JP2017108144A - 基板処理ブラシ及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
ことにした。
19 制御手段
29 研磨ブラシ
31 基台
32 研磨部材
33 ベース体
34 緩衝体
36 処理液供給口
37 排液溝
Claims (11)
- 基板から除去対象物を除去するための基板処理ブラシにおいて、
回転軸に接続した基台と、
前記基台に取付けられ、回転方向に向けて等間隔をあけて複数個配置したブラシ本体と、
前記基台の中央部に形成され、前記ブラシ本体に処理液を供給する1つの処理液供給口と、
隣接する前記ブラシ本体の間に前記基台の回転中心から外周へ向けて放射状に形成されており、前記1つの処理液供給口と前記ブラシ本体の外周外方とを連通し、前記1つの処理液供給口から供給された処理液を前記ブラシ本体の外方へ排出する排液溝と、
を有し、
前記ブラシ本体は、外周部及び内周部を下向き凸状に形成して、外周部及び内周部に前記基板との接触面を形成するとともに、外周部と内周部との間に前記基板に接触しない非接触面を形成し、前記接触面の面積よりも前記非接触面の面積を広くしたことを特徴とする基板処理ブラシ。 - 前記基台は、前記回転軸に接続した剛体からなるベース体と、前記ベース体とブラシ本体との間に介設した前記ブラシ本体よりも硬度の低い弾性体からなる緩衝体とを有することを特徴とする請求項1に記載の基板処理ブラシ。
- 基板から除去対象物を除去するための基板処理ブラシにおいて、
回転軸に接続した基台と、
前記基台に取付けられ、回転方向に向けて等間隔をあけて複数個配置したブラシ本体と、
前記基台の中央部に形成され、前記ブラシ本体に処理液を供給する1つの処理液供給口と、
隣接する前記ブラシ本体の間に前記基台の回転中心から外周へ向けて放射状に形成されており、前記1つの処理液供給口と前記ブラシ本体の外周外方とを連通し、前記1つの処理液供給口から供給された処理液を前記ブラシ本体の外方へ排出する排液溝と、
を有し、
前記ブラシ本体は、外周部及び内周部を下向き凸状に形成して、外周部及び内周部に前記基板との接触面を形成するとともに、外周部と内周部との間に前記基板に接触しない非接触面を形成し、前記外周部の接触面の高さを前記内周部の接触面の高さよりも高くしたことを特徴とする基板処理ブラシ。 - 前記ブラシ本体は、前記接触面の面積よりも前記非接触面の面積を広くしたことを特徴とする請求項3に記載の基板処理ブラシ。
- 前記ブラシ本体は、前記基板との接触面の面積よりも前記基台との取付面の面積を大きくしたことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載の基板処理ブラシ。
- 前記排液溝を前記基台の回転中心から外周へ向けて拡幅させたことを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれかに記載の基板処理ブラシ。
- 前記排液溝を前記基台の回転方向に向けて傾斜させたことを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれかに記載の基板処理ブラシ。
- 回転する基板処理ブラシを用いて基板から除去対象物を除去するための基板処理装置において、
前記基板処理ブラシは、
回転軸に接続した基台と、
前記基台に取付けられ、回転方向に向けて等間隔をあけて複数個配置したブラシ本体と、
前記基台の中央部に形成され、前記ブラシ本体に処理液を供給する1つの処理液供給口と、
隣接する前記ブラシ本体の間に前記基台の回転中心から外周へ向けて放射状に形成されており、前記1つの処理液供給口と前記ブラシ本体の外周外方とを連通し、前記1つの処理液供給口から供給された処理液を前記ブラシ本体の外方へ排出する排液溝と、
を有し、
前記ブラシ本体は、外周部及び内周部を下向き凸状に形成して、外周部及び内周部に前記基板との接触面を形成するとともに、外周部と内周部との間に前記基板に接触しない非接触面を形成し、前記接触面の面積よりも前記非接触面の面積を広くしたことを特徴とする基板処理装置。 - 回転する基板処理ブラシを用いて基板から除去対象物を除去するための基板処理装置において、
前記基板処理ブラシは、
回転軸に接続した基台と、
前記基台に取付けられ、回転方向に向けて等間隔をあけて複数個配置したブラシ本体と、
前記基台の中央部に形成され、前記ブラシ本体に処理液を供給する1つの処理液供給口と、
隣接する前記ブラシ本体の間に前記基台の回転中心から外周へ向けて放射状に形成されており、前記1つの処理液供給口と前記ブラシ本体の外周外方とを連通し、前記1つの処理液供給口から供給された処理液を前記ブラシ本体の外方へ排出する排液溝と、
を有し、
前記ブラシ本体は、外周部及び内周部を下向き凸状に形成して、外周部及び内周部に前記基板との接触面を形成するとともに、外周部と内周部との間に前記基板に接触しない非接触面を形成し、前記外周部の接触面の高さを前記内周部の接触面の高さよりも高くしたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板の外周端縁に沿って伸延する基板支持体で前記基板の外周端縁を支持することを特徴とする請求項8又は請求項9に記載の基板処理装置。
- 前記処理液供給口から処理液を供給する処理液供給機構と、
前記処理液供給機構から供給する処理液の流量を制御する制御手段と、
を有し、
制御手段は、前記基板処理ブラシで前記基板の内周側を処理するときよりも、前記基板処理ブラシで前記基板の外周側を処理するときに、前記処理液供給口から供給する前記処理液の流量が少なくなるように前記処理液供給機構を制御することを特徴とする請求項8又は請求項9に記載の基板処理装置。
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Citations (9)
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---|---|---|---|---|
JPH03206615A (ja) * | 1990-01-09 | 1991-09-10 | Hitachi Ltd | 洗浄装置 |
JPH03294160A (ja) * | 1990-04-11 | 1991-12-25 | Hitachi Ltd | 研削砥石および研削装置 |
JPH06120184A (ja) * | 1992-10-02 | 1994-04-28 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄装置 |
JPH0869989A (ja) * | 1994-08-30 | 1996-03-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置、基板洗浄具及び基板洗浄方法 |
US5778481A (en) * | 1996-02-15 | 1998-07-14 | International Business Machines Corporation | Silicon wafer cleaning and polishing pads |
JPH10223581A (ja) * | 1997-02-03 | 1998-08-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | スクラブ洗浄部材およびそれを用いた基板処理装置 |
JP2001009386A (ja) * | 1999-06-28 | 2001-01-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置 |
JP2007311439A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2013179252A (ja) * | 2012-02-09 | 2013-09-09 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理ブラシ及び基板処理装置並びに基板処理方法 |
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03206615A (ja) * | 1990-01-09 | 1991-09-10 | Hitachi Ltd | 洗浄装置 |
JPH03294160A (ja) * | 1990-04-11 | 1991-12-25 | Hitachi Ltd | 研削砥石および研削装置 |
JPH06120184A (ja) * | 1992-10-02 | 1994-04-28 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄装置 |
JPH0869989A (ja) * | 1994-08-30 | 1996-03-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置、基板洗浄具及び基板洗浄方法 |
US5778481A (en) * | 1996-02-15 | 1998-07-14 | International Business Machines Corporation | Silicon wafer cleaning and polishing pads |
JPH10223581A (ja) * | 1997-02-03 | 1998-08-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | スクラブ洗浄部材およびそれを用いた基板処理装置 |
JP2001009386A (ja) * | 1999-06-28 | 2001-01-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置 |
JP2007311439A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2013179252A (ja) * | 2012-02-09 | 2013-09-09 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理ブラシ及び基板処理装置並びに基板処理方法 |
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