JPH04126307A - 異方性導電膜およびその製造方法 - Google Patents
異方性導電膜およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体チップの実装や基板の接続等に用いる異
方性導電膜およびその製造方法に関し、詳しくは陽極酸
化により多孔質の金属酸化膜を形成してこれを絶縁部材
とし、その電気的接続性能を向上させることのできる異
方性導電膜およびその製造方法に関する。
方性導電膜およびその製造方法に関し、詳しくは陽極酸
化により多孔質の金属酸化膜を形成してこれを絶縁部材
とし、その電気的接続性能を向上させることのできる異
方性導電膜およびその製造方法に関する。
近時、ＬＳＩ等の半導体チップを配線基板に実装する実
装技術分野においては、接続ピンチの微細化と接続の信
頼性が高度に要求されており、半導体チップの実装等に
使用される異方性導電膜においては、低コストでこれら
の要求を満たすことが望まれている。この異方性導電膜
は、膜状の絶縁部と、この膜状絶縁部に埋設されて半導
体チップや基板の電極に接触する導電部とを具備し、導
電部によりその膜厚方向にのみ導電する。
装技術分野においては、接続ピンチの微細化と接続の信
頼性が高度に要求されており、半導体チップの実装等に
使用される異方性導電膜においては、低コストでこれら
の要求を満たすことが望まれている。この異方性導電膜
は、膜状の絶縁部と、この膜状絶縁部に埋設されて半導
体チップや基板の電極に接触する導電部とを具備し、導
電部によりその膜厚方向にのみ導電する。
従来のこの種の異方性導電膜およびその製造方法として
は、例えば樹脂材料によって所定厚さの絶縁シートを形
成し、該絶縁シートに金属等の導電粒子を分散、又は所
定ピッチで配置するものが知られており、絶縁シートを
形成する樹脂材料としては、加熱によってそれ自体が接
着性を発揮するものが多用されている。
は、例えば樹脂材料によって所定厚さの絶縁シートを形
成し、該絶縁シートに金属等の導電粒子を分散、又は所
定ピッチで配置するものが知られており、絶縁シートを
形成する樹脂材料としては、加熱によってそれ自体が接
着性を発揮するものが多用されている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、このような従来の異方性導電膜およびそ
の製造方法にあっては、絶縁シートを樹脂材料から形成
し、これに導電粒子を分散し又は所定ピッチで配置して
いたため、接続ピッチを微細化すると導電粒子が高密度
となって隣接する導電粒子間の絶縁が不十分となり、シ
ョートが発生し易くなってしまうという問題があった。
の製造方法にあっては、絶縁シートを樹脂材料から形成
し、これに導電粒子を分散し又は所定ピッチで配置して
いたため、接続ピッチを微細化すると導電粒子が高密度
となって隣接する導電粒子間の絶縁が不十分となり、シ
ョートが発生し易くなってしまうという問題があった。
また、導電粒子分散方式にあっては、導電粒子の存在す
る確率によってその接続性能が支配され、配列方式のも
のにあっても、接着のための加熱加圧時に導電粒子が移
動してピッチが乱れ、何れにしても十分な接続性能を確
保することができなかった。
る確率によってその接続性能が支配され、配列方式のも
のにあっても、接着のための加熱加圧時に導電粒子が移
動してピッチが乱れ、何れにしても十分な接続性能を確
保することができなかった。
さらに、絶縁部の樹脂が熱劣化したり吸湿したりして接
続の信顛性が低下していた。
続の信顛性が低下していた。
そこで、本発明は、膜厚方向にほぼ貫通する複数の孔を
有し耐熱性の高い絶縁部材を形成することにより、ショ
ートを発生させることなく微小ピッチで導電部材を形成
でき、しかも、実装時の加熱等により導電粒子が移動す
るのを防止することのできる異方性導電膜およびその製
造方法を実現することを目的としている。
有し耐熱性の高い絶縁部材を形成することにより、ショ
ートを発生させることなく微小ピッチで導電部材を形成
でき、しかも、実装時の加熱等により導電粒子が移動す
るのを防止することのできる異方性導電膜およびその製
造方法を実現することを目的としている。
請求項１記載の発明に係る異方性導電膜は、上記目的達
成のため、導電材料を陽極酸化して形成された膜状絶縁
部材と、膜状絶縁部材内に設けられ該絶縁部材の膜厚方
向に導電する導電部材とを備えたことを特徴とするもの
であり、 請求項２記載の発明は、前記膜状絶縁部材が陽極酸化に
より形成された複数の微小な孔を有し、該孔に膜状絶縁
部材から突出するよう前記導電部材を設けたことを特徴
とするものであり、請求項３記載の発明は、前記導電部
材がアルミニウムからなることを特徴とするものである
。
成のため、導電材料を陽極酸化して形成された膜状絶縁
部材と、膜状絶縁部材内に設けられ該絶縁部材の膜厚方
向に導電する導電部材とを備えたことを特徴とするもの
であり、 請求項２記載の発明は、前記膜状絶縁部材が陽極酸化に
より形成された複数の微小な孔を有し、該孔に膜状絶縁
部材から突出するよう前記導電部材を設けたことを特徴
とするものであり、請求項３記載の発明は、前記導電部
材がアルミニウムからなることを特徴とするものである
。
また、請求項４記載の発明に係る異方性導電膜の製造方
法は、上記目的を達成するため、導電性の素材を陽極酸
化して膜状絶縁部材を形成する工程と、該膜状絶縁部材
に導電性材料から形成された導電部材を埋設する工程と
を含むことを特徴とするものであり、 請求項５記載の発明は、前記導電部材を電解析出により
形成することを特徴とするものである。
法は、上記目的を達成するため、導電性の素材を陽極酸
化して膜状絶縁部材を形成する工程と、該膜状絶縁部材
に導電性材料から形成された導電部材を埋設する工程と
を含むことを特徴とするものであり、 請求項５記載の発明は、前記導電部材を電解析出により
形成することを特徴とするものである。
さらに、請求項６記載の発明に係る異方性導電膜の製造
方法は、上記目的達成のため、導電基板の上層部を陽極
酸化して所定深さの複数の微小な孔を有する陽極酸化膜
を形成する工程と、電解析出により陽極酸化膜の微小孔
内に導電性の金属を析出して導電部材を形成する工程と
、陽極酸化膜を導電基板の下層部から分離する工程と、
陽極酸化膜の表層部を除去して導電部材を陽極酸化膜か
ら突出させる工程とを含むことを特徴とするものである
。
方法は、上記目的達成のため、導電基板の上層部を陽極
酸化して所定深さの複数の微小な孔を有する陽極酸化膜
を形成する工程と、電解析出により陽極酸化膜の微小孔
内に導電性の金属を析出して導電部材を形成する工程と
、陽極酸化膜を導電基板の下層部から分離する工程と、
陽極酸化膜の表層部を除去して導電部材を陽極酸化膜か
ら突出させる工程とを含むことを特徴とするものである
。
また、好ましい態様としては、前記陽極酸化膜の孔内に
導電部材を形成するとき、陽極酸化膜の所定の孔を適宜
マスクし又は選択的に電極を形成して、導電部材を選択
的に形成することができ、導電部材を陽極酸化膜から突
出させるとき、陽極酸化膜の表層部を選択的に除去して
導電部材を所定部位で突出させるようにすることができ
る。
導電部材を形成するとき、陽極酸化膜の所定の孔を適宜
マスクし又は選択的に電極を形成して、導電部材を選択
的に形成することができ、導電部材を陽極酸化膜から突
出させるとき、陽極酸化膜の表層部を選択的に除去して
導電部材を所定部位で突出させるようにすることができ
る。
なお、導電部材の形成は、前記孔に金属ペースト又は導
電性高分子材料を埋め込んで行うことができ、無電解メ
ツキにより、あるいは蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ等
のドライメツキにより行うこともできる。
電性高分子材料を埋め込んで行うことができ、無電解メ
ツキにより、あるいは蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ等
のドライメツキにより行うこともできる。
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
第１〜３図は本発明に係る異方性導電膜の第１実施例と
その製造方法の一例を示す図である。
その製造方法の一例を示す図である。
まず、第１．２図によりその異方性導電膜の構成につい
て説明する。
て説明する。
第１．２図において、１は異方性導電膜、２は例えばア
ルミニウムを陽極酸化処理したアルミナ（Ａｆ、Ｏ，）
からなる膜状絶縁部材、３は膜状絶縁部材２の所定位置
に埋設されて膜状絶縁部材２の膜厚方向に延在する複数
の導電部材であり、導電部材３は例えば導電材料である
アルミニウム（Ａｌｌ）よりなる。ここで、導電部材３
は、陽極酸化膜である膜状絶縁部材２の表面から膜厚方
向に突出しており、この膜厚方向にのみ導電する。
ルミニウムを陽極酸化処理したアルミナ（Ａｆ、Ｏ，）
からなる膜状絶縁部材、３は膜状絶縁部材２の所定位置
に埋設されて膜状絶縁部材２の膜厚方向に延在する複数
の導電部材であり、導電部材３は例えば導電材料である
アルミニウム（Ａｌｌ）よりなる。ここで、導電部材３
は、陽極酸化膜である膜状絶縁部材２の表面から膜厚方
向に突出しており、この膜厚方向にのみ導電する。
また、図示はしないが、異方性導電膜１が半導体チップ
とその実装基板との間、又は、配線基板間に介在すると
き、導電部材３が半導体チップの電極パッドや基板側接
続端子に当接して半導体チップとその実装基板、又は、
配線基板同士が電気的に接続される。
とその実装基板との間、又は、配線基板間に介在すると
き、導電部材３が半導体チップの電極パッドや基板側接
続端子に当接して半導体チップとその実装基板、又は、
配線基板同士が電気的に接続される。
次に、第３図によりその製造方法の一例について説明す
る。
る。
まず、第３図（ａ）に示すように、導電性の素材である
アルミニウム製の板４（以下、Ａｌ板という）の−面に
レジストを塗布し、これをバターニングして、例えば直
径２０μｍの複数のドツトが５０μｍピッチで配列され
る所定パターンのフォトレジスト５を形成する。
アルミニウム製の板４（以下、Ａｌ板という）の−面に
レジストを塗布し、これをバターニングして、例えば直
径２０μｍの複数のドツトが５０μｍピッチで配列され
る所定パターンのフォトレジスト５を形成する。
次いで、第３図（ｂ）に示すように、Ａｌ板４のフォト
レジスト５例の上層部を酸性溶液（りん酸溶液、硫酸溶
液等）に浸し、このＡｌ板４を陽極とする電気分解によ
って、Ａｌ板４の上層部を選択的に陽極酸化する。この
陽極酸化処理により、前記Ａｌ板４には陽極酸化膜（Ａ
ｔ；＜ ｔ Ｏ３、）部６及びＡｆの下地部７が形成
され、Ａｎ部７は複数の柱状部７ａ及び板部７ｂからな
る。
レジスト５例の上層部を酸性溶液（りん酸溶液、硫酸溶
液等）に浸し、このＡｌ板４を陽極とする電気分解によ
って、Ａｌ板４の上層部を選択的に陽極酸化する。この
陽極酸化処理により、前記Ａｌ板４には陽極酸化膜（Ａ
ｔ；＜ ｔ Ｏ３、）部６及びＡｆの下地部７が形成
され、Ａｎ部７は複数の柱状部７ａ及び板部７ｂからな
る。
次いで、第３図（Ｃ）（ｄ）に示すように、板部７ｂを
例えば研削又は溶解除去すると、複数の柱状部７ａが埋
設された陽極酸化膜部６ができる。
例えば研削又は溶解除去すると、複数の柱状部７ａが埋
設された陽極酸化膜部６ができる。
次いで、第３図（ｅ）に示すように、陽極酸化膜部６の
他面側にフォトレジスト５と同様なパターンのフォトレ
ジスト８を設けた後、塩酸系あるいはりん酸系の溶解液
により陽極酸化膜部６の表層部を深さ１〜２０μｍだけ
溶解除去し、膜状絶縁部材２を形成し、次いでフォトレ
ジスト５．８を剥離すると、異方性導電膜１ができあが
る。
他面側にフォトレジスト５と同様なパターンのフォトレ
ジスト８を設けた後、塩酸系あるいはりん酸系の溶解液
により陽極酸化膜部６の表層部を深さ１〜２０μｍだけ
溶解除去し、膜状絶縁部材２を形成し、次いでフォトレ
ジスト５．８を剥離すると、異方性導電膜１ができあが
る。
このように本実施例においては、選択的な陽極酸化処理
を行うだけで、膜状絶縁部材２に所望の配列パターンで
導電部材３を埋設することができる。したがって、例え
ば１５０ μｍピッチ以下の高密度実装であっても容易
に対応させることができ、しかも、ショート等の接続不
良を確実に防止することができる。また、膜状絶縁部材
２がアルミニウムの陽極酸化膜（Ａｆ２０３）からなる
ので、従来の樹脂製絶縁部材に比べてはるかに耐湿性、
耐熱性に優れたものとなり、各種接続法（超音波接続法
、半田付けによる接続法、熱硬化型又は紫外線硬化型の
接着剤による接続法）を用いて作業の迅速化や適用範囲
の拡大を図ることができる。
を行うだけで、膜状絶縁部材２に所望の配列パターンで
導電部材３を埋設することができる。したがって、例え
ば１５０ μｍピッチ以下の高密度実装であっても容易
に対応させることができ、しかも、ショート等の接続不
良を確実に防止することができる。また、膜状絶縁部材
２がアルミニウムの陽極酸化膜（Ａｆ２０３）からなる
ので、従来の樹脂製絶縁部材に比べてはるかに耐湿性、
耐熱性に優れたものとなり、各種接続法（超音波接続法
、半田付けによる接続法、熱硬化型又は紫外線硬化型の
接着剤による接続法）を用いて作業の迅速化や適用範囲
の拡大を図ることができる。
第４．５図は本発明に係る異方性導電膜の第２実施例と
その製造方法の一例を示す図である。
その製造方法の一例を示す図である。
まず、第４図によりその異方性導電膜の構成について説
明する。
明する。
第４図において、１１は異方性導電膜、１２は例えばア
ルミニウムの陽極酸化膜（Ａｚｚｏ、）からなる膜状絶
縁部材、１３は膜状絶縁部材１２に埋設されて膜状絶縁
部材１２の膜厚方向に延在する複数の導電部材、１４は
導電部材を埋設するよう膜状絶縁部材１２に所定パター
ンで形成された複数の孔であり、導電部材１３は例えば
導電性材料である金（ＡＵ）よりなる。ここで、導電部
材１３は、膜状絶縁部材１２の表面から膜厚方向に突出
しており、この膜厚方向にのみ導電する。
ルミニウムの陽極酸化膜（Ａｚｚｏ、）からなる膜状絶
縁部材、１３は膜状絶縁部材１２に埋設されて膜状絶縁
部材１２の膜厚方向に延在する複数の導電部材、１４は
導電部材を埋設するよう膜状絶縁部材１２に所定パター
ンで形成された複数の孔であり、導電部材１３は例えば
導電性材料である金（ＡＵ）よりなる。ここで、導電部
材１３は、膜状絶縁部材１２の表面から膜厚方向に突出
しており、この膜厚方向にのみ導電する。
次に、第５図によりその製造方法の一例について説明す
る。なお、上述例と同一の構成には同一符号を付して説
明する。
る。なお、上述例と同一の構成には同一符号を付して説
明する。
まず、第５図（ａ）に示すように、導電性の素材である
Ａｌ板４の一面にレジストを塗布し、これをパターニン
グして、所定パターンのフォトレジスト５を形成する。
Ａｌ板４の一面にレジストを塗布し、これをパターニン
グして、所定パターンのフォトレジスト５を形成する。
次いで、第５図（ｂ）に示すように、Ａｆ板４のフォト
レジスト５側の上層部を酸性溶液に浸し、このＡｌ板４
を陽極とする電気分解によってＡｆ板４の上層部を選択
的に陽極酸化すると、陽極酸化膜部６及びＡ２の下地部
７が形成される。
レジスト５側の上層部を酸性溶液に浸し、このＡｌ板４
を陽極とする電気分解によってＡｆ板４の上層部を選択
的に陽極酸化すると、陽極酸化膜部６及びＡ２の下地部
７が形成される。
次いで、第５図（Ｃ）（ｄ）に示すように、フォトレジ
スト５を除去し、下地部７を例えば溶解除去すると、陽
極酸化膜部６に所定パターンに配列された複数の孔１４
が形成される。
スト５を除去し、下地部７を例えば溶解除去すると、陽
極酸化膜部６に所定パターンに配列された複数の孔１４
が形成される。
次いで、第５図（ｅ）に示すように、例えば金属ペース
ト（例えば、商品名「レジネートペースト」で知られて
いる）を孔１４に埋め込み、これを焼成した後、不要な
部分をエツチングにより除去して導電部材１３を形成す
る。次いで、導電部材１３をマスキングして陽極酸化膜
部６の表層部を深さ１〜２０μｍだけ溶解除去し、膜状
絶縁部材１２を形成すると、異方性導電膜１１ができあ
がる。
ト（例えば、商品名「レジネートペースト」で知られて
いる）を孔１４に埋め込み、これを焼成した後、不要な
部分をエツチングにより除去して導電部材１３を形成す
る。次いで、導電部材１３をマスキングして陽極酸化膜
部６の表層部を深さ１〜２０μｍだけ溶解除去し、膜状
絶縁部材１２を形成すると、異方性導電膜１１ができあ
がる。
なお、第５図（ｆ）に示すように、導電部材１３の両端
部に半田層１５を設けてもよい。
部に半田層１５を設けてもよい。
このように本実施例においては、マスキングによって選
択的な陽極酸化及びエツチングを行い、しかも金属ペー
ストを用いて、膜状絶縁部材１２の所定位置に所望の導
電材料からなる導電部材１３を埋設することができ、上
述例と同様な効果を得ることができる。
択的な陽極酸化及びエツチングを行い、しかも金属ペー
ストを用いて、膜状絶縁部材１２の所定位置に所望の導
電材料からなる導電部材１３を埋設することができ、上
述例と同様な効果を得ることができる。
第６．７図は本発明に係る異方性導電膜の第３実施例と
その製造方法の一例を示す図である。
その製造方法の一例を示す図である。
まず、第６図によりその異方性導電膜の構成について説
明する。
明する。
第６図において、２１は異方性導電膜、２２は前記陽極
酸化膜からなる膜状絶縁部材、２３は膜状絶縁部材２２
の所定位置に埋設されて膜状絶縁部材２２の膜厚方向に
延在する複数の導電部材、２４は導電部材２３を埋設す
るよう膜状絶縁部材２２に所定パターンで形成された複
数の孔であり、導電部材２３はアルミ部２３ａおよび金
部２３ｂからなる。ここで、導電部材２３のアルミ部２
３ａは膜状Ｉ！縁部材２２の一面側から突出し、金部２
３ｂは膜状絶縁部材２２の他面側から突出しており、こ
の両者が互いに接触して膜状絶縁部材２２の膜厚方向に
のみ導電する。
酸化膜からなる膜状絶縁部材、２３は膜状絶縁部材２２
の所定位置に埋設されて膜状絶縁部材２２の膜厚方向に
延在する複数の導電部材、２４は導電部材２３を埋設す
るよう膜状絶縁部材２２に所定パターンで形成された複
数の孔であり、導電部材２３はアルミ部２３ａおよび金
部２３ｂからなる。ここで、導電部材２３のアルミ部２
３ａは膜状Ｉ！縁部材２２の一面側から突出し、金部２
３ｂは膜状絶縁部材２２の他面側から突出しており、こ
の両者が互いに接触して膜状絶縁部材２２の膜厚方向に
のみ導電する。
次に、第７図によりその製造方法の一例について説明す
る。なお、上述例と同一の構成には同一符号を付して説
明する。
る。なお、上述例と同一の構成には同一符号を付して説
明する。
まず、第７図（ａ）に示すように、導電性の素材である
ＡＮ板４の一面にレジストを塗布し、これをパターニン
グして、所定パターンのフォトレジスト５を形成する。
ＡＮ板４の一面にレジストを塗布し、これをパターニン
グして、所定パターンのフォトレジスト５を形成する。
次いで、第７図（ｂ）に示すように、ＡＩｌＩｎＯ２ォ
トレジスト５側の上層部を例えば酸性溶液に浸し、この
Ａｉ板４を陽極とする電気分解によって、Ａｌ板４の上
層部を選択的に陽極酸化し、陽極酸化膜部６及びＡ！の
下地部７を形成する。
トレジスト５側の上層部を例えば酸性溶液に浸し、この
Ａｉ板４を陽極とする電気分解によって、Ａｌ板４の上
層部を選択的に陽極酸化し、陽極酸化膜部６及びＡ！の
下地部７を形成する。
次いで、第７図（ｃ）に示すように、フォトレジスト５
例の柱状部７ａの一部をアルミ部２３ａとして残し、他
の下地部７を溶解除去する。これにより、陽極酸化膜部
６に複数の所定深さの孔２４が形成される。
例の柱状部７ａの一部をアルミ部２３ａとして残し、他
の下地部７を溶解除去する。これにより、陽極酸化膜部
６に複数の所定深さの孔２４が形成される。
次いで、第７図（ｄ）に示すように、例えば金（Ａｕ）
ペーストを孔２４に埋め込み、これを焼成した後、不要
な部分をエツチングにより除去して金部２３ｂを形成す
る。
ペーストを孔２４に埋め込み、これを焼成した後、不要
な部分をエツチングにより除去して金部２３ｂを形成す
る。
次いで、第７図（ｅ）に示すように、導電部材２３をマ
スキングして陽極酸化膜部６の表層部を深さ１〜２０μ
ｍだけ溶解除去し、膜状絶縁部材２２を形成すると、異
方性導電膜２１ができあがる。
スキングして陽極酸化膜部６の表層部を深さ１〜２０μ
ｍだけ溶解除去し、膜状絶縁部材２２を形成すると、異
方性導電膜２１ができあがる。
本実施例においても、上述例と同様な効果を得ることが
でき、さらに、異種材料からなる導電部材２３を設けて
いるので、膜状絶縁部材２２の所定位置に相手側端子又
は電極と相性の良い（接続し易い）材質の導電部材２３
ａ、２３ｂを設けることができ、接続の適用範囲を拡大
することができる。
でき、さらに、異種材料からなる導電部材２３を設けて
いるので、膜状絶縁部材２２の所定位置に相手側端子又
は電極と相性の良い（接続し易い）材質の導電部材２３
ａ、２３ｂを設けることができ、接続の適用範囲を拡大
することができる。
第８〜１７図は本発明に係る異方性導電膜の第４実施例
とその製造方法の第１〜６実施例を示す図である。
とその製造方法の第１〜６実施例を示す図である。
まず、第８〜１０図によりその異方性導電膜の概略の構
成について説明する。
成について説明する。
第８図（ａ）〜（ｃ）において、３１は異方性導電膜、
３２は例えばＡｆ２０．からなる陽極酸化膜である膜状
絶縁部材、３３は膜状絶縁部材３２の膜厚方向に延在す
る複数の微小の孔、３４は導電性の金属例えば金（Ａｕ
）よりなる導電部材、３５は半導体チップであるＬＳＩ
チップ、３６はＬＳＩチップ３５を実装する実装基板、
３７．３８はそれぞれ表面部に図示しない配線パターン
が形成された配線基板である。ここで、導電部材３４は
、第９図に示すように、膜状絶縁部材３２の複数の微細
な孔（後述する孔５３）に選択的又は全面的に埋設され
ており、少なくともその一部の導電部材３４が膜状絶縁
部材３２の表面からの膜厚方向に突出している。そして
、第８図（ｂ）又は第８図（Ｃ）に示すように、異方性
導電膜３１がＬＳＩチップ３５とその実装基板３６との
間、又は、配線基板３７．３８の接続部間に介在すると
き、導電部材３４がＬＳＩチップ３５の電極パッドや基
板側接続端子（同図中には共に図示していない）に当接
してＬＳＩチップ３５とその実装基板３６、又は、配線
基板３７．３８が電気的に接続される。また、導電部材
３４は、例えば第９図（ａ）に示すように所定パターン
で選択的に埋め込むことができ、あるいは、第９図（ｂ
）に示すように相手側電極等に接続する部分の導電部材
３４の周辺で膜状絶縁部材３２に凹凸を形成することが
でき、第９図（Ｃ）に示すように複数の導電部材３４の
端部を膜状絶縁部材３２の表面上で結合する突起電極４
１．４２を形成することもできる。なお、第１０図にお
いて、４５はＬＳＩチップ３５の電極パッド（Ａ２バン
ド） 、４６はＬＳＩチンブ３５のパ・ンシベーション
膜、４７は異方性導電膜３１を挟んでＬＳＩチップ３５
および実装基板３６を接着する熱硬化型又はＵＶ硬化型
等の樹脂接着剤、４８は実装基板３６上に形成されたア
ルミニウム（Ａｆ）配線である。
３２は例えばＡｆ２０．からなる陽極酸化膜である膜状
絶縁部材、３３は膜状絶縁部材３２の膜厚方向に延在す
る複数の微小の孔、３４は導電性の金属例えば金（Ａｕ
）よりなる導電部材、３５は半導体チップであるＬＳＩ
チップ、３６はＬＳＩチップ３５を実装する実装基板、
３７．３８はそれぞれ表面部に図示しない配線パターン
が形成された配線基板である。ここで、導電部材３４は
、第９図に示すように、膜状絶縁部材３２の複数の微細
な孔（後述する孔５３）に選択的又は全面的に埋設され
ており、少なくともその一部の導電部材３４が膜状絶縁
部材３２の表面からの膜厚方向に突出している。そして
、第８図（ｂ）又は第８図（Ｃ）に示すように、異方性
導電膜３１がＬＳＩチップ３５とその実装基板３６との
間、又は、配線基板３７．３８の接続部間に介在すると
き、導電部材３４がＬＳＩチップ３５の電極パッドや基
板側接続端子（同図中には共に図示していない）に当接
してＬＳＩチップ３５とその実装基板３６、又は、配線
基板３７．３８が電気的に接続される。また、導電部材
３４は、例えば第９図（ａ）に示すように所定パターン
で選択的に埋め込むことができ、あるいは、第９図（ｂ
）に示すように相手側電極等に接続する部分の導電部材
３４の周辺で膜状絶縁部材３２に凹凸を形成することが
でき、第９図（Ｃ）に示すように複数の導電部材３４の
端部を膜状絶縁部材３２の表面上で結合する突起電極４
１．４２を形成することもできる。なお、第１０図にお
いて、４５はＬＳＩチップ３５の電極パッド（Ａ２バン
ド） 、４６はＬＳＩチンブ３５のパ・ンシベーション
膜、４７は異方性導電膜３１を挟んでＬＳＩチップ３５
および実装基板３６を接着する熱硬化型又はＵＶ硬化型
等の樹脂接着剤、４８は実装基板３６上に形成されたア
ルミニウム（Ａｆ）配線である。
次に、その製造方法の第１〜６実施例について説明する
。
。
第１１図はその製造方法の第１実施例を示す。
本実施例では、まず、第１１図（ａ）に示すように、導
電性の素材例えばＡｆｆｉからなる導電基板５１を陽極
とする水溶液中の電気分解で、導電基板５１の上層部５
２を陽極酸化し、第１１図（ｂ）に示すように、所定深
さの複数の微小な孔５３（例えば、孔径が０．０１〜０
．２μｍ）を有する膜厚１〜１００μｍの陽極酸化膜５
４を形成する。この陽極酸化膜５４は、詳細を図示して
いない複数のセルからなり、このセルのそれぞれに孔５
３（ボア）が形成される。また、ここでの陽極酸化処理
は、例えば２〜１０％のりん酸を含む電解液を使用し、
条件を温度２０〜３０℃の間で変動幅が±２°Ｃ以内、
印加電圧２０〜１６０■で３０〜１２０分（電流密度０
．５〜３Ａ／ｄｍ” ）とする処理であり、この処理に
より孔径０．２μｍ以下で陽極酸化膜５４の膜厚方向に
延在する多数の微小な孔５３が０．３〜０．４μｍピッ
チ程度に形成される。この他の処理としては、りん酸溶
液に代えて、例えば５〜２０％の硫酸溶液を使用し、条
件を温度１０〜２５°Ｃの間で変動幅±１℃以内、印加
電圧１０〜４０Ｖで１０〜１２０分（電流密度０．５〜
３Ａ／ｄｍ２ ）とする処理を行うことができ、この処
理により孔径０，０３μｍ（１０〜３０ｎｍ）以下で陽
極酸化膜５４の膜厚方向に延在する多数の微小な孔５３
が０．１μｍピッチ以下（３０〜１０１００ｎで形成さ
れる。
電性の素材例えばＡｆｆｉからなる導電基板５１を陽極
とする水溶液中の電気分解で、導電基板５１の上層部５
２を陽極酸化し、第１１図（ｂ）に示すように、所定深
さの複数の微小な孔５３（例えば、孔径が０．０１〜０
．２μｍ）を有する膜厚１〜１００μｍの陽極酸化膜５
４を形成する。この陽極酸化膜５４は、詳細を図示して
いない複数のセルからなり、このセルのそれぞれに孔５
３（ボア）が形成される。また、ここでの陽極酸化処理
は、例えば２〜１０％のりん酸を含む電解液を使用し、
条件を温度２０〜３０℃の間で変動幅が±２°Ｃ以内、
印加電圧２０〜１６０■で３０〜１２０分（電流密度０
．５〜３Ａ／ｄｍ” ）とする処理であり、この処理に
より孔径０．２μｍ以下で陽極酸化膜５４の膜厚方向に
延在する多数の微小な孔５３が０．３〜０．４μｍピッ
チ程度に形成される。この他の処理としては、りん酸溶
液に代えて、例えば５〜２０％の硫酸溶液を使用し、条
件を温度１０〜２５°Ｃの間で変動幅±１℃以内、印加
電圧１０〜４０Ｖで１０〜１２０分（電流密度０．５〜
３Ａ／ｄｍ２ ）とする処理を行うことができ、この処
理により孔径０，０３μｍ（１０〜３０ｎｍ）以下で陽
極酸化膜５４の膜厚方向に延在する多数の微小な孔５３
が０．１μｍピッチ以下（３０〜１０１００ｎで形成さ
れる。
なお、りん酸溶液を使用する方が孔径（ボア径）は大き
くなるため、絶縁膜としての陽極酸化膜５４に後述する
導電部材を形成し易く有利である。しかし、フォトプロ
セスその他の方式を用いて陽極酸化膜５４に別途貫通孔
や貫通導電部を設ける場合には、硫酸溶液を使用した透
明な膜の方が後の作業（例えば接続時の位置合せ）の際
等に有利である。
くなるため、絶縁膜としての陽極酸化膜５４に後述する
導電部材を形成し易く有利である。しかし、フォトプロ
セスその他の方式を用いて陽極酸化膜５４に別途貫通孔
や貫通導電部を設ける場合には、硫酸溶液を使用した透
明な膜の方が後の作業（例えば接続時の位置合せ）の際
等に有利である。
次いで、第１１図（ｃ）に示すように、導電基板５１の
下層部５５を電極として、電解条件を浴温５０〜７０°
Ｃ１電流密度０．１〜２０Ａ ／ ｄ ｍ ”、時間１
０〜１２０分とする電解析出により、陽極酸化膜５４の
孔５３内に導電性の金属、例えば金（Ａｕ）を析出して
導電部材３４を形成する。なお、導電部材３４の形成方
法としては、孔５３に金属ペースト（例えば、商品名「
レジネートペースト」で知られている）又は導電性高分
子材料を埋め込むことができ、無電解メツキにより、又
は蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ等のドライメツキによ
り行うこともできる。
下層部５５を電極として、電解条件を浴温５０〜７０°
Ｃ１電流密度０．１〜２０Ａ ／ ｄ ｍ ”、時間１
０〜１２０分とする電解析出により、陽極酸化膜５４の
孔５３内に導電性の金属、例えば金（Ａｕ）を析出して
導電部材３４を形成する。なお、導電部材３４の形成方
法としては、孔５３に金属ペースト（例えば、商品名「
レジネートペースト」で知られている）又は導電性高分
子材料を埋め込むことができ、無電解メツキにより、又
は蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ等のドライメツキによ
り行うこともできる。
次いで、第１１図（ｄ）に示すように、導電基板５１の
下層部５５を例えば臭素−メタノール溶液、あるいはり
ん酸溶液等で溶解除去し、陽極酸化膜５４をこの下層部
５５から分離する。
下層部５５を例えば臭素−メタノール溶液、あるいはり
ん酸溶液等で溶解除去し、陽極酸化膜５４をこの下層部
５５から分離する。
次いで、第１１図（ｅ）に示すように、陽極酸化膜３４
の表層部を例えば塩酸系あるいはりん酸系の溶解液によ
り溶解除去して膜状絶縁部材３２を形成するとともに、
この膜状絶縁部材３２の表面から導電部材３４の両端を
突出させると、異方性導電膜３１ができ上がる。
の表層部を例えば塩酸系あるいはりん酸系の溶解液によ
り溶解除去して膜状絶縁部材３２を形成するとともに、
この膜状絶縁部材３２の表面から導電部材３４の両端を
突出させると、異方性導電膜３１ができ上がる。
このように、本実施例においては、導電性の金属素材を
陽極酸化し、異方性導電膜を構成する絶縁膜３２として
多孔質皮膜である陽極酸化膜を形成し、膜状絶縁部材３
２に形成される複数の微小孔３３（例えば、孔径０．２
μｍ以下でピッチ０．４μｍ以下の多数の孔）に非常に
微小ピッチで、しかもショートの恐れなく、一端がほぼ
半球状の導電部材３４を形成することができる。薫た、
膜状絶縁部材３２は上述したように、従来の樹脂製絶縁
膜と比較すると高温・高温に耐えることができるため、
接続時に導電部が移動したりすることがなくなり、電気
的接続の信転性が向上する。さらに、本実施例において
は、電解析出によって複数の孔５３に導電部材５４を形
成するため、孔５３が微小孔であっても導電部材５４′
の形成が容易にでき、接続の信頬性が高まる。
陽極酸化し、異方性導電膜を構成する絶縁膜３２として
多孔質皮膜である陽極酸化膜を形成し、膜状絶縁部材３
２に形成される複数の微小孔３３（例えば、孔径０．２
μｍ以下でピッチ０．４μｍ以下の多数の孔）に非常に
微小ピッチで、しかもショートの恐れなく、一端がほぼ
半球状の導電部材３４を形成することができる。薫た、
膜状絶縁部材３２は上述したように、従来の樹脂製絶縁
膜と比較すると高温・高温に耐えることができるため、
接続時に導電部が移動したりすることがなくなり、電気
的接続の信転性が向上する。さらに、本実施例において
は、電解析出によって複数の孔５３に導電部材５４を形
成するため、孔５３が微小孔であっても導電部材５４′
の形成が容易にでき、接続の信頬性が高まる。
第１２図はその製造方法の第２実施例を説明する図であ
る。
る。
本実施例では、まず、導電基板５１を陽極とする水溶液
中の電気分解で、導電基板５１の上層部５２を陽極酸化
し、第１２図（ａ）に示すように、所定深さの複数の微
小な孔５３を有する膜厚ｌ〜１００μｍの陽極酸化膜５
４を形成する。この陽極酸化処理は、製造方法の第１実
施例と同様である。
中の電気分解で、導電基板５１の上層部５２を陽極酸化
し、第１２図（ａ）に示すように、所定深さの複数の微
小な孔５３を有する膜厚ｌ〜１００μｍの陽極酸化膜５
４を形成する。この陽極酸化処理は、製造方法の第１実
施例と同様である。
次いで、電流回復法により陽極酸化溶液中で印加電圧を
低下させ、最終印加電圧が例えば２■になるまで低下さ
せた後、対極を陽極酸化されない白金又はカーボンに変
えて浴温を低温に保ち、導電基板５１をカソードに接続
して電流を５ｍＡ／ｃｍ２から１０ｍＡ／ｃｍ２まで徐
々に増加させる。
低下させ、最終印加電圧が例えば２■になるまで低下さ
せた後、対極を陽極酸化されない白金又はカーボンに変
えて浴温を低温に保ち、導電基板５１をカソードに接続
して電流を５ｍＡ／ｃｍ２から１０ｍＡ／ｃｍ２まで徐
々に増加させる。
このとき、発生する水素ガス圧力により陽極酸化膜５４
が導電基板５１の下層部５５から浮き上がり、陽極酸化
膜５４および下層部５５の分離が可能になる。
が導電基板５１の下層部５５から浮き上がり、陽極酸化
膜５４および下層部５５の分離が可能になる。
なお、ここで陽極酸化膜５４から孔５３の底部５３ａが
脱落し、孔５３は貫通状態となる。
脱落し、孔５３は貫通状態となる。
そして、第１２図（ｂ）に示すように、陽極酸化膜５４
を電解液中から取り出すと、陽極酸化膜５４が導電基板
５１の下層部５５から完全に分離する。この後、必要に
応じてりん酸溶液等により陽極酸化膜の一部を選択的に
溶解させ、貫通孔５３の孔径を大きくしても良い。
を電解液中から取り出すと、陽極酸化膜５４が導電基板
５１の下層部５５から完全に分離する。この後、必要に
応じてりん酸溶液等により陽極酸化膜の一部を選択的に
溶解させ、貫通孔５３の孔径を大きくしても良い。
次いで、第１２図（Ｃ）に示すように、この分離した陽
極酸化膜５４の下方に、ニッケル層６１と陽極酸化膜か
らなる剥離層６２とを絶縁基体６３上に積層した導電部
形成用マスター６４を配置し、ニッケル層６１を電極と
して、電解条件を浴温５０〜７０°Ｃ１電流密度０．１
〜２０Ａ ／ ｄ ｍ” 、時間１０〜１２０分とする
電解析出により、陽極酸化膜５４の孔５３内に導電性の
金属、例えば金（Ａｕ）を析出して導電部材３４を形成
する。
極酸化膜５４の下方に、ニッケル層６１と陽極酸化膜か
らなる剥離層６２とを絶縁基体６３上に積層した導電部
形成用マスター６４を配置し、ニッケル層６１を電極と
して、電解条件を浴温５０〜７０°Ｃ１電流密度０．１
〜２０Ａ ／ ｄ ｍ” 、時間１０〜１２０分とする
電解析出により、陽極酸化膜５４の孔５３内に導電性の
金属、例えば金（Ａｕ）を析出して導電部材３４を形成
する。
次いで、第１２図（ｄ）に示すように、剥離層６２を境
に陽極酸化膜５４を導電部形成用マスター６４から剥離
（分離）する。
に陽極酸化膜５４を導電部形成用マスター６４から剥離
（分離）する。
次いで、第１２図（ｅ）に示すように、陽極酸化膜５４
の表層部を例えば塩酸系の溶解液により溶解除去して膜
状絶縁部材３２を形成するとともに、この膜状絶縁部材
３２の表面から導電部材３４の両端を突出させると、異
方性導電膜３１ができ上がる。
の表層部を例えば塩酸系の溶解液により溶解除去して膜
状絶縁部材３２を形成するとともに、この膜状絶縁部材
３２の表面から導電部材３４の両端を突出させると、異
方性導電膜３１ができ上がる。
本実施例においても、導電部材３４の両端形状がほぼ同
一となる他は、第１実施例とほぼ同様の効果が得られる
。
一となる他は、第１実施例とほぼ同様の効果が得られる
。
第１３．１４図はその製造方法の第３実施例を説明する
図である。
図である。
本実施例では、まず、例えば１０〜２０％の硫酸溶液を
使用し、電流密度１〜３Ａ／ｄｍ”、液温１５〜２５°
Ｃ±１℃の条件で１０〜１２０分間陽極酸化して陽極酸
化膜５４を形成した後、この陽極酸化膜５４を導電基板
５１の下層部５５から分離する。
使用し、電流密度１〜３Ａ／ｄｍ”、液温１５〜２５°
Ｃ±１℃の条件で１０〜１２０分間陽極酸化して陽極酸
化膜５４を形成した後、この陽極酸化膜５４を導電基板
５１の下層部５５から分離する。
次いで、第１３図（ａ）に示すように、この分離した陽
極酸化膜５４（孔５３が貫通している）の下方に、Ｓｉ
ｎ、又は感光性樹脂のマスクパターン７１を予め積層し
た導電部形成用マスター６４を配置する。すなわち、電
極としてのニッケル層６２を選択的に使用し、電解条件
を浴温２５〜４０°Ｃ１電流密度０．２〜３Ａ／ｄｍ２
、時間１０〜１２０分とする電解析出を行う。
極酸化膜５４（孔５３が貫通している）の下方に、Ｓｉ
ｎ、又は感光性樹脂のマスクパターン７１を予め積層し
た導電部形成用マスター６４を配置する。すなわち、電
極としてのニッケル層６２を選択的に使用し、電解条件
を浴温２５〜４０°Ｃ１電流密度０．２〜３Ａ／ｄｍ２
、時間１０〜１２０分とする電解析出を行う。
そして、第１３図（ｂ）に示すように、陽極酸化膜５４
の複数の微小な孔５３のうち所定の孔５３内に導電性の
金属、例えばニッケル（Ｎｉ）を析出して導電部材３４
を選択的に形成する。なお、このとき、複数の導電部材
３４の一端が導電部形成用マスター６４側でつながって
マスクパターン５１間に対応する突起電極７２が形成さ
れる。また、前記電解析出の時間を延長することにより
、第１４図（ａ）に示すように、隣接する孔５３に埋め
込まれた導電部材３４同士が孔５３の外方で完全につな
がる突起電極７３を形成することができる。
の複数の微小な孔５３のうち所定の孔５３内に導電性の
金属、例えばニッケル（Ｎｉ）を析出して導電部材３４
を選択的に形成する。なお、このとき、複数の導電部材
３４の一端が導電部形成用マスター６４側でつながって
マスクパターン５１間に対応する突起電極７２が形成さ
れる。また、前記電解析出の時間を延長することにより
、第１４図（ａ）に示すように、隣接する孔５３に埋め
込まれた導電部材３４同士が孔５３の外方で完全につな
がる突起電極７３を形成することができる。
次いで、第１３図（Ｃ）に示すように、陽極酸化膜５４
の表層部を例えば塩酸系の溶解液により溶解除去して膜
状絶縁部材３２を形成するとともに、この膜状絶縁部材
３２の表面から導電部材３４の他端を突出させると、異
方性導電膜３１ができ上がる。
の表層部を例えば塩酸系の溶解液により溶解除去して膜
状絶縁部材３２を形成するとともに、この膜状絶縁部材
３２の表面から導電部材３４の他端を突出させると、異
方性導電膜３１ができ上がる。
なお、第１４図（ｂ）に示すように、陽極酸化膜５４の
表層部をさらに溶解除去して突起電極７２．７３の突出
量を大きくすることができる。
表層部をさらに溶解除去して突起電極７２．７３の突出
量を大きくすることができる。
このように、本実施例においては、電解析出用の電極の
配置方法を工夫して導電部材３４を任意のパターンで選
択的に形成することができ１、導電部材３４の形成パタ
ーンを適宜設定するだけで被接続パターンと一対一で対
応するパターンを得ることができ、導電部材材１４を形
成する導電材料の使用量を必要最小限に節約してコスト
低減を図ることができる。また、ＬＳＩチップ３５や実
装基板３６の接続端子に接続する導電部材３４（異方性
導電膜の導電部）を、極めて細い導電線の束として形成
することができ、第８図に示すような実装状態で、ＬＳ
Ｉチップ３５の電極パッド２５等に不必要な力を加える
ことなく、安定した電気的接続を得ることができる。さ
らに、電解析出の時間を調節するだけでこれら導電部材
３４の束に接続する突起電極７２．７３を容易に形成す
ることができる。
配置方法を工夫して導電部材３４を任意のパターンで選
択的に形成することができ１、導電部材３４の形成パタ
ーンを適宜設定するだけで被接続パターンと一対一で対
応するパターンを得ることができ、導電部材材１４を形
成する導電材料の使用量を必要最小限に節約してコスト
低減を図ることができる。また、ＬＳＩチップ３５や実
装基板３６の接続端子に接続する導電部材３４（異方性
導電膜の導電部）を、極めて細い導電線の束として形成
することができ、第８図に示すような実装状態で、ＬＳ
Ｉチップ３５の電極パッド２５等に不必要な力を加える
ことなく、安定した電気的接続を得ることができる。さ
らに、電解析出の時間を調節するだけでこれら導電部材
３４の束に接続する突起電極７２．７３を容易に形成す
ることができる。
第１５図はその製造方法の第４実施例を説明する図であ
る。
る。
本実施例では、まず、第１２図（ａ）（ｂ）に示した上
記工程と同様にして陽極酸化膜５４を形成した後、この
陽極酸化膜５４を導電基板５１の下層部５５から分離す
る。
記工程と同様にして陽極酸化膜５４を形成した後、この
陽極酸化膜５４を導電基板５１の下層部５５から分離す
る。
次いで、第１５図（ａ）に示すように、この分離した陽
極酸化膜５４（孔５３が貫通している）の下方に導電部
形成用マスター８０を配置する。なお、この導電部形成
用マスター８０は、絶縁基体８４上に成膜した導電金属
膜にエツチングにより凹部を形成して電極層８１を形成
し、この電極層８１に複数のマスク部材８２を埋設して
電極層８１を平坦化した後、この電極層８１上に重クロ
ム酸処理あるいは有機物（例えば卵白）を含む剥離層８
３を形成したものである。
極酸化膜５４（孔５３が貫通している）の下方に導電部
形成用マスター８０を配置する。なお、この導電部形成
用マスター８０は、絶縁基体８４上に成膜した導電金属
膜にエツチングにより凹部を形成して電極層８１を形成
し、この電極層８１に複数のマスク部材８２を埋設して
電極層８１を平坦化した後、この電極層８１上に重クロ
ム酸処理あるいは有機物（例えば卵白）を含む剥離層８
３を形成したものである。
次いで、ニッケル層８２を電極として、電解条件を浴温
５０〜７０°Ｃ１電流密度０．１〜２０Ａ ／ ｄ ｍ
”時間１０〜１２０分とする電解析出により、第１５
図（ｂ）に示すように、陽極酸化膜５４の孔５３内に導
電性の金属、例えば金（Ａｕ）を析出して導電部材３４
を形成する。
５０〜７０°Ｃ１電流密度０．１〜２０Ａ ／ ｄ ｍ
”時間１０〜１２０分とする電解析出により、第１５
図（ｂ）に示すように、陽極酸化膜５４の孔５３内に導
電性の金属、例えば金（Ａｕ）を析出して導電部材３４
を形成する。
次いで、第１５図（Ｃ）に示すように、陽極酸化膜５４
の表層部を例えば塩酸系の溶解液により溶解除去して膜
状絶縁部材３２を形成するとともに、この膜状絶縁部材
３２の表面から導電部材３４の他端を突出させると、異
方性導電膜３１ができ上がる。
の表層部を例えば塩酸系の溶解液により溶解除去して膜
状絶縁部材３２を形成するとともに、この膜状絶縁部材
３２の表面から導電部材３４の他端を突出させると、異
方性導電膜３１ができ上がる。
このように、本実施例においては、電極配置面の平坦な
導電部形成用マスター８０を用い、上述例と同様な効果
をうることができる。また、膜状絶縁部材３２の両面か
ら突出する多数の導電部材３４を形成し、異方性導電膜
の導電部を導電部材３４の束のみにより構成することが
できる。
導電部形成用マスター８０を用い、上述例と同様な効果
をうることができる。また、膜状絶縁部材３２の両面か
ら突出する多数の導電部材３４を形成し、異方性導電膜
の導電部を導電部材３４の束のみにより構成することが
できる。
第１６図はその製造方法の第５実施例を説明する図であ
る。
る。
本実施例では、まず、第１２図（ａ）（ｂ）に示した上
記工程と同様にして陽極酸化膜５４を形成した後、この
陽極酸化膜５４を導電基板５１の下層部５５から分離す
る。
記工程と同様にして陽極酸化膜５４を形成した後、この
陽極酸化膜５４を導電基板５１の下層部５５から分離す
る。
次いで、第１６図（ａ）に示すように、この分離した陽
極酸化膜５４（孔５３が貫通している）の下方に、段差
部８５を突設した導電部形成用マスター６４を配置する
。
極酸化膜５４（孔５３が貫通している）の下方に、段差
部８５を突設した導電部形成用マスター６４を配置する
。
次いで、第１６図（ｂ）に示すように、ニッケル層６２
を電極として、電解条件を浴温５０〜７０°Ｃ１電流密
度０．１〜２０Ａ／ｄｍ”とする電解析出により、陽極
酸化膜５４の孔５３内に導電性の金属、例えば金（Ａｕ
）を析出して導電部材３４を形成し、さらに、この金に
より陽極酸化膜５４の上下が覆われるまで電解析出を行
って導電金属層８６．８７を形成する。
を電極として、電解条件を浴温５０〜７０°Ｃ１電流密
度０．１〜２０Ａ／ｄｍ”とする電解析出により、陽極
酸化膜５４の孔５３内に導電性の金属、例えば金（Ａｕ
）を析出して導電部材３４を形成し、さらに、この金に
より陽極酸化膜５４の上下が覆われるまで電解析出を行
って導電金属層８６．８７を形成する。
次いで、第１６図（Ｃ）に示すように、導電金属層８６
．８７をフォトエツチング又はレーザにより部分的に除
去してバターニングし、膜状絶縁部材３２から突出して
導電部材３４同士を結合する突起電極８８．８９を形成
すると、あるいは、次いで陽極酸化膜５４の表層部を溶
解除去して膜状絶縁部材３２の表面から導電部材３４の
他端を突出させると、異方性導電膜３１ができ上がる。
．８７をフォトエツチング又はレーザにより部分的に除
去してバターニングし、膜状絶縁部材３２から突出して
導電部材３４同士を結合する突起電極８８．８９を形成
すると、あるいは、次いで陽極酸化膜５４の表層部を溶
解除去して膜状絶縁部材３２の表面から導電部材３４の
他端を突出させると、異方性導電膜３１ができ上がる。
このように、本実施例においては、導電金属層８６．８
７をフォトエツチング又はレーザよりパターニングし、
所望のパターンの突起電極又は配線を形成することがで
きる。
７をフォトエツチング又はレーザよりパターニングし、
所望のパターンの突起電極又は配線を形成することがで
きる。
第１７図はその製造方法の第６実施例を説明する図であ
る。
る。
本実施例では、まず、第１実施例と同様に、導電基板５
−１を陽極とする水溶液中の電気分解で、その上層部５
２を陽極酸化し、所定深さの複数の微小な孔５３を有す
る膜厚１〜１００μｍの陽極酸化膜５４を形成する。こ
の陽極酸化処理は、上述例と同様である。
−１を陽極とする水溶液中の電気分解で、その上層部５
２を陽極酸化し、所定深さの複数の微小な孔５３を有す
る膜厚１〜１００μｍの陽極酸化膜５４を形成する。こ
の陽極酸化処理は、上述例と同様である。
次いで、第１７図（ａ）（ｂ）に示すように、陽極酸化
膜５４上に感光性樹脂を塗布した後、露光・現像により
所定パターンのマスク９１を形成する。
膜５４上に感光性樹脂を塗布した後、露光・現像により
所定パターンのマスク９１を形成する。
次いで、第１７図（ｃ）に示すように、導電基板５１の
下層部５５を電極として、電解条件を浴温５０〜７０°
Ｃ１電流密度０．１〜２０Ａ ／ ｄ ｍ”、時間１０
〜１２０分とする電解析出により、陽極酸化膜５４の孔
５３のうちマスキングされていない孔５３に導電性の金
属、例えば金（Ａｕ）を析出して導電部材３４を形成す
る。すなわち、マスク９１によりマスキングして複数の
孔５３に選択的に導電部材３４を形成する。
下層部５５を電極として、電解条件を浴温５０〜７０°
Ｃ１電流密度０．１〜２０Ａ ／ ｄ ｍ”、時間１０
〜１２０分とする電解析出により、陽極酸化膜５４の孔
５３のうちマスキングされていない孔５３に導電性の金
属、例えば金（Ａｕ）を析出して導電部材３４を形成す
る。すなわち、マスク９１によりマスキングして複数の
孔５３に選択的に導電部材３４を形成する。
次いで、電流回復法により陽極酸化溶液中で印加電圧を
低下させ、最終印加電圧が例えば２■になるまで低下さ
せた後、対極（図示していない）を陽極酸化されない白
金又はカーボンに変えて浴温を低温に保ち、導電基板５
１をカソードに接続して電流を５ｍＡ／ｃｍ”から１０
ｍＡ／ｃｍ”まで徐々に増加させる。このとき、発生す
る水素ガス圧力により陽極酸化膜５４が導電基板５１の
下層部５５から浮き上がり、陽極酸化１１＊５４および
下層部５５の分離が可能になる。
低下させ、最終印加電圧が例えば２■になるまで低下さ
せた後、対極（図示していない）を陽極酸化されない白
金又はカーボンに変えて浴温を低温に保ち、導電基板５
１をカソードに接続して電流を５ｍＡ／ｃｍ”から１０
ｍＡ／ｃｍ”まで徐々に増加させる。このとき、発生す
る水素ガス圧力により陽極酸化膜５４が導電基板５１の
下層部５５から浮き上がり、陽極酸化１１＊５４および
下層部５５の分離が可能になる。
次いで、第１７図（ｄ）に示すように、この陽極酸化膜
５４を電解液中から取り出し、導電基板５１の下層部５
５から完全に分離する。
５４を電解液中から取り出し、導電基板５１の下層部５
５から完全に分離する。
次いで、第１７図（ｅ）に示すように、陽極酸化膜５４
上からマスク９１を除去する。
上からマスク９１を除去する。
次いで、第１７図（ｆ）に示すように、陽極酸化膜５４
の表層部を例えば塩酸系の溶解液により溶解除去して膜
状絶縁部材３２を形成するとともに、この膜状絶縁部材
３２の表面から導電部材３４の両端を突出させると、異
方性導電膜３１ができ上がる。
の表層部を例えば塩酸系の溶解液により溶解除去して膜
状絶縁部材３２を形成するとともに、この膜状絶縁部材
３２の表面から導電部材３４の両端を突出させると、異
方性導電膜３１ができ上がる。
このように、本実施例においては、陽極酸化膜５４の孔
５３を部分的にマスキングして導電部材３４を選択的に
形成することができ、上述例と同様な効果を得ることが
できる。
５３を部分的にマスキングして導電部材３４を選択的に
形成することができ、上述例と同様な効果を得ることが
できる。
請求項１．４記載の発明によれば、導電性の素材を陽極
酸化して高温・高温に耐える陽極酸化膜を形成し、この
陽極酸化膜を膜状絶縁部材として、これに導電部材を埋
設しているので、ショートを防止しつつ接続ピッチを大
幅に縮小することができ、接続時に導電部が移動したり
するのを防止して電気的接続の信頼性を大幅に向上させ
ることができる。
酸化して高温・高温に耐える陽極酸化膜を形成し、この
陽極酸化膜を膜状絶縁部材として、これに導電部材を埋
設しているので、ショートを防止しつつ接続ピッチを大
幅に縮小することができ、接続時に導電部が移動したり
するのを防止して電気的接続の信頼性を大幅に向上させ
ることができる。
請求項２記載の発明によれば、陽極酸化膜に形成される
非常に微細で微小ピッチの孔に複数の導電部材を形成し
、ショートを防止しつつ導電部材のピッチを大幅に縮小
することができ、接続ピッチを大幅に縮小することがで
きる。さらに、陽極酸化膜の多数の微小孔を利用して導
電部材を選択的に形成し、あるいは導電部材を全面的に
形成した異方性導電膜に凹凸を形成して、任意の接続パ
ターンを容易に実現することができ、また、導電部材を
形成する導電材料の使用量を必要最小限に節約してコス
ト低減を図ることもできる。
非常に微細で微小ピッチの孔に複数の導電部材を形成し
、ショートを防止しつつ導電部材のピッチを大幅に縮小
することができ、接続ピッチを大幅に縮小することがで
きる。さらに、陽極酸化膜の多数の微小孔を利用して導
電部材を選択的に形成し、あるいは導電部材を全面的に
形成した異方性導電膜に凹凸を形成して、任意の接続パ
ターンを容易に実現することができ、また、導電部材を
形成する導電材料の使用量を必要最小限に節約してコス
ト低減を図ることもできる。
請求項３記載の発明によれば、選択的な陽極酸化処理を
行うだけで、アルミナの膜状絶縁部材に所望の配列パタ
ーンでアルミニウムの導電部材を埋設することができ、
製造が容易な異方性導電膜を提供することができる。
行うだけで、アルミナの膜状絶縁部材に所望の配列パタ
ーンでアルミニウムの導電部材を埋設することができ、
製造が容易な異方性導電膜を提供することができる。
請求項５記載の発明によれば、電解析出によって前記導
電部材を形成するようにしているので、前記陽極酸化膜
の孔が微小の孔であっても導電部材の埋設が容易にでき
る。
電部材を形成するようにしているので、前記陽極酸化膜
の孔が微小の孔であっても導電部材の埋設が容易にでき
る。
請求項６記載の発明によれば、導電基板の上層部を陽極
酸化して陽極酸化膜を形成し、後にこれを下層部から分
離して膜状絶縁部材とするようにしているので、電解析
出により陽極酸化膜の孔内に導電部材を形成する際、そ
の電極形成を容易にすることができる。
酸化して陽極酸化膜を形成し、後にこれを下層部から分
離して膜状絶縁部材とするようにしているので、電解析
出により陽極酸化膜の孔内に導電部材を形成する際、そ
の電極形成を容易にすることができる。
第１〜３図は本発明に係る異方性導電膜の第１実施例と
その製造方法の一例を示す図であり、第１図はその異方
性導電膜の斜視図、 第２図はその異方性導電膜の断面図、 第３図はその製造方法の一例の工程説明図である。 第４．５図は本発明に係る異方性導電膜の第２実施例と
その製造方法の一例を示す図であり、第４図はその異方
性導電膜の断面図、 第５図はその製造方法の一例の工程説明図である。 第６．７図は本発明に係る異方性導電膜の第３実施例と
その製造方法の一例を示す図であり、第６図はその異方
性導電膜の断面図、 第７図はその製造方法の一例の工程説明図である。 第８〜１７図は本発明に係る異方性導電膜の第４実施例
とその製造方法の第１〜６実施例を示す図であり、 第８図（ａ）はその異方性導電膜の概略構成を示す斜視
図、 第８図（ｂ）はその異方性導電膜による半導体チップの
概略の実装状態を示す図、 第８図（Ｃ）はその異方性導電膜による配線基板同士の
概略の接続状態を示す図、 第９図（ａ）〜（Ｃ）はその導電部材等の異なる態様を
示す断面構成図、 第１Ｏ図はその異方性導電膜によるＬＳＩチップの実装
状態を具体的に示す図、 第１１〜１７図はその製造方法の第１〜６実施例の工程
説明図である。 １．１１．２１．３１・・・・・・異方性導電膜、２．
１２．２２．３２・・・・・・膜状絶縁部材、３．１３
．２３．３４・・・・・・導電部材、４・・・・・・Ａ
ｌ板（導電材料）、 １４．２４・・・・・・（複数の）孔、２３ａ・・・・
・・アルミ部、 ２３ｂ・・・・・・金部、 ５１・・・・・・導電基板（導電性素材）５２・・・・
・・上層部、 ５３・・・・・・（微小の）孔、 ５４・・・・・・陽極酸化膜、 ５５・・・・・・下層部。 代 埋入弁理士 有我 軍 図 第 図 第 図 第 ７ 図 ぢ 第 図 第 図 弔 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第１５図 第 図 第 １７ 図 手続補正書 （自発） 平成２年１１月Ｉ日 特願平２−２１７９３４号 ２、発明の名称 異方性導電膜およびその製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都大田区中馬込１丁目３番６号名称 （６７
４）株式会社 リコー ４、代理人 〒１５１ 住所 東京都渋谷区代々木２丁目６番９号５、補正の対
象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄。 ６、補正の内容 明細書第９頁第３行目にｒ （ｃ）（ｄ）Ｊとあるのを
、ｒ （ｃ）Ｊと補正する。 ２） 同第９頁第６行目にｒ （ｅ）Ｊとあるのを、ｒ
（ｄ）Ｊと補正する。 以上
その製造方法の一例を示す図であり、第１図はその異方
性導電膜の斜視図、 第２図はその異方性導電膜の断面図、 第３図はその製造方法の一例の工程説明図である。 第４．５図は本発明に係る異方性導電膜の第２実施例と
その製造方法の一例を示す図であり、第４図はその異方
性導電膜の断面図、 第５図はその製造方法の一例の工程説明図である。 第６．７図は本発明に係る異方性導電膜の第３実施例と
その製造方法の一例を示す図であり、第６図はその異方
性導電膜の断面図、 第７図はその製造方法の一例の工程説明図である。 第８〜１７図は本発明に係る異方性導電膜の第４実施例
とその製造方法の第１〜６実施例を示す図であり、 第８図（ａ）はその異方性導電膜の概略構成を示す斜視
図、 第８図（ｂ）はその異方性導電膜による半導体チップの
概略の実装状態を示す図、 第８図（Ｃ）はその異方性導電膜による配線基板同士の
概略の接続状態を示す図、 第９図（ａ）〜（Ｃ）はその導電部材等の異なる態様を
示す断面構成図、 第１Ｏ図はその異方性導電膜によるＬＳＩチップの実装
状態を具体的に示す図、 第１１〜１７図はその製造方法の第１〜６実施例の工程
説明図である。 １．１１．２１．３１・・・・・・異方性導電膜、２．
１２．２２．３２・・・・・・膜状絶縁部材、３．１３
．２３．３４・・・・・・導電部材、４・・・・・・Ａ
ｌ板（導電材料）、 １４．２４・・・・・・（複数の）孔、２３ａ・・・・
・・アルミ部、 ２３ｂ・・・・・・金部、 ５１・・・・・・導電基板（導電性素材）５２・・・・
・・上層部、 ５３・・・・・・（微小の）孔、 ５４・・・・・・陽極酸化膜、 ５５・・・・・・下層部。 代 埋入弁理士 有我 軍 図 第 図 第 図 第 ７ 図 ぢ 第 図 第 図 弔 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第１５図 第 図 第 １７ 図 手続補正書 （自発） 平成２年１１月Ｉ日 特願平２−２１７９３４号 ２、発明の名称 異方性導電膜およびその製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都大田区中馬込１丁目３番６号名称 （６７
４）株式会社 リコー ４、代理人 〒１５１ 住所 東京都渋谷区代々木２丁目６番９号５、補正の対
象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄。 ６、補正の内容 明細書第９頁第３行目にｒ （ｃ）（ｄ）Ｊとあるのを
、ｒ （ｃ）Ｊと補正する。 ２） 同第９頁第６行目にｒ （ｅ）Ｊとあるのを、ｒ
（ｄ）Ｊと補正する。 以上
Claims (6)
- （１）導電性の素材を陽極酸化して形成された膜状絶縁
部材と、 膜状絶縁部材内に設けられ、該絶縁部材の膜厚方向に導
電する導電部材と、 を備えたことを特徴とする異方性導電膜。 - （２）前記膜状絶縁部材が陽極酸化により形成された複
数の微小な孔を有し、該孔に膜状絶縁部材から突出する
よう前記導電部材を設けたことを特徴とする請求項１記
載の異方性導電膜。 - （３）前記導電部材がアルミニウムからなることを特徴
とする請求項１記載の異方性導電膜。 - （４）導電性の素材を陽極酸化して膜状絶縁部材を形成
する工程と、 該膜状絶縁部材に導電材料からなる導電部材を埋設する
工程と、 を含むことを特徴とする異方性導電膜の製造方法。 - （５）前記導電部材を、電解析出により形成することを
特徴とする請求項４記載の異方性導電膜の製造方法。 - （６）導電基板の上層部を陽極酸化して、所定深さの複
数の微小な孔を有する陽極酸化膜を形成する工程と、 電解析出により陽極酸化膜の微小孔内に導電性の金属を
析出して導電部材を形成する工程と、陽極酸化膜を導電
基板の下層部から分離する工程と、 陽極酸化膜の表層部を除去して導電部材を陽極酸化膜か
ら突出させる工程と、 を含むことを特徴とする異方性導電膜の製造方法。
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