断装置
３５の判定によりピンホルダ駆動装置３１の動作を制御
する機構を有している。
は、図１の（ｂ）に示す本発明の第１の実施の形態によ
る素子突き上げ装置と同様に、バックアップホルダ１
５、突き上げピン２７、ピンホルダ１９、ピンホルダ駆
動装置３１、制御装置３２、真空装置２０を具備し、こ
れらの構造は、前述の実施の形態と同様である。これら
に加えて、本発明の第４の実施の形態による半導体素子
突き上げ装置３０は、さらに、例えばひずみゲージ等の
突き上げピン２７に加わる荷重を測定する装置３４と、
この測定装置３４により測定された荷重値とあらかじめ
測定されたイニシャルデータとを比較して荷重値の変動
を検知し、作業を続行するか否かを判断する機能を有す
る判断装置３５を具備する。制御装置３２は、判断装置
３５の判定によりピンホルダ駆動装置３１の動作を制御
する機構を有している。
【０１１７】以下、本実施の形態による素子突き上げ装
置３０の動作を図１５、図１６を用いて説明する。
置３０の動作を図１５、図１６を用いて説明する。
【０１１８】まず、図１５に示すように、半導体素子１
３が搭載されていない接着シート１４を用いて、一連の
突き上げ動作を行い、突き上げピン２７に加わる荷重を
測定する。図１５の（ａ）乃至（ｄ）に、動作の各状態
における、素子突き上げ装置３０の断面図を左側に、突
き上げピン２７の高さの変位と測定される荷重の変化を
図の右側に示す。
３が搭載されていない接着シート１４を用いて、一連の
突き上げ動作を行い、突き上げピン２７に加わる荷重を
測定する。図１５の（ａ）乃至（ｄ）に、動作の各状態
における、素子突き上げ装置３０の断面図を左側に、突
き上げピン２７の高さの変位と測定される荷重の変化を
図の右側に示す。
【０１１９】半導体装置１３の搭載されていない接着シ
ート１４をバックアップホルダ１５上に載せて真空チャ
ンバーのバキューム吸引を開始し、接着シート１４をバ
ックアップホルダ１５に固定する（図１５の（ａ））。
ート１４をバックアップホルダ１５上に載せて真空チャ
ンバーのバキューム吸引を開始し、接着シート１４をバ
ックアップホルダ１５に固定する（図１５の（ａ））。
【０１２０】次に、突き上げピン２７を装着したピンホ
ルダ１９を駆動装置３１により上昇させる。突き上げピ
ン２７はバックアップホルダ１５の穴１８を通過し、接
着シート１４を裏面から突き上げる。真空チャンバーの
バキューム吸引は、通常半導体装置１３を接着シート１
４から離脱する場合と同様に行う。図１５の（ｂ）の右
側に示すように、突き上げピン２７の高さの上昇に伴
い、突き上げピン２７に加わる荷重が上昇する。
ルダ１９を駆動装置３１により上昇させる。突き上げピ
ン２７はバックアップホルダ１５の穴１８を通過し、接
着シート１４を裏面から突き上げる。真空チャンバーの
バキューム吸引は、通常半導体装置１３を接着シート１
４から離脱する場合と同様に行う。図１５の（ｂ）の右
側に示すように、突き上げピン２７の高さの上昇に伴
い、突き上げピン２７に加わる荷重が上昇する。
【０１２１】さらに、通常半導体装置１３を接着シート
１４より離脱するために必要な高さまで、突き上げピン
２７を上昇させる。この時、図１５の（ｃ）に示すよう
に、接着シート１４が突き破られない場合には、突き上
げピン２７の上昇に伴い、荷重も上昇する。したがっ
て、突き上げピン２７の高さが最高点に達した時点で、
荷重も最高値をとる。
１４より離脱するために必要な高さまで、突き上げピン
２７を上昇させる。この時、図１５の（ｃ）に示すよう
に、接着シート１４が突き破られない場合には、突き上
げピン２７の上昇に伴い、荷重も上昇する。したがっ
て、突き上げピン２７の高さが最高点に達した時点で、
荷重も最高値をとる。
【０１２２】この後、突き上げピン２７を下降させる
と、図１５の（ｄ）の右側に示すように、突き上げピン
に加わる荷重は、突き上げピン２７の高さが最高点に達
した時点（Ｒ部）で、最高値をとる。判断装置３５はこ
の最高値を記憶する。
と、図１５の（ｄ）の右側に示すように、突き上げピン
に加わる荷重は、突き上げピン２７の高さが最高点に達
した時点（Ｒ部）で、最高値をとる。判断装置３５はこ
の最高値を記憶する。
【０１２３】なお、この測定は、半導体素子１３が全く
搭載されていない接着シート１４を用いて行うか、ある
いは接着シート１４上の一部に半導体素子１３が搭載さ
れているが、接着シート上に半導体素子１３が存在して
いない部分を用いて行うことが可能である。
搭載されていない接着シート１４を用いて行うか、ある
いは接着シート１４上の一部に半導体素子１３が搭載さ
れているが、接着シート上に半導体素子１３が存在して
いない部分を用いて行うことが可能である。
【０１２４】このようにして、接着シートが破断しない
場合の突き上げピン２７に加わる荷重の最高値を荷重測
定装置３４により測定し、判断装置３５に記憶した後
に、半導体素子１３を接着シート１４から離脱する実際
の作業を行う。ここで、一連の突上げ動作を行う度に、
荷重測定装置３４は突き上げピン２７の高さが最高点に
達した時の突上げピンに加わる荷重値を測定し、判断装
置３５はこの測定値と記憶している前述の最高値とを比
較することにより、突き上げピン２７が接着シート１４
を突き破ったか否かを判断する。
場合の突き上げピン２７に加わる荷重の最高値を荷重測
定装置３４により測定し、判断装置３５に記憶した後
に、半導体素子１３を接着シート１４から離脱する実際
の作業を行う。ここで、一連の突上げ動作を行う度に、
荷重測定装置３４は突き上げピン２７の高さが最高点に
達した時の突上げピンに加わる荷重値を測定し、判断装
置３５はこの測定値と記憶している前述の最高値とを比
較することにより、突き上げピン２７が接着シート１４
を突き破ったか否かを判断する。
【０１２５】図１６に、突き上げピン２７が接着シート
１４を突き破った場合の、素子突き上げ装置３０の断面
図と、突き上げピン２７に加わる荷重の変化を示す。
１４を突き破った場合の、素子突き上げ装置３０の断面
図と、突き上げピン２７に加わる荷重の変化を示す。
【０１２６】従来と同様に、半導体装置１３が搭載され
た接着シート１４をバックアップホルダ１５上に載せて
真空チャンバーのバキューム吸引を開始し、接着シート
１４をバックアップホルダ１５に固定する（図１６の
（ａ））。
た接着シート１４をバックアップホルダ１５上に載せて
真空チャンバーのバキューム吸引を開始し、接着シート
１４をバックアップホルダ１５に固定する（図１６の
（ａ））。
【０１２７】次に、突き上げピン２７を装着したピンホ
ルダ１９を駆動装置３１により上昇させる。突き上げピ
ン２７はバックアップホルダ１５の穴１８を通過し、接
着シート１４を介して半導体素子１３を裏面から突き上
げる。図１６の（ｂ）の右側に示すように、突き上げピ
ン２７の高さの上昇に伴い、突き上げピン２７に加わる
荷重が上昇する。
ルダ１９を駆動装置３１により上昇させる。突き上げピ
ン２７はバックアップホルダ１５の穴１８を通過し、接
着シート１４を介して半導体素子１３を裏面から突き上
げる。図１６の（ｂ）の右側に示すように、突き上げピ
ン２７の高さの上昇に伴い、突き上げピン２７に加わる
荷重が上昇する。
【０１２８】ここで、突き上げピン２７が接着シートを
行き破った場合には、図１６の（ｃ）に示すように、突
き上げピン２７に加わる荷重が低下する。さらに、突き
上げピン２７は上昇を続けるが、図１５の（ｃ）と異な
り、荷重はほとんど上昇しない。
行き破った場合には、図１６の（ｃ）に示すように、突
き上げピン２７に加わる荷重が低下する。さらに、突き
上げピン２７は上昇を続けるが、図１５の（ｃ）と異な
り、荷重はほとんど上昇しない。
【０１２９】従来と同様に、半導体素子１３は素子吸着
ヘッド１０により取り上げられ、ピンホルダ１９が下降
する（図１６の（ｄ））。
ヘッド１０により取り上げられ、ピンホルダ１９が下降
する（図１６の（ｄ））。
【０１３０】この時、図１６の（ｄ）の右側に示すよう
に、突き上げピン２７が接着シートを行き破った後は、
荷重がほとんど上昇しないため、突き上げピン２７の高
さが最高点に達した時点（Ｒ部）おける荷重は、作業前
に測定された最高値より小さくなる。
に、突き上げピン２７が接着シートを行き破った後は、
荷重がほとんど上昇しないため、突き上げピン２７の高
さが最高点に達した時点（Ｒ部）おける荷重は、作業前
に測定された最高値より小さくなる。
【０１３１】図１７に、突き上げピン２７に加わる荷重
の実測値を示す。図中、Ａ〜Ｄはそれぞれ、半導体素子
１３の面積を変化させていて、ＡからＤにしたがって半
導体素子１３の面積が順次大きくなる。半導体素子１３
の面積が小さいＡおよびＢでは、突き上げピン２７に加
わる荷重がほぼ単調に増加し、突き上げピン２７の高さ
が最高点に達した時点（Ｓ部）において、最高値を記録
する。一方、半導体素子１３の面積が大きいＣおよびＤ
では、突き上げピン２７に加わる荷重が、初め急激に上
昇し、接着シートが破断した時点（Ｔ部）において低下
し、その後はほとんど変化しない。このため、突き上げ
ピン２７の高さが最高点に達した時点（Ｕ部）で、Ａま
たはＢにおけるＳ部に比べて小さい荷重値となる。
の実測値を示す。図中、Ａ〜Ｄはそれぞれ、半導体素子
１３の面積を変化させていて、ＡからＤにしたがって半
導体素子１３の面積が順次大きくなる。半導体素子１３
の面積が小さいＡおよびＢでは、突き上げピン２７に加
わる荷重がほぼ単調に増加し、突き上げピン２７の高さ
が最高点に達した時点（Ｓ部）において、最高値を記録
する。一方、半導体素子１３の面積が大きいＣおよびＤ
では、突き上げピン２７に加わる荷重が、初め急激に上
昇し、接着シートが破断した時点（Ｔ部）において低下
し、その後はほとんど変化しない。このため、突き上げ
ピン２７の高さが最高点に達した時点（Ｕ部）で、Ａま
たはＢにおけるＳ部に比べて小さい荷重値となる。
【０１３２】このように、荷重測定装置３４は突き上げ
ピン２７に加わる荷重を測定し、判断装置３５は、突き
上げピン２７の高さが最高点に達した時点（Ｒ部）おけ
る荷重と、作業前に測定し記憶された最高値とを比較し
て、前者が後者より小さい場合には接着シートが破断さ
れたと判断して、制御装置３２に異常を伝える。制御装
置３２は、ピンホルダ駆動装置３１を停止し、また、警
告音、モニターテレビ等により作業者に知らせる。
ピン２７に加わる荷重を測定し、判断装置３５は、突き
上げピン２７の高さが最高点に達した時点（Ｒ部）おけ
る荷重と、作業前に測定し記憶された最高値とを比較し
て、前者が後者より小さい場合には接着シートが破断さ
れたと判断して、制御装置３２に異常を伝える。制御装
置３２は、ピンホルダ駆動装置３１を停止し、また、警
告音、モニターテレビ等により作業者に知らせる。
【０１３３】なお、上記の実施の形態では、突き上げピ
ン２７が最高点に達した時点での突き上げピン２７に加
わる荷重値が、作業前に測定した荷重の最高値より小さ
い場合に、接着シート１４が破断されていると判断した
が、作業前に測定した荷重の最高値を基準値として適当
な幅を有する基準範囲を設定し、この基準範囲に荷重値
が含まれない場合に、接着シート１４が破断されている
と判断することも可能である。
ン２７が最高点に達した時点での突き上げピン２７に加
わる荷重値が、作業前に測定した荷重の最高値より小さ
い場合に、接着シート１４が破断されていると判断した
が、作業前に測定した荷重の最高値を基準値として適当
な幅を有する基準範囲を設定し、この基準範囲に荷重値
が含まれない場合に、接着シート１４が破断されている
と判断することも可能である。
【０１３４】また、上記の本発明による第４の実施の形
態では、突き上げピン２７が最高点に達した時点での突
き上げピン２７に加わる荷重の絶対値を比較することに
より、接着シートの破断を判断したが、前述の本発明に
よる第３の実施の形態と同様に、荷重の測定値が描く波
形を比較することにより判断することも可能である。以
下、このような制御方法について、図１８および図１９
を用いて説明する。
態では、突き上げピン２７が最高点に達した時点での突
き上げピン２７に加わる荷重の絶対値を比較することに
より、接着シートの破断を判断したが、前述の本発明に
よる第３の実施の形態と同様に、荷重の測定値が描く波
形を比較することにより判断することも可能である。以
下、このような制御方法について、図１８および図１９
を用いて説明する。
【０１３５】図１８および図１９は、突き上げ動作の制
御方法を示すフローチャートである。いずれの場合も、
例えば素子の品種等の変更により素子の面積が変更され
た場合に、素子を接着シート１４から剥離するために必
要な荷重値が変化するため、前述のように、例えば半導
体装置１３が搭載されていない接着シート１４を用いて
一連の突き上げ動作を行い、突き上げピン２７に加わる
荷重値を測定し、その波形を新しいイニシャルデータと
して記憶する。この後、荷重を常時測定し、イニシャル
データと常時比較しながら連続して突き上げ動作を行う
場合を図１８に、一連の突き上げ動作を行う間、突き上
げピンに加わる荷重を測定し、測定された荷重の波形を
記憶し、１つの素子ごとに、この波形とイニシャルデー
タの波形とを比較する場合を図１９に示している。
御方法を示すフローチャートである。いずれの場合も、
例えば素子の品種等の変更により素子の面積が変更され
た場合に、素子を接着シート１４から剥離するために必
要な荷重値が変化するため、前述のように、例えば半導
体装置１３が搭載されていない接着シート１４を用いて
一連の突き上げ動作を行い、突き上げピン２７に加わる
荷重値を測定し、その波形を新しいイニシャルデータと
して記憶する。この後、荷重を常時測定し、イニシャル
データと常時比較しながら連続して突き上げ動作を行う
場合を図１８に、一連の突き上げ動作を行う間、突き上
げピンに加わる荷重を測定し、測定された荷重の波形を
記憶し、１つの素子ごとに、この波形とイニシャルデー
タの波形とを比較する場合を図１９に示している。
【０１３６】まず、図１８について説明する。前述のよ
うに、例えば素子の品種等の変更により素子の面積が変
更された場合に、素子を接着シートから剥離する時の荷
重が変化するため、前述のように、例えば半導体装置１
３が搭載されていない接着シート１４を用いて一連の突
き上げ動作を行い、突き上げピン２７に加わる荷重値を
測定し、その波形を新しいイニシャルデータとして記憶
する。次に、接着シート１４のバキューム吸引を開始
し、さらに突き上げピンの上昇を開始する。この時、突
き上げピン２７に加わる荷重を常に測定し、あらかじめ
測定記憶されたイニシャルデータと比較することによ
り、荷重値の変化の有無を常時判断する。
うに、例えば素子の品種等の変更により素子の面積が変
更された場合に、素子を接着シートから剥離する時の荷
重が変化するため、前述のように、例えば半導体装置１
３が搭載されていない接着シート１４を用いて一連の突
き上げ動作を行い、突き上げピン２７に加わる荷重値を
測定し、その波形を新しいイニシャルデータとして記憶
する。次に、接着シート１４のバキューム吸引を開始
し、さらに突き上げピンの上昇を開始する。この時、突
き上げピン２７に加わる荷重を常に測定し、あらかじめ
測定記憶されたイニシャルデータと比較することによ
り、荷重値の変化の有無を常時判断する。
【０１３７】ここで、変化が有ると判断された場合に
は、接着シート１４が破断している可能性があるため、
ただちに装置を停止し警告音等により作業者に知らせ
る。作業者は、原因を調査し、対策を施した後に次の素
子の突き上げを再開する。
は、接着シート１４が破断している可能性があるため、
ただちに装置を停止し警告音等により作業者に知らせ
る。作業者は、原因を調査し、対策を施した後に次の素
子の突き上げを再開する。
【０１３８】変化が無いと判断される場合には、突き上
げピンが突上げ最高点に到達するまで、さらに突き上げ
ピンの上昇を続けて、同時に突き上げピン２７に加わる
荷重を常時測定し、荷重値の変化の有無の判断を常に行
う。
げピンが突上げ最高点に到達するまで、さらに突き上げ
ピンの上昇を続けて、同時に突き上げピン２７に加わる
荷重を常時測定し、荷重値の変化の有無の判断を常に行
う。
【０１３９】突き上げピンが突上げ最高点に到達した後
は、突き上げピンを下降させ、次の素子の突き上げ動作
を行う。
は、突き上げピンを下降させ、次の素子の突き上げ動作
を行う。
【０１４０】次に、図１９の場合について、説明する。
この場合には、荷重を常時測定し変化の有無の判断を常
に行っていた図１８の場合と異なり、一連の突き上げ動
作を行う間に測定された荷重を波形として記憶し、一連
の突き上げ動作が終了した時点で、この波形とイニシャ
ルデータの波形とを比較して変化の有無を判断する。こ
の判断を行うタイミング以外は、前述の図１８のフロー
チャートと同様に行う。
この場合には、荷重を常時測定し変化の有無の判断を常
に行っていた図１８の場合と異なり、一連の突き上げ動
作を行う間に測定された荷重を波形として記憶し、一連
の突き上げ動作が終了した時点で、この波形とイニシャ
ルデータの波形とを比較して変化の有無を判断する。こ
の判断を行うタイミング以外は、前述の図１８のフロー
チャートと同様に行う。
【０１４１】図１９の場合には、１つの素子について１
回のみイニシャルデータと測定データを比較し変化の有
無を判断すればよいため、判断機構に高速性が要求され
ないため簡単に実現することができる。
回のみイニシャルデータと測定データを比較し変化の有
無を判断すればよいため、判断機構に高速性が要求され
ないため簡単に実現することができる。
【０１４２】一方、図１８の場合には、常に荷重値の比
較と変化の判断を行っているために、荷重値の変化が生
じた時点で即座に装置を停止することができる。このた
め、素子への損害が小さく、また、変化の原因を容易に
発見することができる。
較と変化の判断を行っているために、荷重値の変化が生
じた時点で即座に装置を停止することができる。このた
め、素子への損害が小さく、また、変化の原因を容易に
発見することができる。
【０１４３】このように、本発明の第４の実施の形態に
よる素子突き上げ装置３０は、突き上げピン２７に加わ
る荷重を測定する測定装置３４と、突き上げピン２７が
最高点に達した時の荷重値より接着シート１４の破断を
判断する判断装置３５と、判断装置３５からの信号によ
り、装置の停止および作業者への告知を行う制御装置３
２を具備するため、接着シートが破れた状態で作業が続
くことを防止できる。このため、従来の素子突き上げ装
置のように、接着シート１４が破れた後に作業を続ける
ことにより、接着シート１４をバキューム吸引して固定
することができず、半導体素子１３を接着シート１４か
ら剥離することができないという問題を回避することが
できる。
よる素子突き上げ装置３０は、突き上げピン２７に加わ
る荷重を測定する測定装置３４と、突き上げピン２７が
最高点に達した時の荷重値より接着シート１４の破断を
判断する判断装置３５と、判断装置３５からの信号によ
り、装置の停止および作業者への告知を行う制御装置３
２を具備するため、接着シートが破れた状態で作業が続
くことを防止できる。このため、従来の素子突き上げ装
置のように、接着シート１４が破れた後に作業を続ける
ことにより、接着シート１４をバキューム吸引して固定
することができず、半導体素子１３を接着シート１４か
ら剥離することができないという問題を回避することが
できる。
【０１４４】また、従来の素子突き上げ装置３０のよう
に、ある纏まった単位（１ロット）の半導体素子の処理
が終了した後に、初めて接着シート１４の破断が発見さ
れるため、このような接着シート１４の破断を発見した
時にはすでに多量の不良品を発生させているという問題
を回避することができる。
に、ある纏まった単位（１ロット）の半導体素子の処理
が終了した後に、初めて接着シート１４の破断が発見さ
れるため、このような接着シート１４の破断を発見した
時にはすでに多量の不良品を発生させているという問題
を回避することができる。
【０１４５】次に、第５の実施の形態として、素子１３
を吸着する素子吸着ヘッド１０と突き上げピン２７との
間に電位差を与えて、電流が流れた場合には、シートが
破れたと判断する方法について、説明する。
を吸着する素子吸着ヘッド１０と突き上げピン２７との
間に電位差を与えて、電流が流れた場合には、シートが
破れたと判断する方法について、説明する。
【０１４６】図２０の（ａ）は、本発明の第５の実施の
形態による半導体素子突き上げ装置３０のバックアップ
ホルダ１５部分の上面図、図２０の（ｂ）は図２０の
（ａ）におけるＡ−Ａ´断面図およびバックアップホル
ダ１５の周辺装置を示す図である。
形態による半導体素子突き上げ装置３０のバックアップ
ホルダ１５部分の上面図、図２０の（ｂ）は図２０の
（ａ）におけるＡ−Ａ´断面図およびバックアップホル
ダ１５の周辺装置を示す図である。
【０１４７】本実施の形態による素子突き上げ装置３０
は、図１の（ｂ）に示す本発明の第１の実施の形態によ
る素子突き上げ装置と同様に、バックアップホルダ１
５、突き上げピン２７、ピンホルダ１９、ピンホルダ駆
動装置３１、制御装置３２、真空装置２０を具備し、こ
れらの構造は、前述の実施の形態と同様である。これら
に加えて、本発明の第４の実施の形態による半導体素子
突き上げ装置３０は、さらに、素子１３を吸着する素子
吸着ヘッド１０と突き上げピン２７との間に電位差を与
える例えば電池等の電源装置３６、素子吸着ヘッド１０
と突き上げピン２７との間に流れる電流を検知する検知
機３７、検知された電流値に応じて接着シート１４の破
れを判断する判断機３８を具備する。本実施の形態の制
御装置３２は、判断機３８の判断結果に応じて、ピンホ
ルダ駆動装置３１の動作を制御する機構を有する。ここ
で、素子吸着ヘッド１０または突き上げピン２７に直接
電位を印加せずに、例えば、ピンホルダ１９等を介して
電圧を印加することも可能である。また、素子吸着ヘッ
ド１０、突き上げピン２７、ピンホルダ１９等は、例え
ば超硬、ＳＵＳ等の導電性の材料により形成する。
は、図１の（ｂ）に示す本発明の第１の実施の形態によ
る素子突き上げ装置と同様に、バックアップホルダ１
５、突き上げピン２７、ピンホルダ１９、ピンホルダ駆
動装置３１、制御装置３２、真空装置２０を具備し、こ
れらの構造は、前述の実施の形態と同様である。これら
に加えて、本発明の第４の実施の形態による半導体素子
突き上げ装置３０は、さらに、素子１３を吸着する素子
吸着ヘッド１０と突き上げピン２７との間に電位差を与
える例えば電池等の電源装置３６、素子吸着ヘッド１０
と突き上げピン２７との間に流れる電流を検知する検知
機３７、検知された電流値に応じて接着シート１４の破
れを判断する判断機３８を具備する。本実施の形態の制
御装置３２は、判断機３８の判断結果に応じて、ピンホ
ルダ駆動装置３１の動作を制御する機構を有する。ここ
で、素子吸着ヘッド１０または突き上げピン２７に直接
電位を印加せずに、例えば、ピンホルダ１９等を介して
電圧を印加することも可能である。また、素子吸着ヘッ
ド１０、突き上げピン２７、ピンホルダ１９等は、例え
ば超硬、ＳＵＳ等の導電性の材料により形成する。
【０１４８】以下に、電流の導通および接着シート１４
の破れを検知する方法を、図を用いて説明する。
の破れを検知する方法を、図を用いて説明する。
【０１４９】第１の方法は、素子１３を素子吸着ヘッド
１０により吸着する時に、同時に電流の導通を検知する
方法である。このために、例えば図２１に示すように、
素子１３の周辺部にテストパット４１を設け、このテス
トパット４１を、たとえばポリイミド等の保護膜４２に
より覆われている素子１３またはボンディングパッド４
３等の他の領域より高くする。このようにして、素子１
３を吸着する時に、テストパット４１と素子吸着ヘッド
１０とを接触させて、テストパット４１を介して、素子
１３と素子吸着ヘッド１０を同電位とする。この時、接
着シート１４が破断している場合には、突き上げピン２
７と素子１３とが直接接触するため、素子１３を介し
て、突き上げピン２７から素子吸着ヘッド１０に電流が
流れる。一方、接着シート１４が破断していない場合に
は、接着シート１４が素子１３と突き上げピン２７との
間の絶縁性を保持するため、電流は流れない。
１０により吸着する時に、同時に電流の導通を検知する
方法である。このために、例えば図２１に示すように、
素子１３の周辺部にテストパット４１を設け、このテス
トパット４１を、たとえばポリイミド等の保護膜４２に
より覆われている素子１３またはボンディングパッド４
３等の他の領域より高くする。このようにして、素子１
３を吸着する時に、テストパット４１と素子吸着ヘッド
１０とを接触させて、テストパット４１を介して、素子
１３と素子吸着ヘッド１０を同電位とする。この時、接
着シート１４が破断している場合には、突き上げピン２
７と素子１３とが直接接触するため、素子１３を介し
て、突き上げピン２７から素子吸着ヘッド１０に電流が
流れる。一方、接着シート１４が破断していない場合に
は、接着シート１４が素子１３と突き上げピン２７との
間の絶縁性を保持するため、電流は流れない。
【０１５０】上記の方法は、素子１３を介して素子吸着
ヘッド１０と突き上げピン２７との間に流れる電流を検
知したが、素子１３を介せずに素子吸着ヘッド１０と突
き上げピン２７との間の電流を直接検知することも可能
である。この方法では、図２２に示すように、素子吸着
ヘッド１０が素子１３を吸着し、位置修正ステージ１１
へ移送した後に、ＸＹステージ３が移動する前に、突き
上げピン２７および素子吸着ヘッド１０が再び突き上げ
動作および吸着動作を行い、接着シート１４のみを介し
て接触する。この時、接着シート１４が破断している場
合には、突き上げピン２７と素子吸着ヘッド１０とが直
接接触するため、突き上げピン２７から素子吸着ヘッド
１０に電流が流れる。一方、接着シート１４が破断して
いない場合には、接着シート１４が素子吸着ヘッド１０
と突き上げピン２７との間の絶縁性を保持するため、電
流は流れない。
ヘッド１０と突き上げピン２７との間に流れる電流を検
知したが、素子１３を介せずに素子吸着ヘッド１０と突
き上げピン２７との間の電流を直接検知することも可能
である。この方法では、図２２に示すように、素子吸着
ヘッド１０が素子１３を吸着し、位置修正ステージ１１
へ移送した後に、ＸＹステージ３が移動する前に、突き
上げピン２７および素子吸着ヘッド１０が再び突き上げ
動作および吸着動作を行い、接着シート１４のみを介し
て接触する。この時、接着シート１４が破断している場
合には、突き上げピン２７と素子吸着ヘッド１０とが直
接接触するため、突き上げピン２７から素子吸着ヘッド
１０に電流が流れる。一方、接着シート１４が破断して
いない場合には、接着シート１４が素子吸着ヘッド１０
と突き上げピン２７との間の絶縁性を保持するため、電
流は流れない。
【０１５１】この方法では、第１の方法に比べて、素子
１３に新たなテストパット４１を設ける必要がなく、ど
のような品種の素子１３にも適用することが可能であ
る。また、素子１３に直接電流を流す第１の方法では、
素子１３に非常に大きい電流が流れないように、印加電
圧等に注意を払う必要があるが、第２の方法では、素子
を介さずに導通電流を検知するため、電流値等を考慮す
る必要がないため容易に実施することができる。
１３に新たなテストパット４１を設ける必要がなく、ど
のような品種の素子１３にも適用することが可能であ
る。また、素子１３に直接電流を流す第１の方法では、
素子１３に非常に大きい電流が流れないように、印加電
圧等に注意を払う必要があるが、第２の方法では、素子
を介さずに導通電流を検知するため、電流値等を考慮す
る必要がないため容易に実施することができる。
【０１５２】また、第３の方法として、第２の方法と同
様に、素子１３を移送した後に、素子吸着ヘッド１０と
突き上げピン２７との間の導通を直接検知するが、素子
１３を吸着するための素子吸着ヘッド１０を用いて電流
の導通を検知するのではなく、電流の導通を検知するた
めに専用の素子吸着ヘッド１０´を別に設けて、これを
用いて導通を検知することも可能である。
様に、素子１３を移送した後に、素子吸着ヘッド１０と
突き上げピン２７との間の導通を直接検知するが、素子
１３を吸着するための素子吸着ヘッド１０を用いて電流
の導通を検知するのではなく、電流の導通を検知するた
めに専用の素子吸着ヘッド１０´を別に設けて、これを
用いて導通を検知することも可能である。
【０１５３】この場合、第２の方法の特徴に加えて、素
子吸着ヘッド１０により素子１３を移送している間に、
同時に素子吸着ヘッド１０´により導通電流の検知を行
うことができるため、導通電流を検知するために追加さ
れる作業により、従来に比べて作業効率が低下すること
を防止することができる。
子吸着ヘッド１０により素子１３を移送している間に、
同時に素子吸着ヘッド１０´により導通電流の検知を行
うことができるため、導通電流を検知するために追加さ
れる作業により、従来に比べて作業効率が低下すること
を防止することができる。
【０１５４】図２３および図２４に、上述の導通電流の
検知による接着シート１４の破断検出方法のフローチャ
ートを示す。図２３は、前述の第１の方法による破断検
出のフローチャートである。接着シート１４をホルダ１
５に固定するバキューム吸引を開始すると同時に、導通
電流の検知を開始する。突き上げピン２７が上昇し、接
着シート１４を介して素子１３に接触し、さらに素子１
３を突き上げる間、電流の検知を行い、突き上げピン２
７と素子吸着ヘッド１０とが導通しているか否かの判断
を行う。ここで、導通電流が検知され、接着シート１４
が破断していると判断された場合には、装置を停止し、
警告音等により作業者にシートの破断を知らせる。作業
者は、原因を調査し、対策を施した後に、再び突き上げ
動作を開始させる。導通電流が検知されない場合には、
接着シート１４は破断していないと判断され、突き上げ
ピン２７は最高点まで上昇する。素子吸着ヘッド１０は
素子１３を吸着し、接着シート１４より取り上げる。突
き上げピン２７は下降し、次の素子の突き上げ動作が再
び開始される。
検知による接着シート１４の破断検出方法のフローチャ
ートを示す。図２３は、前述の第１の方法による破断検
出のフローチャートである。接着シート１４をホルダ１
５に固定するバキューム吸引を開始すると同時に、導通
電流の検知を開始する。突き上げピン２７が上昇し、接
着シート１４を介して素子１３に接触し、さらに素子１
３を突き上げる間、電流の検知を行い、突き上げピン２
７と素子吸着ヘッド１０とが導通しているか否かの判断
を行う。ここで、導通電流が検知され、接着シート１４
が破断していると判断された場合には、装置を停止し、
警告音等により作業者にシートの破断を知らせる。作業
者は、原因を調査し、対策を施した後に、再び突き上げ
動作を開始させる。導通電流が検知されない場合には、
接着シート１４は破断していないと判断され、突き上げ
ピン２７は最高点まで上昇する。素子吸着ヘッド１０は
素子１３を吸着し、接着シート１４より取り上げる。突
き上げピン２７は下降し、次の素子の突き上げ動作が再
び開始される。
【０１５５】図２４は、前述の第２または第３の方法に
よる破断検出のフローチャートを示している。図２３に
示す第１の方法と同様に、バキューム吸引を開始して接
着シート１４をホルダ１５に固定するが、第１の方法と
異なり、ここでは導通電流の検知は行わない。突き上げ
ピン２７の上昇を開始し、最高点まで上昇させ、素子吸
着ヘッド１０は素子１３を吸着して接着シート１４より
取り上げる。突き上げピン２７は下降し、素子吸着ヘッ
ド１０は素子１３を移送する。ここで、第１の方法のよ
うに、ただちに次の素子の突き上げ動作が開始されず、
素子１３を位置修正ステージ１１まで移送した素子吸着
ヘッド１０または導通電流を検知するための素子吸着ヘ
ッド１０´を再び下降させると同時に、突き上げピン２
７を上昇させて、導通電流の検知を開始する。素子１３
はすでに移送されているため、素子吸着ヘッド１０また
は１０´と突き上げピン２７とは、接着シートを介して
接触する。ここで、導通電流が検知され、接着シート１
４が破断していると判断された場合には、装置を停止
し、警告音等により作業者にシートの破断を知らせる。
作業者は、原因を調査し、対策を施した後に、再び突き
上げ動作を開始させる。導通電流が検知されない場合に
は、接着シート１４は破断していないと判断され、ｘｙ
ステージが移動して次の素子１３´の突き上げ動作を開
始する。
よる破断検出のフローチャートを示している。図２３に
示す第１の方法と同様に、バキューム吸引を開始して接
着シート１４をホルダ１５に固定するが、第１の方法と
異なり、ここでは導通電流の検知は行わない。突き上げ
ピン２７の上昇を開始し、最高点まで上昇させ、素子吸
着ヘッド１０は素子１３を吸着して接着シート１４より
取り上げる。突き上げピン２７は下降し、素子吸着ヘッ
ド１０は素子１３を移送する。ここで、第１の方法のよ
うに、ただちに次の素子の突き上げ動作が開始されず、
素子１３を位置修正ステージ１１まで移送した素子吸着
ヘッド１０または導通電流を検知するための素子吸着ヘ
ッド１０´を再び下降させると同時に、突き上げピン２
７を上昇させて、導通電流の検知を開始する。素子１３
はすでに移送されているため、素子吸着ヘッド１０また
は１０´と突き上げピン２７とは、接着シートを介して
接触する。ここで、導通電流が検知され、接着シート１
４が破断していると判断された場合には、装置を停止
し、警告音等により作業者にシートの破断を知らせる。
作業者は、原因を調査し、対策を施した後に、再び突き
上げ動作を開始させる。導通電流が検知されない場合に
は、接着シート１４は破断していないと判断され、ｘｙ
ステージが移動して次の素子１３´の突き上げ動作を開
始する。
【０１５６】このように、本発明の第５の実施の形態に
よる素子突き上げ装置３０は、素子吸着ヘッド１０と突
上げピン２７の間に電圧を印加する電源３６と、素子吸
着ヘッド１０と突き上げピン２７との間に流れる導通電
流を検知する測定装置３７と、導通電流により接着シー
ト１４の破断を判断する判断装置３８と、判断装置３８
からの信号により、装置の停止および作業者への告知を
行う制御装置３２を具備するため、接着シートが破れた
状態で作業が続くことを防止できる。このため、従来の
素子突き上げ装置のように、接着シート１４が破れた後
に作業を続けることにより、接着シート１４をバキュー
ム吸引して固定することができず、半導体素子１３を接
着シート１４から剥離することができないという問題を
回避することができる。
よる素子突き上げ装置３０は、素子吸着ヘッド１０と突
上げピン２７の間に電圧を印加する電源３６と、素子吸
着ヘッド１０と突き上げピン２７との間に流れる導通電
流を検知する測定装置３７と、導通電流により接着シー
ト１４の破断を判断する判断装置３８と、判断装置３８
からの信号により、装置の停止および作業者への告知を
行う制御装置３２を具備するため、接着シートが破れた
状態で作業が続くことを防止できる。このため、従来の
素子突き上げ装置のように、接着シート１４が破れた後
に作業を続けることにより、接着シート１４をバキュー
ム吸引して固定することができず、半導体素子１３を接
着シート１４から剥離することができないという問題を
回避することができる。
【０１５７】また、従来の素子突き上げ装置３０のよう
に、ある纏まった単位（１ロット）の半導体素子の処理
が終了した後に、初めて接着シート１４の破断が発見さ
れるため、このような接着シート１４の破断を発見した
時にはすでに多量の不良品を発生させているという問題
を回避することができる。
に、ある纏まった単位（１ロット）の半導体素子の処理
が終了した後に、初めて接着シート１４の破断が発見さ
れるため、このような接着シート１４の破断を発見した
時にはすでに多量の不良品を発生させているという問題
を回避することができる。
【０１５８】また、第３乃至第５の実施の形態を適宜組
み合わせることにより、接着シート１４の破断を、真空
チャンバ内の圧力の低下と突き上げピンに加わる荷重値
の低下と導通電流とのいずれか２つ以上の方法により検
知することができるため、さらに確実に接着シートの破
断を検知でき、不良品の発生をさらに確実に低減するこ
とが可能となる。
み合わせることにより、接着シート１４の破断を、真空
チャンバ内の圧力の低下と突き上げピンに加わる荷重値
の低下と導通電流とのいずれか２つ以上の方法により検
知することができるため、さらに確実に接着シートの破
断を検知でき、不良品の発生をさらに確実に低減するこ
とが可能となる。
【０１５９】
【発明の効果】以上のように、本発明による突き上げピ
ンによれば、接着シートより半導体素子を剥離する時
に、半導体素子の裏面に接着剤等が残存せず、また接着
シートの破断を防止することができるため、半導体装置
の不良の発生を防止することができる。
ンによれば、接着シートより半導体素子を剥離する時
に、半導体素子の裏面に接着剤等が残存せず、また接着
シートの破断を防止することができるため、半導体装置
の不良の発生を防止することができる。
【０１６０】また、本発明による半導体製造装置では、
突き上げピンを用いて接着シートより半導体素子を剥離
する時に、半導体素子の裏面にダメージを与える等の不
良の発生を防止し、さらに、突き上げピンが接着シート
を突き破った場合には、それ以上の多量の不良品が発生
することを防止することができる。
突き上げピンを用いて接着シートより半導体素子を剥離
する時に、半導体素子の裏面にダメージを与える等の不
良の発生を防止し、さらに、突き上げピンが接着シート
を突き破った場合には、それ以上の多量の不良品が発生
することを防止することができる。
【０１６１】さらに、本発明による半導体装置の製造方
法では、突き上げピンを用いて接着シートより半導体素
子を剥離する時に、半導体素子の裏面にダメージを与え
る等の不良の発生を防止し、さらに、突き上げピンが接
着シートを突き破った場合に、接着シートの破断を検知
して、それ以上の多量の不良品の発生を防止することが
できる。
法では、突き上げピンを用いて接着シートより半導体素
子を剥離する時に、半導体素子の裏面にダメージを与え
る等の不良の発生を防止し、さらに、突き上げピンが接
着シートを突き破った場合に、接着シートの破断を検知
して、それ以上の多量の不良品の発生を防止することが
できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態による素子突き上げ
装置の構造を示す上面図および断面図。
装置の構造を示す上面図および断面図。
【図２】本発明の第１の実施の形態による素子突き上げ
装置の動作を示す断面図。
装置の動作を示す断面図。
【図３】本発明の第１の実施の形態による突き上げピン
の拡大側面図。
の拡大側面図。
【図４】本発明の第２の実施の形態による突き上げピン
の拡大側面図。
の拡大側面図。
【図５】本発明の第１の実施の形態による突き上げピン
を用いた場合の突き上げピン先端部と接着シートおよび
半導体素子の拡大断面図。
を用いた場合の突き上げピン先端部と接着シートおよび
半導体素子の拡大断面図。
【図６】本発明の第１の実施の形態による突き上げピン
を用いた場合に半導体素子の裏面に残存した接着剤およ
び接着シートの面積を測定した結果を示す図。
を用いた場合に半導体素子の裏面に残存した接着剤およ
び接着シートの面積を測定した結果を示す図。
【図７】本発明の第１の実施の形態による突き上げピン
を用いた場合の接着シートが破断する時に突き上げピン
に荷重されている力を測定した結果を示す図。
を用いた場合の接着シートが破断する時に突き上げピン
に荷重されている力を測定した結果を示す図。
【図８】本発明の第３の実施の形態による素子突き上げ
装置の構造を示す上面図および断面図。
装置の構造を示す上面図および断面図。
【図９】本発明の第３の実施の形態による素子突き上げ
装置の動作を示す断面図。
装置の動作を示す断面図。
【図１０】本発明の第３の実施の形態による素子突き上
げ装置の動作を示す断面図。
げ装置の動作を示す断面図。
【図１１】本発明の第３の実施の形態による素子突き上
げ装置を用いた場合の真空チャンバ内の圧力の実測値、
および突き上げピンの高さの変位を示す図。
げ装置を用いた場合の真空チャンバ内の圧力の実測値、
および突き上げピンの高さの変位を示す図。
【図１２】本発明の第３の実施の形態による素子突き上
げ装置の動作の制御方法を説明するフローチャートを示
す図。
げ装置の動作の制御方法を説明するフローチャートを示
す図。
【図１３】本発明の第３の実施の形態による素子突き上
げ装置の動作の制御方法を説明するフローチャートを示
す図。
げ装置の動作の制御方法を説明するフローチャートを示
す図。
【図１４】本発明の第４の実施の形態による素子突き上
げ装置の構造を示す上面図および断面図。
げ装置の構造を示す上面図および断面図。
【図１５】本発明の第４の実施の形態による素子突き上
げ装置の動作を示す断面図。
げ装置の動作を示す断面図。
【図１６】本発明の第４の実施の形態による素子突き上
げ装置の動作を示す断面図。
げ装置の動作を示す断面図。
【図１７】本発明の第４の実施の形態による素子突き上
げ装置を用いた場合の突き上げピンに加わる荷重の実測
値を示す図。
げ装置を用いた場合の突き上げピンに加わる荷重の実測
値を示す図。
【図１８】本発明の第４の実施の形態による素子突き上
げ装置の動作の制御方法を説明するフローチャートを示
す図。
げ装置の動作の制御方法を説明するフローチャートを示
す図。
【図１９】本発明の第４の実施の形態による素子突き上
げ装置の動作の制御方法を説明するフローチャートを示
す図。
げ装置の動作の制御方法を説明するフローチャートを示
す図。
【図２０】本発明の第５の実施の形態による素子突き上
げ装置の構造を示す上面図および断面図。
げ装置の構造を示す上面図および断面図。
【図２１】本発明の第５の実施の形態による素子突き上
げ装置の適用される半導体素子の構造を示す断面図。
げ装置の適用される半導体素子の構造を示す断面図。
【図２２】本発明の第５の実施の形態による素子突き上
げ装置の他の動作状態を示す断面図。
げ装置の他の動作状態を示す断面図。
【図２３】本発明の第５の実施の形態による素子突き上
げ装置の動作の制御方法を説明するフローチャートを示
す図。
げ装置の動作の制御方法を説明するフローチャートを示
す図。
【図２４】本発明の第５の実施の形態による素子突き上
げ装置の動作の制御方法を説明するフローチャートを示
す図。
げ装置の動作の制御方法を説明するフローチャートを示
す図。
【図２５】従来の半導体製造装置の構造を示す斜視図。
【図２６】従来の素子突き上げ装置の構造を示す上面図
および断面図。
および断面図。
【図２７】従来の素子突き上げ装置の動作を示す断面
図。
図。
【図２８】従来の突き上げピンの拡大側面図。
【図２９】従来の突き上げピンを用いた場合の突き上げ
ピン先端部と接着シートおよび半導体素子の拡大断面
図。
ピン先端部と接着シートおよび半導体素子の拡大断面
図。
１…ウェハ、２…ウェハリング、３…ＸＹテーブル、４
…カメラ、５…リード供給部、６…リードフレーム搬送
部、７…ペースト供給部、８…ボンヂングヘッド部、９
…リードフレーム収納部、１０…素子吸着ヘッド、１１
…位置修正ステージ、１２…コレット、１３…半導体素
子、１４…接着シート、１５…バックアップホルダ、１
６…溝、１７、２７…突き上げピン、１８…穴、１９…
ピンホルダ、２０…真空装置、３０…素子突き上げ装
置、３１…駆動装置、３２…制御装置、３３…圧力測定
装置、３４…荷重測定装置、３５…判断装置、３６…電
源、３７…導通検知機、３８…制御判断機、４１…テス
トパッド、４２…保護膜、４３…ボンディングパッド。
…カメラ、５…リード供給部、６…リードフレーム搬送
部、７…ペースト供給部、８…ボンヂングヘッド部、９
…リードフレーム収納部、１０…素子吸着ヘッド、１１
…位置修正ステージ、１２…コレット、１３…半導体素
子、１４…接着シート、１５…バックアップホルダ、１
６…溝、１７、２７…突き上げピン、１８…穴、１９…
ピンホルダ、２０…真空装置、３０…素子突き上げ装
置、３１…駆動装置、３２…制御装置、３３…圧力測定
装置、３４…荷重測定装置、３５…判断装置、３６…電
源、３７…導通検知機、３８…制御判断機、４１…テス
トパッド、４２…保護膜、４３…ボンディングパッド。
Claims (24)
- 【請求項１】 接着シート上に接着剤により貼着された
半導体素子を前記接着シートの裏面から突き上げること
により前記半導体素子を前記接着シートより剥離するた
めに使用される突き上げピンにおいて、前記半導体素子
を前記接着シートの裏面から突き上げる時に前記接着シ
ートおよび前記接着剤が均一の厚さとなる手段を有する
ことを特徴とする突き上げピン。 - 【請求項２】 接着シート上に接着剤により貼着された
半導体素子を前記接着シートの裏面から突き上げること
により前記半導体素子を前記接着シートより剥離するた
めに使用される突き上げピンにおいて、その先端は半球
以上の球形状を有することを特徴とする突き上げピン。 - 【請求項３】 前記突き上げピンは先端部分とベース部
分とにより構成され、前記先端部分は半球以上の球形状
を有する請求項２記載の突き上げピン。 - 【請求項４】 前記突き上げピンは軸の上面を半球状に
加工して形成された先端を有する請求項２記載の突き上
げピン。 - 【請求項５】 接着シートに接着剤により貼着された半
導体素子を前記接着シートの裏面から突き上げピンによ
り突き上げて前記半導体素子を前記接着シートより剥離
する半導体製造装置において、前記突き上げピンは前記
半導体素子を前記接着シートの裏面から突き上げる時に
前記接着シートおよび前記接着剤が均一の厚さとなる手
段を有することを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項６】 接着シートに接着剤により貼着された半
導体素子を前記接着シートの裏面から突き上げピンによ
り突き上げて前記半導体素子を前記接着シートより剥離
する半導体製造装置において、前記突き上げピンの先端
は半球以上の球形状を有することを特徴とする半導体製
造装置。 - 【請求項７】 前記突き上げピンは先端部分とベース部
分とにより構成され、前記先端部分は半球以上の球形状
を有する請求項６記載の突き上げピン。 - 【請求項８】 前記突き上げピンは軸の上面を半球状に
加工して形成された先端を有する請求項６記載の突き上
げピン。 - 【請求項９】 半導体素子が接着剤により貼着された接
着シートを真空吸引により固定し、前記半導体素子を前
記接着シートの裏面から突き上げピンにより突き上げ
て、前記半導体素子を前記接着シートより剥離する半導
体製造装置において、前記突き上げピンは前記半導体素
子を前記接着シートの裏面から突き上げる時に前記接着
シートおよび前記接着剤が均一の厚さとなる手段を有
し、前記半導体製造装置は前記真空吸引の圧力を測定す
る手段と、この圧力測定手段の測定結果に基づいて突き
上げピンの動作状態を制御する制御手段とを具備するこ
とを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項１０】 前記制御装置は、前記圧力測定手段の
測定値とあらかじめ設定された値とを比較する機能と、
前記測定値が前記設定値より大きい場合に突き上げピン
の突き上げ動作を開始する機能を具備する請求項９記載
の半導体製造装置。 - 【請求項１１】 前記制御装置は、前記圧力測定手段の
測定値の低下を検知する機能と、測定値の低下を検知し
た場合に突き上げピンの突き上げ動作を停止する機能を
具備する請求項９記載の半導体製造装置。 - 【請求項１２】 接着シートに接着剤により貼着された
半導体素子を前記接着シートの裏面から突き上げピンに
より突き上げて前記接着シートより剥離する半導体製造
装置において、前記突き上げピンは前記半導体素子を前
記接着シートの裏面から突き上げる時に前記接着シート
および前記接着剤が均一の厚さとなる手段を有し、前記
半導体製造装置は前記突き上げピンに加わる荷重を測定
する手段と、この荷重測定手段の測定結果に基づいて突
き上げピンの動作状態を制御する制御手段とを具備する
ことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項１３】 前記制御装置は、前記荷重測定手段の
測定値を設定された値と比較して、測定値の低下を検知
した場合に突き上げピンの突き上げ動作を停止する機能
を具備する請求項１２記載の半導体製造装置。 - 【請求項１４】 接着シートに接着剤により貼着された
半導体素子を前記接着シートの裏面から突き上げピンに
より突き上げて前記接着シートより剥離し素子吸着ヘッ
ドにより前記素子を取り上げる半導体製造装置におい
て、前記突き上げピンは前記半導体素子を前記接着シー
トの裏面から突き上げる時に前記接着シートおよび前記
接着剤が均一の厚さとなる手段を有し、前記半導体製造
装置は、前記素子吸着ヘッドと前記突き上げピンとの間
に電圧を印加する手段と、前記素子吸着ヘッドと前記突
き上げピンとの間の導通電流を測定する手段と、この電
流測定手段の測定結果に基づいて突き上げピンの動作状
態を制御する制御手段とを具備することを特徴とする半
導体製造装置。 - 【請求項１５】 半導体素子が接着剤により貼着された
接着シートを真空吸引により固定し、前記接着シートお
よび前記接着剤が均一の厚さとなるように、前記接着シ
ートの裏面から前記半導体素子を突き上げピンにより突
き上げる際に、真空吸引の圧力を測定し、この測定結果
に基づいて突き上げピンの動作状態を制御することを特
徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１６】 前記接着シートを真空吸引した後で突
き上げ動作を開始する前に、真空吸引の圧力を測定し、
前記圧力の測定値とあらかじめ設定された値とを比較
し、前記測定値が前記設定値より大きい場合に突き上げ
ピンの突き上げ動作を開始する請求項１５記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項１７】 突き上げ動作を開始した後に前記真空
吸引の圧力を常に測定し、この測定値とあらかじめ設定
された値とを常に比較し、前記測定値が前記設定値より
小さい場合に突き上げピンの突き上げ動作を停止する請
求項１５記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１８】 前記突き上げ動作を終了した後に、前
記真空吸引の圧力を測定し、この測定値とあらかじめ設
定された値とを比較し、前記測定値が前記設定値より小
さい場合に突き上げピンの突き上げ動作を停止する請求
項１５記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１９】 接着シートに接着剤により貼着された
半導体素子を、前記接着シートおよび前記接着剤が均一
の厚さとなるように、前記接着シートの裏面から突き上
げピンにより突き上げる際に、前記突き上げピンに加わ
る荷重を測定し、この荷重の測定結果に基づいて突き上
げピンの動作状態を制御することを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項２０】 突き上げ動作を開始した後に前荷重を
常に測定し、この測定値とあらかじめ設定された値とを
常に比較し、前記測定値が前記設定値より小さい場合に
突き上げピンの突き上げ動作を停止する請求項１９記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項２１】 前記突き上げ動作を終了した後に、前
記荷重を測定し、この測定値とあらかじめ設定された値
とを比較し、前記測定値が前記設定値より小さい場合に
突き上げピンの突き上げ動作を停止する請求項１９記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項２２】 接着シートに接着剤により貼着された
半導体素子を前記接着シートの裏面から、前記接着シー
トおよび前記接着剤が均一の厚さとなるように、突き上
げピンにより突き上げて前記接着シートより剥離し、素
子吸着ヘッドにより前記素子を取り上げる際に、前記素
子吸着ヘッドと前記突き上げピンとの間に電圧を印加し
て、前記素子吸着ヘッドと前記突き上げピンとの間の導
通電流を測定し、この測定結果に基づいて突き上げピン
の動作状態を制御することを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項２３】 前記突き上げピンにより突き上げられ
ている前記素子に吸着ヘッドが接触している時に、前記
素子吸着ヘッドと前記突き上げピンとの間の前記素子を
介する導通電流を測定し、導通電流が検知された場合に
突き上げピンの突き上げ動作を停止する請求項２２記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項２４】 前記素子が前記素子吸着ヘッドにより
取り上げられ移送された後に、前記吸着ヘッドを再降下
させると同時に前記突き上げピンを上昇させて前記素子
吸着ヘッドと前記突き上げピンとの間に電圧を印加し
て、前記素子吸着ヘッドと前記突き上げピンとの間の導
通電流を測定し、導通電流が検知された場合に突き上げ
ピンの突き上げ動作を停止する請求項２２記載の半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31640395A JP3498877B2 (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
| US08/760,117 US6201306B1 (en) | 1995-12-05 | 1996-12-03 | Push-up pin of a semiconductor element pushing-up device, and a method for separating |
| US09/735,617 US6555418B2 (en) | 1995-12-05 | 2000-12-14 | Method for separating a semiconductor element in a semiconductor element pushing-up device |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31640395A JP3498877B2 (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003287842A Division JP3930463B2 (ja) | 2003-08-06 | 2003-08-06 | 突き上げピンおよび半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09162204A true JPH09162204A (ja) | 1997-06-20 |
| JP3498877B2 JP3498877B2 (ja) | 2004-02-23 |
Family
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|---|---|---|---|
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