JP2018037509A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、優れた導通性および信頼性を達成することができる多層配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】異方導電性接合部材と、複数の電極１２を有する配線基板１１とを具備する多層配線基板３０を作製する方法であって、異方導電性接合部材が、無機材料からなる絶縁性基材２と、絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに絶縁された状態で設けられた、導電性部材からなる複数の導通路３とを有する。複数の導通路が、絶縁性基材の表面から突出した突出部分を有しており、配線基板が有する複数の電極の高さが１０μｍ以下であり、異方導電性接合部材と配線基板とを、非導電性の熱硬化性樹脂を用いて接着する仮接合プロセスと、熱硬化性樹脂の硬化温度未満の温度で加熱することにより、異方導電性接合部材が有する導通路と配線基板が有する電極とを電気的に接合する本接合プロセスと、をこの順に有する。
【選択図】図３Ｅ
【解決手段】異方導電性接合部材と、複数の電極１２を有する配線基板１１とを具備する多層配線基板３０を作製する方法であって、異方導電性接合部材が、無機材料からなる絶縁性基材２と、絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに絶縁された状態で設けられた、導電性部材からなる複数の導通路３とを有する。複数の導通路が、絶縁性基材の表面から突出した突出部分を有しており、配線基板が有する複数の電極の高さが１０μｍ以下であり、異方導電性接合部材と配線基板とを、非導電性の熱硬化性樹脂を用いて接着する仮接合プロセスと、熱硬化性樹脂の硬化温度未満の温度で加熱することにより、異方導電性接合部材が有する導通路と配線基板が有する電極とを電気的に接合する本接合プロセスと、をこの順に有する。
【選択図】図３Ｅ
Description
本発明は、多層配線基板の製造方法に関する。
絶縁性基材に設けられた微細孔に金属が充填されてなる金属充填微細構造体（デバイス）は、近年ナノテクノロジーでも注目されている分野のひとつであり、例えば、異方導電性接合部材としての用途が期待されている。
この異方導電性接合部材は、半導体素子等の電子部品と回路基板との間に挿入し、加圧するだけで電子部品と回路基板間の電気的接続が得られるため、半導体素子等の電子部品等の電気的接続部材や機能検査を行う際の検査用コネクタ等として広く使用されている。
特に、半導体素子等の電子部品は、ダウンサイジング化が顕著であり、従来のワイヤーボンディングのような配線基板を直接接続するような方式や、フィリップチップボンディング、サーモコンプレッション（熱圧着）ボンディングなどでは、接続の安定性を十分に保証することができないため、電子接続部材として異方導電性接合部材が注目されている。
この異方導電性接合部材は、半導体素子等の電子部品と回路基板との間に挿入し、加圧するだけで電子部品と回路基板間の電気的接続が得られるため、半導体素子等の電子部品等の電気的接続部材や機能検査を行う際の検査用コネクタ等として広く使用されている。
特に、半導体素子等の電子部品は、ダウンサイジング化が顕著であり、従来のワイヤーボンディングのような配線基板を直接接続するような方式や、フィリップチップボンディング、サーモコンプレッション（熱圧着）ボンディングなどでは、接続の安定性を十分に保証することができないため、電子接続部材として異方導電性接合部材が注目されている。
このような異方導電性接合部材に用いることができる微細構造体として、例えば、特許文献１には、「１×１０6〜１×１０10／ｍｍ2の密度で、孔径１０〜５００ｎｍのマイクロポア貫通孔を有する絶縁性基材よりなる微細構造体であって、マイクロポア貫通孔内部に、充填率３０％以上で金属が充填され、且つ、絶縁性基材の少なくとも一方の表面上にポリマーよりなる層が設けられていることを特徴とする微細構造体。」が記載されており（［請求項１］）、この微細構造体を異方導電性部材として用いる場合に、微細構造体と、半導体素子等の電子部品と、を熱圧着により接合する態様が記載されている（［００１８］［図２］）。
本発明者は、特許文献１に記載された異方導電性接合部材と電子部品との接合について検討を行った結果、熱圧着の方法によっては、接合後の多層配線基板の導通性および信頼性が劣る場合があることを明らかとした。
そこで、本発明は、優れた導通性および信頼性を達成することができる多層配線基板の製造方法を提供することを課題とする。
本発明者は、上記課題を達成すべく鋭意研究した結果、熱硬化性樹脂を用いて異方導電性接合部材と配線基板とを仮接合した後に、熱硬化性樹脂の硬化温度未満の温度で加熱しながら異方導電性接合部材が有する導通路と配線基板が有する電極とを電気的に接合することにより、多層配線基板の導通性および信頼性が良好となることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明者は、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
すなわち、本発明者は、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
［１］ 異方導電性接合部材と、複数の電極を有する配線基板と、を具備する多層配線基板を作製する多層配線基板の製造方法であって、
異方導電性接合部材が、無機材料からなる絶縁性基材と、絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに絶縁された状態で設けられた、導電性部材からなる複数の導通路とを有し、複数の導通路が、絶縁性基材の表面から突出した突出部分を有しており、
配線基板が有する複数の電極の高さが１０μｍ以下であり、
異方導電性接合部材と配線基板とを、非導電性の熱硬化性樹脂を用いて接着する仮接合プロセスと、
熱硬化性樹脂の硬化温度未満の温度で加熱することにより、異方導電性接合部材が有する導通路と配線基板が有する電極とを電気的に接合する本接合プロセスと、をこの順に有する、多層配線基板の製造方法。
［２］ 仮接合プロセスの前に、熱硬化性樹脂を含む樹脂層が、異方導電性接合部材における、配線基板が有する電極と電気的に接合する側の表面に設けられている、［１］に記載の多層配線基板の製造方法。
［３］ 仮接合プロセスの前に、熱硬化性樹脂を含む樹脂層が、配線基板における、異方導電性接合部材が有する導通路と電気的に接合する側の表面に設けられている、［１］または［２］に記載の多層配線基板の製造方法。
［４］ 本接合プロセスにおいて、加圧した後または加圧した状態で加熱を行う、［１］〜［３］のいずれかに記載の多層配線基板の製造方法。
［５］ 本接合プロセスの後に、熱硬化性樹脂の硬化温度以上の温度で加熱することにより、熱硬化性樹脂を硬化させる樹脂硬化プロセスを有する、［１］〜［４］のいずれかに記載の多層配線基板の製造方法。
異方導電性接合部材が、無機材料からなる絶縁性基材と、絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに絶縁された状態で設けられた、導電性部材からなる複数の導通路とを有し、複数の導通路が、絶縁性基材の表面から突出した突出部分を有しており、
配線基板が有する複数の電極の高さが１０μｍ以下であり、
異方導電性接合部材と配線基板とを、非導電性の熱硬化性樹脂を用いて接着する仮接合プロセスと、
熱硬化性樹脂の硬化温度未満の温度で加熱することにより、異方導電性接合部材が有する導通路と配線基板が有する電極とを電気的に接合する本接合プロセスと、をこの順に有する、多層配線基板の製造方法。
［２］ 仮接合プロセスの前に、熱硬化性樹脂を含む樹脂層が、異方導電性接合部材における、配線基板が有する電極と電気的に接合する側の表面に設けられている、［１］に記載の多層配線基板の製造方法。
［３］ 仮接合プロセスの前に、熱硬化性樹脂を含む樹脂層が、配線基板における、異方導電性接合部材が有する導通路と電気的に接合する側の表面に設けられている、［１］または［２］に記載の多層配線基板の製造方法。
［４］ 本接合プロセスにおいて、加圧した後または加圧した状態で加熱を行う、［１］〜［３］のいずれかに記載の多層配線基板の製造方法。
［５］ 本接合プロセスの後に、熱硬化性樹脂の硬化温度以上の温度で加熱することにより、熱硬化性樹脂を硬化させる樹脂硬化プロセスを有する、［１］〜［４］のいずれかに記載の多層配線基板の製造方法。
以下に説明するように、本発明によれば、優れた導通性および信頼性を達成することができる多層配線基板の製造方法を提供することができる。
以下、本発明について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。
なお、本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。
なお、本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
［多層配線基板の製造方法］
本発明の多層配線基板の製造方法（以下、「本発明の製造方法」と略す。）は、異方導電性接合部材と、複数の電極を有する配線基板と、を具備する多層配線基板を作製する多層配線基板の製造方法である。
また、本発明の製造方法は、異方導電性接合部材と配線基板とを、非導電性の熱硬化性樹脂を用いて接着する仮接合プロセスを有する。
また、本発明の製造方法は、仮接合プロセスの後に、熱硬化性樹脂の硬化温度未満の温度で加熱することにより、異方導電性接合部材が有する導通路と配線基板が有する電極とを電気的に接合する本接合プロセスを有する。
また、本発明の製造方法は、本接合プロセスの後に、熱硬化性樹脂の硬化温度以上の温度で加熱することにより、熱硬化性樹脂を硬化させる樹脂硬化プロセスを有していることが好ましい。
本発明の多層配線基板の製造方法（以下、「本発明の製造方法」と略す。）は、異方導電性接合部材と、複数の電極を有する配線基板と、を具備する多層配線基板を作製する多層配線基板の製造方法である。
また、本発明の製造方法は、異方導電性接合部材と配線基板とを、非導電性の熱硬化性樹脂を用いて接着する仮接合プロセスを有する。
また、本発明の製造方法は、仮接合プロセスの後に、熱硬化性樹脂の硬化温度未満の温度で加熱することにより、異方導電性接合部材が有する導通路と配線基板が有する電極とを電気的に接合する本接合プロセスを有する。
また、本発明の製造方法は、本接合プロセスの後に、熱硬化性樹脂の硬化温度以上の温度で加熱することにより、熱硬化性樹脂を硬化させる樹脂硬化プロセスを有していることが好ましい。
本発明の製造方法においては、上述した通り、仮接合プロセスの後に、熱硬化性樹脂の硬化温度未満の温度で加熱しながら異方導電性接合部材が有する導通路と配線基板が有する電極とを電気的に接合させる本接合プロセスを有することにより、優れた導通性および信頼性を達成することができる。
これは、詳細には明らかではないが、およそ以下のとおりと推測される。
すなわち、本接合プロセスにおいて、熱硬化性樹脂の硬化温度未満の温度で加熱することにより、熱硬化性樹脂が配線基板の電極間や異方導電性接合部材の導通路間に流動しやすくなり、配線基板の電極と異方導電性接合部材の導通路との接合部に残存し難くなるため、導通性が良好になると考えられる。
また、上述した通り、熱硬化性樹脂が配線基板の電極間や異方導電性接合部材の導通路間に流動することにより、流動した熱硬化性樹脂が、配線基板の電極と異方導電性接合部材の導通路との接合部を周囲から補強する材料として機能するため、信頼性が良好になると考えられる。
以下に、本発明の製造方法で用いる異方導電性接合部材、配線基板および熱硬化性樹脂、ならびに、本発明の製造方法が有する仮接合プロセス、本接合プロセスおよび任意の樹脂硬化プロセスについて詳述する。
これは、詳細には明らかではないが、およそ以下のとおりと推測される。
すなわち、本接合プロセスにおいて、熱硬化性樹脂の硬化温度未満の温度で加熱することにより、熱硬化性樹脂が配線基板の電極間や異方導電性接合部材の導通路間に流動しやすくなり、配線基板の電極と異方導電性接合部材の導通路との接合部に残存し難くなるため、導通性が良好になると考えられる。
また、上述した通り、熱硬化性樹脂が配線基板の電極間や異方導電性接合部材の導通路間に流動することにより、流動した熱硬化性樹脂が、配線基板の電極と異方導電性接合部材の導通路との接合部を周囲から補強する材料として機能するため、信頼性が良好になると考えられる。
以下に、本発明の製造方法で用いる異方導電性接合部材、配線基板および熱硬化性樹脂、ならびに、本発明の製造方法が有する仮接合プロセス、本接合プロセスおよび任意の樹脂硬化プロセスについて詳述する。
〔異方導電性接合部材〕
本発明の製造方法で用いる異方導電性接合部材は、無機材料からなる絶縁性基材と、絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに絶縁された状態で設けられた、導電性部材からなる複数の導通路と、を具備している。
また、各導通路は、絶縁性基材の表面から突出した突出部分を有している。
次に、異方導電性接合部材の構成について、図１Ａおよび図１Ｂならびに図２を用いて説明する。
本発明の製造方法で用いる異方導電性接合部材は、無機材料からなる絶縁性基材と、絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに絶縁された状態で設けられた、導電性部材からなる複数の導通路と、を具備している。
また、各導通路は、絶縁性基材の表面から突出した突出部分を有している。
次に、異方導電性接合部材の構成について、図１Ａおよび図１Ｂならびに図２を用いて説明する。
図１Ａおよび図１Ｂに示す異方導電性接合部材１は、絶縁性基材２と、導電性部材からなる複数の導通路３とを具備するものである。
また、導通路３は、図１Ａおよび図１Ｂに示すように、互いに絶縁された状態で絶縁性基材２を厚み方向Ｚ（Ｚ１：図１Ａの裏面から正面の方向，Ｚ２：図１Ａの正面から裏面の方向）に貫通して設けられている。
更に、導通路３は、図１Ｂに示すように、絶縁性基材２の表面２ａおよび２ｂから突出した突出部分３ａおよび３ｂを有している。
ここで、「互いに絶縁された状態」とは、絶縁性基材の内部（厚み方向）に存在している各導通路が絶縁性基材の内部において互いに絶縁された状態であることを意味する。
また、導通路３は、図１Ａおよび図１Ｂに示すように、互いに絶縁された状態で絶縁性基材２を厚み方向Ｚ（Ｚ１：図１Ａの裏面から正面の方向，Ｚ２：図１Ａの正面から裏面の方向）に貫通して設けられている。
更に、導通路３は、図１Ｂに示すように、絶縁性基材２の表面２ａおよび２ｂから突出した突出部分３ａおよび３ｂを有している。
ここで、「互いに絶縁された状態」とは、絶縁性基材の内部（厚み方向）に存在している各導通路が絶縁性基材の内部において互いに絶縁された状態であることを意味する。
図２に示す異方導電性接合部材１は、絶縁性基材２と、導電性部材からなる複数の導通路３と、絶縁性基材２の表面２ａおよび２ｂに設けられた樹脂層４とを具備するものである。なお、樹脂層４は、後述する熱硬化性樹脂を含有する層である。
また、導通路３は、図２に示すように、互いに絶縁された状態で絶縁性基材２を厚み方向に貫通して設けられている。
更に、導通路３は、図２に示すように、絶縁性基材２の表面２ａおよび２ｂから突出した突出部分３ａおよび３ｂを有しており、この突出部分３ａおよび３ｂの端部が、樹脂層４に埋設している。
また、導通路３は、図２に示すように、互いに絶縁された状態で絶縁性基材２を厚み方向に貫通して設けられている。
更に、導通路３は、図２に示すように、絶縁性基材２の表面２ａおよび２ｂから突出した突出部分３ａおよび３ｂを有しており、この突出部分３ａおよび３ｂの端部が、樹脂層４に埋設している。
次に、異方導電性接合部材の絶縁性基材および導通路について、材料、寸法、形成方法等について説明する。
＜絶縁性基材＞
異方導電性接合部材を構成する絶縁性基材は、無機材料からなり、従来公知の異方導電性フィルム等を構成する絶縁性基材と同程度の電気抵抗率（１０14Ω・ｃｍ程度）を有するものであれば特に限定されない。
なお、「無機材料からなり」とは、後述する熱硬化性樹脂と区別するための規定であり、無機材料のみから構成された絶縁性基材に限定する規定ではなく、無機材料を主成分（５０質量％以上）とする規定である。
異方導電性接合部材を構成する絶縁性基材は、無機材料からなり、従来公知の異方導電性フィルム等を構成する絶縁性基材と同程度の電気抵抗率（１０14Ω・ｃｍ程度）を有するものであれば特に限定されない。
なお、「無機材料からなり」とは、後述する熱硬化性樹脂と区別するための規定であり、無機材料のみから構成された絶縁性基材に限定する規定ではなく、無機材料を主成分（５０質量％以上）とする規定である。
上記絶縁性基材としては、例えば、金属酸化物基材、金属窒化物基材、ガラス基材、セラミックス基材（例えば、シリコンカーバイド、シリコンナイトライド等）、カーボン基材（例えば、ダイヤモンドライクカーボン等）、ポリイミド基材、これらの複合材料などが挙げられ、また、貫通孔を有する有機素材上に、セラミックス材料やカーボン材料を５０質量％以上含む無機材料で成膜した材料であってもよい。
本発明においては、上記絶縁性基材としては、所望の平均開口径を有するマイクロポアが貫通孔として形成され、後述する導通路を形成しやすいという理由から、金属酸化物基材であるのが好ましく、バルブ金属の陽極酸化膜であるのがより好ましい。
ここで、上記バルブ金属としては、具体的には、例えば、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモン等が挙げられる。
これらのうち、寸法安定性がよく、比較的安価であることからアルミニウムの陽極酸化膜（基材）であるのが好ましい。
ここで、上記バルブ金属としては、具体的には、例えば、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモン等が挙げられる。
これらのうち、寸法安定性がよく、比較的安価であることからアルミニウムの陽極酸化膜（基材）であるのが好ましい。
本発明においては、上記絶縁性基材の厚み（図１Ｂにおいては符号６で表される部分）は、１μｍ〜１０００μｍであるのが好ましく、１μｍ〜５００μｍであるのがより好ましく、１μｍ〜１００μｍであるのが更に好ましい。絶縁性基材の厚みがこの範囲であると、絶縁性基材の取り扱い性が良好となる。
ここで、絶縁性基材の厚みは、異方導電性接合部材の断面を電解放出形走査型電子顕微鏡により観察し、１０点で測定した厚みの平均値をいう。
ここで、絶縁性基材の厚みは、異方導電性接合部材の断面を電解放出形走査型電子顕微鏡により観察し、１０点で測定した厚みの平均値をいう。
また、本発明においては、上記絶縁性基材における上記各導通路の間隔は、５ｎｍ〜８００ｎｍであるのが好ましく、１０ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、２０ｎｍ〜６０ｎｍであるのが更に好ましい。絶縁性基材における各導通路の間隔がこの範囲であると、絶縁性基材が絶縁性の隔壁として十分に機能する。
ここで、各導通路の間隔とは、隣接する導通路間の幅（図１Ｂにおいては符号７で表される部分）をいい、異方導電性接合部材の断面を電解放出形走査型電子顕微鏡により２０万倍の倍率で観察し、隣接する導通路間の幅を１０点で測定した平均値をいう。
ここで、各導通路の間隔とは、隣接する導通路間の幅（図１Ｂにおいては符号７で表される部分）をいい、異方導電性接合部材の断面を電解放出形走査型電子顕微鏡により２０万倍の倍率で観察し、隣接する導通路間の幅を１０点で測定した平均値をいう。
＜導通路＞
異方導電性接合部材を構成する複数の導通路は、上記絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに絶縁された状態で設けられた、導電性部材からなる導通路である。
また、上記導通路は、絶縁性基材の表面から突出した突出部分を有している。
異方導電性接合部材を構成する複数の導通路は、上記絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに絶縁された状態で設けられた、導電性部材からなる導通路である。
また、上記導通路は、絶縁性基材の表面から突出した突出部分を有している。
（導電性部材）
上記導通路を構成する導電性部材は、電気抵抗率が１０3Ω・ｃｍ以下の材料であれば特に限定されず、その具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウムがドープされたスズ酸化物（ＩＴＯ）等が好適に例示される。
中でも、電気伝導性の観点から、銅、金、アルミニウム、ニッケルが好ましく、銅、金がより好ましい。
上記導通路を構成する導電性部材は、電気抵抗率が１０3Ω・ｃｍ以下の材料であれば特に限定されず、その具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウムがドープされたスズ酸化物（ＩＴＯ）等が好適に例示される。
中でも、電気伝導性の観点から、銅、金、アルミニウム、ニッケルが好ましく、銅、金がより好ましい。
（突出部分）
上記導通路の突出部分は、導通路が絶縁性基材の表面から突出した部分である。
上記導通路の突出部分は、導通路が絶縁性基材の表面から突出した部分である。
本発明においては、異方導電性接合部材の導通路と配線基板の電極とを接合する際に、突出部分が潰れた場合の面方向の絶縁性を十分に確保できる理由から、上記導通路の突出部分のアスペクト比（突出部分の高さ／突出部分の直径）が０．５以上５０未満であるのが好ましく、０．８〜２０であるのがより好ましく、１〜１０であるのが更に好ましい。
また、本発明においては、配線基板の表面形状に追従する観点から、上記導通路の突出部分の高さが、５０ｎｍ〜３０００ｎｍであるのが好ましく、１００〜２０００ｎｍであるのがより好ましく、２００〜１０００ｎｍであるのが更に好ましい。
同様に、上記導通路の突出部分の直径は、５ｎｍ超１０μｍ以下であるのが好ましく、２０ｎｍ〜１０００ｎｍであるのがより好ましい。
ここで、導通路の突出部分の高さは、異方導電性接合部材の断面を電解放出形走査型電子顕微鏡により２万倍の倍率で観察し、導通路の突出部分の高さを１０点で測定した平均値をいう。
同様に、導通路の突出部分の直径は、異方導電性接合部材の断面を電解放出形走査型電子顕微鏡により観察し、導通路の突出部分の直径を１０点で測定した平均値をいう。
同様に、上記導通路の突出部分の直径は、５ｎｍ超１０μｍ以下であるのが好ましく、２０ｎｍ〜１０００ｎｍであるのがより好ましい。
ここで、導通路の突出部分の高さは、異方導電性接合部材の断面を電解放出形走査型電子顕微鏡により２万倍の倍率で観察し、導通路の突出部分の高さを１０点で測定した平均値をいう。
同様に、導通路の突出部分の直径は、異方導電性接合部材の断面を電解放出形走査型電子顕微鏡により観察し、導通路の突出部分の直径を１０点で測定した平均値をいう。
（他の形状）
上記導通路は柱状であり、その直径（図１Ｂにおいては符号８で表される部分）は、突出部分の直径と同様、５ｎｍ超１０μｍ以下であるのが好ましく、２０ｎｍ〜１０００ｎｍであるのがより好ましい。
上記導通路は柱状であり、その直径（図１Ｂにおいては符号８で表される部分）は、突出部分の直径と同様、５ｎｍ超１０μｍ以下であるのが好ましく、２０ｎｍ〜１０００ｎｍであるのがより好ましい。
また、上記導通路は上記絶縁性基材によって互いに絶縁された状態で存在するものであるが、その密度は、２万個／ｍｍ2以上であるのが好ましく、２００万個／ｍｍ2以上であるのがより好ましく、１０００万個／ｍｍ2以上であるのが更に好ましく、５０００万個／ｍｍ2以上であるのが特に好ましく、１億個／ｍｍ2以上であるのが最も好ましい。
更に、隣接する各導通路の中心間距離（図１Ａおよび図１Ｂにおいては符号９で表される部分）は、２０ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、４０ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、５０ｎｍ〜１４０ｎｍであるのが更に好ましい。
〔異方導電性接合部材の作製方法〕
異方導電性接合部材の作製方法は特に限定されないが、例えば、上記絶縁性基材に設けられた貫通孔に上記導電性材料を存在させて上記導通路を形成する導通路形成工程と、導通路形成工程の後に上記絶縁性基材の表面のみを一部除去し、上記導通路を突出させるトリミング工程とを有する製造方法等が挙げられる。
異方導電性接合部材の作製方法は特に限定されないが、例えば、上記絶縁性基材に設けられた貫通孔に上記導電性材料を存在させて上記導通路を形成する導通路形成工程と、導通路形成工程の後に上記絶縁性基材の表面のみを一部除去し、上記導通路を突出させるトリミング工程とを有する製造方法等が挙げられる。
＜絶縁性基材の作製＞
上記絶縁性基材は、例えば、貫通孔を有するガラス基板（Through Glass Via：ＴＧＶ）をそのまま用いることができるが、上記導通路の開口径や突出部分のアスペクト比を上述した範囲とする観点から、バルブ金属に対して陽極酸化処理を施す方法が好ましい。
上記陽極酸化処理としては、例えば、上記絶縁性基材がアルミニウムの陽極酸化皮膜である場合は、アルミニウム基板を陽極酸化する陽極酸化処理、および、上記陽極酸化処理の後に、上記陽極酸化により生じたマイクロポアによる孔を貫通化する貫通化処理をこの順に施すことにより作製することができる。
本発明においては、上記絶縁性基材の作製に用いられるアルミニウム基板ならびにアルミニウム基板に施す各処理工程については、特開２００８−２７０１５８号公報の［００４１］〜［０１２１］段落に記載したものと同様のものを採用することができる。
上記絶縁性基材は、例えば、貫通孔を有するガラス基板（Through Glass Via：ＴＧＶ）をそのまま用いることができるが、上記導通路の開口径や突出部分のアスペクト比を上述した範囲とする観点から、バルブ金属に対して陽極酸化処理を施す方法が好ましい。
上記陽極酸化処理としては、例えば、上記絶縁性基材がアルミニウムの陽極酸化皮膜である場合は、アルミニウム基板を陽極酸化する陽極酸化処理、および、上記陽極酸化処理の後に、上記陽極酸化により生じたマイクロポアによる孔を貫通化する貫通化処理をこの順に施すことにより作製することができる。
本発明においては、上記絶縁性基材の作製に用いられるアルミニウム基板ならびにアルミニウム基板に施す各処理工程については、特開２００８−２７０１５８号公報の［００４１］〜［０１２１］段落に記載したものと同様のものを採用することができる。
＜導通路形成工程＞
上記導通路形成工程は、上記絶縁性基材に設けられた上記貫通孔に上記導電性材料を存在させる工程である。
ここで、上記貫通孔に金属を存在させる方法としては、例えば、特開２００８−２７０１５８号公報の［０１２３］〜［０１２６］段落および［図４］に記載された各方法（電解メッキ法または無電解メッキ法）と同様の方法が挙げられる。
また、電解メッキ法または無電解メッキ法においては、金、ニッケル、銅等による電極層を予め設けることが好ましい。この電極層の形成方法としては、例えば、スパッタ等の気相処理；無電解めっき等の液層処理；これらを組合せた処理；等が挙げられる。
上記金属充填工程により、導通路の突出部分が形成される前の異方導電性接合部材が得られる。
上記導通路形成工程は、上記絶縁性基材に設けられた上記貫通孔に上記導電性材料を存在させる工程である。
ここで、上記貫通孔に金属を存在させる方法としては、例えば、特開２００８−２７０１５８号公報の［０１２３］〜［０１２６］段落および［図４］に記載された各方法（電解メッキ法または無電解メッキ法）と同様の方法が挙げられる。
また、電解メッキ法または無電解メッキ法においては、金、ニッケル、銅等による電極層を予め設けることが好ましい。この電極層の形成方法としては、例えば、スパッタ等の気相処理；無電解めっき等の液層処理；これらを組合せた処理；等が挙げられる。
上記金属充填工程により、導通路の突出部分が形成される前の異方導電性接合部材が得られる。
一方、上記導通路形成工程は、特開２００８−２７０１５８号公報に記載された方法に代えて、例えば、アルミニウム基板の片側の表面（以下、「片面」ともいう。）に陽極酸化処理を施し、アルミニウム基板の片面に、厚み方向に存在するマイクロポアとマイクロポアの底部に存在するバリア層とを有する陽極酸化膜を形成する陽極酸化処理工程と、陽極酸化処理工程の後に陽極酸化膜のバリア層を除去するバリア層除去工程と、バリア層除去工程の後に電解めっき処理を施してマイクロポアの内部に金属を充填する金属充填工程と、金属充填工程の後にアルミニウム基板を除去し、金属充填微細構造体を得る基板除去工程とを有する工程を有する方法であってもよい。
（陽極酸化処理工程）
上記陽極酸化工程は、上記アルミニウム基板の片面に陽極酸化処理を施すことにより、上記アルミニウム基板の片面に、厚み方向に存在するマイクロポアとマイクロポアの底部に存在するバリア層とを有する陽極酸化膜を形成する工程である。
陽極酸化処理は、従来公知の方法を用いることができるが、マイクロポア配列の規則性を高くし、異方導電性を担保する観点から、自己規則化法や定電圧処理を用いるのが好ましい。
ここで、陽極酸化処理の自己規則化法や定電圧処理については、特開２００８−２７０１５８号公報の［００５６］〜［０１０８］段落および［図３］に記載された各処理と同様の処理を施すことができる。
上記陽極酸化工程は、上記アルミニウム基板の片面に陽極酸化処理を施すことにより、上記アルミニウム基板の片面に、厚み方向に存在するマイクロポアとマイクロポアの底部に存在するバリア層とを有する陽極酸化膜を形成する工程である。
陽極酸化処理は、従来公知の方法を用いることができるが、マイクロポア配列の規則性を高くし、異方導電性を担保する観点から、自己規則化法や定電圧処理を用いるのが好ましい。
ここで、陽極酸化処理の自己規則化法や定電圧処理については、特開２００８−２７０１５８号公報の［００５６］〜［０１０８］段落および［図３］に記載された各処理と同様の処理を施すことができる。
（バリア層除去工程）
上記バリア層除去工程は、上記陽極酸化処理工程の後に、上記陽極酸化膜のバリア層を除去する工程である。バリア層を除去することにより、マイクロポアを介してアルミニウム基板の一部が露出することになる。
バリア層を除去する方法は特に限定されず、例えば、上記陽極酸化処理工程の上記陽極酸化処理における電位よりも低い電位でバリア層を電気化学的に溶解する方法（以下、「電解除去処理」ともいう。）；エッチングによりバリア層を除去する方法（以下、「エッチング除去処理」ともいう。）；これらを組み合わせた方法（特に、電解除去処理を施した後に、残存するバリア層をエッチング除去処理で除去する方法）；等が挙げられる。
上記バリア層除去工程は、上記陽極酸化処理工程の後に、上記陽極酸化膜のバリア層を除去する工程である。バリア層を除去することにより、マイクロポアを介してアルミニウム基板の一部が露出することになる。
バリア層を除去する方法は特に限定されず、例えば、上記陽極酸化処理工程の上記陽極酸化処理における電位よりも低い電位でバリア層を電気化学的に溶解する方法（以下、「電解除去処理」ともいう。）；エッチングによりバリア層を除去する方法（以下、「エッチング除去処理」ともいう。）；これらを組み合わせた方法（特に、電解除去処理を施した後に、残存するバリア層をエッチング除去処理で除去する方法）；等が挙げられる。
〈電解除去処理〉
上記電解除去処理は、上記陽極酸化処理工程の上記陽極酸化処理における電位（電解電位）よりも低い電位で施す電解処理であれば特に限定されない。
本発明においては、上記電解溶解処理は、例えば、上記陽極酸化処理工程の終了時に電解電位を降下させることにより、上記陽極酸化処理と連続して施すことができる。
上記電解除去処理は、上記陽極酸化処理工程の上記陽極酸化処理における電位（電解電位）よりも低い電位で施す電解処理であれば特に限定されない。
本発明においては、上記電解溶解処理は、例えば、上記陽極酸化処理工程の終了時に電解電位を降下させることにより、上記陽極酸化処理と連続して施すことができる。
上記電解除去処理は、電解電位以外の条件については、上述した従来公知の陽極酸化処理と同様の電解液および処理条件を採用することができる。
特に、上述したように上記電解除去処理と上記陽極酸化処理とを連続して施す場合は、同様の電解液を用いて処理するのが好ましい。
特に、上述したように上記電解除去処理と上記陽極酸化処理とを連続して施す場合は、同様の電解液を用いて処理するのが好ましい。
｛電解電位｝
上記電解除去処理における電解電位は、上記陽極酸化処理における電解電位よりも低い電位に、連続的または段階的（ステップ状）に降下させるのが好ましい。
ここで、電解電位を段階的に降下させる際の下げ幅（ステップ幅）は、バリア層の耐電圧の観点から、１０Ｖ以下であるのが好ましく、５Ｖ以下であるのがより好ましく、２Ｖ以下であるのが更に好ましい。
また、電解電位を連続的または段階的に降下させる際の電圧降下速度は、生産性等の観点から、いずれも１Ｖ／秒以下が好ましく、０．５Ｖ／秒以下がより好ましく、０．２Ｖ／秒以下が更に好ましい。
上記電解除去処理における電解電位は、上記陽極酸化処理における電解電位よりも低い電位に、連続的または段階的（ステップ状）に降下させるのが好ましい。
ここで、電解電位を段階的に降下させる際の下げ幅（ステップ幅）は、バリア層の耐電圧の観点から、１０Ｖ以下であるのが好ましく、５Ｖ以下であるのがより好ましく、２Ｖ以下であるのが更に好ましい。
また、電解電位を連続的または段階的に降下させる際の電圧降下速度は、生産性等の観点から、いずれも１Ｖ／秒以下が好ましく、０．５Ｖ／秒以下がより好ましく、０．２Ｖ／秒以下が更に好ましい。
〈エッチング除去処理〉
上記エッチング除去処理は特に限定されないが、酸水溶液またはアルカリ水溶液を用いて溶解する化学的エッチング処理であってもよく、ドライエッチング処理であってもよい。
上記エッチング除去処理は特に限定されないが、酸水溶液またはアルカリ水溶液を用いて溶解する化学的エッチング処理であってもよく、ドライエッチング処理であってもよい。
｛化学エッチング処理｝
化学エッチング処理によるバリア層の除去は、例えば、上記陽極酸化処理工程後の構造物を酸水溶液またはアルカリ水溶液に浸漬させ、マイクロポアの内部に酸水溶液またはアルカリ水溶液を充填させた後に、陽極酸化膜のマイクロポアの開口部側の表面にｐＨ緩衝液に接触させる方法等により、バリア層のみを選択的に溶解させることができる。
化学エッチング処理によるバリア層の除去は、例えば、上記陽極酸化処理工程後の構造物を酸水溶液またはアルカリ水溶液に浸漬させ、マイクロポアの内部に酸水溶液またはアルカリ水溶液を充填させた後に、陽極酸化膜のマイクロポアの開口部側の表面にｐＨ緩衝液に接触させる方法等により、バリア層のみを選択的に溶解させることができる。
ここで、酸水溶液を用いる場合は、硫酸、リン酸、硝酸、塩酸等の無機酸またはこれらの混合物の水溶液を用いることが好ましい。また、酸水溶液の濃度は１〜１０質量％であるのが好ましい。酸水溶液の温度は、１５〜８０℃が好ましく、更に２０〜６０℃が好ましく、更に３０〜５０℃が好ましい。
一方、アルカリ水溶液を用いる場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。また、アルカリ水溶液の濃度は０．１〜５質量％であるのが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、１０〜６０℃が好ましく、更に１５〜４５℃が好ましく、更に２０〜３５℃であるのが好ましい。なお、アルカリ水溶液には、亜鉛や他の金属を含有していてもよい。
具体的には、例えば、５０ｇ／Ｌ、４０℃のリン酸水溶液、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化ナトリウム水溶液、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化カリウム水溶液等が好適に用いられる。
なお、ｐＨ緩衝液としては、上述した酸水溶液またはアルカリ水溶液に対応した緩衝液を適宜使用することができる。
一方、アルカリ水溶液を用いる場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。また、アルカリ水溶液の濃度は０．１〜５質量％であるのが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、１０〜６０℃が好ましく、更に１５〜４５℃が好ましく、更に２０〜３５℃であるのが好ましい。なお、アルカリ水溶液には、亜鉛や他の金属を含有していてもよい。
具体的には、例えば、５０ｇ／Ｌ、４０℃のリン酸水溶液、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化ナトリウム水溶液、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化カリウム水溶液等が好適に用いられる。
なお、ｐＨ緩衝液としては、上述した酸水溶液またはアルカリ水溶液に対応した緩衝液を適宜使用することができる。
また、酸水溶液またはアルカリ水溶液への浸せき時間は、８〜１２０分であるのが好ましく、１０〜９０分であるのがより好ましく、１５〜６０分であるのが更に好ましい。
｛ドライエッチング処理｝
ドライエッチング処理は、例えば、Ｃｌ2／Ａｒ混合ガス等のガス種を用いることが好ましい。
ドライエッチング処理は、例えば、Ｃｌ2／Ａｒ混合ガス等のガス種を用いることが好ましい。
（金属充填工程）
上記金属充填工程は、上記バリア層除去工程の後に、電解めっき処理を施して陽極酸化膜におけるマイクロポアの内部に金属を充填する工程であり、例えば、特開２００８−２７０１５８号公報の［０１２３］〜［０１２６］段落および［図４］に記載された各方法と同様の方法（電解メッキ法または無電解メッキ法）が挙げられる。
なお、電解メッキ法または無電解メッキ法においては、上述したバリア層除去工程の後にマイクロポアを介して露出するアルミニウム基板を電極として利用することができる。
上記金属充填工程は、上記バリア層除去工程の後に、電解めっき処理を施して陽極酸化膜におけるマイクロポアの内部に金属を充填する工程であり、例えば、特開２００８−２７０１５８号公報の［０１２３］〜［０１２６］段落および［図４］に記載された各方法と同様の方法（電解メッキ法または無電解メッキ法）が挙げられる。
なお、電解メッキ法または無電解メッキ法においては、上述したバリア層除去工程の後にマイクロポアを介して露出するアルミニウム基板を電極として利用することができる。
（基板除去工程）
上記基板除去工程は、上記金属充填工程の後にアルミニウム基板を除去し、金属充填微細構造体を得る工程である。
アルミニウム基板を除去する方法としては、例えば、処理液を用いて、上記金属充填工程においてマイクロポアの内部に充填した金属および絶縁性基材としての陽極酸化膜を溶解せずに、アルミニウム基板のみを溶解させる方法等が挙げられる。
上記基板除去工程は、上記金属充填工程の後にアルミニウム基板を除去し、金属充填微細構造体を得る工程である。
アルミニウム基板を除去する方法としては、例えば、処理液を用いて、上記金属充填工程においてマイクロポアの内部に充填した金属および絶縁性基材としての陽極酸化膜を溶解せずに、アルミニウム基板のみを溶解させる方法等が挙げられる。
上記処理液としては、例えば、塩化水銀、臭素／メタノール混合物、臭素／エタノール混合物、王水、塩酸／塩化銅混合物等の水溶液等が挙げられ、中でも、塩酸／塩化銅混合物であるのが好ましい。
また、上記処理液の濃度としては、０．０１〜１０ｍｏｌ／Ｌが好ましく、０．０５〜５ｍｏｌ／Ｌがより好ましい。
また、処理温度としては、−１０℃〜８０℃が好ましく、０℃〜６０℃が好ましい。
また、上記処理液の濃度としては、０．０１〜１０ｍｏｌ／Ｌが好ましく、０．０５〜５ｍｏｌ／Ｌがより好ましい。
また、処理温度としては、−１０℃〜８０℃が好ましく、０℃〜６０℃が好ましい。
＜トリミング工程＞
上記トリミング工程は、上記導通路形成工程後の異方導電性接合部材表面の絶縁性基材のみを一部除去し、導通路を突出させる工程である。
ここで、トリミング処理は、導通路を構成する金属を溶解しない条件であれば特に限定されず、例えば、酸水溶液を用いる場合は、硫酸、リン酸、硝酸、塩酸等の無機酸またはこれらの混合物の水溶液を用いることが好ましい。中でも、クロム酸を含有しない水溶液が安全性に優れる点で好ましい。酸水溶液の濃度は１〜１０質量％であるのが好ましい。酸水溶液の温度は、２５〜６０℃であるのが好ましい。
一方、アルカリ水溶液を用いる場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。アルカリ水溶液の濃度は０．１〜５質量％であるのが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、２０〜５０℃であるのが好ましい。
具体的には、例えば、５０ｇ／Ｌ、４０℃のリン酸水溶液、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化ナトリウム水溶液または０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化カリウム水溶液が好適に用いられる。
酸水溶液またはアルカリ水溶液への浸漬時間は、８〜１２０分であるのが好ましく、１０〜９０分であるのがより好ましく、１５〜６０分であるのが更に好ましい。ここで、浸漬時間は、短時間の浸漬処理（トリミング処理）を繰り返した場合には、各浸漬時間の合計をいう。なお、各浸漬処理の間には、洗浄処理を施してもよい。
上記トリミング工程は、上記導通路形成工程後の異方導電性接合部材表面の絶縁性基材のみを一部除去し、導通路を突出させる工程である。
ここで、トリミング処理は、導通路を構成する金属を溶解しない条件であれば特に限定されず、例えば、酸水溶液を用いる場合は、硫酸、リン酸、硝酸、塩酸等の無機酸またはこれらの混合物の水溶液を用いることが好ましい。中でも、クロム酸を含有しない水溶液が安全性に優れる点で好ましい。酸水溶液の濃度は１〜１０質量％であるのが好ましい。酸水溶液の温度は、２５〜６０℃であるのが好ましい。
一方、アルカリ水溶液を用いる場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。アルカリ水溶液の濃度は０．１〜５質量％であるのが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、２０〜５０℃であるのが好ましい。
具体的には、例えば、５０ｇ／Ｌ、４０℃のリン酸水溶液、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化ナトリウム水溶液または０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化カリウム水溶液が好適に用いられる。
酸水溶液またはアルカリ水溶液への浸漬時間は、８〜１２０分であるのが好ましく、１０〜９０分であるのがより好ましく、１５〜６０分であるのが更に好ましい。ここで、浸漬時間は、短時間の浸漬処理（トリミング処理）を繰り返した場合には、各浸漬時間の合計をいう。なお、各浸漬処理の間には、洗浄処理を施してもよい。
本発明においては、トリミング工程において導通路の突出部分の高さを厳密に制御する場合は、上記導通路形成工程後に絶縁性基材と導通路の端部とを同一平面状になるように加工した後、絶縁性基材を選択的に除去（トリミング）することが好ましい。
ここで、同一平面状に加工する方法としては、例えば、物理的研磨（例えば、遊離砥粒研磨、バックグラインド、サーフェスプレーナー等）、電気化学的研磨、これらを組み合わせた研磨などが挙げられる。
ここで、同一平面状に加工する方法としては、例えば、物理的研磨（例えば、遊離砥粒研磨、バックグラインド、サーフェスプレーナー等）、電気化学的研磨、これらを組み合わせた研磨などが挙げられる。
また、本発明においては、上述した導通路形成工程またはトリミング工程の後に、金属の充填に伴い発生した導通路内の歪を軽減する目的で、加熱処理を施すことができる。
加熱処理は、金属の酸化を抑制する観点から還元性雰囲気で施すことが好ましく、具体的には、酸素濃度が２０Ｐａ以下で行うことが好ましく、真空下で行うことがより好ましい。ここで、真空とは、大気よりも気体密度または気圧の低い空間の状態をいう。
また、加熱処理は、矯正の目的で、材料を加圧しながら行うことが好ましい。
加熱処理は、金属の酸化を抑制する観点から還元性雰囲気で施すことが好ましく、具体的には、酸素濃度が２０Ｐａ以下で行うことが好ましく、真空下で行うことがより好ましい。ここで、真空とは、大気よりも気体密度または気圧の低い空間の状態をいう。
また、加熱処理は、矯正の目的で、材料を加圧しながら行うことが好ましい。
〔配線基板〕
本発明の製造方法で用いる配線基板は、基板と、高さが１０μｍ以下の複数の電極とを有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
ここで、電極の高さは、配線基板の断面を電解放出形走査型電子顕微鏡により１００００倍の倍率で観察し、電極の高さを１０点で測定した平均値をいう。
また、本発明の製造方法で用いる配線基板は、基板（例えば、シリコン基板）上に集積回路が実装された半導体チップであってもよい。半導体チップとしては、メモリ、イメージセンサー、ロジック、パワー半導体等が挙げられる。
本発明の製造方法で用いる配線基板は、基板と、高さが１０μｍ以下の複数の電極とを有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
ここで、電極の高さは、配線基板の断面を電解放出形走査型電子顕微鏡により１００００倍の倍率で観察し、電極の高さを１０点で測定した平均値をいう。
また、本発明の製造方法で用いる配線基板は、基板（例えば、シリコン基板）上に集積回路が実装された半導体チップであってもよい。半導体チップとしては、メモリ、イメージセンサー、ロジック、パワー半導体等が挙げられる。
＜基板＞
基板としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、プラスチック基板、ガラス基板などが挙げられる。
また、基板の形状、大きさ、構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
基板としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、プラスチック基板、ガラス基板などが挙げられる。
また、基板の形状、大きさ、構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
＜電極＞
電極の材料としては、金、銀、銅、アルミニウム等が挙げられる。
また、電極の形状は、高さが１０μｍ以下であれば特に限定されず、配線形状であってもよく、目的に応じて適宜選択することができる。
また、電極の高さは、０．０５μｍ以上であることが好ましく、０．１〜５μｍであることがより好ましい。
電極の材料としては、金、銀、銅、アルミニウム等が挙げられる。
また、電極の形状は、高さが１０μｍ以下であれば特に限定されず、配線形状であってもよく、目的に応じて適宜選択することができる。
また、電極の高さは、０．０５μｍ以上であることが好ましく、０．１〜５μｍであることがより好ましい。
〔熱硬化性樹脂〕
本発明の製造方法で用いる熱硬化性樹脂は、非導電性の熱硬化性樹脂であり、体積抵抗率が１０10Ω・ｃｍ以上となる熱硬化性の樹脂であることが好ましい。
また、本発明の製造方法で用いる熱硬化性樹脂は、熱硬化性の樹脂だけでなく、熱硬化によって樹脂を形成する低分子化合物も含む。
ここで、熱硬化性樹脂の硬化温度は、樹脂の種類によって異なるため特に限定されないが、大気中で２０℃／ｍｉｎで加熱した条件で測定した際の樹脂の粘度が極小値となる温度と定義する。
本発明の製造方法で用いる熱硬化性樹脂は、非導電性の熱硬化性樹脂であり、体積抵抗率が１０10Ω・ｃｍ以上となる熱硬化性の樹脂であることが好ましい。
また、本発明の製造方法で用いる熱硬化性樹脂は、熱硬化性の樹脂だけでなく、熱硬化によって樹脂を形成する低分子化合物も含む。
ここで、熱硬化性樹脂の硬化温度は、樹脂の種類によって異なるため特に限定されないが、大気中で２０℃／ｍｉｎで加熱した条件で測定した際の樹脂の粘度が極小値となる温度と定義する。
このような熱硬化性樹脂としては、具体的には、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ビスマレイミド樹脂、メラミン樹脂、イソシアネート系樹脂等が挙げられる。
なかでも、絶縁信頼性がより向上し、耐薬品性に優れる理由から、ポリイミド樹脂および／またはエポキシ樹脂を用いるのが好ましい。
なかでも、絶縁信頼性がより向上し、耐薬品性に優れる理由から、ポリイミド樹脂および／またはエポキシ樹脂を用いるのが好ましい。
＜樹脂層＞
本発明においては、作業性が良好となる理由から、このような熱硬化性樹脂が、後述する仮接合プロセスの前に、熱硬化性樹脂を含む樹脂層として設けられていることが好ましい。
樹脂層を設ける態様としては、具体的には、例えば、熱硬化性樹脂を含む樹脂層が、異方導電性接合部材における、配線基板が有する電極と電気的に接合する側の表面に設けられている態様（例えば、図２参照）；熱硬化性樹脂を含む樹脂層が、配線基板における、異方導電性接合部材が有する導通路と電気的に接合する側の表面に設けられている態様；などが挙げられる。
本発明においては、作業性が良好となる理由から、このような熱硬化性樹脂が、後述する仮接合プロセスの前に、熱硬化性樹脂を含む樹脂層として設けられていることが好ましい。
樹脂層を設ける態様としては、具体的には、例えば、熱硬化性樹脂を含む樹脂層が、異方導電性接合部材における、配線基板が有する電極と電気的に接合する側の表面に設けられている態様（例えば、図２参照）；熱硬化性樹脂を含む樹脂層が、配線基板における、異方導電性接合部材が有する導通路と電気的に接合する側の表面に設けられている態様；などが挙げられる。
上記樹脂層の形状は特に限定されないが、接続対象となる配線基板の表面形状に追従する観点から、上記樹脂層の厚みは、５０ｎｍ〜３０００ｎｍであるのが好ましく、２５０ｎｍ〜２０００ｎｍであるのがより好ましい。
上記樹脂層は、硬化剤を含有していてもよい。
硬化剤を含有する場合、接続対象となる配線基板の電極との接合不良を抑制する観点から、常温で固体の硬化剤を用いず、常温で液体の硬化剤を含有しているのがより好ましい。
ここで、「常温で固体」とは、２５℃で固体であることをいい、例えば、融点が２５℃より高い温度である物質をいう。
硬化剤を含有する場合、接続対象となる配線基板の電極との接合不良を抑制する観点から、常温で固体の硬化剤を用いず、常温で液体の硬化剤を含有しているのがより好ましい。
ここで、「常温で固体」とは、２５℃で固体であることをいい、例えば、融点が２５℃より高い温度である物質をいう。
上記硬化剤としては、具体的には、例えば、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホンのような芳香族アミン、脂肪族アミン、４−メチルイミダゾールなどのイミダゾール誘導体、ジシアンジアミド、テトラメチルグアニジン、チオ尿素付加アミン、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物などのカルボン酸無水物、カルボン酸ヒドラジド、カルボン酸アミド、ポリフェノール化合物、ノボラック樹脂、ポリメルカプタンなどが挙げられ、これらの硬化剤から、２５℃で液体のものを適宜選択して用いることができる。なお、硬化剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
本発明においては、樹脂層には、その特性を損なわない範囲内で、広く一般に半導体パッケージの樹脂絶縁膜に添加されている酸化防止材料、マイグレーション防止剤、無機充填剤、分散剤、緩衝剤、粘度調整剤などの種々の添加剤を含有させてもよい。
＜樹脂層の形成方法＞
樹脂層の形成方法は特に限定されないが、異方導電性接合部材における、配線基板が有する電極と電気的に接合する側の表面に樹脂層を設ける場合は、上述したトリミング工程の後に、上記絶縁性基材の表面および上記導通路の突出部分に樹脂層を形成する方法が挙げられる。
樹脂層の形成方法は特に限定されないが、異方導電性接合部材における、配線基板が有する電極と電気的に接合する側の表面に樹脂層を設ける場合は、上述したトリミング工程の後に、上記絶縁性基材の表面および上記導通路の突出部分に樹脂層を形成する方法が挙げられる。
ここで、樹脂層を形成する方法としては、例えば、上述した熱硬化性樹脂、硬化剤、溶媒（例えば、メチルエチルケトンなど）等を含有する樹脂組成物を上記絶縁性基材の表面および上記導通路の突出部分に塗布し、乾燥させ、必要に応じて焼成する方法等が挙げられる。
上記樹脂組成物の塗布方法は特に限定されず、例えば、グラビアコート法、リバースコート法、ダイコート法、ブレードコーター、ロールコーター、エアナイフコーター、スクリーンコーター、バーコーター、カーテンコーター等、従来公知のコーティング方法が使用できる。
また、塗布後の乾燥方法は特に限定されず、例えば、大気下において０〜１００℃の温度で、数秒〜数十分間、加熱する処理や、減圧下において０〜８０℃の温度で、十数分〜数時間、加熱する処理などが挙げられる。
また、乾燥後の焼成方法は、使用する材料により異なるため特に限定されないが、ポリイミド樹脂を用いる場合には、例えば、１６０〜２４０℃の温度で２分間〜１時間加熱する処理等が挙げられ、エポキシ樹脂を用いる場合には、例えば、３０〜８０℃の温度で２〜６０分間加熱する処理等が挙げられる。
上記樹脂組成物の塗布方法は特に限定されず、例えば、グラビアコート法、リバースコート法、ダイコート法、ブレードコーター、ロールコーター、エアナイフコーター、スクリーンコーター、バーコーター、カーテンコーター等、従来公知のコーティング方法が使用できる。
また、塗布後の乾燥方法は特に限定されず、例えば、大気下において０〜１００℃の温度で、数秒〜数十分間、加熱する処理や、減圧下において０〜８０℃の温度で、十数分〜数時間、加熱する処理などが挙げられる。
また、乾燥後の焼成方法は、使用する材料により異なるため特に限定されないが、ポリイミド樹脂を用いる場合には、例えば、１６０〜２４０℃の温度で２分間〜１時間加熱する処理等が挙げられ、エポキシ樹脂を用いる場合には、例えば、３０〜８０℃の温度で２〜６０分間加熱する処理等が挙げられる。
〔仮接合プロセス〕
本発明の製造方法が有する仮接合プロセスは、上述した異方導電性接合部材と配線基板とを、上述した熱硬化性樹脂（特に、樹脂層）を用いて接着するプロセスである。
本発明の製造方法が有する仮接合プロセスは、上述した異方導電性接合部材と配線基板とを、上述した熱硬化性樹脂（特に、樹脂層）を用いて接着するプロセスである。
本発明においては、仮接合プロセスにおける温度条件は特に限定されないが、加熱により流動させる観点から、４０〜１００℃であることが特に好ましい。
同様に、仮接合プロセスにおける加圧条件は特に限定されないが、１０ＭＰａ以下であることが好ましく、５ＭＰａ以下であることがより好ましく、１ＭＰａ以下であることが特に好ましい。
同様に、仮接合プロセスにおける加圧条件は特に限定されないが、１０ＭＰａ以下であることが好ましく、５ＭＰａ以下であることがより好ましく、１ＭＰａ以下であることが特に好ましい。
また、本発明においては、仮接合プロセスをＣｏＷ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｗａｆｅｒ）プロセスで行うことが好ましい。半導体ウエハと半導体チップウエハを検査して良品チップと不良チップをあらかじめ分かるように（ＫＧＤ：Ｋｎｏｗｎ Ｇｏｏｄ Ｄｉｅ）して、半導体チップウエハの良品チップのみを、半導体ウエハ内の良品部分に接合することで、ロスを低減することができる。なお、仮接合する際に、仮接合強度が弱いと、本接合するまでの工程（搬送工程など）で位置ズレが生じてしまうため、上述した仮接合プロセスにおける温度条件および加圧条件は重要となる。
〔本接合プロセス〕
本発明の製造方法が有する本接合プロセスは、上述した仮接合プロセスの後に、熱硬化性樹脂の硬化温度未満の温度で加熱することにより、異方導電性接合部材が有する導通路と配線基板が有する電極とを電気的に接合するプロセスである。
本発明の製造方法が有する本接合プロセスは、上述した仮接合プロセスの後に、熱硬化性樹脂の硬化温度未満の温度で加熱することにより、異方導電性接合部材が有する導通路と配線基板が有する電極とを電気的に接合するプロセスである。
本発明においては、加熱による樹脂軟化に起因した位置ズレを防止する理由から、熱硬化性樹脂の硬化温度未満の温度での加熱は、加圧した後または加圧した状態で行うことが好ましい。
本接合プロセスにおける温度条件は、熱硬化性樹脂の硬化温度未満の温度であれば特に限定されないが、仮接合プロセスの温度よりも高い温度であることが好ましく、具体的には、１００℃超２００℃以下であることが好ましく、１２０〜１８０℃であることがより好ましい。
また、本接合プロセスにおける加圧条件は特に限定されないが、３０ＭＰａ以下であることが好ましく、０．１〜２０ＭＰａであることがより好ましい。
また、本接合プロセスの時間は特に限定されないが、１秒〜６０分であることが好ましく、５秒〜１０分であることがより好ましい。
上述した条件で本接合プロセスを行うことにより、熱硬化性樹脂が、配線基板や半導体チップの電極間に流動し、接合部に残存し難くなる。
なお、本接合プロセスは、チップ毎に行ってもよいが、タクトタイムを低減できる観点から、ウエハ一括で行うことが好ましい。
また、本接合プロセスにおける加圧条件は特に限定されないが、３０ＭＰａ以下であることが好ましく、０．１〜２０ＭＰａであることがより好ましい。
また、本接合プロセスの時間は特に限定されないが、１秒〜６０分であることが好ましく、５秒〜１０分であることがより好ましい。
上述した条件で本接合プロセスを行うことにより、熱硬化性樹脂が、配線基板や半導体チップの電極間に流動し、接合部に残存し難くなる。
なお、本接合プロセスは、チップ毎に行ってもよいが、タクトタイムを低減できる観点から、ウエハ一括で行うことが好ましい。
〔樹脂硬化プロセス〕
本発明の製造方法は、熱硬化性樹脂を硬化させて接合強度を確保する理由から、上述した本接合プロセスの後に、熱硬化性樹脂の硬化温度以上の温度で加熱することにより、熱硬化性樹脂を硬化させる樹脂硬化プロセスを有していることが好ましい。
本発明の製造方法は、熱硬化性樹脂を硬化させて接合強度を確保する理由から、上述した本接合プロセスの後に、熱硬化性樹脂の硬化温度以上の温度で加熱することにより、熱硬化性樹脂を硬化させる樹脂硬化プロセスを有していることが好ましい。
本発明においては、樹脂硬化プロセスにおける温度条件は特に限定されないが、本接合プロセスの温度以上の温度であることが好ましく、具体的には、２００℃超４００℃以下であることがより好ましく、２００℃超３００℃以下であることが特に好ましい。
また、樹脂硬化プロセスの時間は特に限定されないが、熱硬化性樹脂の硬化を十分に進行させる観点から、１〜６０分であることが好ましい。
なお、樹脂硬化プロセスは、本接合プロセスと同様、チップ毎に行ってもよいが、タクトタイムを低減できる観点から、ウエハ一括で行うことが好ましい。
また、樹脂硬化プロセスの時間は特に限定されないが、熱硬化性樹脂の硬化を十分に進行させる観点から、１〜６０分であることが好ましい。
なお、樹脂硬化プロセスは、本接合プロセスと同様、チップ毎に行ってもよいが、タクトタイムを低減できる観点から、ウエハ一括で行うことが好ましい。
〔任意のプロセス〕
本発明の多層配線基板の製造方法は、電極の酸化を防止し、導通信頼性をより向上させる理由から、仮接合プロセスの前に、配線基板が有する複数の電極の間を絶縁性樹脂で充填する樹脂充填プロセスを有していることが好ましい。
同様の理由から、本発明の多層配線基板の製造方法は、樹脂硬化プロセスの後に、異方導電性接合部材と配線基板との間にアンダーフィル材を充填するアンダーフィル材充填プロセスを有していることが好ましい。
本発明の多層配線基板の製造方法は、電極の酸化を防止し、導通信頼性をより向上させる理由から、仮接合プロセスの前に、配線基板が有する複数の電極の間を絶縁性樹脂で充填する樹脂充填プロセスを有していることが好ましい。
同様の理由から、本発明の多層配線基板の製造方法は、樹脂硬化プロセスの後に、異方導電性接合部材と配線基板との間にアンダーフィル材を充填するアンダーフィル材充填プロセスを有していることが好ましい。
次に、上述した仮接合プロセス、本接合プロセスおよび樹脂硬化プロセスなどについて、図３Ａ〜図３Ｅを用いて説明する。
図３ＡおよびＢに示すように、異方導電性接合部材（符号２：絶縁性基材、符号３：導通路、符号４：樹脂層）に設けられた樹脂層４と、配線基板１１に設けられた電極１２とを仮接合する。
異方導電性接合部材と配線基板とを仮接合した後に、図３Ｃに示すように、他の配線基板１１に設けられた電極１２と、異方導電性接合部材の樹脂層４とを仮接合する。
図３Ａ〜図３Ｃに示す仮接合プロセスにより、配線基板、異方導電性接合部材および配線基板が仮接合された積層体を作製した後に、図３Ｄに示すように、矢印方向から所定の圧力を加えた条件で、仮接合された配線基板、異方導電性接合部材および配線基板を本接合する。
本接合の後に、図３Ｅに示すように、異方導電性接合部材の樹脂層４を硬化させることにより、多層配線基板３０を作製することができる。
図３ＡおよびＢに示すように、異方導電性接合部材（符号２：絶縁性基材、符号３：導通路、符号４：樹脂層）に設けられた樹脂層４と、配線基板１１に設けられた電極１２とを仮接合する。
異方導電性接合部材と配線基板とを仮接合した後に、図３Ｃに示すように、他の配線基板１１に設けられた電極１２と、異方導電性接合部材の樹脂層４とを仮接合する。
図３Ａ〜図３Ｃに示す仮接合プロセスにより、配線基板、異方導電性接合部材および配線基板が仮接合された積層体を作製した後に、図３Ｄに示すように、矢印方向から所定の圧力を加えた条件で、仮接合された配線基板、異方導電性接合部材および配線基板を本接合する。
本接合の後に、図３Ｅに示すように、異方導電性接合部材の樹脂層４を硬化させることにより、多層配線基板３０を作製することができる。
以下に実施例を示して本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。
〔実施例１〕
（１）アルミニウム基板の作製
Ｓｉ：０．０６質量％、Ｆｅ：０．３０質量％、Ｃｕ：０．００５質量％、Ｍｎ：０．００１質量％、Ｍｇ：０．００１質量％、Ｚｎ：０．００１質量％、Ｔｉ：０．０３質量％を含有し、残部はＡｌと不可避不純物のアルミニウム合金を用いて溶湯を調製し、溶湯処理およびろ過を行った上で、厚さ５００ｍｍ、幅１２００ｍｍの鋳塊をＤＣ（Direct Chill）鋳造法で作製した。
次いで、表面を平均１０ｍｍの厚さで面削機により削り取った後、５５０℃で、約５時間均熱保持し、温度４００℃に下がったところで、熱間圧延機を用いて厚さ２．７ｍｍの圧延板とした。
更に、連続焼鈍機を用いて熱処理を５００℃で行った後、冷間圧延で、厚さ１．０ｍｍに仕上げ、ＪＩＳ １０５０材のアルミニウム基板を得た。
このアルミニウム基板を幅１０３０ｍｍにした後、以下に示す各処理を施した。
（１）アルミニウム基板の作製
Ｓｉ：０．０６質量％、Ｆｅ：０．３０質量％、Ｃｕ：０．００５質量％、Ｍｎ：０．００１質量％、Ｍｇ：０．００１質量％、Ｚｎ：０．００１質量％、Ｔｉ：０．０３質量％を含有し、残部はＡｌと不可避不純物のアルミニウム合金を用いて溶湯を調製し、溶湯処理およびろ過を行った上で、厚さ５００ｍｍ、幅１２００ｍｍの鋳塊をＤＣ（Direct Chill）鋳造法で作製した。
次いで、表面を平均１０ｍｍの厚さで面削機により削り取った後、５５０℃で、約５時間均熱保持し、温度４００℃に下がったところで、熱間圧延機を用いて厚さ２．７ｍｍの圧延板とした。
更に、連続焼鈍機を用いて熱処理を５００℃で行った後、冷間圧延で、厚さ１．０ｍｍに仕上げ、ＪＩＳ １０５０材のアルミニウム基板を得た。
このアルミニウム基板を幅１０３０ｍｍにした後、以下に示す各処理を施した。
（２）電解研磨処理
上記アルミニウム基板に対して、以下組成の電解研磨液を用いて、電圧２５Ｖ、液温度６５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で電解研磨処理を施した。
陰極はカーボン電極とし、電源は、ＧＰ０１１０−３０Ｒ（株式会社高砂製作所社製）を用いた。また、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２−１０ＰＣＷ（アズワン株式会社製）を用いて計測した。
（電解研磨液組成）
・８５質量％リン酸（和光純薬工業株式会社製試薬） ６６０ｍＬ
・純水 １６０ｍＬ
・硫酸 １５０ｍＬ
・エチレングリコール ３０ｍＬ
上記アルミニウム基板に対して、以下組成の電解研磨液を用いて、電圧２５Ｖ、液温度６５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で電解研磨処理を施した。
陰極はカーボン電極とし、電源は、ＧＰ０１１０−３０Ｒ（株式会社高砂製作所社製）を用いた。また、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２−１０ＰＣＷ（アズワン株式会社製）を用いて計測した。
（電解研磨液組成）
・８５質量％リン酸（和光純薬工業株式会社製試薬） ６６０ｍＬ
・純水 １６０ｍＬ
・硫酸 １５０ｍＬ
・エチレングリコール ３０ｍＬ
（３）陽極酸化処理工程
次いで、電解研磨処理後のアルミニウム基板に、特開２００７−２０４８０２号公報に記載の手順にしたがって自己規則化法による陽極酸化処理を施した。
電解研磨処理後のアルミニウム基板に、０．５０ｍｏｌ／Ｌシュウ酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１６℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で、５時間のプレ陽極酸化処理を施した。
その後、プレ陽極酸化処理後のアルミニウム基板を、０．２ｍｏｌ／Ｌ無水クロム酸、０．６ｍｏｌ／Ｌリン酸の混合水溶液（液温：５０℃）に１２時間浸漬させる脱膜処理を施した。
その後、０．５０ｍｏｌ／Ｌシュウ酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１６℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件の条件で、１０時間の再陽極酸化処理を施し、膜厚８０μｍの陽極酸化膜を得た。
なお、プレ陽極酸化処理および再陽極酸化処理は、いずれも陰極はステンレス電極とし、電源はＧＰ０１１０−３０Ｒ（株式会社高砂製作所製）を用いた。また、冷却装置にはＮｅｏＣｏｏｌ ＢＤ３６（ヤマト科学株式会社製）、撹拌加温装置にはペアスターラー ＰＳ−１００（ＥＹＥＬＡ東京理化器械株式会社製）を用いた。更に、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２−１０ＰＣＷ（アズワン株式会社製）を用いて計測した。
次いで、電解研磨処理後のアルミニウム基板に、特開２００７−２０４８０２号公報に記載の手順にしたがって自己規則化法による陽極酸化処理を施した。
電解研磨処理後のアルミニウム基板に、０．５０ｍｏｌ／Ｌシュウ酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１６℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で、５時間のプレ陽極酸化処理を施した。
その後、プレ陽極酸化処理後のアルミニウム基板を、０．２ｍｏｌ／Ｌ無水クロム酸、０．６ｍｏｌ／Ｌリン酸の混合水溶液（液温：５０℃）に１２時間浸漬させる脱膜処理を施した。
その後、０．５０ｍｏｌ／Ｌシュウ酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１６℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件の条件で、１０時間の再陽極酸化処理を施し、膜厚８０μｍの陽極酸化膜を得た。
なお、プレ陽極酸化処理および再陽極酸化処理は、いずれも陰極はステンレス電極とし、電源はＧＰ０１１０−３０Ｒ（株式会社高砂製作所製）を用いた。また、冷却装置にはＮｅｏＣｏｏｌ ＢＤ３６（ヤマト科学株式会社製）、撹拌加温装置にはペアスターラー ＰＳ−１００（ＥＹＥＬＡ東京理化器械株式会社製）を用いた。更に、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２−１０ＰＣＷ（アズワン株式会社製）を用いて計測した。
（４）バリア層除去工程
次いで、上記陽極酸化処理と同様の処理液および処理条件で、電圧を４０Ｖから０Ｖまで連続的に電圧降下速度０．２Ｖ／ｓｅｃで降下させながら電解処理（電解除去処理）を施した。
その後、５質量％リン酸に３０℃、３０分間浸漬させるエッチング処理（エッチング除去処理）を施し、陽極酸化膜のマイクロポアの底部にあるバリア層を除去し、マイクロポアを介してアルミニウムを露出させた。
次いで、上記陽極酸化処理と同様の処理液および処理条件で、電圧を４０Ｖから０Ｖまで連続的に電圧降下速度０．２Ｖ／ｓｅｃで降下させながら電解処理（電解除去処理）を施した。
その後、５質量％リン酸に３０℃、３０分間浸漬させるエッチング処理（エッチング除去処理）を施し、陽極酸化膜のマイクロポアの底部にあるバリア層を除去し、マイクロポアを介してアルミニウムを露出させた。
ここで、バリア層除去工程後の陽極酸化膜に存在するマイクロポアの平均開口径は６０ｎｍであった。なお、平均開口径は、電界放出形走査電子顕微鏡（Field Emission Scanning Electron Microscope：ＦＥ−ＳＥＭ）により表面写真（倍率５００００倍）を撮影し、５０点測定した平均値として算出した。
また、バリア層除去工程後の陽極酸化膜の平均厚みは８０μｍであった。なお、平均厚みは、陽極酸化膜を厚さ方向に対して集束イオンビーム（Focused Ion Beam：ＦＩＢ）で切削加工し、その断面をＦＥ−ＳＥＭにより表面写真（倍率５００００倍）を撮影し、１０点測定した平均値として算出した。
また、陽極酸化膜に存在するマイクロポアの密度は、約１億個／ｍｍ2であった。なお、マイクロポアの密度は、特開２００８−２７０１５８号公報の［０１６８］および［０１６９］段落に記載された方法で測定し、算出した。
また、陽極酸化膜に存在するマイクロポアの規則化度は、９２％であった。なお、規則化度は、ＦＥ−ＳＥＭにより表面写真（倍率２００００倍）を撮影し、特開２００８−２７０１５８号公報の［００２４］〜［００２７］段落に記載された方法で測定し、算出した。
また、バリア層除去工程後の陽極酸化膜の平均厚みは８０μｍであった。なお、平均厚みは、陽極酸化膜を厚さ方向に対して集束イオンビーム（Focused Ion Beam：ＦＩＢ）で切削加工し、その断面をＦＥ−ＳＥＭにより表面写真（倍率５００００倍）を撮影し、１０点測定した平均値として算出した。
また、陽極酸化膜に存在するマイクロポアの密度は、約１億個／ｍｍ2であった。なお、マイクロポアの密度は、特開２００８−２７０１５８号公報の［０１６８］および［０１６９］段落に記載された方法で測定し、算出した。
また、陽極酸化膜に存在するマイクロポアの規則化度は、９２％であった。なお、規則化度は、ＦＥ−ＳＥＭにより表面写真（倍率２００００倍）を撮影し、特開２００８−２７０１５８号公報の［００２４］〜［００２７］段落に記載された方法で測定し、算出した。
（５）金属充填工程（電解めっき処理）
次いで、アルミニウム基板を陰極にし、白金を正極にして電解めっき処理を施した。
具体的には、以下に示す組成の銅めっき液を使用し、定電流電解を施すことにより、マイクロポアの内部に銅が充填された金属充填微細構造体を作製した。
ここで、定電流電解は、株式会社山本鍍金試験器社製のめっき装置を用い、北斗電工株式会社製の電源（ＨＺ−３０００）を用い、めっき液中でサイクリックボルタンメトリを行って析出電位を確認した後に、以下に示す条件で処理を施した。
（銅めっき液組成および条件）
・硫酸銅 １００ｇ／Ｌ
・硫酸 ５０ｇ／Ｌ
・塩酸 １５ｇ／Ｌ
・温度 ２５℃
・電流密度 １０Ａ／ｄｍ2
次いで、アルミニウム基板を陰極にし、白金を正極にして電解めっき処理を施した。
具体的には、以下に示す組成の銅めっき液を使用し、定電流電解を施すことにより、マイクロポアの内部に銅が充填された金属充填微細構造体を作製した。
ここで、定電流電解は、株式会社山本鍍金試験器社製のめっき装置を用い、北斗電工株式会社製の電源（ＨＺ−３０００）を用い、めっき液中でサイクリックボルタンメトリを行って析出電位を確認した後に、以下に示す条件で処理を施した。
（銅めっき液組成および条件）
・硫酸銅 １００ｇ／Ｌ
・硫酸 ５０ｇ／Ｌ
・塩酸 １５ｇ／Ｌ
・温度 ２５℃
・電流密度 １０Ａ／ｄｍ2
マイクロポアに金属を充填した後の陽極酸化膜の表面をＦＥ−ＳＥＭで観察し、１０００個のマイクロポアにおける金属による封孔の有無を観察して封孔率（封孔マイクロポアの個数／１０００個）を算出したところ、９６％であった。
また、マイクロポアに金属を充填した後の陽極酸化膜を厚さ方向に対してＦＩＢで切削加工し、その断面をＦＥ−ＳＥＭにより表面写真（倍率５００００倍）を撮影し、マイクロポアの内部を確認したところ、封孔されたマイクロポアにおいては、その内部が金属で完全に充填されていることが分かった。
また、マイクロポアに金属を充填した後の陽極酸化膜を厚さ方向に対してＦＩＢで切削加工し、その断面をＦＥ−ＳＥＭにより表面写真（倍率５００００倍）を撮影し、マイクロポアの内部を確認したところ、封孔されたマイクロポアにおいては、その内部が金属で完全に充填されていることが分かった。
（６）基板除去工程
次いで、２０質量％塩化水銀水溶液（昇汞）に２０℃、３時間浸漬させることによりアルミニウム基板を溶解して除去することにより、金属充填微細構造体を作製した。
次いで、２０質量％塩化水銀水溶液（昇汞）に２０℃、３時間浸漬させることによりアルミニウム基板を溶解して除去することにより、金属充填微細構造体を作製した。
（７）トリミング工程
次いで、金属充填微細構造体を水酸化ナトリウム水溶液（濃度：５質量％、液温度：２０℃）に浸漬させ、導通路の突出部分の高さが５２０ｎｍとなるように浸漬時間を調整してアルミニウムの陽極酸化膜の表面を選択的に溶解し、導通路である銅の円柱を突出させた異方導電性フィルム（Anisotropic Conductive Film：ＡＣＦ）を作製した。
次いで、水洗し、乾燥した後に、作製した構造体をＦＥ−ＳＥＭで観察したところ、導通路の突出部分の直径が６０ｎｍであり、アスペクト比（突出部分の高さ／突出部分の直径）が８．７であった。
次いで、金属充填微細構造体を水酸化ナトリウム水溶液（濃度：５質量％、液温度：２０℃）に浸漬させ、導通路の突出部分の高さが５２０ｎｍとなるように浸漬時間を調整してアルミニウムの陽極酸化膜の表面を選択的に溶解し、導通路である銅の円柱を突出させた異方導電性フィルム（Anisotropic Conductive Film：ＡＣＦ）を作製した。
次いで、水洗し、乾燥した後に、作製した構造体をＦＥ−ＳＥＭで観察したところ、導通路の突出部分の直径が６０ｎｍであり、アスペクト比（突出部分の高さ／突出部分の直径）が８．７であった。
（８）樹脂層形成工程
トリミング工程後のＡＣＦの表面に、非導電性のエポキシ系熱硬化性樹脂（ＢＳＴ００１Ａ、硬化温度：１５０℃、ナミックス社製）と希釈溶媒としてのジエチレングリコールジエチルエーテルとを含有する樹脂組成物を用いて、下記表１に示す厚み（塗布厚）となるようにスピンコーターの回転数を調整して樹脂層を形成し、異方導電性接合部材を作製した。
トリミング工程後のＡＣＦの表面に、非導電性のエポキシ系熱硬化性樹脂（ＢＳＴ００１Ａ、硬化温度：１５０℃、ナミックス社製）と希釈溶媒としてのジエチレングリコールジエチルエーテルとを含有する樹脂組成物を用いて、下記表１に示す厚み（塗布厚）となるようにスピンコーターの回転数を調整して樹脂層を形成し、異方導電性接合部材を作製した。
（９）評価用接合サンプルの作製
Ｃｕパッドを有するＴＥＧ（Test Element Group）チップ（デイジーチェインパターン）を用意した。なお、絶縁層はＳｉＮであり、絶縁層とＣｕパッド面の段差は１μｍであった。ＴＥＧチップは、チップサイズが８ｍｍ四方であり、チップ面積に対する電極面積（銅ポスト）の比率が１０％または２０％となる２種類のチップを用意した。
次いで、ＣｕをＳｉウェハの全面に１００ｎｍ成膜したＣｕチップを用意した。平坦度の指標であるＴＴＶ（total thickness variation）は５０ｎｍであった。Ｃｕチップは、チップサイズが３ｍｍ四方のものを用いた。
次いで、ＴＥＧチップ、作製した異方導電性接合部材およびＣｕチップをこの順で積層するように、常温接合装置（ＷＰ−１００、ＰＭＴ社製）を用いて下記表１に示す仮接合プロセスの条件で仮接合した。
次いで、仮接合したサンプルについて、常温接合装置（ＷＰ−１００、ボンドテック社製）を用いて下記表１に示す本接合プロセスの加圧条件で加圧した後に、下記表１に示す本接合プロセスの加熱温度および時間で本接合した。
次いで、本接合したサンプルについて、下記表１に示す樹脂硬化プロセスの条件で樹脂層を硬化させ、接合サンプルを作製した。
Ｃｕパッドを有するＴＥＧ（Test Element Group）チップ（デイジーチェインパターン）を用意した。なお、絶縁層はＳｉＮであり、絶縁層とＣｕパッド面の段差は１μｍであった。ＴＥＧチップは、チップサイズが８ｍｍ四方であり、チップ面積に対する電極面積（銅ポスト）の比率が１０％または２０％となる２種類のチップを用意した。
次いで、ＣｕをＳｉウェハの全面に１００ｎｍ成膜したＣｕチップを用意した。平坦度の指標であるＴＴＶ（total thickness variation）は５０ｎｍであった。Ｃｕチップは、チップサイズが３ｍｍ四方のものを用いた。
次いで、ＴＥＧチップ、作製した異方導電性接合部材およびＣｕチップをこの順で積層するように、常温接合装置（ＷＰ−１００、ＰＭＴ社製）を用いて下記表１に示す仮接合プロセスの条件で仮接合した。
次いで、仮接合したサンプルについて、常温接合装置（ＷＰ−１００、ボンドテック社製）を用いて下記表１に示す本接合プロセスの加圧条件で加圧した後に、下記表１に示す本接合プロセスの加熱温度および時間で本接合した。
次いで、本接合したサンプルについて、下記表１に示す樹脂硬化プロセスの条件で樹脂層を硬化させ、接合サンプルを作製した。
〔実施例２〜３〕
樹脂層の塗布厚を表１に示す値に変更した以外は、実施例１と同様の方法で、異方導電性接合部材および接合サンプルを作製した。
樹脂層の塗布厚を表１に示す値に変更した以外は、実施例１と同様の方法で、異方導電性接合部材および接合サンプルを作製した。
〔実施例４〜６〕
樹脂層を設けなかった以外は、実施例１と同様の方法で、異方導電性接合部材、すなわち、ＡＣＦを作製した。
また、ＴＥＧチップの表面に、非導電性の熱硬化性樹脂（ＢＳＴ００１Ａ、硬化温度：１５０℃、ナミックス社製）と希釈溶媒としてのＰＧＭＥＡとを含有する樹脂組成物を用いて、下記表１に示す厚み（塗布厚）となるようにスピンコーターの回転数を調整して樹脂層を形成した以外は、実施例１と同様の方法で、接合サンプルを作製した。
樹脂層を設けなかった以外は、実施例１と同様の方法で、異方導電性接合部材、すなわち、ＡＣＦを作製した。
また、ＴＥＧチップの表面に、非導電性の熱硬化性樹脂（ＢＳＴ００１Ａ、硬化温度：１５０℃、ナミックス社製）と希釈溶媒としてのＰＧＭＥＡとを含有する樹脂組成物を用いて、下記表１に示す厚み（塗布厚）となるようにスピンコーターの回転数を調整して樹脂層を形成した以外は、実施例１と同様の方法で、接合サンプルを作製した。
〔実施例７〕
本接合プロセスにおいて加圧を行わなかった以外は、実施例１と同様の方法で、異方導電性接合部材および接合サンプルを作製した。
本接合プロセスにおいて加圧を行わなかった以外は、実施例１と同様の方法で、異方導電性接合部材および接合サンプルを作製した。
〔実施例８〕
本接合プロセスにおける加圧温度を下記表１に示す温度に変更した以外は、実施例１と同様の方法で、異方導電性接合部材および接合サンプルを作製した。
本接合プロセスにおける加圧温度を下記表１に示す温度に変更した以外は、実施例１と同様の方法で、異方導電性接合部材および接合サンプルを作製した。
〔実施例９および１０〕
樹脂層を形成する樹脂組成物として、以下の組成を用い、下記表１に示す厚みで樹脂層を形成した以外は、実施例１と同様の方法で、異方導電性接合部材および接合サンプルを作製した。
＜樹脂組成物＞
・ペンタエリスリトールトリ及びテトラアクリレート（東亜合成製） ９７質量％
・硬化剤（パーブチルＯ、日油社製） ３質量％
・希釈溶剤：ＰＧＭＥＡ
樹脂層を形成する樹脂組成物として、以下の組成を用い、下記表１に示す厚みで樹脂層を形成した以外は、実施例１と同様の方法で、異方導電性接合部材および接合サンプルを作製した。
＜樹脂組成物＞
・ペンタエリスリトールトリ及びテトラアクリレート（東亜合成製） ９７質量％
・硬化剤（パーブチルＯ、日油社製） ３質量％
・希釈溶剤：ＰＧＭＥＡ
〔比較例１〕
樹脂層を形成せず、本接合プロセスを施さなかった以外は、実施例１と同様の方法で、異方導電性接合部材および接合サンプルを作製した。
樹脂層を形成せず、本接合プロセスを施さなかった以外は、実施例１と同様の方法で、異方導電性接合部材および接合サンプルを作製した。
〔比較例２および３〕
樹脂層の塗布厚および本接合プロセスの条件を下記表１に示す値に変更した以外は、実施例１と同様の方法で、異方導電性接合部材および接合サンプルを作製した。
なお、比較例２は、比較例１と同様、本接合プロセスを施さなかったため、下記表１中、「−」と表記する。
樹脂層の塗布厚および本接合プロセスの条件を下記表１に示す値に変更した以外は、実施例１と同様の方法で、異方導電性接合部材および接合サンプルを作製した。
なお、比較例２は、比較例１と同様、本接合プロセスを施さなかったため、下記表１中、「−」と表記する。
〔評価〕
＜導通性＞
作製した接合サンプルについて、ＴＥＧの電極パッドにタングステン製の測定ニードル（Ｒ１２．５μｍ）をコンタクトさせ、ソースメータユニット（ケースレー２４５０）を用いて抵抗値を測定し、以下の基準で評価した。結果を下記表１に示す。
Ａ：抵抗値が１０Ω未満
Ｂ：抵抗値が１０Ω以上１ｋΩ未満
Ｃ；抵抗値が１ｋΩ以上
＜導通性＞
作製した接合サンプルについて、ＴＥＧの電極パッドにタングステン製の測定ニードル（Ｒ１２．５μｍ）をコンタクトさせ、ソースメータユニット（ケースレー２４５０）を用いて抵抗値を測定し、以下の基準で評価した。結果を下記表１に示す。
Ａ：抵抗値が１０Ω未満
Ｂ：抵抗値が１０Ω以上１ｋΩ未満
Ｃ；抵抗値が１ｋΩ以上
＜信頼性＞
作製した接合サンプルについて、（−５０℃／＋２００℃）の条件の温度サイクル試験に供し、以下の基準で評価した。結果を下記表１に示す。
Ａ：抵抗値を１０サイクル毎に測定し、抵抗値の変化率（５０サイクルでの抵抗値）が１０％未満である、
Ｂ：抵抗値を１０サイクル毎に測定し、抵抗値の変化率（５０サイクルでの抵抗値）が５０％未満である、
Ｃ：抵抗値を１０サイクル毎に測定し、抵抗値の変化率（５０サイクルでの抵抗値）が５０％以上である
作製した接合サンプルについて、（−５０℃／＋２００℃）の条件の温度サイクル試験に供し、以下の基準で評価した。結果を下記表１に示す。
Ａ：抵抗値を１０サイクル毎に測定し、抵抗値の変化率（５０サイクルでの抵抗値）が１０％未満である、
Ｂ：抵抗値を１０サイクル毎に測定し、抵抗値の変化率（５０サイクルでの抵抗値）が５０％未満である、
Ｃ：抵抗値を１０サイクル毎に測定し、抵抗値の変化率（５０サイクルでの抵抗値）が５０％以上である
表１に示す結果から、樹脂層を設けず、本接合プロセスを施さない場合は、作製される多層配線基板の導電性は優れていたが、信頼性が劣ることが分かった（比較例１）。
また、樹脂層を設けて、本接合プロセスを施さない場合は、作製される多層配線基板の導電性および信頼性がいずれも劣ることが分かった（比較例２）。
また、本接合プロセスを熱硬化性樹脂の硬化温度以上の温度で加熱した場合は、作製される多層配線基板の導電性および信頼性がいずれも劣ることが分かった（比較例３）。
また、樹脂層を設けて、本接合プロセスを施さない場合は、作製される多層配線基板の導電性および信頼性がいずれも劣ることが分かった（比較例２）。
また、本接合プロセスを熱硬化性樹脂の硬化温度以上の温度で加熱した場合は、作製される多層配線基板の導電性および信頼性がいずれも劣ることが分かった（比較例３）。
これに対し、樹脂層を設け、本接合プロセスを熱硬化性樹脂の硬化温度未満の温度で加熱した場合は、作製される多層配線基板の導電性および信頼性がいずれも良好となることが分かった（実施例１〜１０）。
特に、実施例１と実施例７との対比から、本接合プロセスにおいて加圧した後に加熱した場合には、作製される多層配線基板の導電性および信頼性がより良好となることが分かった。
特に、実施例１と実施例７との対比から、本接合プロセスにおいて加圧した後に加熱した場合には、作製される多層配線基板の導電性および信頼性がより良好となることが分かった。
１ 異方導電性接合部材
２ 絶縁性基材
２ａ，２ｂ 絶縁性基材の表面
３ 導通路
３ａ，３ｂ 導通路の突出部分
４ 樹脂層
４ａ 硬化後の樹脂層
６ 絶縁性基材の厚み
７ 導通路間の間隔
８ 導通路の直径
９ 導通路の中心間距離（ピッチ）
１１ 配線基板
１２ 電極
３０ 多層配線基板
２ 絶縁性基材
２ａ，２ｂ 絶縁性基材の表面
３ 導通路
３ａ，３ｂ 導通路の突出部分
４ 樹脂層
４ａ 硬化後の樹脂層
６ 絶縁性基材の厚み
７ 導通路間の間隔
８ 導通路の直径
９ 導通路の中心間距離（ピッチ）
１１ 配線基板
１２ 電極
３０ 多層配線基板
Claims (5)
- 異方導電性接合部材と、複数の電極を有する配線基板と、を具備する多層配線基板を作製する多層配線基板の製造方法であって、
前記異方導電性接合部材が、無機材料からなる絶縁性基材と、前記絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに絶縁された状態で設けられた、導電性部材からなる複数の導通路とを有し、前記複数の導通路が、前記絶縁性基材の表面から突出した突出部分を有しており、
前記配線基板が有する前記複数の電極の高さが１０μｍ以下であり、
前記異方導電性接合部材と前記配線基板とを、非導電性の熱硬化性樹脂を用いて接着する仮接合プロセスと、
前記熱硬化性樹脂の硬化温度未満の温度で加熱することにより、前記異方導電性接合部材が有する前記導通路と前記配線基板が有する前記電極とを電気的に接合する本接合プロセスと、をこの順に有する、多層配線基板の製造方法。 - 前記仮接合プロセスの前に、前記熱硬化性樹脂を含む樹脂層が、前記異方導電性接合部材における、前記配線基板が有する前記電極と電気的に接合する側の表面に設けられている、請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記仮接合プロセスの前に、前記熱硬化性樹脂を含む樹脂層が、前記配線基板における、前記異方導電性接合部材が有する前記導通路と電気的に接合する側の表面に設けられている、請求項１または２に記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記本接合プロセスにおいて、加圧した後または加圧した状態で前記加熱を行う、請求項１〜３のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記本接合プロセスの後に、前記熱硬化性樹脂の硬化温度以上の温度で加熱することにより、前記熱硬化性樹脂を硬化させる樹脂硬化プロセスを有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022034769A1 (ja) * | 2020-08-12 | 2022-02-17 | 富士フイルム株式会社 | 構造体、構造体の製造方法、接合体の製造方法及びデバイスの製造方法 |
| KR20230137445A (ko) | 2021-03-10 | 2023-10-04 | 후지필름 가부시키가이샤 | 언더필 조성물, 도포막, 경화막, 다층 배선 기판 및 다층 배선 기판의 제조 방법 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2000243147A (ja) * | 1999-02-16 | 2000-09-08 | Nec Corp | 異方性導電フィルム、これを用いた半導体装置及びその製造方法 |
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| JP2012099551A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Seiko Epson Corp | 接続構造体 |
-
2016
- 2016-08-31 JP JP2016168997A patent/JP6600285B2/ja active Active
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