JPH0656428A - 固体多成分膜、電気化学リアクター成分、電気化学リアクター、並びに酸化反応に対する膜、リアクター成分、及びリアクターの使用 - Google Patents

固体多成分膜、電気化学リアクター成分、電気化学リアクター、並びに酸化反応に対する膜、リアクター成分、及びリアクターの使用

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JPH0656428A JP2419124A JP41912490A JPH0656428A JP H0656428 A JPH0656428 A JP H0656428A JP 2419124 A JP2419124 A JP 2419124A JP 41912490 A JP41912490 A JP 41912490A JP H0656428 A JPH0656428 A JP H0656428A
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Abstract

(57)【要約】 〔目的〕 メタンの部分酸化、エタンの部分酸化、芳香
族化合物の置換、酸素含有化合物からの酸素の抽出、メ
タンのアンモ酸化などを行なうことができるリアクター
セル及びリアクター、並びにそれに使用する固体多成分
膜及び要素、並びに前記化学プロセスを行なう方法を提
供する。 〔構成〕 電子伝導性物質と酸素イオン伝導性物質の均
質なガス不透過性多相混合物、及び(又は)ペロブスカ
イト構造の混合金属酸化物を含む固体膜及び要素。前記
固体膜又は要素を、酸素含有ガスから酸素消費ガスへの
酸素電気化学的輸送手段として用いる電気化学リアター
セル及びリアクター。前記セル及びリアクターを用いて
合成ガス、不飽和炭化水素、置換芳香族化合物などを製
造し、又はガスを浄化する。

Description

【発明の詳細な説明】
〔0001〕 〔関連出願のクロスリファレンス〕本特許出願は、19
89年12月27日に提出した米国特許出願、出願番号
第07/457,327号;1987年3月13日に提
出し、1990年6月12日に米国特許第4,933,
054号として発行された米国特許出願、出願番号第0
7/25,511号の一部継続である1989年12月
27日に提出した第07/457,340号;1989
年12月27日に提出した第07/457,384号;
及び1989年5月25日に提出し、現在放棄されてい
る米国特許出願、出願番号第07/357,317号の
一部継続である1990年4月16日に提出した第07
/510,296号の一部継続であり、それらが完全に
参照される。 〔0002〕 〔技術分野〕本発明は酸素の移動を促進する電気化学リ
アクターの分野に関する。より詳しくは、本発明は酸素
半透膜、酸素半透膜を含む電気化学リアクター用成分、
電気化学リアクター、並びに酸素半透膜及び任意の触媒
を含むリアクター成分、並びに酸素半透膜及び任意の触
媒を、酸素含有ガスからの酸素消費ガスへの酸素の輸送
を利用する電気化学的プロセスの促進に用いる電気化学
的方法に関する。 〔0003〕 〔発明の背景〕合成ガスは主に水素及び一酸化炭素から
なる。一般にH/COモル比は約0.6〜6である。
部分酸化による軽質炭化水素例えばメタン及び天然ガス
からの合成ガスの製造が知られている。本発明は軽質炭
化水素の合成ガスへの電気触媒転化を促進する固体多成
分膜を有する電気化学リアクターを記載する。 〔0004〕多くの刊行物がメタンを二酸化炭素及び水
に完全に酸化する普通の燃料電池を記載している。これ
らの燃料電池は化学プロセスを行うためではなく、むし
ろ燃料ガス及び空気(又は酸素)から電気を発生するよ
うに設計される。燃料電池中で行われるプロセスは部分
燃焼よりはむしろ完全燃焼のために選ばれ、燃料ガスの
酸化を進行させるために外部電気回路の完成を必要とす
る。 〔0005〕本発明の電気化学リアクターに対する他の
用途にはオレフィン形成のための炭化水素の部分酸化、
エタンの部分酸化、芳香族化合物の置換、1つ又はそれ
以上の酸素含有ガス例えばSO、SO、NO、N
O、NO、スチーム、COからの酸素抽出、メタン
のアンモ酸化などが含まれる。 〔0006〕飽和有機化合物の不飽和化合物への転化の
ための脱水素プロセスはよく知られている。継続する努
力が近年、所望生成物への転化速度及び選択性を向上す
るためにそのようなプロセスの改良に対してなされた。
本発明は飽和炭化水素例えばエタンをエチレン及びアセ
チレンに、またプロパンをプロペン及びプロピレンに脱
水素する連続プロセスを記載する。本発明のこの方法に
おいて、水は副生物であり、また電気を発生することが
できる。 〔0007〕平衡制限熱反応である商業的エタン脱水素
法はエチレンの妥当な単流収率を得るために▲高▼い反
応温度の使用に頼らねばならない。必要な▲高▼い温度
の結果、競争的クラッキング及びコーキング反応の速度
が生成物選択性に不利に影響するほど十分▲高▼い。 〔0008〕内在的に平衡制限でない普通の酸化脱水素
法もまた▲高▼エタン転化において不十分な生成物選択
性に悩まされる。
〔0009〕本発明は競争的クラッキング及びコーキン
グ反応の低速度と結合して不飽和炭化水素への▲高▼い
転化率を達成するために従来法に内在する不利益を克服
する。 〔0010〕芳香族化合物の置換のための方法がよく知
られている。継続する努力が近年所望生成物への転化速
度及び選択性を向上させるためにそのような方法の改良
に対してなされた。本発明は芳香族化合物例えばベンゼ
ンを第2の水素含有化合物で置換する連続法を記載す
る。本発明のこの方法において水は副生物であり、また
電気を発生することができる。 〔0011〕例えば硫黄及び窒素の酸化物は静止及び可
動源例えば発電所、自動車、船舶、列車などから発散す
るガス流中のよく知られた有害汚染物質である。硫黄酸
化物は水蒸気と結合して眼及び粘膜に対する刺激、金属
含有構造物に対する損傷、及び酸性雨による植物に対す
る環境損傷を生ずる非常に腐食性の蒸気を形成すること
が知られている。窒素酸化物は有害刺激物であり、また
環境に損傷を与える。カルボニルスルフィド(COS)
はガス流流出物中に硫黄含有化合物と一酸化炭素の間の
反応の生成物として形成される他の有毒汚染物質であ
る。大気中へのこれらの汚染物質の排出に対する規制は
ますます厳しくなった。本発明は燃料ガスの化学的駆動
力を利用してガス流からの硫黄及び窒素の酸化物を除去
するための電気触媒法及び電気化学セルを記載する。 〔0012〕 〔発明の概要〕本発明の方法において使用される固体多
成分膜が記載される。固体多成分膜は一般に、電子伝導
性相と酸素イオン伝導性相の均質なガス不透過性多相混
合物及び(又は)ペロブスカイト構造を有し、電子伝導
性及び酸素イオン伝導性両性質を有するガス不透過性
「単相」混合金属酸化物を含む。また前記多相混合物及
び(又は)前記混合金属酸化物を含む電気化学リアクタ
ー中に使用される固体多成分膜が記載され、混合金属酸
化物は式: AA′B′B″ (式中、Aはランタニド又はY、あるいはそれらの混合
物を表わし;A′はアルカリ土類金属又はそれらの混合
物を表わし;BはFeを表し;B′はCr又はTi、あ
るいはそれらの混合物を表し;B″はMn、Co、V、
Ni又はCu、あるいはそれらの混合物を表し;s、
t、u、v、wはそれぞれ、S/tが約0.01〜約1
00に等しく;uが約0.01〜約1に等しく;vが
0.01〜約1に等しく;wが0〜約1に等しく;xが
式中のA、A′、B、B′、及びB″の原子価を満す数
であり; 0.9<(s+t)/(u+v+w)<1.1、 であるような数を表す)により表される。 〔0013〕酸素を酸素イオンに還元できる第1表面、
酸素イオンを酸素消費ガスと反応させることができる第
2表面、第1及び第2表面の間の電子伝導性経路、並び
に第1及び第2表面の間の酸素イオン伝導性経路を有
し、本発明の方法において使用される要素が記載され
る。要素はまた(1)多孔性基体、(2)電子伝導性の
金属、金属酸化物又はそれらの混合物、及び(又は)触
媒を含むことができる。多孔性基体(1);伝導性コー
ティング(2);及び(又は)触媒(3)は別々の物質
として適用でき、あるいは多孔性基体(1);伝導性コ
ーティング(2);及び(又は)触媒(3)の機能を1
つ又は2つの物質中に組合せることができる。要素が
(1)触媒例えば表面における硫黄還元触媒、又は
(2)(A)(1)電子伝子性相と酸素イオン伝導性相
の均質な、ガス不透過性多相混合物又は(2)ペロブス
カイト構造を有する混合金属酸化物物質を特徴とする固
体多成分膜及び(B)伝導性コーティング、触媒、又は
触媒を含む伝導性コーティングを含み、前記電気化学リ
アクター中に使用される要素が記載される。 〔0014〕一般に入口端、出口端及びそれらの間の、
1つまたはそれ以上のガスの入口端から出口端への移動
のための通路を含み、酸素を酸素含有ガスから酸素消費
ガスヘ輸送する電気化学リアクターセルもまた記載され
る。1態様において、入口端と出口端の間の通路は任意
に、リアクターセルの入口端と出口端の間の通路中に詰
められた触媒、例えば不連続粒子又は繊維状触媒、を含
む。この電気化学リアクターセルは一側に酸素含有ガス
を、他側に酸素消費ガスを含む環境中に、適当な温度及
びそれぞれのガスの割合の反応条件下に置かれる。 〔0015〕入口端、出口端及びそれらの間の、1つ又
はそれ以上のガスの入口端から出口端への移動のための
通路を有するシェル、並びにシェル及びリアクターセル
が一緒に第1ガス又はガス混合物を導入、反応及び排出
させる第1帯域並びにリアクターセル内の、リアクター
セルにより第1帯域から分離された第2ガス又はガス混
合物を導入、反応及び排出させる第2帯域(すなわち、
前記リアクターセル通路)を形成するようにシェル内に
位置する少くとも1つの前記リアクターセルを含み、酸
素消費ガスを酸素含有ガスと反応させる電気化学リアク
ターもまた記載される。1態様において、第1帯域及び
(又は)第2帯域は任意に、シェルとリアクターの外部
表面の間又はリアクターセル内の通路中に詰められた触
媒例えば不連続粒子又は繊維状触媒を含むことができ
る。 〔0016〕さらに本発明の範囲内に、反応物ガスを酸
化する電気化学的方法が含まれる。「反応物ガス」とい
う語はこゝに酸素又は酸素イオンと反応できるガスと定
義される。 〔0017〕本発明の1態様はメタン、天然ガス又は他
の軽質炭化水素を不飽和炭化水素又は合成ガスに酸化す
る電気化学的方法である。電気化学的方法は一般に、
(A) 第1帯域及び、前記要素により第1帯域から分
離された第2帯域を含む電気化学セルを準備し、(B)
電気化学セルを約300〜約1400℃の温度に加熱
し、(C) 酸素含有ガスを第1帯域中の要素に接触し
て通過させ、(D) メタン、天然ガス又は他の軽質炭
化水素を第2帯域中の要素に接触して通過させる、こと
を含む。 〔0018〕上記方法はさらに、(E) 生成物を第2
帯域から回収する、ことを含むことができる。 〔0019〕本発明がメタン、天然ガス又は他の軽質炭
化水素を合成ガスに酸化する電気化学的方法であると
き、電気化学的方法は、(A) 第1帯域及び前記要素
により第1帯域から分離された第2帯域を含む電気化学
セルを準備し、(B) 電気化学セルを約1000〜約
1400℃の温度に加熱し、(C) 酸素含有ガスを第
1帯域中の要素に接触して通過させ(D) メタン、天
然ガス又は他の軽質炭化水素を第2帯域中の要素に接触
して通過させる、ことを含む。 〔0020〕上記方法はさらに、(E) 合成ガス第2
帯域から回収する、ことを含むことができる。 〔0021〕電気触媒法が飽和炭化水素化合物から不飽
和炭化水素化合物を製造するためであるとき、方法は一
般に、(A) 前記のように第1及び第2表面を有する
要素を含む電気化学セルを提供する段階、(B) 酸素
含有ガスを第1表面に接触して通過させる段階、同時に
(C) 飽和炭化水素含有ガスを任意に第2表面に隣接
する脱水素触媒に接触して通過させる段階、及び、任意
に、(D) 不飽和炭化水素を回収する段階、を含む。 〔0022〕本発明が芳香族化合物を第2の水素含有化
合物と反応させて置換芳香族化合物を形成する電気触媒
法であるとき、この方法は (A) (1)前記のように第1及び第2表面を有する
要素、(2)第1表面に隣接する第1通路、及び(3)
第2表面に隣接する第2通路、を含む電気化学セルを準
備し、 (B) 酸素含有ガスを第1通路に通し、同時に (C) 酸素消費ガスが、置換芳香族化合物を生成する
水素含有芳香族化合物と第2の水素含有化合物との混合
物を含む酸素消費ガスを第2通路に通す、ことを含む。 〔0023〕1態様において、電気化学セルの第2通路
は通路中又は第2表面上あるいはその両方に分布する触
媒を含む。 〔0024〕置換芳香族化合物を回収することを望むな
らば、前記方法はさらに、 (D) 置換芳香族化合物を第2通路から回収する、こ
とを含むことができる。 〔0025〕本発明の他の観点は酸素含有ガスから酸素
を抽出する電気化学的方法であり、その方法は、(A)
第1帯域及び前記要素により第1帯域から分離された
第2帯域を含む電気化学セルを準備し、(B) 酸素含
有ガスを第1帯域中の要素に接触して通過させ、(C)
反応物ガスを第2帯域中の要素に接触して通過させ
る、ことを含む。 〔0026〕本発明が遊離酸素以外の酸素を含むガス例
えばSO、SO、NO、NO又はNOから酸素
を抽出する電気化学的方法であるとき、電気化学的方法
は、(A) 第1帯域及び前記要素により第1帯域から
分離された第2帯域を含む電気化学セルを準備し、
(B) 酸素が遊離酸素以外の形態で存在する酸素含有
ガスを含むガスを第1帯域中の要素に接触して通過さ
せ、(C) 反応物ガスを第2帯域中の要素に接触して
通過させる、ことを含む。 〔0027〕この方法は、遊離酸素以外の酸素を含むガ
スが煙道又は排ガスであるガスの浄化のための方法に使
用できる。 〔0028〕望ましい生成物が前記酸素抽出法により得
られる、例えば合成ガス、不飽和炭化水素、元素硫黄又
は酸素を含まないガスであれば、これらの方法はさら
に、それらが生成される帯域から所望の生成物を回収す
ることを含むことができる。例えば、酸素を含まないガ
スを第1帯域から回収することができる。 〔0029〕本発明がメタン及びアンモニアをシアン化
水素に酸化する電気化学的方法であるとき、電気化学的
方法は、(A) 第1帯域及び前記要素により第1帯域
から分離された第2帯域を含む電気化学セルを準備し、
(B) 電気化学セルを約1000〜約1400℃の温
度に加熱する、(C) 酸素含有ガスを第1帯域中の要
素に接触して通過させ、(D) メタン及びアンモニア
を第2帯域中の要素に接触して通過させる、ことを含
む。 〔0030〕前記方法はさらに、(E) シアン化水素
を第2帯域から回収する、ことを含むことができる。 〔0031〕 〔好ましい態様の説明〕本発明は酸素含有ガスから酸素
を消費する反応物ガスへ酸素を輸送する連続プロセスの
ための電気化学リアクターを提供する。本発明で行うこ
とができるプロセスは、例えは水を生成する水素の燃
焼、合成ガスを生成するメタン又は天然ガスの部分酸
化、不飽和炭化水素を生成するメタン及び飽和炭化水素
含有ガスの部分酸化、エタンの部分酸化、酸素含有ガス
からの酸素の抽出〔例えばNOx′(式中、x′は0.
5〜2の値を有する)、SO(式中、yは2〜3の値
を有する)、スチーム、COなどからの酸素の抽
出〕、シアン化水素へのメタンのアンモ酸化などであ
る。 〔0032〕本発明の電気化学リアクターの1態様は図
1中に示すように略示でき、リアクター1の側面、断面
図は要素4により第2帯域3から分離された第1帯域2
を示す。第1帯域の外部周囲はリアクター管5により規
定され、第2帯域の外部周囲はリアクター管6により規
定される。リアクター管5及び6は、それぞれガラスシ
ール7及び8により要素4と気密シールを形成する。フ
ィード管9及び10は酸素含有ガス11及び酸素消費ガ
ス12をそれぞれ帯域2及び3中へ導く。出口13及び
14は反応したガス15及び16をそれぞれ帯域2及び
3から排出させる。 〔0033〕実際には、酸素含有ガス又はガス混合物は
第1帯域中の要素に接触して通過させ、酸素消費ガス又
はガス混合物例えば反応物ガス含有フィードガスは第2
帯域中の要素に接触して通過させる。酸素含有ガス又は
ガス混合物は要素に接触し、酸素が酸素イオンに還元さ
れ、それが要素4を通って第2帯域に面する表面へ輸送
される。第2帯域で、酸素イオンが酸素消費ガス又はガ
ス混合物と反応して酸素消費ガスを酸化し、電子を放出
する。電子は要素4を経て第1帯域に面する表面へ戻
る。 〔0034〕1態様において、酸素消費ガスはメタン又
は天然ガスであり、酸素含有ガス又はガス混合物は空気
である。空気が要素に接触すると空気の酸素成分が酸素
イオンに還元され、それが要素を通って第2帯域へ輸送
され、そこで酸素イオンがメタンと反応して、反応条件
により、合成ガス又はオレフィンを生ずる。 〔0035〕他の態様において、酸素消費ガスはメタ
ン、天然ガス又は水素であり、酸素含有ガスはNOx′
及び(又は)SO(式中、x′及びyは前記のとおり
である)を含む煙道又は排ガスである。煙道ガスが要素
に接触し、NOx′及び(又は)SOの酸素が酸素イ
オンに還元され、それが要素を通って第2帯域へ輸送さ
れ、そこで酸素イオンが酸素消費ガスと反応して、反応
条件により、二酸化炭素及び水、合成ガス又はオレフィ
ンを生ずる。1態様において、窒素ガス及び元素硫黄が
第1帯域中でそれぞれNOx′及びSOから電気化学
的に生ずる。 〔0036〕本発明のなお他の態様において、酸素含有
ガスはスチーム含有ガス(すなわちHOガス)であ
る。HOが要素に接触するとHOの酸素が酸素イオ
ンに還元され、それが要素を通って第2帯域へ輸送さ
れ、そこで酸素イオンが、例えばメタン又は天然ガスと
反応する。HOは第1帯域中で水素ガス(H)に還
元される。水素ガスは回収し、例えば不飽和炭化水素の
水素化に、電流を生ずる燃料電池用の燃料の提供、本発
明の電気化学セルを加熱する燃料の提供、又は本発明に
よる酸素含有ガスから酸素を抽出する電気化学的方法の
ための反応物ガスの提供に使用することができる。 〔0037〕共存する物質は本発明の要素で生ずる電気
化学的還元又は酸化に関与することができる。例えばメ
タンがアンモニアとともに第2帯域中に存在するとき
に、シアン化水素及び水が第2帯域中で電気化学的に生
成することができる。 〔0038〕広範囲の生成物を生ずる互いに反応性の物
質の他の組合せが可能であり、本発明の範囲内であるも
のとする。 〔0039〕「酸素消費ガス」、「反応物ガス」及び
「酸素含有ガス」という語はこゝに、本発明の適当な方
法の温度範囲より低い温度でガスでない物質を含み、ま
た室温で液体又は固体である物質を含むことができる。
室温で液体である酸素含有ガスの例はスチームである。 〔0040〕多成分膜 前記のように、本発明の電気化学リアクター中に使用さ
れる固体多成分膜は、電子伝導性物質と酸素イオン伝導
性物質の均質なガス不透過性多相混合物及び(又は)ペ
ロブスカイト構造を有し、電子伝導性及び酸素イオン伝
導性の両性質を有するガス不透過性「単相」混合金属酸
化物であることができる。「ガス不透過性」という語は
こゝに、混合物が前記酸素消費又は酸素含有ガスの実質
量をガスとして混合物中を通過させない点で「実質的に
ガス不透過性又は気密」を意味すると規定される(すな
わち混合物は関連ガスに関して多孔性よりはむしろ非孔
質である)。若干の場合に、ガスに対する最小度の透過
性が、例えば水素ガスが存在するときに許容又は避け難
いであろう。 〔0041〕固体多成分膜に関する「混合物」という語
は2つ又はそれ以上の固相からなる物質、及び種々の元
素の原子が、後記イットリア安定化ジルコニア中のよう
に、同一固相中に混ざり合った単相物質を含む。好まし
い金属ドープした金属酸化物の例は単相物質であり、一
方、「多相混合物」という語は単相、溶液を形成するこ
となく散在する2つ又はそれ以上の固相を含む組成物を
示す。 〔0042〕換言すると、多相混合物は、電子伝導性物
質及び酸素イオン伝導性物質が、多成分膜の種々の成分
の原子が大部分同一固相に混ざり合されないようにガス
不透過性固体膜中に存在するので少くとも2つの固相と
して存在するので「多相」である。 〔0043〕(1)多相 本発明の多相固体膜は当該技術において知られた「ドー
プした」物質とは実質的に異なる。典型的なドーピング
操作は少量の元素又はその酸化物(すなわち、ドーパン
ト)を多量の組成物(すなわち、ホスト物質)に、ドー
パントの原子がドーピング操作の間にホスト物質の原子
と永久に混ざり合い、それにより物質が単相を形成する
ように加えることを含む。一方、本発明の多相固体膜は
前記ドーパント/ホスト物質の関係で存在しないで、実
質的に不連続な相中に存在する酸素イオン伝導性物質及
び電子伝導性物質を含む。従って、本発明の固体膜は、
ドープした物質であるよりは、むしろ2相、二元伝導性
多相、又は多成分膜として示すことができる。 〔0044〕本発明の多相膜は、膜の多相領域にわたる
組成の差異を検出できる電子顕微鏡試験、X線回析分
析、X線吸着マッピング、電子回析分析、赤外分析など
のような通常の操作によりドープした物質と区別するこ
とができる。多相組成物のそのような物理的証拠の例は
図4及び図5として示される電子顕微鏡写真である。図
4及び図5の詳細な説明は後記実施例1〜5の後に続
く。 〔0045〕典型的には、酸素イオン伝導性物質又は相
は二価及び三価カチオンを含む酸化物、例えば酸化カル
シウム、酸化スカンジウム、酸化イットリウム、酸化ラ
ンタンなどと三価カチオンを含む酸化物例えばジルコニ
ア、トリア及びセリアとの間に形成された固溶体(すな
わち、固体「電解質」)であり、あるいは酸素イオン伝
導性物質又は相はペロブスカイト構造の酸素イオン伝導
性混合金属酸化物を含む。それらの▲高▼いイオン伝導
性は酸素イオン部位空位の存在のためであると思われ
る。1つの酸素イオン空位は格子中の四価イオンを置換
した各二価の又は各2つの三価カチオンのために生ず
る。任意の多数の酸化物例えばイットリア安定化ジルコ
ニア、ドープしたセリア、トリア基物質又はドープした
酸化ビスマスを使用できる。若干の既知固体酸化物伝達
物質にはY安定化ZrO、CaO安定化ZrO
、Sr安定化ZrO、Y安定化Bi
、Y安定化CeO、CaO安定化Ce
、ThO、Y安定化ThO、あるいはラ
ンタニド酸化物又はCaOの1つの添加により安定化し
たThO、ZrO、Bi、CeO又はHf
が含まれる。多相混合物中に使用できる酸素イオン
伝導性能力を示した多くの他の酸化物が知られ、それら
はこの概念中に含まれる。 〔0046〕これらの固体電解質の中でY(イッ
トリア)−及びCaO(カルシア)−安定化ZrO
(ジルコニア)物質が好ましい。これらの固体電解質
は、それらの▲高▼いイオン伝導性、温度及び酸素圧の
広い範囲にわたるそれらの酸素イオン伝導性並びにそれ
らの比較的低いコストに特徴がある。 〔0047〕さらに、発明者はペロブスカイト構造を
(運転温度で)有する混合金属酸化物が非常に良好な酸
素イオン伝導性を有することができることを見出した。
「ペロブスカイト」という語は鉱物ペロブスカイト、C
aTiO、の構造を基にした構造を有する物質の種類
を示す。その理想形態において、ペロブスカイト構造が
単位セルの角に金属イオン、その中心に他の金属イオン
及び立方体縁の中央に酸素イオンを含む立方格子を有す
る。これはA及びBが金属イオンを表すABO型構造
として示される。 〔0048〕一般に、ペロブスカイト構造はA及びBイ
オンの原子価の合計が6であることを必要とし、2つの
金属イオンを含むABO構造中のイオンの半径間の関
係は式、 r+r=t/2(r+r) (I) (式中、r、r及びrはそれぞれAイオン、Bイ
オン及び酸素イオンの半径であり、tは0.7〜1.0
の近似範囲内にあることができる「許容因子」である)
により表すことができる。一般に、ペロブスカイト構造
を有する化合物は約1.0〜約1.4オングストローム
の半径をもつAイオン及び約0.45〜約0.75オン
グストロームの半径をもつBイオンを有する。発明者は
一般に、ペロブスカイト構造の混合金属酸化物が前記の
式により決定された所与Bイオンに対するAイオン半径
範囲の下端に近づく半径を有するAイオンを含むと、
「酸素イオン伝導性が一般に増すことを見出す。しか
し、この▲高▼酸素イオン伝導性への傾向は、Aイオン
半径が所与Bイオンを有するペロブスカイトに望まれる
半径の下限に近づくとき、運転温度におけるペロブスカ
イト構造の大きい不安定性により制限されることができ
る。 〔0049〕広範囲の金属及び金属の酸化物を本発明に
有用なペロブスカイトの形成に使用できる。一般に、ペ
ロブスカイトの要件を満たす金属の任意の組合せを使用
できる。そのような金属の典型的な例はランタニド、I
a及びIIa族の金属、遷移金属Al、Ga、Geなど
である。好ましい金属の例にはLa、Co、Sr、C
a、Fe、Cu、Ni、Mn、Cr、Y、Ba、Ti、
Ce、Al、Sm、Pr、Nd、V、Gd、Ru、P
b、Na、W、Sc、Hf、Zr、それらの酸化物、及
びそれらの混合物が含まれる。Bi及び(又は)Ce
は、典型的には好ましい態様中に要求されないが、しか
し、望むならば存在することができる。1態様におい
て、Bi及び(又は)Ceは13モル%未満の量で存在
する。 〔0050〕本発明に有用なABO型物質中のA金属
の好ましい例にはランタニド(La、Ce、Pr、N
d、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、E
r、Tm、Yb及びLu)、イットリウム及びアルカリ
土類金属殊にMg、Ca、Sr及びBaが含まれる。 〔0051〕本発明のためのABO物質中の好ましい
B金属には第1行の遷移金属、すなわち、Sc、Ti、
V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu及びZnが含
まれる。これらの金属の中で、Co、Mn、Fe及びC
rがより好ましい。 〔0052〕ペロブスカイト構造はA及びB部位の両方
における広範な多カチオン置換を許容し、従って、A金
属及びB金属の混合物を含む種々の一層複雑なペロブス
カイト化合物が本発明に有用である。酸素のほかに2つ
より多い金属を含むペロブスカイト物質が好ましい。 〔0053〕▲高▼い酸素イオン伝導性は、Aイオンと
して、膜が利用される方法の運転温度で若干のAイオン
が+3の酸化状態で安定であり他が+2の酸化状態で安
定であるときのように異なる安定な酸化状態を有する金
属の混合物の使用により達成できる。発明者は個々の理
論により拘束されることを欲しないけれども、▲高▼安
定酸化状態における金属の間の低安定酸化状態における
金属イオンの存在が、ペロブスカイト物質中の酸素イオ
ンの移動を容易にする酸素イオン空位をイオン格子中に
生ずると思われる。 〔0054〕発明者はまた、ペロブスカイトイオン格子
のB部位中のクロム及び(又は)チタンの存在が電気触
媒法の条件下のプロブスカイト構造の安定性を▲高▼め
るために使用でき、後記のようにクロムで電子伝導性が
▲高▼められることを観察した。 〔0055〕ペロブスカイト構造を有する好ましい混合
金属酸化物は式: AA′B′B″ (II) (式中、Aは第1Aイオンを表し、A′は第2Aイオン
を表し、Bは第1Bイオンを表し、B′は第2Bイオン
を表し、B″は第3Bイオンを表し、s、t、u、v、
w及びxはそれぞれ、s/tが約0.01〜約100、
好ましくは約0.1〜約20に等しく;uは0.01〜
約1、好ましくは約0.5〜約1に等しく;vは0.0
1〜約1、好ましくは約0.05〜約0.5に等しく;
wは0〜約1、好ましくは約0.01〜約0.5に等し
く;xは式(II)中に存在する他の元素の原子価を満
たす数であり、 0.9<(s+t)/(u+v+w)<1.1、好まし
くは 0.99<s+t)/(u+v+w)<1.01、 であるような数を表す)により表すことができる。 〔0056〕1態様において、Aがランダニド又はY、
あるいはそれらの混合物を表し;A′がアルカリ土類金
属又はそれらの混合物を表し;BがFeを表し;B′が
Cr又はTi、あるいはそれらの混合物を表し;及び
(又は)B″がMn、Co、V、Ni又はCu、あるい
はそれらの混合物を表し、u及び、場合によりwがゼロ
より大きい。好ましい態様において、AがLa又はY、
あるいはそれらの混合物を表し;A′がCa又はSr、
あるいはそれらの混合物を表し;BがFeを表し;B′
がCrを表し;及び(又は)B″がMn又はCo、ある
いはそれらの混合物を表す。少量の他の元素、例えば不
純物として存在するもの、が存在できる。 〔0057〕本発明中に固体酸素イオン伝導性電解質と
して有用であるペロブスカイト構造を有する混合金属酸
化物の例にはランタン−ストロンチウムコバルタイト、
ランタン−ストロンチウムフェライト、ランタン−スト
ロンチウム−鉄クロマイト、ランタン−ストロンチウム
−鉄−クロムコバルタイト、ランタン−ストロンチウム
−鉄−クロムマンガナイト、ランタン−ストロンチウム
マンガナイト、ランタン−カルシウムコバルタイト、ラ
ンタン−カルシウム−鉄クロマイト、ランタン−カルシ
ウム−鉄−クロムバルタイト、ランタン−カルシウム−
鉄−クロムマンガナイト、ランタン−カルシウムマンガ
ナイト、イットリウム−ストロンチウムフェライト、イ
ットリウム−ストロンチウムコバルタイト、イットリウ
ム−ストロンチウム−鉄クロマナイト、イットリウム−
ストロンチウム−鉄−クロムコバルタイト、イットリウ
ム−ストロンチウム−鉄−クロマンガナイト、イットリ
ウム−ストロンチウムマンガナイト、ストロンチウム−
コバルトフェライト、ストロンチウム−鉄コバルタイ
ト、ガドリニウム−ストロンチウムコバルタイトなど、
及びそれらの混合物が含まれる。特定の例はLaSr
CoOx、LaSrFeOx、LaCaCo
Ox、SrCoFeOx、GdSrCoOx、
など(式中、a、b及びxは数であり、aとbの合計は
1であり、xは式(II)中と同様に規定される)であ
る。a:bにより表されるそれぞれの金属の間のモル比
は広い範囲をカバーすることができる。a:bの典型的
なドーピング比は4:1、3:1、1:4、1:3など
である。 〔0058〕膜の電子伝導性物質又は相は反応の条件下
に十分な電子伝導性を示す任意の物質であることができ
る。典型的には、電子伝導性相は反応温度でかなりの電
子伝導性を示す1つ又はそれ以上の金属又は金属酸化物
からなる。適当な金属には銀、金、白金、ロジウム、ル
テニウム、パラジウム、ニッケル、コバルト、銅などが
含まれ、それらの中でパラジウム及び白金が好ましい。
適当な金属酸化物には酸化ビスマス、スズ−インジウム
酸化物混合物、プラセオジム−インジウム酸化物混合
物、セリウム−ランタン酸化物混合物、ニオブ−チタン
酸化物混合物、ペロブスカイト構造の電子伝導性混合金
属酸化物などが含まれ、それらの中で、金属ドープした
金属酸化物例えばプラセオジムドープした酸化インジウ
ム、スズドープした酸化インジウム、セリウムドープし
た酸化ランタン、ニオブドープした酸化チタン混合物、
酸素イオン伝導性成分として適するペロブスカイトと連
結した前記電子伝導性ペロブスカイトを含むペロブスカ
イト構造の電子伝導伝導性混合金属酸化物などが好まし
い。金属ドープした金属酸化物の中で、プラセオジムド
ープした酸化インジウム及び混合金属酸化物が最も好ま
しい。 〔0059〕多くのABO型混合金属酸化物配合物
中、実際の構造はイオンの小ディスプレースメントによ
り完全に対称な単純立方晶構造から誘導された擬似不斉
変異体の連続体である。若干の場合に、これらのディス
プレースメントは単位セルのわずかなひずみを生じ、従
ってその対称性が正方晶又は斜方晶形に変形され、他に
おいて、変形は隣接セルがもはや正確に一致せず、従っ
て、真の単位セルが1つより多い一層小さい単位を含
む。多くのこれらの酸化物の強誘電性性質は理想構造か
らのそのような逸脱のためである。 〔0060〕ペロブスカイト構造を有する混合金属酸化
物の電子伝導性は、一般にAイオンを二価金属カチオン
例えばBa、Ca又はSrで部分置換、又は「ドープ」
したときに生ずる。より大きい電子伝導性へのこの傾向
は、しばしば運転温度における一層大きい不安定性を随
伴する。異なる構造に一部分解したペロブスカイトはも
とのペロブスカイト構造のそれとは実質的に異なる電子
伝導性を有するであろう。 〔0061〕前記のように、発明者はペロブスカイトイ
オン格子のB部位におけるクロム及び(又は)チタンの
存在がペロブスカイト構造の安定性を高めること、及び
クロムの存在が、クロムが+4酸化状態にあるとして
も、電子伝導性を高める追加の利点を有することを見出
した。 〔0062〕発明者は一定金属イオンの存在が電子伝導
性を高める理由の個々の理論により拘束されることを望
まないけれども、発明者は1つの酸化状態から他の状態
へ高いレドックス電位を必要とすることなく変ることが
できる金属イオンの存在が一般に電子伝導性を高めるこ
とを見出した。クロム以外の例には鉄、コバルト及びマ
ンガンが含まれる。 〔0063〕混合金属酸化物物質の特定の例にはランタ
ン−ストロンチウムマンガナイト、ランタン−ストロン
チウムコバルタイト、ランタン−ストロンチウム−鉄ク
ロマイト、ランタン−ストロンチウム−鉄−クロムコバ
ルタイト、ランタン−ストロンチウム−鉄−クロムマン
ガナイト、ランタン−カルシウム−鉄−クロマイト、ラ
ンタン−カルシウム−鉄−クロムコバルタイト、ランタ
ン−カルシウム−鉄−クロムマンガナイト、ランタン−
マグネシウムクロマイト、ランタン−クロムフェライ
ト、ランタンコバルタイト、イットリウム−ストロンチ
ウム−鉄クロマイト、イットリウム−ストロンチウム−
鉄−クロム−コバルタイト、イットリウム−ストロンチ
ウム−鉄−クロムマンガナイト、イットリウム−バリウ
ムキュポライト〔例えば、YBaCuOx(式中、
xは式(II)中と同様に規定される〕など、及びそれ
らの混合物が含まれる。 〔0064〕有用なABO型化合物及びそれらの製法
は発行NO.WO89/01922号のもとで1989
年3月9日に発行されたダウ・ケミカル(Dow Ch
emical Company)のPCT出願NO.8
9085506号;ミュラーほか(Muller an
d Ray),「主要三元構造群(The Major
Ternary Structural Famil
ies)」pp.175〜201(1974);ライン
ズほか(Lines,M.E.and Glass,
A.M.),「強誘電体及び関連物質の原理及び応用
(Principles and Applicati
ons of Ferroelectrics and
Related Materials)」,pp.2
80〜92、及びアペンディクス(Appendix,
F.),pp.620〜32〔クラレンデン・プレス
(Clarenden Press),オクスフォード
(Oxford)(1977);並びにエバンス(Ev
ans,R.D.),「結晶化学入間(An Intr
oduction to Crystal Chemi
stry)」,ケンブリッジ・ユニバシティ・プレス
(Cambridge Univ.Press),ケン
ブリッジ,2版(1964),pp.167〜71中に
記載されている。これらの文献はそれぞれそれらのペロ
ブスカイトに関連する開示が参照される。 〔0065〕これらの多相成分膜は電子伝導性物質約1
〜約75容量部及び酸素イオン伝導性物質約25〜約9
9容量部を含むことができる。元素Bi、Ce及びTi
は個々に又は一団として、好ましい態様中に排除される
ことができる。 〔0066〕多相多成分膜は少くとも1つの電子伝導性
物質を少くとも1つの酸素イオン伝導性物質と混合し、
混合した物質を造形して密、気密な多相固体膜を形成す
ることにより成形することができる。殊に固体膜は、
(A) 電子伝導性物質である少くとも1つの物質と少
くとも1つの酸素イオン伝導性物質の均質な混合物を調
製する段階、(B) 混合物を所望形状に整形する段
階、(C) 成形した混合物を少くとも約550℃の温
度に加熱して密な固体膜を形成する段階、を含む方法に
より製造することができる。 〔0067〕固体膜はまた、金属が電子伝導性である少
くとも1つの金属酸化物から、(A) 金属が電子伝導
性である少くとも1つの金属酸化物と少くとも1つの酸
素イオン伝導性物質の均質な混合物を調製する段階、
(B) 混合物を還元雰囲気中で高温に加熱して金属酸
化物を金属に還元する段階、(C) 還元した混合物を
所望の形状に成形する段階、(D) 成形した混合物を
少くとも約500℃の温度に加熱して密な固体膜を形成
する段階、を含む方法により製造することができる。 〔0068〕(2)単相混合金属酸化物 前記のように、本発明の電気化学リアクター中に用いる
固体多成分膜は多相多成分膜の代りとして、又は多相物
質に加えて、ペロブスカイト構造を有し、電子伝導性及
び酸素イオン伝導性の両性質を有するガス不透過性「単
相」混合金属酸化物を含むことができる。前記ペロブス
カイト型物質の多くは本発明のこの態様に適する。有用
であるペロブスカイト物質の特定例には次の物質: LaCoOx; La0.6Sr0.4CoOx; La0.2Sr0.8CoOx; YCoOx; YBaCuOx (式中、xは式(II)中のように規定される)などが
含まれ、しかしそれらに限定されない。 〔0069〕式、 AsA′tBuB′vB″wOx (式II) により表される前記混合金属酸化物は、それらが電気触
媒条件下の安定性並びに電子及び酸素イオン伝導性の利
点を有するので、本発明の単相混合金属酸化物膜として
の使用に十分適する。前記式Iの好ましい態様もまた本
発明のこの観点に適合する。 〔0070〕ペロブスカイトと追加の伝導性金属又は金
属酸化物との混合物もまた本発明に用いる多成分膜の製
造に有用である。追加の伝導性金属又は金属酸化物はペ
ロブスカイト中に存在する元素と同じか又は異なること
ができる。追加の伝導性金属又は金属酸化物は加熱する
とペロブスカイト物質とは別の相の形成し、プロブスカ
イト中に追加の伝導性物質を与えて膜を通る追加の電子
伝導性通路を形成することが見出された。好ましい態様
において、多成分膜はペロブスカイト、例えばランタン
コバルタイト、ランタン−ストロンチウムコバルタイ
ト、と過剰の伝導性金属又は金属酸化物、例えばコバル
ト含有ペロブスカイト中の過剰のコバルト金属、との混
合物を含む。 〔0071〕他の態様において、多成分膜は、各ペロブ
スカイトが電子伝導性又は酸素イオン伝導性に利点を有
する2つ又はそれ以上のペロブスカイトの混合物を含
み、前記のように追加の伝導性金属又は金属酸化物を含
むことができる。 〔0072〕種々の粉末製造法を、前記ペロブスカイト
のように電子伝導性及び酸素イオン伝導性特性を有する
固体膜の製造に用いることができる。適当な方法には
(a)酸化物からの製造、(b)硝酸塩及び(又は)酢
酸塩の熱分解、並びに(又は)(c)クエン酸製造法が
含まれる。 (a)酸化物法による調製 一例として、固体膜は(A) 上記の金属A及びBを含
むペロブスカイト粉末を調製し、(B) 混合物を所望
の形状に成形し、(C) 成形された混合物を電子伝導
性及び酸素イオン伝導性を有する稠密な固体膜を形成す
るのに充分な温度に加熱する諸工程を含む方法により酸
化物から調製し得る。典型的には、この工程の温度は少
なくとも約500℃であり、一般には少なくとも約10
00℃である。 (b)硝酸塩及び/または酢酸塩の熱分解による調製 硝酸塩及び/または酢酸塩の熱分解による混合金属酸化
物組成物の調製は、(A) 所望の元素の硝酸塩及び/
または酢酸塩を水の如き極性溶媒に溶解し、(B) 工
程(A)で得られた溶液を固体粉末が得られるまで加熱
して極性溶媒を除去し、(C) 乾燥固体を硝酸塩及び
/または酢酸塩を分解するのに充分な温度に加熱し、
(D) 混合物を所望の形状に成形し、ついで(E)
成形混合物を電子伝導性及び酸素イオン伝導性を有する
稠密な固体膜を形成するのに充分な温度に加熱する諸工
程を含む。一般に、工程(C)及び(E)の温度は少な
くとも約500℃であり、工程(C)は典型的には少な
くとも約900℃の温度で行なわれ、工程(E)は典型
的には少なくとも約1000℃の温度で行なわれる。 (c)クエン酸調製法による調製 クエン酸調製法による調製は(A) 所望の元素の硝酸
塩及び/または酢酸塩を溶液中にクエン酸を含む、水の
如き、極性溶媒中で混合し、(B) 混合物を高温に加
熱して固体粉末を生成し、(C) 混合物を所望の形状
に成形し、ついで(D) 成形混合物を電子伝導性及び
酸素イオン伝導性を有する稠密な固体膜を形成するのに
充分な温度に加熱することを含む。再度、典型的には、
この工程の温度は少なくとも約500℃であり、一般に
は少なくとも約100℃である。多成分膜を製造する上
記の方法に於いて、最終加熱工程の前に結合剤が一般に
混合物に添加されて金属粒子及び/または金属酸化物粒
子を結合して所望の形状に成形することを助ける。結合
剤は成形混合物を少なくとも500℃の温度に加熱する
最終工程に於いて稠密な固体膜の形成を妨げず、しかも
混合物中に容易に分散し得る物質であることが好まし
い。このような結合剤は、例えば、適当な溶媒中に分散
または溶解されたワックスまたはパラフィン系炭化水素
であってもよい。結合剤の特別な例は、結合量のワック
スを電子伝導性粒子及び酸素イオン伝導性粒子上に分布
させるのに充分なクロロホルム中に溶解されたカルボワ
ックス(Carbowax)20M(商標)(スペルコ
(Supelco))である。ペロブスカイト構造の変
性及び/または付加的な形成が、ペロブスカイト構造の
混合金属酸化物を含むリアクターセル中で反応条件下で
起こることがある。要素 上記の“要素”は (A−1)酸素を酸素イオンに還元し得る金属、金属酸
化物またはこれらの混合物で被覆された第一表面と酸素
イオンを酸素消費ガスと反応させ得る金属、金属酸化物
またはこれらの混合物で被覆された第二表面を有する固
体電解質(但し、両方の被覆物は安定であり、操作温度
で電子伝導性であり、且つ外部の電子伝導性回路に接続
されていることを条件とする) (A−2)第一表面と第二表面を有し、且つ電子伝導性
相と酸素イオン伝導性相の緊密なガス不透過性の多相混
合物を含む固体多成分膜 を含むことが好ましい。要素(A−1)が、以下に詳細
に説明される。(A−1)の固体電解質は、操作条件、
特に300℃により高い温度で安定であり、且つ酸素イ
オンを伝達し得るあらゆる物質であり得る。固体電解質
は本発明の多成分膜に関して上記された酸素イオン伝導
性物質の中から選ばれることが好ましい。固体電解質は
実質的に非多孔質のガス不透過性の固体であることが好
ましい。好ましい固体電解質は、Y(イットリ
ア)で安定化されたZrO(ジルコニア)物質及びC
aO(カルシア)で安定化されたZrO(ジルコニ
ア)物質並びにペロブスカイト構造を有する電解質であ
る。これらの固体電解質は、それらの高いイオン伝導
性、広範囲の温度及び酸素圧力にわたってのそれらの酸
素イオン伝導性、及びそれらの比較的低いコストを特徴
とする。カソード側の導電被膜は、カソード表面で電子
を供給することにより酸素から酸素イオンへの還元を促
進でき、且つ操作条件下で安定であるあらゆる材料であ
ってもよい。カソードの調製に有用な金属及び金属酸化
物の例は、銀、白金、ニッケル、金、ビスマス、パラジ
ウム、銅、コバルト、クロム、鉄、ニオブ−チタン混合
物、ランタン−マンガン混合物、インジウム−酸化スズ
混合物、プラセオジム−酸化インジウム混合物、上記の
ペロブスカイトを調製するのに使用されるいずれか二種
の金属または金属酸化物の組合せ、電子伝導性ペロブス
カイト、並びにペロブスカイトを調製するのに使用され
る上記の金属、金属酸化物及び組合せの混合物を含む。
アノード側の導電被膜は、酸素イオンと酸素消費ガスと
の反応を促進し得る多種の導体のいずれであってもよ
く、但しその材料はまた操作条件下で安定であることを
条件とする。アノード被膜を形成するのに有用な金属及
び金属酸化物の例は、カソードを調製するのに有用なよ
うな上記の材料を含むが、更に詳細には銀、金、ニッケ
ル、ビスマス、マンガン、バナジウム、白金、ロジウ
ム、ルテニウム、パラジウム、銅、亜鉛、コバルト、ク
ロム、及び鉄の諸金属及び金属酸化物、上記の金属及び
金属酸化物のあらゆる混合物、並びに銀−酸化ビスマス
混合物、スズ−酸化インジウム混合物、プラセオジム−
酸化インジウム混合物、セリウム−酸化ランタン混合
物、等の如きその他の混合物、並びにこれらの混合物を
含む。これらの中で、銀、金、及び銀と金の混合物が好
ましい。夫々の導電被膜は、薄いフィルムとして、及び
/または多孔質導電被膜として存在してもよい。導電被
膜は多孔質であることが好ましい。多孔質被膜は、膜ま
たは被覆電解質と処理すべき一種以上のガスとの間の接
触面積を増大し、それにより電気触媒作用の速度を増す
という利点を与え得る。電気化学反応速度は、この外部
回路に電位を印加して酸素含有ガスと接触する導電表面
の方向に電子の流れを増すことにより加速し得る。導電
被膜が触媒を含む場合には、電気化学法の速度を更に一
層増すことができる。要素は多孔質支持体1を更に含ん
でもよい。多孔質支持体1は反応体ガスまたは生成物ガ
スに対して多孔性であり、導電被膜(A−1)及び/ま
たは固体多成分膜(A−2)を有する固体電解質の支持
体として作用する。それは、反応条件下で反応プロセス
を妨害しない限り所望の目的を達成する如何なる材料で
あってもよい。酸素伝導性物質として記載されたイット
リアで安定化されたジルコニア、ドーピングされたセリ
ア、トリア系材料、またはドービングされた酸化ビスマ
ス及び種々のその他の金属酸化物を含む多数の酸化物の
いずれもが使用し得る。例はCaOで安定化されたZr
;Yで安定化されたZrO;Sc
安定化されたZrO;Yで安定化されたBi
;Yで安定化されたCeO;CaOで安定
化されたCeO;ThO;Yで安定化された
ThO;ランタニド酸化物またはCaOのいずれか一
つの添加により安定化されたThO、ZrO、Bi
、CeOまたはHfO;Al;等を含
む。導電被覆(A−1)及び多成分膜(A−2)を有す
る固体電解質は、多孔質支持体上への蒸着、多孔質支持
体の含浸、多孔質支持体の同時含浸、の如きいずれかの
技術、またはセラミックを調製するのに普通使用される
あらゆるその他の技術により支持体に適用し得る。ま
た、このような要素はスラリー混合物のテープ流延、ス
リップ流延、またはその他の技術により調製し得る。そ
の他の技術は成形された被覆固体電解質または膜前駆体
を熱処理して安定な構造を形成し、またはそれが気密に
なるまで熱処理し、ついで得られた被覆固体電解質また
は膜を支持体構造に付着し、更に熱処理して完成された
支持された被覆固体電解質または膜を得ることである。
支持体が酸素含有ガス及び酸素消費ガスを本発明の被覆
固体電解質または膜と接触させるようにする限り、その
他の技術が可能である。本発明は、本発明の電気化学リ
アクターの態様を示す図2及び図3を参照して更に例示
し得る。図2は図1に示された電気化学リアクターと異
なる本発明の電気化学リアクターの平面図であり、図3
は図2に示されたものと同じリアクターの側面図及び断
面図である。図2及び図3の両方に於いて、電気化学リ
アクターは固体多成分膜を含む円形の固体円筒形リアク
ターセルまたはコアー21が置かれているシェル20を
含む。図2及び図3に示された構成から見られるよう
に、リアクターはコアー21の全長を横断するコアー2
1内の内部通路22及びコアー21の外表面とシェル2
0の内表面との間の外部通路23を含む。実際に、本発
明の方法は、例えば、酸素消費ガスを内部通路22に通
し、酸素含有ガスを外部通路23に通すことにより図2
及び図3に示されたような装置を用いて行なわれる。二
重コンダクターコアー21の外表面と接触する酸素含有
ガスは酸素イオンに転化され、これらイオンが固体コア
ー21を通ってコアー21の内表面へと移行する。コア
ー21の内表面で、酸素イオンが内表面と接触する酸素
消費ガスと反応する。この反応中に、夫々の酸素イオン
は二つの電子を失ない、これらの電子がコアー21の内
表面からコアー21の外表面へと移動する。上記の方法
は、勿論、酸素含有ガスを内部通路22に通し、酸素消
費ガスを外部通路23に通すことにより逆にすることが
できる。その後、酸素イオンは固体コアー21を通って
コアー21の外表面へと移行し、電子は内表面へと移動
する。典型的に、合成ガスがつくられる方法に関して、
一種以上の軽質炭化水素が内部通路22中にあり、要素
が固体コアー21の膜の多孔質支持体を含む場合には、
多孔質支持体は通常膜の外表面上にある。しかしなが
ら、酸素消費ガス及び酸素含有ガスに関してどの領域を
使用するかについての決定、及び使用する場合の多孔質
支持体の配置は、どの配置が本発明の特別な用途に最も
適するかに依存する。最も適した配置の決定は、不適切
な実験をしないで決定する当業者の能力内にある。ま
た、要素のペロブスカイト膜及び多相膜は、還元ガス及
びその他の反応性ガス成分の存在に関して種々の程度の
安定性を有する。本発明の方法は膜表面をこのような反
応性成分に暴露するので、膜表面が使用時に接触するガ
スに対して安定性を有する金属、金属酸化物、またはペ
ロブスカイトでもって膜の表面を配合するか、または膜
を被覆することにより多成分膜の表面を保護することが
望ましいことがある。本発明者らは、ランタニド及びク
ロムを含むプロブスカイトの最終層また多相多成分膜を
つくることが、例えば、還元ガスまたは硫黄及び窒素の
酸化物を含む腐食ガスの如き反応性ガスに暴露された表
面の安定性を保持することを助ける一つの方法であるよ
うであることを発見した。一つの態様に於いて、要素は
導電性金属、金属酸化物またはこれらの混合物で一面ま
たは両面で被覆された多成分膜(2)を含む。夫々の導
電被膜は、(A−1)を含む要素に関して上記されたよ
うな薄いフィルムとして、及び/または多孔質被覆物と
して存在してもよい。このような要素が酸素から酸素イ
オンへの還元を促進し得る導電性金属、金属酸化物また
はこれらの混合物で被覆された第一表面と導電性金属、
金属酸化物またはこれらの混合物でまた被覆された第二
表面を含む場合には、第一導電被膜及び第二導電被膜は
第二導電性表面から第一導電性表面への電子の伝達を容
易にするために上記の(A−1)の場合のように任意の
外部回路により接続されてもよい。導電被膜は触媒を含
んでもよく、電位が上記の(A−1)の場合のようにこ
の外部回路に印加されて電気化学反応速度を更に一層増
してもよい。本発明の要素が図8に図示されており、こ
こで多成分膜または固体電解質を含むコアー41は酸素
を酸素イオンに還元するのに有効な材料43で一表面4
2で被覆されている。この被覆物はセルのカソード側を
与える。コアー41の第二表面44上には材料45の別
の被覆物がある。この被覆物はアノードである。二つの
被覆物はワイヤリード線46及び47を介して外部回路
により必要により接続されていてもよい。コアーは導電
材料を含まない場合には、外部回路が必要とされる。電
流計48が回路中に含まれていてもよい。また、二つの
導電被膜(電極)の間に電位を適用するためのバッテリ
ーが回路中に含まれていてもよい。本発明が図9及び図
10を参照して更に例示することができる。図9は本発
明の電気化学リアクターの平面図であり、図10は同じ
リアクターの側面図である。図9及び図10の両方に於
いて、電気化学リアクターはシェル50を含み、その中
に多成分膜または固体電解質を含むコアー51を含む円
形の固体の円筒形電気化学セルが置かれている。コアー
51の内表面はアノード52として利用できる導電性金
属または金属酸化物で被覆されている。コアーの外表面
はカソードとして利用できる導電性材料53で被覆され
ている。必要により、ワイヤリード線56が内側被覆物
52に付着され、第二ワイヤリード線57が外側被覆物
53に付着され、二本のワイヤリード線が電流計58を
介して接続されて外部回路を形成する。バッテリーは電
流計と直列に接続されてもよい。図9及び図10に示さ
れる構成から見られるように、リアクターはセルの中央
を通る内部開放空間54及び外部被覆物53即ちセルの
アノードとシェル50との間の外部開放空間55を含
む。また、要素は、以上のものとは独立に触媒(3)を
含んでもよい。触媒は要素の表面上にフィルムとして存
在してもよく、固体の多成分膜の表面で分散または混合
されてもよく(例えば、固体膜表面をドーピングするこ
とにより)、あるいは導電被膜中に分散または混合され
てもよい。触媒は、例えば、要素のカソード側の硫黄還
元触媒であってもよく、または以下に更に記載されるよ
うなアノード側の脱水素または酸化カップリング触媒で
あってもよい。多孔質支持体(1);導電被膜(2);
及び/または触媒(3)は別個の材料として適用されて
もよく、あるいは多孔質支持体(1);導電被膜
(2);及び/または触媒(3)の作用は一種または二
種の材料中に組合されてもよい。本発明の方法に使用さ
れる電気化学セルは、必要により要素に隣接する触媒を
含んでもよい。電気化学セルが例えばガス浄化に使用さ
れる場合、本発明者らは、触媒の存在が電気化学セルの
第一導電性表面(即ち、カソード)で硫黄及び窒素の酸
化物の還元を促進でき、且つ/または硫化カルボニルの
分解を促進し得ることを見い出した。電気化学セルが飽
和炭化水素を不飽和炭化水素に転化するのに使用される
場合、要素の第二表面に隣接する脱水素触媒の存在は、
脱水素触媒を使用しないで得られるものよりも転化率及
び選択率を増加し得る。その方法が芳香族化合物及び第
二の水素含有化合物から置換芳香族化合物を製造するの
に使用される場合には、本発明者らは、脱水素触媒また
は酸化カップリング触媒の如き触媒の存在が芳香族化合
物の所望の置換に対する選択率を増大するのに使用し得
ることを発見した。触媒はセル膜の表面に隣接して充填
された不連続の粒子または繊維の形態で存在してもよ
い。図6及び図7に示された一つの態様に於いて、電気
化学セルは酸素を酸素イオンに還元し得る第一表面32
を有する固体多成分膜を含む固体コアー33を含む。コ
アー33は第二通路36中で酸素イオンを酸素消費ガス
と反応させ得る第二表面34を有する。触媒35を含む
第二通路36は第二表面34に隣接している。実際に、
不飽和炭化水素の製造または置換芳香族化合物の製造の
如き本発明の方法は、図2及び図3の装置を用いる方法
と同様に図6及び図7に示されたような装置を用いて行
なわれてもよい。触媒35は、触媒35を第一表面32
に隣接する第一通路中に置くことにより、または32が
第二表面であり34が第一表面であるように第一表面3
2と第二表面34を逆にすることにより第二表面34に
代えて第一表面32に隣接して配置させることができ
る。これらの最後の二つの配置は、例えば、酸素含有ガ
スから酸素の抽出方法に使用し得る。図11に示された
電気化学リアクターの態様に於いて、電気化学セルは酸
素から酸素イオンへの還元を促進し得る第一電子伝導性
表面63を形成するための材料62で被覆された固体電
解質または固体の多成分膜を含む固体コアー61を含
む。通路71は第一表面63に隣接している。第一電子
伝導性表面63はセルのカソードを含む。固体コアー6
1は、酸素イオンと酸素消費ガスとの反応を促進し得る
第二電子伝導性表面65を形成するための材料4で被覆
される。触媒69は第二表面65隣接する第二通路70
中に存在する。第二電子伝導性表面65はアノードを含
む。リアクターは外部回路を形成する任意のリード線ワ
イヤ66及び67を有する。電流計68が外部回路中に
含まれてもよい。本発明が図12及び図13を参照して
更に例示し得る。図12及び図13の両方に於いて、リ
アクターはシェル80を含み、その中に多成分膜または
固体電解質を含むコアー81を含む円形の固体電気化学
セルが配置されている。固体コアー81の一表面は導電
性金属、金属酸化物、またはこれらの混合物で被覆され
て第一導電性表面82を形成する。固体コアー81の別
の表面は導電性材料で被覆されて第二導電性表面83を
形成する。任意のワイヤリード線87が第一表面82に
付着され、任意の第二ワイヤリード線88が第二表面8
3に付着され、二本のワイヤリード線が任意の電流計8
9を介して接続されて外部回路を形成する。バッテリー
は電流計と直列に接続されてもよい。図12及び図13
に示された構成から見られるように、セルは第一表面8
2に隣接する第一通路86を含む。触媒85を含む第二
通路84が第二表面83とシェル80との間にある。本
発明の方法に使用し得る特別な触媒が以下の方法の説明
に於いて詳しく記載される。電気化学方法の好ましい態
様は、以下のとおりである。 (1)合成ガスの製造 本発明の電気化学リアクターを使用して反応体ガスを酸
化して合成ガスを生成する電気化学方法は、約1000
℃〜約1400℃の温度で行なわれる。一つの態様に於
いて、その方法は1000℃〜1300℃の範囲内の温
度で行なわれる。電解セルは所望の温度に加熱すること
ができ、その温度は外部の加熱及び/または反応の発熱
により反応中に維持し得る。第一帯域に面する側の固体
膜と接触して通される酸素含有ガスは、空気、純粋な酸
素、または少なくとも1%の遊離酸素を含むあらゆるそ
の他のガスであり得る。その他の態様に於いて、酸素含
有ガスはNO、NO、NO、SO、SO、スチ
ーム、CO、等の如きその他の形態の酸素を含む。酸
素含有ガスは少なくとも約1%の遊離酸素(例えば、二
酸素)を含むことが好ましく、酸素含有ガスが空気であ
ることが更に好ましい。合成ガスを製造するこの方法に
従って処理される供給ガスは、メタン、天然ガス、エタ
ン、またはその他の軽質炭化水素混合物の如き軽質炭化
水素を含んでもよい。天然ガスは抗口天然ガスまたは処
理天然ガスのいずれであってもよい。処理天然ガスの組
成は、最終使用者の要望に応じて変化する。典型的な天
然ガス組成物は、約70重量%のメタン、約10重量%
のエタン、10重量%〜15重量%のCOを含み、残
りは少量のプロパン、ブタン及び窒素から構成される。
軽質炭化水素ガス供給原料は、窒素、ヘリウム、ネオ
ン、アルゴン、クリプトン、キセノン、またはスチーム
を含むあらゆるその他のガスの如きあらゆる不活性希釈
剤と混合することができ、希釈剤は所望の反応を妨害し
ない。窒素及びスチームが選択希釈剤である。第二帯域
に面する固体膜表面で本発明のこの方法により製造され
た合成ガスは、実質的に窒素を含まず、水素と一酸化炭
素の混合物を含み、若干のアセチレンまたはエチレンま
たはその両方を含み得る。また合成ガスは、ごく少量の
二酸化炭素を含んでもよい。合成ガスは、フィッシャー
トロプッシュ法を用いて液体に転化でき、商業的な方法
によりメタノールに転化し得る。 (2)不飽和炭化水素の製造 本発明の方法に従って処理される飽和炭化水素含有ガス
は、脱水素を受け易いあらゆる完全もしくは部分飽和炭
化水素を含んでもよく、これらはその飽和もしくは不飽
和形態のいずれかで操作温度で安定であることが好まし
い。本発明に従って処理し得る飽和炭化水素の例は、1
〜約6個の炭素原子を含む脂肪族炭化水素、5個または
6個の炭素原子を含む脂環式炭化水素、2〜約6個の炭
素原子の脂肪族炭化水素を有する芳香族化合物、2〜約
6個の炭素原子の脂肪族炭化水素置換基を有する脂環式
炭化水素、夫々のヘテロ原子が窒素、酸素または硫黄で
ある5員もしくは6員の複素環を含む飽和もしくは部分
飽和複素環化合物、夫々のヘテロ原子が窒素、酸素また
は硫黄である5員もしくは6員の不飽和複素環を含み2
〜約6個の炭素原子の脂肪族炭化水素置換基を有する複
素環化合物、及びこれらの混合物を含む。好ましい飽和
炭化水素は、2〜約6個の炭素原子を含む脂肪族炭化水
素並びに分離もしくは縮合された6員の芳香族環と2〜
約6個の炭素原子を有する少なくとも一つの脂肪族炭化
水素置換基を有する芳香族化合物である。本発明の方法
に従って処理される更に好ましい炭化水素は、エタン、
エタン含有供給ガス、プロパン、プロパン含有供給ガ
ス、エチルベンゼン、またはエチルベンゼン含有供給ガ
スである。エタン含有供給ガスは、天然ガス、メタン熱
分解流出ガス、酸化カップリング流出ガス、または少な
くとも1%のエタンを含むあらゆるその他のガスであり
得る。天然ガスは抗口天然ガスまたは処理天然ガスのい
ずれであってもよい。処理天然ガスの組成は、最終使用
者の要望に応じて変化する。典型的な処理天然ガス組成
物は、約70重量%メタン、約10重量%のエタン、1
0重量%〜15重量%のCOを含み、残りは少量のプ
ロパン、ブタン及び窒素から構成される。本発明の別の
態様に於いて、エタンがプロパン、ブタン、イソブタン
及び/またはペンタンの如きその他の飽和脂肪族炭化水
素と混合される。飽和炭化水素ガス供給原料は窒素、ヘ
リウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ま
たはスチームを含むあらゆるその他のガスの如きあらゆ
る不活性希釈剤と混合することができ、この希釈剤は炭
化水素の酸化脱水素を妨害しない。スチーム、窒素及び
メタンが選択希釈剤であり、スチーム及びメタンが好ま
しい。本発明のこの方法は、少なくとも約300℃、一
般には少なくとも約500℃の高温で一般に行なわれ、
その方法は約1000℃以下の温度で一般に行なわれ
る。好ましい態様に於いて、例えば飽和炭化水素ガスが
エタンである場合には、その反応は約600℃〜約10
00℃の温度、更に好ましくは約700℃〜約950℃
の温度で行なわれる。本発明のこの方法は、約0.1〜
約100気圧、更に好ましくは約0.5〜約10気圧の
圧力で一般に行なわれる。特に好ましい圧力は1気圧で
ある。本発明の一局面は、約300℃から1000℃未
満の温度で本発明の電気化学リアクターを使用して行な
われるメタン、天然ガスまたはその他の軽質炭化水素を
不飽和炭化水素に酸化する電気化学方法である。一つの
態様に於いて、その方法は約550℃〜約950℃の範
囲内、好ましくは750℃〜950℃の範囲内の温度で
行なわれる。電解セルは所望の温度に加熱でき、温度は
外部加熱及び/または反応の発熱の利用により反応中に
維持し得る。本発明の方法のこの局面に従って処理され
る供給ガスは、メタン、天然ガス、エタン、またはその
他の軽質炭化水素混合物の如き軽質炭化水素を含んでも
よい。メタン含有供給ガスは、例えば、メタン、もしく
は天然ガス、または少なくとも50%のメタンを含むあ
らゆるその他のガスであってもよい。天然ガスは抗口天
然ガスまたは処理天然ガスのいずれであってもよい。処
理天然ガスの組成は最終使用者の要望に応じて変化す
る。典型的な処理天然ガス組成物は、70重量%のメタ
ン、約10重量%のエタン、10重量%〜15重量%の
COを含み、残りは少量のプロパン、ブタン及び窒素
から構成される。軽質炭化水素ガス供給原料は、窒素、
ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンま
たはスチームを含むあらゆるその他のガスの如きあらゆ
る不活性希釈剤と混合でき、不活性希釈剤は所望の反応
を妨害しない。窒素及びスチームが選択希釈剤である。
第二帯域に面する固体膜表面で本発明の方法のこの局面
により製造される不飽和炭化水素は、例えば、エチレ
ン、アセチレン、プロピレン、ブチレン、イソブチレ
ン、及びこれらの混合物である。第一帯域に面する側で
固体膜と接触して通される酸素含有ガスは、空気、純粋
な酸素、または少なくとも1%の遊離酸素を含むあらゆ
るその他のガスであり得る。別の態様に於いて、酸素含
有ガスは、NO、NO、NO、SO、SO、ス
チーム、CO、等の如きその他の形態の酸素を含む。
酸素含有ガスは少なくとも約1%の遊離酸素(例えば、
二酸素)を含むことが好ましく、酸素含有ガスが空気で
あることが更に好ましい。本発明の方法の好ましい態様
に於いて、飽和炭化水素含有ガスは要素の第二表面(ア
ノード)に隣接する脱水素触媒と接触して通されて、改
良された不飽和炭化水素収率及び選択率を得る。一つの
態様に於いて、その方法は高い転化率及び選択率でしか
も低いコーキング率でエタンからエチレンまたはアセチ
レンへの連続脱水素を与える。また、その他の好ましい
方法が高い転化率及び選択率でエチルベンゼンからスチ
レンへの連続転化を与える。また、所望により、その方
法は電流を発生するのに使用し得る。本発明の方法は、
酸素を酸素イオンに還元し得る第一表面、酸素イオンを
酸素消費ガスと反応させ得る第二表面、及び酸素イオン
伝導性通路を有する要素を有するセル中で行なわれる。
脱水素触媒は第二表面と隣接する不飽和炭化水素含有ガ
ス用の通路中に存在する。図11を参照して、酸素含有
ガスまたはガス混合物は通路71中を第一電子伝導性表
面63(カソード)と接触して通され、飽和炭化水素化
合物含有ガスが通路70中を第二表面65(アノード)
及び脱水素触媒69と接触して通される。酸素含有ガス
が第一表面63と接触する際に、酸素が酸素イオンに還
元され、これらイオンがコアー61を通ってアノード側
に輸送される。アノード(第二表面65)で、飽和炭化
水素が脱水素触媒と接触して水素及び不飽和炭化水素を
生成し、酸素イオンが水素と選択的に反応して水を生成
し、電子を放出する。電子はリード線ワイヤ66及び6
7を通って外部回路を経由してカソード側に戻ることが
できる。このようにして、リアクターは飽和炭化水素を
不飽和炭化水素に転化することに加えて電流を発生し得
る。また、本発明のこの方法は図11の装置を使用する
方法と同様にして図12及び図13に示されたような電
気化学リアクターセルを用いて行なわれてもよい。別の
態様に於いて、図12及び図13の第一導電性表面82
と第二導電性表面83は逆にされ、その結果脱水素触媒
85は第一導電性表面82に隣接する第一通路84中に
存在する。実際には、酸素含有ガスは第二通路86中に
通され、飽和炭化水素化合物含有供給ガスが水素触媒8
5を有する第一通路84中に通される。一種以上の飽和
炭化水素含有化合物が上記のようにして一種以上の不飽
和炭化水素に転化される。電気触媒リアクターセル要素
の表面上の好ましい導電被膜は、飽和炭化水素から不飽
和炭化水素への転化または脱水素を触媒作用することが
でき、あるいは水素の選択的酸化を促進できる多種の導
体のあらゆるものである。これらの好ましいアノード被
覆物を形成するのに有効な金属の例は、銀、ニッケル、
金、ビスマス、マンガン、バナジウム、白金、パラジウ
ム、ルテニウム、銅、亜鉛、コバルト、クロム、鉄、イ
ンジウム−プラセオジム混合物、もしくはインジウム−
スズ混合物、これらの酸化物、並びに上記の金属及び金
属酸化物の混合物を含む。銀及び金が本発明に特に有効
である。好ましい電子伝導性物質は、銀含有金属組成物
及び金含有金属組成物を含む。別の好ましい態様に於い
て、第二表面は白金含有金属組成物を含む導電被膜であ
る。その方法は、図6及び図7に示されたようなリアク
ター中で行なわれてもよく、ここでは酸素イオン伝導性
通路及び電子導電性通路が固体コアー33中に併存す
る。コアー33は酸素を酸素イオンに還元し得る第一表
面32を有する。通路31は第一表面32に隣接してい
る。コアー33は酸素消費ガスの転化を促進し得る第二
表面34を有する。通路36は第二表面34に隣接し脱
水素触媒35を含む。実際には、本発明の方法は図12
及び図13の装置を用いる方法と同様にして図6及び図
7に示されるような装置を用いて行なわれる。脱水素触
媒は酸化脱水素及び熱(即ち、非酸化的)脱水素を促進
するのに有効である触媒を含む。酸化脱水素触媒は水素
原子を酸素の如き酸化剤に結合することを促進し、一方
熱脱水素触媒は脱水素を行なうのに酸化剤の存在を必要
としない。好ましい酸化脱水素触媒はビスマス、コバル
ト、スズ及びチタン、テルルのモリブデン酸塩またはタ
ングステン酸塩、酸化アルミニウムに付着されたリン
酸、ビスマス、鉄、ストロンチウム、ニッケル、クロム
及びカルシウムのリン酸塩、タングステン、バナジウ
ム、インジウム、ビスマスのリンモリブデン酸塩及びリ
ンタングステン酸塩、モリブデン及びバナジウムの混合
酸化物、モリブデン、バノジウム、及びニオブの混合酸
化物、アンチモン及びスズ、チタンの混合酸化物、スズ
及びヒ素とセレン及びテルルとの混合酸化物、鉄とアル
ミニウム及びクロムとの混合酸化物、炭酸カリウム、
鉄、コバルト、マグネシウム、マンガン、金及び白金の
塩基性ハロゲン化物の存存下の鉄及びクロムの混合酸化
物、等の如きモノオレフィンの脱水素を促進する触媒で
ある。有効な脱水素触媒は、シェル(Schell)1
05触媒(これは約90%の酸化鉄、4%の酸化クロム
及び6%の炭酸カリウムを含む)、約2%の酸化クロム
と混合された組成CaNi(POを有するカル
シウムニッケルリン酸塩触媒、及びユニオンカーバイド
(Union Carbide)のエトセン(Etho
xene)触媒(これはモリブデン、バナジウム及びニ
オブ系の酸化物である)である。これらの触媒の製法及
び使用方法は当業界で公知である。これらの触媒を記載
する文献の例は、V.K.スカルチェンコ(Skarc
henko)著、“炭化水素の酸化脱水素”INTER
NATIONAL CHEMICAL ENGINEE
RING、9巻、1号、1〜23頁(1969年);
C.N.サターフィールド(Satterfiel
d)、Hete,ogenous Catalysis
in Practice、199〜279頁、(マグ
ロ−ヒルイ′コーポレーション(MaGraw−Hil
l Inc.),1980年);米国特許第4,31
5,864号、同第4,350,835号、同第4,4
10,752号、同第4,524,236号、及び同第
4,524, 6号明細書;及びトルステインソン
(Thorsteinson)ら著、“モリブデン及び
バナジウムの混合酸化物を含む触媒によるエタンの酸化
脱水素”J.Catalysis52 116〜132
頁(1978年)を含み、これらは夫々参考として本明
細書に完全に含まれる。酸化脱水素型触媒は電気化学セ
ル要素のアノード表面に直接適用されることが好まし
い。何となれば、その表面に与えられた酸素は酸化脱水
素を行なうための酸化剤として使用し得るからである。
別の方法に於いて、酸化脱水素型触媒は電気化学セル要
素のアノード表面に直接に適用されないが、担持触媒ま
たは非担持触媒として第二通路中に分布され、ヨウ素の
ような酸素以外の酸化剤が試薬と共に第二通路中に導入
されて酸化脱水素に必要な条件を与える。脱水素触媒
は、熱脱水素を促進するのに有効である担持触媒または
非担持触媒であることが好ましい。これらの触媒は、ロ
ジウム、ルテニウム、パラジウムもしくは白金の諸金
属、これらの酸化物、及びこれらの混合物を含む。これ
らの触媒の中で、白金が最も好ましい。何となれば、白
金は脱水素触媒としてのその役割に加えてまた炭素質沈
積物の形成を最小にするように作用するからである。炭
素質沈積物の形成の減少は、白金に化学吸着された水素
によるものであると推測され、水素は触媒の表面に沿っ
て拡散し、表面上でコークス前駆体を水素化してその表
面からの脱着を促進する。しかしながら、本発明者らは
この理論により束縛されたくない。何となれば、白金金
属に伴なう利点に関する特別な理論は本発明を実施する
のに重要ではないからである。触媒は担体媒体で担持さ
れることが好ましい。担体媒体は本発明の方法を妨害し
ないあらゆる物質である。このような担体媒体の例は、
石英ウール、シリカ、アレミナ、チタニア、及びジルコ
ニアを含み、石英ウールが好ましい。石英ウールは容易
に充填でき、セル通路を充填するのに使用される力によ
りひき起こされるセルの損傷の可能性を減少する。触媒
上で起こる脱水素反応は比較的早く、約0.1〜約10
0秒の接触時間が不飽和炭化水素への所望の転化を生じ
るのに充分である。約1〜20秒の接触時間が一般に充
分であり好ましい。本発明の一つの態様に於いて、飽和
炭化水素から不飽和炭化水素への転化は、電位をアノー
ドとカソードとの間に適用することにより改良される。
一般に、約4ボルトまでの電位、好ましくは約0.1〜
約2ボルトの電位が電極間に適用し得る。所望の電位
は、図12及び図13中の26、27及び28により形
成される外部回路中に設置されたバッテリーの使用によ
り適用し得る。別の好ましい態様に於いて、反応がアノ
ードで進行する速度は、酸素イオンが第一表面と第二表
面との間で移動する必要がある距離を減少することによ
り増すことができる。換言すれば、セルの性能は、要素
の表面積に対して薄い断面を有する要素を使用すること
により高めるこができる。 (3)置換芳香族化合物の製造 本発明のこの方法は、上記の(A)に従って要素並びに
第一及び第二の通路を含むいずれかの電気化学セルを用
いて行なわれる。これらの型の電気化学セルはまた電解
セル、発電セル(electrogenerative
cell)または燃料セルと称される。電気化学セル
の重要な特徴は、それが酸素イオンを酸素含有ガスと接
触する要素の第一表面から酸素消費ガスと接触する第二
表面へ移すことができるとともに電子を第二表面から第
一表面へ逆に移すことができることである。これらの作
用は一種より多い電気化学セルにより達成し得る。好ま
しい態様は金属、金属酸化物またはこれらの混合物で二
面で被覆された固体の酸素イオン伝導性電解質を含む態
様(“外部回路セル”)及び電子伝導性通路“ビルトイ
ン(built in)”を有する固 多成分膜を含む
態様(“内部短絡セル”)を含む。本発明のこれらの二
つの型の電気化学セルは、先に詳細に説明されている。
素がカソードとして使用される固体電解質上の導電被膜
を含む場合、銀、白金及び銀と白金の混合物が導電被膜
の金属及び金属酸化物として好ましい。一つの態様に於
いて、アノードはまた上記の導電性金属のいずれかに加
えて、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、
セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ス
トロンチウム、バリウム及び相当する酸化物の如きアル
カリ金属及び/またはアルカリ土類金属または金属酸化
物を含み得る。リチウムとマグネシウムの組合せが特に
有効である。被覆物(アノード)中に含まれるアルカリ
金属及び/またはアルカリ土類金属の量は、約1重量%
〜約50重量%、好ましくは約5重量%〜約20重量%
のような広い範囲にわたって変化し得る。このような混
合アノードの特別な例は、Cu/Li/Mg、Ag/L
i/Mg、Ag/Sm/Li/Mg及びAg/Bi/L
i/Mgを含む。アルカリ金属及び/またはアルカリ土
類金属またはこれらの金属酸化物は、導体が固体電解質
の表面に付着される前またはその後に導体中に含まれて
もよい。アノードを付加的な物質でドーピングし、被覆
し、または特別に処理して飽和炭化水素との表面相互作
用のためにその安定性、構造及び/または反応性に影響
を及ぼすことがまた可能である。本発明に有効な導電被
膜の特別の例、及びこのような被覆物の調製方法は、以
下のとおりである。 Ag:管が銀インク(エンゲル−ハード(Engel−
hard)A3148)で被覆される。 Ag/Li/Mg:管が銀インク(A3148)、つい
で水中の酸化マグネシウム(MgO)及び炭酸リチウム
〔LiCO〕(14.6重量%のリチウム)のスラ
リーで逐次被覆される。 Pt:管がエンゲルハードからの白金インク(#692
6)で被覆される。 Pt/Bi:上記のようにして調製された白金アノード
が水中の酸化ビスマス〔Biのスラリーで被覆さ
れる。 一つの態様に於いて、電子伝導性物質は銀含有組成物を
含む。一つの好ましい態様に於いて、その物質はビスマ
ス及び必要によりアルカリ金属及び/またはアルカリ土
類金属またはその金属酸化物をも含む銀含有金属組成物
を含む。別の好ましい態様に於いて、第二表面は白金含
有金属組成物を含む導電被膜である。本発明の一つの態
様に於いて、芳香族化合物から混合物中の第二化合物で
置換された芳香族化合物への転化は電位をアノードとカ
ソードとの間に適用することにより改良される。一般
に、約4ボルトまでの電位が電極間に適用し得る。所望
の電位は図11中の66、67及び68により形成され
る外部回路中に設置されたバッテリー使用により適用し
得る。しかしながら、本発明者らはまた、高い転化率が
電解質の露出表面積に対して第一表面と第二表面との間
の小さい厚さ(即ち、単位面積当りの小さい容積)を有
する固体電解質(これは平均酸素イオンが単位面積当り
に電解質中を移動する必要がある距離を減少する)を選
択することにより得ることができることを見い出した。
この転化率を高める効果は外部直流電源の取り付けを必
要とせず、これを転化率を経済的に増大する好ましい方
法にする。本発明の方法に使用される電気化学セルは、
必要により第二通路中に触媒を含んでもよい。本発明者
らは、第二通路中の触媒の存在が本発明の方法に所望さ
れ生成物の選択率及び転化率を得ることを容易にし得る
ことを見い出した。触媒は電気化学セルの要素の第二表
面上に薄いフィルムとして存在してもよく、あるいは同
セルの第二通路中に充填された不連続の粒子または繊維
の形態で存在してもよい。触媒は外部回路セルまたは内
部短絡セルと組合せて使用されてもよい。この連続法
は、水素含有化合物と第二の水素含有化合物の混合物が
飽和炭化水素化合物に代えて使用される以外は、上記の
不飽和炭化水素の製造方法と同様にして実施され、触媒
は酸化カップリング触媒及び以下に更に説明される脱水
素触媒であってもよい。本発明の好ましい態様に於い
て、第二通路中の触媒は脱水素触媒または酸化カップリ
ング触媒であり、酸素消費ガス混合物は飽和炭化水素を
含むことが好ましい。本発明者らは、飽和炭化水素によ
る芳香族化合物の置換の選択率が一般にこのような触媒
の存在下で増加されることを見い出した。また、第二通
路中の脱水素触媒または酸化カップリング触媒の存在
は、反応混合物が第二の水素含有化合物として飽和炭化
水素のみを含む場合であっても、不飽和炭化水素により
置換された芳香族化合物の選択率を高めるのに使用し得
る。ベンゼンとエタンの混合物の転化方法は、脱水素触
媒または酸化カップリング触媒の存在により、エチルベ
ンゼンまたはビフェニルの製造とは反対にスチレンの製
造に対して一層選択的にし得る。脱水素触媒は、上記の
不飽和炭化水素化合物の製造方法に有効な触媒を含む。
或種の脱水素触媒が、反応帯域中でハロゲン含有添加剤
または硫黄含有添加剤の存在下で使用される場合に好ま
しく、これら添加剤は反応条件下で分解してハロゲンま
たは二酸化硫黄を生成する。このような触媒の例は、
鉄、コバルト、ニッケル、マンガン、バナジウム、モリ
ブデン、ビスマス、スズ、カドミウム及び銅の酸化物、
リン酸マグネシウム、等(これらの混合物を含む)を含
む触媒である。ハロゲン含有添加剤系が、例えば、米国
特許第3,207,807号、同第3,207,808
号、同第3,207,809号、同第3,207,81
0号、同第3,207,811号、同第3,210,4
36号及び同第3,211,800号;英国特許第98
8,619号;フランス特許第1,397,284号;
オランダ特許出願第6,500,024号;及びベルギ
ー特許第658,368号に記載されており、硫黄含有
添加剤系がベルギー特許第617,892号;英国特許
第998,784号及び同第984,901号;及びフ
ランス特許第1,407,830号に記載されており、
これらの特許の夫々が参考として本明細書に完全に含ま
れる。本発明に使用し得る酸化カップリング触媒は、反
応混合物中の炭化水素間の酸化カップリングに使用され
る触媒を含む。酸素消費ガスの第二の水素含有化合物と
してメタンを使用するために、メタンをカップリングし
てエタン及びエチレンを生成するのに有効な酸化カップ
リング触媒が使用でき、酸化カップリング触媒は水素含
有芳香族化合物と第二の水素含有化合物との反応を促進
するのに使用し得る。酸化カップリング触媒の例は、
鉛、ビスマス、スズ、アンチモン、テルル、カドミウ
ム、ガリウム、ゲルマニウム、インジウム、亜鉛、カル
シウム、の酸化物並びにリマリウム、ホルミウム、ガド
リニウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、イ
ットリウム、ランタン、ネオジム、ユウロピウム、ジス
プロシウム、ルテチウム、プラセオジム及びテルビウム
の如き希土類金属を含む。また、種々のドーピングされ
た酸化マグネシウムが酸化カップリング触媒として有効
である。ナトリウム、カリウム、またはセシウムでドー
ピングされた酸化マグネシウムの如きアルカリ金属でド
ーピングされた酸化マグネシウムが有効な酸化カップリ
ング触媒である。これらの触媒は担持触媒であることが
好ましい。担体物質は本発明の方法を妨害しないあらゆ
る物質である。担体物質の例は、石英ウール、シリカ、
アルミナ、チタニア、及びジルコニアを含み、石英ウー
ルが好ましい。石英ウールは容易に充填でき、セルの通
路を充填するのに使用される力によりひき起こされるセ
ルの損傷の可能性を減少する。本発明の方法は一般に少
なくとも約300℃の温度、好ましくは少なくとも約5
00℃の温度で行なわれる。温度は約1100℃以下で
あることが好ましく、約950℃以下であることが更に
好ましい。特別な電気化学セル/供給ガス組成物系に関
する温度は、最適の転化率温度に関して種々の温度で転
化率を調べることにより当業者により容易に最適にし得
る。操作温度の上限は、かなりの量の所望の生成物また
は反応体が望ましくないフラグメントまたは副生物に分
解する温度より一般にわずかに低い。第一表面即ちカソ
ードと接触して通される酸素含有ガスは、空気、純粋な
酸素または少なくとも1%の酸素を含むあらゆるその他
のガスであってもよい。別の態様に於いて、酸素含有ガ
スは二酸素を含まないが、むしろNO、CO、SO
、NO、NO、等の如きその他の形態の酸素を含
む。酸化ガスは空気の如き二酸素含有ガスである。水素
含有芳香族化合物は、置換基として水素を有するあらゆ
る芳香族環含有化合物であってもよく、置換もしくは未
置換の単環式もしくは多環式の芳香族化合物を含む。一
つ以上の芳香族環は、芳香族化合物が主として芳香族炭
化水素の特徴を保持する限り、置換基または環構成員と
して一つ以上のヘテロ原子またはヘテロ原子含有基を含
んでもよい。典型的なヘテロ原子は、窒素、酸素及び硫
黄を含む。水素含有芳香族化合物は、一般に電気化学セ
ルの操作温度で気体でしかもかなり安定である(即ち、
分解に対して抵抗性である)水素含有芳香族化合物から
選ばれる。このような芳香族化合物の例は、チオフェ
ン、チアゾール、ピラゾール、ベンゼン、トルエン、エ
チルベンゼン、キシレン、フェノール、ベンジルアルコ
ール、ベンズアルデヒド、アセトフェノン、ピリジン、
安息香酸、フェニルベンゼン、インデン、インドール、
ベンゾチオフェン、ベンゾチアゾール、ナフタレ キノ
リン、シノリン、アントラセン、アントラキノン、フェ
ナントレン、ピ、カルバゾール、等を含む。これらの中
から、6員の芳香族環を有する単環式芳香族化合物が好
ましく、ベンゼンが操作温度に於けるその安定性のため
及び経済上の理由のため最も好ましい。第二の水素含有
化合物は、電気化学セルの第二通路に導入された芳香族
化合物と酸化カップリングし得る広範囲の水素含有化合
物から選ばれてもよい。これらの化合物は、置換もしく
は未置換の飽和もしくは不飽和の脂肪族炭化水素の如き
飽和もしくは不飽和の置換もしくは未置換の炭化水素化
合物、及び水素含有無機化合物、例えば、メタン、置換
メタン、シアン化水素、アンモニア、ハロゲン化水素
(例えば、塩化水素及びヨウ化水素)、等またはこれら
の混合物を含む。置換メタンは、ハロゲン置換メタン、
メタノール、メチルアミン、シアン化メチル、メチルイ
ソシアネート、等を含む。当業者は本発明の精神及び範
囲に従って芳香族化合物の置換基として好適な付加的な
水素含有化合物を容易に同定し得る。第二の水素含有化
合物から誘導される置換基は単に少なくとも一つの水素
原子の少ない第二化合物である。上記の例から、本発明
の方法により製造される置換芳香族化合物の置換基の例
として、ヒドロカルビル、シアノ、アミノ、ハロ 等が
挙げられる。第二化合物が芳香族化合物にカップリング
される部位から1個より多くの水素原子が除去される場
合には、第二化合物の不飽和の如き可能性が更に存在
し、その結果、第二化合物が炭化水素であるならば、例
えば、既に何も存在しなかった場所ではそれは二重結合
を形成し得る。これは、例えば電気化学セルの第二通路
に入る混合物がベンゼン及びエタンである場合に起こ
る。エチルベンゼンが生成し得るだけでなく、スチレン
(即ち、ビニルベンゼン)も生成される。スチレンはポ
リスチレン及びそのモノマー単位の一つとしてスチレン
を有する多くのコポリマーの商業上の製造の出発原料と
して公知である。好ましい第二の水素含有化合物は置換
もしくは未置換のメタン及び置換もしくは未置換の、分
枝鎖もしくは直鎖の、飽和もしくは不飽和の脂肪族炭化
水素、特に2〜約5個の炭素原子を有するこれら炭化水
素、例えばメタン、メタクリル酸メチル、エタン、エチ
レン、プロパン、プロピレン、ブタン、ブチレン、ペン
タン、2−チルブタン、等である。これらの脂肪族炭化
水素の中で特に好ましいものは、 タン、エチレン、プ
ロパン、プロピレン、ブタン、イソブタン、1−ブチ
ル、 ブタジエン、等の如き2〜4個の炭素原子を有す
るものである。何となれば、 れらは比較的安定であ
り、しかも多くのその他の炭化水素よりも幾分容易に脱
水素し得るからである。本発明の方法は、一般に約0.
1〜約100気圧、更に好ましくは約0.5〜約10気
圧、更に好ましくは約1.0気圧の圧力で行なわれる。
セル中の反応混合物の流量は、所望の置換芳香族化合物
を生成するために反応混合物によるアノードとの充分な
接触がある限り、所望により変化し得る。0.1〜約1
00秒の接触時間が使用でき、1〜20秒の接触時間が
一般に充分である。 (4)酸素含有ガスから酸素の抽出 本発明による酸素含有ガスから酸素を抽出する電気化学
方法は本発明の電気化学セルを用いて行なわれる。その
方法は一般に約300℃〜約1400℃の範囲内の温度
で行なわれる。一つの態様に於いて、その方法は約50
0℃〜約1400℃の範囲で行ない得る。好ましい態様
に於いて、その方法は少なくとも約400℃、好ましく
は約1000℃以下、更に好ましくは約900℃以下の
温度で行なわれる。電気化学セルは所望の温度に加熱で
き、温度は熱煙道ガス、外部加熱を利用し、且つ/また
は反応の発熱を利用することにより反応中に維持するこ
とができる。本発明の方法に従って処理される酸素含有
ガスは、遊離酸素を含み、且つ/またはNO、NO、
NO、SO、SO、HO(g)(即ち、スチー
ム)、または煙道ガスのような酸素含有ガスの混合物、
等の如きその他の形態の酸素を含むあらゆるガスであっ
てもよい。反応体ガスは酸素または酸素イオンと反応し
得るあらゆるガスを含み、気相中にあり、且つ処理条件
下で酸素または酸素イオンと反応し得る一種以上の炭化
水素、例えばメタン、天然ガス、エタン、エテン、アセ
チレン、プロパン、プロペン、プロピン、ブタン、ブテ
ン、ブチン、イソブタン、イソブテン、等の如き飽和及
び不飽和低級脂肪族炭化水素、シクロプロパン、シクロ
ブタン、シクロブテン、等の如き飽和及び不飽和低級環
状炭化水素、ベンゼン、ナフタレン、等の如き芳香族炭
化水素、及びこれらの混合物;天然ガス;水素;一酸化
炭素;硫化水素;メタノール;アンモニア;等及びこれ
らの混合物を含む。本発明の反応条件下で酸素または酸
素イオンと反応し得る一種以上のガスの選択は当業者の
権限内にある。この方法に使用するのに好ましい反応体
ガスまたはガス混合物は、単位容積当りで安価であり、
工業プロセスの副生物であり、且つ/またはそれらが酸
素または酸素イオンと反応する時に有用な生成物を生成
するものである。反応体ガスとして使用するのに特に好
ましいガスは天然ガスである。本発明のこの方法の一つ
の態様に於いて、少なくとも一つの電気化学セルが煙道
ガス放出物または廃ガス放出物を浄化、精製または循環
するために煙道ガスまたは廃ガスの通路中に設けられ
る。この方法に於ける電気化学セルは、煙道ガスまたは
廃ガスを含む帯域から煙道ガス帯域を分離する。第一表
面、即ちカソードと接触して通される硫黄及び/または
窒素の酸化物を含むガスは、約0.001モル%程度の
小量から100モル%までの量のSO
、 、NO2、NO、NO、等を含み得る。
処理されるガス流中の硫黄及び/または窒素の量は約
0.005〜約5モル%の範囲であることが好ましく、
約0.1〜約1モル%の範囲にあることが更に好まし
い。何となれば典型的な煙道流及び排出流はこの更に好
ましい操作範囲で硫黄及び/または窒素の酸化物を含む
からである。実際には、硫黄及び/または窒素の一種以
上の酸化物を含むガス混合物が要素の第一表面(カソー
ド)と接触して通され、還元ガスが要素の第二表面(ア
ノード)と接触して通される。汚染物質含有ガスが第一
表面と接触する際に、酸素が酸素イオンに還元され、こ
れらイオンが要素中をアノード側へと輸送される。アノ
ード側(第二表面)で、酸素イオンが還元ガスと反応
し、電子が放出される。電子はカソード側に戻る。一つ
の態様に於いて、本発明の方法は図9及び図10に示さ
れるような装置を用いて還元ガスを内部開放空間54中
に通し、硫黄及び/または窒素の酸化物を含むガス流を
外部開放空間55中に通すことにより行なわれる。外側
の導電被膜53と接触する硫黄及び窒素の酸化物が還元
され、酸素イオンを放出し、これらイオンがコアー51
中を通って内側の導電被膜52へと移行する。内側の被
膜52の表面で、酸素イオンが内側の導電被膜52と接
触する還元ガスと反応する。この反応中に、酸素イオン
は二つの電子を失ない、これら電子がコアー51及び必
要によりリード線56及び57により形成された回路及
び電流計/バーテリー58を通って内側の被膜52から
外部表面被膜53へと移動する。更に別の態様に於い
て、アノードとカソードが逆にされる。即ち、内側の導
電被膜52がカソードであり、外部導電被膜53がアノ
ードである。この態様に於いて、煙道ガスが外部開放空
間55中に通され、硫黄及び/または窒素の酸化物を含
むガス流が内部開放空間、即ち中央開放空間54中に通
される。それ以外の点では、この態様の方法は上記の態
様と同じである。本発明の最後の二つの態様に於いて、
ガス浄化の速度はアソードとカソードの間に電位を適用
することにより改良される。一般に、約4ボルトまでの
電位が電極間に適用し得る。所望の電位は図10中の5
6、57及び58により形成された外部回路中に設置さ
れたバーテリーの使用により適用し得る。しかしなが
ら、本発明者らはまた、高速のガス浄化が電解質の露出
表面積に対して第一表面と第二表面との間の小さい厚さ
(即ち、単位面積当りの小さい電解質容積)を有する固
体膜または電解質(これは平均酸素イオンが単位面積当
りに電解質中を移動する必要がある距離を減少する)を
選ぶことにより得ることができるこを見い出した。1m
mの壁に厚さのためこのような増大された効率効果を有
する薄壁の高密度のイットリアで安定化されたジルコニ
ア管が、例えば、オハイオ州ソロンにあるジルコア・プ
ロダクツ(Zircoa Products)から入手
し得る。この効率を高める効果は外部の直流電源の取り
付けを必要とせず、これをその方法を経済的に行なうの
に好ましい方法にする。本発明の電気触媒セル固体電解
質に使用される薄い気密の耐火性酸化物層を加工する一
つの方法は、A.O.アイゼンベルグ(Isenber
g)、PROCEEDINGS OF THE ELE
KTROCHEMICAL SOCIETY、77巻、
6号、572〜583頁(1977年)に於いてウエス
チングハウス・エレクトリック・コーポレーション(W
estinghouse Electric Corp
oration)により開示された電気化学蒸着法の如
き“蒸着法”である。その文献は参考として本明細書に
含まれる。カソード上で導電性金属、金属酸化物または
これらの混合物として存在し得る金属及び金属酸化物の
中で、銀、白金及び金が一般に好ましい。硫黄及び/ま
たは窒素の酸化物に加えて、精製されるガス流はまた窒
素ガス、酸素ガス、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、
スチーム、一酸化炭素、未燃焼燃料、等の如きその他の
成分を含んでもよい。酸素ガス及び二酸化炭素の如き酸
素含有ガスの存在は、例えば、硫黄及び/または窒素の
酸化物を転化するのに使用される燃料ガスの幾つかをむ
だにすることがある。しかしながら、本発明者らは、本
発明がこのようなガス流と共に使用される場合に特に経
済的であることを見い出した。何となれば、利用される
付加的は燃料ガスは殆んどの領域に於いて1キロワット
時の電力に対する燃料ガスの一般のコストのもとに米国
特許第4,659,448号に開示された電解法の如き
電解法に使用される電力よりもはるかに安価であるから
である。本発明の方法に使用される電気化学セルは、必
要により第一導電性表面に隣接し、またはその上に被覆
された触媒を含んでもよい。本発明者らは、触媒の存在
が硫黄及び窒素の酸化物の還元を促進し、且つ/または
電気化学セルの第一導電性表面(即ち、カソード)で硫
化カルボニルの分解を促進することを見い出した。触媒
は電気化学セルの固体電解質の第一導電性表面上にフィ
ルムとして存在してもよく、また第一導電被膜中に分散
または混合されてもよく(例えば、電子伝導性被膜をド
ーピングすることにより)、あるいはセルの第一導電性
表面(カソード)に隣接して充填された不連続の粒子ま
たは繊維の形態で存在してもよい。実際に、本発明の方
法は図9及び図10の電気化学セルを使用する方法と同
様にして図12及び図13に示されるような電気化学セ
ルを用いて行なわれる。第一通路に好ましい触媒は、ラ
ンタンの酸化物、ユウロピウム(Eu)でドーピングさ
れたランタンの酸化物、ランタン、ストロンチウム及び
コバルトの混合物の酸化物、亜鉛及び鉄の混合物の酸化
物、モリブデンの酸化物及びタングステンの酸化物を含
む。硫黄の酸化物を還元するための触媒の特別な例は、
La、LaSrCoO(ペロブスカイ
ト)、ZnFe、ZnMoO、FeWO、等
を含む。これらの触媒物質は本発明の方法中にここに記
載された分子式及び/または構造を保持してもよく、ま
た保持しなくてもよい。何となれば、硫黄原子は触媒例
中の或種の元素に対して高度に反応性でありそれらと結
合し得るからである。例えば、ランタン酸化物はランタ
ンオキシスルフィド、上記のランタン−ストロンチウム
−コバルトペロブスカイトの如きペロブスカイトを生成
する傾向があり、例えば硫黄の酸化物と接触する時にし
ばしばそれらのペロブスカイト構造を失なう。これらの
触媒の製法及び使用法は当業界で公知である。これらの
触媒を記載する文献の例は、バグリオ(Baglio)
著、“SOによるCO及びCOSの酸化のための触媒
としてのランタンオキシスルフィド”Ind.Eng.
Chem.Prod.Res.Dez(1982年)2
1巻、38〜41頁及びヒベート(Hibbert)ら
著“煙道ガスの脱流:硫化されたLa1−xSrxCo
上の一酸化炭素による二酸化硫黄の接触除去”パー
トII、AppliedCatalysis(1988
年)41巻、289〜299頁を含み、これらの文献は
夫々それらの開示の関連部分に関して参考として本明細
書に完全に含まれる。本発明のこの方法は、少なくとも
約300℃の温度、好ましくは少なくとも約400℃の
温度で一般に行なわれる。処理温度は約1000℃以下
であることが好ましく、約900℃以下であることが更
に好ましい。特別な電気化学セル/供給ガス組成物系に
関する温度は、最適の転化率温度に関して種々の温度で
転化率を調べることにより当業者により容易に最適にし
得る。操作温度の上限は、一般に電気化学セル成分が望
ましくない物質に分解する温度よりわずかに低い。電気
化学セルを加熱する工程は、炭化水素の燃焼により発生
されるような煙道ガスまたは廃ガス中に通常存在する熱
により部分的に、もしくは完全に与えられてもよく、あ
るいは外部の源により加熱されてもよい。低温のガスま
たはガス混合物を反応体ガス帯域及び/または煙道ガス
または廃ガスを含む帯域中に注入することによる冷却、
対流冷却、液体冷却、等を含む温度調節法が必要により
使用されて電気化学方法中の加熱を防止することがで
き、当業界で公知の種々の手段により行ない得る。この
ような手段は、本発明の範囲内にあると考えられる。一
般に、本発明の方法は、約0.1〜約100気圧、更に
好ましくは約0.5〜約10気圧、更に好ましくは約
1.0気圧の圧力で行なわれる。セル中の硫黄及び/ま
たは窒素の酸化物を含むガス流の流量は、硫黄及び窒素
の酸化物の排出物の所望の減少を得るのに充分なカソー
ドとガス流との接触がある限り、所望により変化し得
る。0.1〜約100秒の接触時間が使用し得るが、一
般には1〜20秒の接触時間が充分である。また、還元
ガスの流量は、硫黄及び窒素の酸化物の排出物の所望の
減少を得るのに充分なアノードと還元ガスとの接触があ
る限り、所望により変化し得る。以下の例に於いて、酸
素消費ガスが図1に示されたリアクターと同様の実験室
用リアクター中で処理される。
【実施例】
多成分膜製造実施例 実施例A−1ないしA−14に用いられた多成分膜は次
の様にして製造された。 実施例A 以下のA−1およびA−2において用いられた二重導体
膜は、電子的に伝導な相としてのパラジウム金属とイオ
ン的に伝導な相としての酸化イットリウムで安定化され
たジルコニア(以下“YSZ”という)とを含有するデ
ィスクを製造するこによって組み立てられた。各々50
%の酸化パラジウムと酸化イットリウム(8mol.
%)で安定化されたジルコニアとの粉末混合物を最初に
得た。次いで、この混合物を水素と窒素との混合物雰囲
気中において、400℃で15分間加熱して酸化パラジ
ウムを、パラジウム金属に還元した。この混合物4.0
グラムに、クロロホルムに溶解した0.4グラムのCa
rbowax 20MTM(Supelco社より得ら
れる)を添加し、得られた混合物を85℃において乾燥
した。かくして得られたPd/酸化イットリウムで安定
化されたジルコニア/Carbowax 20MTM
末を60,000psi適用圧力を用いてディスクに圧
入させた。次にこのディスクを、空気中において、15
00℃で30分間焼成した。かくして得られたディスク
は、密度が高くガスがもれない。このディスクは直径1
インチで厚さ0.03インチ(0.76mm)である。 実施例B 以下のA−3に用いられた二重導体膜は、電子的に伝導
な相としてのパラジウム金属と、イオン的に伝導な相と
してのYSZとを含有するディスクを製造することによ
る組み立てられた。Engelhard Platin
um Ink 9.52グラム(Engelhahar
d Corpratin社製製品、カタログNO.69
26)を、3ccのアルファーテルピノールで希釈し、
次いで2.00グラムの酸化イットリウム(8mol.
%)で安定化されたジルコニアを、この希釈されたイン
クに混合した。この混合物を蒸発乾固し、該テルピノー
ルを炉中にて100℃で焼き尽くした。この乾焼塊団を
粉砕し、8.49グラムのこの乾燥、粉砕化した粉末
を、20ccのクロロホルムに溶解したCarbowa
x 20TM0.94グラムに添加した。このクロロホ
ルムを蒸発除去し、得られた粉末を炉中にて、85℃で
約30分間乾燥し、該粉末を軽く再粉砕化して、120
メッシュのふるいにかけた。次いで、5.00グラムの
ふるいにかけられたPt/酸化イットリウムで安定化さ
れたジルコニア/Cabowax20TM粉末を、6
0,000psi適用圧力を用いて、直径1−3/8イ
ンチ(3.50cm)を有するディスク中に圧入した。
次いで、該ディスクを、1−1/2℃/分の割合で、1
650℃まで加熱し、空気中で1650℃にて2時間焼
成して、4℃/分の割合で冷却した。得られたディスク
は、密度が高くガスもれはなかった。 実施例C 以下の実施例A−4に用いられた二重導体膜は、電子的
に伝導な相としての酸化ランタン、クロムおよびマグネ
シウムならびにイオン的に伝導な相としてのYSZとの
組合せを含有するディスクを製造することにより組み立
てられた。0.25グラムのMgO、5.52グラムの
CrOおよび10.00グラムのLaの粉末混
合物を、最初に製造した。次に、この粉末を100℃に
て乾燥し、再粉砕した。次いで、5.0グラムの得られ
たLa(Cr)粉末を0.5グラムのB
含む熱水溶液に添加して、得られた溶液を、次いで乾燥
し、微粉末に粉砕した。次いで4.5ccのB−MgL
aCr粉末と、4.5ccの酸化イットリウム(8mo
l.%)で安定化されたジルコニアとを混合させ、次い
で10重量パーセントのCarbowax 20
TM(クロロホルムに溶解)と混ぜた。次に得られた混
合物を乾燥し、再粉砕して粉末混合物を得た。4.0グ
ラムのこの粉末混合物を、60,000psi適用圧力
を用いてディスク中に圧入した。このディスクを1℃/
分から2℃/分の割合で1400℃まで加熱し、空気中
にて1400℃で全体で45分間焼成して、3.9℃/
分の割合で冷却した。かくして得られたディスクは密度
が高くガスもれはなかった。 実施例D 以下のA−5において用いられている二重導体膜は、電
子的に伝導な相としてのBMgLaCrOxおよびイオ
ン的に伝導な相としてのYSZを含むディスクを、上記
実施例Cに従って製造し、焼成後に、その一方の側面
(アノード側)上に、プラセオジム、イットリウムおよ
びジルコニウムが含浸されているディスクによって組立
てられている。このBMgLaCrOx/YSZディス
クは、水cc当り0.218グラムのPr(NO
5HOおよび0.212グラムのZr(NO
Oおよび0.0115グラムのY(NO6H
Oを含有する0.1ccの水溶液を適用することによ
って、該ディスクの一つの表面に含浸された。次いで、
このディスクを乾燥し、空気中で、1100℃まで加熱
した。 実施例E 以下の実施例A−6およびB−3において用いた二重導
体膜は、電子的に伝導な相としてのプラセオジムが添加
されている酸化インジウムおよびイオン的に伝導な相と
してのYSZを含有するディスクを製造することにより
組み立てられた。31.22グラムのIn粉末、
4.26グラムのPr11粉末、29.70グラム
の酸化イットリウム(8mol.%)で安定化されたジ
ルコニア粉末、100ccの蒸留HO、4滴のPar
van C(Norwalk,Connecticut
のR.T.Vanderbilt and Compa
ny,Inc.から商業的に入手し得る分散剤)、およ
びジルコニア粉砕媒体の粉末混合物を、17時間、ボー
ルミル中において粉砕した。次にこの混合物を200℃
で乾燥して、10重量パーセントのクロロホルムに溶解
したCarbowax 20Mを混合し、全体の混合物
を再び100℃で乾燥してクロロホルムを除去した。次
いでこの粉末混合物を再度粉砕し、4.0グラムの該混
合物を、60,000psi適用圧力を用いてディスク
中に圧入した。次にこのディスクを、0.5℃/分から
1℃/分の割合で1550℃まで加熱し、空気中155
0℃で3時間焼成し、1℃/分の割合で冷却した。かく
して得られたディスクは密度が高く、ガスもれはなくま
た3.12cmの最終直径を有していた。
【図4】上記実施例Eによって製造された二重導体膜の
表面の、500倍率の電子顕微鏡後方散乱像が図4に示
されている。該膜の二つの相に対応する二つの領域が該
像にくっきりと明白にでている。平らでなめらかな領域
は、X線吸着地図作成によって確認された、酸化物イオ
ン伝導相、主として酸化イットリウムで安定化されたジ
ルコニアからなる。顕微鏡写真の中央における頂部近く
から底部にひろがっている薄く少さな粒状化リボンは、
主として酸化インジウムからなる電子的に伝導な相であ
る。
【図5】実施例Eと同一の膜の、5,000倍の倍率の
断面の第2の電子顕微鏡写真が図5に示されている。小
さな白色の粒子は、電子的に伝道するインジウム含有相
であり、灰色領域は、イオン的に伝導する相、主として
酸化イットリウムで安定化されたジルコニアである。極
めて暗い領域は、サンプル調製中、断面に生じた小さな
空隙に基くものである。以下の実施例は、灰チタン石構
造の混合金属酸化物からなる膜をどの様に製造するかを
説明するものである。 実施例F 固体膜を、式LaSrCoOxのABOタイプの
物質に基いて製造した。7.5グラムのLa、1
8.4グラムのCoおよび19.08グラムのS
rOの粉末混合物をジルコニア粉砕媒体を用いて、約2
4時間エチルアルコール中においてボールミルで粉砕し
た。得られたスラリーを90℃で蒸発乾固し、乾燥粉末
に粉砕した。この粉末を10重量パーセントの、クロロ
ホルムに溶解したCarbowax 20MTMと混合
した。かくして得られた混合物を室温で乾燥し、粉末混
合物に再粉砕化して、80メッシュのふるいにかけた。
4グラムの粉末を60,000psi適用圧力を用いて
所望の形態中に圧入した。次に、該形態混合物を、約6
00℃までゆっくり加熱してCarbowaxTM結合
剤を焼き尽し約0.6℃/分の割合で1200℃まで加
熱し、約5時間1200℃に維持し、約0.9℃/分の
割合で約105℃まで冷却した。得られた膜は、密度が
高く、ガスもれはなかった。 実施例G 等モル量のCaOをSrOに代えて用いたほかは、実施
例下の方法に従って膜を調製して、式LaCaCo
Oxを有する組成物を得た。以下の実施例H−Lは、上
記の硝酸塩および/またはアセテート塩の熱分解法に従
った固体膜の製造を説明するものである。 実施例H 約20.0グラムの酢酸ランタン、約49.35グラム
の硝酸ストロンチウム、および約72.61グラムの酢
酸コバルトを水に溶解した。該溶液を撹拌しながら熱プ
レート上でほぼ蒸発乾固した。次に濃縮混合物を空気中
1時間450℃で加熱した。得られた粉末をアセトン中
で粉砕し、次いで空気中、1150℃で5時間▲か▼焼
した。かくして得られた粉末を、ジルコニア粉砕媒体を
用いて20時間3滴のDarvanCTM分散剤を含有
するアセトン中でボールミルを用い粉砕した。該粉末懸
濁液を200℃で乾燥し、クロロホルム中に溶解した1
0重量パーセントのCarbowax 20MTMを混
合して、次いで混合物全体を撹拌しながら熱プレート上
でゆっくり乾燥し、次いで炉中で90℃に更に乾燥し
た。かくして得られた粉末を、乳鉢と乳棒で粉砕し、8
0メッシュのふるいに適した。4グラムの得られた粉末
を、60,000psi適用圧力を用いて所望の形態に
圧縮した。次に該形態混合物をゆっくり600℃まで加
熱し、CarbowaxTM結合剤を焼き尽し、次いで
約0.6℃/分の速度で1200℃まで加熱して、約5
時間1200℃に維持して、冷却させた。かくして得た
LaSrCoOx ABOタイプの多成分膜は密
度が高く、ガスもれはなかった。 実施例J 酢酸鉄を酢酸コバルとに代えて、等モル量の金属イオン
を用いたほかは、実施例Hの方法に従って固体膜を調製
した。該製品を示す式は、LaSrFeOxと表わ
すことができる。 実施例K 酢酸鉄および酢酸クロムを酢酸コバルトに代え、鉄のク
ロムに対するモル比が4:1であり、鉄およびクロムの
合計モル含量がコバルトのモル数と等しい様な量におい
て用いたほかは、実施例Hの方法に従って固体膜を製造
した。得られた製品は、式LaSrFeCr
xによって表わすことができる。 実施例L 酢酸カドリニウムを等モル量の金属イオンの酢酸ランタ
ンに代えて用いたほかは、実施例Hの方法に従って固体
膜を製造した。得られた製品は式GdSrCoOx
によって表わすことができる。上記クエン酸製造法によ
る固体膜の製造が以下の実施例Mに示されている。 実施例M LaSrFeCrCoOx ABOタイプ
の多成分膜を、硝酸塩または酢酸塩からクエン酸溶液中
でそれらを混合することによって製造した。約30.0
グラムの硝酸ランタン、60.96グラムの硝酸ストロ
ンチウム、117.85グラムの硝酸鉄、14.59グ
ラムの硝酸クロム、10.61グラムの硝酸コバルトお
よび138.71グラムのクエン酸を水に溶解した。こ
の溶液を丸口ガラスフラスコに入れ、該混合物が濃厚に
なるまで80℃にて減圧下、回転蒸発器上で混合した。
該液体を蒸発皿中に注ぎ、減圧炉中で、部分減圧下、1
10℃で20時間乾燥した。この粉末を粉砕し、次いで
空気中200℃で1時間▲か▼焼し、続いて900℃で
24時間▲か▼焼した。この粉末をプラステック製ジャ
ーに入れ、3滴のDarvan CTM分散剤を含有す
るアセトン中、ジルコニア粉砕媒体と共に24時間ボー
ルミルで粉砕した。該粉末懸濁液を90℃で乾燥し、ク
ロロホルム中の5重量パーセントのCarbowax
20MTMを添加して、次いで混合物全体を、撹拌しな
がら熱プレート上でゆっくり乾燥し、続いてさらに炉中
にて90℃で乾燥した。得られた粉末を乳鉢と乳棒で粉
砕して60メッシュのふるいに通した。4グラムの得ら
れた粉末を、37,500psi適用圧力を用いて所望
の形態に圧縮した。この形態混合物を、ゆっくり600
℃まで加熱し、CarbowaxTM結合剤を焼き尽し
て、次いで、約0.6℃/分の速度で1200℃まで加
熱し、約5時間1200℃に維持して、次いで冷却させ
た。得られた膜は、密度が高く、ガスもれがなかった。 実施例N 実施例Mの方法に従って、上記ABOタイプの式にお
いて関連するモル量を達成するに必要な量において、こ
の膜の金属類の硝酸塩(または各々の酢酸塩)を代える
ことによって、LaSrFeMnOx ABO
タイプの多成分膜を製造した。 酸素流量結果 上記実施例A−Nの各々の二重導体ディスクを、2種の
1インチ直径のYSZまたはムル石チューブ間に接着し
た。この組立体の一方は、酸素消費ガスを導入するため
の石英張りステンレス鋼またはムル石供給チューブと適
合し、この組立体の他方は、酸素含有ガスを導入するた
めのステンレス鋼、ムル石、またはシルコンカーバイド
供給チューブと適合した。以下の各々の実施例におい
て、該組立体を1100℃まで加熱することのできる分
割炉に入れた。実施例A−7からA−14において試験
された混合金属酸化物からなるディスクを通しての酸素
流量の比率は、該ディスクの燃料側に対し60cc/分
の標準燃料混合物を供給し、該ディスクの反対側に対し
200cc/分の空気を供給し、該ディスクの燃料側に
存在するガス組成を、ガスクロマトグラフによりC
、CO、およびNの容量パーセントを求めるため
分析し、該ディスクの燃料側に存在するガスから乾燥氷
/アセトントラップにより水を集めることによって廃液
中の水の容量パーセントを測定することによって測定さ
れる。以下の式は、全酸素流量および表面積単位当りの
酸素流量がいかに計算できるかについての概要を示して
いる。 全O流量=(廃液中のO)+(HOとしての廃液
中のO)−(供給中のO)−(O漏出) 廃液中の酸素=(流速出)×((%CO)+0.5×
(%CO))/100 HOとしての廃液中のO=(集められたHOのグ
ラム/時間)×(1モルHO/18gHO)×(1
モルO/2モルHO)×(24,200cc/O
モル)×(1hr/60min) 供給中におけるO=(流速入)×(供給中の%C
)/100 廃液中のO漏出(%Nに基く)=(流速出)×(2
1%O/79%N)×(%N)/100 単位表面積当りのO流量=全O流量/燃料“混合”
に露出する膜の表面積特記しない限り、全ての部、パー
セント、比率などは、標準温度および圧力(STP,2
5℃および1気圧)における容量によって示されてい
る。温度または圧力が示されていないときは、その温度
は室温(約25℃)でありその圧力は、約1気圧であ
る。 実施例A−1 実施例AのPd/YSZ二重導体膜を含む反応器組立体
を、1100℃まで加熱し、その間、酸素消費ガスが供
給される側に対し、窒素を約60cc/分の速度で供給
し、かつ酸素含有ガスが供給される二重導体膜の反対側
に対し、空気を、200cc/分の速度で供給した。次
に、窒素流を90部の水素および10部のアルゴンを含
むガスで置きかえ、STPにおいて61.0cc/分の
水素ガスが供給できる速度で供給された。廃液ガスを乾
燥氷/アセトンの冷却トラップ(−78℃)を通して通
過させ、得られた水を集め、次いで、ガスクロマトグラ
フィ分析のためガス捕集器を通して通過させた。この水
素−アルゴンガス混合物を3時間反応器に供給し、1.
23グラムの水をその反応時間中に集めた。ガスクロマ
トグラフィ分析は、窒素がないことを示し、反応器中に
空気の漏出がなく、全ての酸素が該二重導体ディスクを
通して移送されていることを示している。水素に対して
露出されているディスクの表面積は、2.2cmであ
り、ディスクを通して移送される酸素の量は、550m
A/cmの電流密度に等しい。 実施例A−2 この実施例における反応方法は、水素−アルゴンガス混
合物を、17部のメタンおよび83部の窒素を含有する
ガス混合物に代えたほかは、前記実施例A−1と同様の
方法において行なった。通気ガスのガスクロマトグラフ
ィ分析は、94%収量の一酸化炭素が水素と、1:2モ
ル比において混合されていることを示した。ディスクを
通して移送された酸素の量は、531mA/cmの電
流密度と等しい。上記結果は、炭化水素混合物の合成ガ
スへのほぼ定量転化が、電子の流れの外部回路なしに得
られ得るということを示している。 実施例A−3 この実施例における反応方法は、二重導体膜を実施例B
によって製造された、Pf/YSZ膜に置きかえ、水素
−アルゴンガス混合物を61.6cc/分の水素ガスが
STPにおいて供給できる速度で供給し、水素−アルゴ
ンガス混合物を、2時間30分反応器に供給したほか
は、前記実施例A−1と同一の方法において行なわれ
た。反応器においては0.38グラムの水を生じた。水
素に対し露出しているディスクの表面積は1.0cm
であり、ディスクを通して移送した酸素の量は463m
A/cmの電流密度と等しい。 実施例A−4 この実施例における反応方法は、二重導体膜を実施例C
に従って製造された、BMgLaCrOx/YSZ膜に
置き替え、水素−アルゴンガス混合物を1時間を要して
反応器に供給し、0.107グラムの水をその反応期間
中に集めたほかは、前記実施例A−1と同一の方法にお
いて行なわれた。水素に対して露出しているディスクの
表面積は、2.8cmであり、ディスクを通して移送
される酸素の量は、114mA/cmの最大電流密度
に等しい。 実施例A−5 この実施例における反応方法は、(a)二重導体膜を、
プラセオジウム、イットリウムおよびジルコニウムに含
浸されているその側面が水素−アルゴンガス混合物と接
するように配置されている、上記実施例Dによって製造
されたPrYZr−BMgLaCrOx/YSZに置き
換え、(b)水素−アルゴンガス混合物を、反応器へ1
時間30分(Run A)および2時間(Run B)
供給し、(c)0.16グラムおよび0.22グラムの
水を、各々RunAおよびBの間集めたほかは、前記実
施例A−1と同一の方法において行なわれた。水素に対
して露出しているディスクの表面積は、2.8cm
あり、その結果、該ディスクを通して移送される酸素の
量は、RunAにおいては、114mA/cmおよび
RunBにおいては117mA/cmの電流密度と等
しかった。 実施例A−6 この実施例における反応方法は、二重導体膜を実施例E
に従って製造した、PrIrOx/YSZ膜に置き替
え、水素−アルゴンガス混合物を2時間反応器へ供給
し、0.90グラムの水をその反応期間中集めたほか
は、前記実施例A−1と同一の方法において行なわれ
た。ガスクロマトグラフィ分析は、窒素がないことを示
し、反応器中に空気漏出はなく、全ての酸素が二重導体
ディスクを通して移送されていることを示した。水素に
対し露出しているディスクの表面積は、2.2cm
あり、該ディスクを通して移送された酸素の量は、60
1mA/cmの電流密度に等しい。 実施例A−7 実施例Fの灰チタン石ディスクを、炉中の330ステン
レス鋼支持板上に置いた。コーニングすりガラス(#1
724)を水と混合してペーストを作った。次に薄い層
のペーストを、ディスクの縁に被覆し、次いでジルコニ
アまたはムル石チューブを該ディスク上に置き、該湿油
ペーストでシールを形成するようにした。次に、このチ
ューブとディスクとを炉の中で加熱した。925℃でこ
のすりガラスを溶かし、ディスクとチューブとの間を漏
がない様にシールを形成させた。この反応器を次いで所
望の温度まで加熱し、その間窒素をディスクのシールさ
れた側(チューブ側)に供給し、空気を反対側に供給し
た。一度該ディスクが所望の温度になると、窒素供給を
酸素流量を測定するため燃料に置きかえた。測定条件
は、1100℃、60cc/分で燃料を該ディスクのシ
ールされた側に供給、200cc/分の空気を該ディス
クの反対側に供給することにあった。このディスクを、
57%H、21.5%CO、16.5%CH
5.0%Arからなる標準燃料“混合”により処理し
た。 実施例A−8ないしA−14 実施例A−8ないしA−14の反応方法は、実施例A−
7の固体膜を実施例G〜Nの固体膜に各々置きかえたほ
かは実施例A−7と同一の方法において行なわれた。実
施例A−8ないしA−14における反応条件は、実施例
A−7と同一である。実施例A−7ないしA−14の酸
素流量のデータは以下の表1に示されている。
【表1】 不飽和炭化水素製造結果 次の特別の実施例においては、飽和炭化水素を本発明の
方法に従って処理し、長さ、60cm(10mm.O
D,8mm.ID)チューブであって、Zircoa
Products(Corning)社から得られる8
%の酸化イットリウムで安定化されたジルコニアからな
るものから作られた実験室用反応器において、不飽和炭
化水素を製造した。該チューブの内側は、アフファーテ
ルピネオールで希釈された薄い層の銀インク(Enge
lhard A3148)で被覆されており、透過性の
カソードを与える。銀インクのストライプを、チューブ
の外側にその一方からほぼ中央に塗った。該チューブ
を、空気中、765℃で約15分間加熱した。次に、該
チューブの外表面を、アノード物質で被覆し、わずかに
該銀ストライプと重ねた。脱水素触媒を、水で溶かした
PtClの5%水溶液で石英綿を含浸させて調製し
た。過剰の溶液を傾瀉した。該PtCl被覆石英綿を
120℃で2時間炉で乾燥し、次いで空気中、約16時
間、800℃で▲か▼焼した。銀導線を、カソードとア
ノードとの端にはんだ付けした。外径14mmおよび内
径12mmの石英チューブの40cm部分を、SWAG
ELOKTMチューブ部品とテフロン部品とを用いてジ
ルコニアの中央部分上に付けた。石英チューブとジルコ
ニアチューブとのすき間は、脱水素触媒、石英綿上のP
tで充填した。SWAGELOKTMチューブ部分も、
石英スリーブの外にひろがっているジルコニアチューブ
の各々の端に取付けた。この組立体を、1100℃に加
熱することのできる分割炉中に入れ、銀導線を電流計を
介して連結した。電極は、次の様な条件にした。空気
を、50cc/分で、ジルコニアチューブの内側に通し
た。窒素を、20cc/分の速度で、ジルコニアと石英
チューブとの間の空間を通して流し、該チューブを、約
1.5時間を要して700℃まで加熱した。約700℃
に達した後、窒素流(20cc/分)を飽和炭化水素に
置きかえ、実験を開始した。以下の実験においては、飽
和炭化水素はエタンであり、反応温度は700℃に維持
し、圧力は約1気圧にして、反応器の滞留時間は操作か
ら操作まで一定に保った。ガス状生成物のサンプルを、
約20分間隔で取り、該ガスのサンプルを、精製ガス混
合物を分析するのに供されるカールシリーズS111H
またはカールシリーズS400のいずれかにおけるガス
クロマトグラフィーにより分析した。ある実験において
は、外部電位を電流計と直列に連結したLambdaモ
デル530の電力供給によって適用した。比較例1は、
触媒を用いない熱的エタン脱水素反応の例である。それ
は低表面積のシリカ(不活性充填物質)を充填した反応
器空間容積を有する全て石英反応器において行なわれ
た。比較例2は、脱水素触媒を用いないで電解触媒反応
器において行なわれるエタン脱水素反応の例である。反
応器空間容積は、比較例1および2のガスの接触時間が
ほぼ同一になるように、同一の低表面積シリカで充填さ
れた。比較例2ならびに実施例B−1およびB−2にお
ける電解触媒反応器は、酸化イットリウムで安定化され
たジルコニア固体電解質上の銀カソードおよび銀アノー
ドにより組立てられた。実施例B−1およびB−2は、
本発明に従って脱水素触媒で充填した比較例2において
使用したを同一の電解触媒反応器を用いる本発明の方法
の例である。実施例B−1においては、外部回路は、連
結されるが、電位は電池に印加されない。実施例B−2
においては、外部回路が、連結され、0.8ボルトの電
位が電池に印加される。
【表2】 実施例B−1およびB−2の結果は、本発明方法が電解
触媒反応器を用いない熱的脱水素反応(比較例1)およ
び脱水素触媒を充填していない電解触媒反応器中におけ
る熱的脱水素(比較例2)の両者のエチレン収量よりも
より高いエチレン収量を有するということを示してい
る。エチレンの高収量は、電位が印加されない場合(実
施例B−1)よりも電位が印加された場合(実施例B−
2)の方に得られる。実施例B−2における廃水素の減
少からうかがえるように、水素は、高いエチレン選択率
を維持しながら、選択的に消費されることのようであ
る。脱水素触媒の効果は、比較例2と比較して実施例B
−1においてみられる増大するエタン転化率をよび増大
する廃水素から分る。 実施例B−3 実施例Eにおいて調製した様なディスクに、反応器を取
り付け、イソブタノール中に懸濁しているコーニング
(軟化点600℃を有するNO.8161)から得られ
るガラス粉末でシールされた。このシールは750℃で
30分間硬化した。温度は、874℃まで上昇し、その
間窒素を燃料側の上に通し、空気(200cc/分)を
ディスクの他の側の上に通した。窒素をエタン(57.
2cc/分)と置きかえた。生じた液体を乾燥氷/アセ
トントラップ中に集め、エタンを有する流上で、60分
後秤量。生成ガスを集め、ガスクロマトグラフィで分析
した。60分後温度を591℃までディスクの燃料側の
窒素によって下げた。エタン(49.2cc/分)を、
窒素におきかえ、生成物を前記の様にして集めた。78
分後、温度を693℃に上げ、1時間その温度に維持し
た。温度を780℃に上昇した。その温度は3時間78
0℃に維持し、エタンの流速を82cc/分まで上昇
し、この実施をさらに102時間続けた。エタンを窒素
に置きかえ温度を640℃まで下げた。プロパン(33
cc/分)を窒素と代え、温度をさらに3時間維持し
た。ヘリウムをプロパンと代え反応器を室温で放冷し
た。これらの実験の結果を以下の表に示した。
【表3】 反応器を取りはずし、ディスクをダイアモンドリウで支
柱チューブから切り取った。ディスクに隣接していた支
柱チューブの小部分を切り取り、α−SICのディスク
に隣接していた供給チューブをよく取り除いた。これら
の3種の物質を秤量し、空気中においてチューブ炉中に
置き750℃まで加熱し、その上に沈積した炭素を全て
燃やし尽した。冷却後、サンプルを再び秤量し、炭素沈
積物を露出表面の機能が存する様に▲か▼焼した。これ
らの結果を以下の表に示す。
【表4】 本発明は飽和炭化水素を不飽和炭化素に転化する改善さ
れた連続方法に関するものである。本発明方法は選択的
水素酸化反応との組合せによる触媒的非酸化エタン脱水
素反応を包含するものである。本発明者らは、以下の反
応式に示される様に、該方法の正味結果は選択的飽和炭
化水素酸化脱水素反応であると信じている。実施例の様
なエタンのエチレンへの転化を用いて、本発明者らは、
本発明方法は以下に示す様に表わすことができると信じ
ている。 C=C+H (反応 1) H+1/2O=HO (反応 2) C+1/2O=C+HO(正味方法反応) 本発明方法は正味酸化反応と思われるので、飽和炭化水
素転化において実質的に熱力学的に課される制限はない
ようである。本発明の改善された方法は、選択的水素酸
化反応(上記反応2)の使用ができ熱的脱水素反応(上
記反応1)の平衡制限を取り除けると思われるので、高
エチレン選択率を有する高エタン転化が可能となる。更
に、本発明の改善された方法は、商業的エチレンからエ
タンへの方法よりも実質的に低温度で操作が可能となる
ため、コークス化が減少し、本発明の方法は実質的に商
業的方法よりも時間が短かくなる様である。本発明者ら
は、上記の仮定された反応式は正しいと信じているが、
本発明の範囲はこの作用理論にしばられるものではな
く、むしろこゝに開示された全ての精神および範囲によ
って定義されるべきであると希望する。 芳香族化合物置換結果 以下の実施例D−1からD−7およびC−1において
は、水素含有芳香族化合物および第2の水素含有化合物
の混合物を、図1および図2に示された反応器に類似す
る実験室的反応器において本発明の方法に従って処理し
た。反応器セルはZircoa Products(C
orning)社から得られる8%の酸化イットリウム
で安定化されたジルコニアからなる長さ60cm(10
mm.直径(OD),8mm.内径(ID))のチュー
ブから作られた。該チューブの内表面を、アルファーテ
ルピネオールで希釈された薄い層の銀インク(Enge
lhardA3148)で被覆して、透過カソードを得
た。4インチの銀アノードと接触ストライプを、再びE
ngelhard A3148銀インクを用いてカソー
ドの反対のチューブの外表面上に塗った。該チューブを
空気中、850℃において、加熱し、該銀を該チューブ
に付着させた。該銀電極を、2種の電極の端にはんだ付
けされた銀導線を介して外部回路に連結させた。14m
m外径の石英チューブの40cmの部分を、SWAGE
LOKTMチューブ部品およびテフロン部品を用いて該
ジルコニアの中央部位上に付けた。また、SWAGEL
OKTMチューブ部品を石英スリーブからひろがってい
るジルコニアチューブの各々の端に取り付けた。この組
立体を1100℃まで加熱することができる分割炉中に
置き、銀導線を電流計に連結し、調整できる電力を、電
力供給から電位を印加または印加しないで電流を流すこ
とのできる回路を介して供給する。電極は次の様に条件
ずけられている。空気を50cc/分でジルコニアチュ
ーブの内側を通して流した。窒素を、50cc/分の速
度でジルコニアと石英チューブとの間の空間を通して流
し、このチューブを約90分を要して700℃まで加熱
した。所望の反応温度に達した後、50cc/分の窒素
流を芳香族化合物と第2の水素含有化合物との混合物を
含むガス流に代え、実験を開始した。以下の実施例D−
1からD−5までおよび対照実施例C−1においては、
芳香族化合物はベンゼンであり、第2の水素含有化合物
はエチレンである。実施例D−6においては、芳香族化
合物はベンゼンであり、第2の水素含有化合物はエタン
である。実施例D−7においては、芳香族化合物はベン
ゼンであり、第2の水素含有化合物はメタンである。対
照実施例C−1は、オープン回路実験であり、それ故酸
素イオンはジルコニアを介してベンゼン/エチレン供給
に移送されない。ガス状生成物のサンプルを、約30分
の間隔で得、該ガスサンプルを、ガスクロマトグラフィ
により分析した。電流値は安定した値であり、報告され
たベンゼン転化率は、実験終了時における転化率であ
る。実施例D−1からD−5までにおいては、外部電位
を、電流計と直列に連結したLambdaモデル530
電力供給によって印加した。全ての実験は雰囲気圧にお
いて行なった。特記しない限り、全ての部、パーセン
ト、比率などはモルである。
【表5】
【表6】 表5および表6の結果は、回路が閉じられ、ジルコニア
壁を通じて酸素が移送されているとき、転化率および選
択率が増加していることを示している。表5に報告され
ている電流は、電気が有用な副産物として発生すること
を示し、またその結果は、ベンゼンの転化率が電極間の
電位印加のよって増加するということを示している。実
施例D−6は、スチレンがベンゼンおよびエタンから直
接得られることを示している。実施例D−7は、ベンゼ
ンがメタンと結合し、ほとんどが芳香族アルキル化を生
ずることを示している。エチレンにおるアルキル化にお
ける、650℃から700℃までの温度上昇の効果は、
転化されるベンゼンのパーセンテージにおいて、一般的
増加となる。スチレンの増大する選択率は、実施例D−
1と比較される実施例D−2におけるエエレンによるア
ルキル化に対し、エチレンのベンゼンへの比率における
増大結果として観察される。 ガス洗浄結果 以下の実施例E−1からE−9までは、図9および図1
0に示されている反応器に類似する本発明によるガス洗
浄用の電気化学的セルに使用することができるジルコニ
アチューブの製造を説明するものである。これらの例
は、一般に明細書に開示されている本発明の範囲を制限
するものと解釈すべきではない。 実施例E−1 PbO/AuカソードおよびPbO/Auアノードを有
するオープンエンドチューブの製造:Zircoa P
roducts,Solon,Ohioから得られる密
度の高い、12mm外径(OD)、1−mm壁の酸化イ
ットリウムで安定化されたジルコニアチューブ(以下、
“YSZチューブ1”という)を、その内部および外部
表面の両面上をアルファーテルピネオールに分散した、
等容量のPbOおよびゴールドインク(Engelha
rd Part NO.A4650,LotNO.M−
13966)から得られるスラリーの薄い層で被覆し
た。有機溶媒を、空気中、85℃で15−30分間、該
チューブを乾燥することによって蒸発させた。この被覆
されたチューブを、炉内でInconel 600チュ
ーブ中に懸濁させ、空気を流しながら850℃まで加熱
した。温度は一夜850℃に維持し、次いで、該チュー
ブを室温で放冷させた。 実施例E−2 PtカソードおよびPtアノードを有するオープンエン
ドチューブの製造:YSZチューブを、該チューブの全
体の内部長さに沿って、またその61.0cmの外部長
さの40.6cmに沿って、アルファーテルピネオール
中における5vol.%CoO,60vol.%Ni
O,および35vol.%ZrOの懸濁液で処理し
た。このチューブを被覆し、空気中において120℃で
乾燥し;この被覆操作をあと2回繰返した。この被覆さ
れたチューブを、2時間1650℃において加熱し、冷
却した。該加熱されたチューブを、濃Hcl中にそれを
入れることによって処理し、次いで蒸留水によりすゝい
だ。この操作を、Hcl溶液の色が変化しなくなるまで
繰返えした。アノードを、該チューブの内表面上に、ア
ルファーテルピネオール中における3wt.%のBi
を含有するPtインク(Engelhard)の懸
濁液によりそれを処理することによって調製した。カソ
ードも同様に、適当な外表面上に該懸濁液を塗ることに
よって調製した。このチューブを、空気中において12
0℃で乾燥して、1065℃で15分間加熱した。抵抗
測定は、電極が電気的に伝導性であることを示した。 実施例E−3 Pt/K+KカソードおよびPtアノードを有するオー
プンエンドチューブの製法 実施E−2の方法に従って、プラチニウム電極をアノー
ドおよびカソードに適用させた後、該チューブを空気中
において120℃で乾燥する前に、水酸化カリウムの希
釈水溶液を、カソードに適用させた。抵抗測定は、その
Pt/K+Kカソードおよび該アノードが電気的に伝導
性であることを示した。 実施例E−4 端が閉じられたチューブの製造:端が閉じられたチュー
ブを、pH9において、5モル%の酸化イットリウムで
安定化されたジルコニアの水性スラリーからスリップ−
キャスティング技術によって製造した。チューブは、
9.52mmの外径(O.D)および6.35mm内径
(I.D),26.7cmの長さを有しており、一方の
端が閉じられている。これらのチューブを、1000℃
で加熱し、取り出してみがいた。1000℃で再度加熱
した後、これらのチューブ(以下、“YSZチューブ
2”という)は、電極印加が可能である。プラチニウム
電極を、テルピネオールで希釈されたプラチニウムイン
ク(Engelhard)で、YSZチューブ2の内表
面(アノード)および外表面(カソードを被覆すること
により調製した。外表面の頂部1インチは被覆しないま
まにした。過剰のインクを注いだ後、チューブを150
0℃において加熱した。電極抵抗をマルティメーターで
試験した。内部または外部被覆の抵抗が、0.5オーム
より高く測定できるならば、被覆および加熱を繰返え
す。第2およびそれに続く被覆は、1000℃において
加熱する。代表的に言えば、7−9回の被覆が、所望の
抵抗に達するために要求される。以下の実施例は、触媒
含有反応器チューブの製造方法を説明するものである。 実施例E−5 La/PtカソードおよびPtアノードを有する
端が閉じられたチューブの製造 1グラムのLaを、5mlのテルピネオールと混
合した。実施例E−4に従って作られた端が閉じられて
いるYSZチューブ2のプラチニウム外表面を、次いで
このスラリーにより被覆した。10%のこのスラリーだ
けを、該チューブ上に、該チューブの底4インチがカバ
ーされる様に被覆した。次いで、この反応器を、触媒被
覆がまだ湿っている間に注意深く組立てた。YSZチュ
ーブ2を、被覆領域が炉の熱い帯域にひろかる様にし
て、石英ライナーに挿入して、適当なガス取付部品を加
えた。次に該反応器を、3−4時間かけてゆっくりと反
応温度まで加熱した。反応器が加熱されている間、電極
に空気を通じて、蒸発するテルピネオールを除去した。 実施例E−6 LaSrCoOx/PtカソードおよびPtアノー
ドを有する端が閉じられているチューブの製造:実施例
E−5の方法に従ったが、異なる点は以下の通りであ
る。触媒被覆のためのスラリー調製中、1グラムのLa
を、およそ1グラムのLaSrCoOx灰タ
ン石に代えた。 実施例E−7 ZnMnO/PtカソードおよびPtアノードを有す
る端が閉じているチューブの製造1グラムのLa
を、触媒被覆のためのスラリー製造中、約1グラムのZ
nMoOに代えたほかは、実施例E−5の方法に従っ
た。 実施例E−8 FeWO/AuカソードおよびPtアノードを有する
端が閉じているチューブの製造(アノード製造) Zircoa Products社から供給されるYS
Zを、その内部表面上に、テルピネオールで希釈された
プラチニウムインクで被覆した。このプラチニウムイン
ク(Engelhard)を、アルコールで約20%ま
で希釈した。YSZチューブの一端を、プラチニウムス
ラリーを添加する前にプラッグした。プラチニウムイン
クを添加した後、チューブをローリングし、内部表面を
平らに被覆した。過剰のインクをチューブから注ぎ、後
の被覆のために役立たせた。このテルピネオールを、乾
燥炉中において1時間100℃蒸発させた。このプラチ
ニウムアノードを、15分間1065℃で加熱した。さ
らに2回のプラチニウム被覆が要求され、アノード抵抗
が1オーム以下に減少した。 (カソード製造)上記の様にして調製されたプラチニウ
ムアノードを有するYSZチューブを、金−鉄タングス
テン酸塩カソードで被覆した。このカソードは、ゴール
ドインク(Engelhard)と鉄タングステン酸塩
(約10:1重量比)とを混合することによって調製さ
れた。約1グラムの澱粉を気孔形成剤としてこの混合物
に添加した。この混合物を5mlのテルピネオールで希
釈した。得られたスラリーを該チューブの外部に適用
し、チューブの頂部および底部10.2cmを除き、全
表面を被覆した。過剰の物質を続く被覆のために役立て
た。このテルピネオールを、2時間850℃で加熱する
前に、乾燥炉中において、100℃で1時間蒸発させ
た。さらに1回の被覆を行ないカソード抵抗を下げた。 実施例E−9 亜鉛亜鉄酸塩(ZnFe)カソードおよびプラチ
ニウムアノードを有する端が閉じられているチューブの
製造:1グラムのLaを、1グラムの亜鉛亜鉄酸
塩に代えたほかは、実施例E−5の方法に従った。 (二酸化イオウ除去の実施例)上記で製造したチューブ
を石英チューブに入れ、連結器を取付けて、ガス混合物
をその中心および環状領域に放った。これば、14mm
外部直径石英チューブの一部分を、SWAGELOK
TMチューブ取付部品およびテフロン部品を用いて、ジ
ルコニアチューブの中央部上に取付けることによって完
成された。またSWAGELOKTMチューブ取付部品
を、石英スリーブからひろがているジルコニアの各々の
端につけた。この組立体を、1000℃に加熱すること
ができる分割炉中におき、リード線を電流計を介して連
結し、調整可能な電力を、電力供給から電位を印加また
は印加しないで流れる電流をそのまゝにした回路を介し
て供給した。電極は次のように条件ずけられた。この装
置を分割炉中につるして環状領域を介して空気を、中心
領域を介して窒素を通しながら800℃まで加熱した。
この反応器が800℃に達したとき、炉中サーモカップ
ル上で示されるように、その窒素流は、20cc/分に
おいて水素で置きかえられ、空気をヘリウム中、100
ml/分の1%(容積)SOの流れに代えた。1%二
酸化イオウの流速および温度は、以下の表に示されてい
るように調整して、生成ガスのFourierの変換−
赤外分析の結果が示されている。廃液中の二酸化イオウ
中における還元パーセントを計算するのに使用された式
および廃液から除去される正味イオウパーセントを計算
するために使用する式は、以下の通りである。 還元されたSO%=(廃液中のSO供給ppm中の
SOppm)×100/供給中のSOppm 除去された正味S%={(廃液中のCOSppm)/
(供給中のSOppm)}×100 特記しない限り、全ての部、割合、などは、モル(重量
および/または容積測定に基く)であり、“ppm”
は、容量100万当りの部(理想ガスにおける、よく知
られたガス法則PV=nRTに基く、モル数で100万
当りの部に大体において等しい)で表わされる。これら
の方法を用いて得られるデータは、以下の表7から16
までに示されている。表中の各々の実施例における数値
は、少なくとも2回の操作における平均である。使用さ
れたチューブの冷領域においてイオウがみつかった。
【表7】 実施例1−1は、短絡電気化学セルにおける燃料ガスと
して水素を用いると、SOは還元され得るということ
を示している。実施例1−2ないし1−6は、電位を印
加し、かつ電気科学的セル中における燃料として水素を
用いることにより、SOが除去され得るということを
示している。実施例1−7は、800℃においてこのセ
ルにより得られた結果を示している。1%二酸化イオン
流を、98ppmの二酸化イオウだけを含むものに代
え、これらの実験を繰返えした。それらの結果を、以下
の表8に示した。
【表8】 表8の結果は、印加電位の不存在における燃料として水
素を用いると、二酸化イオウの水準が著しく減少するこ
とを示している。また、これらの結果は、二酸化イオウ
が非常に希釈された流れにおいてさえ還元され得るとい
うことを示している。
【表9】 表9の結果は、Pt電極を用いると、二酸化イオウの還
元が行なわれ得るということを示している。この1%S
を含むガス流を、100ml/分における空気に置
きかえて、この反応器セルのアノード側に約18時間を
要して窒素ガスを供給することにより、表9の反応器セ
ルを1000℃の条件にした。このように条件ずけられ
た反応器を用いて得た結果を以下の表10に示した。
【表10】 表10の結果は、イオウへの還元が空気の存在において
も起こるということを示している。表9および10の間
のSO%除去における差異は、1000℃の条件で1
8時間において生じたかもしれないPtのある種の焼成
に基くものと思われる。
【表11】 表11の結果は、回路が閉じられている(実施例5−1
から5−3まで)ときもっとも短絡がない(比較例C/
1)セル中において二酸化イオウ除去が起こるというこ
とを示している。1%SOを含有するガス流を空気1
5ml/分で希釈することにより、表11の反応器セル
を1000℃に条件ずけた。この反応器セルに次いで3
0ml/分の空気を通じ、次に1%SOを含むガス流
に代えた。この条件の反応器セルを用いて得られた結果
を以下の表12に示した。
【表12】 表11の結果は、プラニウムの焼成が、1000℃で空
気処理中、起こったかもしれないことを示している。ま
たこれらの結果は、アルカリ処理カソードが、空気の存
在下二酸化イオウを除去(実施例5A−2)するにおい
て効果的であるということを示している。種々の触媒物
質で被覆された反応器セルを用いて得られたデータの例
示が、以下の表13−17に示されている。
【表13】 実施例6−1、6−2、6−4ならびに比較例C/2お
よびC/3は、1%SOを含むガス流のため、還元さ
れたSO%および除去されたS%は、反応器セル短絡
が本発明に従って完結しているとき(実施例6−1,6
−2および6−4)、非常に効果的(>85%)であ
り、これに反し、回路がオープンになっているとき(C
/2およびC/3)だけは、触媒の存在によりSO
元20%および正味S%がより低くなるということを示
している。実施例6−3および6−5から6−8まで
は、該反応器セルに電位が印加されず、また該反応器セ
ルに、煙道ガスに似ているSO、O、CO、およ
びNの混合物を供給するとき、有毒なCOS(カルボ
ニル スルファイド)の生成を最少にすることができ、
かつ二酸化イオウを効率よく除去することができること
を示している。
【表14】 実施例7−1から実施例7−27までは、一定の反応器
セルに対し、温度、電位印加、供給ガス組成、および供
給ガス流速を種々変えている一連の実施例を示してい
る。還元されたSO%および除去された正味S%につ
いての印加された電位の効果は、高温度の場合よりも5
25℃以下の温度で、幾分高い。
【表15】 実施例8−1から8−4までは、SOおよびCOSの
放出は該セル中に電位が印加されない本発明の他の反応
器セル中において著しく減少できるということを示して
いる。比較例C/4だけが他と比較して、触媒および熱
活性が最少である。
【表16】 表16は、触媒および熱活性だけ(比較例C/5および
C/6)により達成される場合よりも、本発明は実質的
により高いSO除去およびCOS最少化を達成するこ
とができる(実施例9−1から9−4まで)ということ
を示している。
【表17】 実験10−1ないし10−4は、亜鉛亜鉄酸塩がSO
の還元に対し効果的な電解触媒であること、また増大す
る操作力(印加電位)はその除去率を高めるということ
を示している。また、実験10−1は、SOを還元す
るためには電位を必要としないということを示してい
る。実験10−5および10−6ならびに比較実験C/
7は、酸素の存在下においては亜鉛亜鉄酸塩はまだ効果
的なSO還元電解触媒であること、および比較実験C
/7のオープン回路条件下、酸素移送が生じない場合に
は、SOは除去されないことを示している。事実、予
め吸着されたSOは脱着し始める。実験10−7は、
高濃度の酸素はSO還元法に逆に影響しないことを示
し、また比較実験C/8は、回路が閉じられて酸素移送
が休止したとき、SO還元が終了し、SO脱着が開
始することを示す。比較実験C/9は、比較実験C/8
の後、約24時間行なって、全ての吸着SOが除去さ
れたときSO脱着工程が停止し、SO濃度が供給と
ほぼマッチするということを示している。実験10−8
ないし10−10は、再構築された酸素移送は、SO
還元工程を再構築し、すなわち、この工程は可逆的であ
り、酸素移送に関与していることを示している。表13
−17における統合された結果は、電気化学的セルが触
媒被覆からなり廃液から除去される二酸化イオウのパー
センテージを高めるばかりでなく、イオウの高い正味パ
ーセンテージを廃液から除去し、これは消耗ガスおよび
煙道ガス廃液に特徴ずけられる混合供給における二酸化
イオウおよび二酸化炭素との間の反応生成物として生成
したカルボニル、サルファイドの低レベルによるもので
ある。また、表13−17は、多種の触媒物質が反応器
セルの効率を高めるに当って有利にするため使用される
ことができるということ、および高い効率が本発明の反
応器セル要素の酸素イオン移送に結びついていることを
示している。本発明をその好ましい実施態様に関連して
説明してきたが、それは、これらの種々の変更が、明細
書を読んで当業者に明らかとなると理解すべきである。
従って、こゝに開示された発明は、特許請求の範囲の範
囲内に入るような種々の変更を包含するものであると理
解すべきである。
【図面の簡単な説明】
〔図1〕本発明の電気化学リアクターの第1態様の側
面、断面図である。 〔図2〕本発明の電気化学リアクターの第2態様の平
面、断面図である。 〔図3〕図2に示したリアクターの側面、断面図であ
る。 〔図4〕本発明の固体多成分膜の1態様の表面の500
倍拡大電子顕微鏡写真後方散乱像である。 〔図5〕図4に示したと同じ固体多成分膜の断面の5,
000倍拡大電子顕微鏡写真である。 〔図6〕本発明の方法の実施に有用な電気化学リアクタ
ーの第3態様の平面、断面図である。 〔図7〕図6に示したリアクターの側面断面図である。 〔図8〕本発明の方法の実施に適する要素の側面、断面
図である。 〔図9〕本発明の方法の実施に有用な他の電気化学リア
クターの平面、断面図である。 〔図10〕図9に示したリアクターの側面、断面図であ
る。 〔図11〕本発明の方法の実施に適する本発明のなお他
の態様の側面、断面図である。 〔図12〕本発明の方法の実施に有用な他の電気化学リ
アクターの平面、断面図である。 〔図13〕図12に示したリアクターの側面、断面図で
ある。 〔符号の説明〕 1……リアクター 2……第1帯域 3……第2帯域 4……要素 5、6……リアクター管 9、10……フィード管 11……酸素含有ガス 12……酸素消費ガス 20、50……シェル 21、33、41、51、61、81……コア 22……内部通路 23……外部通路 35、69、85……触媒 46、47、56、57、66、67、87、88……
リード線 48、58、68、89……アンメーター
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成4年10月15日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電気化学リアクターの第1態様の側
面、断面図である。
【図2】本発明の電気化学リアクターの第2態様の平
面、断面図である。
【図3】図2に示したリアクターの側面、断面図であ
る。
【図4】本発明の固体多成分薄膜の1態様の表面の50
0倍拡大電子顕微鏡写真後方散乱像である。
【図5】図4に示したと同じ固体多成分薄膜の断面の
5,000倍拡大電子顕微鏡写真である。
【図6】本発明の方法の実施に有用な電気化学リアクタ
ーの第3様態の平面、断面図である。
【図7】図6に示したリアクターの側面断面図である。
【図8】本発明の方法の実施に適する要素の側面、断面
図である。
【図9】本発明の方法の実施に有用な他の電気化学リア
クターの平面、断面図である。
【図10】図9に示したリアクターの側面、断面図であ
る。
【図11】本発明の方法の実施に適する本発明のなお他
の態様の側面、断面図である。
【図12】本発明の方法の実施に有用な他の電気化学リ
アクターの平面、断面図である。
【図13】図12に示したリアクターの側面、断面図で
ある。
【符号の説明】 1……リアクター 2……第1帯域 3……第2帯域 4……要素 5、6……リアクター管 9、10……フィード管 11……酸素含有ガス 12……酸素消費ガス 20、50……シエル 21、33、41、51、61、81……コア 22……内部通路 23……外部通路 35、69、85……触媒 46、47、56、57、66、67、87、88……
リード線 48、58、68、89……アンメーター
【手続補正2】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図13】
【図10】
【図11】
【図12】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01M 8/02 E 9062−4K 8/12 9062−4K (31)優先権主張番号 510296 (32)優先日 1990年4月16日 (33)優先権主張国 米国(US) (31)優先権主張番号 618792 (32)優先日 1990年11月27日 (33)優先権主張国 米国(US) (72)発明者 ジョン ジー フライ ジュニア アメリカ合衆国 オハイオ州 44139 ソ ーロン グレンアレン 6821 (72)発明者 ウェイン アール クリーワー アメリカ合衆国 オハイオ州 44139 ソ ーロン セルワージー 7269

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 〔請求項1〕 電気化学リアクター中に使用する固体多
    成分膜であって、(1)ランタニド、Y又はランタニド
    とYの組合せ、(2)少くとも1つのアルカリ土類金
    属、(3)Fe、及び(4)Cr、Ti又はCrとTi
    の組合せを含むペロブスカイト構造を有する混合金属酸
    化物物質を特徴とする固体膜。
  2. 〔請求項2〕混合金属酸化物物質が(1)La、Y又は
    LaとYの組合せ、(2)Ca、Sr又はCaとSrの
    組合せ、(3)Fe、(4)Cr、及び(5)Mn、C
    o又はMnとCoの組合せを含む、請求項1に記載の固
    体膜。
  3. 〔請求項3〕 混合金属酸化物物質がLa、Sr、F
    e、Cr及びCoを含む、請求項1に記載の固体膜。
  4. 〔請求項4〕 酸素を酸素イオンに還元できる第1表
    面、酸素イオンを酸素消費ガスと反応させることができ
    る第2表面、第1及び第2表面の間の電子伝導性通路、
    並びに第1及び第2表面の間の酸素イオン伝導性通路を
    有し、電気化学リアクター又はリアクターセル中に使用
    する要素であって、(A)ペロブスカイト構造を有する
    混合金属酸化物物質及び(B)伝導性コーティング、触
    媒、又は触媒を含む伝導性コーティングを含むことを特
    徴とする要素。
  5. 〔請求項5〕 触媒が硫黄還元性触媒を含む、請求項4
    に記載の要素。
  6. 〔請求項6〕 電気化学リアクター又はリアクターセル
    中に使用する要素であって、酸素の酸素イオンへの還元
    を促進できる伝導性の金属、金属酸化物又はそれらの混
    合物でコートされた第1表面及び伝導性の金属、金属酸
    化物又はそれらの混合物でコートされた第2表面を有す
    る気密な固体電解質を含み、2つの伝導性コーティング
    が外部回路により連結され、両コーティングが運転温度
    で安定であり、第1伝導性コーティングが硫黄還元性触
    媒を含む要素。
  7. 〔請求項7〕 酸素を酸素イオンに還元できる第1表
    面、酸素イオンを酸素消費ガスと反応させることができ
    る第2表面、第1及び第2表面の間の電子伝導性通路、
    並びに第1及び第2表面の間の酸素イオン伝導性通路を
    有する電気化学リアクター又はリアクターセル中に使用
    する要素であって、(A)(1)固体電解質、(2)電
    子伝導性相と酸素イオン伝導性相の均質なガス不透過性
    多相混合物又は(3)ペロブスカイト構造を有する混合
    金属酸化物物質を特徴とする固体多成分膜、並びに
    (B)伝導性コーティング、触媒、又は触媒を含む伝導
    性コーティングを含み、(B)が(1)アルカリ又はア
    ルカリ土類金属又は金属酸化物を伝導性コーティングの
    約1〜約50重量%の範囲内の量で含む伝導性コーティ
    ング、あるいは(2)酸化カップリング触媒を含み、要
    素が固体電解質(1)を含むときに(B)が伝導性コー
    ティング又は伝導性表面のそれぞれ上に触媒を含む伝導
    性コーティングを含み、伝導性表面が外部回路により連
    結されることを特徴とする要素。
  8. 〔請求項8〕 酸素消費ガス又は酸素含有ガスを含む環
    境中で酸素消費ガスを酸素含有ガスと反応させる電気化
    学リアクターセルであって、入口端、出口端及びその間
    の、1つ又はそれ以上のガスの入口端から出口端への移
    動のための通路を有し、固体膜が請求項1〜3のいずれ
    か一項に記載のとおりであり、要素が請求項4〜7のい
    ずれか一項に記載のとおりである固体多成分膜又は要素
    を特徴とする電気化学リアクターセル。
  9. 〔請求項9〕 酸素消費ガスを酸素含有ガスと反応させ
    ることができる電気化学リアクターであって、 入口端、出口端及びそれらの間の、1つ又はそれ以上の
    ガスの入口端から出口端への移動のための通路を有する
    シェル、並びにシェル及びリアクターセルが一緒に第1
    ガス又はガス混合物を導入、反応及び排出させる第1帯
    域を形成し、リアクターセルを通る通路が電気化学リア
    クター内に第2ガス又はガス混合物を導入、反応及び排
    出するための通路を形成するようにシェル内に位置し、
    入口端、出口端及びそれらの間の、1つ又はそれ以上の
    ガスの入口端から出口端への移動のための通路を有する
    少くとも1つのリアクターセル、を特徴とし、電気化学
    リアクターセルが請求項8に記載される、電気化学リア
    クター
  10. 〔請求項10〕 電気化学リアクターが第1又は第2帯
    域中の支持体上に触媒を含む、請求項(9)に記載のリ
    アクターセル。
  11. 〔請求項11〕 酸素消費ガスを酸素含有ガスと反応さ
    せる電気化学リアクターであって、 入口端、出口端及びそれらの間の、1つ又はそれ以上の
    ガスの入口端から出口端への移動のための通路を有する
    シェル、並びにシェル及びリアクターセルが一緒に第1
    ガス又はガス混合物を導入、反応及び排出させる第1帯
    域を形成し、リアクターセルを通る通路が電気化学リア
    クター内に第2ガス又はガス混合物を導入、反応及び排
    出するための通路を形成するようにシェル内に位置し、
    入口端、出口端及びそれらの間の、1つの又はそれ以上
    のガスの入口端から出口端への移動のための通路を有す
    る少くとも1つのリアクターセル、を特徴とし、電気化
    学リアクターが第1帯域中の支持体上に酸化カップリン
    グ触媒を含む電気化学リアクター。
  12. 〔請求項12〕 飽和炭化水素化合物から不飽和炭化水
    素化合物を製造する電気化学的方法であって、 (A) (1)電子伝導性相と酸素イオン伝導性相の均
    質なガス不透過性多相混合物、又は(2)ペロブスカイ
    ト構造を有する混合金属酸化物を含む第1及び第2表面
    を有する多成分膜を準備し、 (B) 酸素含有ガスを第1表面に接触して通過させ、
    同時に (C) 飽和炭化水素含有ガスを、任意に第2表面に隣
    接する脱水素触媒に接触して通過させ、 (D) 不飽和炭化水素を回収する、 ことを特徴とし、飽和炭化水素ガスがメタン、エタン、
    プロパン、又はブタン、あるいはそれらの混合物を含む
    とき、飽和炭化水素含有ガスを第2表面に隣接する脱水
    素触媒に接触させて通す方法。
  13. 〔請求項13〕 飽和炭化水素化合物から不飽和炭化水
    素化合物を製造する電気化学的方法であって、 (A) 酸素の酸素イオンへの還元を促進できる伝導性
    の金属、金属酸化物、又はそれらの混合物でコートした
    第1表面及び伝導性の金属、金属酸化物又はそれらの混
    合物でコートした第2表面を有する気密な固体電解質を
    含み、2つの伝導性コーティングが外部回路により連結
    され、両コーティングが運転温度で安定である電気化学
    セルを準備し; (B) 酸素含有ガスを第1表面に接触して通過させ、
    同時に (C) 飽和炭化水素含有ガスを、任意に第2表面に隣
    接する脱水素触媒に接触して通過させ、 (D) 不飽和炭化水素を回収する、 ことを特徴とする方法。
  14. 〔請求項14〕 芳香族化合物の置換のための電気化学
    的方法であって、 (A) (i)酸素を酸素イオンに還元できる第1表
    面、酸素イオンを酸素消費ガスと反応させることができ
    る第2表面、第1及び第2表面の間の電子伝導性通路、
    並びに第1及び第2表面の間の酸素イオン伝導性通路を
    有する要素、(ii) 第1表面に隣接する第1通路、
    及び(iii) 第2表面に隣接する第2通路を含む電
    気化学セルを準備し、 (B) 酸素含有ガスを第1通路に通し、同時に (C) 酸素消費ガスが水素含有芳香族化合物と置換芳
    香族化合物を生成させるための第2水素含有化合物との
    混合物を含む酸素消費ガスを第2通路に通す、ことを含
    む方法。
  15. 〔請求項15〕 ガス浄化のための電気触媒法であっ
    て、(A) 硫黄還元性触媒が要素の第1表面上に存在
    する請求項5又は6に記載の要素を含む電気化学リアク
    ターセルを準備し、(B) NO、NO、NO、S
    、SO又はそれらの混合物を含むガスを要素の第
    1表面に接触して通過させ、(C) 酸素と反応できる
    ガスを要素の第2表面に接触して通過させる、ことを含
    む方法。
  16. 〔請求項16〕 ガス浄化のための電気化学セルであっ
    て、(A) 気密な固体電解質又はペロブスカイト構造
    を有する混合金属酸化物物質を含み、電気化学セルが、
    酸素の酸素イオンへの還元を促進できる伝導性の金属、
    金属酸化物又はそれらの混合物でコートされた第1表
    面、及び金属 金属酸化物又はそれらの混合物でコート
    された第2表面を有し、2つの伝導性コーティングが外
    部回路により連結され、両コーティングが運転温度で安
    定であり、第1伝導性コーティングが硫黄還元性触媒を
    含む電気化学セルを準備し、(B) NO、NO、N
    、SO、SO又はそれらの混合物を含むガスを
    第1伝導性コーティングに接触して通過させ、(C)
    酸素と反応できるガスを第2伝導性コーティングに接触
    して通過させる、ことを含む方法。
  17. 〔請求項17〕 硫黄還元性触媒がZn及びFeの組合
    せを含む、請求項15又は16に記載の方法。
  18. 〔請求項18〕 硫黄還元性触媒がZn Fe
    ある、請求項17に記載の方法。
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