JP7343706B2 - 異方導電性部材の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、異方導電性部材の製造方法に関するものである。
絶縁性基材に設けられた複数の貫通孔に金属等の導電性物質が充填されてなる構造体は、近年ナノテクノロジーでも注目されている分野のひとつであり、例えば、異方導電性部材としての用途が期待されている。
異方導電性部材は、半導体素子等の電子部品と回路基板との間に挿入し、加圧するだけで電子部品と回路基板間の電気的接続が得られるため、半導体素子等の電子部品等の電気的接続部材、および機能検査を行う際の検査用コネクタ等として広く使用されている。
特に、半導体素子等の電子部品は、ダウンサイジング化が顕著である。従来のワイヤーボンディングのような配線基板を直接接続する方式、フリップチップボンディング、およびサーモコンプレッションボンディング等では、電子部品の電気的な接続の安定性を十分に保証することができないため、電子接続部材として異方導電性部材が注目されている。
このような異方導電性部材の製造方法に関して、例えば、特許文献1には、(1)アルミニウム基板を陽極酸化し、マイクロポアを有するアルミナ皮膜を形成する陽極酸化処理工程、(2)上記陽極酸化処理工程の後に、上記陽極酸化により生じたマイクロポアによる孔を貫通化して上記絶縁性基材を得る貫通化処理工程、(3)上記貫通化処理工程の後に、得られた上記絶縁性基材における貫通化した孔の内部に導電性部材を充填して上記異方導電性部材を得る導電性部材充填工程、(4)上記導電性部材充填工程の後に、上記絶縁性基材の表面および裏面を平滑化する表面平滑処理工程、ならびに、(5)上記表面平滑工程の後に、上記絶縁性基材の表面および裏面から上記導電性部材が突出した構造を形成する導通路突出工程を具備する異方導電性部材の製造方法が記載されている([請求項1]~[請求項3])。また、特許文献1には、導通路突出工程に関して、「(5-a)上記絶縁性基材の表面および裏面の一部を除去することにより、上記絶縁性基材の表面および裏面から導電性部材が突出した構造を形成する処理」が記載されており([請求項5])、具体的には、表面平滑処理工程後の異方導電性部材を酸水溶液またはアルカリ水溶液に接触させることにより、異方導電性部材表面の絶縁性基材のみを一部溶解させて除去して導通路を突出させる処理が記載されている([0134])。
特開2008-270157号公報
本発明者は、特許文献1に記載された異方導電性部材の製造方法を検討したところ、異方導電性部材表面の絶縁性基材のみを一部溶解させて除去して導通路を突出させる際に、絶縁性基材を溶解する条件によっては、導通路の突出部分の長さにバラツキが生じる場合があることを明らかとし、例えば、絶縁性基材をより深くまで溶解した領域では、導通路の突出部分が接合等の際の加圧によって座屈し、隣接する導通路と接触することで絶縁性が損なわれる場合があることを明らかとした。
そこで、本発明は、導通路の突出部分の高さのバラツキを抑制することができる異方導電性部材の製造方法を提供することを課題とする。
本発明者は、上記課題を達成すべく鋭意研究した結果、金属充填微細構造体に対して、平坦化工程、第1除去工程、第1洗浄工程、および、第2除去工程の各工程による処理を施すことにより、導通路の突出部分の高さのバラツキを抑制することができることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、以下の構成により上記課題を達成することができることを見出した。
[1] 絶縁性基材と、絶縁性基材の厚み方向に貫通して設けられた複数の導通路とを有し、複数の導通路の一端が絶縁性基材の少なくとも一方の面から突出した状態で設けられる異方導電性部材の製造方法であって、
絶縁性基材と、絶縁性基材の厚み方向に貫通して設けられた複数の導通路とを有する金属充填微細構造体を準備する準備工程と、
金属充填微細構造体の少なくとも一方の表面を平坦化し、複数の導通路の一端を絶縁性基材の表面に露出させる平坦化工程と、
平坦化工程後に、金属充填微細構造体の表面に処理液を付与し、選択的に絶縁性基材の表面を厚み方向に一部除去し、複数の導通路の一端を絶縁性基材の表面から突出させる第1除去工程と、
第1除去工程後に、金属充填微細構造体の表面を洗浄する第1洗浄工程と、
第1洗浄工程後に、金属充填微細構造体の表面に処理液を付与し、選択的に絶縁性基材の表面を厚み方向に一部除去し、第1除去工程によって絶縁性基材の表面から突出した複数の導通路の突出部分の高さを高くする第2除去工程と、を有し、
第1除去工程において絶縁性基材の表面を除去する厚さが、0.2μm以下である、異方導電性部材の製造方法。
[2] 第2除去工程後に、金属充填微細構造体の表面を洗浄する第2洗浄工程を更に有する、[1]に記載の異方導電性部材の製造方法。
[3] 第2洗浄工程後に、金属充填微細構造体の表面に処理液を付与し、選択的に絶縁性基材の表面を厚み方向に一部除去し、第2除去工程によって絶縁性基材の表面から突出した複数の導通路の突出部分の高さを高くする第3除去工程を更に有する、[2]に記載の異方導電性部材の製造方法。
[4] 絶縁性基材は、バルブ金属の陽極酸化膜であり、
複数の導通路は、陽極酸化膜の厚み方向に貫通して設けられたマイクロポアに充填された金属で構成されている、[1]~[3]のいずれかに記載の異方導電性部材の製造方法。
[5] バルブ金属が、アルミニウムである、[4]に記載の異方導電性部材の製造方法。
[6] マイクロポアに充填された金属が、銅である、[4]または[5]に記載の異方導電性部材の製造方法。
[7] 第2除去工程によって絶縁性基材の表面から突出した複数の導通路の突出部分の高さが、50nm以上である、[1]~[6]のいずれかに記載の異方導電性部材の製造方法。
[8] 第1除去工程および第2除去工程で用いる処理液のpHが10~14である、[1]~[7]のいずれかに記載の異方導電性部材の製造方法。
本発明によれば、導通路の突出部分の高さのバラツキを抑制することができる異方導電性部材の製造方法を提供することができる。
図1Aは、本発明の異方導電性部材の製造方法の一例(第1態様)を説明するための模式的な断面図のうち、平坦化工程前の金属充填微細構造体の状態を示す模式的な断面図である。 図1Bは、本発明の異方導電性部材の製造方法の一例(第1態様)を説明するための模式的な断面図のうち、平坦化工程後の状態を示す模式的な断面図である。 図1Cは、本発明の異方導電性部材の製造方法の一例(第1態様)を説明するための模式的な断面図のうち、第1除去工程後の状態を示す模式的な断面図である。 図1Dは、本発明の異方導電性部材の製造方法の一例(第1態様)を説明するための模式的な断面図のうち、第2除去工程後の状態を示す模式的な断面図である。
図2Aは、本発明の異方導電性部材の製造方法の他の一例(第2態様)を説明するための模式的な断面図のうち、平坦化工程前の基板付き金属充填微細構造体の状態を示す模式的な断面図である。 図2Bは、本発明の異方導電性部材の製造方法の他の一例(第2態様)を説明するための模式的な断面図のうち、平坦化工程後の状態を示す模式的な断面図である。 図2Cは、本発明の異方導電性部材の製造方法の他の一例(第2態様)を説明するための模式的な断面図のうち、第1除去工程後の状態を示す模式的な断面図である。 図2Dは、本発明の異方導電性部材の製造方法の他の一例(第2態様)を説明するための模式的な断面図のうち、第2除去工程後の状態を示す模式的な断面図である。 図2Eは、本発明の異方導電性部材の製造方法の他の一例(第2態様)を説明するための模式的な断面図のうち、基板除去工程後の状態を示す模式的な断面図である。 図3は、突出させた導通路の一端(最表面)を等高線の高さがゼロとなるになるように重ね合わせる参照図面である。 図4は、導通路の突出部分の高さの度数分布の参照図面である。
以下、本発明について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。
なお、本明細書において、「~」を用いて表される数値範囲は、「~」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
[異方導電性部材の製造方法]
本発明の異方導電性部材の製造方法(以下、「本発明の製造方法」とも略す。)は、絶縁性基材と、絶縁性基材の厚み方向に貫通して設けられた複数の導通路とを有し、複数の導通路の一端が絶縁性基材の少なくとも一方の面から突出した状態で設けられる異方導電性部材(以下、「特定異方導電性部材」とも略す。)の製造方法であって、
絶縁性基材と、絶縁性基材の厚み方向に貫通して設けられた複数の導通路とを有する金属充填微細構造体を準備する準備工程と;
金属充填微細構造体の少なくとも一方の表面を平坦化し、複数の導通路の一端を絶縁性基材の表面に露出させる平坦化工程と;
平坦化工程後に、金属充填微細構造体の表面に処理液を付与し、選択的に絶縁性基材の表面を厚み方向に一部除去し、複数の導通路の一端を絶縁性基材の表面から突出させる第1除去工程と;
第1除去工程後に、金属充填微細構造体の表面を洗浄する第1洗浄工程と;
第1洗浄工程後に、金属充填微細構造体の表面に処理液を付与し、選択的に絶縁性基材の表面を厚み方向に一部除去し、第1除去工程によって絶縁性基材の表面から突出した複数の導通路の突出部分の高さを高くする第2除去工程と;
を有し、
第1除去工程において絶縁性基材の表面を除去する厚さが、0.2μm以下である異方導電性部材の製造方法である。
次に、本発明の製造方法における各工程の概要を図1A~図1D、および、図2A~図2Eを用いて説明した後に、各処理工程について詳述する。
<第1態様>
図1A~図1D(以下、これらをまとめて単に「図1」とも略す。)に示すように、特定異方導電性部材20は、絶縁性基材4と絶縁性基材4の厚み方向Dtに貫通して設けられた複数の導通路5とを有する金属充填微細構造体10の少なくとも一方の表面を平坦化し、複数の導通路5の一端を絶縁性基材4の表面に露出させる平坦化工程(図1Aおよび図1B参照)と;平坦化工程後に、金属充填微細構造体10の表面に処理液を付与し、選択的に絶縁性基材4の表面を厚み方向Dtに一部除去し、複数の導通路5の一端を絶縁性基材4の表面から突出させる第1除去工程と(図1C参照);第1除去工程後に、金属充填微細構造体10の表面を洗浄する第1洗浄工程と;第1洗浄工程後に、金属充填微細構造体10の表面に処理液を付与し、選択的に絶縁性基材4の表面を厚み方向Dtに一部除去し、第1除去工程によって絶縁性基材4の表面から突出した複数の導通路5の突出部分5aの高さhを高くする第2除去工程と(図1D参照);を有する製造方法により作製することができる。
<第2態様>
本発明の製造方法は、作業性の観点から、平坦化工程、第1除去工程、第1洗浄工程、および、第2除去工程に用いる金属充填微細構造体として、基板が付いた状態の金属充填微細構造体を用いることが好ましい。
例えば、図2A~図2E(以下、これらをまとめて単に「図2」とも略す。)に示す通り、特定異方導電性部材20は、基板1が付いた金属充填微細構造体10の少なくとも一方の表面を平坦化し、複数の導通路5の一端を絶縁性基材4の表面に露出させる平坦化工程(図2Aおよび図2B参照)と;平坦化工程後に、基板1が付いた金属充填微細構造体10の表面に処理液を付与し、選択的に絶縁性基材4の表面を厚み方向Dtに一部除去し、複数の導通路5の一端を絶縁性基材4の表面から突出させる第1除去工程と(図2C参照);第1除去工程後に、基板1が付いた金属充填微細構造体10の表面を洗浄する第1洗浄工程と;第1洗浄工程後に、基板1が付いた金属充填微細構造体10の表面に処理液を付与し、選択的に絶縁性基材4の表面を厚み方向Dtに一部除去し、第1除去工程によって絶縁性基材4の表面から突出した複数の導通路5の突出部分5aの高さhを高くする第2除去工程と(図2D参照);基板1を除去する基板除去工程と(図2E参照);を有する製造方法により作製することができる。
<他の態様>
図1および図2においては、金属充填微細構造体10の一方の表面に対して、平坦化工程、第1除去工程、第1洗浄工程、および、第2除去工程の各工程による処理を施しているが、本発明の製造方法は、金属充填微細構造体10の他方の表面に対しても、平坦化工程、第1除去工程、第1洗浄工程、および、第2除去工程の各工程による処理を施してもよい。
例えば、図1Dおよび図2Dに示す状態、すなわち、絶縁性基材4と、絶縁性基材4の厚み方向に貫通して設けられた複数の導通路5とを有し、複数の導通路5の一端が絶縁性基材4の一方の面から突出した状態で設けられた特定異方導電性部材20の裏面に対して、平坦化工程、第1除去工程、第1洗浄工程、および、第2除去工程の各工程による処理を施してもよい。
〔準備工程〕
本発明の製造方法が有する準備工程は、絶縁性基材と、絶縁性基材の厚み方向に貫通して設けられた複数の導通路とを有する金属充填微細構造体を準備する工程である。
ここで、準備工程としては、従来公知の方法を用いることができ、例えば、特許文献1(特開2008-270157号公報)の請求項1に記載された方法、国際公開第2018/155273号の請求項1に記載された方法、特開2019-153415号公報の段落[0027]~[0031]に記載された方法などが挙げられる。
<絶縁性基材>
上記金属充填微細構造体が有する絶縁性基材は、従来公知の異方導電性フィルム等を構成する絶縁性基材と同程度の電気抵抗率(1014Ω・cm程度)を有するものであれば特に限定されない。
絶縁性基材としては、例えば、金属酸化物基材、金属窒化物基材、ガラス基材、シリコンカーバイド、シリコンナイトライド等のセラミックス基材、ダイヤモンドライクカーボン等のカーボン基材、ポリイミド基材、これらの複合材料等が挙げられる。絶縁性基材としては、これ以外に、例えば、貫通孔を有する有機素材上に、セラミックス材料またはカーボン材料を50質量%以上含む無機材料で成膜したものであってもよい。
絶縁性基材としては、所望の平均開口径を有するマイクロポアが貫通孔として形成され、後述する導通路を形成しやすいという理由から、金属酸化物基材であることが好ましく、バルブ金属の陽極酸化膜であることがより好ましい。
ここで、バルブ金属としては、具体的には、例えば、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモン等が挙げられる。これらのうち、寸法安定性がよく、比較的安価であることからアルミニウムであることが好ましい。
このため、アルミニウム基板を用いて、絶縁性基材である陽極酸化膜を形成し、異方導電性部材を製造することが好ましい。
アルミニウム基板は、特に限定されず、その具体例としては、純アルミニウム板;アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板;低純度のアルミニウム(例えば、リサイクル材料)に高純度アルミニウムを蒸着させた基板;シリコンウエハ、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板;アルミニウムをラミネートした樹脂基板;等が挙げられる。
アルミニウム基板のうち、陽極酸化処理を施す側の表面は、アルミニウム純度が、99.5質量%以上であることが好ましく、99.9質量%以上であることがより好ましく、99.99質量%以上であることが更に好ましい。アルミニウム純度が上述の範囲であると、貫通孔配列の規則性が十分となる。
また、アルミニウム基板のうち、陽極酸化処理を施す側の表面は、あらかじめ熱処理、脱脂処理および鏡面仕上げ処理が施されることが好ましい。
ここで、熱処理、脱脂処理および鏡面仕上げ処理については、特開2008-270158号公報の[0044]~[0054]段落に記載された各処理と同様の処理を施すことができる。
<導通路>
上記金属充填微細構造体が有する導通路は、導電性物質で構成されていることが好ましく、バルブ金属の陽極酸化膜の厚み方向に貫通して設けられたマイクロポアに充填された金属で構成されていることがより好ましい。
上記金属は、電気抵抗率が10Ω・cm以下の材料であるのが好ましく、その具体例としては、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、ニッケル(Ni)、亜鉛(Zn)等が好適に例示される。
中でも、電気伝導性の観点から、Cu、Au、Al、Niが好ましく、Cu、Auがより好ましく、Cuが更に好ましい。
〔平坦化工程〕
本発明の製造方法が有する平坦化工程は、金属充填微細構造体の少なくとも一方の表面を平坦化し、複数の導通路の一端を絶縁性基材の表面に露出させる工程である。
平滑化する方法は特に限定されず、例えば、以下に示す、機械研磨処理、化学機械研磨(CMP)処理、電解研磨処理、イオンミリング処理が好適に挙げられる。
<機械研磨処理>
機械研磨処理としては、例えば、#800~#1500の粒度の研磨布(例えば、SiC布)を用いて、ラッピングを行い、厚みを調整し、その後、平均粒子径1~3μmのダイヤモンドスラリーでポリッシングを行い、さらに、平均粒子径0.1~0.5μmのダイヤモンドスラリーでポリッシングを行うことで、鏡面状態にすることができる。
ここで、電極面の研磨厚みは0.5μm~20μmであるのが好ましく、対する開口面の研磨厚みは10μm~50μmであるのが好ましい。
また、回転速度は、10rpm~100rpmであるのが好ましく、20~60rpmであるのがより好ましい。
また、荷重は、0.01~0.1kgf/cm2であるのが好ましく、0.02~0.08kgf/cm2であるのがより好ましい。
<化学機械研磨(CMP)処理>
CMP処理には、フジミインコーポレイテッド社製のPNANERLITE-7000、日立化成社製のGPX HSC800、旭硝子(セイミケミカル)社製のCL-1000等のCMPスラリーを用いることができる。
<電解研磨処理>
電解研磨としては、例えば、「アルミニウムハンドブック」,第6版,(社)日本アルミニウム協会編,2001年,p.164-165に記載されている各種の方法;米国特許第2708655号明細書に記載されている方法;「実務表面技術」,vol.33,No.3,1986年,p.32-38に記載されている方法;等が好適に挙げられる。
<イオンミリング処理>
イオンミリング処理は、上記CMPによる処理や、電解研磨処理よりもさらに精密な研磨が必要な際に施され、公知の技術を用いることができる。イオン種としては一般的なアルゴンイオンを用いることが好ましい。
〔第1除去工程〕
本発明の製造方法が有する第1除去工程は、平坦化工程後に、金属充填微細構造体の表面に処理液を付与し、選択的に絶縁性基材の表面を厚み方向に一部除去し、複数の導通路の一端を絶縁性基材の表面から突出させる工程である。
上記処理液としては、例えば、上述した導通路を構成する金属(例えば、銅など)を溶解せず、絶縁性基材(例えば、アルミニウムの陽極酸化膜である酸化アルミニウムなど)を溶解する酸水溶液またはアルカリ水溶液が挙げられる。
また、上記処理液を金属充填微細構造体の表面に付与する方法としては、例えば、浸漬法、スプレー法が挙げられる。中でも、浸漬法が好ましい。
酸水溶液を用いる場合は、硫酸、リン酸、硝酸、塩酸等の無機酸またはこれらの混合物の水溶液を用いることが好ましい。中でも、クロム酸を含有しない水溶液が安全性に優れる点で好ましい。酸水溶液の濃度は1~10質量%であることが好ましい。酸水溶液の温度は、25~60℃であることが好ましい。
また、アルカリ水溶液を用いる場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。アルカリ水溶液の濃度は0.1~5質量%であることが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、20~35℃であることが好ましい。
具体的には、例えば、50g/L、40℃のリン酸水溶液、0.5g/L、30℃の水酸化ナトリウム水溶液または0.5g/L、30℃の水酸化カリウム水溶液が好適に用いられる。
酸水溶液またはアルカリ水溶液への浸漬時間は、8~120分であることが好ましく、10~90分であることがより好ましく、15~60分であることが更に好ましい。
本発明においては、第1除去工程および後述する第2除去工程においては、絶縁性基材の表面を厚み方向に一部溶解する際の溶解速度は、1~5μg/min・cmであることが好ましく、2~4μg/min・cmであることがより好ましい。
また、第1除去工程および後述する第2除去工程においては、絶縁性基材の表面を厚み方向に一部溶解する際の溶解量は、10~100μg/cmであることが好ましく、25~60μg/cmであることがより好ましい。
また、本発明においては、導通路の溶解を避ける観点から、第1除去工程および後述する第2除去工程で用いる処理液のpHが10~14であることが好ましく、11~13であることがより好ましい。
本発明においては、第1除去工程において絶縁性基材の表面を除去する厚さは0.2μm以下であるが、過剰な溶解を避ける観点から、第1除去工程において絶縁性基材の表面を除去する厚さが0.001~0.1μmであることがより好ましい。
また、本発明においては、除去開始時の均一性を確保する観点から、第1除去工程によって、複数の導通路の一端を絶縁性基材の表面から突出した突出部分の高さは、0.001μm以上であることが好ましく、0.010~0.1μmであることがより好ましく、0.050~0.1μmであることが更に好ましい。
ここで、突出部分の高さは、金属充填微細構造体の厚み方向の断面について、電界放出形走査電子顕微鏡(Field Emission Scanning Electron Microscope:FE-SEM)を用いて、倍率60000倍で10視野を観察し、複数の導通路ごとに絶縁性基材の表面から突出した突出部分の高さを測定した値の平均値をいう。
〔第1洗浄工程〕
本発明の製造方法が有する第1洗浄工程は、第1除去工程後に、金属充填微細構造体の表面を洗浄する工程である。
洗浄する方法としては、従来公知のリンス液を用いて、例えば、リンス液に浸漬する方法、リンス液をスプレー噴射する方法などが挙げられる。
また、洗浄する時間は、30秒~30分であることが好ましく、1分~10分であることがより好ましい。
リンス液は、主成分として水を含有することが好ましい。
また、リンス液は、水以外の溶剤として、アルコール類、アセトン、テトラヒドロフラン等などの水混和性溶剤を含有していてもよい。
また、リンス液は、界面活性剤を含有することが好ましい。
〔第2除去工程〕
本発明の製造方法が有する第2除去工程は、第1洗浄工程後に、金属充填微細構造体の表面に処理液を付与し、選択的に絶縁性基材の表面を厚み方向に一部除去し、第1除去工程によって絶縁性基材の表面から突出した複数の導通路の突出部分の高さを高くする工程である。
ここで、第2除去工程における処理内容は、上述した第1除去工程における処理内容と同様であるが、第1除去工程によって絶縁性基材の表面から突出した複数の導通路の突出部分の高さを1.1~3倍高くする処理であることが好ましい。
本発明においては、平坦性の低い部材表面との接合性が良好になるという理由から、第2除去工程(後述する第3除去工程を有する場合には第3除去工程のことをいう。)によって絶縁性基材の表面から突出した複数の導通路の突出部分の高さが50nm以上であることが好ましく、0.1~0.8μmであることがより好ましく、0.2~0.5μmであることが更に好ましい。
〔第2洗浄工程〕
本発明の製造方法は、第2除去工程後に、金属充填微細構造体の表面を洗浄する第2洗浄工程を更に有していることが好ましい。
ここで、第2洗浄工程における処理内容は、上述した第1洗浄工程における処理内容と同様である。
〔第3除去工程〕
本発明の製造方法は、導通路の突出部分の高さのバラツキをより抑制できる理由から、任意の第2除去工程後に、金属充填微細構造体の表面に処理液を付与し、選択的に絶縁性基材の表面を厚み方向に一部除去し、第2除去工程によって絶縁性基材の表面から突出した複数の導通路の突出部分の高さを高くする第3除去工程を更に有していることが好ましい。
ここで、第3除去工程における処理内容は、上述した第1除去工程における処理内容と同様である。
本発明の製造方法は、導通路の突出部分の高さのバラツキをより抑制できる理由から、上述した任意の第2洗浄工程および第3除去工程だけでなく、更に、第3洗浄工程および第4除去工程などを有していることが好ましい。
すなわち、本発明の製造方法は、第1除去工程および第1洗浄工程において説明した各処理を2回以上繰り返す態様が好ましく、これらを4回以上繰り返す態様がより好ましく、これらを5回以上繰り返す態様が更に好ましく、これらを10回以上繰り返す態様が特に好ましい。
〔基板除去工程〕
本発明の製造方法は、上述した第2態様(図2)に示すように、基板が付いた金属充填微細構造体を用いた場合には、第2除去工程後に、基板1を除去する基板除去工程を有していてもよい。
基板を除去する方法は特に限定されず、例えば、溶解により除去する方法等が好適に挙げられる。以下にアルミニウム基板を溶解により除去する方法について詳述する。
<アルミニウム基板の溶解>
上記アルミニウム基板の溶解は、陽極酸化膜を溶解しにくく、アルミニウムを溶解しやすい処理液を用いるのが好ましい。
このような処理液は、アルミニウムに対する溶解速度が、1μm/分以上であるのが好ましく、3μm/分以上であるのがより好ましく、5μm/分以上であるのが更に好ましい。同様に、陽極酸化膜に対する溶解速度が、0.1nm/分以下となるのが好ましく、0.05nm/分以下となるのがより好ましく、0.01nm/分以下となるのが更に好ましい。
具体的には、アルミよりもイオン化傾向の低い金属化合物を少なくとも1種含み、かつ、pHが4以下または8以上となる処理液であるのが好ましく、そのpHが3以下または9以上であるのがより好ましく、2以下または10以上であるのが更に好ましい。
このような処理液としては、酸またはアルカリ水溶液をベースとし、例えば、マンガン、亜鉛、クロム、鉄、カドミウム、コバルト、ニッケル、スズ、鉛、アンチモン、ビスマス、銅、水銀、銀、パラジウム、白金、金の化合物(例えば、塩化白金酸)、これらのフッ化物、これらの塩化物等を配合したものであるのが好ましい。
中でも、酸水溶液ベースが好ましく、塩化物をブレンドするのが好ましい。
特に、塩酸水溶液に塩化水銀をブレンドした処理液(塩酸/塩化水銀)、塩酸水溶液に塩化銅をブレンドした処理液(塩酸/塩化銅)が、処理ラチチュードの観点から好ましい。
なお、このような処理液の組成は特に限定されず、例えば、臭素/メタノール混合物、臭素/エタノール混合物、王水等を用いることができる。
また、このような処理液の酸またはアルカリ濃度は、0.01~10mol/Lが好ましく、0.05~5mol/Lがより好ましい。
更に、このような処理液を用いた処理温度は、-10℃~80℃が好ましく、0℃~60℃が好ましい。
また、上記アルミニウム基板の溶解は、上述した処理液に接触させることにより行う。接触させる方法は、特に限定されず、例えば、浸せき法、スプレー法が挙げられる。中でも、浸せき法が好ましい。このときの接触時間としては、10秒~5時間が好ましく、1分~3時間がより好ましい。
以下に実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものではない。
[実施例1]
以下の手順で、特定異方導電性部材を作製した。
(1)アルミニウム基板の作製
アルミニウムの純度が99.99%の鋳塊を圧延した板材(厚み0.1mm)をアルミニウム基板として用いた。
(2)電解研磨処理
上記アルミニウム基板に対して、以下組成の電解研磨液を用いて、電圧25V、液温度65℃、液流速3.0m/minの条件で電解研磨処理を施した。
陰極はカーボン電極とし、電源は、GP0110-30R(株式会社高砂製作所社製)を用いた。また、電解液の流速は渦式フローモニターFLM22-10PCW(アズワン株式会社製)を用いて計測した。
電解研磨後の表面粗さRaは0.03um未満であった。
(電解研磨液組成)
・85質量%リン酸(和光純薬工業株式会社製試薬) 660mL
・純水 160mL
・硫酸 150mL
・エチレングリコール 30mL
(3)陽極酸化処理工程
次いで、電解研磨処理後のアルミニウム基板に、特開2007-204802号公報に記載の手順にしたがって自己規則化法による陽極酸化処理を施した。
電解研磨処理後のアルミニウム基板に、0.50mol/Lシュウ酸の電解液で、電圧40V、液温度16℃、液流速3.0m/minの条件で、5時間のプレ陽極酸化処理を施した。
その後、プレ陽極酸化処理後のアルミニウム基板を0.5mol/Lリン酸水溶液(液温:40℃)に20分浸漬させる脱膜処理を施した。
その後、0.50mol/Lシュウ酸の電解液で、電圧40V、液温度16℃、液流速3.0m/minの条件で、5時間の再陽極酸化処理を施し、膜厚40μmの陽極酸化膜を得た。
なお、プレ陽極酸化処理および再陽極酸化処理は、いずれも陰極はステンレス電極とし、電源はGP0110-30R(株式会社高砂製作所製)を用いた。また、冷却装置にはNeoCool BD36(ヤマト科学株式会社製)、撹拌加温装置にはペアスターラーPS-100(EYELA東京理化器械株式会社製)を用いた。更に、電解液の流速は渦式フローモニターFLM22-10PCW(アズワン株式会社製)を用いて計測した。
(4)バリア層除去工程
次いで、上記陽極酸化処理と同様の処理液および処理条件で、電圧を40Vから0Vまで連続的に電圧降下速度0.2V/secで降下させながら電解処理(電解除去処理)を施した。
その後、50℃の温水、45℃のNeutraClean68(ロームアンドハース社製)、更に50℃の温水で陽極酸化膜表面の洗浄を行い、連続して5g/Lの亜鉛を含む水酸化ナトリウム水溶液(25℃)に浸漬し、エッチング処理(エッチング除去処理)を施し、陽極酸化膜のマイクロポアの底部にあるバリア層を除去し、マイクロポアを介して露出したアルミニウム表面に亜鉛を析出させた。
次いで、めっき処理中の水素発生を抑制するために無電解ニッケル処理を施し、ポア底部に亜鉛とニッケルが積層しためっきシード層を形成した。
ここで、バリア層除去工程後の陽極酸化膜に存在するマイクロポアの平均開口径は60nmであった。なお、平均開口径は、FE-SEMにより表面写真(倍率50000倍)を撮影し、50点測定した平均値として算出した。
また、バリア層除去工程後の陽極酸化膜の平均厚みは40μmであった。なお、平均厚みは、陽極酸化膜を厚さ方向に対して集束イオンビーム(Focused Ion Beam:FIB)で切削加工し、その断面をFE-SEMにより表面写真(倍率50000倍)を撮影し、10点測定した平均値として算出した。
また、陽極酸化膜に存在するマイクロポアの密度は、約1億個/mmであった。なお、マイクロポアの密度は、特開2008-270158号公報の[0168]および[0169]段落に記載された方法で測定し、算出した。
また、陽極酸化膜に存在するマイクロポアの規則化度は、92%であった。なお、規則化度は、FE-SEMにより表面写真(倍率20000倍)を撮影し、特開2008-270158号公報の[0024]~[0027]段落に記載された方法で測定し、算出した。
(5)金属充填工程(電解めっき処理)
次いで、アルミニウム基板を陰極にし、銅を正極にして電解めっき処理を施した。
具体的には、以下に示す組成の銅めっき液を使用し、定電流電解を施すことにより、マイクロポアの内部に銅が充填された導通路を有する金属充填微細構造体を作製した。
ここで、定電流電解は、株式会社山本鍍金試験器社製のめっき装置を用い、北斗電工株式会社製の電源(HZ-3000)を用い、めっき液中でサイクリックボルタンメトリを行って析出電位を確認した後に、以下に示す条件で処理を施した。
(銅めっき液組成および条件)
・硫酸銅 250g/L
・硫酸 1g/L
・塩酸 0.05g/L
・SPS(ビス(3-スルホプロピル)ジサルファイド) 5mg/L
・ポリエチレングリコール 10mg/L
・温度 30℃
・電流密度 10A/dm
マイクロポアに金属を充填した後の陽極酸化膜の表面をFE-SEMで観察し、1000個のマイクロポアにおける金属による封孔の有無を観察して封孔率(封孔マイクロポアの個数/1000個)を算出したところ、96%であった。
また、マイクロポアに金属を充填した後の陽極酸化膜を厚さ方向に対してFIBで切削加工し、その断面をFE-SEMにより表面写真(倍率50000倍)を撮影し、マイクロポアの内部を確認したところ、封孔されたマイクロポアにおいては、その内部が金属で完全に充填されていることが分かった。
(6)平坦化工程
次いで、陽極酸化膜の表面に、CMP(Chemical Mechanical Polishing)処理を施し、表面を研磨することにより、表面を平滑化した。平滑化工程により、異方導電性が確保される。この状態で、上述の絶縁抵抗を測定した。
平滑化工程では、MAT社製研磨装置(BC-15CN(商品名))を用いて、陽極酸化膜の表面を、アルミナを含む研磨剤(WA#8000(FF)ケメット・ジャパン株式会社製を純水で4倍に希釈した液)で一次研磨を行い、シリカを含む研磨剤(S-A1-1-0 ケメット・ジャパン株式会社製)で二次研磨を行い、研磨後の仕上がりの算術平均粗さ(JIS(日本工業規格) B0601:2001)を0.005μmとした。
(7)除去工程および洗浄工程
フォトリソ用卓上型現像装置(DV-200:アームスシステム社製)を用いて、pHを12に調整したKOH(0.01mol/L)水溶液(25℃)を、回転基板上に設置した金属充填微細構造体の表面に10分間連続してスプレー塗布し、絶縁性基材(アルミニウムの陽極酸化膜)の表面を厚み方向に0.11μm除去した。
次いで、純水で5分間水洗し、高速回転することで乾燥させた。
これら2つの処理を下記表1に示す回数を繰り返して行った。
[実施例2~7および比較例1~3]
除去工程および洗浄工程の時間および繰り返し回数を下記表1に示す条件に変更した以外は、実施例1と同様の方法で、特定異方導電性部材を作製した。
[評価]
作製した各特定異方導電性部材の断面について、FE-SEMを用いて、倍率60000倍で10視野を観察した。
得られた画像にあらかじめ用意した50nmピッチの等高線画像を、突出させた導通路の一端(最表面)が等高線の高さ=0になるように重ね合わせ(図3参照)、目視にて導通路間の絶縁性基材の高さが等高線のどの範囲になるかを判別し、記録した。
これを10視野分まとめて、導通路の突出部分の高さの度数分布(図4参照)を得た。
この度数分布を統計的に処理して、導通路の突出部分の平均高さ、および、標準偏差を算出し、後者の3倍(3σ)を導通路の突出部分の高さのばらつき(変動幅)とした。
表1に示す結果から、除去工程および洗浄工程を1回ずつ行った場合には、導通路の突出部分の高さのバラツキが生じることが分かった(比較例1および2)。
また、第1除去工程と、第1洗浄工程と、第2除去工程とを有するように、除去工程および洗浄工程を繰り返して行う場合でも、第1除去工程に相当する1回目の除去工程における除去厚みが0.2μmより大きい場合には、導通路の突出部分の高さのバラツキが生じることが分かった(比較例3)。
これに対し、所定の第1除去工程と、第1洗浄工程と、第2除去工程とを有するように、除去工程および洗浄工程を繰り返して行った場合には、導通路の突出部分の高さのバラツキを抑制できることが分かった(実施例1~7)。
特に、実施例1~6の対比から、除去工程および洗浄工程を4回以上繰り返すと、導通路の突出部分の高さのバラツキをより抑制できることが分かり、5回以上繰り返すと、導通路の突出部分の高さのバラツキを更に抑制できることが分かり、10回以上繰り返すと、導通路の突出部分の高さのバラツキを特に抑制できることが分かった。
1 基板
4 絶縁性基材
5 導通路
5a 突出部分
10 金属充填微細構造体
20 特定異方導電性部材
Dt 厚み方向
h 突出部分の高さ

Claims (8)

  1. 絶縁性基材と、前記絶縁性基材の厚み方向に貫通して設けられた複数の導通路とを有し、前記複数の導通路の一端が前記絶縁性基材の少なくとも一方の面から突出した状態で設けられる異方導電性部材の製造方法であって、
    絶縁性基材と、前記絶縁性基材の厚み方向に貫通して設けられた複数の導通路とを有する金属充填微細構造体を準備する準備工程と、
    前記金属充填微細構造体の少なくとも一方の表面を平坦化し、前記複数の導通路の一端を前記絶縁性基材の表面に露出させる平坦化工程と、
    前記平坦化工程後に、前記金属充填微細構造体の表面に処理液を付与し、選択的に前記絶縁性基材の表面を厚み方向に一部除去し、前記複数の導通路の一端を前記絶縁性基材の表面から突出させる第1除去工程と、
    前記第1除去工程後に、前記金属充填微細構造体の表面を洗浄する第1洗浄工程と、
    前記第1洗浄工程後に、前記金属充填微細構造体の表面に処理液を付与し、選択的に前記絶縁性基材の表面を厚み方向に一部除去し、前記第1除去工程によって前記絶縁性基材の表面から突出した前記複数の導通路の突出部分の高さを高くする第2除去工程と、を有し、
    前記第1除去工程において前記絶縁性基材の表面を除去する厚さが、0.2μm以下である、異方導電性部材の製造方法。
  2. 前記第2除去工程後に、前記金属充填微細構造体の表面を洗浄する第2洗浄工程を更に有する、請求項1に記載の異方導電性部材の製造方法。
  3. 前記第2洗浄工程後に、前記金属充填微細構造体の表面に処理液を付与し、選択的に前記絶縁性基材の表面を厚み方向に一部除去し、前記第2除去工程によって前記絶縁性基材の表面から突出した前記複数の導通路の突出部分の高さを高くする第3除去工程を更に有する、請求項2に記載の異方導電性部材の製造方法。
  4. 前記絶縁性基材は、バルブ金属の陽極酸化膜であり、
    前記複数の導通路は、前記陽極酸化膜の厚み方向に貫通して設けられたマイクロポアに充填された金属で構成されている、請求項1~3のいずれか1項に記載の異方導電性部材の製造方法。
  5. 前記バルブ金属が、アルミニウムである、請求項4に記載の異方導電性部材の製造方法。
  6. 前記マイクロポアに充填された金属が、銅である、請求項4または5に記載の異方導電性部材の製造方法。
  7. 前記第2除去工程によって前記絶縁性基材の表面から突出した前記複数の導通路の突出部分の高さが、50nm以上である、請求項1~6のいずれか1項に記載の異方導電性部材の製造方法。
  8. 前記第1除去工程および前記第2除去工程で用いる処理液のpHが10~14である、請求項1~7のいずれか1項に記載の異方導電性部材の製造方法。
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Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008270157A (ja) 2007-03-27 2008-11-06 Fujifilm Corp 異方導電性部材およびその製造方法
JP2009140869A (ja) 2007-12-10 2009-06-25 Fujifilm Corp 異方導電性部材
WO2019039071A1 (ja) 2017-08-25 2019-02-28 富士フイルム株式会社 構造体、構造体の製造方法、積層体および半導体パッケージ

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