JPH08120039A - ベンジル化ポリフェノール、そのエポキシ樹脂、それらの製造方法および用途 - Google Patents

ベンジル化ポリフェノール、そのエポキシ樹脂、それらの製造方法および用途

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JPH08120039A
JPH08120039A JP6255716A JP25571694A JPH08120039A JP H08120039 A JPH08120039 A JP H08120039A JP 6255716 A JP6255716 A JP 6255716A JP 25571694 A JP25571694 A JP 25571694A JP H08120039 A JPH08120039 A JP H08120039A
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 下記式(I)で表されるポリフェノールをベ
ンジル化することにより得られるベンジル化ポリフェノ
ール、およびそのエポキシ樹脂、それらの製造方法並び
に半導体封止材等としての用途。 【効果】 耐湿性等の性能を向上させたエポキシ樹脂材
料を安価に提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、新規なベンジル化ポリ
フェノール、そのエポキシ樹脂、それらの製造方法およ
びそれらの用途に関する。さらに詳しくは、例えば、エ
ポキシ樹脂組成物として、注型、積層、接着、成形、封
止、複合材等の用途に適するものであり、より具体的に
例示すれば、耐熱性、耐湿性、接着性、機械的強度に優
れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、およびそれを用
いて半導体素子を封止した信頼性に優れる半導体装置に
関する。また、本発明のベンジル化ポリフェノールは、
その構造からして、フォトレジスト用レジンとしても使
用可能である。
【0002】
【従来の技術】フェノール系樹脂を耐熱性複合材用マト
リックス樹脂や耐熱性成形材料などに利用することは、
近年、ますます多種多様化され、工業的に重要になって
きている。これらの先端分野では、フェノール樹脂自体
に高度な性能が求められ、例えば、IC封止材分野で
は、エポキシ樹脂として、またはその硬化剤として利用
され、全体として、接着性、耐熱性、耐湿性等に高い性
能が求められている。従来、この分野のフェノール系樹
脂としては、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹
脂とフェノールノボラック樹脂を硬化剤とする組み合わ
せが主流であった。しかしながら、近年、電子部品のプ
リント配線板への高密度実装化が進むにつれ、電子部品
は、従来のピン挿入型パッケージから、表面実装型のパ
ッケージが主流になってきている。IC、LSIなどの
表面実装型ICは、実装密度を高くし、実装高さを低く
するために、薄型、小型のパッケージになっており、素
子のパッケージに対する占有体積が大きくなり、パッケ
ージの肉厚は非常に薄くなってきた。さらに、これらの
パッケージは、従来のピン挿入型のものと実装が異なっ
ている。即ち、ピン挿入型パッケージは、ピンを配線板
に挿入した後、配線板裏面からハンダ付けを行うため
に、パッケージが直接高温にさらされることがなかっ
た。
【0003】しかし、表面実装型ICは、配線板表面に
仮止を行い、ハンダバスやリフロー装置などで処理され
るため、直接ハンダ付け温度にさらされる。現在、IC
パッケージを配線板に実装する場合、IRリフローによ
る方法が主流となっているが、この方法による適用温度
は215℃程度が一般的である。しかしながら、生産性
の改良に伴い、ハンダ付け温度は240℃〜265℃
と、より高温度での処理が求められている。このような
高温度領域での使用においては、ベース樹脂の耐湿性や
耐熱性が極めて重要である。ベース樹脂のエポキシ樹脂
組成物では一般に耐湿性と耐熱性は相反する関係にあ
る。即ち、耐熱性を向上させるために架橋密度を増加さ
せれば吸湿性が大きくなり、吸湿性を下げるために架橋
密度を減少させれば耐熱性に問題が残る。現在、半導体
封止用材料で主流となっているフェノールノボラック構
造では、耐熱性に優れている反面、吸湿性が大きいた
め、前述したような高温での使用はパッケージが吸湿し
た場合、ハンダ付け時に吸湿水分が急激に膨張し、パッ
ケージをクラックさせてしまう。現在、この現象が表面
実装型ICに係わる大きな問題となっている。
【0004】このような問題に対し、樹脂の構造自体を
改良する方法が幾つか試みられている。例えば、キシリ
レン結合を有するフェノールアラルキル樹脂の使用であ
る(特公平2−49329号公報、特公昭62−281
65号公報)。このフェノールアラルキル樹脂の使用
は、特公昭62−28165号公報、3頁第5欄、5行
目〜30行目および第6欄、38行目〜42行目に記載
されているように、耐熱性、耐湿性、耐クラック性およ
び耐衝撃性に優れた成形物を与えることが知られてお
り、半導体封止材料として利用されている。また、この
樹脂の特性として、溶融粘度が低く、このため混練や成
形等の作業性も申し分なく、更に、シリカ等の充填材を
高配合できる優れた機能を有する。一方、キシリレン結
合以外のフェノール樹脂では、ジシクロペンタジエンか
ら誘導されるもの(特開昭58−37021号公報、特
開昭61−168618号公報)、テルペン類を利用し
たもの(特開平4−55422号公報)、芳香族アルデ
ヒド類を利用したもの(特開平3−28219号公
報)、その他、チオエーテル結合によるもの(特開平6
−179739号公報)等が提案されている。しかしな
がら、このような改良された各種フェノール樹脂の問題
点としては、フェノールアラルキル樹脂では、各種物性
面で非常に優れている反面、原料物質が煩雑な工程によ
って製造されるため高価であり、したがって、該フェノ
ール樹脂もノボラック樹脂の7〜8倍程度のコストとな
ることから、利用範囲が大巾に制限を受けている。又、
他の各種フェノール樹脂においても、物性面や作業性の
点で一長一短があり、製品化するまでには至っていない
のが現状である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、成形
材料において、耐熱性、耐湿性、耐衝撃性等に優れ、半
導体封止用途においても耐クラック性が良好であり、か
つ、フェノール樹脂自身の溶融粘度も低く、作業性に優
れた材料を安価に提供することである。又、このうち、
耐熱性、耐湿性を任意に調整できることも要望される課
題の一つである。さらにまた、これらの材料を使用して
信頼性に優れた半導体装置を得ることも課題の一つであ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決するために鋭意検討した。その結果、本発明を完
成したものである。即ち、本発明は、(1) 一般式(I)
(化4)で表されるポリフェノールと、一般式(II)
(化6)及び/又は(III)(化6)、もしくは(IV)
(化6)で表されるベンジル化剤とを、酸触媒又は自己
発生ハロゲン化水素の存在下に反応させることを特徴と
するベンジル化ポリフェノールの製造方法に関するもの
である。
【0007】
【化4】 〔式中、nは0〜50の整数を、R1 は水素原子、水酸
基、炭素数1〜4のアルキル基又はアルコキシを、−X
−は下記(化5)のいずれかの結合
【0008】
【化5】 (式中、R2 、R3 は水素原子、炭素数1〜10のアル
キル基、アリール基を表し、R2 とR3 で環を形成して
もよく、R4 、R5 は水素原子又はメチル基を表す)を
表す〕
【0009】
【化6】 (式中、R6 、R7 、R9 は水素原子又はメチル基を、
8 は水素原子、アラルキル基、アリール基、シクロア
ルキル基、炭素数1〜9のアルキル基又はハロゲン原子
を、Yは水酸基、炭素数1〜4アルコキシ基又はハロゲ
ン原子を表す)
【0010】また、(2) 一般式(II)及び/又は(II
I)、もしくは(IV)のベンジル化剤を、フェノール分1
モルに対し、0.1〜1.2モルの割合で用いる、前記
の方法で得られる液状〜軟化点120℃、数平均分子量
250〜4000のベンジル化ポリフェノール、(3) −
X−が−CH2 −又は−S−で、R1 が水素原子または
メチル基であるポリフェノールを用いて得られる(2) 記
載のベンジル化ポリフェノール、(4) −X−が−CH2
−又は−S−で、R1 が水素原子またはメチル基である
ポリフェノールと、R6 、R7 、R8 が全て水素原子で
ある一般式(II)及び/又は(III)のベンジル化剤とを
用いて得られる、150℃におけるICI溶融粘度が5
ポイズ以下で、かつ、水酸基当量が120〜240g/
eqである(2) 記載のベンジル化ポリフェノール、(5)
a)1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ
樹脂と、b)(2) 〜(4) のいずれかに記載のベンジル化
ポリフェノールを必須成分とする硬化剤とを含有してな
るエポキシ樹脂組成物、(6) (2) 〜(4) のいずれかに記
載のベンジル化ポリフェノールとエピハロヒドリンを反
応させることを特徴とするエポキシ樹脂の製造方法、
(7) (6) 記載の方法によって得られるエポキシ当量が1
20〜300g/eqで液状〜軟化点100℃であるエ
ポキシ樹脂、(8) a)(7) 記載のエポキシ樹脂を必須成
分とするエポキシ樹脂と、b)フェノール化硬化剤を配
合して成るエポキシ樹脂組成物、(9) (5) または (8)記
載のエポキシ樹脂組成物と、この樹脂組成物に対し、5
0〜92重量%の無機充填剤とを含有してなる半導体封
止用エポキシ樹脂組成物、(10) (9)記載のエポキシ樹脂
組成物を硬化させて得られる硬化物、(11) (10) 記載の
硬化物により封止された信頼性に優れた半導体装置、等
に関するものである。
【0011】本発明のベンジル化ポリフェノール並びに
そのエポキシ樹脂では、第1に、ポリフェノールの基本
構造に対し、各種ベンジル基を導入することによって、
水酸基当量又はそれから誘導されるエポキシ当量を任意
に調整できる。このため、これらを用いて高性能のエポ
キシ樹脂組成物、殊に半導体封止用エポキシ樹脂組成物
が得られる。即ち、それらの組成物における耐湿性の向
上とともに、耐熱性や耐衝撃性に優れた物性が具現化さ
れ、この材料を用いて耐クラック性の良好な信頼性の高
い半導体装置が得られる。第2に、ベンジル基を導入し
ても、溶融粘度はほとんど変化せず、極めて良好な水準
が維持できる。このことは半導体封止用材料として、シ
リカ等の充填材の高配合が可能となり、この結果、各種
物性の向上、例えば、更なる低吸水化や熱膨張係数の減
少等により信頼性に優れた製品が得られる。第3に、高
性能の材料を安価に製造、供給することが可能である。
これは、例えば、現在最も高性能である反面、高価な前
記フェノールアラルキル樹脂と同等程度の性能を持つも
のを、より安価に製造、供給し得るということである。
例えば、前記(3)記載のベンジル化ポリフェノールのう
ち、−X−が−CH2 −のものは、フェノールノボラッ
ク樹脂をベンジル化したエポキシ樹脂硬化用ポリフェノ
ールであるが、このポリフェノールの構造を模式図で示
すと下記式(V)(化7)で表されるものの混合物であ
る。
【0012】
【化7】 (式中、n、R1 は前記と同じ意味を表し、lは0〜5
0、mは0〜2の整数を表す) これをより具体的に表現するために、n=1、m=0、
l=2で、R1 が水素原子の場合について、ベンジル基
が両端のフェノール骨格に導入されたものを仮定し、図
示すると下記式(VI)(化8)で表され、一方、フェノ
ールアラルキル樹脂のフェノール成分3個から成る構造
は、下記式(VII)(化8)で表すことができる。
【0013】
【化8】
【0014】これら2種の理論水酸基当量は162であ
り、両者は構造異性体の関係にある。即ち、安価なフェ
ノールノボラック樹脂のフェノール成分に対し、2/3
当量のベンジル基を導入することで、高価なフェノール
アラルキル基と同等の官能基密度を有するものが得られ
るということである。このような手段で適宜フェノール
成分に対するベンジル基の割合を調節することで、任意
の官能基密度のものが得られ、耐熱性と耐湿性のバラン
スを調整することが可能となる。また、ポリチオフェノ
ールから誘導される前記(3) 、(4) で−X−が−S−の
ベンジル化ポリフェノールは、硬化反応性が速いことも
特徴の一つであり、この結果として、前記物性向上の他
に、成形加工性の向上も達成できる。このようなベンジ
ル化ポリフェノールから誘導されたエポキシ樹脂も同様
の効果を有する。
【0015】本発明のベンジル化ポリフェノールは、ポ
リフェノール類を一般式(II)で表されるベンジルハラ
イド類、ベンジルアルコール類、ベンジルアルキルエー
テル類、一般式(III)で表されるジベンジルエーテル
類、一般式(IV)で表されるスチレン誘導体等のベンジ
ル化剤でベンジル化する。この際、ベンジル基の導入位
置は、主として、ポリフェノール類の空位のオルソおよ
び/またはパラ位である。また、条件によっては、導入
されたベンジル基自身への結合も起こり、分子量が増大
する。このことを模式図で示すと、前記式(V)におい
て、mが0以外の場合である。しかし、本発明のエポキ
シ樹脂用材料の場合、フェノール成分1モルに対するベ
ンジル化剤の使用割合が0.1から1.2モルを越えな
い範囲にあるため、mの数は0が主であり、多くても3
を超えることはない。さらに又、フェノール核の反応で
は、オルソ/パラ位のすべてが置換された場合、 1,3,5
位の超共役によりメタ位への反応も起こりうる。
【0016】このようにして得られる本発明のベンジル
化ポリフェノールの平均分子量は、250〜4000の
範囲にあり、軟化点(JIS−K−2548;環球法軟
化点測定装置による)は、常温で軟化し、測定できない
ような状態(液状)から120℃の範囲である。このう
ち、エポキシ樹脂用硬化剤として特に有用なものは、水
酸基当量が120〜240g/eqの範囲にあり、15
0℃のICI溶融粘度が5ポイズ以下のものである。水
酸基当量がこの範囲より低いと吸湿性は依然として高
く、半導体封止用途に不向きであり、この範囲より高い
と吸湿性は低くなるが、硬化物の耐熱性を示すガラス転
移温度(Tg)が低くなり過ぎて、同用途での使用が困
難になる傾向がある。また、溶融粘度は低ければ低い程
好ましく、作業性の面から5Poise 未満が望ましい。ま
た、このベンジル化ポリフェノールから誘導されるエポ
キシ樹脂では、軟化点は液状〜100℃の範囲で、エポ
キシ当量は120〜300g/eqである。この範囲外
では、前記の硬化剤の場合と同様のことが言える。
【0017】つぎに、本発明のベンジル化ポリフェノー
ルおよびそのエポキシ樹脂の製造方法について説明す
る。本発明のベンジル化ポリフェノールを製造する方法
で用いる基本構造となるポリフェノールは、汎用のフェ
ノール樹脂であり、具体的には一般式(I)における連
結基Xがアルデヒド又はケトン類から誘導されたもの、
例えば、下記(化9)のいずれかで表されるものであ
る。即ち、
【0018】
【化9】 この他、−X−が−S−、−O−、直接の結合、さらに
は、下記(化10)であるポリフェノール類が挙げられ
る。
【0019】
【化10】 これらの連結のうち、特に好ましい連結基は、ホルマリ
ンから誘導される−CH2 −、または、−S−のチオエ
ーテル結合である。
【0020】これらのポリフェノールにおいて、フェノ
ール成分は一般式(I)のR1 が水素原子、水酸基、炭
素数1〜4のアルキル基、アルコキシ基である。具体的
に例示すれば、フェノール、レゾルシン、カテコール、
ハイドロキノン、p−クレゾール、m−クレゾール、o
−クレゾール、p−エチルフェノール、o−エチルフェ
ノール、p−イソプロピルフェノール、p−n−プロピ
ルフェノール、o−n−プロピルフェノール、p−t−
ブチルフェノール、o−メトキシフェノール、m−メト
キシフェノール、p−メトキシフェノール、o−エトキ
シフェノール、p−エトキシフェノール、m−イソプロ
ポキシフェノール、p−t−ブトキシフェノール等が挙
げられる。これらのうち好ましくは、R1 が水素原子ま
たはメチル基であるフェノール又はクレゾール類であ
り、特に好ましいものはフェノールである。又、このポ
リフェノールの重合度は、一般式(I)のnで表される
が、nは0〜50までの範囲にあり、好ましくはn=0
〜20の範囲にあるものである。なお、一般式(I)の
結合様式は、直鎖状で示してあるが、フェノールを原料
としたものは架橋部分を含んでもよい。次に、ベンジル
化剤について述べる。ベンジル化剤としては一般式(I
I)(化11)、(III)(化11)、または(IV)(化
11)で表されるものである。
【0021】
【化11】
【0022】一般式(II)で表されるものとしては、一
般式(II)において、YがOHであり、R6 、R7 が水
素原子またはメチル基で、R8 が水素原子、アラルキル
基、アリール基、シクロアルキル基、炭素数1〜9のア
ルキル基、またはハロゲン原子であるようなベンジルア
ルコール誘導体、Yがハロゲン原子で、R6 、R7 、R
8 が前記と同じであるベンジルハライド誘導体、YがO
10で、R6 、R7 、R8 が前記と同じであり、R10
炭素数1〜4のアルキル基であるベンジルアルキルエー
テル誘導体等である。また、一般式(III)で表されるも
のとしては、R6 、R7 、R8 が前記一般式(II)の場
合と同じであるジベンジルエーテル誘導体である。
【0023】一般式(IV)で表されるものとしては、R
8 が前記一般式(II)または(III)と同じであり、R9
が水素原子またはメチル基であるスチレン誘導体であ
る。これを具体的に例示すると、ベンジルアルコール類
としては、ベンジルアルコール、o−メチルベンジルア
ルコール、m−メチルベンジルアルコール、p−メチル
ベンジルアルコール、o−エチルベンジルアルコール、
m−エチルベンジルアルコール、p−エチルベンジルア
ルコール、o−イソプロピルベンジルアルコール、p−
n−プロピルベンジルアルコール、p−tert−ブチルベ
ンジルアルコール、p−ノニルベンジルアルコール、o
−フェニルベンジルアルコール、p−シクロヘキシルベ
ンジルアルコール、p−(ベンジル)ベンジルアルコー
ル、p−(α−メチルベンジル)ベンジルアルコール、
p−(α,α−ジメチル)ベンジルアルコール、α−メ
チルベンジルアルコール、o−メチル−α−メチルベン
ジルアルコール、p−メチル−α−メチルベンジルアル
コール、m−メチル−α−メチルベンジルアルコール、
p−エチル−α−メチルベンジルアルコール、m−エチ
ル−α−エチルベンジルアルコール、o−エチル−α−
メチルベンジルアルコール、p−イソプロピル−α−メ
チルベンジルアルコール、p−フェニル−α−メチルベ
ンジルアルコール、p−(α−メチルベンジル)−α−
メチルベンジルアルコール、p−(α,α−ジメチルベ
ンジル)−α−メチルベンジルアルコール等が挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。
【0024】ベンジルアルキルエーテル類としては、ベ
ンジルメチルエーテル、ベンジルエチルエーテル、ベン
ジルイソプロピルエーテル、ベンジル−n−ブチルエー
テル、o−メチルベンジルメチルエーテル、o−メチル
ベンジルエチルエーテル、o−メチルベンジルイソブチ
ルエーテル、m−メチルベンジルメチルエーテル、m−
メチルベンジルエチルエーテル、m−メチルベンジルイ
ソプロピルエーテル、o−エチルベンジルメチルエーテ
ル、o−エチルベンジルエチルエーテル、o−エチルベ
ンジルイソプロピルエーテル、p−エチルベンジルメチ
ルエーテル、p−エチルベンジルエチルエーテル、p−
エチルベンジルイソプロピルエーテル、p−エチルベン
ジル−n−ブチルエーテル、o−イソプロピルベンジル
エチルエーテル、p−イソプロピルベンジルエチルエー
テル、p−n−プロピルベンジルエチルエーテル、p−
tert−ブチルベンジルエチルエーテル、p−tert−ブチ
ルベンジルイソプロピルエーテル、p−tert−オクチル
ベンジルエチルエーテル、p−ノニルベンジルメチルエ
ーテル、p−フェニルベンジルメチルエーテル、o−フ
ェニルベンジルイソプロピルエーテル、p−シクロヘキ
シルベンジルエチルエーテル、p−(α−メチルベンジ
ル)ベンジルメチルエーテル、p−(α−メチルベンジ
ル)ベンジルエーテル、p−(α,α−ジメチルベンジ
ル)ベンジルメチルエーテル、p−メチルベンジルメチ
ルエーテル、p−メチルベンジルエチルエーテル、p−
メチルベンジル−n−プロピルエーテル、p−メチルベ
ンジルイソプロピルエーテル、p−メチルベンジル−n
−ブチルエーテル、p−メチルベンジル−sec −ブチル
エーテル、p−メチルベンジルイソブチルエーテル、
【0025】α−メチルベンジルメチルエーテル、α−
メチルベンジルエチルエーテル、α−メチルベンジルイ
ソプロピルエーテル、α−メチルベンジル−n−プロピ
ルエーテル、α−メチルベンジル−n−ブチルエーテ
ル、o−メチル−α−メチルベンジルメチルエーテル、
p−メチル−α−メチルベンジルメチルエーテル、m−
メチル−α−メチルベンジルメチルエーテル、p−メチ
ル−α−メチルベンジルエチルエーテル、p−メチル−
α−メチルベンジルイソプロピルエチルエーテル、p−
メチル−α−メチルベンジル−n−プロピルエチルエー
テル、p−メチル−α−メチルベンジル−n−ブチルエ
チルエーテル、p−イソプロピル−α−メチルベンジル
メチルエーテル、o−イソプロピル−α−メチルベンジ
ルメチルエーテル、p−sec −ブチル−α−メチルベン
ジルメチルエーテル、p−tert−ブチル−α−メチルベ
ンジルメチルエーテル、p−ノニル−α−メチルベンジ
ルメチルエーテル、p−フェニル−α−メチルベンジル
メチルエーテル、p−シクロヘキシル−α−メチルベン
ジルメチルエーテル、p−(α−メチルベンジル)−α
−メチルベンジルメチルエーテル、p−(α,α−ジメ
チルベンジル)−α−メチルベンジルメチルエーテル等
が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0026】一般式(II)で、Yで表されるハロゲン原
子としては、塩素、臭素、弗素が挙げられるが、好まし
くは塩素である。一般式(II)で表されるベンジルハラ
イド類としては、ベンジルクロライド、ベンジルブロマ
イド、o−メチルベンジルクロライド、m−メチルベン
ジルクロライド、p−メチルベンジルクロライド、o−
エチルベンジルクロライド、m−エチルベンジルクロラ
イド、p−エチルベンジルクロライド、o−イソプロピ
ルベンジルクロライド、p−n−プロピルベンジルクロ
ライド、p−tert−ブチルベンジルブロマイド、p−ノ
ニルベンジルクロライド、o−フェニルベンジルフルオ
ライド、p−シクロヘキシルベンジルクロライド、p−
(ベンジル)ベンジルクロライド、p−(α−メチルベ
ンジル)ベンジルクロライド、p−(α,α−ジメチ
ル)ベンジルクロライド、α−メチルベンジルクロライ
ド、α−エチルベンジルブロマイド、α−イソプロピル
ベンジルクロライド、α−n−ブチルベンジルクロライ
ド、o−メチル−α−メチルベンジルクロライド、p−
メチル−α−メチルベンジルクロライド、m−メチル−
α−メチルベンジルクロライド、p−エチル−α−メチ
ルベンジルクロライド、o−エチル−α−メチルベンジ
ルクロライド、p−イソプロピル−α−メチルベンジル
クロライド、p−フェニル−α−メチルベンジルクロラ
イド、p−(α−メチルベンジル)−α−メチルベンジ
ルクロライド、p−(α,α−ジメチルベンジル)−α
−メチルベンジルクロライド等が挙げられるが、これら
に限定されるものではない。
【0027】一般式(III)で表されるジベンジルエーテ
ル類としては、ジベンジルエーテル、ジ(o−メチルベ
ンジル)エーテル、ジ(m−メチルベンジル)エーテ
ル、ジ(p−メチルベンジル)エーテル、ジ(o−エチ
ルベンジル)エーテル、ジ(m−エチルベンジル)エー
テル、ジ(p−エチルベンジル)エーテル、ジ(o−イ
ソプロピルベンジル)エーテル、ジ(p−n−プロピル
ベンジル)エーテル、ジ(p−tert−ブチルベンジル)
エーテル、ジ(p−ノニルベンジル)エーテル、ジ(o
−フェニルベンジル)エーテル、ジ(p−シクロヘキシ
ルベンジル)エーテル、ジ〔p−(ベンジル)ベンジ
ル〕エーテル、ジ〔p−(α−メチルベンジル)ベンジ
ル〕エーテル、ジ〔p−(α,α−ジメチル)ベンジ
ル〕エーテル、ジ(α−メチルベンジル)エーテル、ジ
(o−メチル−α−メチルベンジル)エーテル、ジ(p
−メチル−α−メチルベンジル)エーテル、ジ(m−メ
チル−α−メチルベンジル)エーテル、ジ(p−エチル
−α−メチルベンジル)エーテル、ジ(o−エチル−α
−メチルベンジル)エーテル、ジ(p−イソプロピル−
α−メチルベンジル)エーテル、ジ(p−フェニル−α
−メチルベンジル)エーテル、ジ〔p−(α−メチルベ
ンジル)−α−メチルベンジル〕エーテル、ジ〔p−
(α,α−ジメチルベンジル)−α−メチルベンジル〕
エーテル等が挙げられるが、これらに限定されるもので
はない。
【0028】一般式(IV) で表されるスチレン誘導体と
しては、スチレン、p−メチルスチレン、p−ブロモス
チレン、p−tert−ブチルスチレン、α−メチルスチレ
ン等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。
本発明の方法において用いるベンジル化剤としては、先
に例示したベンジル化剤のうち、特に好ましい化合物と
しては、ベンジルアルコール類としてはベンジルアルコ
ール、α−メチルベンジルアルコール、ベンジルアルキ
ルエーテル類としてはベンジルメチルエーテル、α−メ
チルベンジルメチルエーテル、ベンジルハライド類とし
てはベンジルクロライド、α−メチルベンジルクロライ
ド、ジベンジルエーテル類としてはジベンジルエーテ
ル、ジ(α−メチルベンジル)エーテル、スチレン類と
してはスチレンが挙げられる。
【0029】これら各種ベンジル化剤を前記ポリフェノ
ール類に反応させる本発明の方法において、ベンジル化
剤の使用量は、ポリフェノール類のフェノール成分に対
し、10〜120モル%の範囲が好ましい。この範囲よ
り少ない場合は、元のポリフェノール類の性質が改良さ
れないままの状態であり、この範囲より多い場合は、官
能基密度が低くなり過ぎてフェノール樹脂としての耐熱
性が低下する傾向がある。本発明では、これらベンジル
化剤の使用量により、ポリフェノール類の水酸基当量を
120g/eq〜240g/eqに調整することが可能
である。この結果、エポキシ樹脂組成物の耐湿性、耐熱
性、耐衝撃性等の優れた物性を具現化し、半導体封止材
料の用途で信頼性の高い組成物を与える。それ故、ベン
ジル化剤の使用割合は、原料のポリフェノール自身の水
酸基当量により、変更される。即ち、フェノールノボラ
ック樹脂のような水酸基当量の小さいものは、比較的ベ
ンジル化剤の使用割合が多くなり、アルキル置換フェノ
ールノボラックでは相対的に使用割合が少なくてもよ
い。
【0030】本発明の反応は、通常、無溶媒で加熱溶融
下に実施されるが、反応に不活性な溶媒の存在下に実施
してもよい。スチレン類のように低温で反応できる方法
では溶媒を使用した方がよい。溶媒としては、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、モノクロルベンゼンのような
芳香族炭化水素類、ジクロロメタン、 1,2−ジクロロエ
タン、 1,1,2−トリクロロエタン等のハロゲン化炭化水
素類、ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン等の脂肪族
又は脂環式炭化水素類、ジエチルエーテル、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル等のエーテル類、メチルア
ルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコー
ル、エチレングリコール、メトキシエタノール等のアル
コール類、酢酸、プロピオン酸等の有機酸類、二硫化炭
素、ニトロメタン、非プロトン性極性溶剤等が挙げられ
る。最も多用される溶媒としては、ハロゲン化炭化水素
類である。これら溶媒の使用量は、原料の全重量に対し
て、経済性を考慮して、10重量倍以下、より好ましく
は5重量倍以下である。また、この反応を実施する際の
反応温度は、−20〜240℃、好ましくは0〜180
℃の範囲である。反応時間は1〜30時間である。
【0031】この反応は、酸触媒または自己発生ハロゲ
ン化水素の存在下に行われる。従って、ベンジル化剤と
して、ハロゲン化水素を発生しうる前記一般式(II)の
Yがハロゲンであるようなベンジルハライド類を用いる
場合を除いて、酸触媒を使用する。酸触媒としては、無
機または有機の酸が使用でき、例えば、塩酸、硫酸等の
鉱酸類、塩化亜鉛、塩化第二鉄、塩化アルミニウム、塩
化第二錫、四塩化チタン、三弗化ホウ素等のフリーデル
クラフツ触媒、メタンスルホン酸、p−トルエンスルホ
ン酸等の有機スルホン酸、ヘテロポリ酸、パーフルオロ
アルカンスルホン酸等の超強酸、強酸性イオン交換樹
脂、天然ゼオライト、合成ゼオライト等の固体酸触媒等
が使用でき、これらは単独で使用しても、併用してもよ
い。触媒の使用量は、原料に対し、0.001〜100
重量%の範囲である。このうち、パーフルオロアルカン
スルホン酸のような超強酸触媒では0.001〜0.1
重量%程度の極微量でよく、塩化亜鉛のようなフリーデ
ルクラフツ触媒では0.01〜5重量%程度、無機固体
酸やイオン交換樹脂のような回収再利用可能な触媒では
5〜100重量%程度が使用される。
【0032】この反応を実施する具体的方法としては、
全原料を一括装入し、そのまま所定の温度で反応させる
か、又は、ポリフェノール類と、必要により触媒を装入
し、所定の温度に保ちつつ、ベンジル化剤を滴下させな
がら反応させる方法が一般的である。この際、滴下時間
は、全反応時間の50%以下が好ましく、通常、1〜2
0時間である。反応後、溶媒を使用した場合は、必要に
より、触媒成分を取り除いた後、溶媒を留去させて本発
明の樹脂を得ることが出来、溶媒を使用しない場合は、
直接磁製皿等へ熱時排出することによって目的物を得る
ことができる。
【0033】つぎに、上記のような方法で得られたベン
ジル化ポリフェノールから本発明のエポキシ樹脂を得る
反応について述べる。このエポキシ化方法としては公知
の方法が用いられる。具体的には、ハロゲン化水素アク
セプターを用いて、エピハロヒドリンと反応させること
により目的とするエポキシ樹脂が得られる。即ち、本発
明のベンジル化ポリフェノールと、エピハロヒドリン、
好ましくは、エピクロルヒドリンとを、40〜120℃
の温度範囲において、ハロゲン化水素アクセプターの存
在下に反応させるものである。エポキシ化方法として
は、四級アンモニウム塩等の触媒を用い、付加反応後、
閉環させる方法も包含される。反応に使用するエピハロ
ヒドリンの使用量は、通常、原料となるベンジル化ポリ
フェノールのフェノール成分に対し、1〜30当量、好
ましくは、2〜15当量、より好ましくは、経済性を考
慮し10当量以下である。使用されるハロゲン化水素ア
クセプターとしては、アルカリ金属水酸化物、例えば、
水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等が好ましいものと
して挙げられる。最も好ましいのは、安価な水酸化ナト
リウムである。このハロゲン化水素アクセプターの使用
量は、フェノール成分に対し、1.0〜1.5当量であ
る。反応終了後、過剰のエピハロヒドリン、ハロゲン化
水素アクセプター、副生無機塩等は、真空蒸留や濾過、
水洗等の方法により目的物から除去される。
【0034】つぎに、本発明のベンジル化ポリフェノー
ルを硬化剤に用いるエポキシ樹脂組成物について述べ
る。このエポキシ樹脂組成物で用いられるエポキシ化合
物としては、一分子中に2個以上のエポキシ基を含有す
るものであればよく、例えば、フェノールノボラツク型
エポキシ樹脂、o−クレゾールノボラツク型エポキシ樹
脂を始めとするフェノール類とアルデヒド類から得られ
るノボラツク樹脂をエポキシ化したもの、 フェノー
ル、ナフトール等のキシリレン結合によるアラルキル樹
脂のエポキシ化物、フェノール−ジシクロペンタジエン
樹脂のエポキシ化物、ビスフェノールA、ビスフェノー
ルF、ビスフェノールS、ビスフェノール、置換ビスフ
ェノール、スピロビインダンジオール、ジヒドロキシナ
フタレンなどのジグリシジルエーテル、フタル酸、ダイ
マー酸などの多塩基酸とエピクロルヒドリンの反応によ
って得られるグリシジルエステル型エポキシ樹脂、ジア
ミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホン、
イソシアヌル酸などのポリアミンとエピクロルヒドリン
の反応によつて得られるグリシジルアミン型エポキシ樹
脂などがあり、これらを適宜何種類でも併用することが
できる。
【0035】このエポキシ樹脂組成物においては、本発
明のベンジル化ポリフェノールを硬化剤として用いる
が、この場合、硬化剤には本発明のベンジル化ポリフェ
ノール以外に、広く一般に用いられている化合物を併用
しても差つかえない。その場合、本発明のベンジル化ポ
リフェノールの割合は、全硬化剤の30wt%以上、好
ましくは50wt%以上である。本発明のベンジル化ポ
リフェノールと併用される一般の硬化剤としては、例え
ば、フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシ
ン、カテコール、ビスフェノールA、ビスフェノールF
などのフェノール類とホルムアルデヒド、アセトアルデ
ヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリ
チルアルデヒド等とを、酸性触媒存在下に、縮合反応さ
せて得られるノボラツク型フェノール樹脂、フェノール
等のキシリレン結合によるアラルキル樹脂、フェノール
−ジシクロペンタジエン樹脂などがあり、これらは単独
で、又は二種以上併用してもよい。エポキシ化合物と全
硬化剤との当量比は、特に限定されないが0.5〜1.
5が好ましい。
【0036】つぎに、本発明のベンジル化ポリフェノー
ルのエポキシ樹脂を用いたエポキシ樹脂組成物について
述べる。このエポキシ樹脂組成物においては、一分子中
に2個以上のフェノール性水酸基を有する化合物を硬化
剤として含有する。このような化合物としては、前記の
広く一般に用いられているフェノール化合物群が挙げら
れる。これらは単独で、または併用して使用される。本
発明のベンジル化ポリフェノールのエポキシ樹脂と、こ
れら硬化剤との当量比は、特に限定されないが、0.5
〜1.5が好ましい。
【0037】本発明のエポキシ樹脂組成物では、いずれ
の場合にも、さらに無機充填剤を配合して用いることが
できる。使用される無機充填剤としては、シリカ、アル
ミナ、窒化珪素、炭化珪素、タルク、ケイ酸カルシウ
ム、炭酸カルシウム、マイカ、クレー、チタンホワイト
等の粉体、ガラス繊維、カーボン繊維等の繊維体が例示
される。これらの中で、熱膨張率と熱伝導率の点から、
結晶性シリカおよび/または溶融性シリカが好ましい。
更に、樹脂組成物の成形時の流動性を考えると、その形
状は、球形、または球形と不定型の混合物が好ましい。
無機充填剤の配合量は、全エポキシ樹脂組成物の50重
量%以上、92重量%以下であるが、耐湿性や機械的強
度向上の点から70重量%以上が特に好ましい。
【0038】また、本発明においては、機械的強度、耐
熱性の点から各種の添加剤をも配合することが望まし
い。すなわち、樹脂と無機充填剤との接着性向上の目的
でカップリング剤を併用することが好ましい。かかるカ
ップリング剤としては、シラン系、チタネート系、アル
ミネート系およびジルコアルミネート系等のカップリン
グ剤が使用できる。その中でも、シラン系カップリング
剤が好ましく、特にエポキシ樹脂と反応する官能基を有
するシラン系カップリング剤が最も好ましい。かかるシ
ラン系カップリング剤の例としては、ビニルトリメトキ
シシラン、ビニルトリエトキシシラン、N−(2−アミ
ノメチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラ
ン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルト
リメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシ
ラン、3−アニリノプロピルトリエトキシシラン、3−
グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシ
ドキシプロピルメチルジメトキシシラン、2−( 3,4−
エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、
3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−
メルカプトプロピルトリメトキシシラン等を挙げること
ができ、これらを単独、あるいは併用して使用すること
ができる。これらのシラン系カップリング剤は、予め無
機充填剤の表面に吸着あるいは反応により固定化されて
いるのが好ましい。
【0039】本発明において、樹脂組成物を硬化させる
にあたっては、硬化促進剤を使用することが望ましい。
かかる硬化促進剤としては、2−メチルイミダゾール、
2−メチル−4−エチルイミダゾール、2−ヘプタデシ
ルイミダゾール等のイミダゾール類、トリエタノールア
ミン、トリエチレンジアミン、N−メチルモルホリン等
のアミン類、トリブチルホスフィン、トリフェニルホス
フィン、トリトリルホスフィン等の有機ホスフィン類、
テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、
トリエチルアンモニウムテトラフェニルボレート等のテ
トラフェニルボロン類、 1,8−ジアザ−ビシクロ( 5,
4,0)ウンデセン−7およびその誘導体がある。これら
の硬化促進剤は、単独で用いても2種類以上併用しても
よい。これら硬化促進剤の配合量は、エポキシ樹脂また
はエポキシ化合物、および硬化剤の合計量100重量部
に対して0.01〜10重量部の範囲で用いられる。
【0040】また、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂
組成物には、内部応力の低減のためにシリコーン化合物
を加えてもよい。このシリコーン化合物として、特開平
4−155940で開示されたような末端および分岐末
端にアミノ基、エポキシ基、カルボキシ基、水酸基また
はシクロヘキセンオキサイド基を有するポリシロキサン
類が挙げられる。このようなシリコーン化合物の添加量
は、全組成物に対して多くても5重量%であり、通常は
0.5〜3重量%の範囲である。更に、本発明の樹脂組
成物には、上記各成分の他、必要に応じて、脂肪酸、脂
肪酸塩、ワックスなどの離型剤、ブロム化物、アンチモ
ン、リン等の難燃剤、カーボンブラック等の着色剤等を
配合し、混合、混練してIC封止用の成形材料とするこ
とが出来る。本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて半導
体素子の封止を行う方法は、特に限定されるものではな
く、通常、トランスファー成形等の公知のモールド方法
によって行うことが出来る。このような方法によって得
られる半導体装置は、半田浸漬時における優れた耐クラ
ック性を有し、高集積度ICとして長期に亘る使用で安
定であり、そのため高信頼性が得られる。
【0041】
【実施例】次に、本発明を実施例により詳細に説明する
が、本発明はこれにより何ら制限されるものではない。 実施例1 温度計、攪拌機を備えたガラス製反応器に、次の組成
(2核体=8.7%、3核体=78.9%、4核体=
8.2%、5核体以上=4.2%)からなるフェノール
ノボラックオリゴマー(三井東圧化学製:商品名VR−
9300、軟化点40℃、ICI溶融粘度0.2ポイ
ズ、OH価105g/eq)61.2gを装入し、攪拌
下に昇温して110℃に保った。これに、ベンジルクロ
ライド50.6g(0.4モル)を2時間かけて滴下し
た。途中、発生する塩化水素ガスを窒素ガスでパージ
し、系外の苛性ソーダ水溶液へ吸収させた。滴下後、2
時間熟成を行ったのち、内温を150℃に昇温させて反
応を完結させた。この後、アスピレーターの減圧下で脱
気を行い、溶融樹脂を排出、冷却したところ、赤褐色透
明な樹脂が95g得られた。このものの環球法による軟
化点は48℃で、OH価168g/eq、数平均分子量
550、150℃におけるICI溶融粘度は0.2ポイ
ズであった。
【0042】実施例2 一般式(VIII)(化12)で表され、繰り返し単位nの
平均値が4.2であり、この時の平均分子量980で、
軟化点71.5℃、OH価118g/eq、150℃に
おける溶融粘度が1.3ポイズであるポリチオフェノー
ル750gを、ガラス製反応器に装入し、ベンジルクロ
ライド443g(3.5モル)を用いて、実施例1と同
様の条件で反応を行って、赤褐色透明な樹脂1030g
を得た。このものの軟化点は75℃、150℃における
溶融粘度1.1ポイズ、OH価178g/eq、数平均
分子量1340であった。
【0043】
【化12】
【0044】実施例3 軟化点86℃で、150℃における溶融粘度3.5ポイ
ズおよびOH価104g/eqであるフェノールノボラ
ック樹脂〔昭和高分子(株)、BRG#557〕208
gとp−トルエンスルホン酸0.5gをガラス製反応器
に装入し、内温を140℃に上げた。これに、p−メチ
ルベンジルメチルエーテル136g(1モル)を5時間
かけて滴下した。途中、生成するメタノールは系外へ留
去させ、同温度で更に5時間熟成を行って反応を終了し
た。この後、アスピレーターの減圧下で脱気を行い、溶
融樹脂を排出、冷却したところ、赤褐色透明な樹脂が3
04g得られた。このものの軟化点は91℃で、OH価
174g/eq、数平均分子量1820、150℃にお
ける溶融粘度3.1ポイズであった。
【0045】実施例4 実施例2で得られたベンジル化ポリチオフェノール17
8g、エピクロルヒドリン555g(6モル)をガラス
製反応器に装入し、攪拌しながら115℃まで加熱昇温
した。これに、40%苛性ソーダ水溶液105g(1.
05モル)を4時間で滴下した。滴下中、反応温度は1
00℃以上に保ち、共沸されてくるエピクロルヒドリン
はディーンスターク水分離器を通じて系内に戻し、水は
系外へ除去した。苛性ソーダ水溶液の滴下終了後、水の
留出がなくなった時点を反応の終点とした。反応終了
後、副生した無機塩等を濾別し、濾液より過剰のエピク
ロルヒドリンを減圧留去することにより、淡褐色樹脂状
のエポキシ樹脂225gを得た。エポキシ当量は246
g/eqであり、軟化点58℃、150℃における粘度
は0.5ポイズであった。
【0046】実施例5 実施例3のベンジル化フェノールノボラック樹脂152
gに対し、エピクロルヒドリン555g(6モル)を用
い、実施例4と同様に、エポキシ化反応を行った。得ら
れたエポキシ樹脂のエポキシ当量は251g/eqで、
軟化点78℃、150℃における溶融粘度2.3ポイズ
であった。
【0047】実施例6 温度計、攪拌機を備えた反応フラスコに、フェノール1
41g(1.5モル)と触媒のスルホン酸型イオン交換
樹脂(レバチット K2611:バイエル社製)25.
6gを装入し、攪拌しながら、内温を70〜75℃に保
った。これに、リモネン68.1g(0.5モル)を3
時間かけて滴下した。こののち、同温度で熟成を5時間
行って反応を終了した。つぎに、この反応液を、熱濾過
して触媒を除き、微量の遊離スルホン酸を1%水酸化バ
リウム水溶液1gを加えて中和後、真空下で未反応フェ
ノールを留去させた。得られた残渣は、高速クロマトグ
ラフィー(GPC)分析の結果、一般式(IX)(化1
3)のビスフェノール成分を84Area%含む淡黄色透明
な樹脂状物155gであった。
【0048】
【化13】 つぎに、この樹脂状物を、塩化メチレン500mlに溶
解させ、5〜10℃の温度で濃硫酸5gを加え、攪拌し
ながら、スチレン31.2g(0.3モル)を5時間か
けて滴下した。滴下終了後、2時間熟成を行ってベンジ
ル化反応を終了した。この反応液に、水500mlを加
えて水洗分液を3回繰り返し行ったのち、溶剤の塩化メ
チレンを加熱留去させた。ついで、残渣の樹脂状物に、
エピクロルヒドリン500g(5.4モル)を加え、実
施例4と同様にエポキシ化反応を行った。得られたエポ
キシ樹脂のエポキシ当量は255g/eqで、軟化点8
8℃、150℃におけるICI粘度は2.1ポイズであ
った。
【0049】実施例7〜9 実施例1〜3で得られた樹脂を、テトラメチルビフェノ
ール型エポキシ樹脂(商品名;YX−4000、エポキ
シ当量184g/eq、油化シェルエポキシ製)、およ
び、o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(商品
名;EOCN102S、エポキシ当量193g/eq、
日本化薬製)に対する硬化剤とし、トリフェニルホスフ
ィン(TPP)を硬化促進剤として用い、さらに無機充
填剤として球形シリカ〔ハリミックS−CO、(株)マ
イクロン製〕と不定型溶融シリカ〔ヒューズレックスR
D−8、(株)龍森製〕の1:1重量比の混合物、その
他の添加剤としてシランカップリング剤〔SZ−608
3、東レダウコーニングシリコーン(株)製〕、カルナ
バワックス、カーボンブラック、酸化アンチモン等を表
−1(表1、表2)に示す割合(重量)で配合し、10
0℃において3分間ロール混練してエポキシ樹脂組成物
を得た。得られたエポキシ樹脂組成物を、145℃/3
Hr+180℃/6Hrの硬化条件で注型加工した。得
られた硬化物のガラス転移温度を下記の方法で測定し
た。また、エポキシ樹脂組成物をトランスファー成形
(180℃、30Kg/cm2、3min)して物性測
定用の試験片を作製し、下記の方法で煮沸吸水率を測定
した。さらにまた、樹脂組成物を用いてフラットパッケ
ージ型半導体装置用リードフレームの素子搭載部に試験
用素子(10mm×10mm角)を搭載した後、トラン
スファー成形(180℃、30Kg/cm2 、3mi
n)により得た物性測定用半導体装置を用い、下記の方
法で半田浴テスト(クラック発生テスト)を行った。こ
れらの結果を表−1に示した。 ・ガラス転移温度:TMA法(島津、TMA−DRW
DT−30で測定) ・煮沸吸水率:100℃で沸騰水で2時間煮沸後の重量
増加を測定 ・半田浴テスト:試験用の半導体装置を、65℃、95
%の恒温恒湿槽に168時間放置した後、240℃の半
田浴に10秒間浸漬し、半導体装置の膨れやクラック等
の外観を見た。分子は膨れやクラックの発生した数を表
し、分母は試験に供した数を表す。
【0050】比較例1〜3 実施例1〜3で使用した原料樹脂を硬化剤として用い、
実施例7〜9と同様の処方で配合を行い、エポキシ樹脂
組成物を得た。このエポキシ樹脂組成物について、実施
例7〜9と同様にして評価し、結果を表−1に示した。
【0051】
【表1】
【0052】
【表2】
【0053】比較例4 実施例2の原料樹脂であるポリチオフェノール150g
に対し、エピクロルヒドリン555g(6モル)を用
い、実施例4と同様にエポキシ化反応を行って、217
gのエポキシ樹脂を得た。エポキシ当量は192g/e
qであった。 比較例5 実施例3の原料樹脂であるフェノールノボラック(商品
名 BRG#557、昭和高分子製、OH価104g/
eq)156gに対し、エピクロルヒドリン555g
(6モル)を用い、実施例4と同様にエポキシ化反応を
行って、230gのエポキシ樹脂を得た。エポキシ当量
は183.5g/eqであった。 比較例6 実施例6の原料樹脂であるテルペンジフェノールを84
Area%含有するもの152gに対し、エピクロルヒドリ
ン555g(6モル)を用い、実施例4と同様にエポキ
シ化反応を行って、204gのエポキシ樹脂を得た。エ
ポキシ当量は230g/eqであった。
【0054】実施例10〜12、比較例7〜9 実施例4〜6および比較例4〜6で得られたエポキシ樹
脂に対し、フェノールノボラック樹脂(商品名 BRG
#557、OH当量104g/eq 昭和高分子製)を
硬化剤とし、表−2(表3、表4)に示す割合(重量)
で配合し、実施例7〜9、比較例1〜3と同様にしてエ
ポキシ樹脂組成物を得た。これらの実施例および比較例
で得られたエポキシ樹脂組成物について、実施例7〜9
と同様にして評価し、結果を表−2に示した。
【0055】
【表3】
【0056】
【表4】
【0057】実施例1〜3の結果から、本発明のベンジ
ル化ポリフェノールは、元のポリフェノールに比べて、 1.ICI溶融粘度がほとんど変化しない 2.軟化点は少し上昇する 3.OH価が大きくなる 等の傾向にある。このため、本発明のエポキシ樹脂組成
物を半導体封止剤に使用した場合、作業性の向上ととも
に、低吸水性となり、半導体装置の信頼性が向上する。
例えば、作業性の向上の面でいえば、実施例1の元の樹
脂の軟化点は40℃で取り扱いに難があるのに対し、本
発明の方法により得られた樹脂の軟化点は48℃であ
り、粉砕および配合等の操作がし易くなる。低吸水性の
面でいえば、表−1の実施例7、8、9の結果を、元の
樹脂の結果(比較例1、2、3)と、それぞれ比較する
と大きく改善されており、この結果として、半田浴テス
トにおける耐クラック性も大巾に向上し、信頼性の高い
装置が得られる。又、同様の傾向が、本発明のベンジル
化ポリフェノールをエポキシ化して得られるエポキシ樹
脂についてもいえる。例えば、表−2の結果を見ると、
本発明のエポキシ樹脂を用いたエポキシ樹脂組成物(実
施例10、11、12)の結果と、元のポリフェノール
をエポキシ化したエポキシ樹脂を用いたエポキシ樹脂組
成物(比較例7、8、9)の結果とを比較すると、吸水
性が改善されており、この結果としての耐クラック性も
大巾に向上した。
【0058】
【発明の効果】本発明の樹脂を用いて得られる硬化物の
物性は、かかる産業分野において要求される耐熱性、耐
湿性等の諸要求物性において、高い水準を示すものであ
り、このことは、例えば、半導体集積回路の封止材とし
て用いた場合、半田浴テスト(クラック発生テスト)に
示されるように、過酷な条件下においても、クラックの
発生を防ぐことができ、最終的な製品における信頼性の
向上に大きく寄与するものである。又、高性能の樹脂が
安価に提供できるので、産業の発展に貢献すること大で
ある。また、本発明のベンジル化ポリフェノールは、そ
の構造からして、フォトレジスト用レジンとしても使用
可能である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C08G 65/48 NQU 75/02 NTX C08L 63/00 NJR H01L 23/29 23/31 (72)発明者 石原 裕子 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 山口 彰宏 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式(I)(化1)で表されるポリフ
    ェノールと、 【化1】 〔式中、nは0〜50の整数を、R1 は水素原子、水酸
    基、炭素数1〜4のアルキル基又はアルコキシを、−X
    −は下記(化2)のいずれかの結合 【化2】 (式中、R2 、R3 は水素原子、炭素数1〜10のアル
    キル基、アリール基を表し、R2 とR3 で環を形成して
    もよく、R4 、R5 は水素原子又はメチル基を表す)を
    表す〕一般式(II)(化3)及び/又は(III)(化
    3)、もしくは(IV)(化3)で表されるベンジル化剤
    とを、 【化3】 (式中、R6 、R7 、R9 は水素原子又はメチル基を、
    8 は水素原子、アラルキル基、アリール基、シクロア
    ルキル基、炭素数1〜9のアルキル基又はハロゲン原子
    を、Yは水酸基、炭素数1〜4アルコキシ基又はハロゲ
    ン原子を表す)酸触媒又は自己発生ハロゲン化水素の存
    在下に、反応させることを特徴とするベンジル化ポリフ
    ェノールの製造方法。
  2. 【請求項2】 一般式(II)及び/又は(III)、もしく
    は(IV)のベンジル化剤を、フェノール分1モルに対
    し、0.1〜1.2モルの割合で用いる請求項1記載の
    方法で得られる液状〜軟化点120℃で、数平均分子量
    250〜4000のベンジル化ポリフェノール。
  3. 【請求項3】 一般式(I)において−X−が、−CH
    2 −又は−S−で、R1 が水素原子又はメチル基である
    ポリフェノールを用いて得られる請求項2記載のベンジ
    ル化ポリフェノール。
  4. 【請求項4】 一般式(I)において−X−が、−CH
    2 −又は−S−で、R1 が水素原子又はメチル基である
    ポリフェノールと、R6 、R7 、R8 が全て水素原子で
    ある一般式(II)及び/又は(III)のベンジル化剤を用
    いて得られる、150℃におけるICI溶融粘度が5ポ
    イズ以下で、かつ、水酸基当量が120〜240g/e
    qである請求項2記載のベンジル化ポリフェノール。
  5. 【請求項5】 a)1分子中に2個以上のエポキシ基を
    有するエポキシ樹脂と、b)請求項2〜4のいずれかに
    記載のベンジル化ポリフェノールを必須成分とする硬化
    剤とを含有してなるエポキシ樹脂組成物。
  6. 【請求項6】 請求項2〜4のいずれかに記載のベンジ
    ル化ポリフェノールを、エピハロヒドリンと反応させる
    ことを特徴とするエポキシ樹脂の製造方法。
  7. 【請求項7】 請求項6に記載の方法によって得られる
    エポキシ当量が120〜300g/eqで、液状〜軟化
    点100℃であるエポキシ樹脂。
  8. 【請求項8】 a)請求項7に記載のエポキシ樹脂を必
    須の成分とするエポキシ樹脂と、b)フェノール性硬化
    剤とを配合して成るエポキシ樹脂組成物。
  9. 【請求項9】 請求項5または8に記載のエポキシ樹脂
    組成物と、この樹脂組成物に対し50〜92重量%の無
    機充填材とを含有してなる半導体封止用エポキシ樹脂組
    成物。
  10. 【請求項10】 請求項9に記載のエポキシ樹脂組成物
    を硬化させることにより得られる硬化物。
  11. 【請求項11】 請求項10に記載の硬化物により封止
    された信頼性に優れた半導体装置。
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