JPH06120184A - 洗浄装置 - Google Patents

洗浄装置

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JPH06120184A
JPH06120184A JP28939192A JP28939192A JPH06120184A JP H06120184 A JPH06120184 A JP H06120184A JP 28939192 A JP28939192 A JP 28939192A JP 28939192 A JP28939192 A JP 28939192A JP H06120184 A JPH06120184 A JP H06120184A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 被処理基板を回転することなくこれを洗浄す
る装置を提供する。 【構成】 被処理基板Ｗを洗浄する洗浄装置において、
被処理基板Ｗの側部を保持して固定する基板保持手段２
８を設け、これにより保持固定した基板Ｗの裏面を、例
えばブラシ５４を有する洗浄手段３０により洗浄する。
洗浄後は、乾燥を促進するために乾燥手段３２から温か
い乾燥気味を噴出する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体装置の製造工程において
は、被処理基板、例えば半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス
基板上にフォトリソグラフィー技術を用いて所定の回路
パターンの転写を行っており、このような操作を行うた
めに基板上にレジスト液を塗布するレジスト塗布装置、
これを露光する露光装置、露光されたレジスト液を現像
する現像装置等が使用される。これら装置による処理工
程中においては、製品の歩留まり向上の要請から一貫し
てパーティクルを排除しなければならない。例えば、露
光時において基板の裏面に粒径１μｍ程度のパーティク
ルが存在するだけでその分だけ基板が持ち上げられてフ
ォーカスエラーの発生原因となる。このようなパーティ
クルの付着は各処理装置にて基板のチャッキングが行わ
れるたびに発生する傾向にあることから、必要に応じて
洗浄装置により基板の裏面が洗浄されてパーティクルが
除去されている。
【０００３】このような洗浄装置は、図６に示すように
被処理基板としての例えば半導体ウエハＷを真空チャッ
クにより吸着保持しつつこれを回転させるスピンチャッ
ク２を有しており、この側部には、揺動可能になされた
アーム４の先端に回転ブラシ６を取り付けてなるブラシ
機構が設けられている。そして、この回転ブラシ６を回
転させつつ洗浄水を供給してウエハ表面を洗浄し、洗浄
後はウエハＷを高速回転させて水切り乾燥を行う。ま
た、この他の洗浄装置としては、ウエハ自体を回転させ
つつこれにジェット水や超音波を当てて洗浄する装置も
知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うにウエハ自体を回転させつつ洗浄を行う装置にあって
は、回転機構としてブラシ６を回転させる回転機構とス
ピンチャックよりなる回転機構を有し、特にスピンチャ
ック２等を高速回転させる回転機構が非常に大型化し、
大きな設置スペースを占有してしまうという改善点を有
していた。また、高速回転による水切り時に、飛散した
洗浄水がミスト化し、これがウエハの表の面に再付着す
るという改善点も有していた。本発明は、以上のような
問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたも
のである。本発明の目的は、被処理基板を回転すること
なく洗浄することができる洗浄装置を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、被処理基板を洗浄する洗浄装置におい
て、前記被処理基板の側部を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段により保持された前記被処理基板の面
を洗浄する洗浄手段と、前記洗浄手段により洗浄された
前記被処理基板の面を乾燥させる乾燥手段とを備えるよ
うに構成したものである。
【０００６】
【作用】本発明は、以上のように構成したので、被処理
基板の側部は基板保持手段により挟持されるように保持
され、この状態で例えば回転ブラシ等を有する洗浄手段
により基板面が洗浄されることになる。その後、基板面
に付着している洗浄液は、乾燥手段により乾燥されるこ
とになる。
【０００７】
【実施例】以下に、本発明に係る洗浄装置の一実施例を
添付図面に基づいて詳述する。図１は本発明に係る洗浄
装置の一実施例を示す構成図、図２は本発明の洗浄装置
が配置された基板処理システムの構成を示す図、図３は
本発明に用いる基板保持手段の動作を説明するための説
明図、図４は本発明に用いる洗浄手段の動作を説明する
ための説明図、図５は被処理基板に対する洗浄手段の動
作を説明するための説明図である。
【０００８】まず、本発明に係る洗浄装置８が配置され
る基板処理システム１０について説明する。この基板処
理システム１０は、その一側に被処理基板として例えば
８インチの半導体ウエハＷを収容する複数のカセットを
載置し、半導体ウエハを取出し・収納可能に構成したキ
ャリアステーション１２を有している。このシステムの
中央部には、ウエハを搬送するためにその長さ方向に移
動可能になされたメインアーム１４が２基設けられてお
り、この移送路の両側に各種処理装置が配置されてい
る。具体的には、この処理装置としては、キャリアステ
ーション１２側の側方には、半導体ウエハＷにレジスト
液を塗布するレジスト塗布装置１６が２台並設されると
共にメインアーム１４の搬送路を挟んでこの反対側には
半導体ウエハの表面を洗浄する洗浄装置８及び本発明に
係る洗浄装置８Ａが並設されている。この洗浄装置８，
８Ａの一側には、ウエハＷにフォトレジスト液を塗布す
る前に密着性を強化する目的でこれを疎水化処理するア
ドヒージョン装置１８や冷却用クーリング装置２０が適
宜積み重ねて配置されている。
【０００９】更に、この機器の側方には、接続用ユニッ
ト２２を介してホットプレートオーブンのような加熱装
置２４が横方向に配置されると共に高さ方向にも積み重
ねられている。そして、メインアーム１４の搬送路を挟
んでこの反対側にはウエハに塗布されたレジスト膜を現
像するための現像装置２６が２台並設されている。尚、
図示されてないが、これら現像装置２６の側部には、レ
ジスト膜に所定の微細パターンを露光するための露光装
置等が設けられる。このように構成された基板処理シス
テム１０に組み込まれる本発明の洗浄装置８Ａは、図
１、図３乃至図５に示すように被処理基板である半導体
ウエハＷの側部（周縁部）を保持する基板保持手段２８
と、ウエハＷの面を洗浄する洗浄手段３０と、洗浄後の
ウエハ面を乾燥させる乾燥手段３２とにより主に構成さ
れている。尚、後述するように本実施例においては、洗
浄手段３０と乾燥手段３２が兼用されることになる。
【００１０】具体的にはこの基板保持手段２８は、ウエ
ハＷの外周の円弧に沿って形成されてウエハの中心に対
して対向させて配置されたテフロン製、或いはセラミッ
ク製の、幅が１０〜６０ｍｍ程度の一対の保持部３４を
有しており、各保持部３４には相互に対向させて水平方
向に向けられた概ねＶ字状の保持溝３６が形成されてい
る。尚、保持部３４は、その両端部分でウエハＷに当接
保持するように形成してもよい。各保持部３４はアーム
部３８の上端に設けられており、このアーム部３８は図
示しない移動機構によりウエハＷの半径方向へ相互に接
近離間移動可能に構成されると共に上下方向へも移動可
能になされ、上記保持溝３６によりウエハの側部を保持
し得るように構成されている。そして、図３に示すよう
にメインアーム１４のウエハＷを保持する保持アーム部
４０には、上下動する一方の保持部３４の挿通を可能と
するために凹部４２が形成されている。尚、前記アーム
部４０の内側には、テフロン製或いはセラミック製の支
持部材４１が４個突設されておりウエハＷの周縁部裏面
を支持する。
【００１１】上記洗浄手段３０は、ウエハＷの裏面を洗
浄する回転ブラシ部４４と、これを回転させる回転機構
部４６とよりなる回転ブラシ機構４８により例えば構成
されている。回転ブラシ部４４は、ウエハの直径が例え
ば８インチの場合ウエハＷの半径より僅かに小さく形成
された直径１００ｍｍ程度の有底円筒容器状のブラシ本
体５０を有しており、このブラシ本体５０内にはブラシ
植板５２に起立させて植設した多数のナイロン製のブラ
シ５４が収容され、その上端は容器状の回転ブラシ部４
４の上端より僅かな長さだけ例えば２〜５ｍｍ程度上方
に突出されている。回転ブラシ部４４の底部５６とブラ
シ植板５２との間に形成される空間部は洗浄水ヘッダ５
８として構成されており、ブラシ植板５２に多数設けた
流通孔６０を介して後述するように下方より供給される
洗浄水をブラシ上端側へ供給し得るように構成される。
【００１２】そして、回転ブラシ部４４の底部５６の中
心には、洗浄水供給口６２が形成されると共にこの供給
口６２には内部が中空の通路６４として構成される回転
軸６６が連結されている。この回転駆動軸６６は、回転
機構部４６の円板状の偏心カム６８の偏心位置に軸受６
７を介して回転可能に支持されると共にこの回転駆動軸
６６には従動歯車７０が設けられており、この歯車７０
を、偏心カム６８に設けた駆動モータ７１の駆動軸に設
けた主動歯車７２に歯合させてブラシ本体５０をその周
方向へ回転すなわち自転し得るように構成されている。
【００１３】また、この偏心カム６８の中心は軸受７４
を介してカム支持軸７６に回転可能に支持されると共に
この偏心カム６８の周辺部とカム駆動モータ７８の回転
軸に取り付けたプーリ８０との間に連結ベルト８２を掛
け渡して偏心カム６８を回転し得るように構成されてい
る。従って、ブラシ本体５０は、自転しつつ偏心カム６
８の作用によって公転してウエハ裏面をブラッシング洗
浄し得るように構成されている。この場合、ブラシ本体
５０の直径やこの公転半径は、ブラシ５４がウエハ裏面
の周縁部のみを僅かに残して全域をカバーし得るように
設定する。そして、この回転機構部４６の全体は図示し
ない昇降手段により昇降可能になされている。
【００１４】また、上記回転駆動軸６６の下端部には、
気密性を保持しつつ回転可能なジョイント８４を介して
フレキシブル管８６が接続されると共にこのフレキシブ
ル管８６の下端は、洗浄水供給通路８８及び乾燥気体用
通路９０に連続された３方弁９２に接続されており、こ
の３方弁９２を切り換えることにより必要に応じて例え
ば純水のような洗浄水と例えば２００℃程度に加熱され
た乾燥用の窒素ガス或いは洗浄空気を選択的に供給し得
るように構成されている。従って、本実施例において
は、洗浄手段３０と乾燥手段３２とが兼用されることに
なる。
【００１５】洗浄水供給通路８８には、図示しない洗浄
水源が接続されると共に乾燥気体用通路９０には加熱手
段を備えた乾燥気体供給源（図示せず）が接続される。
また、回転ブラシ機構４８の上方、すなわち、ウエハＷ
の中心の上方に位置する部分には、例えばＮ2 ガス或い
は清浄空気等の清浄ガスを供給するガスノズル９４が設
けられており、このガスノズル９４はガス供給管９６を
介して清浄ガス源９８に連結されており、洗浄時に清浄
ガスを吹き出すことにより、洗浄液のミストがウエハの
表の面に巻き込まれることを防止している。そして、こ
のウエハＷの外周部に相当する部分には、例えばリング
状に開口された排気口１００が配置されると共にこの排
気口１００には排気ダクト１０２が接続されている。
【００１６】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。まず、被処理基板としての半導
体ウエハＷはキャリアステーション１２からメインアー
ム１４に受け渡され、これを本発明の洗浄装置８内に搬
送して表面を洗浄する。次にこの洗浄装置８Ａ内にて裏
面がブラッシング洗浄され、その後、乾燥される。乾燥
されたウエハＷはアドヒージョン装置１８にて疎水化処
理が施され、クーリング装置２０にて冷却された後、レ
ジスト塗布装置１６にてフォトレジスト液が塗布され
る。そして、レジスト膜が形成されたウエハＷは加熱装
置２４にて加熱されてベーキング処理が施された後、図
示しない露光装置にて所定のパターンがレジスト膜に露
光される。そして、露光後のウエハを現像装置２６内へ
収容し、ここで現像液により現像した後にリンス液によ
り現像液を洗い流し、現像処理を完了する。そして、こ
のウエハは加熱処理装置２４にて加熱されてベーキング
処理が施された後、カセット内に収納され、キャリアス
テーション１２から搬出されて、次の処理工程に向けて
移送されることになる。尚、上記ウエハの流れは単なる
一例を示したに過ぎず、必要に応じて適宜ウエハの裏面
洗浄が行われる。
【００１７】ここで、上記洗浄装置８Ａ内における洗浄
操作を詳述すると、まず、メインアーム１４に保持され
たウエハＷが洗浄装置８内に導入されると、ウエハＷの
下方より基板保持手段２８が上昇し、更にこれが相互に
近づくようにウエハ半径方向内方へ移動することにより
ウエハＷの側部が保持部３４により挟持されて保持固定
される。このようにウエハＷが保持固定された状態で回
転ブラシ機構４８を上昇させてブラシ５４の先端をウエ
ハＷの裏面に接触させ、駆動モータ７１を駆動させて回
転ブラシ部４４を自転しつつ洗浄を開始する。この時、
カム駆動モータ７８を回転駆動することにより偏心カム
６８はカム支持軸７６を中心として回転し、回転ブラシ
部４４を公転させる。従って、回転ブラシ部４４乃至ブ
ラシ５４は、図５に示すようにウエハＷの裏面を自転し
つつ公転して洗浄することになる。
【００１８】このブラシの回転と同時に３方弁９２を洗
浄水供給通路８８側へ切り換えて純水のような洗浄水を
洗浄水供給通路８８、フレキシブル管８６、回転駆動軸
６６の通路６４を介して回転ブラシ部４４の洗浄水ホル
ダ５８へ供給する。この洗浄水はブラシ植板５２の流通
孔６０を通って容器状のブラシ本体５０内へ流れ込み、
ブラシ５４の上端に接するウエハ裏面まで上昇してブラ
シ本体の上端から溢流することになる。このように、ウ
エハＷは完全に固定された状態でウエハ裏面に洗浄水を
供給しつつブラシ５４を自転させつつ公転させることに
よりウエハ裏面上のパーティクルは完成に排除乃至除去
される。この時の洗浄水の供給量は、例えば約２リット
ル／ｍｉｎ程度に設定し約３０秒程度の洗浄を行う。ま
た、この洗浄と同時に、ウエハＷの中心部上方に位置す
るガスノズル９４から常温の窒素ガスや清浄空気などの
洗浄ガスＧ１をウエハＷの表面に対して噴出し、洗浄時
にミストとなって巻き上がってくる洗浄水がウエハＷの
表面に付着することを阻止している。従って、洗浄によ
り跳ねて巻き上げられた洗浄水がウエハ表面に付着する
ことを抑制することができる。
【００１９】このようにして所定時間の洗浄が終了した
ならば、回転ブラシ部４４を僅かに降下させてブラシ５
４をウエハ裏面から離間させ、これと同時に３方弁９２
を洗浄水供給通路８８側から乾燥気体用通路９０に切り
換えて、所定の温度、例えば２００℃程度に加熱された
窒素ガス或いは清浄空気を乾燥気体として供給する。こ
の乾燥気体は、前述した洗浄水の流れと同じ経路を通っ
てブラシ本体５０から上方へ噴き出され、ウエハ裏面を
温風乾燥することになり、ウエハの乾燥が促進されてス
ループットが向上する。この場合、回転ブラシ部４４の
自転は停止してもよいが、偏心カム６８は駆動し続けて
公転移動を継続し、ウエハ裏面の全域に乾燥気体が当た
るようにする。この時の乾燥気体の流量、温度及び乾燥
時間は、ウエハ裏面が十分に乾燥するような条件に設定
する。
【００２０】このように、本実施例によれば、ウエハ自
体を基板保持手段２８により保持してこれを回転させる
ことなく固定状態で洗浄するようにしたので、スピンチ
ャック等の大型の回転機構を省略することができ、設置
スペースや占有スペースを大幅に削減することが可能と
なる。また、ウエハＷ自体を回転させない構造のため
に、ミストの飛散量も大幅に削減することが可能とな
り、ミストに伴う不具合を抑制することが可能となる。
尚、上記実施例にあっては、洗浄手段３０としてブラシ
５４を有する回転ブラシ機構４８を用いたが、これに限
定されず、例えば仰角が可変になされたジェットノズル
或いはウエハ裏面全域をカバーできる複数のジェットノ
ズルを有するジェット水洗浄機構や超音波洗浄機構を用
いるようにしてもよい。また、被処理基板としては、半
導体ウエハに限定されず、他の基板、例えばＬＣＤ用ガ
ラス基板等も適用し得るのは勿論である。
【００２１】尚、前記実施例では、回転ブラシ部４４を
自転させる機構として駆動モータ７１を使用したものに
ついて説明したが、従動歯車７０に歯合する歯車を偏心
カム６８の中心部に固着し、偏心カム６８の回転により
自転するように構成してもよい。更に、回転ブラシ部４
４に供給する洗浄水及び乾燥気体の流通路に、例えばス
クリュー等の回転力発生手段を配置し、洗浄水及び乾燥
気体自身の流通により自転するように構成してもよい。
また、ウエハ洗浄後、乾燥気体でウエハを乾燥する際、
回転ブラシ部４４、回転駆動軸６６、フレキシブル管８
６等内の洗浄水を一旦排出した後に、乾燥気体を供給す
るように構成してもよい。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の洗浄装置
によれば次のように優れた作用効果を発揮することがで
きる。被処理基板を固定した状態で洗浄するようにした
ので、従来必要とされたスピンチャック等の回転機構が
不要となり、その分装置を小型化して占有スペースを小
さくでき、コストの低減を図ることができる。また、被
処理基板を固定してあるので、従来装置のように回転に
伴うミストの発生量を大幅に抑制することができ、歩留
まりの向上に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る洗浄装置の一実施例を示す構成図
である。
【図２】本発明の洗浄装置が配置された基板処理システ
ムの構成を示す構成図である。
【図３】本発明に用いる基板保持手段の動作を説明する
ための説明図である。
【図４】本発明に用いる洗浄手段の動作を説明するため
の説明図である。
【図５】被処理基板に対する洗浄手段の動作を説明する
ための説明図である。
【図６】従来の洗浄装置の動作を説明するための説明図
である。
【符号の説明】 ８Ａ 洗浄装置 ２８ 基板保持手段 ３０ 洗浄手段 ３２ 乾燥手段 ３４ 保持部 ４４ 回転ブラシ部 ４６ 回転機構部 ４８ 回転ブラシ機構 ５０ ブラシ本体 ５４ ブラシ ６０ 流通孔 ６８ 偏心カム ８８ 洗浄水供給通路 ９０ 乾燥気体用通路 ９２ ３方弁 Ｗ 半導体ウエハ（被処理基板）

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被処理基板を洗浄する洗浄装置におい
    て、前記被処理基板の側部を保持する基板保持手段と、
    前記基板保持手段により保持された前記被処理基板の面
    を洗浄する洗浄手段と、前記洗浄手段により洗浄された
    前記被処理基板の面を乾燥させる乾燥手段とを備えたこ
    とを特徴とする洗浄装置。
  2. 【請求項２】 前記洗浄手段は、前記被処理基板の面と
    接して自転しつつ公転する回転ブラシ機構よりなること
    を特徴とする請求項１記載の洗浄装置。
JP28939192A 1992-10-02 1992-10-02 洗浄装置 Expired - Lifetime JP2877216B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28939192A JP2877216B2 (ja) 1992-10-02 1992-10-02 洗浄装置
US08/130,464 US5361449A (en) 1992-10-02 1993-10-01 Cleaning apparatus for cleaning reverse surface of semiconductor wafer
KR1019930020311A KR100241291B1 (ko) 1992-10-02 1993-10-02 반도체 웨이퍼의 이면 세정장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28939192A JP2877216B2 (ja) 1992-10-02 1992-10-02 洗浄装置

Publications (2)

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KR (1) KR100241291B1 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3035580U (ja) * 1996-09-09 1997-03-28 株式会社八紘エンジニアリング ディスク等の研磨加工体の洗滌装置
US6357457B1 (en) * 1998-03-16 2002-03-19 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning apparatus and method
KR100706235B1 (ko) * 2004-11-02 2007-04-11 삼성전자주식회사 브러시 웨팅 방법
JP2010184213A (ja) * 2009-02-13 2010-08-26 Seiko Instruments Inc 表面処理装置
JP2013179252A (ja) * 2012-02-09 2013-09-09 Tokyo Electron Ltd 基板処理ブラシ及び基板処理装置並びに基板処理方法
JP2017108144A (ja) * 2012-02-09 2017-06-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理ブラシ及び基板処理装置
CN110100710A (zh) * 2019-06-18 2019-08-09 徐州市贾汪区东雨园艺有限公司 一种用于菊花五色草种植的洒水设备
WO2023286635A1 (ja) * 2021-07-15 2023-01-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄装置

Families Citing this family (99)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6375741B2 (en) * 1991-03-06 2002-04-23 Timothy J. Reardon Semiconductor processing spray coating apparatus
US5224503A (en) * 1992-06-15 1993-07-06 Semitool, Inc. Centrifugal wafer carrier cleaning apparatus
US5518542A (en) * 1993-11-05 1996-05-21 Tokyo Electron Limited Double-sided substrate cleaning apparatus
JP3427111B2 (ja) * 1994-05-13 2003-07-14 株式会社ニコン 半導体製造装置、および、液晶表示素子製造用装置
TW316995B (ja) * 1995-01-19 1997-10-01 Tokyo Electron Co Ltd
JPH08257469A (ja) * 1995-01-24 1996-10-08 Canon Inc 基板回転装置および基板処理装置
JP3452676B2 (ja) * 1995-02-15 2003-09-29 宮崎沖電気株式会社 半導体ウエハ面のパーティクルの除去装置及びそれを用いた半導体ウエハ面のパーティクルの除去方法
JPH08238463A (ja) * 1995-03-03 1996-09-17 Ebara Corp 洗浄方法及び洗浄装置
TW317644B (ja) * 1996-01-26 1997-10-11 Tokyo Electron Co Ltd
US5927305A (en) * 1996-02-20 1999-07-27 Pre-Tech Co., Ltd. Cleaning apparatus
US6264752B1 (en) 1998-03-13 2001-07-24 Gary L. Curtis Reactor for processing a microelectronic workpiece
US6350319B1 (en) 1998-03-13 2002-02-26 Semitool, Inc. Micro-environment reactor for processing a workpiece
US6230753B1 (en) 1996-07-15 2001-05-15 Lam Research Corporation Wafer cleaning apparatus
US6413436B1 (en) * 1999-01-27 2002-07-02 Semitool, Inc. Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece
US5875507A (en) * 1996-07-15 1999-03-02 Oliver Design, Inc. Wafer cleaning apparatus
JP3571471B2 (ja) * 1996-09-03 2004-09-29 東京エレクトロン株式会社 処理方法，塗布現像処理システム及び処理システム
US6039059A (en) 1996-09-30 2000-03-21 Verteq, Inc. Wafer cleaning system
EP0837493B8 (en) * 1996-10-21 2007-11-07 Ebara Corporation Cleaning apparatus
GB2319888A (en) * 1996-11-30 1998-06-03 Ibm Brushes for cleaning substrates
KR100417648B1 (ko) * 1996-12-28 2004-04-06 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼 세정방법
JP3630524B2 (ja) * 1997-05-08 2005-03-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄装置
US5966766A (en) * 1997-10-06 1999-10-19 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus and method for cleaning semiconductor wafer
US5933902A (en) * 1997-11-18 1999-08-10 Frey; Bernhard M. Wafer cleaning system
TW386256B (en) * 1997-12-24 2000-04-01 United Microelectronics Corp Method for removing photoresistor
US6318385B1 (en) 1998-03-13 2001-11-20 Semitool, Inc. Micro-environment chamber and system for rinsing and drying a semiconductor workpiece
US20050217707A1 (en) * 1998-03-13 2005-10-06 Aegerter Brian K Selective processing of microelectronic workpiece surfaces
US6632292B1 (en) 1998-03-13 2003-10-14 Semitool, Inc. Selective treatment of microelectronic workpiece surfaces
US6423642B1 (en) 1998-03-13 2002-07-23 Semitool, Inc. Reactor for processing a semiconductor wafer
US6076217A (en) 1998-04-06 2000-06-20 Micron Technology, Inc. Brush alignment platform
US6125863A (en) * 1998-06-30 2000-10-03 Semitool, Inc. Offset rotor flat media processor
US6062239A (en) * 1998-06-30 2000-05-16 Semitool, Inc. Cross flow centrifugal processor
US6432214B2 (en) 1998-07-10 2002-08-13 Semitool, Inc. Cleaning apparatus
US6277203B1 (en) 1998-09-29 2001-08-21 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces
US6021789A (en) * 1998-11-10 2000-02-08 International Business Machines Corporation Wafer cleaning system with progressive megasonic wave
US7217325B2 (en) * 1999-01-22 2007-05-15 Semitool, Inc. System for processing a workpiece
US6680253B2 (en) 1999-01-22 2004-01-20 Semitool, Inc. Apparatus for processing a workpiece
US6548411B2 (en) 1999-01-22 2003-04-15 Semitool, Inc. Apparatus and methods for processing a workpiece
US6492284B2 (en) 1999-01-22 2002-12-10 Semitool, Inc. Reactor for processing a workpiece using sonic energy
US6511914B2 (en) 1999-01-22 2003-01-28 Semitool, Inc. Reactor for processing a workpiece using sonic energy
US6352595B1 (en) 1999-05-28 2002-03-05 Lam Research Corporation Method and system for cleaning a chemical mechanical polishing pad
US6711775B2 (en) 1999-06-10 2004-03-30 Lam Research Corporation System for cleaning a semiconductor wafer
US6405399B1 (en) 1999-06-25 2002-06-18 Lam Research Corporation Method and system of cleaning a wafer after chemical mechanical polishing or plasma processing
US6295683B1 (en) * 1999-12-09 2001-10-02 United Microelectronics Corp. Equipment for brushing the underside of a semiconductor wafer
US6286231B1 (en) 2000-01-12 2001-09-11 Semitool, Inc. Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying
JP3405312B2 (ja) * 2000-02-25 2003-05-12 日本電気株式会社 塗布膜除去装置
US6289550B1 (en) * 2000-03-10 2001-09-18 United Microelectronics Corp. Jet cleaning device for developing station
TW443577U (en) * 2000-03-10 2001-06-23 United Microelectronics Corp Spraying and washing apparatus for develop machine
US7234477B2 (en) * 2000-06-30 2007-06-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces
WO2002004887A1 (en) 2000-07-08 2002-01-17 Semitool, Inc. Methods and apparatus for processing microelectronic workpieces using metrology
US6800020B1 (en) 2000-10-02 2004-10-05 Lam Research Corporation Web-style pad conditioning system and methods for implementing the same
KR20020053584A (ko) * 2000-12-27 2002-07-05 한효용 Ｓａｗ 시스템의 린스 장치
US20020096195A1 (en) * 2001-01-04 2002-07-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for critical flow particle removal
JP2002217156A (ja) * 2001-01-16 2002-08-02 Hitachi Ltd ドライ洗浄装置
US20020096196A1 (en) * 2001-01-23 2002-07-25 Takayuki Toshima Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR100387526B1 (ko) * 2001-02-07 2003-06-18 삼성전자주식회사 반도체 제조장비의 웨이퍼 감지 오동작 방지장치
US20050061676A1 (en) * 2001-03-12 2005-03-24 Wilson Gregory J. System for electrochemically processing a workpiece
US6817057B2 (en) * 2001-08-30 2004-11-16 Micron Technology, Inc. Spindle chuck cleaner
DE10226808A1 (de) * 2002-06-15 2004-01-08 Wandres Gmbh Micro-Cleaning Vorrichtung zum Reinigen von insbesondere Lochungen aufweisenden Oberflächen
KR100457053B1 (ko) * 2002-07-30 2004-11-10 삼성전자주식회사 웨이퍼 세정 장치
US7632376B1 (en) 2002-09-30 2009-12-15 Lam Research Corporation Method and apparatus for atomic layer deposition (ALD) in a proximity system
US7383843B2 (en) * 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US7997288B2 (en) * 2002-09-30 2011-08-16 Lam Research Corporation Single phase proximity head having a controlled meniscus for treating a substrate
US8236382B2 (en) * 2002-09-30 2012-08-07 Lam Research Corporation Proximity substrate preparation sequence, and method, apparatus, and system for implementing the same
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US7045018B2 (en) * 2002-09-30 2006-05-16 Lam Research Corporation Substrate brush scrubbing and proximity cleaning-drying sequence using compatible chemistries, and method, apparatus, and system for implementing the same
US7198055B2 (en) * 2002-09-30 2007-04-03 Lam Research Corporation Meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold
US7293571B2 (en) 2002-09-30 2007-11-13 Lam Research Corporation Substrate proximity processing housing and insert for generating a fluid meniscus
US7614411B2 (en) 2002-09-30 2009-11-10 Lam Research Corporation Controls of ambient environment during wafer drying using proximity head
US7513262B2 (en) 2002-09-30 2009-04-07 Lam Research Corporation Substrate meniscus interface and methods for operation
US7389783B2 (en) 2002-09-30 2008-06-24 Lam Research Corporation Proximity meniscus manifold
US7153400B2 (en) * 2002-09-30 2006-12-26 Lam Research Corporation Apparatus and method for depositing and planarizing thin films of semiconductor wafers
US7675000B2 (en) * 2003-06-24 2010-03-09 Lam Research Corporation System method and apparatus for dry-in, dry-out, low defect laser dicing using proximity technology
US7353560B2 (en) * 2003-12-18 2008-04-08 Lam Research Corporation Proximity brush unit apparatus and method
US8062471B2 (en) * 2004-03-31 2011-11-22 Lam Research Corporation Proximity head heating method and apparatus
KR100620531B1 (ko) * 2004-12-30 2006-09-08 주식회사 선진일렉트로닉스 디스플레이 윈도우 세척용 지그 및 이를 이용한 세척방법
US7928366B2 (en) * 2006-10-06 2011-04-19 Lam Research Corporation Methods of and apparatus for accessing a process chamber using a dual zone gas injector with improved optical access
TWI352628B (en) * 2006-07-21 2011-11-21 Akrion Technologies Inc Nozzle for use in the megasonic cleaning of substr
US8813764B2 (en) 2009-05-29 2014-08-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for physical confinement of a liquid meniscus over a semiconductor wafer
JP4912916B2 (ja) * 2006-10-10 2012-04-11 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US8578953B2 (en) * 2006-12-20 2013-11-12 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and computer-readable storage medium
US8146902B2 (en) * 2006-12-21 2012-04-03 Lam Research Corporation Hybrid composite wafer carrier for wet clean equipment
KR100827365B1 (ko) * 2006-12-26 2008-05-06 세메스 주식회사 회전 척, 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US7975708B2 (en) * 2007-03-30 2011-07-12 Lam Research Corporation Proximity head with angled vacuum conduit system, apparatus and method
US8464736B1 (en) 2007-03-30 2013-06-18 Lam Research Corporation Reclaim chemistry
US8141566B2 (en) * 2007-06-19 2012-03-27 Lam Research Corporation System, method and apparatus for maintaining separation of liquids in a controlled meniscus
JP5096849B2 (ja) * 2007-09-13 2012-12-12 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP5583503B2 (ja) * 2010-07-14 2014-09-03 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、およびこれを備える塗布現像装置
US20120286481A1 (en) * 2011-05-13 2012-11-15 Lam Research Ag Device and process for liquid treatment of wafer shaped articles
CN103286084A (zh) * 2013-06-20 2013-09-11 三星高新电机（天津）有限公司 一种自动清扫装置
CN105097438B (zh) * 2014-05-23 2018-03-20 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种晶片背面清洗装置
CN104553251B (zh) * 2014-12-26 2017-01-04 东莞市智澳通用机械设备有限公司 一种背光源模块贴膜机的除尘装置
KR101629634B1 (ko) * 2015-12-15 2016-06-14 제너셈(주) Ｅｍｉ 실드용 버 제거 브러쉬장치
CN106040668B (zh) * 2016-05-27 2019-06-18 京东方科技集团股份有限公司 用于显示屏的除尘装置、除尘方法及相应的显示装置
TWI821887B (zh) * 2016-11-29 2023-11-11 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體
CN107671022A (zh) * 2017-09-29 2018-02-09 佛山汇众森泰科技有限公司 一种智能家电清洗装置
CN108499934A (zh) * 2018-03-29 2018-09-07 周应华 一种眼科用镜片清洁设备
CN109759361A (zh) * 2019-01-23 2019-05-17 王周连 一种光学镜片表面除尘装置及其使用方法
CN111468438A (zh) * 2020-04-29 2020-07-31 贵州大地春晖科技发展有限公司 一种化学机械抛光设备的清洗装置
CN111547511B (zh) * 2020-06-11 2021-10-15 深圳市晖通货运代理有限公司 一种快速清理切割打磨完成的玻璃增大摩擦的运输装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4064885A (en) * 1976-10-26 1977-12-27 Branson Ultrasonics Corporation Apparatus for cleaning workpieces by ultrasonic energy
JPS619838A (ja) * 1984-06-22 1986-01-17 Tanashin Denki Co ダビング用テ−プレコ−ダ
JPS6367243A (ja) * 1986-08-29 1988-03-26 東洋製罐株式会社 耐熱性紙容器の製造方法
JPS6314434A (ja) * 1986-07-04 1988-01-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板表面処理方法および装置
US5169408A (en) * 1990-01-26 1992-12-08 Fsi International, Inc. Apparatus for wafer processing with in situ rinse
JPH042117A (ja) * 1990-04-19 1992-01-07 Sony Corp 薬液処理装置
JP3241058B2 (ja) * 1991-03-28 2001-12-25 大日本スクリーン製造株式会社 回転式塗布装置及び回転式塗布方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3035580U (ja) * 1996-09-09 1997-03-28 株式会社八紘エンジニアリング ディスク等の研磨加工体の洗滌装置
US6357457B1 (en) * 1998-03-16 2002-03-19 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning apparatus and method
KR100706235B1 (ko) * 2004-11-02 2007-04-11 삼성전자주식회사 브러시 웨팅 방법
JP2010184213A (ja) * 2009-02-13 2010-08-26 Seiko Instruments Inc 表面処理装置
JP2013179252A (ja) * 2012-02-09 2013-09-09 Tokyo Electron Ltd 基板処理ブラシ及び基板処理装置並びに基板処理方法
JP2017108144A (ja) * 2012-02-09 2017-06-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理ブラシ及び基板処理装置
CN110100710A (zh) * 2019-06-18 2019-08-09 徐州市贾汪区东雨园艺有限公司 一种用于菊花五色草种植的洒水设备
WO2023286635A1 (ja) * 2021-07-15 2023-01-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR940010225A (ko) 1994-05-24
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KR100241291B1 (ko) 2000-02-01
US5361449A (en) 1994-11-08

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