JPH06329810A - 架橋法 - Google Patents

架橋法

Info

Publication number
JPH06329810A
JPH06329810A JP6090767A JP9076794A JPH06329810A JP H06329810 A JPH06329810 A JP H06329810A JP 6090767 A JP6090767 A JP 6090767A JP 9076794 A JP9076794 A JP 9076794A JP H06329810 A JPH06329810 A JP H06329810A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
iii
carbon atoms
alkoxy
crosslinking
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6090767A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2687204B2 (ja
Inventor
Richard Gregg Shaw
リチャード・グレグ・ショー
Paul J Caronia
ポール・ジョゼフ・カローニア
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Union Carbide Chemicals and Plastics Technology LLC
Original Assignee
Union Carbide Chemicals and Plastics Technology LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Union Carbide Chemicals and Plastics Technology LLC filed Critical Union Carbide Chemicals and Plastics Technology LLC
Publication of JPH06329810A publication Critical patent/JPH06329810A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2687204B2 publication Critical patent/JP2687204B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F255/00—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers of hydrocarbons as defined in group C08F10/00
    • C08F255/02—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers of hydrocarbons as defined in group C08F10/00 on to polymers of olefins having two or three carbon atoms
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29B—PREPARATION OR PRETREATMENT OF THE MATERIAL TO BE SHAPED; MAKING GRANULES OR PREFORMS; RECOVERY OF PLASTICS OR OTHER CONSTITUENTS OF WASTE MATERIAL CONTAINING PLASTICS
    • B29B7/00—Mixing; Kneading
    • B29B7/002—Methods
    • B29B7/007—Methods for continuous mixing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29B—PREPARATION OR PRETREATMENT OF THE MATERIAL TO BE SHAPED; MAKING GRANULES OR PREFORMS; RECOVERY OF PLASTICS OR OTHER CONSTITUENTS OF WASTE MATERIAL CONTAINING PLASTICS
    • B29B7/00—Mixing; Kneading
    • B29B7/80—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29B7/88—Adding charges, i.e. additives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29B—PREPARATION OR PRETREATMENT OF THE MATERIAL TO BE SHAPED; MAKING GRANULES OR PREFORMS; RECOVERY OF PLASTICS OR OTHER CONSTITUENTS OF WASTE MATERIAL CONTAINING PLASTICS
    • B29B7/00—Mixing; Kneading
    • B29B7/80—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29B7/88—Adding charges, i.e. additives
    • B29B7/90—Fillers or reinforcements, e.g. fibres
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29B—PREPARATION OR PRETREATMENT OF THE MATERIAL TO BE SHAPED; MAKING GRANULES OR PREFORMS; RECOVERY OF PLASTICS OR OTHER CONSTITUENTS OF WASTE MATERIAL CONTAINING PLASTICS
    • B29B7/00—Mixing; Kneading
    • B29B7/80—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29B7/82—Heating or cooling
    • B29B7/826—Apparatus therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2810/00—Chemical modification of a polymer
    • C08F2810/20—Chemical modification of a polymer leading to a crosslinking, either explicitly or inherently

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Processes Of Treating Macromolecular Substances (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Graft Or Block Polymers (AREA)
  • Medicines Containing Material From Animals Or Micro-Organisms (AREA)
  • Polysaccharides And Polysaccharide Derivatives (AREA)
  • Organic Insulating Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 スコーチが回避されるポリエチレンの架橋法
を提供する。 【構成】 （ａ）反応器に架橋条件下に、（ｉ）１種以
上のポリオレフィン、（ii）有機ペルオキシド、（iii
）２個以上の不飽和基を含有するエステル、エーテル
又はケトン、及び（iv）式 ＣＨ2 ＝Ｃ（Ｒ）−ＣＯＯＲ1 Ｒ2 ［式中、Ｒは水素、メチル又はエチルであり、Ｒ1 は１
〜６個の炭素原子を有するアルキレンであり、Ｒ2 は８
個以上の炭素原子を有するアルキル又はＳｉ（Ｒ3 ）3
（ここでＲ3 は水素又は１〜６個の炭素原子を有するア
ルコキシであって、各Ｒ3 は同種又は異種であり、そし
て少なくとも１個のＲ3 はアルコキシである）である］
を有する化合物を含む混合物を導入し、そして（ｂ）ポ
リオレフィンを架橋させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の分野】本発明は、ポリオレフィンの架橋、特
に、導電体又は通信媒体の周囲へのその押出それに続く
架橋に関する。
【発明の背景】
【０００２】高圧低密度ポリエチレンから作られる絶縁
体の押出では、通常、押出後の架橋に対する触媒を提供
するために有機ペルオキシド化合物がポリエチレンに混
合される。通常のペルオキシドを使用する製造条件下に
線状重合体（気相流動床式反応器で製造されるもののよ
うな）並びに高粘性重合体及び化合物に対して受け入れ
可能な押出温度を見出すことは、不可能でないにしても
困難である。何故ならば、これらの物質を押し出す間に
遭遇する高い押出温度は押出機におけるペルオキシドの
分解をもたらし、これはスコーチとして知られる早期架
橋をもたらすからである。また、この問題は、回転成
形、射出成形及び吹込成形のような押出成形法以外の方
法でも生じる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】それ故に、本発明の目
的は、慣用のペルオキシド触媒の分解温度を十分な高さ
まで引き上げ、かくして押出機におけるペルオキシドの
分解及びそれに付随するスコーチが本質上回避される架
橋法を提供することである。他の目的及び利益は、以下
の記載から明らかになるであろう。
【０００４】
【発明の概要】本発明に従えば、上記の目的は、（ａ）
反応器に架橋条件下に、（ｉ）１種以上のポリオレフィ
ン、（ii）有機ペルオキシド、（iii ）２個以上の不飽
和基を含有するエステル、エーテル又はケトン、及び
（iv）式 ＣＨ2 ＝Ｃ（Ｒ）−ＣＯＯＲ1 Ｒ2 ［式中、Ｒは水素、メチル又はエチルであり、Ｒ1 は１
〜６個の炭素原子を有するアルキレンであり、Ｒ2 は８
個以上の炭素原子を有するアルキル又はＳｉ（Ｒ3 ）3
（ここでＲ3 は水素又は１〜６個の炭素原子を有するア
ルコキシであって、各Ｒ3 は同種又は異種であり、そし
て少なくとも１個のＲ3 はアルコキシである）である］
を有する化合物を含む混合物を導入し、そして（ｂ）ポ
リオレフィンを架橋させることを含む架橋法によって達
成される。
【０００５】
【好ましい具体例の説明】本発明に使用されるポリオレ
フィンは、一般には、架橋可能な熱可塑性樹脂である。
それらは、フィルム、シート及び管状体においてそして
電線ケーブル用途でのジャケット及び／又は絶縁材とし
て通常使用されるホモ重合体若しくは２種以上の共単量
体から製造された共重合体又はこれらの重合体の２種以
上のブレンドであってよい。ポリオレフィンは、一般に
は、１種又はそれ以上の不飽和単量体のホモ重合体又は
共重合体と定義される。これらのホモ重合体及び共重合
体の製造に有用な単量体は、２〜２０個の炭素原子そし
て好ましくは２〜１２個の炭素原子を有することができ
る。これらの単量体の例は、エチレン、プロピレン、１
−ブテン、１−ヘキセン、４−メチル−１−ペンテン及
び１−オクテンのようなα−オレフィン、酢酸ビニル、
アクリル酸エチル、アクリル酸メチル、メタクリル酸メ
チル、アクリル酸ｔ−ブチル、アクリル酸ｎ−ブチル、
メタクリル酸ｎ−ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシ
ル及び他のアクリル酸アルキルのような不飽和エステ
ル、１，４−ペンタジエン、１，３−ヘキサジエン、
１，５−ヘキサジエン、１，４−オクタジエン及びエチ
リデンノルボルネン（通常、三元重合体における第三単
量体）のようなジオレフィン、スチレン、ｐ−メチルス
チレン、α−メチルスチレン、ｐ−クロルスチレン、ビ
ニルナフタリン及び同様のアリールオレフィンのような
他の単量体、アクリロニトリル、メタクリロニトリル及
びα−クロルアクリロニトリルのようなニトリル、ビニ
ルメチルケトン、ビニルメチルエーテル、塩化ビニリデ
ン、無水マレイン酸、塩化ビニル、塩化ビニリデン、ビ
ニルアルコール、テトラフルオルエチレン及びクロルト
リフルオルエチレン、並びにアクリル酸、メタクリル酸
及び他の同様の不飽和酸である。ポリオレフィンの中に
は、水素化スチレン−ブタジエン共重合体を含めること
もできる。
【０００６】上に挙げたホモ重合体及び共重合体は、未
ハロゲン化であってよく、又は通常の態様において一般
には塩素若しくは臭素でハロゲン化させることもでき
る。ハロゲン化重合体の例は、ポリ塩化ビニル、ポリ塩
化ビニリデン及びポリテトラフルオルエチレンである。
エチレン及びプロピレンのホモ重合体及び共重合体は、
未ハロゲン化形態及びハロゲン化形態の両方とも好まし
い。この好ましい群の中には、エチレン／プロピレン／
ジエン単量体ゴムのような三元重合体が包含される。
【０００７】ポリプロピレンに関して言えば、ホモ重合
体及びプロピレンと１種以上の他のα−オレフィンとの
共重合体であってプロピレンに基づく共重合体の部分が
共重合体の重量を基にして少なくとも約６０重量％であ
るような共重合体を使用して本発明のポリオレフィンを
提供することができる。ポリプロピレンは、米国特許第
４４１４１３２号に記載される方法のような慣用法によ
って製造することができる。共重合体中のα−オレフィ
ンは、２又は４〜１２個の炭素原子を有するものである
のが好ましい。
【０００８】ポリエチレンは、一般には、エチレンのホ
モ重合体又はエチレンと１種以上の不飽和共単量体との
共重合体と定義することができる。それらは、通常の高
圧法又は低圧法によって製造することができる。一般に
は、共重合体の製造に有用な単量体は、３〜２０個の炭
素原子好ましくは３〜１２個の炭素原子を有する。先に
記載したように、これらの単量体の例は、プロピレン、
１−ブテン、１−ヘキセン、４−メチル−１−ペンテン
及び１−オクテンのようなα−オレフィン、酢酸ビニ
ル、アクリル酸エチル、アクリル酸メチル、メタクリル
酸メチル、アクリル酸ｔ−ブチル、アクリル酸ｎ−ブチ
ル、メタクリル酸ｎ−ブチル、アクリル酸２−エチルヘ
キシル及び他のアクリル酸アルキルのような不飽和エス
テル、１，４−ペンタジエン、１，３−ヘキサジエン、
１，５−ヘキサジエン、１，４−オクタジエン及びエチ
リデンノルボルネン（通常、これらは三元重合体におけ
る第三単量体）のようなジオレフィンである。
【０００９】本明細書では、エチレンのホモ重合体又は
エチレンが主要の共単量体であるような共重合体並びに
プロピレンのホモ重合体又はプロピレンが主要の共単量
体であるような共重合体を、それぞれ、ポリエチレン及
びプロピレンとして挙げることができる。
【００１０】ポリエチレンは、例えば、０．９１５〜約
０．９５５ｇ／ｃｍ3 の範囲内の密度及び約０．１〜約
１００ｇ／１０分の範囲内のメルトインデックスを有す
る高圧法ポリエチレンであってよい。高圧法ポリエチレ
ン及びその製造法は周知であり、そしてスチル、ウイリ
ー及びサンズ氏の「Introduction to Polymer Chemistr
y 」（ニューヨーク、１９６２）の第１４９〜１５３頁
に説明されている。メルトインデックスは、ＡＳＴＭ
Ｄ−１２３８の条件Ｅに従って１９０℃で測定される。
【００１１】また、ポリエチレンは、例えば、０．９１
５〜約０．９２５ｇ／ｃｍ3 の範囲内の密度及び約０．
１〜約１００ｇ／１０分の範囲内のメルトインデックス
を有する線状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）又は極
低密度ポリエチレン（ＶＬＤＰＥ）（これも線状であ
る）であってよい。線状低密度ポリエチレン及び極低密
度ポリエチレン並びにそれらの製造法も文献に記載され
ており、例えば線状低密度ポリエチレンは米国特許第４
１０１４４５号に記載されている。
【００１２】ＶＬＤＰＥが好ましい。それは、エチレン
と３〜１２個の炭素原子好ましくは３〜８個の炭素原子
を有する少なくとも１種のα−オレフィンとの共重合体
であってよい。ＶＬＤＰＥの密度は、０．９１５ｇ／ｃ
ｍ3 以下そして好ましくはせいぜい０．８６０ｇ／ｃｍ
3 である。それは、例えば、（ｉ）クロム及びチタンを
含有する触媒、（ii）マグネシウム、チタン、ハロゲン
及び電子ドナーを含有する触媒、又は（iii ）バナジウ
ム、電子ドナー、アルキルアルミニウムハライド変性剤
及びハロ炭化水素促進剤を含有する触媒の存在下に製造
することができる。ＶＬＤＰＥを製造するための触媒及
び方法は、米国特許第４１０１４４５号、米国特許第４
３０２５６５号及びヨーロッパ特許出願第１２０５０１
号にそれぞれ記載されている。
【００１３】ＶＬＤＰＥのメルトインデックスは、約
０．１〜約５０ｇ／１０分の範囲内であってよくそして
好ましくは約０．４〜約１０ｇ／１０分の範囲内であ
る。エチレン以外の共単量体に基づくＶＬＤＰＥの部分
は、共重合体の重量を基にして約１〜約４９重量％の範
囲内であってよくそして好ましくは約１５〜約４０重量
％の範囲内である。第三共単量体は、エチリデンノルボ
ルネン、ブタジエン、１，４−ヘキサジエン及びジシク
ロペンタジエンのようなジエンであってよい。この第三
共単量体は、共重合体の重量を基にして約１〜１５重量
％の量で存在してよくそして好ましくは約１〜約１０重
量％の量で存在する。共重合体は、エチレンを含めて２
種又は３種の共単量体を含有するのが好ましい。
【００１４】有機ペルオキシドは、１０分の半減期で１
００〜２２０℃の分解温度を有するのが好ましく、そし
て次の化合物（カッコ内の数はそれらの分解温度（℃）
である）、コハク酸ペルオキシド（１１０）、ベンゾイ
ルペルオキシド（１１０）、ｔ−ブチルペルオキシ−２
−ヘキサノエート（１１３）、ｐ−クロルベンゾイルペ
ルオキシド（１１５）、ｔ−ブチルペルオキシイソブチ
レート（１１５）、ｔ−ブチルペルオキシイソプロピル
カーボネート（１３５）、ｔ−ブチルペルオキシラウレ
ート（１４０）、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ベン
ゾイルペルオキシ）ヘキサン（１４０）、ｔ−ブチルペ
ルオキシアセテート（１４０）、ジ−ｔ−ブチルジペル
オキシフタレート（１４０）、ｔ−ブチルペルオキシマ
レイン酸（１４０）、シクロヘキサノンペルオキシド
（１４５）、ｔ−ブチルペルオキシベンゾエート（１４
５）、ジクミルペルオキシド（１５０）、２，５−ジメ
チル−２，５−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）ヘキサン
（１５５）、ｔ−ブチルクミルペルオキシド（１５
５）、ｔ−ブチルヒドロペルオキシド（１５８）、ジ−
ｔ−ブチルペルオキシド（１６０）、２，５−ジメチル
−２，５−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）ヘキシン−３
（１７０）及びα、−α’−ビス−ｔ−ブチルペルオキ
シ−１，４−ジイソプロピルベンゼン（１６０）によっ
て例示される。
【００１５】少なくとも２個そして好ましくは３個の不
飽和基を含有するエステル、エーテル又はケトンは、例
えば、シアヌレート、イソシアヌレート、ホスフェー
ト、オルトホーメート、脂肪族若しくは芳香族エーテル
又はベンゼントリカルボン酸のアリルエステルであって
よい。エステル、エーテル又はケトン中の炭素原子の数
は、９〜４０又はそれ以上であってよくそして好ましく
は９〜２０である。好ましいエステル、エーテル及びケ
トンは、貯蔵温度において本質上不揮発性であり、そし
て不飽和基は好ましくはアリル基である。具体的な例
は、トリアリルシアヌレート（ＴＡＣ）（これが好まし
い）、トリアリル−１，３，５−トリアジン−２，４，
６（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）トリオン（トリアリルイソシア
ヌレート（ＴＡＩＣ）としても知られる）、トリアリル
ホスフェート、トリアリルオルトホーメート、テトラア
リルオキシエタン、トリアリールベンゼン−１，３，５
−トリカルボキシレート、亜鉛ジメタクリレート、エト
キシル化ビスフェノールＡジメタクリレート、Ｃ14又は
Ｃ15の平均鎖長を持つ単量体で停止されたメタクリレー
ト、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペン
タエリスリトールペンタアクリレート、ペンタエリスリ
トールトリアクリレート、ジメチロールプロパンテトラ
アクリレート、エトキシル化トリメチロールプロパント
リアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレ
ート及び２，４，６−トリアリル−１，３，５−トリオ
ンである。また、米国特許第４０１８８５２号を参照さ
れたい。
【００１６】ＴＡＣ及びＴＡＩＣの構造式は次の通りで
ある。
【化１】
【００１７】第四の成分は、式 ＣＨ2 ＝Ｃ（Ｒ）−ＣＯＯＲ1 Ｒ2 ［式中、Ｒは水素、メチル又はエチルであり、Ｒ1 は１
〜６個の炭素原子を有するアルキレンであり、Ｒ2 は８
個以上の炭素原子を有するアルキル又はＳｉ（Ｒ3 ）3
（ここでＲ3 は水素又は１〜６個の炭素原子を有するア
ルコキシであって、各Ｒ3 は同種又は異種であり、そし
て少なくとも１個のＲ3 はアルコキシである）である］
を有するビニルエステルである。
【００１８】好適なビニルエステルの例は、メタクリル
酸ラウリル（これが好ましい）、メタクリル酸ミリスチ
ル、メタクリル酸パルミチル、メタクリル酸ステアリ
ル、３−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラ
ン、３−メタクリルオキシプロピルトリエトキシシラ
ン、メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸ｎ−ヘ
キシル、メタクリル酸イソデシル、メタクリル酸２−メ
トキシエチル、メタクリル酸テトラヒドロフルフリル、
メタクリル酸オクチル、メタクリル酸２−フェノキシエ
チル、メタクリル酸イソボルニル、メタクリル酸イソオ
クチル、メタクリル酸オクチル及びメタクリル酸オレイ
ルである。
【００１９】好ましくは、ＲはＣＨ3 であり、Ｒ1 は１
〜４個の炭素原子を有し、Ｒ2 のアルキルは８〜１８個
の炭素原子を有し、そしてＲ3 のアルコキシは１〜４個
の炭素原子を有する。
【００２０】ポリエチレン１００重量部を基にして、化
合物の割合はほぼ次の通りであってよい。 成分 広い範囲 好ましい範囲 重量部 （ii） 有機ペルオキシド ０．２〜２．０ ０．５〜１．４ （iii ）不飽和化合物 ０．１〜１．８ ０．２〜０．８ （iv） ビニル化合物 ０．１〜２．０ ０．５〜１．５
【００２１】これらの割合は、所望の特性に応じて上記
の範囲の外に変動してもよいことを理解されたい。例え
ば、電線ケーブル用途において低い誘電正接を得るため
に、アリル化合物の量を減じそしてペルオキシドの量を
増やすことができる。また、熱老化特性や引張特性のよ
うな他の特性を得るために変動を考慮することもでき
る。
【００２２】本発明の方法は、例えば一軸スクリュー型
又は二軸スクリュー型の様々な種類の押出機で実施する
ことができる。通常の押出機についての説明は、米国特
許第４８５７６００号に見い出すことができる。典型的
な押出機は、その上流端にホッパーそしてその下流端に
ダイを有する。ホッパーは、スクリューを収容するバレ
ルに原料を供給する。下流端では、スクリューの端部と
ダイとの間にスクリーンパック及びブレーカープレート
が配置される。押出機のスクリュー部には後方加熱帯域
及び前方加熱帯域があり、そして各区域及び帯域は上流
から下流へと走っている。別法として、軸に沿って上流
から下流へと走る複数の加熱帯域（２つ以上の）が存在
してもよい。もしもそれが１つよりも多くのバレルを有
するならば、それらのバレルは連続して連結させること
ができる。各バレルの長さ対直径比は約１５：１〜約３
０：１の範囲内である。本発明の目的に対しては、用語
「押出機」は、通常の押出機の他に、（ｉ）押出機のダ
イがインゼクターと類似しているところの射出成形装
置、及び（ii）押出機、クロスヘッド、ダイ及び物質の
更なる成形を行うことができるところの加熱又は冷却帯
域の組み合せを包含することが理解されよう。加熱又は
冷却帯域はダイの次に配置され、そして例えば炉であっ
てよい。電線被覆において、材料が押出後に架橋される
場合には、クロスヘッドのダイは加熱帯域に原料を直接
供給し、そしてこの帯域は約１３０℃〜約２６０℃の範
囲内そして好ましくは約１７０〜約２２０℃の範囲内の
温度で維持されることができる。同じ温度範囲を射出成
形で使用することができる。被覆しようとする電線は、
電導体又は光学繊維材料例えばガラス繊維のような通信
用の任意の媒体であってよい。
【００２３】押出物は、次いで、それを有機ペルオキシ
ドの分解温度よりも高い温度に暴露することによって架
橋される。好ましくは、使用されるペルオキシドは４又
はそれ以上の半減期を経て分解される。架橋は、例え
ば、炉又は連続的な加硫化可能な管において達成するこ
とができる。
【００２４】加工処理の前又はその間のどちらでも重合
体に慣用の添加剤を加えることができる。添加剤の量
は、通常、樹脂の重量を基にして約０．０１〜約５０％
の範囲内である。有用な添加剤は、酸化防止剤、赤外線
吸収剤、帯電防止剤、顔料、カーボンブラック、染料、
充填剤、スリップ剤、難燃剤、可塑剤、加工助剤、滑
剤、安定剤、煤煙抑制剤、ハロゲンスカベンジャー、流
動助剤、粘度調整剤等である。
【００２５】
【発明の効果】本発明の利益は、共重合体のスコーチが
少なくなり、有効押出温度が高くなり、分子量の減成が
少なくなり、ペルオキシドの発汗によって樹脂の粉立ち
が少なくなり、そして好適な環境下において電線又はケ
ーブルを連続式加硫炉に通す処理量が高くなることであ
る。
【００２６】本明細書では特許及び他の文献について記
載したが、必要ならばこれらの文献を参照されたい。
【００２７】
【実施例】本発明を次の実施例によって例示するが、こ
れらの実施例は本発明を限定するものではない。
【００２８】例１〜１１ 各例で使用した物質は、樹脂を流動させるに要する最低
温度（一般には１３０℃又はそれ以下）に加熱された二
本ロールミル又は商品名「ＢｒａｂｅｎｄｅｒＰｌａｓ
ｔｉｃｏｒｄｅｒ」ミキサーの如き他のミキサーで混合
された。各例で使用した樹脂は、０．３５重量％の酸化
防止剤及び０．３５重量％のＤＳＴＤＰ（ジステアリル
チオジプロピオネート）を含有していた。これらの添加
剤は、すべての他の物質の添加前に添加された。流動後
に、成分（iii ）及び（iv）を加えそして混合した。最
後に、ペルオキシドを加えて混合した。酸化防止剤は、
チオジエチレンビス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒ
ドロキシヒドロシンナメート）であった。分及びインチ
−ポンド単位のレオメーター値を得るために、１８２℃
又は１９７℃（例４及び１１のみ）で０．５度の弧にわ
たって振動する商品名「Ｍｏｎｓａｎｔｏ Ｒｈｅｏｍ
ｅｔｅｒ ２０００」を使用した。このモンサントレオ
メーターの試験操作は、米国特許第４０１８８５２号に
記載されている。上記組成物を約６ｇ含有する物質を、
約１３０℃でプレスした０．１２５インチプラックから
切断した円板としてレオメーターに加えた。結果は、
（ａ）レオメーターがレオメーター曲線に見られる最低
値を１インチ−ポンド越えるのに要する分単位の時間
（表では“時間”と称されている）及び（ｂ）レオメー
ターが時間に関係なく一定になるときのインチ−ポンド
単位の値（表では“レオメーター”の下側に“最大値”
として記載されている）として報告される。
【００２９】スコーチを成功下に回避する組成物は、時
間が１．１分よりも大きいところのものである。たいて
いの用途には、少なくとも２．５インチ−ポンドのレオ
メーター最大値が望ましい。好ましくは、“時間”は予
想時間よりも大きくなるべきである。“予想時間”は、
成分（iii ）及び（iv）を使用しないときに各例につい
て予想される時間である。それは、次のようにして計算
される。ペルオキシド及び重合体の各組み合せについ
て、興味ある濃度範囲にわたる濃度を持つ３〜１０種の
混合物を調製し、そして商品名「Ｍｏｎｓａｎｔｏ Ｒ
ｈｅｏｍｅｔｅｒ２０００」において適当な温度で０．
５0 弧を使用してそれらのレオメーター曲線を測定す
る。レオメーター曲線で描かれた実験点、例えば、その
温度即ち“時間”でペルオキシドの１０の半減期を許容
する時間幅の間で得られるインチ−ポンド単位の最大値
に指数式を適応する。次いで、これらのデータを使用し
てレオメーター最大値と“時間”との間の関係を展開さ
せる。かくして、簡単なペルオキシド含有重合体系で
は、予想曲線の範囲内に包含される所定のレオメーター
最大値に相当する“時間”を予想することができる。表
の比較は、垂直方向（例と例との間）ではなく水平方向
（各例内）で行われるべきである。
【００３０】表では、各物質は次のような記号によって
表わされている。 Ｉ．成分（ｉ）： Ａ＝０．８８４ｇ／ｃｃの密度、０．４ｇ／１０分のＭ
Ｉ及び４０のＭＦＲを有するエチレンと１−ブテンとの
共重合体 Ｂ＝０．９０５ｇ／ｃｃの密度、４ｇ／１０分のＭＩ及
び４０のＭＦＲを有するエチレンと１−ヘキセンとの共
重合体 Ｃ＝０．９０５ｇ／ｃｃの密度、４ｇ／１０分のＭＩ及
び４０のＭＦＲを有するエチレンと１−ブテンとの共重
合体 Ｄ＝０．９００ｇ／ｃｃの密度、２５ｇ／１０分のＭＩ
及び６０のＭＦＲを有するエチレンと１−ブテンとの共
重合体 Ｅ＝０．９００ｇ／ｃｃの密度、１ｇ／１０分のＭＩ及
び４０のＭＦＲを有するエチレンと１−ブテンとの共重
合体 註： ＭＩ＝ＡＳＴＭ Ｄ−１２３８の条件Ｅの下に１９０℃
及び２．１６ｋｇで測定したメルトインデックス ＦＩ＝ＡＳＴＭ Ｄ−１２３８の条件Ｆの下に１９０℃
及び２．１６ｋｇで測定したフローインデックス ＭＦＲ＝フローインデックス対メルトインデックスの比
であるメルトフロー比 II：成分（ii）： Ｆ＝ジクミルペルオキシド Ｇ＝２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルペルオ
キシ）−３−ヘキシン Ｈ＝α，α’−（ビス−ｔ−ブチルペルオキシ）ジイソ
プロピルベンゼン Ｊ＝ｔ−ブチルクミルペルオキシド III ：成分（iii ） ＴＡＣ＝トリアリルシアヌレート ＴＡＩＣ＝トリアリルイソシアヌレート ＥＢＡＤ＝エトキシル化ビスフェノールＡジメタクリレ
ート IV：成分（iv） ＬＭ＝メタクリル酸ラウリル ＭＯＰＴＭＳ＝３−メタクリルオキシプロピルトリメト
キシシラン ＳＭ＝メタクリル酸ステアリル
【００３１】
【表１】
【表２】
【表３】
【表４】
【表５】

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 （ａ）反応器に架橋条件下に、（ｉ）１
    種以上のポリオレフィン、（ii）有機ペルオキシド、
    （iii ）２個以上の不飽和基を含有するエステル、エー
    テル又はケトン、及び（iv）式 ＣＨ2 ＝Ｃ（Ｒ）−ＣＯＯＲ1 Ｒ2 ［式中、Ｒは水素、メチル又はエチルであり、Ｒ1 は１
    〜６個の炭素原子を有するアルキレンであり、Ｒ2 は８
    個以上の炭素原子を有するアルキル又はＳｉ（Ｒ3 ）3
    （ここでＲ3 は水素又は１〜６個の炭素原子を有するア
    ルコキシであって、各Ｒ3 は同種又は異種であり、そし
    て少なくとも１個のＲ3 はアルコキシである）である］
    を有する化合物を含む混合物を導入し、そして（ｂ）ポ
    リオレフィンを架橋させることを含む架橋法。
  2. 【請求項２】 成分（iii ）がトリアリルシアヌレート
    である請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 成分（iv）がメタクリル酸ラウリルであ
    る請求項１記載の方法。
  4. 【請求項４】 請求項１記載の生成物からなる層によっ
    て包囲された導電体又は通信媒体。
  5. 【請求項５】 （ａ）押出機に、（ｉ）ＶＬＤＰＥと、
    ＶＬＤＰＥ１００重量部当たり下記の割合の成分、 成分 重量部 （ii） ジクミルペルオキシド ０．２〜２．０ （iii ）トリアリルシアヌレート 又はトリアリルイソシアヌレート ０．１〜１．８ （iv） メタクリル酸ラウリル ０．１〜２．０ との混合物を導入し、（ｂ）混合物を約１３０℃〜約２
    ６０℃の範囲内の温度で押出しそして（ｃ）押出物を架
    橋させることを含む押出法。
  6. 【請求項６】 （ｉ）１種以上のポリオレフィン、（i
    i）有機ペルオキシド、（iii ）２個以上の不飽和基を
    含有するエステル、エーテル又はケトン、及び（iv）式 ＣＨ2 ＝Ｃ（Ｒ）−ＣＯＯＲ1 Ｒ2 ［式中、Ｒは水素、メチル又はエチルであり、Ｒ1 は１
    〜６個の炭素原子を有するアルキレンであり、Ｒ2 は８
    個以上の炭素原子を有するアルキル又はＳｉ（Ｒ3 ）3
    （ここでＲ3 は水素又は１〜６個の炭素原子を有するア
    ルコキシであって、各Ｒ3 は同種又は異種であり、そし
    て少なくとも１個のＲ3 はアルコキシである）である］
    を有する化合物を含む組成物。
  7. 【請求項７】 ポリオレフィンがポリエチレンである請
    求項６記載の組成物。
  8. 【請求項８】 （ｉ）ＶＬＤＰＥと、ＶＬＤＰＥ１００
    重量部当たり下記の割合の成分、 成分 重量部 （ii） ジクミルペルオキシド ０．２〜２．０ （iii ）トリアリルシアヌレート 又はトリアリルイソシアヌレート ０．１〜１．８ （iv） メタクリル酸ラウリル ０．１〜２．０ とを含む組成物。
  9. 【請求項９】 架橋状態にある請求項６記載の組成物か
    らなる層によって包囲された導電体又は通信媒体。
JP6090767A 1993-04-07 1994-04-06 架橋法 Expired - Lifetime JP2687204B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US043564 1993-04-07
US08/043,564 US5346961A (en) 1993-04-07 1993-04-07 Process for crosslinking

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06329810A true JPH06329810A (ja) 1994-11-29
JP2687204B2 JP2687204B2 (ja) 1997-12-08

Family

ID=21927798

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6090767A Expired - Lifetime JP2687204B2 (ja) 1993-04-07 1994-04-06 架橋法

Country Status (10)

Country Link
US (1) US5346961A (ja)
EP (1) EP0619330B1 (ja)
JP (1) JP2687204B2 (ja)
AT (1) ATE154368T1 (ja)
CA (1) CA2120683C (ja)
DE (1) DE69403718T2 (ja)
DK (1) DK0619330T3 (ja)
ES (1) ES2103516T3 (ja)
GR (1) GR3024301T3 (ja)
TW (1) TW268023B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015534589A (ja) * 2012-09-12 2015-12-03 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー 架橋性ポリマー組成物、その作製方法、およびそれから作製される物品

Families Citing this family (329)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI95038C (sv) 1993-04-26 1995-12-11 Optatech Oy Framställning av polyolefinbaserade termoplastiska elastomerer
US5578682A (en) * 1995-05-25 1996-11-26 Exxon Chemical Patents Inc. Bimodalization of polymer molecular weight distribution
EP0798575A3 (en) * 1996-03-25 2000-03-29 Rohm And Haas Company Flexible sheathing and cladding
US5837939A (en) * 1996-10-17 1998-11-17 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation Tree resistant cable
US6160048A (en) * 1997-10-03 2000-12-12 Mitsubishi Chemical Corporation Modified ethylene resin having improved wettability
US6054549A (en) * 1998-11-25 2000-04-25 Dow Corning Asia, Ltd. Alkenyl ether functional polyisobutylenes and methods for the preparation thereof
DE10155963A1 (de) * 2001-11-09 2003-05-22 Beiersdorf Ag Kosmetische und dermatologische Lichtschutzformulierungen mit einem Gehalt an Hydroxybenzophenonen, Triazin- und/oder Benzotriazol-Derivaten
WO2005010896A1 (en) * 2003-07-24 2005-02-03 Union Carbide Chemicals & Plastic Technology Corporation Cable insulation system with flexibility, high temperature deformation resistance, and reduced degree of stickiness
US7863522B2 (en) * 2006-12-20 2011-01-04 Dow Global Technologies Inc. Semi-conducting polymer compositions for the preparation of wire and cable
CA2680334C (en) 2007-03-15 2016-03-29 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Llc Cable insulation with reduced electrical treeing
EP2195378B1 (en) * 2007-09-25 2013-01-09 Dow Global Technologies LLC Styrenic polymers as blend components to control adhesion between olefinic substrates
CA2726607C (en) * 2008-06-05 2016-10-04 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Llc Method for producing water tree-resistant, trxlpe-type cable sheath
JP2011523968A (ja) * 2008-06-06 2011-08-25 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー ポリプロピレンおよびオレフィンインターポリマーの反応処理された高耐熱性組成物
EP2460841B1 (en) 2008-08-01 2016-07-13 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology LLC Silicone thermoplastic polymer reactive blends and copolymer products
US20100087602A1 (en) * 2008-10-08 2010-04-08 Fina Technology, Inc. Long chain branched polypropylene for cast film applications
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
BR112012015319B1 (pt) * 2009-12-21 2021-09-28 Union Carbide Corporation Composição e revestimento isolante para cabo de média voltagem
EP2374917B1 (en) 2010-04-07 2013-02-13 Dow Global Technologies LLC Artificial turf yarn
CN103068913B (zh) 2010-06-18 2014-10-01 联合碳化化学及塑料技术有限责任公司 导电烯烃多嵌段共聚物组合物
EP2582736B1 (en) 2010-06-18 2015-09-23 Dow Global Technologies LLC Electrically conductive, mesophase-separated olefin multiblock copolymer compositions
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
MX346263B (es) 2011-12-21 2017-03-13 Dow Global Technologies Llc Composiciones de interpolimero y metodos para fabricarlas.
CA2881021C (en) 2012-09-27 2020-09-22 Dow Global Technologies Llc Process for reducing peroxide migration in crosslinkable ethylene-based polymer compositions
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9522496B2 (en) * 2012-12-04 2016-12-20 Pexcor Manufacturing Company Inc. Production method of plastic pipe in layers
WO2014099543A1 (en) 2012-12-19 2014-06-26 Dow Global Technologies Llc Elastomer-based polymeric compositions having amorphous silica fillers
EP2945994B1 (en) 2013-01-18 2018-07-11 Basf Se Acrylic dispersion-based coating compositions
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US20150204027A1 (en) 2014-01-22 2015-07-23 Dow Global Technologies Llc Artificial turf filaments, and articles made therefrom
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
WO2015149222A1 (en) 2014-03-31 2015-10-08 Dow Global Technologies Llc Crosslinkable polymeric compositions with diallyl isocyanurate crosslinking coagents, methods for making the same, and articles made therefrom
WO2015149223A1 (en) 2014-03-31 2015-10-08 Dow Global Technologies Llc Crosslinkable polymeric compositions with diallylamide crosslinking coagents, methods for making the same, and articles made therefrom
MX2016014677A (es) 2014-05-13 2017-07-17 Dow Global Technologies Llc Composiciones polimericas reticulables con interpolimeros funcionalizados con amina, metodos para elaborar las mismas y articulos elaborados de las mismas.
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
CA2965306C (en) 2014-10-29 2023-02-28 Dow Global Technologies Llc Olefin block composite thermally conductive materials
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
KR102448281B1 (ko) * 2015-05-22 2022-09-29 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 가교결합된 절연층으로 케이블을 제조하는 방법 및 상기 케이블
MX2017015824A (es) 2015-06-11 2018-04-10 Dow Global Technologies Llc Aislamiento de cable que comprende una mezcla de polietileno de baja densidad (ldpe) y polipropileno.
MX2017015191A (es) 2015-06-16 2018-04-13 Dow Global Technologies Llc Retardante de prevulcanizacion/co-agente de curado hibrido.
MX2017015816A (es) 2015-06-17 2018-04-10 Dow Global Technologies Llc Composiciones de aislamiento de cables que comprenden un antioxidante que contiene fosforo.
BR112017026153B1 (pt) 2015-06-17 2022-05-10 Dow Global Technologies Llc Composição, processo de fabricação de um fio ou cabo isolado e fio ou cabo de baixa, média, alta ou extra alta tensão
US10221298B2 (en) 2015-06-17 2019-03-05 Dow Global Technologies Llc Cable insulation compositions comprising a sulfur-containing second antioxidant
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
MX2018002459A (es) 2015-09-02 2018-06-15 Dow Global Technologies Llc Aislamiento de cable reticulado flexible y metodos para hacer el aislamiento de cable reticulado flexible.
JP6804519B6 (ja) 2015-09-02 2021-01-20 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー 可撓性架橋ケーブル絶縁体、及び可撓性架橋ケーブル絶縁体を作製するための方法
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
WO2017074707A1 (en) 2015-10-29 2017-05-04 Dow Global Technologies Llc Crosslinkable polymeric compositions for flexible crosslinked cable insulation and methods for making flexible crosslinked cable insulation
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
BR112018069323B1 (pt) 2016-03-30 2022-08-09 Dow Global Technologies Llc Composição polimérica reticulável, artigo polimérico reticulado e alma de cabo
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
CN109937233B (zh) 2016-11-16 2021-11-09 陶氏环球技术有限责任公司 具有损耗因子和添加剂接受性的平衡的组合物
WO2018102242A1 (en) 2016-12-01 2018-06-07 Dow Global Technologies Llc Peroxide-curable polyolefin composition
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
TWI688597B (zh) 2017-02-28 2020-03-21 美商陶氏全球科技有限責任公司 乙烯-α-烯烴共聚物-磷酸三烯丙酯組合物
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10858508B2 (en) 2017-04-26 2020-12-08 Union Carbide Corporation Polyolefin blend with unique microphase structure
EP3615608B1 (en) 2017-04-27 2024-07-17 Dow Global Technologies LLC Polyethylene blend composition
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
TWI805586B (zh) 2017-06-29 2023-06-21 美商陶氏全球科技有限責任公司 可交聯組合物、製品以及導電方法
CA3068492A1 (en) 2017-06-29 2019-01-03 Dow Global Technologies Llc Polyolefin composition
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
JP7261788B2 (ja) 2017-07-31 2023-04-20 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー 末端および内部不飽和の新規な分布を有するエチレン系ポリマー
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
MX2020001529A (es) 2017-08-29 2020-03-20 Dow Global Technologies Llc Composicion de polietileno con retardantes de la arborizacion.
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
WO2019046088A1 (en) 2017-08-30 2019-03-07 Dow Global Technologies Llc POLYOLEFIN FORMULATIONS CONTAINING PEROXIDE
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
EP3676321B1 (en) 2017-08-30 2022-07-06 Dow Global Technologies LLC Peroxide containing polyolefin formulation
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
CA3086048A1 (en) 2018-02-01 2019-08-08 Dow Global Technologies Llc Masterbatch with semi-crystalline polyolefin carrier resin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
MX2020007435A (es) 2018-02-01 2020-09-14 Dow Global Technologies Llc Mezcla madre con resina portadora de poliolefina semicristalina.
EP3747030B1 (en) 2018-02-02 2021-08-11 Basell Poliolefine Italia S.r.l. Polyolefin composition for cable insulation
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
WO2019178747A1 (en) 2018-03-20 2019-09-26 Dow Global Technologies Llc Polyolefin-and-polyvinylpyrrolidone formulation
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
TWI815868B (zh) 2018-03-28 2023-09-21 美商陶氏全球科技有限責任公司 極性有機共聚物及超低潤濕性碳黑之複合物
CN111971334B (zh) 2018-03-28 2023-08-18 陶氏环球技术有限责任公司 非极性有机聚合物和超低可湿性碳黑的复合物
MX2020009707A (es) 2018-03-28 2020-10-07 Dow Global Technologies Llc Compuesto de polimero organico no polar, polimero organico polar y negro de carbon de humectabilidad ultrabaja.
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
WO2020000341A1 (en) 2018-06-29 2020-01-02 Dow Global Technologies Llc Polyolefin formulation with poly (2-alkyl-2-oxazoline)
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) * 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) * 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
WO2021126671A1 (en) 2019-12-19 2021-06-24 Dow Global Technologies Llc Polyolefin composition
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
JP2023552043A (ja) 2020-10-30 2023-12-14 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー ポリオレフィン配合物
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
WO2023287619A1 (en) 2021-07-15 2023-01-19 Dow Global Technologies Llc High temperature, low scorch methods of making crosslinkable compound compositions and the compositions made thereby
CA3226691A1 (en) 2021-08-04 2023-02-09 Xindi Yu Polyolefin formulation containing crotophenone compound
US20240270936A1 (en) 2021-08-04 2024-08-15 Dow Global Technologies Llc Polyolefin formulation containing combination of voltage stabilizer compounds
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
TW202400702A (zh) 2022-06-16 2024-01-01 美商陶氏全球科技有限責任公司 製備可交聯化合物組成物之超高溫、低焦化方法
WO2024012575A1 (en) 2022-07-15 2024-01-18 Dow Global Technologies Llc Reversible crosslinked foam article and process

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US354490A (en) * 1886-12-14 Float and percolator for coffee-pots
US3699186A (en) * 1971-03-30 1972-10-17 Dart Ind Inc Polyolefins modified with unsaturated glycidyl compounds and polyacrylate compounds
US3954907A (en) * 1974-11-27 1976-05-04 Union Carbide Corporation Composition with selected vinyl compounds and process for avoiding scorching of ethylene polymer composition
US4018852A (en) * 1974-11-27 1977-04-19 Union Carbide Corporation Composition with triallyl compounds and process for avoiding scorching of ethylene polymer composition
JPS5837038A (ja) * 1981-08-27 1983-03-04 Dainichi Nippon Cables Ltd 耐水トリ−性に秀れた架橋された電気絶縁組成物
JPS61258848A (ja) * 1985-05-13 1986-11-17 Yazaki Corp ポリオレフイン系ゴム組成物
JPH0662817B2 (ja) * 1988-05-06 1994-08-17 ユニオン・カーバイド・コーポレーション 優れた耐熱老化性を有するｖｌｄｐｅ基材組成物
GB8818880D0 (en) * 1988-08-09 1988-09-14 Research Corp Ltd Modified polymers

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015534589A (ja) * 2012-09-12 2015-12-03 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー 架橋性ポリマー組成物、その作製方法、およびそれから作製される物品
JP2020196891A (ja) * 2012-09-12 2020-12-10 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー 架橋性ポリマー組成物、その作製方法、およびそれから作製される物品

Also Published As

Publication number Publication date
EP0619330A1 (en) 1994-10-12
CA2120683C (en) 1998-09-22
DE69403718T2 (de) 1997-10-30
CA2120683A1 (en) 1994-10-08
EP0619330B1 (en) 1997-06-11
TW268023B (ja) 1996-01-11
DE69403718D1 (de) 1997-07-17
JP2687204B2 (ja) 1997-12-08
ES2103516T3 (es) 1997-09-16
DK0619330T3 (da) 1997-09-01
US5346961A (en) 1994-09-13
GR3024301T3 (en) 1997-10-31
ATE154368T1 (de) 1997-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2687204B2 (ja) 架橋法
US5260363A (en) Organopolysiloxane/olefin copolymers
US8283420B2 (en) Crosslinkable polyethylene composition, method of making the same, and articles made therefrom
JP2004530741A (ja) ポリエチレン架橋性組成物
US6231978B1 (en) Crosslinkable polyethylene composition
JP2001354811A (ja) ポリエチレン架橋性組成物
EP1074580B1 (en) A polyethylene crosslinkable composition
EP0966000B1 (en) A polyethylene crosslinkable composition
US4873042A (en) Process for extruding a thermoplastic copolymer
CA2301305C (en) A polyethylene crosslinkable composition
US6180231B1 (en) Crosslinkable polyethylene composition
EP1088851B1 (en) A polyethylene crosslinkable composition
EP0965999B1 (en) A crosslinkable polyolefin composition
US6127482A (en) Crosslinkable polyethylene composition
EP1036805B1 (en) A polyethylene crosslinkable composition
JP3038547B2 (ja) 低分子ポリオレフィンの製造法
MXPA06007304A (en) Free-radical crosslinkable polymers:improved process for crosslinking and compositions
JPH05262934A (ja) ポリオレフィン系樹脂組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19970701