JPH0268812A - 異方性導電膜 - Google Patents
異方性導電膜Info
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- JPH0268812A JPH0268812A JP21980688A JP21980688A JPH0268812A JP H0268812 A JPH0268812 A JP H0268812A JP 21980688 A JP21980688 A JP 21980688A JP 21980688 A JP21980688 A JP 21980688A JP H0268812 A JPH0268812 A JP H0268812A
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Landscapes
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は異方性導電膜に関する。
［従来の技術］
従来の異方性導電膜は、樹脂中に４電性粉末を充填し、
薄膜化したものであった。
薄膜化したものであった。
［発明が解決しようとする課頭］
従来の異方性導電膜は通常の状態では等方性で、導電性
はほとんどない。この異方性導電膜を、二電極間に挾ん
だ場合、圧力方向に樹脂が変形するため、導電性粉末が
接近し、部分的に導通がとれ、異方性があられれる。こ
の異方性導電膜を、二枚の短冊形電極付基板で挾んだ場
合、対応する電極間で、導通がとれる。しかし、従来の
異方性導電膜は、圧力をかけた時、上下方向だけでなく
、水平方向にも、部分的に圧力がかかり、水平方向にも
電流がながれるようになる。このため、短冊型電極間の
距離が大きいときは、問題にならなかったが、距離が接
近したとき上下方向だけでな（、水平方向にも電流が流
れるという問題点があった。
はほとんどない。この異方性導電膜を、二電極間に挾ん
だ場合、圧力方向に樹脂が変形するため、導電性粉末が
接近し、部分的に導通がとれ、異方性があられれる。こ
の異方性導電膜を、二枚の短冊形電極付基板で挾んだ場
合、対応する電極間で、導通がとれる。しかし、従来の
異方性導電膜は、圧力をかけた時、上下方向だけでなく
、水平方向にも、部分的に圧力がかかり、水平方向にも
電流がながれるようになる。このため、短冊型電極間の
距離が大きいときは、問題にならなかったが、距離が接
近したとき上下方向だけでな（、水平方向にも電流が流
れるという問題点があった。
そこで本発明は、上記問題点を解決するものであり、そ
の目的とするところは、上下方向にのみ導電性を有する
異方性導電膜を提供することにある。
の目的とするところは、上下方向にのみ導電性を有する
異方性導電膜を提供することにある。
［課頴を解決するための手段］
本発明の異方性導電膜は、酸性浴中で、陽極酸化した、
アルミニウム基板より得た、多孔性酸化皮膜と、該孔中
に充填された、導電性部材よりなることを特徴とする。
アルミニウム基板より得た、多孔性酸化皮膜と、該孔中
に充填された、導電性部材よりなることを特徴とする。
本発明の概略図を第１図に示す。同図において１１は多
孔性酸化皮膜を、１２は導電性部材を示している。
孔性酸化皮膜を、１２は導電性部材を示している。
多孔性皮膜は次の工程を経て作製される。
まず、硫酸、蓚酸、陽酸等の酸性浴にアルミニウム基板
を浸漬し、電圧をかけ、基板の片側だけ陽極酸化させる
。場合によっては両側とも酸化し、穴をつなげるか、後
で部分してもよい。
を浸漬し、電圧をかけ、基板の片側だけ陽極酸化させる
。場合によっては両側とも酸化し、穴をつなげるか、後
で部分してもよい。
続いて、残った片側のアルミニウムを塩酸溶液等でエツ
チング除去する。
チング除去する。
さらにボアー底部のバリヤー層を穴の反対側から、硫酸
、陽酸等によって溶解し、ボアーを貫通させる。
、陽酸等によって溶解し、ボアーを貫通させる。
この方法では、通電量により膜厚はコントロールでき、
３００ミクロンまで可能である。ボアー径は電圧により
コントロールでき、６００オングストロームまで可能で
ある。
３００ミクロンまで可能である。ボアー径は電圧により
コントロールでき、６００オングストロームまで可能で
ある。
上記エツチング液の濃度は適宜かえられる。
又、エツチング液の代わりに、陽極酸化により所定の厚
みの膜になったら極性を反転させ、アルミニウム基板を
陰極として通電することによりアルミニウム層を剥離し
、表出したバリヤー層をエツチングにより除去してもよ
い。
みの膜になったら極性を反転させ、アルミニウム基板を
陰極として通電することによりアルミニウム層を剥離し
、表出したバリヤー層をエツチングにより除去してもよ
い。
次に、この多孔性皮膜に導電性物質を充填するわけであ
るが、この方法としては、導電性の低融点物質や低融点
金属（合金を）溶解し、圧力をかけながら、充填する方
法、導電性高分子モノマーを充填しポ、す゛マー化する
方法、高分子モノマーを充填しポリマー化した後、無酸
素状態で焼成する方法等が考えられる。
るが、この方法としては、導電性の低融点物質や低融点
金属（合金を）溶解し、圧力をかけながら、充填する方
法、導電性高分子モノマーを充填しポ、す゛マー化する
方法、高分子モノマーを充填しポリマー化した後、無酸
素状態で焼成する方法等が考えられる。
充填後、孔にはみでた部分や、孔以外についた不要部分
は研磨等の方法により取シ除くと良い。
は研磨等の方法により取シ除くと良い。
［作用コ
本発明の異方性導電膜によれば、酸化アルミニウムより
なる絶縁体にあいた貫通孔の中に充填された導電物質に
より導通をとるため、水平方向に電流が流れることはな
い。
なる絶縁体にあいた貫通孔の中に充填された導電物質に
より導通をとるため、水平方向に電流が流れることはな
い。
又、孔の間隔もα１ミクロン以下となるため、非常に微
細な短冊状の電極間の導通も簡単にとることができる。
細な短冊状の電極間の導通も簡単にとることができる。
以下、実施例により本発明の詳細を示す。
［実施例コ
厚み０，１ミリ、大きさ５センチ角、純度９９９９％の
アルミニウム基板をアセトン℃脱脂、蒸留水で洗浄後、
クロム酸で化学ポリシュをおこなった。ポリシュの後、
水で洗浄、クロム酸（Ｏｒ ０３４５グラム／リツトル
、Ｈ３ＰＯ４五５体積パーセント）に９０℃で３分間浸
漬し、シミをとってから水洗、乾燥した。
アルミニウム基板をアセトン℃脱脂、蒸留水で洗浄後、
クロム酸で化学ポリシュをおこなった。ポリシュの後、
水で洗浄、クロム酸（Ｏｒ ０３４５グラム／リツトル
、Ｈ３ＰＯ４五５体積パーセント）に９０℃で３分間浸
漬し、シミをとってから水洗、乾燥した。
２０重量％の硫酸溶液に、片面を被覆保護したこのアル
ミニウム基板を浸漬し、５０■の直流電圧を印加し、２
．５Ａの電流を６０分間流し、陽極酸化した。
ミニウム基板を浸漬し、５０■の直流電圧を印加し、２
．５Ａの電流を６０分間流し、陽極酸化した。
続いて、被覆保護膜をとり、０．１モルのＣ！ｕｏ１２
を含有する２０％塩酸溶液に浸漬し、アルミニウムを除
去した。
を含有する２０％塩酸溶液に浸漬し、アルミニウムを除
去した。
更に前記エツチング面を２０％硫酸溶液につけ酸化アル
ミニウム層を除去し、貫通孔とした。
ミニウム層を除去し、貫通孔とした。
続けて、全体を３０分間浸漬し、穴径をおおきくした。
この様にして得られた酸化アルミニウム多孔質膜に金を
蒸着した後、両面を研磨し、異方性導電膜とした。
蒸着した後、両面を研磨し、異方性導電膜とした。
以上実施例を述べたが、本発明は以上の実施例のみなら
ず、広（他の金属、例えば銅、銀、アルミニウムなどに
応用が可能である。また、金属の充填方法は実施例の他
にもいろいろ考えることができ、例えば、溶融した低融
点金属中に酸化アルミニウム多孔質膜を浸漬し、充填し
てもよい。
ず、広（他の金属、例えば銅、銀、アルミニウムなどに
応用が可能である。また、金属の充填方法は実施例の他
にもいろいろ考えることができ、例えば、溶融した低融
点金属中に酸化アルミニウム多孔質膜を浸漬し、充填し
てもよい。
導電物質としては金属の他に導電性高分子化合物やカー
ボン粉末を用いてもよい。また、有機物を充填し、無酸
素状態で焼成して炭化物を残してもよい。
ボン粉末を用いてもよい。また、有機物を充填し、無酸
素状態で焼成して炭化物を残してもよい。
酸化アルミニウム多孔質膜を作る条件も実施例にとどま
らず色々考えられるものであり、硫ｒ楔電界質の代わり
に蓚酸溶液を用いても可能であり、これらの濃度も色々
かえることもできる。
らず色々考えられるものであり、硫ｒ楔電界質の代わり
に蓚酸溶液を用いても可能であり、これらの濃度も色々
かえることもできる。
［発明の効果コ
以上述べたように本発明によれば、今後超微細化が予想
される液晶デイスプレィや半導体の電極のとりだしが簡
単になるという効果を有する。
される液晶デイスプレィや半導体の電極のとりだしが簡
単になるという効果を有する。
第１図は、本発明の異方性導電膜を示す図である。
１１・・・・・・・・・多孔住酸化皮戻１２・・・・・
・・・導電性部材 以上
・・・導電性部材 以上
Claims (1)
- 酸性浴中で、陽極酸化した、アルミニウム基板より得た
、多孔性酸化皮膜と、該孔中に充填された、導電性部材
よりなることを特徴とする異方性導電膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21980688A JPH0268812A (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | 異方性導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21980688A JPH0268812A (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | 異方性導電膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0268812A true JPH0268812A (ja) | 1990-03-08 |
Family
ID=16741331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21980688A Pending JPH0268812A (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | 異方性導電膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0268812A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995002313A1 (en) | 1993-07-06 | 1995-01-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Heat dissipating sheet |
| JPH1050145A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-20 | Mitsubishi Materials Corp | 異方性導電膜及びその製造方法 |
| WO2009113486A1 (ja) | 2008-03-14 | 2009-09-17 | 富士フイルム株式会社 | プローブカード |
| JP2010177171A (ja) * | 2009-02-02 | 2010-08-12 | Fujifilm Corp | 異方導電性部材およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-09-02 JP JP21980688A patent/JPH0268812A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995002313A1 (en) | 1993-07-06 | 1995-01-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Heat dissipating sheet |
| JPH1050145A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-20 | Mitsubishi Materials Corp | 異方性導電膜及びその製造方法 |
| WO2009113486A1 (ja) | 2008-03-14 | 2009-09-17 | 富士フイルム株式会社 | プローブカード |
| JP2010177171A (ja) * | 2009-02-02 | 2010-08-12 | Fujifilm Corp | 異方導電性部材およびその製造方法 |
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