JPH1050145A - 異方性導電膜及びその製造方法 - Google Patents
異方性導電膜及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH1050145A JPH1050145A JP8207500A JP20750096A JPH1050145A JP H1050145 A JPH1050145 A JP H1050145A JP 8207500 A JP8207500 A JP 8207500A JP 20750096 A JP20750096 A JP 20750096A JP H1050145 A JPH1050145 A JP H1050145A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- plating
- metal
- oxide film
- conductive film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 導電性フィラー間のピッチがミクロンオーダ
ーの極めて微小である異方性導電膜を得る。 【解決手段】 異方性導電膜２０は、厚さ３〜５０μｍ
の絶縁性薄膜１４にこの薄膜を貫通する繊維径が０．０
１〜０．２μｍの繊維状の金属１３ａが４〜１８０本／
μｍ2の割合で混入してなる。アルミニウム材１０を酸
化して表面に微細孔１２を有する多孔質酸化皮膜１１を
形成し、皮膜１１をめっき処理して微細孔に金属１３ａ
を充填しかつ皮膜表面をめっき膜１３ｂで被覆し、皮膜
１１を溶解して繊維状の金属１３ａがめっき膜１３ｂに
林立した剣山状の析出物１３をアルミニウム材１０から
分離し、析出物１３の金属１３ａの林立側に絶縁性硬化
液を流し込んで乾燥して絶縁性薄膜１４を形成し、薄膜
の片面にあるめっき膜１３ｂを溶解して薄膜１４を露出
させることにより、異方性導電膜２０を作製する。
ーの極めて微小である異方性導電膜を得る。 【解決手段】 異方性導電膜２０は、厚さ３〜５０μｍ
の絶縁性薄膜１４にこの薄膜を貫通する繊維径が０．０
１〜０．２μｍの繊維状の金属１３ａが４〜１８０本／
μｍ2の割合で混入してなる。アルミニウム材１０を酸
化して表面に微細孔１２を有する多孔質酸化皮膜１１を
形成し、皮膜１１をめっき処理して微細孔に金属１３ａ
を充填しかつ皮膜表面をめっき膜１３ｂで被覆し、皮膜
１１を溶解して繊維状の金属１３ａがめっき膜１３ｂに
林立した剣山状の析出物１３をアルミニウム材１０から
分離し、析出物１３の金属１３ａの林立側に絶縁性硬化
液を流し込んで乾燥して絶縁性薄膜１４を形成し、薄膜
の片面にあるめっき膜１３ｂを溶解して薄膜１４を露出
させることにより、異方性導電膜２０を作製する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶ディスプレイパ
ネルとフレキシブル配線板との接続、或いはＩＣチップ
又はＬＳＩチップのチップ電極と基板電極との接続に用
いられる異方性導電膜及びその製造方法に関する。
ネルとフレキシブル配線板との接続、或いはＩＣチップ
又はＬＳＩチップのチップ電極と基板電極との接続に用
いられる異方性導電膜及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の異方性導電膜は金属粉末
や球状樹脂に金属を被覆したものを導電性フィラーとし
て接着剤に分散して製造されている。しかし、導電性フ
ィラーのサイズやその凝集を回避するため、或いは要求
される異方性導電膜の厚さによって、導電性フィラー間
のピッチは５０μｍ程度にしか狭めることができなかっ
た。この点を改良するため、熱可塑性樹脂からなるペー
スト材に針状金属の導電性ウイスカを重量比で１５％程
度添加し、このペースト材をスクリーン印刷により基板
に印刷した後、この基板を強磁界中に置いて上下方向に
振動させることにより、ペースト材中に不均一に分散し
ていた導電性ウイスカを基板に対して垂直方向に整列さ
せた異方性導電膜が提案されている（特開平５−１１２
６５）。
や球状樹脂に金属を被覆したものを導電性フィラーとし
て接着剤に分散して製造されている。しかし、導電性フ
ィラーのサイズやその凝集を回避するため、或いは要求
される異方性導電膜の厚さによって、導電性フィラー間
のピッチは５０μｍ程度にしか狭めることができなかっ
た。この点を改良するため、熱可塑性樹脂からなるペー
スト材に針状金属の導電性ウイスカを重量比で１５％程
度添加し、このペースト材をスクリーン印刷により基板
に印刷した後、この基板を強磁界中に置いて上下方向に
振動させることにより、ペースト材中に不均一に分散し
ていた導電性ウイスカを基板に対して垂直方向に整列さ
せた異方性導電膜が提案されている（特開平５−１１２
６５）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特開平５−１
１２６５号公報に示される異方性導電膜は、磁力によっ
て水平状態の針状金属の導電性ウイスカを垂直状態にす
るため、この導電性ウイスカをペースト材に多量に添加
することができず、また針状金属自体の太さが最小でも
数μｍであるため、結果として導電性フィラーである針
状金属間のピッチを数１０μｍ程度にしか狭めることが
できなかった。本発明の目的は、導電性フィラー間のピ
ッチがミクロンオーダーの極めて微小である異方性導電
膜及びその製造方法を提供することにある。
１２６５号公報に示される異方性導電膜は、磁力によっ
て水平状態の針状金属の導電性ウイスカを垂直状態にす
るため、この導電性ウイスカをペースト材に多量に添加
することができず、また針状金属自体の太さが最小でも
数μｍであるため、結果として導電性フィラーである針
状金属間のピッチを数１０μｍ程度にしか狭めることが
できなかった。本発明の目的は、導電性フィラー間のピ
ッチがミクロンオーダーの極めて微小である異方性導電
膜及びその製造方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１に示すように、厚さ３〜５０μｍの絶縁性薄膜１４
にこの薄膜１４を貫通する繊維径が０．０１〜０．２μ
ｍの繊維状の金属１３ａが４〜１８０本／μｍ2の割合
で混入した異方性導電膜２０である。この金属１３ａは
極めて微細であるため、導電性フィラーである繊維状金
属間のピッチを微小にすることができる。
図１に示すように、厚さ３〜５０μｍの絶縁性薄膜１４
にこの薄膜１４を貫通する繊維径が０．０１〜０．２μ
ｍの繊維状の金属１３ａが４〜１８０本／μｍ2の割合
で混入した異方性導電膜２０である。この金属１３ａは
極めて微細であるため、導電性フィラーである繊維状金
属間のピッチを微小にすることができる。
【０００５】請求項２に係る発明は、請求項１に係る発
明であって、金属１３ａがＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃ
ｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｓｎ，Ｐｂ又はＳｎ−Ｐｂのいずれか
である異方性導電膜である。金属１３ａの材質は要求さ
れる異方性導電膜の特性により決められる。金属１３ａ
は酸化皮膜１１を無電解めっき処理又は電気めっき処理
できるものであれば、上記金属に限定されない。
明であって、金属１３ａがＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃ
ｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｓｎ，Ｐｂ又はＳｎ−Ｐｂのいずれか
である異方性導電膜である。金属１３ａの材質は要求さ
れる異方性導電膜の特性により決められる。金属１３ａ
は酸化皮膜１１を無電解めっき処理又は電気めっき処理
できるものであれば、上記金属に限定されない。
【０００６】請求項３に係る発明は、図２に示すよう
に、アルミニウム材１０を陽極酸化してその表面に微細
孔１２を有する多孔質酸化皮膜１１を形成し、この酸化
皮膜１１を無電解めっき処理又は電気めっき処理してそ
の微細孔１２に金属１３ａを充填するとともにこの酸化
皮膜１１の表面をめっき膜１３ｂで被覆し、このめっき
処理した酸化皮膜１１を溶解して繊維状の金属１３ａが
めっき膜１３ｂに林立した剣山状の析出物１３をアルミ
ニウム材１０から分離し、この分離した析出物１３の繊
維状の金属１３ａが林立した側に絶縁性硬化液を流し込
み、この硬化液を乾燥して絶縁性薄膜１４を形成し、こ
の絶縁性薄膜１４の片面にあるめっき膜１３ｂを溶解し
て絶縁性薄膜１４を露出させる異方性導電膜の製造方法
である。陽極酸化の条件により、酸化皮膜１１の微細孔
１２の孔径及び孔長が決められ、これが繊維状の金属１
３ａの繊維径及び繊維長になる。この金属１３ａは極め
て微細なため、この金属１３ａを導電性フィラーとする
異方性導電膜２０は、導電性フィラー間のピッチが極め
て微小なものとなる。
に、アルミニウム材１０を陽極酸化してその表面に微細
孔１２を有する多孔質酸化皮膜１１を形成し、この酸化
皮膜１１を無電解めっき処理又は電気めっき処理してそ
の微細孔１２に金属１３ａを充填するとともにこの酸化
皮膜１１の表面をめっき膜１３ｂで被覆し、このめっき
処理した酸化皮膜１１を溶解して繊維状の金属１３ａが
めっき膜１３ｂに林立した剣山状の析出物１３をアルミ
ニウム材１０から分離し、この分離した析出物１３の繊
維状の金属１３ａが林立した側に絶縁性硬化液を流し込
み、この硬化液を乾燥して絶縁性薄膜１４を形成し、こ
の絶縁性薄膜１４の片面にあるめっき膜１３ｂを溶解し
て絶縁性薄膜１４を露出させる異方性導電膜の製造方法
である。陽極酸化の条件により、酸化皮膜１１の微細孔
１２の孔径及び孔長が決められ、これが繊維状の金属１
３ａの繊維径及び繊維長になる。この金属１３ａは極め
て微細なため、この金属１３ａを導電性フィラーとする
異方性導電膜２０は、導電性フィラー間のピッチが極め
て微小なものとなる。
【０００７】請求項４に係る発明は、図３に示すよう
に、アルミニウム材１０を陽極酸化してその表面に微細
孔１２を有する多孔質酸化皮膜１１を形成し、この酸化
皮膜１１を無電解めっき処理又は電気めっき処理してそ
の微細孔１２に金属１３ａを充填し、この微細孔１２に
金属１３ａを充填した酸化皮膜１１を更に別のめっき液
で無電解めっき処理又は電気めっき処理して微細孔１２
に充填した金属１３ａと連続しかつ酸化皮膜１１の表面
を被覆するめっき膜１６を形成し、このめっき処理した
酸化皮膜１１を溶解して繊維状の金属１３ａがめっき膜
１６に林立した剣山状の析出物１７をアルミニウム材１
０から分離し、この分離した析出物１７の繊維状の金属
１３ａが林立した側に絶縁性硬化液を流し込み、この硬
化液を乾燥して絶縁性薄膜１４を形成し、この絶縁性薄
膜１４の片面にあるめっき膜１６を溶解して絶縁性薄膜
１４を露出させる異方性導電膜の製造方法である。金属
１３ａとめっき膜１６の金属を異ならせることにより、
めっき膜１６の除去が容易になり、所望の繊維径及び繊
維長の繊維状の金属１３ａが埋め込まれた異方性導電膜
２０が容易に得られる。
に、アルミニウム材１０を陽極酸化してその表面に微細
孔１２を有する多孔質酸化皮膜１１を形成し、この酸化
皮膜１１を無電解めっき処理又は電気めっき処理してそ
の微細孔１２に金属１３ａを充填し、この微細孔１２に
金属１３ａを充填した酸化皮膜１１を更に別のめっき液
で無電解めっき処理又は電気めっき処理して微細孔１２
に充填した金属１３ａと連続しかつ酸化皮膜１１の表面
を被覆するめっき膜１６を形成し、このめっき処理した
酸化皮膜１１を溶解して繊維状の金属１３ａがめっき膜
１６に林立した剣山状の析出物１７をアルミニウム材１
０から分離し、この分離した析出物１７の繊維状の金属
１３ａが林立した側に絶縁性硬化液を流し込み、この硬
化液を乾燥して絶縁性薄膜１４を形成し、この絶縁性薄
膜１４の片面にあるめっき膜１６を溶解して絶縁性薄膜
１４を露出させる異方性導電膜の製造方法である。金属
１３ａとめっき膜１６の金属を異ならせることにより、
めっき膜１６の除去が容易になり、所望の繊維径及び繊
維長の繊維状の金属１３ａが埋め込まれた異方性導電膜
２０が容易に得られる。
【０００８】請求項５に係る発明は、請求項１又は２に
係る発明であって、金属１３ａがＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｐ
ｄ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｓｎ，ＰｂまたはＳｎ−Ｐｂで
ある導電性塗料の製造方法である。金属１３ａの材質は
要求される異方性導電膜の特性により決められる。金属
１３ａは酸化皮膜１１を無電解めっき処理又は電気めっ
き処理できるものであれば、上記金属に限定されない。
この金属１３ａは極めて微細であるため、導電性フィラ
ーである繊維状金属間のピッチを微小にすることができ
る。
係る発明であって、金属１３ａがＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｐ
ｄ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｓｎ，ＰｂまたはＳｎ−Ｐｂで
ある導電性塗料の製造方法である。金属１３ａの材質は
要求される異方性導電膜の特性により決められる。金属
１３ａは酸化皮膜１１を無電解めっき処理又は電気めっ
き処理できるものであれば、上記金属に限定されない。
この金属１３ａは極めて微細であるため、導電性フィラ
ーである繊維状金属間のピッチを微小にすることができ
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】請求項３に係る異方性導電膜の製
造方法では、先ずアルミニウム材に対して電気分解を行
う。このアルミニウム材は純粋なアルミニウム材に限ら
ずその合金を含む。アルミニウム合金としては、Ａｌ−
Ｃｕ−Ｍｇ系、Ａｌ−Ｓｉ系、Ａｌ−Ｚｎ−Ｍｇ−Ｃｕ
系の加工用合金、Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ系、Ａｌ−Ｓｉ系、
Ａｌ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ｍｇ系、Ａｌ−Ｍｇ系、Ａｌ−Ｓｉ
−Ｃｕ−Ｎｉ−Ｍｇ系の鋳造用合金が挙げられる。この
電気分解は電解液としてシュウ酸、硫酸、クロム酸水溶
液を用い、この電解液中でアルミニウム材をアノード処
理することにより行われる。これにより、図２（ａ）及
び（ｂ）に示すように、素地であるアルミニウム材１０
の表面には多孔質酸化皮膜１１（Ａｌ2Ｏ3）が形成され
る。酸化皮膜１１の微細孔１２はアルミニウム材表面に
垂直方向に細い柱状に多数形成される。この柱状の微細
孔１２は孔径が０．０１〜０．２μｍ程度また孔長が
０．１〜５０μｍ程度である。
造方法では、先ずアルミニウム材に対して電気分解を行
う。このアルミニウム材は純粋なアルミニウム材に限ら
ずその合金を含む。アルミニウム合金としては、Ａｌ−
Ｃｕ−Ｍｇ系、Ａｌ−Ｓｉ系、Ａｌ−Ｚｎ−Ｍｇ−Ｃｕ
系の加工用合金、Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ系、Ａｌ−Ｓｉ系、
Ａｌ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ｍｇ系、Ａｌ−Ｍｇ系、Ａｌ−Ｓｉ
−Ｃｕ−Ｎｉ−Ｍｇ系の鋳造用合金が挙げられる。この
電気分解は電解液としてシュウ酸、硫酸、クロム酸水溶
液を用い、この電解液中でアルミニウム材をアノード処
理することにより行われる。これにより、図２（ａ）及
び（ｂ）に示すように、素地であるアルミニウム材１０
の表面には多孔質酸化皮膜１１（Ａｌ2Ｏ3）が形成され
る。酸化皮膜１１の微細孔１２はアルミニウム材表面に
垂直方向に細い柱状に多数形成される。この柱状の微細
孔１２は孔径が０．０１〜０．２μｍ程度また孔長が
０．１〜５０μｍ程度である。
【００１０】次いで、図２（ｃ）に示すように、酸化皮
膜１１を無電解めっき処理又は電気めっき処理すること
により、これらの微細孔１２の深部に至るまで金属１３
ａを充填し、かつ酸化皮膜１１の表面全体をめっき膜１
３ｂで被覆する。無電解めっき処理を行う前には、アル
ミニウム材の酸化皮膜に触媒化処理を施しておくことが
必要である。金属１３ａは酸化皮膜１１を無電解めっき
処理又は電気めっき処理できるものであれば、特に制限
されない。Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃ
ｏ，Ｓｎ，Ｐｂ又はＳｎ−Ｐｂが好ましい。次に、図２
（ｄ）に示すように、酸化皮膜１１のみをＮａＯＨ，Ｋ
ＯＨ，ＨＣｌ，Ｈ3ＰＯ4等の水溶液で溶解することによ
り、繊維状の金属１３ａがめっき膜１３ｂに林立した剣
山状の析出物１３をアルミニウム材１０から分離して得
る。続いて、図２（ｅ）に示すように、析出物１３の繊
維状の金属１３ａが林立した側に絶縁性硬化液を流し込
み、この硬化液を乾燥して絶縁性薄膜１４を形成する。
このとき絶縁性薄膜１４の表面に金属１３ａを露出させ
ておくことが好ましい。絶縁性硬化液としては、液状又
はペースト状の樹脂、接着剤、ゴムなどの加熱により、
又は室温放置で硬化するものが例示される。続いて、図
２（ｆ）に示すように、この絶縁性薄膜１４の片面にあ
るめっき膜１３ｂを硝酸、王水等で溶解して絶縁性薄膜
１４を露出させることにより、繊維状金属１３ａが微小
なピッチで絶縁性薄膜１４に埋め込まれた異方性導電膜
２０が得られる。
膜１１を無電解めっき処理又は電気めっき処理すること
により、これらの微細孔１２の深部に至るまで金属１３
ａを充填し、かつ酸化皮膜１１の表面全体をめっき膜１
３ｂで被覆する。無電解めっき処理を行う前には、アル
ミニウム材の酸化皮膜に触媒化処理を施しておくことが
必要である。金属１３ａは酸化皮膜１１を無電解めっき
処理又は電気めっき処理できるものであれば、特に制限
されない。Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃ
ｏ，Ｓｎ，Ｐｂ又はＳｎ−Ｐｂが好ましい。次に、図２
（ｄ）に示すように、酸化皮膜１１のみをＮａＯＨ，Ｋ
ＯＨ，ＨＣｌ，Ｈ3ＰＯ4等の水溶液で溶解することによ
り、繊維状の金属１３ａがめっき膜１３ｂに林立した剣
山状の析出物１３をアルミニウム材１０から分離して得
る。続いて、図２（ｅ）に示すように、析出物１３の繊
維状の金属１３ａが林立した側に絶縁性硬化液を流し込
み、この硬化液を乾燥して絶縁性薄膜１４を形成する。
このとき絶縁性薄膜１４の表面に金属１３ａを露出させ
ておくことが好ましい。絶縁性硬化液としては、液状又
はペースト状の樹脂、接着剤、ゴムなどの加熱により、
又は室温放置で硬化するものが例示される。続いて、図
２（ｆ）に示すように、この絶縁性薄膜１４の片面にあ
るめっき膜１３ｂを硝酸、王水等で溶解して絶縁性薄膜
１４を露出させることにより、繊維状金属１３ａが微小
なピッチで絶縁性薄膜１４に埋め込まれた異方性導電膜
２０が得られる。
【００１１】請求項４に係る導電性塗料の製造方法で
は、図３（ｃ）及び（ｄ）に示すように、微細孔１２に
金属１３ａを充填した後で、陽極酸化皮膜１１の上に別
のめっき液でめっき処理して金属１３ａと異なる金属の
めっき膜１６を陽極酸化皮膜１１の表面を被覆するよう
に形成した点が、請求項３に係る製造方法との相違点で
ある。図３（ｄ）〜（ｆ）に示す、析出物１７の形成、
絶縁性薄膜１４の形成、めっき膜１６の除去は、請求項
３に係る製造方法に準じて行われる。
は、図３（ｃ）及び（ｄ）に示すように、微細孔１２に
金属１３ａを充填した後で、陽極酸化皮膜１１の上に別
のめっき液でめっき処理して金属１３ａと異なる金属の
めっき膜１６を陽極酸化皮膜１１の表面を被覆するよう
に形成した点が、請求項３に係る製造方法との相違点で
ある。図３（ｄ）〜（ｆ）に示す、析出物１７の形成、
絶縁性薄膜１４の形成、めっき膜１６の除去は、請求項
３に係る製造方法に準じて行われる。
【００１２】請求項３及び請求項４に係る製造方法によ
り、図１に示すように、繊維径が０．０１〜０．２μ
ｍ、繊維長が３〜５０μｍであって繊維径の１０倍以上
である繊維状金属１３ａが絶縁性薄膜１４の厚さ方向に
揃って貫通した異方性導電膜２０が得られる。繊維状金
属は好ましくは繊維径が０．０２〜０．１μｍ、より好
ましくは繊維径が０．０３〜０．０８μｍであって、好
ましくは繊維長が４〜２０μｍ、より好ましくは繊維長
が５〜１０μｍである。製造上の理由から繊維径の下限
（０．０１μｍ）が決められ、異方性導電膜の厚さから
繊維長の下限（３μｍ）が決められる。請求項１及び請
求項２に係る製造方法で得られた異方性導電膜は、導電
性フィラーが微細孔１２に相応した極めて微細な繊維
状、針状である上、絶縁性薄膜の厚さ方向に揃って絶縁
性薄膜に貫通するため、導電性フィラー間のピッチをミ
クロンオーダーにすることができる。
り、図１に示すように、繊維径が０．０１〜０．２μ
ｍ、繊維長が３〜５０μｍであって繊維径の１０倍以上
である繊維状金属１３ａが絶縁性薄膜１４の厚さ方向に
揃って貫通した異方性導電膜２０が得られる。繊維状金
属は好ましくは繊維径が０．０２〜０．１μｍ、より好
ましくは繊維径が０．０３〜０．０８μｍであって、好
ましくは繊維長が４〜２０μｍ、より好ましくは繊維長
が５〜１０μｍである。製造上の理由から繊維径の下限
（０．０１μｍ）が決められ、異方性導電膜の厚さから
繊維長の下限（３μｍ）が決められる。請求項１及び請
求項２に係る製造方法で得られた異方性導電膜は、導電
性フィラーが微細孔１２に相応した極めて微細な繊維
状、針状である上、絶縁性薄膜の厚さ方向に揃って絶縁
性薄膜に貫通するため、導電性フィラー間のピッチをミ
クロンオーダーにすることができる。
【００１３】
【実施例】次に本発明の実施例を説明する。 ＜実施例１＞先ず、Ａ１０５０材のアルミニウム板（１
００ｍｍ×１００ｍｍ×０．５ｍｍ）をアルカリ水溶液
で脱脂し、硝酸水溶液で洗浄した後、０℃の硫酸２０ｗ
ｔ％の電解液に浸漬した。アルミニウム板を陽極として
この電解液中で直流３Ａ／ｄｍ2の電流密度で５分間通
電してその表面に多孔質陽極酸化皮膜を形成した。この
条件下で形成された皮膜の膜厚は約５μｍであった。次
いで、このアルミニウム板を水洗した後、５ｗｔ％のＳ
ｎＣｌ2溶液に５分間浸漬して感受性化処理し、引き続
いて０．１ｗｔ％のＰｄＣｌ2溶液に１分間浸漬して活
性化処理することにより皮膜に触媒性を付与した後、こ
のアルミニウム板を無電解Ｎｉめっき処理した。無電解
Ｎｉめっきは、硫酸ニッケル３ｗｔ％、次亜リン酸ナト
リウム３ｗｔ％及びクエン酸２ｗｔ％からなる溶液をア
ンモニア水でｐＨ１０に調整した５０℃の溶液にアルミ
ニウム板を３０分間浸漬することにより行った。この条
件下で形成されたＮｉめっき膜は陽極酸化皮の微細孔を
充填するとともに、酸化皮膜の表面を覆っていた。
００ｍｍ×１００ｍｍ×０．５ｍｍ）をアルカリ水溶液
で脱脂し、硝酸水溶液で洗浄した後、０℃の硫酸２０ｗ
ｔ％の電解液に浸漬した。アルミニウム板を陽極として
この電解液中で直流３Ａ／ｄｍ2の電流密度で５分間通
電してその表面に多孔質陽極酸化皮膜を形成した。この
条件下で形成された皮膜の膜厚は約５μｍであった。次
いで、このアルミニウム板を水洗した後、５ｗｔ％のＳ
ｎＣｌ2溶液に５分間浸漬して感受性化処理し、引き続
いて０．１ｗｔ％のＰｄＣｌ2溶液に１分間浸漬して活
性化処理することにより皮膜に触媒性を付与した後、こ
のアルミニウム板を無電解Ｎｉめっき処理した。無電解
Ｎｉめっきは、硫酸ニッケル３ｗｔ％、次亜リン酸ナト
リウム３ｗｔ％及びクエン酸２ｗｔ％からなる溶液をア
ンモニア水でｐＨ１０に調整した５０℃の溶液にアルミ
ニウム板を３０分間浸漬することにより行った。この条
件下で形成されたＮｉめっき膜は陽極酸化皮の微細孔を
充填するとともに、酸化皮膜の表面を覆っていた。
【００１４】次に、Ｎｉめっき処理されたアルミニウム
板を２０ｗｔ％のＮａＯＨ水溶液に浸漬して表面の陽極
酸化皮膜を溶解させた。これにより厚さ約３μｍのＮｉ
めっき膜上に長さ約５μｍの繊維状のＮｉが林立した、
剣山状の析出物をアルミニウム板より分離した。この分
離した析出物の繊維状Ｎｉが林立した側に、市販の流動
ペースト状の室温加硫型シリコーンゴム（東レシリコー
ン社製、高透明ＲＶＴゴム）を約５μｍの厚さになるよ
うに流し込んだ後、この流し込んだシリコーンゴムを室
温で２４時間放置して加硫させた。次いで加硫したシリ
コーンゴム膜の片側だけにあるＮｉめっき膜をシリコー
ンゴム膜が露出するまで硝酸で溶解させた。これらの処
理によりシリコーンゴム膜の厚さ方向に繊維方向を揃え
て繊維状Ｎｉが埋め込まれた厚さが約５μｍの導電膜を
得た。
板を２０ｗｔ％のＮａＯＨ水溶液に浸漬して表面の陽極
酸化皮膜を溶解させた。これにより厚さ約３μｍのＮｉ
めっき膜上に長さ約５μｍの繊維状のＮｉが林立した、
剣山状の析出物をアルミニウム板より分離した。この分
離した析出物の繊維状Ｎｉが林立した側に、市販の流動
ペースト状の室温加硫型シリコーンゴム（東レシリコー
ン社製、高透明ＲＶＴゴム）を約５μｍの厚さになるよ
うに流し込んだ後、この流し込んだシリコーンゴムを室
温で２４時間放置して加硫させた。次いで加硫したシリ
コーンゴム膜の片側だけにあるＮｉめっき膜をシリコー
ンゴム膜が露出するまで硝酸で溶解させた。これらの処
理によりシリコーンゴム膜の厚さ方向に繊維方向を揃え
て繊維状Ｎｉが埋め込まれた厚さが約５μｍの導電膜を
得た。
【００１５】＜実施例２＞実施例１と同じアルミニウム
板を用いて、このアルミニウム板を実施例１と同様に脱
脂、洗浄した後、陽極酸化して、表面に約５μｍ厚の多
孔質陽極酸化皮膜を形成した。次いで、市販の亜硫酸Ａ
ｕめっき（上村工業社製、アウルナ５９３）を用いて、
陽極酸化皮膜を形成したアルミニウム板をこのめっき液
に浸漬し、このアルミニウム板を陰極にしてこのめっき
液中で直流１Ａ／ｄｍ2の電流密度で１０分間通電して
Ａｕめっき処理した。この条件下で形成されたＡｕめっ
き膜は陽極酸化皮膜の微細孔を充填するだけで、酸化皮
膜の表面はＡｕめっき膜で覆われていなかった。次に、
ピロリン酸銅８ｗｔ％、ピロリン酸カリウム３５ｗｔ％
からなる溶液をアンモニア水でｐＨ８．５に調整した５
０℃の溶液にアルミニウム板を浸漬し、このアルミニウ
ム板を陰極にしてこの溶液中で直流３Ａ／ｄｍ2の電流
密度で１５分間通電してＣｕめっき処理した。この条件
下で形成されたＣｕめっき膜は陽極酸化皮膜の微細孔に
充填されたＡｕと連続して析出して陽極酸化皮膜の表面
を覆っていた。
板を用いて、このアルミニウム板を実施例１と同様に脱
脂、洗浄した後、陽極酸化して、表面に約５μｍ厚の多
孔質陽極酸化皮膜を形成した。次いで、市販の亜硫酸Ａ
ｕめっき（上村工業社製、アウルナ５９３）を用いて、
陽極酸化皮膜を形成したアルミニウム板をこのめっき液
に浸漬し、このアルミニウム板を陰極にしてこのめっき
液中で直流１Ａ／ｄｍ2の電流密度で１０分間通電して
Ａｕめっき処理した。この条件下で形成されたＡｕめっ
き膜は陽極酸化皮膜の微細孔を充填するだけで、酸化皮
膜の表面はＡｕめっき膜で覆われていなかった。次に、
ピロリン酸銅８ｗｔ％、ピロリン酸カリウム３５ｗｔ％
からなる溶液をアンモニア水でｐＨ８．５に調整した５
０℃の溶液にアルミニウム板を浸漬し、このアルミニウ
ム板を陰極にしてこの溶液中で直流３Ａ／ｄｍ2の電流
密度で１５分間通電してＣｕめっき処理した。この条件
下で形成されたＣｕめっき膜は陽極酸化皮膜の微細孔に
充填されたＡｕと連続して析出して陽極酸化皮膜の表面
を覆っていた。
【００１６】引き続いて、実施例１と同様にこのアルミ
ニウム板を２０ｗｔ％のＮａＯＨ水溶液に浸漬して表面
の陽極酸化皮膜を溶解させた。これにより厚さ約９μｍ
のＣｕめっき膜上に長さ約５μｍの繊維状のＡｕが林立
した、剣山状の析出物をアルミニウム板より分離した。
この分離した析出物の繊維状Ａｕが林立した側に、１４
０℃に加熱して溶融させた市販の低分子量ポリスチレン
（三洋化成社製、ハイマーＳ１４００）を約５μｍの厚
さになるように流し込んだ後、この流し込んだポリスチ
レンを室温で２４時間放置して冷却させた。次いで硬化
したポリスチレン膜の片側だけにある箔状のＣｕめっき
膜をポリスチレン膜が露出するまで硝酸で溶解させた。
これらの処理によりポリスチレン膜の厚さ方向に繊維方
向を揃えて繊維状Ｎｉが埋め込まれた厚さが約５μｍの
導電膜を得た。
ニウム板を２０ｗｔ％のＮａＯＨ水溶液に浸漬して表面
の陽極酸化皮膜を溶解させた。これにより厚さ約９μｍ
のＣｕめっき膜上に長さ約５μｍの繊維状のＡｕが林立
した、剣山状の析出物をアルミニウム板より分離した。
この分離した析出物の繊維状Ａｕが林立した側に、１４
０℃に加熱して溶融させた市販の低分子量ポリスチレン
（三洋化成社製、ハイマーＳ１４００）を約５μｍの厚
さになるように流し込んだ後、この流し込んだポリスチ
レンを室温で２４時間放置して冷却させた。次いで硬化
したポリスチレン膜の片側だけにある箔状のＣｕめっき
膜をポリスチレン膜が露出するまで硝酸で溶解させた。
これらの処理によりポリスチレン膜の厚さ方向に繊維方
向を揃えて繊維状Ｎｉが埋め込まれた厚さが約５μｍの
導電膜を得た。
【００１７】＜実施例３＞実施例１と同じアルミニウム
板を用いて、このアルミニウム板を実施例１と同様に脱
脂、洗浄した後、１０℃のシュウ酸０．５ｗｔ％の電解
液に浸漬した。このアルミニウム板を陽極にしてこの電
解液中で直流３Ａ／ｄｍ2の電流密度で６分間通電して
その表面に多孔質陽極酸化皮膜を形成した後、リン酸５
ｗｔ％水溶液に２０℃で１０分間浸漬し、微細孔を広げ
るポアワイドニング処理を行った。この条件下で形成さ
れた皮膜の膜厚は約５μｍであった。次いで、このアル
ミニウム板を水洗した後、スルファミン酸ニッケル４０
ｗｔ％、ホウ酸３０ｗｔ％からなる溶液を水酸化ニッケ
ルでｐＨ４に調整した４０℃の溶液に浸漬した。このア
ルミニウム板を陰極にしてこの溶液中で直流３Ａ／ｄｍ
2の電流密度で８分間通電してＮｉめっき処理した。こ
の条件下で形成されたＮｉめっき膜は陽極酸化皮膜の微
細孔を充填するだけで、酸化皮膜の表面はＮｉめっき膜
で覆われていなかった。
板を用いて、このアルミニウム板を実施例１と同様に脱
脂、洗浄した後、１０℃のシュウ酸０．５ｗｔ％の電解
液に浸漬した。このアルミニウム板を陽極にしてこの電
解液中で直流３Ａ／ｄｍ2の電流密度で６分間通電して
その表面に多孔質陽極酸化皮膜を形成した後、リン酸５
ｗｔ％水溶液に２０℃で１０分間浸漬し、微細孔を広げ
るポアワイドニング処理を行った。この条件下で形成さ
れた皮膜の膜厚は約５μｍであった。次いで、このアル
ミニウム板を水洗した後、スルファミン酸ニッケル４０
ｗｔ％、ホウ酸３０ｗｔ％からなる溶液を水酸化ニッケ
ルでｐＨ４に調整した４０℃の溶液に浸漬した。このア
ルミニウム板を陰極にしてこの溶液中で直流３Ａ／ｄｍ
2の電流密度で８分間通電してＮｉめっき処理した。こ
の条件下で形成されたＮｉめっき膜は陽極酸化皮膜の微
細孔を充填するだけで、酸化皮膜の表面はＮｉめっき膜
で覆われていなかった。
【００１８】次に、ピロリン酸銅８ｗｔ％、ピロリン酸
カリウム３５ｗｔ％からなる溶液をアンモニア水でｐＨ
８．５に調整した５０℃の溶液にアルミニウム板を浸漬
し、このアルミニウム板を陰極にしてこの溶液中で直流
３Ａ／ｄｍ2の電流密度で１５分間通電してＣｕめっき
処理した。この条件下で形成されたＣｕめっき膜は陽極
酸化皮膜の微細孔に充填されたＮｉと連続して析出して
陽極酸化皮膜の表面を覆っていた。引き続いて、実施例
１と同様にこのアルミニウム板を２０ｗｔ％のＮａＯＨ
水溶液に浸漬して表面の陽極酸化皮膜を溶解させた。こ
れにより厚さ約９μｍの箔状のＣｕめっき膜上に長さ約
５μｍの繊維状のＮｉが林立した、剣山状の析出物をア
ルミニウム板より分離した。この分離した析出物の繊維
状Ｎｉが林立した側に、市販のアルコール溶性型のフェ
ノール樹脂系接着剤（東邦理化工業製）を約５μｍの厚
さになるように真空排気条件下で流し込んだ後、接着剤
中のアルコールを蒸発させた。次いで８０℃で１時間乾
燥した後、硬化したフェノール樹脂膜の片側だけにある
箔状のＣｕめっき膜をフェノール樹脂膜が露出するまで
硝酸で溶解させた。これらの処理によりフェノール樹脂
膜の厚さ方向に繊維方向を揃えて繊維状Ｎｉが埋め込ま
れた厚さが約５μｍの導電膜を得た。
カリウム３５ｗｔ％からなる溶液をアンモニア水でｐＨ
８．５に調整した５０℃の溶液にアルミニウム板を浸漬
し、このアルミニウム板を陰極にしてこの溶液中で直流
３Ａ／ｄｍ2の電流密度で１５分間通電してＣｕめっき
処理した。この条件下で形成されたＣｕめっき膜は陽極
酸化皮膜の微細孔に充填されたＮｉと連続して析出して
陽極酸化皮膜の表面を覆っていた。引き続いて、実施例
１と同様にこのアルミニウム板を２０ｗｔ％のＮａＯＨ
水溶液に浸漬して表面の陽極酸化皮膜を溶解させた。こ
れにより厚さ約９μｍの箔状のＣｕめっき膜上に長さ約
５μｍの繊維状のＮｉが林立した、剣山状の析出物をア
ルミニウム板より分離した。この分離した析出物の繊維
状Ｎｉが林立した側に、市販のアルコール溶性型のフェ
ノール樹脂系接着剤（東邦理化工業製）を約５μｍの厚
さになるように真空排気条件下で流し込んだ後、接着剤
中のアルコールを蒸発させた。次いで８０℃で１時間乾
燥した後、硬化したフェノール樹脂膜の片側だけにある
箔状のＣｕめっき膜をフェノール樹脂膜が露出するまで
硝酸で溶解させた。これらの処理によりフェノール樹脂
膜の厚さ方向に繊維方向を揃えて繊維状Ｎｉが埋め込ま
れた厚さが約５μｍの導電膜を得た。
【００１９】＜導電膜の導通試験＞実施例１〜実施例３
の厚さが約５μｍの各導電膜について、各導電性フィラ
ーの径及び長さを測定し、かつ各導電膜について電気導
通試験を行った。この導通試験では、各導電膜の両面を
１０×１０×０．５ｍｍの２枚の白金板で挟み、白金板
を表１に示す温度で、表１に示す圧力と時間で保持し
た。実施例２及び実施例３では、白金板を加熱した後、
それぞれ室温で放冷して導電膜に白金板を融着及び接着
させた。この状態で白金板間の距離、即ち導電膜の厚さ
を測定した後、導電膜の厚さ方向及び導電膜の面方向の
導通試験を行った。これらの結果を表１に示す。
の厚さが約５μｍの各導電膜について、各導電性フィラ
ーの径及び長さを測定し、かつ各導電膜について電気導
通試験を行った。この導通試験では、各導電膜の両面を
１０×１０×０．５ｍｍの２枚の白金板で挟み、白金板
を表１に示す温度で、表１に示す圧力と時間で保持し
た。実施例２及び実施例３では、白金板を加熱した後、
それぞれ室温で放冷して導電膜に白金板を融着及び接着
させた。この状態で白金板間の距離、即ち導電膜の厚さ
を測定した後、導電膜の厚さ方向及び導電膜の面方向の
導通試験を行った。これらの結果を表１に示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】表１から明らかなように、実施例１〜実施
例３の導電膜とも、膜の厚さ方向には導電性を示し、膜
の面方向には導電性を示さず、異方性導電膜として機能
した。また金属繊維間の距離である導電性フィラー間の
ピッチは実施例１〜実施例３ともに、サブミクロンオー
ダーの微小な間隔であった。
例３の導電膜とも、膜の厚さ方向には導電性を示し、膜
の面方向には導電性を示さず、異方性導電膜として機能
した。また金属繊維間の距離である導電性フィラー間の
ピッチは実施例１〜実施例３ともに、サブミクロンオー
ダーの微小な間隔であった。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、繊
維径が０．０１〜０．２μｍで繊維長が３〜５０μｍの
超微細な繊維状の金属が絶縁性薄膜にその膜の厚さ方向
に揃って貫通した、繊維状金属間のピッチがミクロンオ
ーダーの微小な異方性導電膜が得られる。この異方性導
電膜を回路基板上に設けた後、異方性導電膜の表面に独
立した外部電極、例えば液晶表示装置の複数の電極端子
を圧接して設けた場合に、液晶表示装置の各種電極端子
に繊維状の金属がそれぞれ接触し、外部電極と基板上の
回路パターンとが異方性をもって電気的に接続される。
或いはフリップチプの面実装に用いることにより、ＩＣ
の電極と回路パターンとが異方性をもって電気的に接続
される。この結果、回路パターンのピッチを微細化する
ことができる。
維径が０．０１〜０．２μｍで繊維長が３〜５０μｍの
超微細な繊維状の金属が絶縁性薄膜にその膜の厚さ方向
に揃って貫通した、繊維状金属間のピッチがミクロンオ
ーダーの微小な異方性導電膜が得られる。この異方性導
電膜を回路基板上に設けた後、異方性導電膜の表面に独
立した外部電極、例えば液晶表示装置の複数の電極端子
を圧接して設けた場合に、液晶表示装置の各種電極端子
に繊維状の金属がそれぞれ接触し、外部電極と基板上の
回路パターンとが異方性をもって電気的に接続される。
或いはフリップチプの面実装に用いることにより、ＩＣ
の電極と回路パターンとが異方性をもって電気的に接続
される。この結果、回路パターンのピッチを微細化する
ことができる。
【図１】本発明の異方性導電膜の拡大断面図。
【図２】本発明の異方性導電膜の製造を工程順に示す
図。
図。
【図３】本発明の異方性導電膜の別の製造を工程順に示
す図。
す図。
【符号の説明】 １０ アルミニウム材 １１ 酸化皮膜 １２ 微細孔 １３，１７ 析出物 １３ａ 金属 １３ｂ，１６ めっき膜 １４ 絶縁性薄膜 ２０ 異方性導電膜
Claims (5)
- 【請求項１】 厚さ３〜５０μｍの絶縁性薄膜(14)に前
記薄膜(14)を貫通する繊維径が０．０１〜０．２μｍの
繊維状の金属(13a)が４〜１８０本／μｍ2の割合で混入
した異方性導電膜。 - 【請求項２】 金属(13a)がＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｐｄ，
Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｓｎ，Ｐｂ又はＳｎ−Ｐｂのいずれ
かである請求項１記載の異方性導電膜。 - 【請求項３】 アルミニウム材(10)を陽極酸化してその
表面に微細孔(12)を有する多孔質酸化皮膜(11)を形成
し、 前記酸化皮膜(11)を無電解めっき処理又は電気めっき処
理してその微細孔(12)に金属(13a)を充填するとともに
前記酸化皮膜(11)の表面をめっき膜(13b)で被覆し、 前記めっき処理した酸化皮膜(11)を溶解して繊維状の金
属(13a)が前記めっき膜(13b)に林立した剣山状の析出物
(13)を前記アルミニウム材(10)から分離し、 前記分離した析出物(13)の繊維状の金属(13a)が林立し
た側に絶縁性硬化液を流し込み、 前記硬化液を乾燥して絶縁性薄膜(14)を形成し、 前記絶縁性薄膜(14)の片面にある前記めっき膜(16)を溶
解して前記絶縁性薄膜(14)を露出させる異方性導電膜の
製造方法。 - 【請求項４】 アルミニウム材(10)を陽極酸化してその
表面に微細孔(12)を有する多孔質酸化皮膜(11)を形成
し、 前記酸化皮膜(11)を無電解めっき処理又は電気めっき処
理してその微細孔(12)に金属(13a)を充填し、 前記微細孔(12)に金属(13a)を充填した酸化皮膜(11)を
更に別のめっき液で無電解めっき処理又は電気めっき処
理して前記微細孔(12)に充填した金属(13a)と連続しか
つ前記酸化皮膜(11)の表面を被覆するめっき膜(16)を形
成し、 前記めっき処理した酸化皮膜(11)を溶解して繊維状の金
属(13a)が前記めっき膜(16)に林立した剣山状の析出物
(17)を前記アルミニウム材(10)から分離し、 前記分離した析出物(17)の繊維状の金属(13a)が林立し
た側に絶縁性硬化液を流し込み、 前記硬化液を乾燥して絶縁性薄膜(14)を形成し、 前記絶縁性薄膜(14)の片面にある前記めっき膜(16)を溶
解して前記絶縁性薄膜(14)を露出させる異方性導電膜の
製造方法。 - 【請求項５】 金属(13a)がＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｐｄ，
Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｓｎ，Ｐｂ又はＳｎ−Ｐｂのいずれ
かである請求項３又は４記載の異方性導電膜の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8207500A JPH1050145A (ja) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | 異方性導電膜及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8207500A JPH1050145A (ja) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | 異方性導電膜及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1050145A true JPH1050145A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16540752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8207500A Pending JPH1050145A (ja) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | 異方性導電膜及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1050145A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008270158A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-11-06 | Fujifilm Corp | 異方導電性部材およびその製造方法 |
| JP2009283431A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-12-03 | Fujifilm Corp | 微細構造体およびその製造方法 |
| WO2011125506A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-13 | 太陽誘電株式会社 | 応力緩衝層及びその作製方法 |
| US8524607B2 (en) | 2007-03-27 | 2013-09-03 | Fujifilm Corporation | Anisotropically conductive member and method of manufacture |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0268812A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | Seiko Epson Corp | 異方性導電膜 |
| JPH03276512A (ja) * | 1990-03-27 | 1991-12-06 | Ricoh Co Ltd | 異方性導電膜およびその製造方法 |
| JPH03285212A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-16 | Ricoh Co Ltd | 異方性導電膜およびその製造方法 |
| JPH03289010A (ja) * | 1990-04-05 | 1991-12-19 | Ricoh Co Ltd | 異方性導電膜の製造方法 |
| JPH03293736A (ja) * | 1990-03-27 | 1991-12-25 | Ricoh Co Ltd | 異方性導電膜およびその製造方法 |
| JPH04126307A (ja) * | 1990-03-16 | 1992-04-27 | Ricoh Co Ltd | 異方性導電膜およびその製造方法 |
-
1996
- 1996-08-07 JP JP8207500A patent/JPH1050145A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0268812A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | Seiko Epson Corp | 異方性導電膜 |
| JPH04126307A (ja) * | 1990-03-16 | 1992-04-27 | Ricoh Co Ltd | 異方性導電膜およびその製造方法 |
| JPH03276512A (ja) * | 1990-03-27 | 1991-12-06 | Ricoh Co Ltd | 異方性導電膜およびその製造方法 |
| JPH03293736A (ja) * | 1990-03-27 | 1991-12-25 | Ricoh Co Ltd | 異方性導電膜およびその製造方法 |
| JPH03285212A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-16 | Ricoh Co Ltd | 異方性導電膜およびその製造方法 |
| JPH03289010A (ja) * | 1990-04-05 | 1991-12-19 | Ricoh Co Ltd | 異方性導電膜の製造方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008270158A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-11-06 | Fujifilm Corp | 異方導電性部材およびその製造方法 |
| US8524607B2 (en) | 2007-03-27 | 2013-09-03 | Fujifilm Corporation | Anisotropically conductive member and method of manufacture |
| JP2009283431A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-12-03 | Fujifilm Corp | 微細構造体およびその製造方法 |
| WO2011125506A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-13 | 太陽誘電株式会社 | 応力緩衝層及びその作製方法 |
| US20130092424A1 (en) * | 2010-03-31 | 2013-04-18 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Stress buffer layer and method for producing same |
| JP5362104B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2013-12-11 | 太陽誘電株式会社 | 応力緩衝層及びその作製方法 |
| US9161438B2 (en) | 2010-03-31 | 2015-10-13 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Stress buffer layer and method for producing same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2009113486A1 (ja) | プローブカード | |
| WO2010004981A1 (ja) | 微細構造体およびその製造方法 | |
| JP2009224146A (ja) | 異方性導電性部材を有する積層板とその製造方法 | |
| JP2009283431A (ja) | 微細構造体およびその製造方法 | |
| JPH02187330A (ja) | 印刷回路板の製造方法 | |
| KR20140035701A (ko) | 금 박막 형성 방법 및 인쇄회로기판 | |
| US4565606A (en) | Metallization of electrically insulating polyimide/aromatic polyamide film substrates | |
| US20080030209A1 (en) | Interposer structures and methods of manufacturing the same | |
| JPH1050145A (ja) | 異方性導電膜及びその製造方法 | |
| JP5824435B2 (ja) | 異方導電性部材および多層配線基板 | |
| JP4075637B2 (ja) | 異方性導電シートの製造方法 | |
| JP5523941B2 (ja) | 金属充填微細構造体の製造方法 | |
| JP5435484B2 (ja) | 金属充填微細構造体の製造方法 | |
| TW200848746A (en) | Sheet-like probe and method for manufacturing the same | |
| JPH1143797A (ja) | ビアフィリング方法 | |
| JP2009244244A (ja) | プローブカード | |
| JPH1046382A (ja) | 微細金属繊維の製造方法及び該繊維を用いた導電性塗料 | |
| JP6055552B2 (ja) | 多層構造体、インターポーザ、および、インターポーザの製造方法 | |
| JPH1027873A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| GB2080630A (en) | Printed circuit panels | |
| JPS60177195A (ja) | スル−ホ−ルを有する配線基板のメツキ方法 | |
| JP2741997B2 (ja) | 立体回路板の製造方法 | |
| JP2018037509A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JPH104260A (ja) | アルミニウム放熱基板の製造方法 | |
| JPH118469A (ja) | ビアフィリング方法 |