JP6166826B2 - 異方導電性部材の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、特許文献2と同様、絶縁性基材の破損を抑制することができる異方導電性部材の製造方法を提供することを課題とする。
すなわち、本発明は、以下の構成の異方導電性部材の製造方法を提供する。
残留応力を緩和する処理を施した異方導電性部材を得る残留応力緩和工程を具備し、
前記残留応力緩和工程は、液体に浸しつつ超音波振動を与える工程である異方導電性部材の製造方法。
本発明の異方導電性部材の製造方法において、後述する残留応力緩和行程に用いられる異方導電性部材は、陽極酸化膜からなる絶縁性基材の複数のマイクロポアに導電性部材が充填された複数の導通路を有する異方導電性部材である。
次に、この異方導電性部材について、図1を用いて説明する。
異方導電性部材1は、絶縁性基材2および導電性部材からなる複数の導通路3を具備するものである。
絶縁性基材2は、厚み方向Zに貫通する複数のマイクロポア4を有し、この複数のマイクロポア4内に複数の導通路3が充填されている。
複数の導通路3は、少なくとも絶縁性基材2の一方の面から他方の面まで複数のマイクロポア4内に設けられるが、図1(B)に示すように、各導通路3の一端が絶縁性基材2の一方の面2aから突出し、各導通路3の他端が絶縁性基材2の他方の面2bから突出した状態でマイクロポア4内に設けられるのが好ましい。即ち、各導通路3の両端は、絶縁性基材の主面である2aおよび2bから突出する各突出部3aおよび3bを有するのが好ましい。
次に、絶縁性基材および導通路について、材料、寸法、形成等を詳細に説明する。
異方導電性部材を構成する上記絶縁性基材は、マイクロポアを有するアルミニウム基板の陽極酸化膜からなる構造体であり、平面方向の絶縁性を保つように機能する。
本発明においては、上記絶縁性基材の厚み(図1(B)においては符号6で表される部分の全ての厚み)は、1〜1000μmの範囲内であるのが好ましく、5〜500μmの範囲内であるのがより好ましく、10〜300μmの範囲内であるのが更に好ましい。絶縁性基材の厚みが1μm以上であると絶縁性基材の取り扱いが良好であり、絶縁性基材の厚みが1000μm以下であると後述する異方導電性部材の製造方法において残留応力を容易に緩和することができる。
図2(A)に示されるマイクロポア101は、マイクロポア101の重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円103(マイクロポア102に内接している。)を描いた場合に、円3の内部にマイクロポア101以外のマイクロポアの重心を6個含んでいる。したがって、マイクロポア101は、Bに算入される。
図2(B)に示されるマイクロポア104は、マイクロポア104の重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円106(マイクロポア105に内接している。)を描いた場合に、円106の内部にマイクロポア104以外のマイクロポアの重心を5個含んでいる。したがって、マイクロポア104は、Bに算入されない。
また、図2(B)に示されるマイクロポア107は、マイクロポア107の重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円109(マイクロポア108に内接している。)を描いた場合に、円109の内部にマイクロポア107以外のマイクロポアの重心を7個含んでいる。したがって、マイクロポア107は、Bに算入されない。
ここで、陽極酸化および貫通化の処理工程については、後述する本発明の異方導電性部材の製造方法において詳述する。
異方導電性部材を構成する上記導通路は、導電性部材からなるものであり、絶縁性基材の厚み方向に電気を導通する導通路として機能する。
上記導電性部材は、電気抵抗率が103Ω・cm以下の材料であれば特に限定されず、その具体例としては、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、ニッケル(Ni)、インジウムがドープされたスズ酸化物(ITO)等が好適に例示される。
中でも、電気伝導性の観点から、銅、金、アルミニウム、ニッケルが好ましく、銅、金がより好ましい。また、後述する残留応力緩和工程において残留応力を容易に緩和できる理由から、銅およびニッケルが好ましい。
また、コストの観点から、導通路の上記絶縁性基材の両面から露出した面や突出した面(以下、「端面」ともいう。)の表面だけが金で形成されるのがより好ましい。
上記導通路の密度がこの範囲にあることにより、異方導電性部材は高集積化が一層進んだ現在においても半導体素子等の電子部品の検査用コネクタや電気的接続部材等として使用することができる。
残留応力を緩和する処理を施した異方導電性部材を得る残留応力緩和工程を具備する異方導電性部材の製造方法である。
次に、本発明の異方導電性部材の製造方法の一例を示す。
アルミニウム基板を陽極酸化する陽極酸化処理工程、
上記陽極酸化処理工程の後に、上記陽極酸化により生じた複数の細孔を貫通化して、複数のマイクロポアを有する絶縁性基材を得る貫通化処理工程、
上記貫通化処理工程の後に、得られた上記絶縁性基材における上記複数のマイクロポアの内部に導電性部材を充填して複数の導通路を形成する導通路形成工程、および、
上記導通路形成工程の後に、残留応力を緩和する処理を施した異方導電性部材を得る残留応力緩和工程を具備することが好ましい。
次に、本発明の製造方法について各処理工程を詳述する。
本発明の製造方法に用いられるアルミニウム基板は、特に限定されず、その具体例としては、純アルミニウム板;アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板;低純度のアルミニウム(例えば、リサイクル材料)に高純度アルミニウムを蒸着させた基板;シリコンウエハー、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板;アルミニウムをラミネートした樹脂基板;等が挙げられる。
ここで、熱処理、脱脂処理および鏡面仕上げ処理については、特許文献1(特開2008−270158号公報)の[0044]〜[0054]段落に記載された各処理と同様の処理を施すことができる。
上記陽極酸化工程は、上記アルミニウム基板に陽極酸化処理を施すことにより、該アルミニウム基板表面にマイクロポアを有する酸化皮膜を形成する工程である。
本発明の製造方法における陽極酸化処理は、従来公知の方法を用いることができるが、細孔配列の規則性を高くし、平面方向の導電部の絶縁性をより確実に担保する観点から、自己規則化法や定電圧処理を用いるのが好ましい。
ここで、陽極酸化処理の自己規則化法や定電圧処理については、特許文献1(特開2008−270158号公報)の[0056]〜[0108]段落および[図3]に記載された各処理と同様の処理を施すことができる。
上記貫通化処理工程は、上記陽極酸化処理工程の後に、上記陽極酸化により生じた複数の細孔を貫通化して、複数のマイクロポアを有する絶縁性基材を得る工程である。
上記貫通化処理工程としては、具体的には、例えば、上記陽極酸化処理工程の後に、アルミニウム基板を溶解し、陽極酸化膜の底部を除去する方法;上記陽極酸化処理工程の後に、アルミニウム基板およびアルミニウム基板近傍の陽極酸化膜を切断する方法;等が挙げられる。
ここで、貫通化処理工程におけるこれらの方法については、例えば、特許文献1(特開2008−270158号公報)の[0110]〜[0121]段落ならびに[図3]および[図4]に記載された各方法と同様の方法が挙げられる。
上記導通路形成工程は、上記貫通化処理工程の後に、得られた上記絶縁性基材における複数のマイクロポアの内部に導電性部材である金属を充填して複数の導通路を形成する工程である。
ここで、充填する金属は、上述した異方導電性部材において説明したものと同様である。
また、上記マイクロポアに金属を充填する方法は、例えば、特許文献1(特開2008−270158号公報)の[0123]〜[0126]段落および[図4]に記載された各方法と同様の方法が挙げられる。
例えば、複数のマイクロポアの内周面が、絶縁性基材の一方の面側から他方の面側に向かうほど少し内側に傾斜している場合には、図3(B)に示すように、複数のマイクロポアの内周面と導通路の外周面との間に生じる力は、絶縁性基材の一方の面2aから他方の面2bに近くなるほど大きくなる。このため、絶縁性基材の厚さ方向における応力差により残留応力が生じ、この残留応力に応じた歪が絶縁性基材に生じることになる。
本発明では、後述する残留応力緩和工程により、この導通路形成工程で生じた残留応力を緩和するものである。
本発明の製造方法においては、上記導通路形成工程の後に、化学機械研磨処理などによって表面および裏面を平滑化する表面平滑処理工程を具備するのが好ましい。
化学機械研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)処理を行うことにより、金属を充填させた後の表面および裏面の平滑化と表面に付着した余分な金属を除去することができる。
CMP処理には、株式会社フジミインコーポレイテッド社製のPNANERLITE−7000、日立化成株式会社製のGPX HSC800、旭硝子(セイミケミカル)株式会社製のCL−1000等のCMPスラリーを用いることができる。
なお、陽極酸化膜を研磨したくないので、層間絶縁膜やバリアメタル用のスラリーを用いるのは好ましくない。
本発明の製造方法においては、上記導通路形成工程または上記CMP処理を施した場合は上記表面平滑処理工程の後に、トリミング処理工程を具備するのが好ましい。
上記トリミング処理工程は、上記導通路形成工程または上記CMP処理を施した場合は上記表面平滑処理工程の後に、異方導電性部材表面の絶縁性基材のみを一部除去し、導通路を突出させる工程である。
ここで、トリミング処理は、導通路を構成する金属を溶解しない条件であれば、上述した陽極酸化膜の底部を除去する際に用いられた酸水溶液またはアルカリ水溶液に接触させる、例えば浸せき法およびスプレー法などにより行うことができる。特に、トリミング処理には、溶解速度を管理しやすいリン酸を用いるのが好ましい。
このトリミング工程により、図3(C)に示される複数の導通路3を有する絶縁性基材2が得られる。
上記残留応力緩和工程は、上記導通路形成工程の後に、残留応力を緩和する処理を施して上記異方導電性部材を得る工程である。ここで、残留応力を緩和する処理とは、絶縁性基材の残留応力を200MPa以下まで低下させる処理のことをいう。
残留応力緩和工程としては、複数のマイクロポアの内周面と複数の導通路の外周面との間に生じる力を分散させる処理を施すことにより、残留応力を緩和することが好ましい。
ここで、焼成の温度は、50℃〜600℃で行われるのが好ましく、100℃〜550℃で行われるのがより好ましく、150℃〜400℃で行われるのがさらに好ましい。焼成温度が50℃以上であると、残留応力を低下させることができ、焼成温度が600℃以下であると、過剰な加熱により正常な部分などが大きく変形することを抑制することができる。
ここで、上記荷重は、ハンドリング性、荷重時の絶縁性基材との密着性および絶縁性基材の耐久性の観点から、50g/cm2〜2000g/cm2の圧力で絶縁性基材の一方の面および他方の面の少なくとも一方に加えることが好ましい。また、焼成温度は、上記の焼成温度と同じく、50℃〜600℃で行われるのが好ましく、100℃〜550℃で行われるのがより好ましく、150℃〜400℃で行われるのがさらに好ましい。
このように、絶縁性基材の一方の面および他方の面の少なくとも一方に荷重を加えつつ絶縁性基材を焼成することで、残留応力を180MPa以下まで低下させることが好ましく、165MPa以下まで低下させることがより好ましい。
この時、上記トリミング工程により得られた複数の導通路を有する絶縁性基材の全てを液体中に浸漬した状態で超音波振動を与えることが好ましい。また、複数の導通路を有する絶縁性基材を浸す液体としては、たとえば、水、水溶液、液体の有機化合物が用いられ、イソプロピルアルコール(IPA)およびメチルエチルケトン(MEK)のような液体の有機化合物を用いるのが好ましい。
また、上記超音波振動は、10分以上与えることが好ましく、100分以上であるのがより好ましく、150分以上であるのがさらに好ましい。超音波振動を10分以上与えることにより、残留応力を大きく低下させることができる。
本発明の製造方法においては、上記トリミング処理工程に代えてまたは上記トリミング処理工程の後に、図3(B)に示される導通路3の表面にのみ、更に同一のまたは異なる導電性金属を析出させる電着処理工程を具備するものであってもよい(図4)。
本発明においては、電着処理は、異種金属の電気陰性度の差異を利用した無電解メッキ処理も含む処理である。
ここで、無電解メッキ処理は、無電解メッキ処理液(例えば、pHが1〜9の貴金属含有処理液に、pHが6〜13の還元剤処理液を適宜混合した液)に浸漬させる工程である。
以下に、異方導電性接合パッケージについて詳細に説明する。
本発明の異方導電性接合パッケージの製造方法で製造される異方導電性接合パッケージは、上述した異方導電性部材と、複数の導通路の少なくとも1つに電気的に接続された導電素材からなる接続部とを有するパッケージである。
チップ基板12は、プリント配線基板から構成され、プリント配線基板中の図示しない電極がICチップ13と図示しない配線で電気的に接続されている。異方導電性接合パッケージ10は、チップ基板12上に配置され、異方導電部材1の絶縁性基材2の一方の面2aに露出する導通路3の端部が平板状の電極15a(接続部)に接続されると共に、絶縁性基材2の他方の面2bに露出する導通路3の端部が平板状の電極15b(接続部)に接続される。また、電極15aは、インターポーザ14内の内部配線と接続され、電極15bは、チップ基板12の図示しない配線を介してICチップ13と接続されている。
このように、異方導電部材1を介して電極15aと電極15bを厚み方向に容易に接続することができ、インターポーザ14などを積層して配置することができる。
本発明の異方導電性接合パッケージの製造方法は、上記の製造方法で得られる異方導電性部材に導電性材料を塗布して、複数の導通路の少なくとも1つに接続された接続部を有する異方導電性パッケージを得る接続部形成工程を具備する異方導電性接合パッケージの製造方法である。
導電性材料としては、具体的には、例えば、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、ニッケル(Ni)、ITO、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、Pd(パラジウム)、ベリリウム(Be)、レニウム(Re)のいずれか1種または2種以上の素材を用いることができる。
接続部の具体例は、例えば電極であり、電極はどのような部材に形成されるものでもよいが、上述した異方導電部材の、一方の表面と他方の表面に接合され、さらにこの電極が、インターポーザ内の内部配線と接続された電極であるのが好ましい。
インターポーザは変換基板、再配線基板とも呼ばれ、基板内の内部配線によってその表面に接続される外部電極の配置に応じて電極の配置を任意に設計できる。電極以外のインターポーザの部材は、シリコンウエハ、GaN基板等の無機化合物、ガラス繊維含浸・エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の各種プラスチックで製造できる。
インターポーザは上述した異方導電性接合パッケージの一方の面に接合されていてもよいが、異方導電性接合パッケージを中間層として上下2層に接合されるのが好ましい。
(A)鏡面仕上げ処理(電解研磨処理)
高純度アルミニウム基板(住友軽金属株式会社製、純度99.99質量%、厚さ0.4mm)を10cm四方の面積で陽極酸化処理できるようカットし、以下組成の電解研磨液を用い、電圧25V、液温度65℃、液流速3.0m/minの条件で電解研磨処理を施した。
陰極はカーボン電極とし、電源は、GP0110−30R(株式会社高砂製作所社製)を用いた。また、電解液の流速は渦式フローモニターFLM22−10PCW(アズワン株式会社製)を用いて計測した。
・85質量%リン酸(和光純薬工業株式会社製試薬) 660mL
・純水 160mL
・硫酸 150mL
・エチレングリコール 30mL
次いで、電解研磨処理後のアルミニウム基板に、特開2007−204802号公報に記載の手順にしたがって自己規則化法による陽極酸化処理を施した。
電解研磨処理後のアルミニウム基板に、0.50mol/Lシュウ酸の電解液で、電圧40V、液温度15℃、液流速3.0m/minの条件で、5時間のプレ陽極酸化処理を施した。
その後、プレ陽極酸化処理後のアルミニウム基板を、0.2mol/L無水クロム酸、0.6mol/Lリン酸の混合水溶液(液温:50℃)に12時間浸漬させる脱膜処理を施した。
その後、0.50mol/Lシュウ酸の電解液で、電圧40V、液温度15℃、液流速3.0m/minの条件で、10時間の再陽極酸化処理を施し、膜厚80μmの酸化皮膜を得た。
なお、プレ陽極酸化処理および再陽極酸化処理は、いずれも陰極はステンレス電極とし、電源はGP0110−30R(株式会社高砂製作所製)を用いた。また、冷却装置にはNeoCool BD36(ヤマト科学株式会社製)、かくはん加温装置にはペアスターラー PS−100(EYELA東京理化器械株式会社製)を用いた。更に、電解液の流速は渦式フローモニターFLM22−10PCW(アズワン株式会社製)を用いて計測した。
次いで、20質量%塩化水銀水溶液(昇汞)に20℃、3時間浸漬させることによりアルミニウム基板を溶解し、更に、5質量%リン酸に30℃、30分間浸漬させることにより陽極酸化膜の底部を除去し、マイクロポアを有する陽極酸化膜からなる構造体(絶縁性基材)を作製した。
次いで、上記で得られた構造体に、温度400℃で1時間の加熱処理を施した。
次いで、上記加熱処理後の酸化皮膜の一方の表面に電極膜を形成する処理を施した。
すなわち、0.7g/L塩化金酸水溶液を、一方の表面に塗布し、140℃/1分で乾燥させ、更に500℃/1時間で焼成処理し、金のめっき核を作成した。
その後、無電解めっき液としてプレシャスファブACG2000基本液/還元液(日本エレクトロプレイティング・エンジニヤース(株)製)を用いて、50℃/1時間浸漬処理し、空隙のない電極膜を形成した。
次いで、上記電極膜を形成した面に銅電極を密着させ、銅電極を陰極にし、白金を正極にして電解めっき処理を施した。
硫酸銅/硫酸/塩酸=200/50/15(g/L)の混合溶液を25℃に保った状態で電解液として使用し、定電圧パルス電解を実施することにより、マイクロポアに銅が充填された構造体(異方導電性部材)を作成した。
ここで、定電圧パルス電解は、株式会社山本鍍金試験器社製のメッキ装置を用い、北斗電工株式会社製の電源(HZ−3000)を用い、めっき液中でサイクリックボルタンメトリを行なって析出電位を確認した後、皮膜側の電位を−2Vに設定して行った。また、定電圧パルス電解のパルス波形は矩形波であった。具体的には、電解の総処理時間が300秒になるように、1回の電解時間が60秒の電解処理を、各電解処理の間に40秒の休止時間を設けて5回施した。
次いで、金属が充填された構造体の表面および裏面に、CMP処理を施し、膜厚80μmの構造体に対し、両面から15μmずつ研磨することにより、酸化皮膜上に形成した電極膜を除去し、かつ、酸化皮膜の表面および裏面を平滑化して膜厚50μmの構造体を得た。
CMPスラリーとしては、株式会社フジミインコーポレイテッド社製のPNANERLITE−7000を用いた。
CMP処理後、構造体の表面をFE−SEMで観察すると、酸化皮膜の表面から充填金属が一部あふれるような形になっていた。
次いで、CMP処理後の構造体をリン酸溶液に浸漬し、陽極酸化膜を選択的に溶解することで、マイクロポアに充填された充填金属の円柱を突出させて構造体を得た。リン酸溶液は、上記貫通化処理と同じ液を使い、処理時間を5分とした。
次いで、トリミング処理後の構造体を大気環境下で50g/cm2の荷重を加えつつ210℃の温度で45分間の焼成を行い、異方導電性部材が得られた。
次いで、残留応力緩和工程後の異方導電性部材を熱圧着装置(北川精機株式会社製、HVHC-PRESS、シリンダー面積201cm2)を使って熱圧着試験をおこなった。導電素材には銅を用い、圧着温度が240℃、電極単位面積当たりの圧着圧力が50MPa以下、圧着時間が1分の条件で熱圧着することにより異方導電性接合パッケージを作製した。
焼成温度と焼成雰囲気を第1表に従って変更した以外は、実施例1と同様の方法により異方導電性部材および異方導電性接合パッケージを作製した。
導通路形成工程を以下に示す方法で行った以外は、実施例1と同様の方法により、異方導電性部材を作製した。また、パッケージ工程において導電性素材をニッケルとした以外は、実施例1と同様の方法により、異方導電性接合パッケージを作製した。
[導通路形成工程]
電極膜を形成した面にニッケル電極を密着させ、ニッケル電極を陰極にし、白金を正極にして電界めっき処理を施した。そして、硫酸ニッケル/塩化ニッケル/ホウ酸=300/60/40(g/L)の混合溶液を50℃に保った状態で電解液として使用し、定電流電解(5A/dm2)を行うことにより金属充填を行った。
焼成温度と焼成雰囲気を第1表に従って変更した以外は、実施例17と同様の方法により異方導電性部材および異方導電性接合パッケージを作製した。
残留応力緩和工程を以下に示す方法で行った以外は、実施例1と同様の方法により、異方導電性部材を作製した。
[残留応力緩和工程]
トリミング処理後、イソプロピルアルコール(IPA)溶液中で20〜100kHz程度の超音波振動をそれぞれ150分間、100分間および10分間与えることにより、異方導電性部材および異方導電性接合パッケージを作製した。
残留応力緩和工程を以下に示す方法で行った以外は、実施例17と同様の方法により、異方導電性部材および異方導電性接合パッケージを作製した。
[残留応力緩和工程]
トリミング処理後、イソプロピルアルコール(IPA)溶液中で20〜100kHz程度の超音波振動をそれぞれ150分間、100分間および10分間与えることにより、異方導電性部材を作製した。
残留応力緩和工程において、荷重を加えずに焼成を行った以外は、実施例13と同様の方法により、異方導電性部材および異方導電性接合パッケージを作製した。
残留応力緩和工程において、荷重を加えずに焼成を行った以外は、実施例16と同様の方法により、異方導電性部材および異方導電性接合パッケージを作製した。
残留応力緩和工程において、荷重を加えずに焼成を行った以外は、実施例21と同様の方法により、異方導電性部材および異方導電性接合パッケージを作製した。
残留応力緩和工程において、荷重を加えずに焼成を行った以外は、実施例24と同様の方法により、異方導電性部材および異方導電性接合パッケージを作製した。
残留応力緩和工程を除いた以外は、実施例1と同様の方法により、異方導電性部材および異方導電性接合パッケージを作製した。
残留応力緩和工程を除いた以外は、実施例17と同様の方法により、異方導電性部材および異方導電性接合パッケージを作製した。
残留応力は、X線回折装置(XRD、ブルカー・バイオスピン株式会社製、D8 Discover with GADDS)を用いて、2θ・sin2ψ法により、残留応力を算出した。電圧/電流は45kV/110mAで、X線波長はCrKα線、X線照射径は500μm、評価結晶面はCu(311)面またはNi(311)面で測定を行った。この結果を下記第1表に示す。
また、残留応力緩和工程において超音波振動を与えた実施例25〜30は、超音波を与えていない比較例1および2と比較して、残留応力が大きく低下しており、超音波を与えることが残留応力の低下に大きく寄与することがわかった。
また、残留応力緩和工程において超音波振動を与えた実施例25〜30は、焼成雰囲気および導通路の金属種の条件が同じもので比較したときに、超音波振動を与えた時間が長時間であるほど残留応力が低下しており、超音波振動を与えた時間が残留応力の低下に大きく寄与することがわかった。
また、実施例1〜30は、導通路の金属種の違いによらず残留応力が180MPa以下まで低下しており、銅およびニッケルのいずれの金属を導通路に使用しても残留応力の緩和を妨げないことがわかった。
6 絶縁性基材の厚み、7 導通路間の幅、8 導通路の直径、9 導通路の中心間距離(ピッチ)、10 異方導電性接合パッケージ、11 マルチチップモジュール、12 チップ基板、13 ICチップ、14 インターポーザ、15a,15b 電極、101、102、104、105、107、108 マイクロポア、103、106、109 円。
Claims (3)
- 陽極酸化膜からなる絶縁性基材の複数のマイクロポアに導電性部材が充填された複数の導通路を有する異方導電性部材を作製した後に、
残留応力を緩和する処理を施した異方導電性部材を得る残留応力緩和工程を具備し、
前記残留応力緩和工程は、液体に浸しつつ超音波振動を与える工程である異方導電性部材の製造方法。 - 前記残留応力緩和工程は、前記超音波振動を20kHz〜100kHzで与える工程である請求項1に記載の異方導電性部材の製造方法。
- 前記残留応力緩和工程は、前記超音波振動を10分以上与える工程である請求項1または2に記載の異方導電性部材の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
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JP2013151603 | 2013-07-22 | ||
JP2013151603 | 2013-07-22 |
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