KR940010225A - 반도체 웨이퍼의 이면(裏面)세정장치 - Google Patents

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Abstract

반도체 웨이퍼의 이면을 세정하는 장치는, 주면이 상향이면서 또한 실질적으로 수평으로 되도록 웨이퍼를 끼워 지지하여 유지하기 위한 1쌍의 홀더를 구비한다. 홀더는 수평방향에 있어서 상대적으로 접근, 이반이동가능함과 함께, 승강가능하도록 되어 있다. 홀더에 유지된 상태의 웨이퍼의 이면에는 회전브러쉬가 접촉한다. 회전브러쉬는. 그 자신의 축주위에서 자전구동함과 함께, 웨이퍼의 실질적인 중심을 축으로 공전구동된다. 회전브러쉬의 샤프트에는 플렉시블관이 접속되고, 플렉시블관을 통하여 세정수인 순수한 물과, 200℃정도로 가열된 건조용의 질소가스가 선택적으로 웨이퍼의 이면에 공급된다. 또한, 웨이퍼의 주면에는, 웨이퍼의 이면으로부터의 비상물이, 주면에 이르는 것을 방지하는 배리어 가스로서 청정한 질소가스가 공급된다.

Description

반도체 웨이퍼의 이면(裏面)세정장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관계된 세정장치의 제1실시예의 요부를 나타낸 단면도,
제2도는 동 세정장치가 배치되는 처리시스템을 나타낸 사시도,
제3도는 동 세정장치의 웨이퍼 유지수단을 나타낸 평면도,
제4도는 동 세정장치의 세정브러쉬의 구동기구를 나타낸 평면도.

Claims (20)

  1. 반도체 처리가 시행되는 주면과, 이것과는 반대쪽의 이면과를 구비하는 반도체웨이퍼의 상기 이면을 세정함에 있어서, 상기 웨이퍼를 실질적으로 수평방향에 있어서 끼워지지하여 유지하기 위한 적어도 1쌍의 홀더와, 상기 웨이퍼는, 상기 주면이 상향이고 또한 실질적으로 수평이 되도록 상기 홀더에 지지되는 것과, 상기 홀더를 수평방향에 있어서 상대적으로 접근 및, 떨어지도록 이동시키기 위한 홀더 구동수단과, 상기 홀더에 유지된 상태의 상기 웨이퍼의 상기 이면에 세정수를 공급하기 위한 제1공급수단과, 상기 홀더에 유지된 상태의 상기 웨이퍼의 상기 이면으로부터 상기 세정수를 사용하여 오염물을 제거하기 위한 세정수단과, 상기 홀더에 유지된 상태의 상기 웨이퍼의 상기 이면에 건조가스를 공급하기 위한 제2공급수단을 구비하는 반도체웨이퍼의 이면세정장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 세정수단은, 상기 웨이퍼의 상기 이면에 접촉하여 이것을 문지르는 브러쉬와, 상기 브러쉬를 그 자신의 축주위에서 자전시키는 제1구동수단과, 상기 브러쉬를 자전시킨 상태로 상기 웨이퍼의 상기 이면상을 이동시키는 제2구동수단을 구비하는 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제2구동수단은, 상기 웨이퍼의 실질적인 중심을 축으로 하여 상기 브러쉬를 공정시키는 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 홀더에 유지된 상태의 상기 웨이퍼의 상기 이면과 상기 브러쉬를 상대적으로 접근 및 떨어지도록 하는 브러쉬 승강 수단을 더욱 구비하는 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 브러쉬 승강수단은, 상기 브러쉬를 상기 제1 및 제2구동수단과 함께 일체적으로 이동시키는 것인 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 홀더에 유지된 상태의 상기 웨이퍼의 상기 이면으로부터의 비상물이, 상기 웨이퍼의 상기 주면에 닿는 것을 방지하는 배리어가스를 상기 주면에 공급하는 제3공급수단을 더욱 구비하는 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1구동수단은 상기 브러쉬의 틀의 하부에 접속된 제1샤프트를 구비하고, 상기 제2구동수단은 상기 제1샤프트를 편심위치에 축지지하는 회전판과, 상기 회전판을 축지지하는 제2샤프트를 구비하고, 상기 제2샤프트의 중심은 상기 웨이퍼의 중심과 실질적으로 정렬된 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 브러쉬의 상기 틀 및 상기 제1샤프트에 축구멍이 형성됨과 함께, 상기 제1샤프트의 아래끝단에 상기 축구멍과 연이어 통하도록, 세정수원에 접속된 플렉시블관이 접속되고, 상기 플렉시블관 및 상기 축구멍이 상기 세정수를 공급하는 제1공급수단의 일부로서 기능하는 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 브러쉬의 상기 틀이, 용기형상으로 됨과 동시에, 상기 제1샤프트에 접속된 저판과, 이것과 이간하여 내부에 배열설치되며 또한 다수개의 구멍을 가지는 확산판을 구비하고, 상기 저판과 확산판의 사이의 공간이 세정수헷더로서 기능하는 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 플렉시블관이, 전환밸브를 통하여 건조가스원과 상기 세정수원에 접속되고, 상기 플렉시블관 및 상기 축구멍이 상기 건조가스를 공급하는 상기 제2공급수단의 일부로서 기능하는 장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 제2샤프트에 별도의 축구멍이 형성됨과 함께, 상기 제2샤프트의 아래끝단에 상기 별도의 축구멍이 연이어 통하도록, 건조가스원에 접속된 별도의 플렉시블관이 접속되고, 또한 상기 웨이퍼의 상기 이면에 지향된 건조가스 노즐의 기초끝단이 상기 별도의 축구멍과 연이어 통하도록 상기 제2샤프트에 접속되며, 상기 별도의 플렉시블관 및 상기 별도의 축구멍이 상기 건조가스를 공급하는 상기 제2공급수단의 일부로서기능하는 장치.
  12. 제9항에 있어서, 상기 홀더를 승강시키는 홀더 승강수단을 더욱 포함하는 장치.
  13. 제9항에 있어서, 상기 홀더에 유지된 상태의 상기 웨이퍼의 주위를 포위하도록 배열설치된 배기구 및 이것에 접속된 배기덕트를 더욱 구비하는 장치.
  14. 주면과, 이것과는 반대쪽의 이면을 구비하는 반도체웨이퍼의 상기 주면에 레지스트를 도포함과 함께, 상기 이면을 세정하는 레지스트 도포시스템으로서, (a) 상기 웨이퍼의 상기 주면에 레지시트를 도포하는 레지시트 도포장치와, (b) 상기 웨이퍼의 상기 이면을 세정하는 세정장치와, 상기 세정장치는, 상기 웨이퍼를 실질적으로 수평방향에 있어서 끼워 지지하기 위한 적어도 한쌍의 홀더와, 상기 웨이퍼는, 상기 주면이 상향이며 또한 실질적으로 수평으로 되도록 상기 홀더에 지지됨과 함께, 상기 홀더를 수평방향에 있어서 상대적으로 접근, 이반이동시키기 위한 홀더 구동수단과, 상기 홀더에 유지된 상태의 상기 웨이퍼의 상기 이면에 세정수를 공급하기 위한 제1공급수단과, 상기 홀더에 유지된 상태의 상기 웨이퍼의 상기 이면으로부터 상기 세정수를 사용하여 오염물을 제거하기 위한 세정수단과, 상기 홀더에 유지된 상태의 상기 웨이퍼의 상기 이면에 건조가스를 공급하기 위한 제2공급수단을 구비함과 함께, (c) 상기 도포장치와 상기 세정장치의 사이에서 상기 웨이퍼를 반송하는 반송수단을 구비하는 시스템.
  15. 제14항에 있어서, 상기 반송수단이 반송아암을 포함하며, 상기 반송아암은 상기 홀더의 수평방향의 이동에 간섭하지 않도록 형성되는 시스템.
  16. 제15항에 있어서, 상기 세정수단은, 상기 웨이퍼의 상기 이면에 접촉하여 이것을 문지르는 브러쉬와, 상기 브러쉬를 그 자신의 축주위에서 자전시키는 제1 구동수단과, 상기 브러쉬를 자전시킨 상태로 상기 웨어퍼의 상기 이면상을 이동시키는 제2구동수단을 구비하는 시스템.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제2구동수단이, 상기 웨이퍼의 실질적인 중심을 축으로하여 상기 브러쉬를 공전시키는 시스템.
  18. 제17항에 있어서, 상기 홀더에 유지된 상태의 상기 웨이퍼의 상기 이면과 상기 브러쉬를 상대적으로 접근 및 떨어지도록 하는 브러쉬 승강수단을 더욱 구비하는 시스템.
  19. 제18항에 있어서, 상기 브러쉬 승강수단은, 상기 브러쉬를 상기 제1및 제2구동수단과 함께 일체적으로 이동시키는 것인 시스템.
  20. 제19항에 있어서, 상기 홀더에 유지된 상태의 상기 웨이퍼의 상기 이면으로부터의 비상물이, 상기 웨이퍼의 상기 주면에 이르는 것을 방지하는 배리어가스를 상기 주면에 공급하는 제3공급수단을 더욱 구비하는 시스템.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020053584A (ko) * 2000-12-27 2002-07-05 한효용 Saw 시스템의 린스 장치
KR100501782B1 (ko) * 2000-02-25 2005-07-18 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. 코팅막 제거장치
KR100887360B1 (ko) * 2001-01-23 2009-03-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법

Families Citing this family (104)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6375741B2 (en) * 1991-03-06 2002-04-23 Timothy J. Reardon Semiconductor processing spray coating apparatus
US5224503A (en) * 1992-06-15 1993-07-06 Semitool, Inc. Centrifugal wafer carrier cleaning apparatus
US5518542A (en) * 1993-11-05 1996-05-21 Tokyo Electron Limited Double-sided substrate cleaning apparatus
JP3427111B2 (ja) * 1994-05-13 2003-07-14 株式会社ニコン 半導体製造装置、および、液晶表示素子製造用装置
TW316995B (ko) * 1995-01-19 1997-10-01 Tokyo Electron Co Ltd
JPH08257469A (ja) * 1995-01-24 1996-10-08 Canon Inc 基板回転装置および基板処理装置
JP3452676B2 (ja) * 1995-02-15 2003-09-29 宮崎沖電気株式会社 半導体ウエハ面のパーティクルの除去装置及びそれを用いた半導体ウエハ面のパーティクルの除去方法
JPH08238463A (ja) * 1995-03-03 1996-09-17 Ebara Corp 洗浄方法及び洗浄装置
TW317644B (ko) * 1996-01-26 1997-10-11 Tokyo Electron Co Ltd
US5927305A (en) * 1996-02-20 1999-07-27 Pre-Tech Co., Ltd. Cleaning apparatus
US6264752B1 (en) 1998-03-13 2001-07-24 Gary L. Curtis Reactor for processing a microelectronic workpiece
US6230753B1 (en) 1996-07-15 2001-05-15 Lam Research Corporation Wafer cleaning apparatus
US5875507A (en) 1996-07-15 1999-03-02 Oliver Design, Inc. Wafer cleaning apparatus
US6413436B1 (en) * 1999-01-27 2002-07-02 Semitool, Inc. Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece
US6350319B1 (en) 1998-03-13 2002-02-26 Semitool, Inc. Micro-environment reactor for processing a workpiece
JP3571471B2 (ja) * 1996-09-03 2004-09-29 東京エレクトロン株式会社 処理方法,塗布現像処理システム及び処理システム
JP3035580U (ja) * 1996-09-09 1997-03-28 株式会社八紘エンジニアリング ディスク等の研磨加工体の洗滌装置
US6039059A (en) 1996-09-30 2000-03-21 Verteq, Inc. Wafer cleaning system
EP0837493B8 (en) * 1996-10-21 2007-11-07 Ebara Corporation Cleaning apparatus
GB2319888A (en) * 1996-11-30 1998-06-03 Ibm Brushes for cleaning substrates
KR100417648B1 (ko) * 1996-12-28 2004-04-06 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼 세정방법
JP3630524B2 (ja) * 1997-05-08 2005-03-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄装置
US5966766A (en) * 1997-10-06 1999-10-19 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus and method for cleaning semiconductor wafer
US5933902A (en) * 1997-11-18 1999-08-10 Frey; Bernhard M. Wafer cleaning system
TW386256B (en) * 1997-12-24 2000-04-01 United Microelectronics Corp Method for removing photoresistor
US6318385B1 (en) * 1998-03-13 2001-11-20 Semitool, Inc. Micro-environment chamber and system for rinsing and drying a semiconductor workpiece
US6632292B1 (en) 1998-03-13 2003-10-14 Semitool, Inc. Selective treatment of microelectronic workpiece surfaces
US20050217707A1 (en) * 1998-03-13 2005-10-06 Aegerter Brian K Selective processing of microelectronic workpiece surfaces
US6423642B1 (en) 1998-03-13 2002-07-23 Semitool, Inc. Reactor for processing a semiconductor wafer
JP3563605B2 (ja) * 1998-03-16 2004-09-08 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US6076217A (en) 1998-04-06 2000-06-20 Micron Technology, Inc. Brush alignment platform
US6062239A (en) * 1998-06-30 2000-05-16 Semitool, Inc. Cross flow centrifugal processor
US6125863A (en) * 1998-06-30 2000-10-03 Semitool, Inc. Offset rotor flat media processor
US6432214B2 (en) 1998-07-10 2002-08-13 Semitool, Inc. Cleaning apparatus
US6277203B1 (en) 1998-09-29 2001-08-21 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces
US6021789A (en) * 1998-11-10 2000-02-08 International Business Machines Corporation Wafer cleaning system with progressive megasonic wave
US6680253B2 (en) 1999-01-22 2004-01-20 Semitool, Inc. Apparatus for processing a workpiece
US6492284B2 (en) 1999-01-22 2002-12-10 Semitool, Inc. Reactor for processing a workpiece using sonic energy
US6511914B2 (en) 1999-01-22 2003-01-28 Semitool, Inc. Reactor for processing a workpiece using sonic energy
US6548411B2 (en) 1999-01-22 2003-04-15 Semitool, Inc. Apparatus and methods for processing a workpiece
US7217325B2 (en) * 1999-01-22 2007-05-15 Semitool, Inc. System for processing a workpiece
US6352595B1 (en) 1999-05-28 2002-03-05 Lam Research Corporation Method and system for cleaning a chemical mechanical polishing pad
US6711775B2 (en) 1999-06-10 2004-03-30 Lam Research Corporation System for cleaning a semiconductor wafer
US6405399B1 (en) 1999-06-25 2002-06-18 Lam Research Corporation Method and system of cleaning a wafer after chemical mechanical polishing or plasma processing
US6295683B1 (en) * 1999-12-09 2001-10-02 United Microelectronics Corp. Equipment for brushing the underside of a semiconductor wafer
US6286231B1 (en) 2000-01-12 2001-09-11 Semitool, Inc. Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying
TW443577U (en) * 2000-03-10 2001-06-23 United Microelectronics Corp Spraying and washing apparatus for develop machine
US6289550B1 (en) * 2000-03-10 2001-09-18 United Microelectronics Corp. Jet cleaning device for developing station
US7234477B2 (en) * 2000-06-30 2007-06-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces
US7102763B2 (en) 2000-07-08 2006-09-05 Semitool, Inc. Methods and apparatus for processing microelectronic workpieces using metrology
US6800020B1 (en) 2000-10-02 2004-10-05 Lam Research Corporation Web-style pad conditioning system and methods for implementing the same
US20020096195A1 (en) * 2001-01-04 2002-07-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for critical flow particle removal
JP2002217156A (ja) * 2001-01-16 2002-08-02 Hitachi Ltd ドライ洗浄装置
KR100387526B1 (ko) * 2001-02-07 2003-06-18 삼성전자주식회사 반도체 제조장비의 웨이퍼 감지 오동작 방지장치
US20050061676A1 (en) * 2001-03-12 2005-03-24 Wilson Gregory J. System for electrochemically processing a workpiece
US6817057B2 (en) * 2001-08-30 2004-11-16 Micron Technology, Inc. Spindle chuck cleaner
DE10226808A1 (de) * 2002-06-15 2004-01-08 Wandres Gmbh Micro-Cleaning Vorrichtung zum Reinigen von insbesondere Lochungen aufweisenden Oberflächen
KR100457053B1 (ko) * 2002-07-30 2004-11-10 삼성전자주식회사 웨이퍼 세정 장치
US7045018B2 (en) * 2002-09-30 2006-05-16 Lam Research Corporation Substrate brush scrubbing and proximity cleaning-drying sequence using compatible chemistries, and method, apparatus, and system for implementing the same
US7997288B2 (en) * 2002-09-30 2011-08-16 Lam Research Corporation Single phase proximity head having a controlled meniscus for treating a substrate
US7293571B2 (en) 2002-09-30 2007-11-13 Lam Research Corporation Substrate proximity processing housing and insert for generating a fluid meniscus
US7614411B2 (en) 2002-09-30 2009-11-10 Lam Research Corporation Controls of ambient environment during wafer drying using proximity head
US7513262B2 (en) 2002-09-30 2009-04-07 Lam Research Corporation Substrate meniscus interface and methods for operation
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US8236382B2 (en) * 2002-09-30 2012-08-07 Lam Research Corporation Proximity substrate preparation sequence, and method, apparatus, and system for implementing the same
US7153400B2 (en) * 2002-09-30 2006-12-26 Lam Research Corporation Apparatus and method for depositing and planarizing thin films of semiconductor wafers
US7240679B2 (en) * 2002-09-30 2007-07-10 Lam Research Corporation System for substrate processing with meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold
US7389783B2 (en) 2002-09-30 2008-06-24 Lam Research Corporation Proximity meniscus manifold
US7383843B2 (en) * 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US7632376B1 (en) 2002-09-30 2009-12-15 Lam Research Corporation Method and apparatus for atomic layer deposition (ALD) in a proximity system
US7675000B2 (en) * 2003-06-24 2010-03-09 Lam Research Corporation System method and apparatus for dry-in, dry-out, low defect laser dicing using proximity technology
US7353560B2 (en) * 2003-12-18 2008-04-08 Lam Research Corporation Proximity brush unit apparatus and method
US8062471B2 (en) * 2004-03-31 2011-11-22 Lam Research Corporation Proximity head heating method and apparatus
KR100706235B1 (ko) * 2004-11-02 2007-04-11 삼성전자주식회사 브러시 웨팅 방법
KR100620531B1 (ko) * 2004-12-30 2006-09-08 주식회사 선진일렉트로닉스 디스플레이 윈도우 세척용 지그 및 이를 이용한 세척방법
US7928366B2 (en) * 2006-10-06 2011-04-19 Lam Research Corporation Methods of and apparatus for accessing a process chamber using a dual zone gas injector with improved optical access
TWI352628B (en) * 2006-07-21 2011-11-21 Akrion Technologies Inc Nozzle for use in the megasonic cleaning of substr
US8813764B2 (en) 2009-05-29 2014-08-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for physical confinement of a liquid meniscus over a semiconductor wafer
JP4912916B2 (ja) * 2006-10-10 2012-04-11 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US8578953B2 (en) 2006-12-20 2013-11-12 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and computer-readable storage medium
US8146902B2 (en) * 2006-12-21 2012-04-03 Lam Research Corporation Hybrid composite wafer carrier for wet clean equipment
KR100827365B1 (ko) * 2006-12-26 2008-05-06 세메스 주식회사 회전 척, 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US7975708B2 (en) * 2007-03-30 2011-07-12 Lam Research Corporation Proximity head with angled vacuum conduit system, apparatus and method
US8464736B1 (en) 2007-03-30 2013-06-18 Lam Research Corporation Reclaim chemistry
US8141566B2 (en) * 2007-06-19 2012-03-27 Lam Research Corporation System, method and apparatus for maintaining separation of liquids in a controlled meniscus
JP5096849B2 (ja) * 2007-09-13 2012-12-12 株式会社Sokudo 基板処理装置および基板処理方法
JP5392751B2 (ja) * 2009-02-13 2014-01-22 セイコーインスツル株式会社 表面処理装置
JP5583503B2 (ja) * 2010-07-14 2014-09-03 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、およびこれを備える塗布現像装置
US20120286481A1 (en) * 2011-05-13 2012-11-15 Lam Research Ag Device and process for liquid treatment of wafer shaped articles
JP6076011B2 (ja) * 2012-02-09 2017-02-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理ブラシ及び基板処理装置
JP6444438B2 (ja) * 2012-02-09 2018-12-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理ブラシ及び基板処理装置
CN103286084A (zh) * 2013-06-20 2013-09-11 三星高新电机(天津)有限公司 一种自动清扫装置
CN105097438B (zh) * 2014-05-23 2018-03-20 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种晶片背面清洗装置
CN104553251B (zh) * 2014-12-26 2017-01-04 东莞市智澳通用机械设备有限公司 一种背光源模块贴膜机的除尘装置
KR101629634B1 (ko) * 2015-12-15 2016-06-14 제너셈(주) Emi 실드용 버 제거 브러쉬장치
CN106040668B (zh) * 2016-05-27 2019-06-18 京东方科技集团股份有限公司 用于显示屏的除尘装置、除尘方法及相应的显示装置
TWI821887B (zh) * 2016-11-29 2023-11-11 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體
CN107671022A (zh) * 2017-09-29 2018-02-09 佛山汇众森泰科技有限公司 一种智能家电清洗装置
CN108499934A (zh) * 2018-03-29 2018-09-07 周应华 一种眼科用镜片清洁设备
CN109759361A (zh) * 2019-01-23 2019-05-17 王周连 一种光学镜片表面除尘装置及其使用方法
CN110100710A (zh) * 2019-06-18 2019-08-09 徐州市贾汪区东雨园艺有限公司 一种用于菊花五色草种植的洒水设备
CN111468438A (zh) * 2020-04-29 2020-07-31 贵州大地春晖科技发展有限公司 一种化学机械抛光设备的清洗装置
CN111547511B (zh) * 2020-06-11 2021-10-15 深圳市晖通货运代理有限公司 一种快速清理切割打磨完成的玻璃增大摩擦的运输装置
JP2023013332A (ja) * 2021-07-15 2023-01-26 株式会社Screenホールディングス 基板洗浄装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4064885A (en) * 1976-10-26 1977-12-27 Branson Ultrasonics Corporation Apparatus for cleaning workpieces by ultrasonic energy
JPS619838A (ja) * 1984-06-22 1986-01-17 Tanashin Denki Co ダビング用テ−プレコ−ダ
JPS6367243A (ja) * 1986-08-29 1988-03-26 東洋製罐株式会社 耐熱性紙容器の製造方法
JPS6314434A (ja) * 1986-07-04 1988-01-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板表面処理方法および装置
US5169408A (en) * 1990-01-26 1992-12-08 Fsi International, Inc. Apparatus for wafer processing with in situ rinse
JPH042117A (ja) * 1990-04-19 1992-01-07 Sony Corp 薬液処理装置
JP3241058B2 (ja) * 1991-03-28 2001-12-25 大日本スクリーン製造株式会社 回転式塗布装置及び回転式塗布方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100501782B1 (ko) * 2000-02-25 2005-07-18 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. 코팅막 제거장치
KR20020053584A (ko) * 2000-12-27 2002-07-05 한효용 Saw 시스템의 린스 장치
KR100887360B1 (ko) * 2001-01-23 2009-03-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR100241291B1 (ko) 2000-02-01
JP2877216B2 (ja) 1999-03-31
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US5361449A (en) 1994-11-08

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